闪烁器面板和放射线检测器 |
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| 申请号 | CN201380048062.3 | 申请日 | 2013-09-17 | 公开(公告)号 | CN104769681B | 公开(公告)日 | 2017-08-29 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社; | 发明人 | 外山真太郎; 楠山泰; 山下雅典; 大泽弘武; 铃木克彦; | ||||
| 摘要 | 一种用于将放射线转换为闪烁光的闪烁器面板，包括：具有表面和背面的 基板 ；以相互分离的方式在上述基板的上述表面上形成、具有上表面和从上述上表面向上述基板的上述表面延伸的侧面的多个闪烁器部；以 覆盖 上述闪烁器部的上述上表面和上述侧面的方式在上述闪烁器部的上述上表面和上述侧面上形成的 溶剂 渗透阻止膜；和在上述溶剂渗透阻止膜之上形成、用于遮蔽上述闪烁光的光遮蔽层，上述闪烁器部由闪烁器材料的多个柱状晶体构成，上述溶剂渗透阻止膜以不填满彼此相邻的上述闪烁器部的上述侧面彼此的间隙的方式形成，上述光遮蔽层以填充上述间隙的方式在上述闪烁器部的上述侧面上的上述溶剂渗透阻止膜上形成。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种闪烁器面板，其特征在于， |
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| 说明书全文 | 闪烁器面板和放射线检测器技术领域[0001] 本发明的一个侧面涉及闪烁器面板和放射线检测器。 背景技术[0002] 在专利文献1中记载有制造放射线检测器的方法。在专利文献1所记载的方法中，首先，在排列于元件基底上的光电转换元件的前级配置掩模，通过使用该掩模的闪烁器材料的蒸镀在光电转换元件上形成闪烁器元件。接着，在全体涂布或蒸镀光反射材料。此时，在将闪烁器元件分离的槽填充光反射材料。然后，利用铝箔等实施遮光处理而得到放射线检测器。 [0003] 现有技术文献 [0004] 专利文献 [0005] 专利文献1：日本特开平9-325185号公报 发明内容[0006] 发明所要解决的问题 [0007] 但是，当如上述的方法那样试图在将闪烁器元件分离的槽填充光反射材料(或光吸收材料)而形成光遮蔽层时，则存在该光反射材料(或光吸收材料)中所含的溶剂等渗透到构成闪烁器元件的多个柱状晶体间的情况。在这种情况下，存在具有潮解性的闪烁器元件的特性发生劣化的问题。特别是在将柱状晶体增厚(例如膜厚500μm左右)的情况下，存在柱状晶体间的间隙变宽的趋势，从而成为问题。 [0008] 本发明的一个侧面是有鉴于那样的情况而完成的发明，以提供能够防止伴随着光遮蔽层的形成的特性的劣化的闪烁器面板和放射线检测器为课题。 [0009] 解决问题的技术手段 [0010] 为了解决上述课题，本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板是用于将放射线转换为闪烁光的闪烁器面板，包括：具有表面和背面的基板；以相互分离的方式在基板的表面上形成且具有上表面和从上表面向基板的表面延伸的侧面的多个闪烁器部；以覆盖闪烁器部的上表面和侧面的方式在闪烁器部的上表面和侧面上形成的溶剂渗透阻止膜；和在溶剂渗透阻止膜上形成且用于遮蔽闪烁光的光遮蔽层，闪烁器部由闪烁器材料的多个柱状晶体构成，溶剂渗透阻止膜以不填满彼此相邻的闪烁器部的侧面彼此的间隙的方式形成，光遮蔽层以填充间隙的方式在闪烁器部的侧面上的溶剂渗透阻止膜上形成。 [0011] 在该闪烁器面板中，以彼此分离的方式在基板之上形成有多个闪烁器部，以不填满这些闪烁器部彼此(闪烁器部的侧面彼此)的间隙的方式，在各个闪烁器部的侧面和上表面上形成有溶剂渗透阻止膜。再有，在该闪烁器面板中，以填充闪烁器部彼此的方式在溶剂渗透阻止膜之上形成有光遮蔽层。因此，在将规定的材料填充在闪烁器部彼此的间隙而形成光遮蔽层时，该规定的材料的溶剂等不会渗透到构成闪烁器部的柱状晶体间。由此，根据该闪烁器面板，能够防止伴随着光遮蔽层的形成的特性的劣化。 [0012] 在本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板中，能够为如下方式：光遮蔽层以覆盖闪烁器部的侧面的方式在闪烁器部的侧面上的溶剂渗透阻止膜上形成。在这种情况下，能够在各闪烁器部可靠地将闪烁光封入。 [0013] 在本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板中，能够为如下方式：光遮蔽层还以覆盖闪烁器部的上表面的方式在闪烁器部的上表面上的溶剂渗透阻止膜上形成。在这种情况下，能够在各闪烁器部将闪烁光可靠地封入。 [0014] 在本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板中，能够为如下方式：在基板，形成有在从基板的背面朝向表面的方向上从表面突出的多个凸部和由凸部规定的凹部，闪烁器部分别在凸部的上表面上形成。在这种情况下，能够将闪烁器部彼此可靠地分离而形成。 [0015] 在本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板中，能够为如下方式：溶剂渗透阻止膜还以覆盖凸部的侧面的方式在凸部的侧面上形成。在这种情况下，能够可靠地防止形成光遮蔽层时的溶剂向柱状晶体间的渗透。 [0016] 在本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板中，能够为如下方式：溶剂渗透阻止膜还以覆盖凹部的底面的方式在凹部的底面上形成。在这种情况下，能够更可靠地防止溶剂向柱状晶体间的渗透，而且溶剂渗透阻止膜的形成变得容易。 [0017] 此处，为了解决上述课题，本发明的一个侧面所涉及的放射线检测器包括上述的闪烁器面板，基板为具有以与闪烁器部光学结合的方式排列的多个光电转换元件的传感器面板。该放射线检测器因为具备上述的闪烁器面板，所以能够防止伴随着光遮蔽层的形成的特性的劣化。 [0018] 发明的效果 [0020] 图1是第一实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。 [0021] 图2是图1所示的闪烁器面板的部分平面图。 [0022] 图3是第二实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。 [0023] 图4是第三实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。 [0024] 图5是第四实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。 [0025] 图6是第五实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。 [0026] 图7是第六实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。 具体实施方式[0027] 以下，参照附图，对一个实施方式所涉及的闪烁器面板进行详细的说明。另外，在各图中，对相同或相当部分标注相同符号，省略重复的说明。以下的实施方式所涉及的闪烁器面板是用于将入射的X射线等的放射线R转换为可见光等的闪烁光的闪烁器面板，例如能够在乳房X射线照相装置、胸部检查装置、CT装置、齿科口内摄影装置和放射线照相机等中作为放射线成像用的装置来使用。 [0028] [第一实施方式] [0029] 首先，对第一实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图1是第一实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。图2是图1所示的闪烁器面板的部分平面图。如图1、2所示，闪烁器面板1具备矩形的基板10。 [0030] 基板10具有彼此相对的表面10a和背面10b。基板10具有在表面10a形成的凹凸图案Pa。作为基板10的材料，例如能够使用Al或SUS(不锈钢)等的金属、聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯等的树脂薄膜、无定形碳或碳纤维强化塑料等的碳类材料、FOP(光纤面板：将直径为几微米的大量光纤捆束而得到的光学装置(例如浜松光电子公司制J5734)等。作为凹凸图案Pa的材料，例如能够使用环氧树脂(日本化药(株式会社)制KMPR或SU-8等)那样的高深宽比抗蚀剂、硅和玻璃等。特别是构成凹凸图案Pa的凸部的材料能够为相对于在下述的闪烁器部20产生的闪烁光具有透过性的材料。 [0031] 凹凸图案Pa由多个凸部11、以及由凸部11规定的凹部12形成。即，在基板10形成有多个凸部11和凹部12。各个凸部11沿从基板10的背面10b朝向表面10a的方向(此处，放射线R的射入方向和与基板10的表面10a或背面10b正交的方向)从表面10a突出。各个凸部11被形成为长方体状。凸部11在基板10的表面10a上呈二维矩阵状地周期性地排列。