Liquid crystal display and manufacturing method therefor
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SOLUTION: This liquid crystal display 100 is provided with a substrate 1, an inorganic insulating film 17 formed on the substrate 1, and the alignment film 19 arranged in a display area 2 of at least the substrate 1, and formed on the inorganic insulating film 17. The liquid crystal display 100 has an alignment film 19 forming area formed with the alignment film 19, and an alignment film 19 nonforming area not formed with the alignment film 19, and the inorganic insulating film 17 is not exposed in the alignment film 19 nonforming area.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT，下面是Liquid crystal display and manufacturing method therefor专利的具体信息内容。
前記基板上に形成される無機絶縁膜と、
少なくとも前記基板上の表示領域に配置されるとともに前記無機絶縁膜の上に形成される配向膜とを備え、
前記配向膜が形成された配向膜形成領域と前記配向膜が形成されていない配向膜非形成領域があり、前記配向膜非形成領域において、前記無機絶縁膜は露出しないように構成されている、液晶表示装置。
前記有機絶縁膜は前記配向膜非形成領域において露出するように形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
前記第１透明電極上に前記無機絶縁膜を介して形成された第２透明電極とをさらに備え、
前記配向膜非形成領域に位置する前記無機絶縁膜は、前記第１透明電極と前記保護膜とにより挟み込まれるように形成されている、請求項４または５に記載の液晶表示装置。
前記第２透明電極は画素電極である、請求項６〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
基板上に有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成する工程と、
前記配向膜が形成される領域の外側に位置する前記無機絶縁膜を覆う保護膜を形成する工程と、
前記保護膜が形成された領域の外側に位置する前記無機絶縁膜を除去することによって、前記有機絶縁膜を露出させる工程とを備える、液晶表示装置の製造方法。
基板上に有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜にコンタクトホールを形成するのと同時に、前記無機絶縁膜の前記配向膜が形成される領域の外側に位置する部分のうちの所定の領域を除去する工程と、
その後、前記無機絶縁膜の前記配向膜が形成される領域の外側に位置する部分のうちの除去されなかった部分を覆うように保護膜を形成するとともに、前記保護膜の外側の領域に位置する前記有機絶縁膜を露出させる工程とを備える、液晶表示装置の製造方法。
本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関し、特に、絶縁膜および配向膜を備えた液晶表示装置およびその製造方法に関する。
従来、絶縁膜および配向膜を備えた液晶表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
上記特許文献１には、基板上の各電極間を絶縁するための絶縁膜（無機絶縁膜）と、液晶分子を一定方向に配列させるための配向膜とを備えた液晶表示装置が開示されている。
この特許文献１に記載の液晶表示装置では、表示領域上に形成された絶縁膜上には、電極が形成されている。 また、表示領域には配向膜が形成されている。 また、液晶表示装置の形成プロセスにおいては、基板上に複数の表示領域が設けられ、複数の表示領域にまたがるように絶縁膜が設けられるとともに、各々の表示領域に対応するように配向膜が設けられている。 そして、基板表面全体をラビング処理することにより、配向膜上の液晶分子が一定方向に配列されるように構成されている。
