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申请号 JP2013547604 申请日 2011-12-27 公开(公告)号 JP2014509505A 公开(公告)日 2014-04-17
申请人 ロス,オウェン ヴェンモアROSS,Owen Venmore; 发明人 ヴェンモア ロス,オウェン;
摘要 物質をエネルギーに変換する発電装置。 ソレノイドが外周上を時計回りまたは反時計回りに高速で回転する。 気体またはプラズマ状の帯電粒子を含む概ね同じ大きさのコイル状半導電管が逆向きに高速で回転する。 中空コイルは内部に磁場を生成する導電コイルに巻かれて、粒子のスピンを整列配置させる共鳴周 波数 をRFコイルが注入する際に、粒子を所定 位置 に保持する。 粒子は、ソレノイドの磁場内へ高速度で送られる。 その結果生じたエネルギー出 力 が集められる。
【選択図】図1
权利要求
  • 粒子を高速度で磁場内に送り込むことにより物質をエネルギーに変換する発電装置であって、
    中心ピボットの外周に沿って時計回りまたは反時計回りのいずれかで高速度でスピンする第1のアームに取り付けられたソレノイドと、
    中心ピボットの外周に沿って前記第1のアームの回転とは逆向きに高速度でスピンする第2のアームに取り付けられていて、導電コイルおよびRFコイルに巻くことができて粒子を含むコイル状の中空管と、
    前記中空管内の粒子から解放されたエネルギーを集めるエネルギー収集および変換システムとを、含むことを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、気体またはプラズマまたは液体または固体状の陽子または他の粒子が前記中空管に注入されて、前記管の長さに沿って巻かれた導電コイルにより生成された磁場により所定位置に保持されることを特徴とする発電装置。
  • 請求項2に記載の発電装置において、前記中空管内の磁場内の前記陽子または他の粒子のスピン状態が、衝突磁場との衝突の効果を最大化すべく前記管の長さに沿って巻かれたRFコイルにより与えられるRF信号により制御されることを特徴とする発電装置。
  • 請求項2に記載の発電装置において、前記スピンしているソレノイドの磁場と衝突した際に粒子に作用する力を最大化することに関して前記中空管の範囲内の磁場がオンまたはオフにされることを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、前記装置が更に、前記中空管内の粒子を正確に狙うこと、および当該粒子に作用する力を最大化することに関して前記スピンしているソレノイドの磁場をオン/オフするスイッチを含むことを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、前記中空コイル管の内面領域が、光子を電流に変換可能な光電半導体材料であることを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、前記中空コイル管が、前記管の内部から生じた電流の半導体として機能することを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、前記中空コイル管が、前記管の内部で放出されたエネルギーの熱導体として機能することを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、前記中空コイル管内の粒子と高速度で衝突する磁場により生じた力により、前記粒子が前記粒子間のクーロン障壁に打ち勝って融合し、大量のエネルギーを放出することを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、前記エネルギー収集過程において電極としても利用可能な容器に収められていることを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、前記容器がまた、作動流体として、または熱対流または伝導あるいは電気伝導に利用可能な気体または液体等の媒質を収納可能であることを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、スピンしているアームの両方が、摩擦を最小化すべく磁気ベアリングで構成された中心ピボットに取り付けられていることを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、タイミング制御システムが前記アームの速度を調整し、コイルAおよびコイルBの磁場を適当なシーケンスでオン/オフさせ、電流を反転させて前記RF信号の注入を同期させることができ、これら全てが前記機構に対するエネルギー生成要求に従うことを特徴とする発電装置。