因此，由凸部11规定的凹部12是在平面视时呈矩形的格子状的槽。 [0032] 这样的凹凸图案Pa的各尺寸，在令凸部11的间距(凸部11的形成周期)P为100μm左右的情况下能够令凹部12的宽度(槽宽度)W为35μm左右，在令凸部11的间距P为127μm左右的情况下能够令凹部12的宽度W为20μm～40μm左右，在令凸部11的间距P为200μm左右的情况下能够令凹部12的宽度W为50μm～70μm左右。此外，凸部11的高度H能够为2.5μm～50μm左右。特别是在本实施方式中，令凸部11的间距P为127μm左右，令凹部12的宽度W为45μm左右，令凸部11的高度H为15μm左右。 [0033] 闪烁器面板1包括多个闪烁器部20。闪烁器部20是多个柱状晶体C林立而形成的，在柱状晶体C之间存在几μm左右的间隙。多个闪烁器部20相互分离。闪烁器部20分别在凸部11的上表面11a上形成。因此，闪烁器面板1包括与凸部11的数量对应的数量的闪烁器部20闪烁器部20具有上表面20a和从上表面20a朝向基板10的表面10a延伸且到达凸部11的上表面11a的侧面20b。闪烁器部20例如能够由CsI(碘化铯)等形成柱状晶体的闪烁器材料形成。 [0034] 闪烁器部20从凸部11的上表面11a沿放射线R的入射方向(与基板10大致垂直的方向)延伸。更具体而言，闪烁器部20由从凸部11的上表面11a沿放射线R的入射方向延伸的闪烁器材料的多个柱状晶体C构成。构成闪烁器部20的柱状晶体C能够呈随着从凸部11的上表面11a离开而扩径的锥状。另外，闪烁器部20的厚度(闪烁器膜厚)T例如能够为100μm～600μm左右。另外，通过选择放射线(X射线)透过性的基材作为基板10，能够使放射线R从基板10的背面10b入射。 [0035] 此处，如上所述，闪烁器部20彼此分离，因而在彼此相邻的闪烁器部20的侧面20b彼此之间形成有间隙30。即，闪烁器部20彼此通过间隙30而被划分，彼此分离。再有，间隙30的宽度比构成闪烁器部20的多个柱状晶体C的间隙宽。此处，间隙30从包括闪烁器部20的上表面20a的上端部(与凸部11相反侧的端部)到达与凸部11的上表面11a相接的闪烁器部20的基端部(凸部11侧的端部)，与凹部12连结。因此，间隙30的宽度例如为凹部12的宽度W左右。该间隙30如下述那样被溶剂渗透阻止膜40和光遮蔽层50填充。 [0036] 闪烁器面板1包括溶剂渗透阻止膜40。溶剂渗透阻止膜40以覆盖闪烁器部20的上表面20a和侧面20b的方式在闪烁器部20的上表面20a和侧面20b上形成。特别是溶剂渗透阻止膜40以不填满彼此相邻的闪烁器部20的侧面20b彼此的间隙30的方式(即，以维持间隙30的方式)形成。因此，在彼此相邻的闪烁器部20的侧面20b上的溶剂渗透阻止膜40彼此之间形成有间隙41。 [0037] 间隙41从闪烁器部20的上端部到达基端部，与凹部12连结。此处，溶剂渗透阻止膜40的厚度FT从闪烁器部20的基端部朝向上端部逐渐变厚，因此，间隙41的宽度从闪烁器部 20的基端部朝向上端部逐渐变小。溶剂渗透阻止膜40的厚度FT如上述那样为不填满间隙30的程度，例如能够为1μm～5μm左右，也可以为2μm～3μm左右。 [0038] 这样的溶剂渗透阻止膜40例如能够由(1)派瑞林(parylene)(聚对二甲苯(polyparaxylene))、(2)聚尿素、(3)SiO2或SiO、(4)SiN、(5)上述(1)～(4)的有机·无机混合膜和(6)利用ALD(原子层沉积)法形成的Al2O3层或MgF2等形成。 [0039] 闪烁器面板1包括光遮蔽层50。光遮蔽层50是将在闪烁器部20产生的闪烁光反射的光反射层或将在闪烁器部20产生的闪烁光吸收的光吸收层。即，光遮蔽层50用于将在规定的闪烁器部20产生的闪烁光遮蔽并封入于该规定的闪烁器部20。 [0040] 因此，光遮蔽层50以覆盖闪烁器部20的侧面20b的方式在闪烁器部20的侧面20b上的溶剂渗透阻止膜40上形成。特别是光遮蔽层50以填充间隙30的方式形成。更具体而言，光遮蔽层50以填充由溶剂渗透阻止膜40而在间隙30内被划分成的间隙41的方式形成。 [0041] 此外，光遮蔽层50也以填充凹部12的方式在凹部12内形成。此外，光遮蔽层50在闪烁器部20的上表面20a上的溶剂渗透阻止膜40上不形成。即，光遮蔽层50以除了闪烁器部20的上端部以外，覆盖各闪烁器部20的整体的方式，在溶剂渗透阻止膜40上形成(换言之，各闪烁器部20在其上端部被溶剂渗透阻止膜40覆盖并且从光遮蔽层50露出)。 [0042] 这样的光遮蔽层50例如能够由包含有机颜料、无机颜料或金属颜料的墨(ink)、涂料、或者膏体或包含Ag、Pt或Cu等的金属纳米颗粒的金属纳米墨或各种染料(以下称为“填充材料”)构成。