1.一种电子照射系统(1、201)，包括：
第一导电元件(31、231、331、431、531)；
气密外壳(60、560)，其包括所述第一导电元件且围绕阴极区(10、210、310、410、510)和与所述阴极区相通的照射区(20、220、320、420、520)；
高电压阴极(11、211、311)，其布置在所述阴极区中且可操作以发射电子束；
照射部位(21、221、321)，其布置在所述照射区中；和
孔(22、222、322、422、522)，其连接所述阴极区和所述照射区，且围绕从所述阴极到所述照射部位的电子轨迹，
其特征在于第二导电元件(32、232、332、432、532)和电压源(40、240、340、440、540)，所述电压源用于在所述第一导电元件和第二导电元件之间施加非零偏置电压，从而生成电场(E)，所述电场防止带正电粒子经由所述孔进入所述阴极区。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二导电元件与所述第一导电元件绝缘，且通过部分地为所述阴极区遮挡所述照射部位来对所述照射区与所述阴极区进行划界。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述第二导电元件布置在所述孔的附近并且是排斥的。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述第二导电元件是围绕所述孔的虚阳极。
5.根据权利要求3或4所述的系统，其中，为了捕获在所述照射部位产生且具有低于最大能量(Wk)的动能的阳离子，所述偏置电压被选择为使得单电荷阳离子从所述照射部位通过所述电场到所述孔的位移需要比所述最大能量更大的功。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二导电元件布置在所述孔的内部或在所述照射区中。
7.根据权利要求6所述的系统，还包括与有吸引力的所述第二导电元件串联布置的电流表。
8.根据权利要求6或7所述的系统，其中所述第二导电元件是有吸引力的，被布置在所述孔的附近并且包括通道，所述通道围绕由所述孔围绕的所述电子轨迹。
9.根据权利要求6或7所述的系统，其中所述第二导电元件适于产生横向于所述孔围绕的所述电子轨迹取向的偏转场。
10.根据权利要求9所述的系统，还包括第三导电元件(533)，其中所述偏转场位于所述第二导电元件和第三导电元件之间。
11.根据权利要求10所述的系统，其中所述第二导电元件和第三导电元件是平行于由所述孔围绕的所述电子轨迹延伸的导电板。
12.一种X射线源，包括：
前述权利要求中任一项所述的电子照射系统；
电子靶(250、350)，所述电子束聚焦在所述电子靶上，且所述电子束在所述照射部位与所述电子靶相互作用以产生X射线；和
窗口(239)，其允许X射线离开所述外壳。
13.一种用于照射包围在气密外壳内的照射区(20、220、320、420、520)的照射部位(21、221、321)中的目标的方法，所述气密外壳包括第一导电元件(31、231、331、431、531)，所述方法包括：
使用在阴极区(10、210、310、410、510)中的高电压阴极发射电子束，所述阴极区被包围在所述外壳中且与所述照射区连通；和
引导所述电子束通过孔(22、222、322、422、522)，所述孔连接所述阴极区和所述照射区，由此在所述照射区中产生带正电的粒子，
所述方法的特征在于，借助于电位与所述第一导电元件的电位不同的第二导电元件(32、232、332、432、532)产生电场，所述电场防止所述带正电的粒子经由所述孔进入所述阴极区。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述电场平行于所述电子束。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述电场是横向于所述电子束取向的偏转场。