薄膜晶体管基板的制作方法
专利汇可以提供薄膜晶体管基板的制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种 薄膜 晶体管 基板 的制作方法，包括如下步骤：S1、提供基板并形成栅极；S2、依次沉积栅极绝缘层、 半导体 层、及第二金属层；S3、涂覆光阻层，并通过第二光罩形成凹槽且移除非 薄膜晶体管 区域的光阻层；S4、以光阻层为遮挡，通过第一次蚀刻制程移除非薄膜晶体管区域的第二金属层；S5、通过第二次蚀刻制程移除非薄膜晶体管区域的半导体层；S6、对光阻层进行灰化处理，移除光阻层凹槽的底部；S7、以光阻层为遮挡，通过第三次蚀刻制程形成源极及漏极且曝露出半导体层；S8、剥离光阻层；S9、沉积 钝化 层并通过第三光罩与 光刻 制程 图案化 钝化层 ；以及S10、沉积透明 电极 层并通过第四光罩与光刻制程图案化透明电极层以形成 像素 电极。，下面是薄膜晶体管基板的制作方法专利的具体信息内容。
1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供基板，所述基板上设有薄膜晶体管区域与非薄膜晶体管区域，在所述基板上沉积第一金属层，并通过第一光罩与光刻制程图案化所述第一金属层，得到栅极；
步骤S2、在所述栅极及所述基板上依次沉积栅极绝缘层、半导体层、及第二金属层；
步骤S3、在所述第二金属层上涂覆光阻层，并通过第二光罩对所述光阻层进行曝光、显影，所述光阻层上对应所述栅极上方形成凹槽，且所述基板上对应所述非薄膜晶体管区域的所述光阻层被移除；
步骤S4、以所述光阻层为遮挡，通过第一次蚀刻制程对所述第二金属层进行蚀刻，使得所述基板上对应所述非薄膜晶体管区域的所述第二金属层被移除；
步骤S5、以所述光阻层为遮挡，通过第二次蚀刻制程对所述半导体层进行蚀刻，使得所述基板上对应所述非薄膜晶体管区域的所述半导体层被移除；
步骤S6、对所述光阻层进行灰化处理，使得所述光阻层对应所述栅极上方的所述凹槽的底部被穿透、移除所述凹槽的底部；
步骤S7、以所述光阻层为遮挡，通过第三次蚀刻制程对所述第二金属层进行蚀刻，使得所述光阻层凹槽部份对应的所述第二金属层被移除，形成源极及漏极，且曝露出所述半导体层；
步骤S8、剥离所述光阻层；
步骤S9、沉积钝化层覆盖所述薄膜晶体管区域和所述非薄膜晶体管区域的上方，并通过第三光罩与光刻制程图案化所述钝化层，曝露出所述漏极部份表面；以及步骤S10、沉积透明电极层覆盖所述薄膜晶体管区域和所述非薄膜晶体管区域的上方、以及所述漏极部份表面，并通过第四光罩与光刻制程图案化所述透明电极层以形成像素电极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述第一次蚀刻制程是湿蚀刻制程。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述第二次蚀刻制程是干蚀刻制程，所述干蚀刻制程采用的气体选自六氟化硫、氯、氧、氢、三氟化氮其中之一、或其中两种以上的混合气体。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述第三次蚀刻制程是干蚀刻制程，所述干蚀刻制程采用的气体选自六氟化硫、氯、氧、氢、三氟化氮其中之一、或其中两种以上的混合气体。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述第三次蚀刻制程采用的气体为所述氯和所述三氟化氮的混合气体。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述第三次蚀刻制程中所述三氟化氮的流量大于第二次蚀刻制程中所述三氟化氮的流量，或所述第三次蚀刻制程中所述三氟化氮的总量大于第二次蚀刻制程中所述三氟化氮的总量。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述第二光罩为灰阶曝光光罩，所述灰阶曝光光罩是狭缝光罩或半色调光罩。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，在进行所述步骤S7之前，更包括采用干蚀刻制程移除所述非薄膜晶体管区域的所述栅极绝缘层。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，当所述栅极绝缘层的材料为氧化硅时，所述干蚀刻制程采用四氟化碳和氧。
10.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，当所述栅极绝缘层的材料为氮化硅时，所述干蚀刻制程采用六氟化硫和氯。
薄膜晶体管基板的制作方法
技术领域
背景技术
40和第二金属层50，并在第二金属层50形成通道将源极50a和漏极50b区隔。此时，用做形成源极50a与漏极50b的第二层金50属与半导体层40之间，会有半导体拖尾40a产生。半导体拖尾40a除了受到光照影响时，半导体层40跟后续制程形成的像素电极层(未显示)之间会产生金属之间信号耦合效应而产生串扰。没有光照时，漏极50b跟像素电极层之间也会产生信号耦合效应而产生串扰,影响产品良率,甚至影响可靠度。
发明内容
具体实施方式
60为遮挡，通过第三次蚀刻制程形成源极50a及漏极50b，且曝露出半导体层40(图4G)；步骤S8、剥离光阻层60；步骤S9、沉积钝化层70并通过第三光罩与光刻制程图案化钝化层70(图
4H)；以及步骤S10、沉积透明电极层80a并通过第四光罩与光刻制程图案化透明电极层80以形成像素电极(图2)。每个步骤的详细说明如下。
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