1.一种β伏打器件，包括：
N+掺杂的半导体基质，该半导体基质具有顶部表面和底部表面，在顶部表面与底部表面之间的厚度为tN+，其中tN+等于或小于100微米(μm)；
紧邻所述基质的底部表面布置的导电层；
紧邻所述基质的顶部表面布置的、具有顶部表面的N-掺杂的外延层；
紧邻所述N-掺杂的外延层的顶部表面布置的、具有顶部表面的P+掺杂的外延层；
紧邻所述P+掺杂的外延层的顶部表面布置的、具有顶部表面的欧姆导电层；以及紧邻所述欧姆导电层的顶部表面布置的放射性同位素层。
2.权利要求1的β伏打器件，其中所述N+掺杂的半导体基质是碳化硅(SiC)。
3.权利要求1的β伏打器件，其中所述放射性同位素层、第二个导电层、P+掺杂的外延层、N-掺杂的外延层、以及N+掺杂的基质中的至少一部分的相重合区域被蚀刻，从而提供包含共同的N+掺杂基质和第一个导电层在内的多个器件。
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4.权利要求1的β伏打器件，其中所述放射性同位素层是 Ni。
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5.权利要求1的β伏打器件，其中所述放射性同位素层是 Pm。
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6.权利要求1的β伏打器件，其中所述放射性同位素层是 H。
7.权利要求1的β伏打器件，其中所述放射性同位素层具有厚度tRad，其中tRad等于或小于该放射性同位素的自吸收厚度。
8.权利要求4的β伏打器件，其中所述放射性同位素层具有厚度tRad，其中tRad等于或小于约2微米。
9.权利要求2的β伏打器件，其中所述欧姆导电层是具有厚度tohm的铝/钛层，其中tohm等于约250纳米(nm)。
10.权利要求9的β伏打器件，其中所述铝/钛层为90wt.%的Al和10wt.%的Ti。
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11.权利要求2的β伏打器件，其中所述P+掺杂的外延层具有等于或大于10 /cm的掺杂浓度。
12.权利要求2的β伏打器件，其中所述P+掺杂的外延层具有厚度tP+，其中tP+等于或小于250nm。
3
13.权利要求2的β伏打器件，其中所述N-掺杂的外延层具有等于或小于4.6E14/cm的掺杂浓度。
14.权利要求1的β伏打器件，其中所述N-掺杂的外延层具有厚度tN-，其中tN-等于或小于电子-空穴对的扩散长度和入射电子的穿透深度之中的较小者。
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15.权利要求14的β伏打器件，其中所述放射性同位素层是 Ni，并且其中tN-小于
3μm。
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16.权利要求14的β伏打器件，其中所述放射性同位素层是 Pm，并且其中tN-等于或小于20μm。
17.权利要求1的β伏打器件，其中218.权利要求17的β伏打器件，其中3019.权利要求1的β伏打器件，其中所述导电层具有厚度tec，其中tec等于或小于
1μm。
20.权利要求2的β伏打器件，其中所述导电层为镍。
21.一种β伏打器件，包括：
至少第一和第二个根据权利要求1的β伏打器件，其中所述至少第一和第二个β伏打器件被布置成串联堆；以及
正电极连接到堆的顶部和底部之一，负电极连接到堆的底部和顶部之一。
22.权利要求21的β伏打器件，其中N+掺杂的半导体基质是碳化硅(SiC)。
23.权利要求21的β伏打器件，还包括粘接层，该粘接层被部置在中间，并接触第一β伏打器件的导电层和第二β伏打器件的放射性同位素层。
24.权利要求23的β伏打器件，其中所述粘接层是金属。
25.权利要求24的β伏打器件，其中所述粘接层是铝。
26.权利要求25的β伏打器件，其中铝粘接层具有约50nm的预退火厚度。
27.一种β伏打器件，包括：
至少第一和第二个根据权利要求1的β伏打器件，其中所述至少第一和第二个β伏打器件以相对面对的关系被布置成并联堆；以及