  • 請求項1に記載の発電装置において、電解槽が前記中空管に粒子を供給することを特徴とする発電装置。
  • エネルギーを生成する方法であって、
    質量粒子を処置位置に保持するステップと、
    所定位置に保持された質量粒子を移動させるステップと、
    所定位置に保持された質量粒子を1個以上の磁場に衝突させるステップと、
    所定位置に保持された質量粒子に磁力を作用させるステップと、
    磁力により質量粒子を破壊してエネルギーを生成するステップと、
    解放されたエネルギーを集めるステップとを含むことを特徴とする方法。
  • 請求項15に記載の発電方法において、前記一次磁場がループ状のソレノイド内に含まれ、質量粒子が前記ソレノイドを通って円形にスピンすることを特徴とする方法。
  • 請求項15に記載の発電方法において、前記質量粒子が1枚のプレート内で所定位置に保持されている一方、1個以上の衝突磁場が第2のプレート内に含まれていて、両方のプレートが互いに逆向きにスピンするにつれて近づくように、またはピストン運動で互いにぶつかるように設計されていることを特徴とする方法。
  • 請求項15に記載の発電方法において、前記方法がナノスケールで発電装置を提供するステップを含むことを特徴とする方法。
  • 請求項15に記載の発電方法において、前記方法が工業スケールで発電装置を提供するステップを含むことを特徴とする方法。
  • 請求項15に記載の発電方法において、ソレノイドが外周に沿って時計回りまたは反時計回りに回転する一方、質量粒子を含むコイル中空管が逆向きに回転して前記質量粒子を前記ソレノイドの磁場に衝突させることを特徴とする方法。
  • 請求項15に記載の発電方法において、核子のスピンの向きが、1個以上の静止または移動している磁場に衝突するために推進装置から発射されて、エネルギーを生成させる前記核子の方位角で磁場に衝突するように所定位置に保持されていることを特徴とする方法。
  • 請求項15に記載の発電方法において、2個以上の同心シリンダが互いに逆向きにスピンして核子を磁場に衝突させることを特徴とする方法。
  • 請求項1に記載の装置を利用してエネルギーを発生させる方法であって、
    請求項1に記載の装置を用いて、
    質量粒子を所定位置に保持し、
    所定位置に保持された質量粒子を移動させ、
    所定位置に保持された質量粒子を1個以上の磁場に衝突させ、
    所定位置に保持された質量粒子に磁力を作用させ、
    磁力により質量粒子を破壊してエネルギー生成し、
    生成されたエネルギーを集めるステップを含むことを特徴とする方法。
  • 発電装置であって、粒子を磁場に高速度で送り込むことにより物質をエネルギーに変換することを特徴とする発電装置。
  • 請求項24に記載の発電装置において、質量粒子が推進装置から1個以上の静止または移動している磁場内へ発射されることを特徴とする発電装置。
  • 請求項24に記載の発電装置において、2個以上の同心のシリンダが互いに逆向きにスピンして核子を磁場に衝突させることを特徴とする発電装置。
  • 請求項24に記載の発電装置において、一次磁場がループ状のソレノイド内に含まれ、質量粒子が前記ソレノイドを通って円形にスピンすることを特徴とする発電装置。
  • 請求項24に記載の発電装置において、前記質量粒子が1枚のプレート内で所定位置に保持されている一方、1個以上の衝突磁場が第2のプレート内に含まれていて、両方のプレートが互いに逆向きにスピンするにつれて近づくように、またはピストン運動で互いにぶつかるように設計されていることを特徴とする発電装置。
  • 说明书全文

