专利汇可以提供Semiconductor resistance element专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE:To reduce the occupying area of a resistor and increase the density of integration by forming a groove group of a V-form section by anisotropic etching on the surface of a semiconductor substrate and forming a resistance layer through impurity diffusion, etc. along the continuous surface including said groove group.,下面是Semiconductor resistance element专利的具体信息内容。
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