放射线检测器及其制造方法

申请号 CN201580068168.9 申请日 2015-11-24 公开(公告)号 CN107110984A 公开(公告)日 2017-08-29
申请人 东芝电子管器件株式会社; 发明人 本间克久; 鹰取幸司;
摘要 实施方式所涉及的放射线检测器具备:阵列 基板 ,其具有基板以及设置在所述基板的一面侧的多个光电转换元件;闪烁层,其设置在所述多个光电转换元件的上方,并且含有第1 荧光 体材料;壁体,其设置在所述基板的一面侧,并且包围所述闪烁层;以及填充部,其设置在所述闪烁层与所述壁体之间,并且含有第2荧光体材料。所述闪烁层在周缘部分具有倾斜部,其厚度尺寸随着朝向所述闪烁层的外侧而逐渐减少。所述填充部设置在所述倾斜部的上方。
权利要求

1.一种放射线检测器,其特征在于,具备:
阵列基板,其具有基板以及设置在所述基板的一面侧的多个光电转换元件;
闪烁层,其设置在所述多个光电转换元件的上方,并且含有第1荧光体材料;
壁体,其设置在所述基板的一面侧,并且包围所述闪烁层;以及
填充部,其设置在所述闪烁层与所述壁体之间,并且含有第2荧光体材料,所述闪烁层在周缘部分具有倾斜部,其厚度尺寸随着朝向所述闪烁层的外侧而逐渐减少,
所述填充部设置在所述倾斜部的上方。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器,其特征在于,所述第2荧光体材料与所述第1荧光体材料相同。
3.根据权利要求1或2所述的放射线检测器,其特征在于,还具备反射层,其设置在所述闪烁层及所述填充部的上方,反射来自所述闪烁层及所述填充部的光。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的放射线检测器,其特征在于,还具备防湿体,其设置在所述闪烁层及所述填充部的上方或者所述反射层的上方,抑制蒸气的透过。
5.一种放射线检测器的制造方法,其特征在于,具备:
使用真空法,在设于基板的一面侧的多个光电转换元件的上方形成含有第1荧光体材料的闪烁层的工序;
在所述基板的一面侧形成包围所述闪烁层的壁体的工序;以及
在所述闪烁层与所述壁体之间形成含有第2荧光体材料的填充部的工序,在形成所述填充部的工序中,
所述填充部形成在倾斜部的上方,该倾斜部形成在所述闪烁层的周缘部分,并且其厚度尺寸随着朝向所述闪烁层的外侧而逐渐减少。
6.根据权利要求5所述的放射线检测器的制造方法,其特征在于,所述第2荧光体材料与所述第1荧光体材料相同。
1.(修正后)一种放射线检测器,其特征在于,具备:
阵列基板,其具有基板以及设置在所述基板的一面侧的多个光电转换元件;
闪烁层,其设置在所述多个光电转换元件的上方,并且含有第1荧光体材料;
壁体,其设置在所述基板的一面侧,并且包围所述闪烁层;以及
填充部,其设置在所述闪烁层与所述壁体之间,并且含有第2荧光体材料,所述闪烁层在周缘部分具有倾斜部,其厚度尺寸随着朝向所述闪烁层的外侧而逐渐减少,
所述倾斜部的至少一部分设置在设有所述多个光电转换元件的有效像素区域的上方,所述填充部设置在所述倾斜部的上方。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器,其特征在于,所述第2荧光体材料与所述第1荧光体材料相同。
3.根据权利要求1或2所述的放射线检测器,其特征在于,还具备反射层,其设置在所述闪烁层及所述填充部的上方,反射来自所述闪烁层及所述填充部的光。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的放射线检测器,其特征在于,还具备防湿体,其设置在所述闪烁层及所述填充部的上方或者所述反射层的上方,抑制水蒸气的透过。
