ハンドトリートメント用のスパ装置、及びハンドトリートメントのためのスパ方法

本発明は、手肌のトリートメントを行なうスパ（鉱泉浴）装置、及びスパ（鉱泉浴）によって手肌をトリートメントする方法に関するものである。

手肌を美麗にするための技術として、例えば特開２００５−４４４号公報に記載されているように、放電管からの放電エネルギーを収束させて肌面接触用電極に供給するものや、特開２００４−３２１０９５号公報に記載されているように、ヒアルロン酸に卵殻膜を配合した飲食品組成物が公知である。
また、台湾の発酵食品メーカーである味丹は、美肌に卓効を奏するガンマ−ポリグルタミン酸（γＰＧＡ）を開発して、２００３年度バイオテクノロジー金賞を受賞している。
第１図は上記ガンマ−ポリグルタミン酸（γーＰＧＡ）の化学構造式を示す。 第２図は、その構造図である。
第３図は、上記ガンマ−ポリグルタミン酸（γーＰＧＡ）の美肌効果を示す実験データであって、薬効を表す指標として縦軸に肌の含水率（単位：パーセント）を取り、横軸に経過時間を取ってある。
平行斜線（ハッチング）を付したのは比較例であって、γーＰＧＡを含まないクリームを塗布した場合を、斑点を付したのはγーＰＧＡを含むクリームを塗布した場合を、それぞれ表している。
この図表から、γーＰＧＡが優れた保水性を有していることが分かる。

＜従来技術の不具合＞
化粧品ないし肌の栄養剤としてのγーＰＧＡが優れていることは公知であり、この薬剤を含むクリーム剤を塗布することは行われているが、物理的療法と組み合わせてγ−ＰＧＡを皮膚の内部まで速やかに浸透させて実効を挙げる技術は未だ開発されていない。
＜本発明の目的＞
本発明は、以上に述べた事情に鑑みて為されたもので、その目的とするところは、γ−ＰＧＡを皮膚の深部まで迅速にかつ容易に浸透させて、該γ−ＰＧＡの薬効を美容（美肌）に発揮せしめ得る方法、及び該方法を容易に実施し得る装置を提供するにある（言うまでもなく、安全であることが大前提である）。
＜目的を達成するための手段＞
上記目的を達成するために創作した本発明の基本的な原理を、その１実施形態に対応する第５図を参照して略述すると次のとおりである。
浴槽本体２ａにγ−ＰＧＡ水溶液６を入れ、ヒーター７によって適温（摂氏３２度〜４２度・ほぼ入浴時の快適温度）に保ちつつ、気泡発生器８に圧縮空気を供給して微細な気泡１０を発生させる。
上記のγ−ＰＧＡ水溶液６内に手９を入れる。 なお、日本語の「手」には、英語のアームという意味とハンドという意味とが有るが、本発明において手とは、ハンドの意味である。
多数の微細気泡１０が消滅する際に超音波が発生し、この超音波の作用によって、γ−ＰＧＡが皮膚の深部まで速やかに浸透して皮膚の保水性を向上させ、美肌効果を発揮する。
上記の微細気泡１０がイオンを含み、及び／又は、オゾンを含んでいると、美肌効果が更に著しい。

第１図は、本発明に用いられるγ−ＰＧＡの分子式である。
第２図は、上記γ−ＰＧＡの構造図である。
第３図は、上記γ−ＰＧＡの保水性（美肌効果）を確認するための実験結果を示す図表である。
第４図は、本発明装置の１実施形態を使用して、本発明方法を実施している状態の模式的な斜視図である。
第５図は、前掲の第４図に示した浴槽本体に手を入れている状態を拡大して模式的に描いた部分断面側面図である 第６図は、前掲の第４図に示した実施形態に係るハンドトリートメント用スパ装置の系統図である。

符号の説明

Ａ：四官能価性架橋、Ｂ：多官能価性架橋、Ｃ，Ｄ：鎖の末端、Ｅ：絡み合い構造、Ｆ：環状構造、Ｇ：未反応のポリマー鎖、Ｈ：架橋間に生じた空間、Ｍｃ：連続する２架橋間の距離、●：浸透剤による膨潤、１：ガンマ−ポリグルタミン酸（γ−ＰＧＡ）、２：スパ浴槽、２ａ：浴槽本体、２ｂ：浴槽蓋、２ｃ：手首受台、２ｄ：計器・スイッチ盤、２ｅ：温度センサ、２ｆ：水位センサ、２ｇ：開口、３：制御機、３ａ：制御パネル、３ｂ：電源コード、３ｃ：電源プラグ、３ｄ：制御部、３ｅ：イオン発生器、３ｆ：オゾン発生器、３ｇ：空気ポンプ、４：ホース、５：電線、６：γ−ＰＧＡ水溶液、７：ヒーター、８：気泡発生器、９：手、１０：微細気泡