    本出願は、2010年12月30日出願の米国特許出願第61/460,364号、および2011年12月23日出願の米国特許出願第13/336,976号に基づいて優先権主張するものであり、その全文を援用している。

    本発明は発電に関する。 式E=mc は、大量のエネルギーがフェルミオン物質内に閉じ込められていることを意味する。 従来の燃焼は分子の化学結合を壊すことによりエネルギーを放出する結果、不要な放出物が生じ、個々の原子核の膨大なエネルギーが利用されないまま残る。

    自由中性子は、自身が崩壊するまでの短時間(約15分)のみ存在する。 中性子は、3個のクオーク、すなわち1個の「アップクォーク」および2個の「ダウンクォーク」を含んでいる。 中性子ベータ崩壊において、2個の「ダウンクォーク」のうち1個は「アップクォーク」に切り替わり、電子およびニュートリノを発する。 残りの陽子には2個の「アップクォーク」および1個の「ダウンクォーク」が残される。 本発明は、残りの「ダウンクォーク」、または残りの「アップクォーク」のうち1個により陽子の崩壊を誘発することによりエネルギーへの変換を図る。 質量はであり、核子の成分を正しい量の対抗力により正しい位置に戻すことにより質量を破壊してエネルギーを放出させることができる。

    本発明の主な目的は、核子内部に貯蔵された膨大なエネルギーを解放することである。

    一実施形態において、イオン化されたプロチウムを気体またはプラズマ状態で用いる。 素にはいくつかの同位元素があり、その最も一般的なものが1個の陽子および1個の電子からなる H(プロチウム)である。 電子を除去すれば、残るのは正に帯電した個々の陽子である。

    本発明の一実施形態は、中心ピボットに取り付けられていて外周方向逆向きに回転する2本のアームを含んでいる。 これらのアームは、可変的な速度で邪魔し合うことなく互いの内部を通過できる(例えば一方のアームが他方の内部を通過する)ように設計されている。

    各アームの終端には共にほぼ同じ大きさのコイルが堅牢に取り付けられている。 当該コイルは、自身を保持するアームと同様に、可変的な速度で邪魔されずに相互に通過できるように構成されている。

    一方のコイル(コイルA)はソレノイド、すなわち電磁石である。 当該コイル内を電流が流れた場合、当該コイルの中心を通る比例的な強さの下向き磁場が生じる。 この磁場は、自在にスイッチオン/オフ可能である。

    他方のコイル(コイルB)はコイルA内を通過できるように、従ってコイルAの磁場がオンになった場合、コイルAの磁場を通過するかまたは横断できるように大きさがコイルAに比例している。

    本発明の一実施形態において、コイルBは半導体材料で構成された中空管であって、光子を電気に変換または直接電子を収集可能な管の内面に半導体層を有する。

    一実施形態において、コイルBには更に非磁性導体が巻かれていて、コイルAの磁場と最小限に相互作用するが、導電時にはコイルBの中心を通る下向き磁場も生成する。

    一実施形態において、コイルBにはRFコイルが巻かれている。 磁気共鳴は、原子核のスピンに関する特性である。 コイルBがプロチウムで満たされていてRFコイルからの磁場がオンになった場合、管内の陽子のスピンは磁場に従って整列し、磁気的に北または南のいずれかを指すことにより、2個の異なるスピン状態、すなわち高エネルギースピン状態および低エネルギースピン状態を示す。 適当な強さ(コイルBの磁場の強さの関数)のRF周波数を注入することにより、コイルB内の全ての陽子が磁場内で同一方向を向くように低エネルギースピン状態を高エネルギースピン状態に変換することができる。

    RF周波数がオフになった場合、高エネルギースピン状態に「上昇した」陽子は光子を発することにより低エネルギースピン状態に「弛緩する」。 この瞬間これらの弛緩した陽子は、コイルAの磁場に高速度でぶつけられて、コイルB内に存在するこれらの陽子の一部の破壊を誘発し、これらをエネルギーに変換し、次いで当該エネルギーをコイルBから集める。

    代替的に、陽子がコイルAの磁場に衝突する際に、コイルB内の磁場を用いて機械の大きさおよび他の変数に基づいて最適な度に陽子を保持することができる。 陽子は、コイルAの逆磁場にぶつけられるか、または逆磁場を通って「接地」させることができる。

    タイミング装置は、アームの回転速度を調整して、コイルAおよびコイルBの磁場を適当なシーケンスでオン/オフして、RF信号の注入があれば同期させることができる。

    図1は、容器内の機構の上面断面図である。

    図2は、機構の各アームおよびそれが取付けられたコイルを示す。

    図3は、機構の各アームおよびそれが取付けられたコイルを示す。

    図4aは、コイルBの側面図を示す。 図4bは、コイルBの断面図を示す。

    本開示は一般に、高速度で粒子を磁場内に送り込むことにより粒子のエネルギーを解放する発電システムに関する。 必要とされる高速度は、機械の大きさ、生成するエネルギーの量、および他の変数に依存して変化する。 いずれの場合も、特定の装置の環境内で、粒子を破壊するのに充分な速度でなければならない。 所与の装置で必要とされる正確な速度は当業者により微調整できる。

    ローレンツ力の法則によれば、1クーロンの電荷を担持し、毎秒1メートルの速度で1テスラの磁場を通過する粒子は1ニュートンの力を受ける。 粒子が磁場を通過する速度を上げることにより、粒子が受ける力は相応に増大する。

    追加的な磁場内で粒子を所定位置に保持し、且つ当該粒子が一次磁場に衝突する角度を調整することにより、一次磁場により加えられた力を特定の箇所に集中させて質量を破壊することができる。