5.(修正后)一种放射线检测器的制造方法,其特征在于,具备:
使用真空蒸镀法,在设于基板的一面侧的多个光电转换元件的上方形成含有第1荧光体材料的闪烁层的工序;
在所述基板的一面侧形成包围所述闪烁层的壁体的工序;以及
在所述闪烁层与所述壁体之间形成含有第2荧光体材料的填充部的工序,在形成所述填充部的工序中,
所述填充部形成在倾斜部的上方,该倾斜部形成在所述闪烁层的周缘部分,并且其厚度尺寸随着朝向所述闪烁层的外侧而逐渐减少,且其至少一部分设置在设有所述多个光电转换元件的有效像素区域的上方。
6.根据权利要求5所述的放射线检测器的制造方法,其特征在于,所述第2荧光体材料与所述第1荧光体材料相同。

说明书全文

放射线检测器及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明的实施方式涉及一种放射线检测器及其制造方法。

背景技术

[0002] 放射线检测器中设有:基板,其由玻璃等透光性材料形成;多个光电转换部,其在基板的上方设为矩阵状;闪烁层,其覆盖多个光电转换部,并将放射线转换为可见光即荧光;以及防湿体等,该防湿体覆盖闪烁层。此外,为了提高荧光的利用效率,改善灵敏度特性,有时还会在闪烁层的上方设置反射层。
闪烁层设为覆盖设有多个光电转换部的区域(有效像素区域)。
此处,使用真空法形成闪烁层时,会在闪烁层的周缘部分形成倾斜部。倾斜部的厚度尺寸随着朝向闪烁层的外侧而逐渐减少。因此,倾斜部的厚度小于位于闪烁层的中央区域的部分。如果闪烁层的厚度过薄,则发光亮度会减小,因此有倾斜部的区域的图像质量可能会降低。
此时,如果在从有效像素区域偏向外侧的位置设置倾斜部,则能够抑制图像质量的降低。但是,如果要在从有效像素区域偏向外侧的位置设置倾斜部,则无法实现放射线检测器的小型化。
因此,人们期望开发一种即使倾斜部位于有效像素区域的上方,也能够抑制图像质量的降低,并且能够实现放射线检测器的小型化的放射线检测器及其制造方法。
现有技术文献
专利文献
[0003] [专利文献1]日本专利特开2009-128023号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题
[0004] 本发明所要解决的课题是提供一种即使倾斜部位于有效像素区域的上方,也能够抑制图像质量的降低,并且能够实现放射线检测器的小型化的放射线检测器及其制造方法。解决技术问题所采用的技术方案
[0005] 实施方式所涉及的放射线检测器具备:阵列基板,其具有基板以及设置在所述基板的一面侧的多个光电转换元件;闪烁层,其设置在所述多个光电转换元件的上方,并且含有第1荧光体材料;壁体,其设置在所述基板的一面侧,并且包围所述闪烁层;以及填充部,其设置在所述闪烁层与所述壁体之间,并且含有第2荧光体材料。所述闪烁层在周缘部分具有倾斜部,其厚度尺寸随着朝向所述闪烁层的外侧而逐渐减少。
所述填充部设置在所述倾斜部的上方。
附图说明
[0006] 图1是用来例示第1实施方式所涉及的X射线检测器1的示意立体图。图2是X射线检测器1的示意剖面图。
图3是用来例示高温高湿环境下(60℃-90%RH)的透湿量的变化的曲线图。
图4是用来例示高温高湿环境下(60℃-90%RH)的分辨率特性的变化的曲线图。

具体实施方式

[0007] 以下,参照附图对实施方式进行例示。另外,在各附图中,对相同的构成要素标注相同的符号,并适当省略详细说明。此外,本发明的实施方式所涉及的放射线检测器除了X射线以外,还能够适用于γ线等各种放射线。此处,作为一例,作为放射线中的代表,以X射线时为例进行说明。因此,通过将以下实施方式的“X射线”替换为“其他放射线”,也能够适用于其他放射线。
