技术领域
[0001] 本
申请涉及液晶显示的技术领域，具体而言，本申请涉及一
种子像素结构、液晶面板及反射式液晶显示设备。
背景技术
[0002]
液晶显示器的功耗与显示
频率成正比，对于某些液晶显示器，为降低功耗，一般需要降低显示驱动频率，例如采用1Hz(赫兹)等较低的显示频率。但是降低显示频率需要增加像素
电压的保持时间，由于漏
电流的存在，像素电压会随着时间的增加而不断减小，导致显示画面容易出现闪烁，影响显示效果。
[0003] 现有的一种显示器，为了在降低功耗的同时能够保证
薄膜晶体管的特性，在子像素中设置两个
薄膜晶体管。然而，这种现有的显示器仍然存在
漏电流较大的问题，显示效果较差。
发明内容
[0004] 本申请针对现有方式的缺点，提出一种子像素结构、液晶面板及反射式液晶显示设备，用以解决现有的液晶显示器因降低显示频率而导致漏电流较大的技术问题。
[0005] 第一方面，本申请
实施例提供了一种子像素结构，包括像素
电极、以及集成于阵列
基板的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
[0006] 第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，分别靠近像素电极相对的第一侧、第二侧，且用于分别与阵列基板中的两个扫描线相邻并连接；
[0007] 第一薄膜晶体管的
沟道区域的长度大于第一预设长度，第二薄膜晶体管的沟道区域的长度大于第二预设长度。
[0008] 第二方面，本申请实施例提供了一种液晶面板，包括阵列基板、多行平行的扫描线、多列平行的数据线以及本申请实施例第一方面提供的子像素结构；
[0009] 扫描线、数据线、以及子像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，都集成于阵列基板；数据线与扫描线垂直；
[0010] 每个子像素结构的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，分别与两个扫描线相邻并连接；第一薄膜晶体管还与对应的数据线连接。
[0011] 第三方面，本申请实施例提供了一种反射式液晶显示设备，包括本申请实施例第二方面提供的液晶面板。
[0012] 本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
[0013] 在本申请提供的子像素结构中，由于第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，分别靠近像素电极相对的第一侧、第二侧，增加了两个薄膜晶体管的间隔距离，使得每个薄膜晶体管具有较大的布局空间。第一薄膜晶体管的沟道区域的长度可以适当延长，以超过第一预设长度；第二薄膜晶体管的沟道区域的长度可以适当延长，以超过第二预设长度。子像素结构经上述改进后，可以较显著地增加第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的沟道的
电阻。将本申请提供的子像素结构应用于液晶显示设备，可以有效地避免液晶显示器因降低显示频率而导致放入漏电流问题。因此，液晶显示器可以以较低的显示频率进行显示，有效地降低功耗，由于不易出现漏电流，也有效地保证了液晶显示器具有较佳的显示效果。
[0014] 而且，由于第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，分别靠近像素电极相对的第一侧、第二侧，在布置与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管连接的扫描线时，两个扫描线也分别靠近像素电极相对的第一侧、第二侧，较大程度地避开了像素电极的中心，像素电极中能够形成面积较大且较完整的空余区域，有助于保证子像素具备较高的
开口率。
[0015] 本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0016] 本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0017] 图1为本申请实施例提供的子像素结构、扫描线和数据线的
位置关系示意图；
[0018] 图2为本申请实施例提供液晶面板的部分结构示意图。
[0019] 附图标号的说明如下：
[0020] 100-子像素结构；
[0021] 1-第一薄膜晶体管；11-第一薄膜晶体管的栅极；
