1.一种电荷中和装置，包括：
微波发生单元；
等离子发生单元，其利用微波发生单元产生的微波产生电子等离子；
接触单元，其使等离子发生单元产生的电子等离子与包括离子束的射束等离子区域接触；以及
设置在接触单元中的偏压线，从电源经由所述偏压线提供控制偏压的电势，所述电势用于控制供应到离子束中的电子等离子的数量。
2.如权利要求1所述的电荷中和装置，其中所述接触单元包括等离子管，所述等离子管环形包围离子束。
3.如权利要求1所述的电荷中和装置，其中接触单元包括等离子管，所述等离子管设置成包围离子束或者扫描区域，使得等离子管与离子束的扫描区域或者离子束的形状对应。
4.如权利要求2或3所述的电荷中和装置，其中等离子发生单元包括波导，所述波导设置成包围等离子管的外表面，并且微波从微波发生单元经由波导传输到等离子管，同时气体提供给等离子管，因此在等离子管内产生等离子。
5.如权利要求4所述的电荷中和装置，其中等离子发生单元是同轴电缆。
6.如权利要求4所述的电荷中和装置，其中波导布置成完全与等离子管平行，以便与导电管接触，所述导电管为离子束穿过的路径。
7.如权利要求4所述的电荷中和装置，其中气体是惰性气体。
8.如权利要求4所述的电荷中和装置，其中至少一个缝隙设置在等离子管和波导之间的预定位置处。
9.如权利要求8所述的电荷中和装置，其中多个缝隙设置在等离子管和波导之间的预定位置处。
10.如权利要求2或3所述的电荷中和装置，其中开口形成在等离子管的靠近离子束的侧部。
11.如权利要求2或3所述的电荷中和装置，其中多个开口形成在等离子管的靠近离子束的侧部。
12.如权利要求4所述的电荷中和装置，其中波导设置成在其侧部包围离子束，在该侧部，波导内的微波的传输方向与离子束的流动方向垂直。
13.如权利要求12所述的电荷中和装置，其中波导具有这样的结构，在这种结构中，气体提供给等离子管，使得气体在波导内沿着微波传输方向从下游流到上游。
14.如权利要求1至3任一所述的电荷中和装置，其中通过微波激发产生等离子，以便向包括离子束的射束等离子提供电子。
15.如权利要求1至3任一所述的电荷中和装置，其中通过微波激发产生等离子，以便向受到离子束辐射的固态基体附近的各部分中的至少一部分提供电子。
16.如权利要求1至3任一所述的电荷中和装置，其中通过微波激发使等离子保持在低温，从而提供2eV或者更低的低能量电子。
17.如权利要求4所述的电荷中和装置，其中如此构造微波发生单元，使得在波导内产生微波驻波。
18.如权利要求6所述的电荷中和装置，其中如此构造微波发生单元，使得在波导内产生微波行波。
19.一种离子植入装置，包括如权利要求1至3任一所述的电荷中和装置。
20.一种束线装置，包括如权利要求1至3任一所述的电荷中和装置。
21.一种内部电压为1V或者更低的半导体装置，并且其利用如权利要求1至3任一所述的电荷中和装置实施离子植入而形成。
22.一种具有离子植入区域的物体，其利用如权利要求1至3任一所述的电荷中和装置实施离子植入而形成。