专利汇可以提供基于多电极的照明通信器件及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种基于多 电极 的照明通信器件及其制备方法,该器件包括N型 半导体 层、多 量子阱 层、N电极、P型半导体层以及P电极,其P电极包括P电极内环以及P电极外环,内环和外环各包括四个电极弧段,在P型层上由内到外环状均匀分布,并且四个电极同时独立工作,改变了传统电极分布于单一区域的形态,克服了 电流 密度 过于集中的 缺陷 ,提升了有源区注入电流的均匀性,并且注入有源区的电流增多提升了电流扩散均匀性,提升了器件的响应速率,提高了可见光通信的 信噪比 以及光通信容量及 质量 ,做到了注重通信速率的同时兼顾照明需求。,下面是基于多电极的照明通信器件及其制备方法专利的具体信息内容。
1.基于多电极的照明通信器件,该照明通信器件由下至上依次包括N型半导体层、多量子阱层、N电极、P型半导体层以及P电极,所述N电极位于所述N型半导体层表面,所述P电极位于所述P型半导体层表面,其特征在于,沿所述多量子阱层及所述P型半导体层的外壁向所述N型半导体层方向设置有四个SiO2绝缘垫,相邻两个所述SiO2绝缘垫之间的夹角为90°;
所述P电极包括P电极内环、P电极外环以及直线电极,所述P电极内环与所述P电极外环为同心圆环状,所述直线电极沿所述圆环的直径方向,从所述P电极内环经由所述P电极外环延伸至所述SiO2绝缘垫,所述P电极内环以及所述P电极外环均由四段均匀分布的P电极弧段构成;所述N电极包括四段N电极弧段,两相邻所述N电极弧段之间由所述SiO2绝缘垫分隔。
2.根据权利要求1的所述照明通信器件,其特征在于,所述直线电极位于所述SiO2绝缘垫的一端设置有P电极焊盘。
3.根据权利要求1或2的所述照明通信器件,其特征在于,所述N电极弧段上设置有N电极焊盘。
4.根据权利要求1或2的所述照明通信器件,其特征在于,所述P电极内环以及所述P电极外环的相对应P电极弧段及其相对应的直线电极形成四个独立的“士”字形结构。
5.根据权利要求3的所述照明通信器件,其特征在于,所述N电极焊盘设置于所述N电极圆弧的中部位置。
6.根据权利要求1的所述照明通信器件,其特征在于,所述N电极呈环状,所述N电极的环状半径大于所述P电极外环半径。
7.根据权利要求4的所述照明通信器件,其特征在于,所述直线电极连接所述P电极弧段的中部位置。
8.照明通信器件的制备方法,其包括以下步骤:
在衬底上沉积N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层,形成外延片;
在上述外延片上采用光刻工艺,依次形成N型半导体台面以及包含多量子阱层及P型半导体的台面;
沉积SiO2绝缘垫,沿包含多量子阱层及P型半导体的台面的侧壁向N型半导体台面沉积预设形状的SiO2绝缘垫;
在所述P型半导体层上蒸镀P电极,所述P电极包含两个同心圆环结构的P电极内环、P电极外环以及四个直线电极,直线电极与P电极内环以及P电极外环交叉,且两相邻直线电极之间的夹角为90°,所述直线电极的一端延伸至所述SiO2绝缘垫上;
刻蚀P电极,沿各相邻两直线电极所成夹角的角平分线将所述P电极内环及所述P电极外环刻蚀成均匀分布的四个部分,相互之间不导通;
蒸镀N电极,在所述N型半导体台面上蒸镀环状N型电极;
刻蚀N型电极形成均匀分布的四个部分,相互之间不导通。
9.根据权利要求8的所述制备方法,其特征在于,蒸镀P电极的步骤中还包括,在直线电极靠近所述SiO2绝缘垫一侧的端部蒸镀焊盘结构。
10.根据权利要求8的所述制备方法,其特征在于,蒸镀N电极的步骤中还包括蒸镀四个焊盘,所述焊盘分别位于各所述N电极中部位置。
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