第４図は本発明装置の１実施形態を示す。 本例は１個の制御機３と２個のスパ浴槽２とを備えているが、本発明を実施する際、１個の制御機３と１個の浴槽本体２ａとによって構成することもできる。
上記スパ浴槽とは、鉱泉浴を行なう浴槽の意であって、浴槽本体２ａと浴槽蓋２ｂとから成り、該浴槽本体２ａの中にγ−ＰＧＡ水溶液６が入れられている。
本第４図に描かれている２個のスパ浴槽２の中で、右側に位置するスパ浴槽２に表されているように、浴槽本体２ａの上縁の一部分を切り欠いた形に開口２ｇが形成されるとともに、該開口に接して手首受台２ｃが設けられている。
左側に描かれているスパ浴槽２のように手首受台２ｃに手首を載せて浴槽蓋２ｂを閉じると、手（手首から先）９がスパ浴槽２の中に差し入れられ、前記γ−ＰＧＡ水溶液６に浸される。
浴槽蓋２ｂが開かれている右側のスパ浴槽に描かれているように、浴槽本体２ａの中には、第５図を参照して後に詳述するヒーター７と気泡発生器８とが設置されている。 符号２ｄを付してしめしたのは計器・スイッチ盤である。
上述のように構成されたスパ浴槽２は、ホース４と電線５とによって制御機３に接続されている。 該制御機３は電源コード３ｂと電源プラグ３ｃとによって商用電源（交流１００ボルト）に接続される。
符号３ａを付して示したのは制御パネルである。 その詳細は第６図を参照して後に詳しく述べる。
第５図は、前掲の第４図で述べたスパ浴槽２に手９を差し入れている状態を示している。 浴槽蓋２ｂは閉じられ、美肌施術される手は手首受台２ｃに載せられている。 このような構造であるるから、クライアントが暫くの時間この状態に置かれても別段の疲労を感じる虞れは無い。
γ−ＰＧＡ水溶液６は、ヒーター７によって適温に保たれている（温度調節手段については、第６図を参照して後に詳しく説明する）。
浴槽本体２ａの底部付近に気泡発生器８が設置されている。 本例の気泡発生器は多孔質のセラミックで構成した。 この多孔質部材の中にホース４から圧縮空気を供給すると、多数の微細気泡１０が発生して、γ−ＰＧＡ水溶液６内を上昇する。
上記微細気泡が破裂する際に超音波が発生し、手９はγ−ＰＧＡ水溶液６に浸されながら超音波の照射を受ける。 これによって、薬効成分であるγ−ＰＧＡが手の皮膚内に浸透する。
第６図は、前掲の第４図に示した実施形態に係るハンドトリートメント用スパ装置の主要な機能部材を描いた系統図である。
制御機３には、制御パネル３ａと制御部３ｄとが設けられていて、イオン発生器３ｅとオゾン発生器３ｆと空気ポンプ３ｇとを制御している。
イオン発生器３ｅで発生したイオンと、オゾン発生器３ｆで発生したオゾンとが、空気ポンプ３ｇの吐出空気流の中に、注入される。
イオンとオゾンとを注入された吐出空気流はホース４によってスパ浴槽２に供給され、気泡発生器８で微細気泡になる（第５図を参照して先に述べたとおりである）。
前記スパ浴槽２には温度センサ２ｅが設けられていて、その検出信号出力は制御部３ｄに入力される。 該制御部は入力信号に基づいてヒーター７を制御し、γ−ＰＧＡ水溶液を所定の温度範囲（摂氏３２度〜４２度）に保つ。
適正温度は、美肌施術を受ける者の個人差があるので、美容師によって調節することが望ましい。 一般的には高めの温度の方が効果的であるが、皮膚の状態によってはふやけて好ましからぬ副作用を招く虞れ無しとしない。
また、摂氏４０度付近の比較的高温ではγ−ＰＧＡが揮発するので、その水位だけでなく比重の変化にも留意する必要が有る。
前記のスパ浴槽２は水位センサ２ｆを備えていて、γ−ＰＧＡ水溶液の水位を自動的に監視している。 水位が許容範囲の下限に近づくと、アラーム又はパイロットランプ（図示省略）によって美肌施術者に報知するようになっている。
符号２ｄを付した構成部材は、前掲の第４図及び第５図に示した計器・スイッチ盤２ｄであって、この計器・スイッチ盤に与えられた操作信号は制御部３ｄに伝えられてγ−ＰＧＡ水溶液の液温や気泡の発生量を制御するとともに、その状態を表示する。

本発明は美容および化粧品製造の分野において広く応用されるものである。