[0008] [第1实施方式]首先,例示第1实施方式所涉及的X射线检测器1。
图1是用来例示第1实施方式所涉及的X射线检测器1的示意立体图。
另外,为了避免复杂,图1中省略了反射层6、防湿体7、填充部8、壁体9、接合层10以及保护层2f等。
图2是X射线检测器1的示意剖面图。
另外,为了避免复杂,图2中省略了控制线(或栅极线)2c1、数据线(或信号线)2c2、信号处理部3以及图像传送部4等。
放射线检测器即X射线检测器1是用来检测放射线图像即X射线图像的X射线平面传感器。X射线检测器1能够用于例如一般医疗用途等。但是,X射线检测器1的用途并不仅限于一般医疗用途。
[0009] 如图1和图2所示,X射线检测器1上设有阵列基板2、信号处理部3、图像传送部4、闪烁层5、反射层6、防湿体7、填充部8、壁体9以及接合层10。阵列基板2具有基板2a、光电转换部2b、控制线2c1、数据线2c2以及保护层2f。
[0010] 基板2a呈板状,由无玻璃等透光性材料形成。光电转换部2b在基板2a的一个表面上设有多个。
光电转换部2b呈矩形状,设置在由控制线2c1与数据线2c2划出的区域中。多个光电转换部2b排列成矩阵状。
另外,1个光电转换部2b对应1个像素(pixel)。
[0011] 多个光电转换部2b上分别设有光电转换元件2b1以及作为开关元件的薄膜晶体管(TFT;Thin Film Transistor)2b2。此外,还能够在光电转换元件2b1上设置未图示的储能电容器,其可用来存储转换后的信号电荷。未图示的储能电容器呈例如矩形平板状,能够设置在各薄膜晶体管2b2的下方。
但是,根据光电转换元件2b1的容量,光电转换元件2b1能够兼做未图示的储能电容器。
[0012] 光电转换元件2b1能够使用例如光电二极管等。薄膜晶体管2b2会对通过将荧光入射至光电转换元件2b1来生成的电荷进行蓄积和释放的切换。薄膜晶体管2b2能够采用含有非晶(a-Si)或多晶硅(P-Si)等半导体材料的物质。薄膜晶体管2b2具有栅极、源极以及漏极。薄膜晶体管2b2的栅极与相应的控制线2c1电连接。薄膜晶体管2b2的源极与相应的数据线2c2电连接。薄膜晶体管2b2的漏极与相应的光电转换元件2b1及未图示的储能电容器电连接。
[0013] 控制线2c1以规定间隔相互平行地设有多个。控制线2c1例如向行方向延伸。多个控制线2c1分别与设置在基板2a的周缘附近的多个配线垫2d1电连接。多个配线垫
2d1上分别电连接着设置在柔性印刷电路板2e1上的多个配线的一端。设置在柔性印刷电路板2e1上的多个配线的另一端分别电连接至设置在信号处理部3的未图示的控制电路。
[0014] 数据线2c2以规定间隔相互平行地设有多个。数据线2c2向与控制线2c1延伸的方向正交的方向(例如列方向)延伸。多个数据线2c2分别与设置在基板2a的周缘附近的多个配线垫2d2电连接。多个配线垫
2d2上分别电连接着设置在柔性印刷电路板2e2上的多个配线的一端。设置在柔性印刷电路板2e2上的多个配线的另一端分别电连接至设置在信号处理部3的未图示的放大/转换电路。
保护层2f设置为覆盖光电转换部2b、控制线2c1以及数据线2c2。
保护层2f能够由氮化硅(SiN)和丙烯酸树脂等绝缘性材料形成。
[0015] 信号处理部3设置在基板2a上设有光电转换部2b的一侧的相反侧。信号处理部3上设有未图示的控制电路以及未图示的放大/转换电路。
未图示的控制电路可控制各薄膜晶体管2b2的动作即接通状态和断开状态。例如,未图示的控制电路经由柔性印刷电路板2e1、配线垫2d1以及控制线2c1,将控制信号S1依次施加至各控制线2c1。根据施加至控制线2c1的控制信号S1,薄膜晶体管2b2成为接通状态,并且能够接收来自光电转换部2b的图像数据信号S2。