[0022] 12-第一薄膜晶体管的源极；13-第一薄膜晶体管的漏极；
[0023] 2-第二薄膜晶体管；21-第二薄膜晶体管的栅极；
[0024] 22-第二薄膜晶体管的源极；23-第二薄膜晶体管的漏极；
[0025] 3-像素电极；31-第一边缘；32-第二边缘；
[0026] 33-第三边缘；34-第四边缘；
[0027] 4-第一导电线条；5-第二导电线条；6-导电
块；7-过孔；
[0028] 200-扫描线；300-数据线。
具体实施方式
[0029] 下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
[0030] 本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与
现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
[0031] 本技术领域技术人员可以理解，除非特意
声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的
说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
[0032] 为了能够在降低功耗的同时能够保证薄膜晶体管的特性，现有的一种显示器在每个子像素中设置两个薄膜晶体管。本申请的
发明人发现，上述现有的显示器依然沿用较常规的设计思维，将两个薄膜晶体管集中地布置在子像素的边
角区域。由于薄膜晶体管在子像素中的布局空间有限，薄膜晶体管只能设计的比较紧凑，导致薄膜晶体管的沟道长度较短、电阻较小，进而导致现有的液晶显示器在显示频率较小时易出现漏电流较大的问题。
[0033] 下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
[0034] 本申请实施例提供了一种子像素结构100，如图1所示，包括像素电极3、以及集成于阵列基板的第一薄膜晶体管1和第二薄膜晶体管2。
[0035] 第一薄膜晶体管1、第二薄膜晶体管2，分别靠近像素电极3相对的第一侧、第二侧，且用于分别与阵列基板中的两个扫描线200相邻并连接。
[0036] 第一薄膜晶体管1的沟道区域的长度大于第一预设长度，第二薄膜晶体管2的沟道区域的长度大于第二预设长度。
[0037] 应当说明的是，图1示出的是子像素的一部分结构，主要体现第一薄膜晶体管1和第二薄膜晶体管2的连接关系、第一薄膜晶体管1和第二薄膜晶体管2在子像素中的大致位置和摆放方式、以及子像素与扫描线200和数据线300的位置关系等。在图1中示出的子像素结构100的
基础上，本领域的技术人员能够知道图1中未示出的部件(例如液晶、公共电极和偏振片等)的设置方式，因此本书明书不再对图1中未示出的部件做具体介绍。
[0038] 本领域的技术人员可以连接，对薄膜晶体管施加
电场时，薄膜晶体管中的
指定区域会形成在源极与漏极之间导电的沟道。本申请实施例中的沟道区域，是指薄膜晶体管中能够形成沟道的区域。
[0039] 在本申请实施例中，第一预设长度和第二预设长度应当满足：当第一薄膜晶体管1的沟道区域的长度大于第一预设长度，且第二薄膜晶体管2的沟道区域的长度大于第二预设长度时，能够较显著地改善子像素结构100所属的液晶显示设备的漏电流问题。第一预设长度和第二预设长度的具体数值，可以根据实际的设计需要而定。
[0040] 在本申请提供的子像素结构100中，由于第一薄膜晶体管1、第二薄膜晶体管2，分别靠近像素电极3相对的第一侧、第二侧，增加了两个薄膜晶体管的间隔距离，使得每个薄膜晶体管具有较大的布局空间。第一薄膜晶体管1的沟道区域的长度可以适当延长，以超过第一预设长度；第二薄膜晶体管2的沟道区域的长度可以适当延长，以超过第二预设长度。子像素结构100经上述改进后，可以较显著地增加第一薄膜晶体管1和第二薄膜晶体管2的沟道的电阻。将本申请提供的子像素结构100应用于液晶显示设备，可以有效地避免液晶显示器因降低显示频率而导致放入漏电流问题。因此，液晶显示器可以以较低的显示频率进行显示，有效地降低功耗，由于不易出现漏电流，也有效地保证了液晶显示器具有较佳的显示效果。
[0041] 另外，由于第一薄膜晶体管1、第二薄膜晶体管2，分别靠近像素电极3相对的第一侧、第二侧，在布置与第一薄膜晶体管1和第二薄膜晶体管2连接的扫描线200时，两个扫描线200也分别靠近像素电极3相对的第一侧、第二侧，较大程度地避开了像素电极3的中心，像素电极3中能够形成面积较大且较完整的空余区域，有助于保证子像素具备较高的开口率。