正电极被布置在堆的一侧，并连接到堆中的导电层，负电极被布置在堆的另一侧，并连接到堆的欧姆导电层。
28.权利要求27的β伏打器件，其中N+掺杂的半导体基质是碳化硅(SiC)。
29.权利要求27的β伏打器件，还包括粘接层，该粘接层被部置在中间，并接触第一β伏打器件的导电层和第二β伏打器件的放射性同位素层。
30.权利要求29的β伏打器件，其中所述粘接层是金属。
31.权利要求30的β伏打器件，其中所述粘接层是铝。
32.权利要求31的β伏打器件，其中铝粘接层具有约50nm的预退火厚度。
33.一种用于制作β伏打器件的方法，包括：
提供厚度大于约100μm的N+掺杂的基质，
在所述基质的顶部表面上提供N-掺杂的外延层；
在所述N-掺杂的外延层的顶部表面上提供P+掺杂的外延层；
在所述P+掺杂的外延层的顶部表面上提供欧姆导电层；
从所述基质的底部表面开始将基质削薄到小于100μm的厚度tN+；
在削薄后的基质的底部表面上提供导电层；
将该器件适当地退火；以及
在所述欧姆导电层的顶部表面上提供放射性同位素层。
34.权利要求33的方法，其中提供N+掺杂的半导体基质的步骤还包括提供N+掺杂的碳化硅(SiC)基质。
35.权利要求33的方法，还包括提供用于该器件的外部电极。
36.权利要求33的方法，还包括对该器件进行蚀刻，以提供各个器件的隔离。
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37.权利要求33的方法，其中提供放射性同位素层的步骤还包括提供由 Ni、Pm和 H中的至少一种所构成的层。
38.权利要求33的方法，其中提供放射性同位素层的步骤还包括提供具有厚度trad的层，该厚度trad等于或小于该放射性同位素的自吸收厚度。
39.权利要求33的方法，其中提供欧姆导电层的步骤包括提供适当的金属化层。
40.权利要求34的方法，其中提供P+掺杂的外延层的步骤还包括提供具有等于或大于
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10 /cm的掺杂浓度的层。
41.权利要求40的方法，还包括提供具有等于或小于约250nm的厚度的P+掺杂的外延层。
42.权利要求34的方法，其中提供N-掺杂的外延层的步骤还包括提供具有等于或小于
3
4.6E14/cm的掺杂浓度的层。
43.权利要求42的方法，还包括提供具有厚度tN-的N-掺杂外延层，该厚度tN-等于或小于电子-空穴对的扩散长度和入射电子的穿透深度之中的较小者。
44.权利要求33的方法，其中削薄基质的步骤还包括将基质削薄到约3到50μm之间的厚度tN+。
45.权利要求33的方法，其中削薄基质的步骤还包括将基质削薄到约3到30μm之间的厚度tN+。
46.权利要求33的方法，其中提供欧姆导电层的步骤还包括提供具有等于或小于1μm的厚度的导电层。
47.权利要求34的方法，还包括提供镍层。
48.一种制作串联型β伏打器件的方法，包括：
提供至少第一和第二个根据权利要求1的β伏打器件；
在第一个β伏打器件的导电层和第二个β伏打器件的放射性同位素层中间提供连接层，该连接层接触第一个β伏打器件的导电层和第二个β伏打器件的放射性同位素层；
将所述至少第一和第二个β伏打器件以及中间的连接层串联堆叠；
在等于或高于所述连接层的熔解温度的温度下对所述器件进行退火；以及分别在相对的表面上提供该器件的正电极和负电极。
49.权利要求48的方法，其中提供N+掺杂的半导体基质的步骤还包括提供N+掺杂的碳化硅(SiC)基质。
50.一种制作并联型β伏打器件的方法，包括：
以相对面对的关系提供至少第一和第二个根据权利要求1的β伏打器件；
在第一个β伏打器件的导电层和第二个β伏打器件的放射性同位素层中间提供连接层，该连接层接触第一个β伏打器件的导电层和第二个β伏打器件的放射性同位素层；
将所述至少第一和第二个β伏打器件以及中间的连接层并联堆叠；
在等于或高于所述连接层的熔解温度的温度下对所述器件进行退火；以及在堆的一侧提供正电极，该正电极连接到堆中的导电层，并在堆的另一侧提供负电极，负电极连接到堆的欧姆导电层。
51.权利要求50的方法，其中提供N+掺杂的半导体基质的步骤还包括提供N+掺杂的碳化硅(SiC)基质。