    一実施形態において、粒子による光子の誘導放出が目標を与える。

    一実施形態において、磁場との衝突は、物質/反物質消滅を再現する。

    一実施形態において、正に帯電した粒子に作用する磁場の力はクーロン障壁の相互静電反発に打ち勝ち、原子核を融合させてエネルギーを放出する。

    本開示は一般に、磁力を用いた質量の破壊による発電に関する。 質量は核子の成分に固有であって、接触の局所性を制御すべく1個以上の二次磁場により所定位置に保持できる核子を目標とする磁場により生じた等しい量の反力を受けることができる。 目標とされた核子はまた、他の手段により、例えば核子物質の密度または核子物質の他の特性により、あるいは一次および他の磁場と衝突した際に「トラップ」すなわちチャネルに保持されることにより、所定位置に保持されていてよい。 核子は、各々の核子に個々に充分な力を加えて自身の質量の力に対抗すべく磁力にぶつけられることにより質量を破壊して、式E=mc に従いそのエネルギーを放出させる。

    図1に、本機構の一実施形態の非限定的な例を上面視で示す。 中心ピボット5に2本のアーム2、4が取り付けられていて、アームA2の外周に沿った反時計回り高速回転を推進し、アームB4の外周に沿った時計回り高速回転を推進するように機能する。 一実施形態において、アームB4は、アームA2内にぴったり合い、従って可変速度で抵抗なしに通過できるように設計されている。 アームA2の終端にコイルA1が取り付けられていて、アームB4の終端にコイルB3が取り付けられている。 コイルB3の形状および大きさは、従ってアームB4がアームA2を通過するのと同様にコイルA1内にぴったり合い、抵抗なしにコイルA1を通過できるように設定されている。 一実施形態において、中心ピボット5は、摩擦を排除して、アームが容器6内で逆向きに360°外周上を高速回転可能にする磁気ベアリングである。

    図2に、アームA2に取り付けられていて中心ピボット3に結合されたコイルA1を示す。 コイルA1はソレノイドであって、電流がコイル内を流れたならばコイルの中心を通る下向き磁場が生じる。

    図3に、アームB2に取り付けられていて中心ピボット3に結合されたコイルB1を示す。 一実施形態において、コイルB1は半導体材料からなる中空管であって、管内部で生成された光子を利用すべくコイルB1内を流れる電気に変換できるように内面が光電式である。

    図4に、コイルBの2個の近接図、すなわち側面図および断面図3を示す。 コイルBの側面図は、コイルBがRFコイル1および導電コイル2を巻かれた中空管である実施形態を示している。 電流が導電コイル2内を流れたならば、コイルBの中心を通る下向き磁場が生じる、一実施形態において,帯電粒子5がコイルBの内面4に沿って光電半導体材料に囲まれた中空管を満たす。 一実施形態において、帯電粒子5はプロチウムの気体またはプラズマ状の陽子である。 導電コイル2内に電流を流すことによりコイルB内の磁場がオンになったならば、管内の全ての陽子のスピンが高エネルギースピン状態または低エネルギースピン状態に整列する。 適当な強さのRFコイル1を通ってRF信号を注入することにより、低エネルギースピン状態を高エネルギースピン状態に上昇させることができる。 RF信号が除去されたならば、上昇した陽子は光子を発することにより低エネルギースピン状態に弛緩する。 一実施形態において、光子の放出により、コイルB内の陽子にぶつけるコイルAの磁場の場所および時間目標が与えられ、コイルB内の磁場はオンのままであるかまたはオフにされて陽子5に掛かる力が増大する。

    一実施形態において、エネルギー出力は、利用のためコイルBの内面の半導電または導電材料を通って伝導される電子の形状をなしている。

    一実施形態において、エネルギーは、コイルBの光電内面4により集められ、利用のためアームBを通ってコイルBの半導体材料を通って、あるいは容器自体を電極として用いて、コイルBとの直接的接触または容器からコイルBを分離する媒質のいずれかを介して伝導される。 他の実施形態は、コイルBを通って容器内の周囲媒質へ伝導される熱、またはコイルBと容器の直接的接触により伝導される熱等、他の電力変換の方法を含んでいてよい。

