存储器电路系统
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1.一种存储器电路系统，其包括：
多个层级的堆叠，所述多个层级个别地包括存储器单元，所述存储器单元个别地包括竖向延伸晶体管；
所述层级个别地包括多个存取线，所述多个存取线个别地将所述个别层级中的一行所述存储器单元电耦合在一起；且
所述层级个别地包括存取线驱动器电路系统，所述存取线驱动器电路系统包括竖向延伸晶体管。
2.根据权利要求1所述的存储器电路系统，其中所述存取线驱动器电路系统包括多个竖向延伸晶体管，所述多个竖向延伸晶体管个别地电耦合到所述个别层级中的所述存取线中的不同的个别存取线。
3.根据权利要求2所述的存储器电路系统，其中所述存取线驱动器电路系统包括个别地电耦合到所述不同的个别存取线中的同一者的至少两个竖向延伸晶体管。
4.根据权利要求3所述的存储器电路系统，其中所述个别层级中的所述存取线驱动器电路系统的所述至少两个竖向延伸晶体管中的一者位于所述个别层级中的所述存取线驱动器电路系统的所述至少两个竖向延伸晶体管中的另一者上方。
5.根据权利要求4所述的存储器电路系统，其中所述个别层级中的所述存取线驱动器电路系统的所述至少两个竖向延伸晶体管中的所述一者位于所述个别层级中的所述存取线驱动器电路系统的所述至少两个竖向延伸晶体管中的所述另一者正上方。
6.根据权利要求3所述的存储器电路系统，其中所述存取线驱动器电路系统的所述至少两个竖向延伸晶体管中的至少一者与所述存取线驱动器电路系统的所述至少两个竖向延伸晶体管中的另一者是电路并联的。
7.根据权利要求3所述的存储器电路系统，其中所述存取线驱动器电路系统的所述至少两个竖向延伸晶体管中的至少一者与所述存取线驱动器电路系统的所述至少两个竖向延伸晶体管中的另一者不是电路并联的。
8.根据权利要求2所述的存储器电路系统，其中所述存取线驱动器电路系统的所述至少两个竖向延伸晶体管中的至少一者与紧邻层级中的所述存取线驱动器电路系统的所述至少两个竖向延伸晶体管中的至少一者电耦合。
9.根据权利要求1所述的存储器电路系统，其中所述存储器单元个别地包括电容器。
10.根据权利要求9所述的存储器电路系统，其中所述存储器单元个别地包括多个竖向延伸晶体管。
11.根据权利要求10所述的存储器电路系统，其中所述多个竖向延伸晶体管是垂直的或处于垂线的10°内。
12.根据权利要求1所述的存储器电路系统，其中所述层级个别地包括多个数字线，所述多个数字线个别地将所述个别层级中的一列所述存储器单元电耦合在一起。
13.根据权利要求1所述的存储器电路系统，其中所述个别层级中的所述存取线驱动器电路系统与所述个别层级中的所有所述存储器单元水平地间隔开。
14.一种存储器电路系统，其包括：
个别地具有多个层级的第一存储器阵列堆叠、第二存储器阵列堆叠及第三存储器阵列堆叠，所述多个层级个别地包括存储器单元，所述存储器单元个别地包括竖向延伸晶体管，所述层级个别地包括多个存取线，所述多个存取线个别地将所述个别层级中的一行所述存储器单元电耦合在一起，所述存储器阵列堆叠彼此沿着水平线水平地间隔开；所述第二存储器阵列堆叠沿所述水平线位于所述第一存储器阵列堆叠与所述第三存储器阵列堆叠之间，与所述第一存储器阵列堆叠及所述第三存储器阵列堆叠水平地间隔开，且紧邻于所述第一存储器阵列堆叠及所述第三存储器阵列堆叠中的每一者；及