[0016] 未图示的放大/转换电路具有例如多个电荷放大器、并联/串联转换器以及模拟-数字转换器。多个电荷放大器分别电连接至各数据线2c2。
多个并联/串联转换器分别电连接至多个电荷放大器。
多个模拟-数字转换器分别电连接至多个并联/串联转换器。
未图示的多个电荷放大器经由数据线2c2、配线垫2d2以及柔性印刷电路板2e2,依次接收来自各光电转换部2b的图像数据信号S2。
[0017] 然后,未图示的多个电荷放大器将所接收的图像数据信号S2依次放大。未图示的多个并联/串联转换器将放大后的图像数据信号S2依次转换为串联信号。
未图示的多个模拟-数字转换器将转换为串联信号的图像数据信号S2依次转换为数字信号
[0018] 图像传送部4经由配线4a电连接至信号处理部3的未图示的放大/转换电路。另外,图像传送部4也可以与信号处理部3形成一体。图像传送部4基于通过未图示的多个模拟-数字转换器转换为数字信号的图像数据信号S2,构成X射线图像。此时,例如有效像素区域A的中央区域与周缘区域存在亮度差时,能够实施电气处理(图像修正、亮度修正),对于构成X射线图像时因亮度差而产生的灵敏度差进行修正。所构成的X射线图像的数据会从图像传送部4输出至外部设备。
[0019] 闪烁层5设置在多个光电转换部2b(有效像素区域A)的上方,将入射后的X射线转换为荧光即可见光。闪烁层5含有荧光体材料。
闪烁层5能够使用例如碘化铯(CsI):铊(Tl)或碘化钠(NaI):铊(Tl)等来形成。此时,如果使用真空蒸镀法等形成闪烁层5,则可形成由多个柱状结晶的集合体构成的闪烁层5。
闪烁层5的厚度尺寸能够设为例如600μm左右。柱状结晶的柱(柱状物)的粗细尺寸例如在最表面能够设为8μm~12μm左右。
[0020] 此处,使用真空蒸镀法等形成闪烁层5时,如图2所示,在闪烁层5的周缘部分形成倾斜部5a。倾斜部5a的厚度尺寸随着朝向闪烁层5的外侧而逐渐减少。因此,倾斜部5a的厚度小于位于闪烁层5的中央区域的部分。闪烁层5的倾斜部5a设置在有效像素区域A的周缘区域的上方。
[0021] 为了提高荧光的利用效率并改善灵敏度特性,设有反射层6。也就是说,反射层6会反射在闪烁层5和填充部8中产生的荧光中、朝向设有光电转换部2b一侧的相反侧的光,使其朝向光电转换部2b。
[0022] 反射层6覆盖着闪烁层5及填充部8的X射线的入射侧。反射层6能够通过例如将含有(TiO2)等光散射性粒子的树脂涂布至闪烁层5及填充部8的上方来形成。此外,反射层6也能够通过例如将由合金等具有高光反射率的金属构成的层成膜在闪烁层5及填充部8的上方来形成。
此外,反射层6也能够使用例如表面由银合金和铝等具有高光反射率的金属构成的板来形成。
[0023] 另外,图2中例示的反射层6通过将由氧化钛构成的亚微粒粉末、粘合剂树脂以及溶剂混合而成的材料涂布至闪烁层5及填充部8的X射线的入射侧,并使其固化而形成。此时,反射层6的厚度尺寸能够设为120μm左右。
另外,反射层6并非必需,可根据需要进行设置。
以下例示设有反射层6的情况。
[0024] 设置防湿体7的目的在于,抑制反射层6的特性、闪烁层5的特性以及下述填充部8的特性因空气中含有的蒸气而发生劣化。因此,防湿体7可抑制水蒸气的透过。
防湿体7覆盖反射层6的上方。此时,防湿体7与反射层6的上表面之间可以设有间隙,也可以使防湿体7与反射层6的上表面接触
例如,在压小于大气压力的环境中将防湿体7与反射层6的周缘部的上表面或填充部
8的上表面接合后,可通过恢复为大气压力来使防湿体7与反射层6的上表面贴紧。
