1.含单晶的闪烁体材料，所述单晶具有下式（1）、（2）或（3）的组成：
AM1-xEuxI3 （1），
A3M1-xEuxI5 （2），或
AM2(1-x)Eu2xI5 （3），
其中A基本由选自Li、Na、K和Rb的碱金属元素或其任意组合组成，M基本由Sr、Ca、Ba或其任意组合组成，且0≤x≤1。
2.根据权利要求1的闪烁体材料，其中所述单晶具有下式的组成：
ASr1-xEuxI3，
A3Sr1-xEuxI5，或
ASr2(1-x)Eu2xI5。
3.根据权利要求1的闪烁体材料，其中x小于或等于约0.1。
4.根据权利要求1的闪烁体材料，其中该闪烁体材料的单晶由式（1）、（2）或（3）的组合物使用垂直梯度凝固法生长。
5.根据权利要求4的闪烁体材料，其中所述组合物装在密封安瓿中，并且其中以受控的速度从热区域至冷区域通过受控的温度梯度输送所述密封安瓿，从而形成单晶闪烁体。
6.根据权利要求1的闪烁体材料，当用662 keV的γ-射线激发时，具有是BGO光输出的至少约4倍的光输出。
7.根据权利要求6的闪烁体材料，当用662 keV的γ-射线激发时，具有是BGO光输出的至少约8倍的光输出。
8.根据权利要求7的闪烁体材料，当用662 keV的γ-射线激发时，具有是BGO光输出的至少约12倍的光输出。
9.制备闪烁体材料的方法，所述方法包括：
合成具有下式（1）、（2）或（3）的组成的化合物：
AM1-xEuxI3 （1），
A3M1-xEuxI5 （2），或
AM2(1-x)Eu2xI5 （3），
其中A基本由选自Li、Na、K和Rb的碱金属元素或其任意组合组成，M基本由Sr、Ca、Ba或其任意组合组成，且0≤x≤1。
10.根据权利要求9的方法，其中所述合成步骤包括合成具有下式的化合物：
ASr1-xEuxI3，
A3Sr1-xEuxI5，或
ASr2(1-x)Eu2xI5。
11.根据权利要求9的方法，其中生长单晶包括使用垂直梯度凝固法从所合成的化合物生长单晶。
12.根据权利要求9的方法，其中所述合成包括将多种碘化物的混合物加热至超过它们各自的熔化温度。
13.辐射探测器，包含：
权利要求1的闪烁体材料，其适合响应于冲击辐射产生光子；和
光耦合到所述闪烁体材料的光子探测器，其经设置以接收通过该闪烁体材料产生的光子和适合于产生指示该光子生成的电信号。
14.成像方法，包括：
使用至少一个权利要求13的辐射探测器以接收来自分布于待成像物体中的多个辐射源的辐射和产生指示所接收的辐射的多个信号；和
基于所述多个信号，推出所述物体特性的特定分布。