存取线驱动器电路系统的堆叠，其沿所述水平线位于所述第二存储器阵列堆叠与所述第一存储器阵列堆叠或所述第三存储器阵列堆叠中的一者之间，所述存取线驱动器电路系统位于所述层级中的个别层级中且个别地包括多个竖向延伸晶体管，所述多个竖向延伸晶体管个别地电耦合到所述第二存储器阵列堆叠以及所述一个第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠中的每一者中的所述个别层级中的所述存取线中的不同的个别存取线，沿所述水平线在所述第二存储器阵列堆叠与所述第一存储器阵列堆叠或所述第三存储器阵列堆叠中的另一者之间不存在任何存取线驱动器电路系统的堆叠。
15.根据权利要求14所述的存储器电路系统，其包括多个物理上平行的栅极线，所述多个物理上平行的栅极线沿所述水平线在所述个别层级中位于所述第二存储器阵列堆叠与所述一个第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠之间，个别地将所述个别层级中的所述存取线驱动器电路系统的一列所述竖向延伸晶体管电耦合在一起。
16.一种存储器电路系统，其包括：
多个存储器阵列堆叠，其个别地具有多个层级，所述多个层级个别地包括存储器单元，所述存储器单元个别地包括竖向延伸晶体管，所述层级个别地包括多个存取线，所述多个存取线个别地将所述个别层级中的一行所述存储器单元电耦合在一起，所述存储器阵列堆叠彼此沿着水平线水平地间隔开；及
存取线驱动器电路系统堆叠，其沿所述水平线位于所述存储器阵列堆叠中彼此紧邻的存储器阵列堆叠之间，除所述彼此紧邻的存储器阵列堆叠之外，沿所述水平线在所述存储器阵列堆叠中的任何两个紧邻的存储器阵列堆叠之间不存在任何存取线驱动器电路系统堆叠。
17.根据权利要求16所述的存储器电路系统，其中所述存取线驱动器电路系统堆叠中的个别存取线驱动器电路系统堆叠的所述存取线驱动器电路系统位于所述层级中的个别层级中，且包括多个竖向延伸晶体管，所述多个竖向延伸晶体管个别地电耦合到沿所述水平线紧邻所述个别存取线驱动器电路系统堆叠的每一存储器阵列堆叠中的所述个别层级中的所述存取线中的不同的个别存取线。
18.根据权利要求16所述的存储器电路系统，其中所述存取线驱动器电路系统堆叠中的个别存取线驱动器电路系统堆叠的所述存取线驱动器电路系统位于所述层级中的个别层级中且包括多个物理上平行的栅极线，所述多个物理上平行的栅极线个别地将所述个别层级中的所述存取线驱动器电路系统的一列所述竖向延伸晶体管电耦合在一起。
19.一种存储器电路系统，其包括：
个别地具有多个层级的第一存储器阵列堆叠、第二存储器阵列堆叠及第三存储器阵列堆叠，所述多个层级个别地包括存储器单元，所述存储器单元个别地包括竖向延伸晶体管，所述层级个别地包括多个存取线，所述多个存取线个别地将所述个别层级中的一行所述存储器单元电耦合在一起，所述存储器阵列堆叠彼此沿着水平线水平地间隔开；所述第二存储器阵列堆叠沿所述水平线位于所述第一存储器阵列堆叠与所述第三存储器阵列堆叠之间，与所述第一存储器阵列堆叠及所述第三存储器阵列堆叠水平地间隔开，且紧邻于所述第一存储器阵列堆叠及所述第三存储器阵列堆叠中的每一者；
第一存取线驱动器电路系统，其沿所述水平线位于所述第二存储器阵列堆叠与所述第一存储器阵列堆叠或所述第三存储器阵列堆叠中的一者之间；及第二存取线驱动器电路系统，其沿所述水平线位于所述第二存储器阵列堆叠与所述第一存储器阵列堆叠或所述第三存储器阵列堆叠中的另一者之间；
所述第一存取线驱动器电路系统位于所述层级中的个别层级中且包括多个竖向延伸晶体管，所述多个竖向延伸晶体管个别地电耦合到所述第二存储器阵列堆叠以及所述一个第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠中的每一者中的所述个别层级中的所述存取线的第一交替组中的不同的个别存取线；且