しかしながら、上記特許文献１に記載の液晶表示装置では、基板上の表示領域と表示領域との間の領域には配向膜が形成されていないため、絶縁膜が露出した状態であると考えられる。 この露出した絶縁膜上をラビング処理した際に、ラビング布の磨耗物が絶縁膜上に転写されてしまう場合がある。 また、ラビング処理後の洗浄処理をした際に、絶縁膜上に転写されたラビング布の磨耗物から溶解した不純物が、配向膜上に拡散してしまうという不都合がある。 このため、配向膜上に拡散した不純物により液晶の配向不良を起こしてしまうという問題点があると考えられる。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、ラビング処理時のラビング布の摩耗物が配向膜上に拡散することに起因する液晶の配向不良を抑制することが可能な液晶表示装置およびその製造方法を提供することである。
この発明の第１の局面による液晶表示装置は、基板と、基板上に形成される無機絶縁膜と、少なくとも基板上の表示領域に配置されるとともに無機絶縁膜の上に形成される配向膜とを備え、配向膜が形成された配向膜形成領域と配向膜が形成されていない配向膜非形成領域があり、配向膜非形成領域において、無機絶縁膜は露出しないように構成されている。
この発明の第１の局面による液晶表示装置では、上記のように、配向膜非形成領域において、無機絶縁膜は露出しないように構成することによって、ラビング処理時にラビング布が無機絶縁膜に接触するのを抑制することができるので、ラビング布の磨耗物が無機絶縁膜に転写されることを抑制することができる。 これにより、その後の洗浄処理による磨耗物の拡散を抑制することができるので、液晶の配向不良を抑制することができる。
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、基板と無機絶縁膜との間に形成される有機絶縁膜をさらに備え、有機絶縁膜は配向膜非形成領域において露出するように形成されている。 このように構成すれば、無機絶縁膜が露出している場合と異なり、
ラビング処理時にラビング布の磨耗物は、有機絶縁膜には転写されにくいので、その後の洗浄処理による磨耗物の拡散を抑制することができる。 これにより、液晶の配向不良を抑制することができる。
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、有機絶縁膜は無機絶縁膜よりも摩擦係数が小さい膜からなる。 このように構成すれば、ラビング処理時に、ラビング布が有機絶縁膜および無機絶縁膜に接触した際に、有機絶縁膜は、無機絶縁膜よりも摩擦係数が小さいので、無機絶縁膜に比べてラビング布の磨耗物が転写されるのを抑制することができる。 これにより、その後の洗浄処理による磨耗物の拡散を抑制することができるので、液晶の配向不良を抑制することができる。
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、少なくとも配向膜非形成領域に配置され、配向非形成領域に位置する無機絶縁膜を覆うように形成され、無機絶縁膜よりも摩擦係数が小さい保護膜をさらに備える。 このように構成すれば、ラビング処理時に、ラビング布が保護膜に接触しても、無機絶縁膜よりも保護膜の方が摩擦係数が小さいので、ラビング布の磨耗物が保護膜に転写されるのを抑制することができる。 これにより、その後の洗浄処理による磨耗物の拡散を抑制することができるので、液晶の配向不良を抑制することができる。
この場合、好ましくは、保護膜は、導電性膜からなる。 このように構成すれば、無機絶縁膜が保護膜により覆われているので、ラビング処理時のラビング布が無機絶縁膜に接触することをより抑制することができる。
上記保護膜を備える液晶表示装置において、好ましくは、基板上に形成された第１透明電極と、第１透明電極上に無機絶縁膜を介して形成された第２透明電極とをさらに備え、
配向膜非形成領域に位置する無機絶縁膜は、第１透明電極と保護膜とにより挟み込まれるように形成されている。 このように構成すれば、無機絶縁膜が第１透明電極と保護膜とにより確実に覆われるので、ラビング処理時のラビング布が無機絶縁膜に接触することを確実に抑制することができる。
この場合、好ましくは、保護膜は、保護膜の端部と第１透明電極とが接触するように形成されている。 このように構成すれば、保護膜と第１透明電極とにより、容易に無機絶縁膜の配向膜非形成領域に位置する部分を挟み込むことができる。