[0025] 防湿体7覆盖闪烁层5的上方,防湿体7的周缘部附近在填充部8的上方与反射层6接合。此时,也能够将反射层6的周缘部端设在防湿体7的周缘部端的内侧,使防湿体7的周缘部与填充部8直接接合。或者也能够使防湿体7的周缘部的一部分与填充部8接合,并使防湿体7的周缘部的其他部分与反射层6接合。并且,也能够使防湿体7的周缘部与壁体9的上表面接合。
在平面图中,防湿体7的端面7a的位置能够位于有效像素区域A的外侧且位于壁体9的内面9a的内侧。
此时,如果在平面图中防湿体7的端面7a的位置接近壁体9的内面9a,则能够提高防湿性能。
如果防湿体7的周缘部也与壁体9的上表面接合,则能进一步提高防湿性能。此外,作为改进例,也能够使防湿体7的周缘部仅与壁体9的上表面接合。
[0026] 防湿体7呈膜状、箔状或薄板状。防湿体7能够由透湿系数较小的材料形成。
防湿体7能够由例如由铝、铝合金或者层叠着树脂膜与由无机材料(铝或铝合金等金属、SiO2、SiON、Al2O3等陶瓷类材料)构成的膜的低透湿防潮膜(水蒸气阻隔薄膜)等形成。
此时,如果使用实效上透湿系数几乎为零的铝或铝合金等形成防湿体7,则能够几乎完全消除透过防湿体7的水蒸气。
[0027] 此外,还能够在考虑X射线的吸收和刚性等后,决定防湿体7的厚度尺寸。此时,如果防湿体7的厚度尺寸过大,则X射线的吸收会过大。如果防湿体7的厚度尺寸过小,则刚性会降低,容易发生破损。防湿体7能够使用例如厚度尺寸为0.1mm的铝箔来形成。
[0028] 填充部8设置在闪烁层5的倾斜部5a与壁体9的内面9a之间。填充部8的上表面的位置能够设为与闪烁层5的上表面的位置程度相同。
此时,填充部8的上表面的位置可以与闪烁层5的上表面的位置相同,可以略高于闪烁层5的上表面的位置,也可以略低于闪烁层5的上表面的位置。
填充部8的上表面的位置能够略低于壁体9的上表面的位置。
如果填充部8的上表面的位置略低于壁体9的上表面的位置,则在实施下述填充时,能够避免用来形成填充部8的材料超过壁体9的上表面并溢出。
[0029] 填充部8的上表面优选为平坦表面。如果填充部8的上表面平坦,则能够确保填充部8与接合至其上表面的上方的防湿体7的密封性,并且获得高可靠性。
此时,通过降低用来形成填充部8的材料的粘度,能够使填充部8的上表面变得平坦。
例如,用来形成填充部8的材料的粘度在室温下为100Pa·sec左右以下即可。
[0030] 此外,填充部8具有荧光体材料,将所入射的X射线转换为荧光即可见光。也就是说,在闪烁层5的倾斜部5a的上方设有将所入射的X射线转换为荧光的填充部8。
另外,关于填充部8的作用和材料等的详情将在下文说明。
[0031] 壁体9在平面图中呈框状,围住闪烁层5。壁体9在平面图中位于闪烁层5的外侧,且设置在设有配线垫2d1、2d2的区域的内侧。
[0032] 用来形成壁体9的材料能够是透湿系数较低的材料。壁体9含有例如由无机材料构成的填充材料以及树脂(例如环氧类树脂等)。
填充材料能够例如由滑石(Mg3Si4O10(OH)2)等形成。
滑石是低硬度的无机材质,滑动性高。因此,即使含有高浓度的滑石,壁体9也不会变脆。
[0033] 如果由滑石构成的填充材料的粒径为数μm至数十μm左右,则能够提高滑石的浓度(填充密度)。如果提高滑石的浓度,与仅有树脂时相比,能够将透湿系数降低1位左右。
[0034] 用来形成壁体9的材料的粘度高于用来形成填充部8的材料的粘度。用来形成壁体9的材料的粘度能够例如在室温下为340Pa·sec左右。
此外,壁体9也能够由例如铝等金属或玻璃等无机材料形成。