所述第二存取线驱动器电路系统位于所述个别层级中且包括多个竖向延伸晶体管，所述多个竖向延伸晶体管个别地电耦合到所述第二存储器阵列堆叠以及所述第一存储器阵列堆叠或所述第三存储器阵列堆叠中的所述另一者中的每一者中的所述个别层级中的所述存取线的第二交替组中的不同的个别存取线。
20.根据权利要求19所述的存储器电路系统，其中所述第一交替组及所述第二交替组中的每一者在相应的第一交替组或第二交替组中各自包括所述个别层级中的所述存取线中的彼此交替存取线。
21.根据权利要求19所述的存储器电路系统，其包括：
多个物理上平行的栅极线，其沿所述水平线在所述个别层级中位于所述第二存储器阵列堆叠与所述一个第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠中之间，个别地将所述个别层级中的所述存取线驱动器电路系统的一列所述竖向延伸晶体管电耦合在一起；及多个物理上平行的栅极线，其沿所述水平线在所述个别层级中位于所述第二存储器阵列堆叠与另一第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠之间，个别地将所述个别层级中的所述第二存取线驱动器电路系统的一列所述竖向延伸晶体管电耦合在一起。
存储器电路系统
技术领域
背景技术
线)及存取线(也可被称为字线)来对存储器单元进行写入或读取。感测线可沿着阵列的列
导电地互连存储器单元，且存取线可沿着阵列的行导电地互连存储器单元。可通过感测线
与存取线的组合来唯一地对每一存储器单元进行寻址。
年的存储器。易失性存储器会发生耗散且因此被刷新/重写来维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保存时间。无论如何，存储器单元经配置而以至少两种不同的可选
择状态来保存或存储记忆。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的两种以上电平或状态。
组成，所述所存储的场将是易失性或非易失性的。举例来说，仅包含SiO2的电容器绝缘体材料将是易失性的。一种非易失性电容器类型是铁电电容器，其具有铁电材料作为绝缘材料
的至少一部分。铁电材料的特征在于具有两种稳定的极化状态且因此可构成电容器及/或
存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态可通过施加适合的编程电压来改变，且在
移除编程电压之后保持不变(达至少一段时间)。每一极化状态具有不同于另一极化状态的
电荷存储电容，且理想情况下可用于写入(即，存储)及读取存储器状态而无需逆转极化状
态，直到期望逆转存储器状态为止。不期望发生的是，在具有铁电电容器的某种存储器中，读取存储器状态的动作可使极化逆转。因此，在确定极化状态时，在其确定之后立刻对存储器单元进行重写以使存储器单元处于预读取状态。无论如何，由于形成电容器的一部分的
铁电材料的双稳定特性，包括铁电电容器的存储器单元在理想情况下是非易失性的。除铁
电材料之外的可编程材料也可用作电容器绝缘体以使电容器成为非易失性的。
所述沟道区且通过薄栅极绝缘体与所述沟道区分隔开。对栅极施加适合的电压允许电流从
源极/漏极区中的一者穿过沟道区流动到源极/漏极区中的另一者。当从栅极移除电压时，
电流在很大程度上被阻止流过沟道区。场效应晶体管也可在栅极绝缘体与导电栅极之间包
含额外结构(例如，可逆性可编程电荷存储/陷获区)作为栅极构造的一部分。
由晶体管的不同阈值电压(Vt)或由选定操作电压下的不同沟道导电性来表征。此外，可通
过施加适合的编程电压来改变铁电材料的极化状态，且这会形成高沟道传导性或低沟道传
导性中的一者。由铁电极化状态所致的高传导性及低传导性在栅极编程电压被移除之后保
持不变(达至少一段时间)。可通过施加不会干扰铁电极化的小漏极电压来读取沟道的状