上記第２透明電極を備える液晶表示装置において、好ましくは、保護膜は、第２透明電極と同一の層からなる。 このように構成すれば、保護膜と第２透明電極とを同一の層をパターニングすることにより形成することができるので、保護膜を設けたとしても、製造プロセスが増加するのを抑制することができる。
上記導電性膜からなる保護膜を備える液晶表示装置において、好ましくは、保護膜は、
所定の電圧が印加されるように構成されている。 このように構成すれば、保護膜の電位がフローティング状態である場合と異なり、保護膜が液晶表示装置の電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制することができる。
上記第１透明電極と第２透明電極とを備える液晶表示装置において、好ましくは、第１
透明電極は共通電極であり、第２透明電極は画素電極である。 このように構成すれば、共通電極と画素電極との間の電界により、容易に、横方向電界モードの液晶表示装置を構成することができる。
この発明の第２の局面による液晶表示装置の製造方法は、配向膜を備える液晶表示装置の製造方法であって、基板上に有機絶縁膜を形成する工程と、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成する工程と、配向膜が形成される領域の外側に位置する無機絶縁膜を覆う保護膜を形成する工程と、保護膜が形成された領域の外側に位置する無機絶縁膜を除去することによって、有機絶縁膜を露出させる工程とを備える。
この発明の第２の局面による液晶表示装置の製造方法では、上記のように、保護膜が形成された領域の外側に位置する無機絶縁膜を除去することによって、有機絶縁膜を露出させる工程を備えることによって、ラビング処理時にラビング布が無機絶縁膜に接触しなくなるので、ラビング処理時のラビング布の摩耗物が配向膜上に拡散することに起因する液晶の配向不良を抑制することが可能な液晶表示装置を製造することができる。
この発明の第３の局面による液晶表示装置の製造方法は、配向膜を備える液晶表示装置の製造方法であって、基板上に有機絶縁膜を形成する工程と、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を形成する工程と、無機絶縁膜にコンタクトホールを形成するのと同時に、無機絶縁膜の配向膜が形成される領域の外側に位置する部分のうちの所定の領域を除去する工程と、その後、無機絶縁膜の配向膜が形成される領域の外側に位置する部分のうちの除去されなかった部分を覆うように保護膜を形成するとともに、保護膜の外側の領域に位置する有機絶縁膜を露出させる工程とを備える。
この発明の第３の局面による液晶表示装置の製造方法では、上記のように、無機絶縁膜にコンタクトホールを形成するのと同時に、無機絶縁膜の配向膜が形成される領域の外側に位置する部分のうちの所定の領域を除去する工程を備えることによって、同一の工程で、コンタクトホールの形成と無機絶縁膜の除去とを行うことができるので、製造工程数の増加を抑制することができる。 また、その後、無機絶縁膜の配向膜が形成される領域の外側に位置する部分のうちの除去されなかった部分を覆うように保護膜を形成するとともに、保護膜の外側の領域に位置する有機絶縁膜を露出させる工程を備えることによって、ラビング処理時にラビング布が無機絶縁膜に接触しなくなるので、ラビング処理時のラビング布の摩耗物が配向膜上に拡散することに起因する液晶の配向不良を抑制することが可能な液晶表示装置を製造することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の全体構成を示す図である。 図２は、図１の２００−２００線に沿った断面図である。 まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。 なお、本発明の第１実施形態では、液晶配向モードの一例である横方向電界モードを適用した場合について説明する。
第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、基板1の表面上には、
表示領域２が設けられている。 また、表示領域２の外周には、後述する共通電極１６に接続されるＣＯＭ配線３が形成されている。 また、ＣＯＭ配線３の外周には、後述するポリイミド（ＰＩ）からなる配向膜１９の端部（ＰＩ端）１９ａが形成されている。 また、配向膜１９の端部（ＰＩ端）１９ａの外周には、Ｖドライバ５およびＨドライバ６が配置されている。 このＶドライバ５およびＨドライバ６は、それぞれ、基板1に配置された複数の走査線（図示せず）および信号線（図示せず）に接続されている。
また、第１実施形態による液晶表示装置１００の詳細な断面構造としては、図２に示すように、基板1の表面上に、ポリシリコンからなる能動層７が形成されている。 そして、
