1.一种光刻设备，包括：
源，配置成使用等离子体生成包括想要的辐射和不想要的辐射的辐射束；
照射系统，配置成在光刻设备操作期间调节辐射束并且接收氢气；
支撑结构，构造成保持图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；
衬底台，构造成保持衬底；和
投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，
其中所述光刻设备配置成使得进入照射系统的辐射束包括由等离子体生成的至少
50％的不想要的辐射，并且包括与氢气反应以生成氢自由基的辐射的波长。
2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述想要的辐射包括极紫外辐射。
3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述不想要的辐射包括紫外辐射和/或深紫外辐射。
4.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述投影系统配置成在光刻设备操作期间接收氢气；和
其中所述光刻设备配置成使得进入投影系统的辐射束包括由等离子体生成的至少
50％的不想要的辐射，并且包括与氢气反应以生成氢自由基的辐射的波长。
5.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括设置在投影系统内的一个或多个滤光片，所述一个或多个滤光片布置成过滤掉帮助生成氢自由基的不想要的辐射的波长。
6.根据权利要求5所述的光刻设备，其中，所述一个或多个滤光片设置在最后接收辐射束的投影系统末端处。
7.根据权利要求5所述的光刻设备，其中，所述一个或多个滤光片设置在投影系统和衬底台之间。
8.根据权利要求5所述的光刻设备，其中，所述一个或多个滤光片设置在光刻设备的动态气锁附近。
9.根据权利要求5所述的光刻设备，其中，所述一个或多个滤光片是光谱纯度滤光片。
10.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括设置在照射系统内的一个或多个滤光片，所述一个或多个滤光片布置用以过滤掉帮助生成氢自由基的不想要的辐射的波长。
11.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括过滤掉不帮助生成氢自由基的不想要的辐射的至少部分波长的一个或多个滤光片，所述一个或多个滤光片定位用以在辐射束入射到照射系统的光学元件之前过滤掉辐射束。
12.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述一个或多个滤光片设置在光刻设备的源内。
13.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述一个或多个滤光片布置成过滤掉红外辐射。
14.一种器件制造方法，包括步骤：
使用等离子体生成包括想要的辐射和不想要的辐射的辐射束；
引导辐射束通过调节辐射束的照射系统；
引导辐射束到图案形成装置上，所述图案形成装置将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；
使用投影系统将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；
提供氢气至照射系统和/或投影系统；和
用通过等离子体生成的不想要的辐射由氢气生成氢自由基，
其中进入照射系统和/或投影系统的辐射束包括用于生成氢自由基的至少50％的不想要的辐射。
15.根据权利要求14所述的器件制造方法，其中，所述想要的辐射包括极紫外辐射。
16.根据权利要求14所述的器件制造方法，其中，所述不想要的辐射包括紫外辐射和/或深紫外辐射。
17.根据权利要求14所述的器件制造方法，还包括用投影系统中的一个或多个滤光片过滤掉辐射束，使得仅想要的辐射从投影系统传递到衬底上。
18.一种光刻设备，包括：
源，配置成使用等离子体生成辐射束；
照射系统，配置成调节辐射束；
支撑结构，构造成保持图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；
衬底台，构造成保持衬底；和
投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；
其中源、照射系统和投影系统中的一个或多个配置成在光刻设备操作期间接收氢气和惰性气体，和其中所述辐射束与惰性气体反应以生成原子氢以提高由氢气提供的清洁的量。
19.一种器件制造方法，包括步骤：
使用形成源的一部分的等离子体生成辐射束；
引导辐射束通过调节辐射束的照射系统；
引导辐射束到图案形成装置，所述图案形成装置将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；
使用投影系统将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；
提供氢气和惰性气体的混合物至源、照射系统和投影系统中的一个或多个；和用辐射束和惰性气体生成原子氢以提高由氢气提供的清洁的量。
20.根据权利要求19所述的器件制造方法，其中，所述混合物包括至少80％的氢气。
21.根据权利要求19所述的器件制造方法，其中，所述混合物包括至少90％的氢气。
22.根据权利要求19所述的器件制造方法，其中，所述混合物包括至少95％的氢气。
23.根据权利要求19所述的器件制造方法，其中，所述混合物包括至少99％的氢气。