1.一种滤屏，包括：
第一层，由铁组成；
第二层，由1体积份的氟化锂、20至50体积份的铝与50至80体积份的氟化铝组成；以及第三层，由1重量份的氟化锂与99至100重量份的氟化镁组成，
其中该第二层位于该第一层与该第三层之间。
2.如权利要求1所述的滤屏，其中该滤屏的总厚度介于67.5cm至70cm之间，且该滤屏的截面是半径介于40cm至60cm的圆形。
3.如权利要求1所述的滤屏，其中该第一层的厚度介于25cm至40cm之间，该第二层的厚度介于10cm至37.5cm之间，且该第三层的厚度介于5cm至20cm之间。
4.一种中子束源，包括：
加速器；
铍靶材；以及
权利要求1所述的滤屏，
其中该铍靶材位于该加速器与该滤屏之间，且该滤屏的第一层位于该铍靶材与该第三层之间。
5.如权利要求4所述的中子束源，其中：
该加速器产生能量为30MeV且电流为1mA的质子束，该滤屏的第一层的厚度介于25cm至
40cm之间，该第二层的厚度介于10cm至37.5cm之间，且该第三层的厚度介于5cm至20cm之间。
6.如权利要求4所述的中子束源，其中：
该加速器产生能量为29MeV且电流为1mA的质子束，该滤屏的第一层的厚度介于25cm至
37.5cm之间，该第二层的厚度介于12.5cm至37.5cm之间，且该第三层的厚度介于5cm至
17.5cm之间。
7.如权利要求4所述的中子束源，其中：
该加速器产生能量为31MeV且电流为1mA的质子束，该滤屏的第一层的厚度介于27.5cm至40cm之间，该第二层的厚度介于10cm至35cm之间，且该第三层的厚度介于7.5cm至20cm之间。
8.如权利要求4所述的中子束源，其中：
该加速器产生能量为30MeV且电流为1mA的质子束撞击该铍靶材，以产生中子；以及中子穿过该滤屏后，产生调整后的中子束，其中调整后的中子束的超热中子通率介于
1.7×109～1.9×109cm-2·s-1，且伴随每一超热中子的快中子剂量介于2.9×10-11～3.5×
10-11cGy·cm2。
9.如权利要求4所述的中子束源，其中：
该加速器产生能量为29MeV且电流为1mA的质子束撞击该铍靶材，以产生中子；以及中子穿过该滤屏后，产生调整后的中子束，其中调整后的中子束的超热中子通率介于
1.7×109～1.9×109cm-2·s-1，且伴随每一超热中子的快中子剂量介于2.9×10-11～3.5×-11 2
10 cGy·cm。
10.如权利要求4所述的中子束源，其中：
该加速器产生能量为31MeV且电流为1mA的质子束撞击该铍靶材，以产生中子；以及中子穿过该滤屏后，产生调整后的中子束，其中调整后的中子束的超热中子通率介于
1.7×109～1.9×109cm-2·s-1，且伴随每一超热中子的快中子剂量介于2.9×10-11～3.7×
10-11cGy·cm2。
11.如权利要求4所述的中子束源，还包括一汇聚元件，且该滤屏位于该铍靶材与该汇聚元件之间。
12.如权利要求11所述的中子束源，其中：
该加速器产生能量为30MeV且电流为1mA质子撞击该铍靶材，以产生中子；以及中子穿过该滤屏与该汇聚元件后，产生调整后的中子束，
其中调整后的中子束的超热中子通率介于1.7×109～2.0×109cm-2·s-1，且伴随每一超热中子的快中子剂量介于2.0×10-11～2.6×10-11cGy·cm2。
13.如权利要求11所述的中子束源，其中：
该加速器产生能量为30MeV且电流为2mA质子撞击该铍靶材，以产生中子；以及中子穿过该滤屏与该汇聚元件后，产生调整后的中子束，
其中调整后的中子束的超热中子通率介于3.4×109～4.0×109cm-2·s-1，且伴随每一超热中子的快中子剂量介于2.0×10-11～2.6×10-11cGy·cm2。
14.如权利要求4所述的中子束源，还包括一铅壁围绕该滤屏的侧壁。
15.如权利要求14所述的中子束源，其中该铅壁的厚度为至少15cm。
16.如权利要求4所述的中子束源，用于加速器型硼中子捕获治疗。