能動層７には、能動層７のチャネル領域７ａを挟むように所定の間隔を隔てて、ソース領域７ｂおよびドレイン領域７ｃが形成されている。 また、能動層７のチャネル領域７ａ上には、ＳｉＯ ２からなるゲート絶縁膜８が形成されている。 また、ゲート絶縁膜８上には、Ｍｏ層からなるゲート電極９が形成されている。 また、チャネル領域７ａと、ソース領域７ｂと、ドレイン領域７ｃと、ゲート絶縁膜８と、ゲート電極９とによって、電界効果型トランジスタ１０が形成されている。
また、電界効果型トランジスタ１０の表面を覆うように、ＳｉＯ ２からなる層間絶縁膜１１が形成されているとともに、層間絶縁膜１１には、開口部１１ａおよび１１ｂが形成されている。 また、層間絶縁膜１１の開口部１１ａを介してソース領域７ｂに電気的に接続するようにソース電極１２が形成されている。 また、開口部１１ｂを介してドレイン領域７ｃに接続するようにドレイン電極１３が形成されている。 このソース電極１２およびドレイン電極１３は、たとえば、Ａｌなどからなる。 また、ソース電極１２から所定の間隔を隔ててＣＯＭ配線３が層間絶縁膜１１の表面上に形成されている。
また、層間絶縁膜１１の表面上には、ＣＶＤ法または塗布法により形成された有機平坦化膜１５が形成されている。 なお、有機平坦化膜１５は、本発明の「有機絶縁膜」の一例である。 この有機平坦化膜１５は、アクリル系の樹脂からなる。 この有機平坦化膜１５には、開口部１５ａおよび１５ｂが形成されている。 この有機平坦化膜１５の表面上には、
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明電極からなる共通電極１６が形成されている。
また、有機平坦化膜１５の開口部１５ａの表面上に形成された共通電極１６は、層間絶縁膜１１の表面上に形成されたＣＯＭ配線３と電気的に接続されている。 なお、共通電極１
６は、本発明の「第１透明電極」の一例である。
また、ソース電極１２の表面上の一部の領域と、有機平坦化膜１５の表面上の一部の領域と、共通電極１６の表面上の一部の領域とには、ＳｉＯ ２やＳｉＮ ｘなどからなる無機絶縁膜１７が形成されている。 また、有機平坦化膜１５の開口部１５ｂ上に形成された無機絶縁膜１７の底部は除去されている。 この開口部１５ｂ上には、後述する画素電極１８
が形成されるようにコンタクトホール１７ａが形成されている。 また、第１実施形態では、有機平坦化膜１５は、無機絶縁膜１７よりも摩擦係数が小さい膜からなっている。 また、有機平坦化膜１５は、基板１と無機絶縁膜１７との間に形成されている。
また、第１実施形態では、無機絶縁膜１７の表面上には、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ
）などの透明電極からなる画素電極１８が形成されている。 なお、画素電極１８は、本発明の「第２透明電極」の一例である。 また、第１実施形態では、コンタクトホール１７ａ
上に形成された画素電極１８の底部１８ａは、ソース電極１２の表面上の一部の領域と電気的に接続されている。
また、第１実施形態では、コンタクトホール１７ａの表面上に形成される画素電極１８
の外側（矢印Ｙ方向側）には、所定の間隔を隔てて保護膜１８ｂが形成されている。 また、第１実施形態では、無機絶縁膜１７よりも摩擦係数が小さい保護膜１８ｂは、導電性膜であり、画素電極１８と同一の層からなっている。 そして、画素電極１８と保護膜１８ｂ
とが電気的に開放されるように、画素電極１８の端部１８ｃと保護膜１８ｂの一方端部１
８ｄとが分離されている。 また、保護膜１８ｂの他方端部の底部１８ｅは、保護膜１８ｂ
が無機絶縁膜１７を覆うようにして、共通電極１６の表面上に接触（接続）されている。
また、第１実施形態では、保護膜１８ｂには、所定の電圧が印加されるように構成されている。 この所定の電圧は、たとえば０Ｖでもよい。 また、保護膜１８ｂに別途配線を設けることにより、電圧を印加してもよい。
また、画素電極１８は、平面的に見て、長方形形状のスリットを有している。 また、保護膜１８ｂの他方端部１８ｆの外側（矢印Ｙ方向側）の共通電極１６は、表面が露出している。 また、共通電極１６の端部１６ａの外側（矢印Ｙ方向側）の有機平坦化膜１５の表面は露出している。 また、無機絶縁膜１７の表面上の一部の領域と、画素電極１８の表面上とには、ポリイミド（ＰＩ）からなる配向膜１９が形成されている。 また、第１実施形態では、基板１上には、配向膜１９が形成されている配向膜１９の形成領域が形成されている。 また、基板１上には、配向膜１９が形成されていない配向膜１９の非形成領域（配向膜１９の端部（ＰＩ端）１９ａから矢印Ｙ方向側）が形成されている。 この配向膜１９