    発電システムの他の実施形態は、アームの2個以上の車輪がギア状にコイルを噛み合わせる設計を含んでいてよい。 別の実施形態は、磁場の全長にわたるソレノイドコイルを通過する、または「ループ状の」円形ソレノイド内に生成された磁場の周長を回る中空管要素を設計することができる。 他の実施形態は、容器から直接磁気衝突磁場を生成しながら、1本のアームを1個の中空管と共に動かすことしかできない。 一実施形態では中空管を保持する複数のアームが回転して単一の衝突磁場に衝突させられ、別の実施形態では1個の中空管が複数の衝突磁場に衝突させられる。 一実施形態において、中空コイル管が、外周上に回転しながら可変的な速度で自身の軸回りにスピンできるように構成されている。 一実施形態において、2枚のプレートが逆向き、すなわち一方のプレートが質量粒子と共に、他方が1個以上の磁場と共にスピンして、2枚のスピンするプレートが互いに「はさまり合う」につれて質量粒子を破壊する。 一実施形態において、核子は、静止または移動している1個以上の磁場に向けて銃から発射される。 一実施形態において、2個以上の同心シリンダが互いに逆向きにスピンして核子を磁場に衝突させる。

    本開示の一実施形態において、発電装置は、中空管に粒子を供給する電解槽に接続されている。 本発明の一実施形態において、電解槽は水の電気分解を実行して中空管に水素を供給する。

    無論、本明細書の記述および図面が説明用に過ぎない点が理解され、本発明の概念および添付の請求項の範囲から逸脱することなく本明細書に開示した構造の各種の変型、組合せ、および変更が可能であることは明らかであろう。

    本出願は、2010年12月30日出願の米国特許出願第61/460,364号、および2011年12月23日出願の米国特許出願第13/336,976号に基づいて優先権主張するものであり、その全文を援用している。

    本発明は発電に関する。 式E=mc は、大量のエネルギーがフェルミオン物質内に閉じ込められていることを意味する。 従来の燃焼は分子の化学結合を壊すことによりエネルギーを放出する結果、不要な放出物が生じ、個々の原子核の膨大なエネルギーが利用されないまま残る。

    自由中性子は、自身が崩壊するまでの短時間(約15分)のみ存在する。 中性子は、3個のクオーク、すなわち1個の「アップクォーク」および2個の「ダウンクォーク」を含んでいる。 中性子ベータ崩壊において、2個の「ダウンクォーク」のうち1個は「アップクォーク」に切り替わり、電子およびニュートリノを発する。 残りの陽子には2個の「アップクォーク」および1個の「ダウンクォーク」が残される。 本発明は、残りの「ダウンクォーク」、または残りの「アップクォーク」のうち1個により陽子の崩壊を誘発することによりエネルギーへの変換を図る。 質量は力であり、核子の成分を正しい量の対抗力により正しい位置に戻すことにより質量を破壊してエネルギーを放出させることができる。

    本発明の主な目的は、核子内部に貯蔵された膨大なエネルギーを解放することである。

    一実施形態において、 イオン化されたプロチウムを用いる。 水素にはいくつかの同位元素があり、その最も一般的なものが1個の陽子および1個の電子からなる H(プロチウム)である。 電子を除去すれば、残るのは正に帯電した個々の陽子である。

    本発明の一実施形態は、中心ピボットに取り付けられていて外周方向逆向きに回転する2本のアームを含んでいる。 これらのアームは、可変的な速度で邪魔し合うことなく互いの内部を通過できる(例えば一方のアームが他方の内部を通過する)ように設計されている。

    各アームの終端には共にほぼ同じ大きさのコイルが堅牢に取り付けられている。 当該コイルは、自身を保持するアームと同様に、可変的な速度で邪魔されずに相互に通過できるように構成されている。

    一方のコイル(コイルA)はソレノイド、すなわち電磁石である。 当該コイル内を電流が流れた場合、当該コイルの中心を通る比例的な強さの下向き磁場が生じる。 この磁場は、自在にスイッチオン/オフ可能である。

    他方のコイル(コイルB)はコイルA内を通過できるように、従ってコイルAの磁場がオンになった場合、コイルAの磁場を通過するかまたは横断できるように大きさがコイルAに比例している。

