专利汇可以提供一种传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 属于 电子 信息材料与元器件MEMS 微细加工 领域,具体涉及一种传感元件与忆阻器结合的多模态智能 传感器 。本发明通过在传感单元阵列中的每一个 像素 点中集成多种不同的传感单元,从同一 角 度同时探测不同物理量的分布;将传感单元阵列与忆阻器阵列结合,通过忆阻器阵列来完成 人工神经网络 的计算,从而在传感器端对传感单元阵列的 信号 进行初步的智能识别与判断,实现 人工智能 的功能,从而极大地减少传感器与 中央处理器 之间的数据传输量和次数,进而减少后续应用的计算时间与能耗,同时使某些由于传输条件的原因无法实现大量多次传感器与中央处理器之间数据传输而无法实现的功能得以实现。,下面是一种传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器专利的具体信息内容。
1.一种传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器,由传感单元阵列和忆阻器阵列组成,其特征在于:
所述传感单元阵列中包括2-100000000个呈阵列排布的像素点,每一个像素点由n个不同类型的传感单元构成,2≤n≤10,各传感单元分别采集相应的信息,并将采集到的信息输入到忆阻器阵列中的输入端;忆阻器阵列中的输入端数量与传感单元的总数量相等,且传感单元与忆阻器阵列的输入端一一对应相连。
所述忆阻器阵列中以一个忆阻器单元的电阻值对应于人工神经网络中的一个权重,每一个忆阻器单元的电阻值通过前期训练过程的调整,调整电阻值后忆阻器阵列实现人工神经网络的识别判断的功能,即完成训练之后的忆阻器阵列实现人工神经网络的识别判断的功能;当输入上述各像素点信息时,根据当前的输入状况进行分类并输出识别判断的结果;
并将识别决策判断的结果输出给中央处理器。
2.如权利要求1所述传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器,其特征在于:所述传感单元阵列的像素点阵列规模为A×B,A为1到10000之间的任意整数值,B为1到10000之间的任意整数值,且A和B的值既可以相等也可以不相等。
3.如权利要求1所述传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器,其特征在于:所述传感单元阵列的像素点上集成的传感单元为压力传感单元、温度传感单元、红外传感单元、光学传感单元、声学传感器或/和磁传感单元。
4.如权利要求1所述传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器,其特征在于:所述传感器单元阵列的传感单元输出的信号不是电压脉冲信号时,将传感单元的输出信号经过外围电路的信号转换,转换成相应的电压脉冲信号;最终传感单元输入到忆阻器阵列的信号均为电压脉冲信号。
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