[0042] 在本申请的一个实施例中，第一薄膜晶体管1的沟道区域的长度方向大致垂直于扫描线200，第二薄膜晶体管2的沟道区域的长度方向大致平行于扫描线200。
[0043] 第一薄膜晶体管1的漏极13与第二薄膜晶体管2的源极22连接。第一薄膜晶体管1的源极12、栅极11，分别用于与阵列基板中对应的数据线300、第一薄膜晶体管1所相邻的扫描线200连接。第二薄膜晶体管2的漏极23、栅极21，分别用于与像素电极3、第二薄膜晶体管2所相邻的扫描线200连接。
[0044] 每个扫描线200用于向对应的薄膜晶体管的栅极输出扫描
信号，控制薄膜晶体管的开启和关闭；数据线300输出的数据信号，依次通过第一薄膜晶体管1的源极12和漏极13、第二薄膜晶体管2的源极22和漏极23，传输至像素电极3。
[0045] 本领域的技术人员可以理解，与子像素结构100相连接的各扫描线200平行，且数据线300与扫描线200垂直。因此当第一薄膜晶体管1和第二薄膜晶体管2采用上述布置方式时，第一薄膜晶体管1与第二薄膜晶体管2呈L形排布，使得第一薄膜晶体管1的沟道区域和第二薄膜晶体管2的沟道区域能够沿不同的方向延伸，不会相互干涉，有利于增加沟道区域的长度。
[0046] 另外，第一薄膜晶体管1各第二薄膜晶体管2呈L形排布时，像素电极3中位于该L形内侧的部分形成了面积较大且较完整的空余区域。
[0047] 应当说明的是，图1是子像素结构100的俯视图，薄膜晶体管中的源极和漏极，位于栅极的下方。
[0048] 在图1中，方框1a所限定的区域为第一薄膜晶体管1的有源区，方框2a所限定的区域为第二薄膜晶体管2的有源区。
[0049] 在本申请的一个实施例中，第一薄膜晶体管1，沿平行于扫描线200的方向靠近像素电极3的第三侧，且与对应的数据线300相邻。第二薄膜晶体管2的源极22比漏极23靠近像素电极3的第三侧。
[0050] 第一薄膜晶体管1靠近像素电极3的第三侧时，第一薄膜晶体管1更加远离像素电极3的中心，使得像素电极3中的空余区域的面积进一步增加。
[0051] 以像素电极3的呈矩形为例，如图1所示，像素电极3包括第一边缘31、第二边缘32、第三边缘33和第四边缘34，第一边缘31与第二边缘32相对，第三边缘33与第四边缘34相对。第一边缘31所在的一侧为第一侧，第二边缘32所在的一侧为第二侧，第三边缘33所在的一侧为第三侧。
[0052] 在第一边缘31和第二边缘32的附近件分别穿过一条扫描线200，且第一边缘31和第二边缘32与扫描线200平行。第二薄膜晶体管2的沟道区域的长度方向平行于第二边缘32，且第二薄膜晶体管2整体靠近第二边缘32，第二薄膜晶体管2的漏极23靠近第二边缘32。
[0053] 在第三边缘33的附近穿过一条数据线300，且第三边缘33与数据线300平行。第一薄膜晶体管1的沟道区域的长度方向平行于第三边缘33，且第一薄膜晶体管1整体靠近第三边缘33，第一薄膜晶体管1的源极12靠近第一边缘31。
[0054] 应当说明的是，像素电极3也可以为其他形状。对于其他形状像素电极3，将像素电极3中分别靠近两条扫描线200的侧部，分别作为第一侧和第二侧；将像素电极3中靠近数据线300的侧部，作为第三侧。
[0055] 在本申请的一个实施例中，第一薄膜晶体管1的源极12和漏极13、以及第二薄膜晶体管2的源极22和漏极23，与数据线300属于同一层。第一薄膜晶体管1的栅极11和第二薄膜晶体管2的栅极，与扫描线200属于同一层。
[0056] 本领域的技术人员可以理解，扫描线200、数据线300、以及子像素结构100的第一薄膜晶体管1和第二薄膜晶体管2，都集成于阵列基板。在制备扫描线200、数据线300和子像素结构100时，第一薄膜晶体管1的源极12和漏极13、第二薄膜晶体管2的源极22和漏极23、以及数据线300，可以在同一个MASK中完成；第一薄膜晶体管1的栅极11、第二薄膜晶体管2的栅极21、以及扫描线200，可以在同一个MASK中完成。因此，本申请提供的子像素结构100，可以简化制备流程，提高制备效率。MASK指制造流程中的一个子流程，一个子流程中往往包含一道
光刻工序。
[0057] 可选地，子像素结构100包括第一导电线条4、第二导电线条5和导电块6。第一导电线条4的一端作为第一薄膜晶体管1的源极12，另一端用于与对应的数据线300连接。第二导电线条5的一端作为第一薄膜晶体管1的漏极13，另一端作为第二薄膜晶体管2的源极22。导电块6位于所述相邻两条扫描线200之间，所述导电块6的一部分作为所述第二薄膜晶体管2的漏极23，所述导电块6的另一部分与所述像素电极3连接。
