专利汇可以提供Pressure sensor专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE:To obtain a pressure sensor free from variation in temp. compensating characteristics due to voltage of a power source, by synthetically compensating the variation in the temp. of an integrated amplifier by utilizing the VBE-temp. characteristics of a transistor and the temp. characteristics of diffusion resistance. CONSTITUTION:The amplifier circuit of an integrated pressure sensor is driven by voltage Vcc through a temp. compensation circuit 2 and constituted from a strain gauge G1-G4 circuit subjected to bridge constitution, resistors R3, R4 and an amplifier 3. Diffusion gauge resistances G1-G4 are diffused to the surface of an Si diaphragm and the resistors R3, R4 are formed as coating films on a chip. In the temp. compensation circuit 2, formula kR6lngamma/qR5R7=IB(T0)/T0, alpha5+alpha7- alpha6=(T0-xsi)/T0 (wherein k is Boltzmann's constant; gamma is emitter area ratio of transistors 4, 5; q is a charge amount; alphai is the temp. variation component of resistance Ri; xsi is the specific temp. of the Si diaphragm, T0 is an operation temp. and IB is a drive constant current) is satisfied. By this mechanism, temp. compensating characteristics are not varied by the variation of Vcc.,下面是Pressure sensor专利的具体信息内容。
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