态。除铁电材料之外的可编程材料也可用作栅极绝缘体来使晶体管成为非易失性的。
附图说明
具体实施方式
衬底11(仅在图1中加以展示)而制造的存储器电路系统10。实例性基础衬底11可包括导电/
导体/传导性(即，在本文中是电学上的)、半导电性/半导体/半传导性以及绝缘性/绝缘体/绝缘(即，在本文中是电学上的)材料中的一或多种。各种材料已竖向地形成在基础衬底11
上方。材料可以在图1到6所描绘材料的旁边、竖向内部或竖向外部。举例来说，集成电路系统的其它部分地或全部地制造的组件可设置在基础衬底11上方、基础衬底11周围或基础衬
底11内的某处。也可制造用于操作存储器阵列内的组件的控制电路系统及/或其它外围电
路系统，且所述控制电路系统及/或其它外围电路系统可以或可不全部地或部分地位于存
储器阵列或子阵列内。此外，多个子阵列也可被制造且相对于彼此独立地、串联地或以其它方式操作。如文件中所使用，“子阵列”也可被视为阵列。
可包括更少或更多的存储器阵列堆叠(例如，数十、数百、数千等)及更多的层级(例如，数十、数百、数千等)。实例性存储器阵列堆叠13可被视为彼此沿着水平线24(图6)水平间隔
开，水平线24可以是笔直线(如所展示)、曲线(未展示)、笔直区段与弯曲区段的组合(未展示)等。此外，可能将制造水平间隔的存储器阵列堆叠的多个(未展示)水平线路。
绘实施例中，存取线驱动器电路系统15的堆叠位于彼此紧邻的两个存储器阵列堆叠13B与
13C(15A)之间、13D与13E(15B)之间、13F与13G(15C)之间以及13H与13J(15D)之间，其中沿水平线24(图6)在紧邻的存储器阵列堆叠13A与13B之间、13C与13D之间、13E与13F之间、13G与13H之间及13J与13K之间不存在任何形式的存取线驱动器电路系统。
于垂线的10°内。在一个实施例中，存储器单元14个别地包括电容器19。在所描绘的实例中，个别存储器单元14包括双晶体管单电容器(2T-1C)存储器单元。可使用存储器单元的替代
配置，举例来说所述替代配置包含更多或更少的晶体管以及更多电容器或不包含电容器。
16的栅极，在所描绘实施例中竖向延伸晶体管16分别包括：柱17，其具有在垂直方向上相对的上部源极/漏极区18及下部源极/漏极区20；及沟道区21，竖向地位于上部源极/漏极区18与下部源极/漏极区20之间。在一个实施例中且如展示，层级12个别地包括个别地将所述个别层级12中的一列存储器单元14电耦合在一起的多个数字线(DL-T及DL-C)。
统25的一些虚线轮廓。在一个实施例中且如展示，个别层级12中的个别存取线驱动器电路
系统25个别层级12中的所有存储器单元14水平地间隔开。
晶体管，所述多个竖向延伸晶体管个别地电耦合，在一个实施例中直接电耦合到沿着水平
线24(图6)紧邻所述个别堆叠15的每一存储器阵列堆叠13中的所述个别层级12中的不同的
个别存取线AL。举例来说且仅举例说明，存取线驱动器电路系统25(例如，其可被视为局部存取线驱动器电路系统25)被展示为个别地具有四个竖向延伸晶体管T1、T2、T3及T4(图1)。
因此，单个存取线驱动器电路系统25内的任一个晶体管T1、T2、T3或T4包括个别地电耦合到所述个别层级12中的不同的个别存取线AL的多个竖向延伸晶体管中的一者。实例性个别竖
向延伸晶体管T1、T2、T3及T4被展示为分别包括具有上部源极/漏极区30及下部源极/漏极
区32的柱29以及位于上部源极/漏极区30与下部源极/漏极区32之间的沟道区34。在一个实
施例中，每一堆叠15中关于每一层级12的存取线驱动器电路系统可控制每一存储器阵列堆
叠13中的每一存取线，相应堆叠15定位在所述存储器阵列堆叠13之间。
