专利汇可以提供一种薄膜型多孔离子源的制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 薄膜 型多孔离子源的制备方法,包括原料混合、制备源片、 烧结 和涂样,原料混合是先将铼粉和铂粉充分混合均匀后,加入液体胶 水 搅拌均匀并在自然环境条件下静置成均匀的混合体。制备源片是先将原料混合步骤制备的铼粉、铂粉和液体胶水的混合体加入稀释剂,充分搅拌成均匀的稀浆糊化的混合物,再将混合物倒入底面平整的模具中,使混合物在模具内形成平整的膜,并自然干燥后切割成源片。本发明通过在自然环境 温度 条件下、使用液体胶水实现铼粉和铂粉的混合,避免了离子源中铼粉和铂粉均匀性问题,从而简化了相应的处理工艺流程。同时,采用平板自然成膜方式,保证了膜的厚度较为一致,能够实现膜的厚度控制,使得待分析核素的电离效率较高而且较为稳定。,下面是一种薄膜型多孔离子源的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种薄膜型多孔离子源的制备方法,是将铼粉、铂粉和液体胶水的混合体制备成源片后,在真空中烧结成多孔离子源,制备过程包括原料混合、制备源片、烧结和涂样,其特征在于:所述原料混合是先将铼粉和铂粉充分混合均匀后,加入液体胶水搅拌均匀并在自然环境条件下静置成均匀的混合体。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述制备源片是先将原料混合步骤制备的铼粉、铂粉和液体胶水的混合体加入稀释剂,充分搅拌成均匀的稀浆糊化的混合物,再将混合物倒入底面平整的模具中,使混合物在模具内形成平整的膜,并自然干燥后切割成源片。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述原料混合过程中,铼粉、铂粉和液体胶水的重量比为1:1:1,混合体静置的时间为24h~48h。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述制备源片过程中,加入的稀释剂的量为铼粉、铂粉和液体胶水的混合体的体积的0.5~1倍。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:所述烧结是用液体胶水将源片粘接于灯丝上,自然干燥后制备成薄膜型多孔离子源,其中,烧结的最高温度为1700℃~1960℃。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:所述液体胶水中还加有溶剂,液体胶水和加入的溶剂的体积比为1:1~1:2。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:所述烧结过程中,粘接源片的灯丝的具体烧结流程为,以0.1A·min-1的速率加载电流,直到0.9A,等待30min;再以0.5A·min-1的速率加载电流,直到2.5A,等待20min;再以0.5A·min-1的速率加载电流,直到4.3A,烧结
10min;最后,降低电流至0A,在真空中冷却24h以上,制备成薄膜型多孔离子源。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:所述粘接源片的灯丝是在真空度小于
1×10-4Pa下进行烧结。
9.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述制备源片过程中,模具采用平整的聚四氟乙烯板。
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