    本発明の一実施形態において、コイルBは半導体材料で構成された中空管であって、光子を電気に変換または直接電子を収集可能な管の内面に半導体層を有する。

    一実施形態において、コイルBには更に非磁性導体が巻かれていて、コイルAの磁場と最小限に相互作用するが、導電時にはコイルBの中心を通る下向き磁場も生成する。

    一実施形態において、コイルBにはRFコイルが巻かれている。 磁気共鳴は、原子核のスピンに関する特性である。 コイルBが陽子で満たされていてRFコイルからの磁場がオンになった場合、管内の陽子のスピンは磁場に従って整列し、磁気的に北または南のいずれかを指すことにより、2個の異なるスピン状態、すなわち高エネルギースピン状態および低エネルギースピン状態を示す。 適当な強さ(コイルBの磁場の強さの関数)のRF周波数を注入することにより、コイルB内の全ての陽子が磁場内で同一方向を向くように低エネルギースピン状態を高エネルギースピン状態に変換することができる。

    RF周波数がオフになった場合、高エネルギースピン状態に「上昇した」陽子は光子を発することにより低エネルギースピン状態に「弛緩する」。 この瞬間これらの弛緩した陽子は、コイルAの磁場に高速度でぶつけられて、コイルB内に存在するこれらの陽子の一部の破壊を誘発し、これらをエネルギーに変換し、次いで当該エネルギーをコイルBから集める。

    代替的に、陽子がコイルAの磁場に衝突する際に、コイルB内の磁場を用いて機械の大きさおよび他の変数に基づいて最適な角度に陽子を保持することができる。 陽子は、コイルAの逆磁場にぶつけられるか、または逆磁場を通って「接地」させることができる。

    タイミング装置は、アームの回転速度を調整して、コイルAおよびコイルBの磁場を適当なシーケンスでオン/オフして、RF信号の注入があれば同期させることができる。

    図1は、容器内の機構の上面断面図である。

    図2は、機構の各アームおよびそれが取付けられたコイルを示す。

    図3は、機構の各アームおよびそれが取付けられたコイルを示す。

    図4aは、コイルBの側面図を示す。

    図4bは、コイルBの断面図を示す。

    本開示は一般に、高速度で陽子を磁場内に送り込むことにより陽子のエネルギーを解放する発電システムに関する。 必要とされる高速度は、機械の大きさ、生成するエネルギーの量、および他の変数に依存して変化する。 いずれの場合も、特定の装置の環境内で、粒子を破壊するのに充分な速度でなければならない。 所与の装置で必要とされる正確な速度は当業者により微調整できる。

    ローレンツ力の法則によれば、1クーロンの電荷を担持し、毎秒1メートルの速度で1テスラの磁場を通過する粒子は1ニュートンの力を受ける。 粒子が磁場を通過する速度を上げることにより、粒子が受ける力は相応に増大する。

    追加的な磁場内で陽子を所定位置に保持し、且つ当該陽子が一次磁場に衝突する角度を調整することにより、一次磁場により加えられた力を特定の箇所に集中させて質量を破壊することができる。

    一実施形態において、粒子による光子の誘導放出が目標を与える。

    一実施形態において、磁場との衝突は、物質/反物質消滅を再現する。

    本開示は一般に、磁力を用いた質量の破壊による発電に関する。 質量は核子の成分に固有であって、接触の局所性を制御すべく1個以上の二次磁場により所定位置に保持できる核子を目標とする磁場により生じた等しい量の反力を受けることができる。 目標とされた核子はまた、他の手段により、例えば核子物質の密度または核子物質の他の特性により、あるいは一次および他の磁場と衝突した際に「トラップ」すなわちチャネルに保持されることにより、所定位置に保持されていてよい。 核子は、各々の核子に個々に充分な力を加えて自身の質量の力に対抗すべく磁力にぶつけられることにより質量を破壊して、式E=mc に従いそのエネルギーを放出させる。

    図1に、本機構の一実施形態の非限定的な例を上面視で示す。 中心ピボット5に2本のアーム2、4が取り付けられていて、アームA2の外周に沿った反時計回り高速回転を推進し、アームB4の外周に沿った時計回り高速回転を推進するように機能する。 一実施形態において、アームB4は、アームA2内にぴったり合い、従って可変速度で抵抗なしに通過できるように設計されている。 アームA2の終端にコイルA1が取り付けられていて、アームB4の終端にコイルB3が取り付けられている。 コイルB3の形状および大きさは、従ってアームB4がアームA2を通過するのと同様にコイルA1内にぴったり合い、抵抗なしにコイルA1を通過できるように設定されている。 一実施形態において、中心ピボット5は、摩擦を排除して、アームが容器6内で逆向きに360°外周上を高速回転可能にする磁気ベアリングである。