体管中的另一者上方，在一个实施例中直接位于另一者上方。举例来说，在个别存取线驱动器电路系统25中，晶体管T1及T2中的每一者位于晶体管T3及T4中的每一者上方，其中晶体
管T1直接位于晶体管T3上方且晶体管T2直接位于晶体管T4上方。
12a中的晶体管T3及T4的下部源极/漏极区32被展示为与下部全局行线GR(例如，图1中的下
部GR0)电耦合(例如，直接电耦合)，下部全局行线GR也递增且将四个存取线AL电耦合在一
起(例如，直接电耦合在一起)(上部GR0及下部GR0可为层级12a及12b所共有，上方的另一对GR0[未展示]为层级12c及12d[未展示]所共有等)。层级12b中的晶体管T1及T2的下部源极/
漏极区32与跨越个别存取线驱动器电路系统堆叠15横向延伸的相应存取线AL电耦合(例
如，直接电耦合)。层级12b中的晶体管T3及T4的上部源极/漏极区30与跨越个别存取线驱动器电路系统堆叠15横向延伸的相应存取线AL电耦合(例如，直接电耦合)。仅举例说明，堆叠
15及堆叠13内的存取线AL被展示为位于不同高度处，且通过每一层级中的一对导电通路
45、47相对于彼此个别地电耦合(例如，直接电耦合)。
层级中的存取线驱动器电路系统的一列竖向延伸晶体管电耦合在一起(例如，直接电耦合
在一起)。仅举例说明，所述多个物理上平行的栅极线关于晶体管T1及T2被展示为编号为0
到3的四个栅极线PH，且关于晶体管T3及T4被展示为编号为0到3的四个栅极线PHf。因此，栅极线PH的一些部分用作个别晶体管T1及T2的栅极，且栅极PHf的一些部分用作个别晶体管
T3及T4的栅极。此外且仅举例说明，线PH及线PHf可包括位于个别堆叠15的边缘或外围处的存取线驱动器电路系统(未展示)的一部分或延伸部，举例来说个别堆叠15分别从差分比较
器接收相对于输入信号相内(真)及反相(假)的信号。实例性栅极线PH及PHf可延伸达阵列
堆叠13内的层级12的长度。或者，其可呈两个或多于两个组。仅举一个实例且关于512个存取线AL0到AL511层级阵列，组PH0到PH3及PHf0到PHf3可与AL0到AL255耦合，且组PH4到PH7
及PHf4到PHf7可与AL256到AL511耦合(图6)。
漏极区32电耦合(例如，直接电耦合)，且与层级12a中的晶体管T1及T2的源极/漏极区30电
耦合。所述额外多个物理上平行的导线VNAL可包括位于个别堆叠15的边缘或外围处的存取
线驱动器电路系统(未展示)的一部分或延伸部。
T4电路并联。可根据电流驱动要求，可相对于栅极线PH及/或PHf使用更多电路并联晶体管
(未展示)，或可相对于栅极线PH及/或PHf仅使用单个晶体管(例如，无电路并联晶体管，且未展示)。在一个实施例中，个别存取线驱动器电路系统25的至少两个竖向延伸晶体管中的至少一者不与至少两个竖向延伸晶体管中的另一者电路并联。举例来说，晶体管T1及晶体
管T2皆不与个别存取线驱动器电路系统25中的晶体管T3或T4电路并联，且晶体管T3及晶体
管T4皆不与晶体管T1或T2电路并联。
当地掺杂的半导电性材料。
务于两个这种存储器阵列堆叠(例如，关于堆叠15B，为紧邻的左存储器阵列堆叠13D及右存储器阵列堆叠13E)。
线(例如，图6中的24)水平地间隔开。第二存储器阵列堆叠(例如，13E)沿所述水平线位于第一存储器阵列堆叠(例如，13D)与第三(例如，13F)存储器阵列堆叠之间，与第一存储器阵列堆叠及第三存储器阵列堆叠水平地间隔开，且紧邻于第一存储器阵列堆叠及第三存储器阵