此外，光遮蔽层50也能够通过利用ALD法(原子层沉积法)或无电解镀等形成金属膜而形成。这样，如果以覆盖闪烁器部20的侧面20b的方式形成光遮蔽层50，则能够将在规定的闪烁器部20产生的闪烁光封入于该规定的闪烁器部20，而且能够实现高亮度·高清晰度。 [0043] 如以上那样构成的闪烁器面板1例如能够如以下那样进行制造。即，首先，准备成为基板10的基础的基材，通过在基材上涂布干燥凹凸图案Pa的材料而形成。接着，通过光刻在该基材形成凹凸图案Pa而制作具有所期望的尺寸的凹凸图案Pa的基板10。或者，也可以在基材上通过丝网印刷形成凹凸图案Pa。接着，利用蒸镀法和/或激光加工法等，在基板10的凸部11的各个的上表面11a上形成闪烁器部20。通过对各种蒸镀条件(真空度、蒸镀速率、基板加热温度、蒸气流的角度等)进行控制，从而能够在凹凸图案Pa上形成上述那样的闪烁器部20。 [0044] 接着，根据不填满彼此相邻的闪烁器部20的侧面20b彼此的间隙30的程度的厚度，在闪烁器部20的上表面20a和侧面20b上将溶剂渗透阻止膜40成膜。溶剂渗透阻止膜40的厚度FT例如能够为1μm～2μm。 [0045] 然后，在溶剂渗透阻止膜40上形成光遮蔽层50。更具体而言，通过在真空下、在溶剂渗透阻止膜40上涂布上述的填充材料，(即，在间隙30(间隙41)填充填充材料)，从而形成光遮蔽层50。通过以上的工序，制造闪烁器面板1。 [0046] 如以上所说明的那样，在本实施方式所涉及的闪烁器面板1中，以彼此分离的方式在基板10上形成有多个闪烁器部20，以不填满这些闪烁器部20彼此(闪烁器部20的侧面20b彼此)的间隙30的方式，在各个闪烁器部20的侧面20b和上表面20a上形成有溶剂渗透阻止膜40。 [0047] 再有，在本实施方式所涉及的闪烁器面板1中，在该溶剂渗透阻止膜40之上形成光遮蔽层50。因此，相对于闪烁器部20彼此的间隙30，在填充填充材料而形成光遮蔽层50时，闪烁器部20被溶剂渗透阻止膜40覆盖，因此，填充材料的溶剂等不渗透到构成闪烁器部20的柱状晶体C之间。由此，根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1，能够防止伴随着光遮蔽层50的形成的特性的劣化。 [0048] 此外，如果在形成光遮蔽层50时，填充材料的溶剂渗透到构成闪烁器部20的柱状晶体C之间，则填充材料的粘度变高，存在填充材料未恰当地填充于间隙30的情况。根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1，能够防止填充材料的溶剂渗透到柱状晶体C之间，因此，不产生那样的问题，能够将填充材料恰当地填充于间隙30。 [0049] [第二实施方式] [0050] 接着，对第二实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图3是第二实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。如图3所示，本实施方式所涉及的闪烁器面板1A与第一实施方式所涉及的闪烁器面板1相比较，在还具备光遮蔽层60方面不同。光遮蔽层60与光遮蔽层50同样为用于遮蔽闪烁光的层，是将闪烁光反射的光反射层或将闪烁光吸收的光吸收层。 [0051] 光遮蔽层60以覆盖从光遮蔽层50露出的闪烁器部20的上表面20a上的保护膜40的方式(即，以覆盖闪烁器部20的上表面20a的方式)，在溶剂渗透阻止膜40和光遮蔽层50之上形成。另外，光遮蔽层60可以与光遮蔽层50一体地形成，也可以分开形成。此外，光遮蔽层50可以由与光遮蔽层50相同的材料形成，也可以由与光遮蔽层50不同的材料形成。 [0052] 这样的闪烁器面板1A能够通过如下方式进行制造：在如上述那样制造闪烁器面板1之后，除去配置在闪烁器部20的上表面20a上的溶剂渗透阻止膜40上的填充材料，之后，在溶剂渗透阻止膜40和光遮蔽层50之上涂布规定的材料(例如，上述的填充材料)而形成光遮蔽层60。 [0053] 根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1A，与第一实施方式所涉及的闪烁器面板1同样，能够防止形成光遮蔽层50、60时溶剂等渗透到柱状晶体C之间。再有，根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1A，由于还具备光遮蔽层60，所以能够将在规定的闪烁器部20产生的闪烁光可靠地封入于该规定的闪烁器部20。 [0054] [第三实施方式] [0055] 接着，对第三实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图4是第三实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。如图4所示，本实施方式所涉及的闪烁器面板1B与第一实施方式所涉及的闪烁器面板1相比较，在代替溶剂渗透阻止膜40而具备溶剂渗透阻止膜40A的方面不同。另外，与第一实施方式同样，能够通过选择放射线(X射线)透过性的基材作为基板10，使放射线R从基板10的背面10b入射。 [0056] 溶剂渗透阻止膜40A以覆盖闪烁器部20的上表面20a和侧面20b以及凸部11的侧面11b的方式，在闪烁器部20的上表面20a和侧面20b以及凸部11的侧面11b上形成。特别是溶剂渗透阻止膜40A以不填满彼此相邻的闪烁器部20的侧面20b彼此的间隙30的方式(即，以维持间隙30的方式)形成。此外，溶剂渗透阻止膜40A直至从闪烁器部20的上端部到达凹部 12的底面20a为止连续地形成，覆盖闪烁器部20的基端部与凸部11的上表面11a的边界部分。 [0057] 在本实施方式中，溶剂渗透阻止膜40A的厚度FT为大致一定，因此，通过溶剂渗透阻止膜40A划分成的间隙41的宽度也大致一定。溶剂渗透阻止膜40A的厚度FT例如能够为1μm～5μm左右，也可以为2μm～3μm左右。以上那样的溶剂渗透阻止膜40A能够由与第一实施方式的溶剂渗透阻止膜40同样的材料，利用同样的方法而形成。 [0058] 在本实施方式所涉及的闪烁器面板1B中，溶剂渗透阻止膜40A不仅在闪烁器部20的上表面20a和侧面20b上形成，而且在凸部11的侧面11b上也形成。特别是溶剂渗透阻止膜40A还覆盖闪烁器部20的基端部与凸部11的上表面11a的边界部分。因此，根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1B，能够可靠地防止形成光遮蔽层50时溶剂等渗透到柱状晶体C之间。 此外，通过利用溶剂渗透阻止膜40A还覆盖凸部11的侧面11b，能够防止由于填充材料中所含的溶剂成分而使凸部11劣化。 [0059] [第四实施方式] [0060] 接着，对第四实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图5是第四实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。如图5所示，本实施方式所涉及的闪烁器面板1C与第三实施方式所涉及的闪烁器面板1B相比较，在还具备光遮蔽层60的方面不同。 [0061] 这样，根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1C，与第三实施方式所涉及的闪烁器面板1B同样，能够可靠地防止溶剂等渗透到柱状晶体C之间，并且与第二实施方式所涉及的闪烁器面板1B同样，能够可靠地将闪烁光封入。 [0062] [第五实施方式] [0063] 接着，对第五实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图6是第五实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。如图6所示，本实施方式所涉及的闪烁器面板1D与第三实施方式所涉及的闪烁器面板1B相比较，在代替溶剂渗透阻止膜40A而具备溶剂渗透阻止膜40D的方面不同。另外，与第三实施方式同样，能够通过选择放射线(X射线)透过性的基材作为基板10，使放射线R从基板10的背面10b入射。 [0064] 溶剂渗透阻止膜40D以覆盖闪烁器部20的上表面20a和侧面20b、凸部11的侧面11b以及凹部12的底面12a的方式，在闪烁器部20的上表面20a和侧面20b、凸部11的侧面11b以及凹部12的底面12a上形成。特别是溶剂渗透阻止膜40D以不填满彼此相邻的闪烁器部20的侧面20b彼此的间隙30的方式(即，以维持间隙30的方式)形成。 [0065] 此外，相对于上述实施方式的溶剂渗透阻止膜40、40A被分为覆盖各个闪烁器部20的多个部分而形成，溶剂渗透阻止膜40D作为单一的部分而一体地形成。即，溶剂渗透阻止膜40D以覆盖一个闪烁器部20和凸部11的部分和覆盖另一个闪烁器部20和凸部11的部分在凹部12的底面12a连续的方式形成。 [0066] 在本实施方式中，溶剂渗透阻止膜40A的厚度FT也大致一定，因此，通过溶剂渗透阻止膜40D划分成的间隙41的宽度也大致一定。