の非形成領域には、保護膜１８ｂが配置されている。 この配向膜１９は、表示領域２（図１参照）を覆うように形成されている。 また、第１実施形態では、配向膜１９の非形成領域に位置する無機絶縁膜１７は、共通電極１６と保護膜１８ｂとに挟み込まれることにより露出しないように構成されている。 また、有機平坦化膜１５は、配向膜１９の非形成領域において露出するように構成されている。
次に、図３〜図７は、それぞれ、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 まず、図２〜図７を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の製造プロセスについて説明する。
まず、図３に示すように、基板1の表面上の所定の領域にポリシリコンからなる能動層７を形成する。 次に、基板1の表面上の一部の領域および能動層７の表面上にゲート絶縁膜８を形成する。 その後、ゲート絶縁膜８の表面上に層間絶縁膜１１を形成する。 このゲート絶縁膜８および層間絶縁膜１１の一部の領域に開口部１１ａおよび１１ｂを形成する。 この開口部１１ａおよび１１ｂにソース電極１２およびドレイン電極１３を形成するとともに、層間絶縁膜１１の表面上にＣＯＭ配線３を形成する。
次に、図３に示すように、ＣＯＭ配線３と、層間絶縁膜１１と、ソース電極１２と、ドレイン電極１３との表面上に、ＣＶＤ法または塗布法により、アクリル系の樹脂からなる有機平坦化膜１５を形成する。 次に、有機平坦化膜１５の表面に、レジスト膜（図示せず）を形成する。 その後、ドライエッチングにより有機平坦化膜１５の表面に開口部１５ａ
および１５ｂを形成する。 そして、レジスト膜を除去する。 次に、有機平坦化膜１５の表面上の所定の領域に共通電極１６を形成する。 このとき、共通電極１６は、有機平坦化膜１５の開口部１５ａに形成された共通電極１６の底部がＣＯＭ配線３に電気的に接続するように形成される。
次に、図４に示すように、有機平坦化膜１５の表面上の一部と、共通電極１６の表面上とに、ＣＶＤ法により無機絶縁膜１７を形成する。 その後、無機絶縁膜１７の表面上の所定の領域にレジスト膜３０を形成する。 そして、無機絶縁膜１７の表面１７ｂおよび１７
ｃをドライエッチングにより順テーパ状に形成し、図５に示すように、ソース電極１２の表面および共通電極１６の表面が露出される。 その後、レジスト膜３０（図４参照）を除去する。
そして、第１実施形態では、図６に示すように、ソース電極１２の表面上の一部の領域と、共通電極１６の表面上の一部の領域と、無機絶縁膜１７の表面上とに画素電極１８と保護膜１８ｂとを形成する。 なお、保護膜１８ｂは、画素電極１８の表面上にレジスト膜（図示せず）を形成するとともに、画素電極１８をエッチングし、画素電極１８の端部１
８ｃと保護膜１８ｂの一方端部１８ｄとで切断することにより形成される。 この時、保護膜１８ｂの他方端部の底部１８ｅは、共通電極１６の表面上で接触するように形成される。 また、保護膜１８ｂは、無機絶縁膜１７を覆うように形成される。 この後、レジスト膜を除去する。
次に、図７に示すように、画素電極１８の表面上の所定の領域にレジスト膜３１を形成する。 その後、第１実施形態では、共通電極１６の表面のレジスト膜３１が形成されていない領域に形成された無機絶縁膜１７をウェットエッチングにより除去する。 これにより除去された無機絶縁膜１７の下部に形成されている共通電極１６および有機平坦化膜１５
が露出される。 この後、レジスト膜３１を除去する。 この後、画素電極１８および保護膜１８ｂ上の所定の領域に、配向膜１９を形成する。 この時、基板１上には、配向膜１９が形成されている形成領域と、配向膜１９が形成されていない非形成領域（配向膜１９の端部（ＰＩ端）１９ａから矢印Ｙ方向側）とが形成される。 これにより、図１に示す第１実施形態による液晶表示装置１００が形成される。
第１実施形態では、上記のように、配向膜１９の非形成領域において、無機絶縁膜１７
を、露出しないように構成することによって、ラビング処理時にラビング布が無機絶縁膜１７に接触するのを抑制することができるので、ラビング布の磨耗物が無機絶縁膜１７に転写されることを抑制することができる。 これにより、その後の洗浄処理による磨耗物の拡散を抑制することができるので、液晶の配向不良を抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、有機平坦化膜１５を配向膜１９の非形成領域において露出するように形成することによって、無機絶縁膜１７が露出している場合と異なり、ラビング処理時にラビング布の磨耗物は、有機平坦化膜１５に転写されにくいので、その後の洗浄処理による磨耗物の拡散を抑制することができる。 これにより、液晶の配向不良を抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、有機平坦化膜１５を無機絶縁膜１７よりも摩擦係数が小さい膜にすることによって、ラビング処理時に、ラビング布が有機平坦化膜１