列堆叠中的每一者。存取线驱动器电路系统的堆叠(例如，15B)沿水平线位于第二存储器阵列堆叠与第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠(例如，13D)中的一者之间。存取线驱动器电路系统(例如，25)位于层级中的个别层级中且个别地包括多个竖向延伸晶体管(例
如，T1、T2、T3及T4中的任何两者或多于两者)，所述多个竖向延伸晶体管个别地电耦合到第二存储器阵列堆叠以及一个第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠(例如，13D)中的
每一者中的所述个别层级中的存取线中的不同的个别存取线。沿水平线在第二存储器阵列
堆叠与第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠中的另一者(例如，13F)之间不存在任
何存取线驱动器电路系统的堆叠。
100系列编号的相似编号来指示。存储器阵列堆叠113可具有与上文关于存储器阵列堆叠13
所描述的实质上相同的构造，为清晰起见图7及8中未展示个别存储器单元。在上文所描述
的第一描述实施例中(晶体管T1、T2、T3、T4在图7被示意性地展示为两个晶体管T1/T2及T3/T4)，存取线驱动器电路系统的堆叠115可具有实质上相同的个别存取线驱动器电路系统构
造25，但不同的堆叠115与紧邻的存储器阵列堆叠113具有不同的互连线。具体来说，存储器电路系统110可被视为沿水平线24(图6)包括位于特定紧邻的存储器阵列堆叠(例如，113B
与113C、113D与113E及113F与114G)之间的第一存取线驱动器电路系统(例如，115B、115D、
115F中的任一者)及位于另一特定紧邻的存储器阵列堆叠(例如，113A与113B、113C与113D、
113E与113F、113G与113H)之间的第二存取线驱动器电路系统(例如，115A、115C、115E、115G中的任一者)。第一存取线驱动器电路系统及第二存取线驱动器电路系统中的每一者控制
其紧邻的存储器阵列堆叠113中的每一者中的存取线。然而，第一存取线驱动器电路系统耦合到所述个别层级中的第一组交替存取线(例如，偶数AL线0到254)中的不同的个别存取
线，且第二存取线驱动器电路系统耦合到所述个别层级中的第二组交替存取线(例如，奇数AL线1到255)中的不同的个别存取线。在一个实施例中且如所展示，第一交替组及第二交替组中的每一者在相应的第一交替组或第二交替组中各自包括所述个别层级中的存取线中
的彼此交替存取线。或者，仅举例说明，交替组可使每三个存取线、每四个存取线等等(未展示)交替。也可使用与上文所描述的相似的多个物理上平行的栅极线。图7到9的实施例中可使用本文中所展示及/或描述关于其它实施例的任何其它属性或方面。
elevationally)”是指角度从恰好水平偏离至少45°的方向。此外，相对于场效应晶体管“竖向延伸”及“竖向地延伸的”是参考晶体管沟道长度的定向，沿着在操作中电流沿着晶体管沟道在源极/漏极区之间流动。就双极结晶体管来说，“竖向延伸”及“竖向地延伸的”是参考基座长度的定向，在操作中电流沿着基座长度在射极与集电极之间流动。
料/组件是否存在任何横向重叠)。
积、物理汽相沉积、外延生长、扩散掺杂及离子植入。
厚度，除非另有指示，且由于厚度是可变的，因此此类材料或区将具有某一最小厚度及某一最大厚度。如本文中所使用，“不同组成”仅要求可彼此直接抵靠的两种所述材料的那些部分在化学上及/或物理上不同(举例而言，在这些材料并不同质的情况下)。如果所述两种所述材料并不彼此直接抵靠，那么“不同组成”仅要求两种所述所述材料中彼此最接近的那些部分在化学上及/或物理上不同(在这些材料并不同质的情况下)。在本文件中，当材料、区或结构相对于彼此存在至少一些物理触碰接触时，所述材料、区或结构“直接抵靠”另一者。