[0035] 接合层10在填充部8的上方将防湿体7的周缘附近与反射层6进行接合。此外,接合层10也能够在反射层6的端部的外侧将未被反射层6覆盖的填充部8的上表面与防湿体7的周缘部进行接合。并且,接合层10除了防湿体7的周缘部、反射层6以及填充部8的露出部以外,还能够包含壁体9的上表面在内进行接合。接合层10也能够仅将防湿体7的周缘部与壁体9的上表面进行接合。
如此,通过接合层10,能够将反射层6的周缘部、未被反射层6覆盖的填充部8的上表面以及壁体9的上表面中的至少一个与防湿体7进行接合。
将反射层6的周缘部设为防湿体7的周缘部的内侧时,接合层10接合至填充部8的上表面或接合层10接合至填充部8的上表面和反射层6。或者接合层10也可接合至壁体9的上表面。
接合层10能够通过例如延迟固化型粘合剂、自然(常温)固化型粘合剂以及加热固化型粘合剂中的任一种进行固化来形成。
另外,接合层10在闪烁层5侧的端部可以位于闪烁层5的上方,也可以不位于闪烁层5的上方。图2中例示的是接合层10在闪烁层5侧的端部位于闪烁层5的上方的情况。
[0036] 接着,进一步说明填充部8。如上所述,倾斜部5a的厚度尺寸朝着闪烁层5的外侧逐渐减少。也就是说,倾斜部5a的厚度小于位于闪烁层5的中央区域的部分。闪烁层5的厚度减小后,发光亮度和DQE(Detective Quantum Efficiency,量子检测效率)会相应厚度的变化而发生变化,有效像素区域A的周缘区域中的图像质量可能会降低。
也就是说,当倾斜部5a位于有效像素区域A的上方时,存有倾斜部5a的区域中的图像质量可能会降低。
[0037] 此时,如果在从有效像素区域A偏向外侧的位置设置倾斜部5a,则能够抑制图像质量的降低。但是,如果要在从有效像素区域A偏向外侧的位置设置倾斜部5a,则无法实现X射线检测器1的小型化。
[0038] 因此,本实施方式所涉及的X射线检测器1中,在闪烁层5的倾斜部5a的上方设置用来将所入射的X射线转换为荧光的填充部8,并利用从填充部8产生的荧光补充在倾斜部5a降低的发光亮度。入射至有效像素区域A的周缘区域的X射线会通过填充部8和闪烁层5的倾斜部5a转换为荧光,因此能够抑制在有效像素区域A的周缘区域出现图像质量降低。
[0039] 填充部8例如含有树脂和荧光体材料。荧光体材料只要能够将X射线等放射线转换为荧光,则并无特别限定。
荧光体材料例如能够采用碘化铯(CsI):铊(TI)、碘化钠(NaI):铊(TI)、硫氧化钆(Gd2O2S):铽(Tb)以及硫化锌(ZnS):(Cu)等。
[0040] 此处,在闪烁层5的中央区域与设有填充部8和闪烁层5的倾斜部5a的区域,发光亮度有时会不等同。此外,根据反射层6是覆盖整个填充部8还是覆盖其一部分或者不进行覆盖,会在反射层6的周缘端的内侧与外侧产生固定的亮度差。
但是,能够在所述图像传送部4实施电气处理(图像修正、灵敏度修正),对构成X射线图像时因亮度差而产生的灵敏度差进行修正。
因此,如果有效像素区域A的中央区域与周缘区域的亮度差在规定范围内,则在图像质量上不会发生问题。
[0041] 此外,闪烁层5由多个柱状结晶的集合体构成。因此,可在闪烁层5中抑制发光的扩大,因此可改善分辨率特性。另一方面,由于荧光体材料不具有柱状结晶,所以填充部8的发光扩大可能会大于闪烁层5。因此,有效像素区域A的周缘区域的分辨率特性可能比有效像素区域A的中央区域差。
但是,一般重要的检测会在有效像素区域A的中央区域实施,在有效像素区域A的周缘区域对拍摄区域的轮郭进行判断等。也就是说,在有效像素区域A的周缘区域,可能很难实施需要高精细的图像的重要检测,只要有效像素区域A的周缘区域的分辨率特性为略有降低的程度,则实用上并无问题。
也就是说,即使在闪烁层5的中央区域与设有填充部8及闪烁层5的倾斜部5a的区域,分辨率特性方面产生了规定的范围内的差,在实用上也并无问题。