[0058] 数据线300输出的数据信号，依次通过第一导电线条4、第一薄膜晶体管1的沟道区域、第二导电线条5、第一薄膜晶体管1的沟道区域以及导电块6，传输至像素电极3。
[0059] 可选地，导电块6与像素电极3之间设置有过孔7，导电块6与像素电极3通过过孔7连接。
[0060] 在本申请的一个实施例中，第一薄膜晶体管1的栅极11呈带状，且沿垂直于扫描线200的方向延伸。
[0061] 第一薄膜晶体管1的栅极11的一端，用于与第一薄膜晶体管1所相邻的扫描线200形成一体结构，且与第一导电线条4中作为源极12的端部交叠。第一薄膜晶体管1的栅极11的另一端，与第二导电线条5中作为漏极13的端部交叠。
[0062] 可选地，第一薄膜晶体管1的栅极11，可以被看做是与扫描线200一体形成的一个带状部件。该带状部件的一个端部与扫描线200相交，且带状部件垂直于扫描线200。
[0063] 在本申请的一个实施例中，第二薄膜晶体管2的栅极21呈带状，且沿平行于扫描线200的方向延伸，用于与第二薄膜晶体管2所相邻的扫描线200形成一体结构。第二薄膜晶体管2的栅极21的一端，与第二导电线条5中作为源极22的端部交叠。第二薄膜晶体管2的栅极
21的另一端与导电块6中作为漏极23的部分交叠。
[0064] 可选地，第二薄膜晶体管2的栅极2，可以被看做是扫描线200的一部分。扫描线200横跨第二薄膜晶体管2的源极22和漏极23，将扫描线200的跨在源极22和漏极23的部分，作为第二薄膜晶体管2的栅极2。
[0065] 在本申请的一个实施例中，第一薄膜晶体管1中源极12和漏极13之间的沟道区域的长度为L1，第二薄膜晶体管2中源极22和漏极23之间的沟道区域的长度为L2。L1和L2的取值范围可根据子像素大小而定，L1和L2的值一般不超过子像素的宽度即可。
[0066] 基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种液晶面板，液晶面板的结构如图1和图2所示，应当说明的是，图1可以看做是图2中A处的放大图。液晶面板包括阵列基板(图中未示出)、多行平行的扫描线200、多列平行的数据线300以及本申请上述各实施例提供的子像素结构100。
[0067] 扫描线200、数据线300、以及子像素结构100的第一薄膜晶体管1和第二薄膜晶体管2，都集成于阵列基板，数据线300与扫描线200垂直。
[0068] 第一薄膜晶体管1、第二薄膜晶体管2，分别靠近像素电极3相对的第一侧、第二侧，且分别与阵列基板中的两个扫描线200相邻并连接。第一薄膜晶体管1的沟道区域的长度大于第一预设长度，第二薄膜晶体管2的沟道区域的长度大于第二预设长度。
[0069] 可选地，像素电极3中分别靠近两条扫描线200的侧部，分别作为第一侧和第二侧；将像素电极3中靠近数据线300的侧部，作为第三侧。
[0070] 在本申请的一个实施例中，第一薄膜晶体管1的沟道区域的长度方向大致垂直于扫描线200，第二薄膜晶体管2的沟道区域的长度方向大致平行于扫描线200。第一薄膜晶体管1的源极12、栅11，分别与对应的数据线300、第一薄膜晶体管1所相邻的扫描线200连接。第二薄膜晶体管2漏极23、栅极21，分别与子像素结构100的像素电极3、第二薄膜晶体管2所相邻的扫描线200连接。
[0071] 每个扫描线200用于向对应的薄膜晶体管的栅极输出扫描信号，控制薄膜晶体管的开启和关闭；数据线300输出的数据信号，依次通过第一薄膜晶体管1的源极12和漏极13、第二薄膜晶体管1的源极22和漏极23，传输至像素电极3。
[0072] 在本申请的一个实施例中，第一薄膜晶体管1的栅极11与扫描线200属于同一层。第一薄膜晶体管1的栅极11呈带状，且沿垂直于扫描线200的方向延伸。第一薄膜晶体管1的栅极11的一端，与第一薄膜晶体管1所相邻的扫描线200为一体结构。
[0073] 在本申请的一个实施例中，第二薄膜晶体管2的栅极21与扫描线200属于同一层，第二薄膜晶体管2的栅极21与第二薄膜晶体管2所相邻的扫描线200为一体结构。
[0074] 可选地，第一薄膜晶体管1的源极12和漏极13、以及第二薄膜晶体管2的源极22和漏极23，与数据线300属于同一层。