溶剂渗透阻止膜40D的厚度FT例如能够为1μm～5μm左右，也可以为2μm～3μm左右。以上那样的溶剂渗透阻止膜40D能够由与第一实施方式中的溶剂渗透阻止膜40同样的材料，利用同样的方法而形成。 [0067] 根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1D，溶剂渗透阻止膜40D在凹部12的底面12a上也形成。因此，能够更可靠地防止溶剂等渗透到柱状晶体C之间。此外，溶剂渗透阻止膜40D不被分割为多个部分而一体地构成，所以其形成容易。此外，通过利用溶剂渗透阻止膜 40D还覆盖凸部11的侧面11b，能够防止由于填充材料中所含的溶剂成分而使凸部11劣化。 再有，通过利用溶剂渗透阻止膜40D还覆盖基板10的表面10a(凹部12的底面12a)，还能够保护基板10不受溶剂成分的影响。 [0068] [第六实施方式] [0069] 接着，对第六实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图7是第六实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。如图7所示，本实施方式所涉及的闪烁器面板1E与第五实施方式所涉及的闪烁器面板1D相比较，在还具备光遮蔽层60的方面不同。 [0070] 这样，根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1E，与第五实施方式所涉及的闪烁器面板1D同样，能够更可靠地防止溶剂等渗透到柱状晶体C之间，溶剂渗透阻止膜40D的形成变得容易。再有，根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1E，与第二实施方式所涉及的闪烁器面板1B同样，能够更可靠地将闪烁光封入。 [0071] 以上的实施方式说明本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板的一个实施方式。因此，本发明的一个侧面并不限定于上述的闪烁器面板1～1E。本发明的一个侧面能够在不变更各权利要求的主旨的范围内任意地变更上述的闪烁器面板1～1E，或应用于其它方面。 [0072] 例如，上述实施方式所涉及的闪烁器面板1～1E能够进一步具备防湿膜。在这种情况下，防湿膜在闪烁器面板1～1E中能够以覆盖溶剂渗透阻止膜40、40A、40D、光遮蔽层50和光遮蔽层60的方式(即，以覆盖闪烁器部20的整体的方式)，在其之上利用派瑞林(parylene)等成膜而形成。如果这样进一步设置防湿膜，则能够提高闪烁器部20的耐湿性。 [0073] 此外，在上述实施方式所涉及的闪烁器面板1～1E中，在基板10的凸部11之上形成闪烁器部20，但是，闪烁器部20的形成方式并不限定于此，例如能够在未形成凸部的任意的基板的表面上形成。 [0074] 再有，在上述实施方式中，对将本发明的一个侧面应用于闪烁器面板的情况进行了说明，但是本发明的一个侧面能够应用于具备上述的闪烁器面板等的放射线检测器。在这种情况下，放射线检测器具备上述的闪烁器面板1～1E中的任一闪烁器面板，并且能够令这些基板10为具备以与闪烁器部20光学结合的方式排列的多个光电转换元件的传感器面板(TFT面板或CMOS图像传感器面板)。 [0075] 在这种情况下，例如形成与作为基板10的TFT面板或CMOS图像传感器的各像素分别对应的凸部11，在其上形成闪烁器部20。凸部11的材料和形成方法如上所述。此时，能够利用相对于在闪烁器部20产生的闪烁光具有透过性的材料构成各个凸部11。 [0076] 根据这样的放射线检测器，因为具备上述的闪烁器面板1～1E，所以能够抑制伴随着光遮蔽层50的形成的特性的劣化。此外，因为基板10为包括光电转换元件的传感器面板，所以如果在该光电转换元件之上直接形成凸部11并设置闪烁器部20，则不需要将另外准备的闪烁器面板与传感器面板贴合。 [0077] 产业上的可利用性 [0078] 根据本发明的一个侧面，能够提供能够防止伴随着光遮蔽层的形成的特性的劣化的闪烁器面板和放射线检测器。 [0079] 符号的说明 [0080] 1、1A、1B、1C、1D、1E…闪烁器面板、10…基板(传感器面板)、10a…表面、10b…背面、11…凸部、11a…上表面、11b…侧面、12…凹部、12a…底面、20…闪烁器部、20a…上表面、20b…侧面、30…间隙、40、40A、40D…溶剂渗透阻止膜、50…光遮蔽层、60…光遮蔽层、C…柱状晶体、R…放射线。 |
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