相比而言，前面无“直接”的“在…上方”、“在…上”及“邻近”、“沿着”及“抵靠”囊括“直接抵靠”以及介入材料、区或结构致使所述的材料、区或结构相对于彼此不物理地触碰接触的构造。
所述区-材料-组件。相比之下，当区-材料-组件被称为“直接电耦合”时，直接电耦合的区-材料-组件之间不存在中间电子组件(例如，无二极管、晶体管、电阻器、环能器、开关、熔断器等)。
取线，所述多个存取线个别地将所述个别层级的一行所述存储器单元电耦合在一起。所述
层级个别地包括存取线驱动器电路系统，所述存取线驱动器电路系统包括竖向延伸晶体
管。
体管。所述层级个别地包括多个存取线，所述多个存取线个别地将所述个别层级中的一行
存储器单元电耦合在一起。所述存储器阵列堆叠彼此沿着水平线水平地间隔开。所述第二
存储器阵列堆叠沿所述水平线位于第一存储器阵列堆叠与第三存储器阵列堆叠之间，与第
一存储器阵列堆叠及第三存储器阵列堆叠水平地间隔开，且紧邻于第一存储器阵列堆叠及
第三存储器阵列堆叠中的每一者。存取线驱动器电路系统堆叠沿所述水平线位于第二存储
器阵列堆叠与一个第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠之间。所述存取线驱动器电
路系统位于所述层级中的个别层级中且个别地包括多个竖向延伸晶体管，所述多个竖向延
伸晶体管个别地电耦合到所述第二存储器阵列堆叠以及一个第一存储器阵列堆叠或第三
存储器阵列堆叠中的每一者中的所述个别层级中的所述存取线中的不同的个别存取线。沿
所述水平线在第二存储器阵列堆叠与第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠中的另
一者之间不存在任何存取线驱动器电路系统堆叠。
地包括竖向延伸晶体管。所述层级个别地包括多个存取线，所述多个存取线个别地将所述
个别层级中的一行存储器单元电耦合在一起。所述存储器阵列堆叠彼此沿着水平线水平地
间隔开。存取线驱动器电路系统堆叠沿水平线位于储器阵列堆叠中彼此紧邻的存储器阵列
堆叠之间。除所述彼此紧邻的存储器阵列堆叠之外，沿所述水平线在存储器阵列堆叠中的
任何两个紧邻的存储器阵列堆叠之间不存在任何存取线驱动器电路系统堆叠。
取线个别地将所述个别层级的一行所述存储器单元电耦合在一起。所述存储器阵列堆叠彼
此沿着水平线水平地间隔开。所述第二存储器阵列堆叠沿所述水平线位于第一存储器阵列
堆叠与第三存储器阵列堆叠之间，与第一存储器阵列堆叠及第三存储器阵列堆叠水平地间
隔开，且紧邻于第一存储器阵列堆叠及第三存储器阵列堆叠中的每一者。第一存取线驱动
器电路系统沿所述水平线位于第二存储器阵列堆叠与一个第一存储器阵列堆叠或第三存
储器阵列堆叠之间。第二存取线驱动器电路系统沿所述水平线位于第二存储器阵列堆叠与
第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠中的另一者之间。第一存取线驱动器电路系统
位于层级中的个别层级中且包括多个竖向延伸晶体管，所述多个竖向延伸晶体管个别地电
耦合到所述第二存储器阵列堆叠以及一个第一存储器阵列堆叠或第三存储器阵列堆叠中
的每一者中的所述个别层级中的所述存取线中的第一交替组中的不同的个别存取线。第二
存取线驱动器电路系统位于所述个别层级中且包括多个竖向延伸晶体管，所述多个竖向延
伸晶体管个别地电耦合到所述第二存储器阵列堆叠以及所述第一存储器阵列堆叠或所述
第三存储器阵列堆叠中的另一者中的每一者中的所述个别层级中的所述存取线中的第二
交替组中的不同的个别存取线。
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