[0075] 子像素结构100包括第一导电线条4、第二导电线条5和导电块6。第一导电线条4的一端作为第一薄膜晶体管1的源极12，另一端用于与对应的数据线300连接。第二导电线条5的一端作为第一薄膜晶体管1的漏极13，另一端作为第二薄膜晶体管2的源极22。导电块6位于所述相邻两条扫描线200之间，所述导电块6的一部分作为所述第二薄膜晶体管2的漏极23，所述导电块6的另一部分与所述像素电极3连接。
[0076] 数据线300输出的数据信号，依次通过第一导电线条4、第一薄膜晶体管1的沟道区域、第二导电线条5、第一薄膜晶体管1的沟道区域以及导电块6，传输至像素电极3。
[0077] 第一薄膜晶体管1的栅极11的一端与第一导电线条4中作为源极12的端部交叠；第一薄膜晶体管1的栅极11的另一端，与第二导电线条5中作为漏极13的端部交叠。第二薄膜晶体管2的栅极21的一端，与第二导电线条5中作为源极22的端部交叠；第二薄膜晶体管2的栅极21的另一端，与导电块6中作为漏极23的部分交叠。
[0078] 本申请实施例提供的
显示面板，与前面的各实施例具有相同的发明构思及相同的有益效果，该显示面板中未详细示出的内容可参照前面的各实施例，在此不再赘述。
[0079] 基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种反射式液晶显示设备，包括本申请上述各实施例提供的液晶面板。
[0080] 本申请实施例提供的反射式液晶显示设备，与前面的各实施例具有相同的发明构思及相同的有益效果，该反射式液晶显示设备中未详细示出的内容可参照前面的各实施例，在此不再赘述。
[0081] 应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
[0082] 1、在本申请提供的子像素结构中，由于第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，分别靠近像素电极相对的第一侧、第二侧，增加了两个薄膜晶体管的间隔距离，使得每个薄膜晶体管具有较大的布局空间。第一薄膜晶体管的沟道区域的长度可以适当延长，以超过第一预设长度；第二薄膜晶体管的沟道区域的长度可以适当延长，以超过第二预设长度。子像素结构经上述改进后，可以较显著地增加第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的沟道的电阻。将本申请提供的子像素结构应用于液晶显示设备，可以有效地避免液晶显示器因降低显示频率而导致放入漏电流问题。因此，液晶显示器可以以较低的显示频率进行显示，有效地降低功耗，由于不易出现漏电流，也有效地保证了液晶显示器具有较佳的显示效果。
[0083] 另外，由于第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，分别靠近像素电极相对的第一侧、第二侧，在布置与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管连接的扫描线时，两个扫描线也分别靠近像素电极相对的第一侧、第二侧，较大程度地避开了像素电极的中心，像素电极中能够形成面积较大且较完整的空余区域，有助于保证子像素具备较高的开口率。
[0084] 2、在制备扫描线、数据线和子像素结构时，第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、以及数据线，可以在同一个MASK中完成；第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的栅极、以及扫描线，可以在同一个MASK中完成。这可以简化制备流程，提高制备效率。
[0085] 在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“
水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0086] 术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0087] 在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0088] 在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0089] 以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