５および無機絶縁膜１７に接触した際に、有機平坦化膜１５は、無機絶縁膜１７よりも摩擦係数が小さいので、無機絶縁膜１７に比べてラビング布の磨耗物が転写されるのを抑制することができる。 これにより、その後の洗浄処理による磨耗物の拡散を抑制することができるので、液晶の配向不良を抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、無機絶縁膜１７よりも摩擦係数が小さい保護膜１８ｂを備えることによって、ラビング処理時にラビング布が保護膜１８ｂに接触しても、無機絶縁膜１７よりも保護膜１８ｂの方が摩擦係数が小さいので、ラビング布の磨耗物が保護膜１８ｂに転写されるのを抑制することができる。 これにより、その後の洗浄処理による磨耗物の拡散を抑制することができるので、液晶の配向不良を抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、保護膜１８ｂを導電性膜にすることによって、無機絶縁膜１７が保護膜１８ｂにより覆われているので、ラビング処理時のラビング布が無機絶縁膜１７に接触することを抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、配向膜１９の非形成領域に位置する無機絶縁膜１７を、共通電極１６と保護膜１８ｂとにより挟み込むように形成することによって、
無機絶縁膜１７が共通電極１６と保護膜１８ｂとにより確実に覆われるので、ラビング処理時のラビング布が無機絶縁膜１７に接触することを確実に抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、保護膜１８ｂを、保護膜１８ｂの端部と共通電極１６とを接触するように形成することによって、保護膜１８ｂと共通電極１６とにより容易に無機絶縁膜１７の配向膜１９の非形成領域に位置する部分を挟み込むことができる。
また、第１実施形態では、上記のように、保護膜１８ｂを、画素電極１８と同一の層にすることによって、保護膜１８ｂと画素電極１８とを同一の層をパターニングすることにより形成することができるので、保護膜１８ｂを設けたとしても、製造プロセスが増加するのを抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、保護膜１８ｂを、所定の電圧が印加されるように構成することによって、保護膜１８ｂの電位がフローティング状態である場合と異なり、保護膜１８ｂが液晶表示装置１００の電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、第１透明電極は共通電極１６であり、第２透明電極は画素電極１８であることによって、共通電極１６と画素電極１８との間の電界により、容易に、横方向電界モードの液晶表示装置１００を構成することができる。
また、第１実施形態では、上記のように、保護膜１８ｂが形成された領域の外側（矢印Ｙ方向側）に位置する無機絶縁膜１７を除去することによって、有機平坦化膜１５を露出させる工程を備えることによって、ラビング処理時にラビング布が無機絶縁膜１７に接触しなくなるので、ラビング処理時のラビング布の摩耗物が配向膜１９上に拡散することに起因する液晶の配向不良を抑制することが可能な液晶表示装置１００を製造することができる。
（第２実施形態）
図８は、本発明の第２実施形態による液晶表示装置の構成を説明するための断面図である。 次に、図８を参照して、本発明の第２実施形態では、上記した第１実施形態と異なり、無機絶縁膜１７にコンタクトホール１７ａを形成するのと同時に、無機絶縁膜１７の配向膜１９が形成される領域の外側に位置する部分のうちの所定の領域を除去する液晶表示装置１００ａについて説明する。
この第２実施形態による液晶表示装置１００ａの構成では、上記した第１実施形態と同様に、有機平坦化膜１５の表面上に共通電極１６が形成され、共通電極１６の表面上には、無機絶縁膜１７が形成されている。 また、無機絶縁膜１７の表面上には、保護膜１８ｂ
が形成されている。
また、配向膜１９の非形成領域に位置する無機絶縁膜１７は、共通電極１６と保護膜１
８ｂとにより挟み込まれるようにして形成されている。 これにより、無機絶縁膜１７は、
露出しないように形成される。