[0042] 根据本发明人等获得的知识,只要填充部8中含有的荧光体材料的比例为体积填充率40%以上,则实用上并无问题。此时,更优选填充部8中含有的荧光体材料的比例为体积填充率60%以上。此时,如果填充部8中含有的荧光体材料与闪烁层5中含有的荧光体材料相同,则能够容易地减小亮度差和根据X射线能量产生的特性差。
[0043] 此外,如果设置含有荧光体材料的填充部8,则与填充部8仅含有树脂材料时相比,能够降低填充部8的透湿系数。如果能够降低填充部8的透湿系数,则空气中含有的水蒸气难以到达闪烁层5。因此,能够抑制闪烁层5的特性因空气中含有的水蒸气而发生劣化。
[0044] 图3是用来例示高温高湿环境下(60℃-90%RH)的透湿量的变化的曲线图。另外,图3中的200是取代防湿体7和填充部8,设置覆盖闪烁层且由聚对二甲苯构成的膜的情况。
图3中的100、110是设有填充部8的情况。
另外,100是填充部8含有碘化铯:铊的情况。
110是填充部8含有硫氧化钆:铽的情况。
从图3可以看出,与比较例(图3中的200)相比,采用设有含有荧光体材料的填充部8的本发明的防湿构造时,能够大幅降低透湿量。
[0045] 图4是用来例示高温高湿环境下(60℃-90%RH)的分辨率特性的变化的曲线图。另外,图4中的200是取代防湿体7和填充部8,设置覆盖闪烁层且由聚对二甲苯构成的膜的情况。
图4中的100、110是设有填充部8的情况。
另外,100是填充部8含有碘化铯:铊的情况。
110是填充部8含有硫氧化钆:铽的情况。
此时,对通过闪烁层5和反射层6获得的分辨率特性在高温高湿环境下(60℃-90%RH)随着保存时间的经过产生了怎样的劣化进行评估。
另外,通过与发光亮度相比对于湿度更敏感的分辨率特性进行评估。
通过将分辨率测试图配置在各样品的表面侧,并照射相当于RQA-5的X射线,然后从背面侧测定2Lp/mm的CTF(Contrast transfer function,对比度传递函数)的方法,获得分辨率特性。
从图4可以看出,与比较例(图4中的200)相比,采用设有含有荧光体材料的填充部8的本发明的防湿构造时,能够特别减少分辨率特性的劣化。
[0046] 此外,填充部8也能够还含有由无机材料构成的填充材料和吸湿材料等。填充材料能够采用例如由滑石等形成的材料。吸湿材料能够采用例如呈粒状且由氯化等形成的材料。如此,能够进一步抑制闪烁层5的特性因空气中含有的水蒸气而发生劣化。
[0047] [第2实施方式]接着,例示第2实施方式所涉及的X射线检测器1的制造方法。
首先,制作阵列基板2。
阵列基板2能够通过例如在基板2a的上方依次形成光电转换部2b、控制线2c1、数据线
2c2、配线垫2d1、配线垫2d2以及保护层2f等来制成。
阵列基板2能够使用例如半导体制造工艺来制成。
[0048] 接着,使用真空蒸镀法,在设于基板2a的一面侧的多个光电转换部2b的上方形成含有荧光体材料的闪烁层5。闪烁层5能够通过例如使用真空蒸镀法形成由碘化铯:铊构成的膜来形成。此时,闪烁层5的厚度尺寸能够设为600μm左右。
此外,在闪烁层5的周缘部分形成倾斜部5a。
[0049] 接着,在基板2a的一面侧形成包围闪烁层5且含有填充材料及树脂的壁体9。壁体9能够通过例如在闪烁层5的周围涂布添加了填充材料的树脂(例如添加了由滑石构成的填充材料的环氧类树脂等),并使其固化来形成。
另外,涂布添加了填充材料的树脂时,能够使用例如分配器装置等。
此时,能够通过将添加了填充材料的树脂实施涂布及固化1次或重复多次,形成壁体9。
此外,也能够将由金属和树脂等构成的框状壁体9粘合在阵列基板2的上方。
