专利汇可以提供涡旋态磁通晶格的连续波射频场调控电路结构及调控方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种对高温超导材料中涡旋态磁通晶格的连续波射频场调控 电路 结构以及调节方法,电路结构包括调控电路输入端、调控电路输出端、金属线圈、附加电感、附件内阻、可控电容、固定 电阻 。金属线圈在电路里可等效成线圈电感和线圈电阻。输入端直接连接波频发生器或者通过电磁耦合形式输入连续波频。输出端连接至外加 光谱 分析仪,用于对调控电路的输出结果进行观察。本发明中绕制线圈的内部空间与样品体积相接近,保证探测具有较高灵敏度。在保证整个振荡回路无击穿的前提下,增大射频场的功率和持续时间,实现对磁通晶格更有效的调控。本发明有效地对高温超导材料中涡旋态磁通晶格进行调控;同时也能灵敏地观测到磁通晶格的运动的调控效果。,下面是涡旋态磁通晶格的连续波射频场调控电路结构及调控方法专利的具体信息内容。
1.一种涡旋态磁通晶格的连续波射频场调控电路结构,其特征在于,包括:
调控电路输入端、调控电路输出端、金属线圈、附加电感Lm、附件内阻Rm、可控电容C、固定电阻R,所述金属线圈等效为线圈电感Ls和线圈电阻Rs,
其中所述调控电路输入端的一端与所述线圈电感Ls、所述线圈电阻Rs串联,另一端与所述可控电容C串联连接,所述可调电容C用于调节电路谐振频率,所述线圈电阻Rs以及所述可控电容C各自连接在调控电路输出端的两端;
所述附加电感Lm和附件内阻Rm串联连接,串联连接之后与电路同轴传输线的固定电阻R并联连接并与所述固定电阻R的阻抗匹配;其中附加电感Lm和附件内阻Rm用于调节振荡电路阻抗;
所述调控电路输入端通过外部宽带天线耦合连接在光谱仪的传输端,实现对装有超导材料的线圈施加连续波射频场,通过调节射频信号的功率、持续时间的参数及射频次数来调控高温超导材料中磁通晶格的运动,所述磁通晶格的运动引起线圈电感Ls的变化,而振荡电路的输入、输出信号相位差正比于线圈电感Ls的变化;
所述调控电路输出端的两端分别与所述固定电阻R的两端连接,并将接在光谱仪的接收端,通过光谱仪测量到的输入信号与输出信号的相位差来观测磁通晶格运动的调控效果。
2.根据权利要求1所述的连续波射频场调控电路结构,其特征在于,所述的可控电容的取值范围为10~45pF。
3.根据权利要求1所述的连续波射频场调控电路结构,其特征在于,调控电路输出端的所述固定电阻R的电阻值为50Ω,满足外接电子设备的对接需要。
4.一种涡旋态磁通晶格的连续波射频场调控方法,根据权利要求1-3任一项所述的连续波射频场调控电路结构实现的,其特征在于,包括如下步骤:
S1:将待测高温超导材料样品放置在金属线绕制的金属线圈中,所述金属线圈接在调控电路中;
S2:调节振荡电路阻抗,使之与电路同轴传输线的固定电阻R的特征阻抗匹配,调节可控电容用于调节电路共振频率;
S3:调控电路输入端可通过外部宽带天线耦合连接在光谱仪的传输端,实现对装有超导材料的线圈施加连续波射频场;
S4:通过调节射频信号的功率、持续时间以及射频次数的参数来调控高温超导材料中磁通晶格的运动,所述磁通晶格的运动引起线圈电感Ls的变化,而振荡电路的输入、输出信号相位差正比于线圈电感Ls的变化;
S5:通过光谱仪测量到的输入信号与输出信号的相位差和强度来观测磁通晶格运动的调控效果。
5.根据权利要求4所述的连续波射频场调控方法,其特征在于,所述射频信号的射频范围为5-1000MHz。
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