    図2に、アームA2に取り付けられていて中心ピボット3に結合されたコイルA1を示す。 コイルA1はソレノイドであって、電流がコイル内を流れたならばコイルの中心を通る下向き磁場が生じる。

    図3に、アームB2に取り付けられていて中心ピボット3に結合されたコイルB1を示す。 一実施形態において、コイルB1は半導体材料からなる中空管であって、管内部で生成された光子を利用すべくコイルB1内を流れる電気に変換できるように内面が光電式である。

    図4に、コイルBの2個の近接図、すなわち側面図および断面図3を示す。 コイルBの側面図は、コイルBがRFコイル1および導電コイル2を巻かれた中空管である実施形態を示している。 電流が導電コイル2内を流れたならば、コイルBの中心を通る下向き磁場が生じる、一実施形態において, 陽子5がコイルBの内面4に沿って光電半導体材料に囲まれた中空管を満たす。

    導電コイル2内に電流を流すことによりコイルB内の磁場がオンになったならば、管内の全ての陽子のスピンが高エネルギースピン状態または低エネルギースピン状態に整列する。 適当な強さのRFコイル1を通ってRF信号を注入することにより、低エネルギースピン状態を高エネルギースピン状態に上昇させることができる。 RF信号が除去されたならば、上昇した陽子は光子を発することにより低エネルギースピン状態に弛緩する。 一実施形態において、光子の放出により、コイルB内の陽子にぶつけるコイルAの磁場の場所および時間目標が与えられ、コイルB内の磁場はオンのままであるかまたはオフにされて陽子5に掛かる力が増大する。

    一実施形態において、エネルギー出力は、利用のためコイルBの内面の半導電または導電材料を通って伝導される電子の形状をなしている。

    一実施形態において、エネルギーは、コイルBの光電内面4により集められ、利用のためアームBを通ってコイルBの半導体材料を通って、あるいは容器自体を電極として用いて、コイルBとの直接的接触または容器からコイルBを分離する媒質のいずれかを介して伝導される。 他の実施形態は、コイルBを通って容器内の周囲媒質へ伝導される熱、またはコイルBと容器の直接的接触により伝導される熱等、他の電力変換の方法を含んでいてよい。

    発電システムの他の実施形態は、アームの2個以上の車輪がギア状にコイルを噛み合わせる設計を含んでいてよい。 別の実施形態は、磁場の全長にわたるソレノイドコイルを通過する、または「ループ状の」円形ソレノイド内に生成された磁場の周長を回る中空管要素を設計することができる。 他の実施形態は、容器から直接磁気衝突磁場を生成しながら、1本のアームを1個の中空管と共に動かすことしかできない。 一実施形態では中空管を保持する複数のアームが回転して単一の衝突磁場に衝突させられ、別の実施形態では1個の中空管が複数の衝突磁場に衝突させられる。 一実施形態において、中空コイル管が、外周上に回転しながら可変的な速度で自身の軸回りにスピンできるように構成されている。 一実施形態において、2枚のプレートが逆向き、すなわち一方のプレートが陽子と共に、他方が1個以上の磁場と共にスピンして、2枚のスピンするプレートが互いに「はさまり合う」につれて陽子を破壊する。 一実施形態において、 陽子は、静止または移動している1個以上の磁場に向けて銃から発射される。 一実施形態において、2個以上の同心シリンダが互いに逆向きにスピンして陽子を磁場に衝突させる。

    本開示の一実施形態において、発電装置は、中空管に陽子を供給する電解槽に接続されている。 本発明の一実施形態において、電解槽は水の電気分解を実行して中空管に水素を供給する。

    無論、本明細書の記述および図面が説明用に過ぎない点が理解され、本発明の概念および添付の請求項の範囲から逸脱することなく本明細書に開示した構造の各種の変型、組合せ、および変更が可能であることは明らかであろう。

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