也能够通过将由金属和树脂等构成的板状构件粘合在阵列基板2的上方,形成壁体9。
此时,壁体9的高度能够略高于闪烁层5的高度。
[0050] 接着,在闪烁层5与壁体9之间形成含有荧光体材料的填充部8。此时,在倾斜部5a的上方形成填充部8。
填充部8能够通过例如在闪烁层5的倾斜部5a与壁体9的内面9a之间填充含有荧光体材料、树脂以及溶剂的材料,并使其固化来形成。
用来形成填充部8的材料能够通过例如将作为荧光体材料的碘化铯:铊、粘合剂树脂(例如,环氧类树脂或硅类树脂等)以及溶剂进行混合来制成。
此时,能够例如使粘度在室温下约为100Pa·sec以下。
此外,还能够进一步添加环氧化亚麻仁油等环氧化植物油,形成具有可弯曲性的填充部8。
如果采用具有可弯曲性的填充部8,则能够利用其柔软性,抑制由于因温度变化与构件间的热膨张差产生的应力而发生的剥离。
[0051] 用来形成填充部8的材料能够使用例如分配器装置等进行填充。此时,通过将材料实施填充及固化1次或重复多次,能够形成填充部8。
另外,优选在填充材料后等待表面平滑后再进行固化。
填充部8的上表面的位置可以与闪烁层5的上表面的位置相同,可以略高于闪烁层5的上表面的位置,也可以略低于闪烁层5的上表面的位置。
[0052] 接着,形成反射层6,使其覆盖闪烁层5的表面侧(X射线的入射面侧)及填充部8的表面侧(X射线的入射面侧)。反射层6能够通过例如将由氧化钛构成的亚微粒粉末、粘合剂树脂以及溶剂混合而成的材料涂布至闪烁层5及填充部8的上方,并使其固化来形成。反射层6的周缘可以覆盖整个填充部8,也可以覆盖填充部8的一部分。此外,反射层6也能够仅覆盖至填充部8的内侧的闪烁层5的表面。
[0053] 接着,设置防湿体7,使其覆盖反射层6及填充部8的表面侧(X射线的入射面侧)。防湿体7的周缘附近在填充部8的上方经由接合层10粘合至反射层6、填充部8或者壁体
9。
例如,在防湿体7的周缘附近涂布照射紫外线后会延迟进行固化的延迟固化型粘合剂,并对所涂布的延迟固化型粘合剂照射紫外线,使涂布着延迟固化型粘合剂的部分在填充部
8的上方贴紧反射层6。如此,经由接合层10粘合防湿体7。
另外,形成接合层10的粘合剂可以是自然固化型粘合剂或加热固化型粘合剂等。
此外,在压力低于大气压力的环境(例如10KPa左右)中,也能够将防湿体7粘合至反射层6或填充部8。
[0054] 接着,经由柔性印刷电路板2e1、2e2,将阵列基板2与信号处理部3进行电连接。此外,经由配线4a,将信号处理部3与图像传送部4进行电连接。
此外还可适当安装电路部件等。
[0055] 接着,在未图示的框体的内部收容阵列基板2、信号处理部3以及图像传送部4等。然后,根据需要实施确认光电转换元件2b1有无异常或电连接有无异常的电气试验、X射线图像试验、高温高湿试验以及冷热周期试验等。
如上所述,能够制成X射线检测器1。
[0056] 以上,例示了本发明的若干实施方式,这些实施方式仅为举例提示,并非限定发明的范围。这些新的实施方式可采用其他各种形态来实施,可在不超出发明的主旨的范围内,进行各种省略、替换以及变更。这些实施方式及其改进例包含在发明的范围和主旨中,并且包含在权利要求范围中记载的发明及其均等的范围内。此外,上述各实施方式可相互组合后实施。标号说明
[0057] 1   X射线检测器2   阵列基板
2a  基板
2b  光电转换部
2b1 光电转换元件
3   信号处理部
4   图像传送部
5   闪烁层
5a  倾斜部
6   反射层
7   防湿体
8   填充部
9   壁体
10  接合层
A   有效像素区域
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