また、第１実施形態とは異なり、保護膜１８ｂの他方端部１８ｆと共通電極１６の端部１６ａとは平面的に見て一致するように形成されている。 また、共通電極１６は、露出しないように形成されている。 また、共通電極１６の外側（矢印Ｙ方向側）の有機平坦化膜１５の表面は、露出するように形成されている。
なお、液晶表示装置１００ａのその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
図９〜図１２は、本発明の第２実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。 次に、図８〜図１２を参照して、本発明の第２実施形態による液晶表示装置１００ａの製造プロセスについて説明する。
この第２実施形態による液晶表示装置１００ａの製造プロセスでは、まず、第１実施形態の図３に示した有機平坦化膜１５を形成する製造プロセスを行った後に、図９に示すように、共通電極１６を有機平坦化膜１５の表面上全体に形成する。 この時、第１実施形態と異なり、共通電極１６の外側（矢印Ｙ方向側）の部分は途中で切断されずに、有機平坦化膜１５の矢印Ｙ方向側の表面上全体に形成される。 その後、図１０に示すように、第１
実施形態と同様に共通電極１６の表面上に無機絶縁膜１７を形成する。
次に、図１０に示すように、無機絶縁膜１７の表面上の所定の領域にレジスト膜３２を形成する。 その後、無機絶縁膜１７をドライエッチングする。 この時、第２実施形態では、第１実施形態と異なり、無機絶縁膜１７の表面上には、図１１に示すように、順テーパ状のコンタクトホール１７ａが形成されるのと同時に、無機絶縁膜１７の表面上には順テーパ状のテーパ部１７ｄが形成される。 これと同時にテーパ部１７ｄの外側（矢印Ｙ方向側）に位置する無機絶縁膜１７が除去される。 なお、ドライエッチングの際には、共通電極１６がエッチングストッパとして機能する。 その後、レジスト膜３２を除去する。
そして、第２実施形態では、図１２に示すように、有機平坦化膜１５の表面上の無機絶縁膜１７の除去されなかった領域を覆うように保護膜１８ｂを形成する。 これにより、保護膜１８ｂの外側（矢印Ｙ方向側）の領域に位置する有機平坦化膜１５が基板1上に露出する。 この後、図８に示したように、第２実施形態による液晶表示装置１００ａが形成される。
第２実施形態では、上記のように、無機絶縁膜１７にコンタクトホール１７ａを形成するのと同時に、無機絶縁膜１７の配向膜１９を形成する領域の外側に位置する部分のうちの所定の領域を除去する工程を備えることによって、同一の工程で、コンタクトホール１
７ａの形成と無機絶縁膜１７の除去とを行うことができる。 これにより、製造工程数の増加を抑制することができる。 また、その後、無機絶縁膜１７の配向膜１９を形成する領域の外側に位置する部分のうちの除去されなかった部分を覆うように保護膜１８ｂを形成するとともに、保護膜１８ｂの外側の領域に位置する有機平坦化膜１５を露出させる工程を備えることによって、ラビング処理時にラビング布が無機絶縁膜１７に接触しなくなるので、ラビング処理時のラビング布の摩耗物が配向膜１９上に拡散することに起因する液晶の配向不良を抑制することが可能な液晶表示装置１００ａを製造することができる。
なお、第２実施形態におけるその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。 本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
また、上記第１および第２実施形態では、本発明の有機平坦化膜の一例として、アクリル系の樹脂を用いる例を示したが、本発明はこれに限らず、ＳｉＯ ２やＳｉＮ Ｘなどからなる無機絶縁膜よりも摩擦抵抗が小さければ、有機平坦化膜としてアクリル系の樹脂以外の材料からなる有機膜を用いても良い。
たとえば、上記第１および第２実施形態では、本発明の一例として、横方向電界モードに適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、縦方向電界モードなどの液晶配向モードにも適用可能である。
また、上記第１および第２実施形態では、本発明の一例として、第１透明電極が共通電極であり、第２透明電極が画素電極である例を示したが、本発明はこれに限らず、第１透明電極が画素電極であり、第２透明電極が共通電極であってもよい。
１ 基板 ２ 表示領域 １５ 有機平坦化膜（有機絶縁膜）
１６ 共通電極（第１透明電極）
１７ 無機絶縁膜 １８ 画素電極（第２透明電極）
１８ｂ 保護膜 １９ 配向膜 １００、１００ａ 液晶表示装置
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