1.一种确定样本中的目标元素的浓度的方法，所述方法包括：
(i)相对于包含参考元素的参考材料定位包含目标元素的样本，其中所述目标元素与所述参考元素不同；
(ii)同时利用轫致辐射X-射线辐射所述样本和所述参考材料，以由此在所述目标元素中产生活化核并且在所述参考元素中产生活化核；
(iii)检测来自经辐射样本的钝化γ-射线和来自经辐射参考材料的钝化γ-射线；
(iv)确定来自所述经辐射样本的所检测的钝化γ-射线的第一数量和来自所述经辐射参考材料的所检测的钝化γ-射线的第二数量；以及
(v)通过首先由来自所述经辐射参考材料的所检测的钝化γ-射线的所述第二数量对来自所述经辐射样本的所检测的钝化γ-射线的所述第一数量进行归一化来确定所述样本中的所述目标元素的所述浓度；
(vi)其中在电子束能量的范围上参考元素对目标元素的活化截面比率的变化小于预定的测量准确度。
2.根据权利要求1所述的方法，其还包括选择所述参考材料以使得在电子束能量的范围上所述参考元素对目标元素的活化截面比率的所述变化小于3％。
3.根据权利要求2所述的方法，其还包括选择所述参考材料以使得在电子束能量的范围上所述参考元素对目标元素的活化截面比率的所述变化小于1％。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中来自所述经辐射参考材料的所述钝化γ-射线具有比来自所述经辐射样本的所述钝化γ-射线更低的能量。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其还包括选择所述参考材料以使得所述参考元素的半衰期类似于或小于所述目标元素的半衰期。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述参考元素具有活化截面以使得被需要来给出可检测信号的所述参考元素的质量大于将被期望在所述样本中自然出现的所述目标元素的质量的100倍。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述参考元素具有活化截面以使得被需要来给出可检测信号的所述参考元素的所述质量大于将被期望在所述样本中自然出现的所述目标元素的所述质量的1000倍。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标元素是金，并且所述参考元素是溴(Br)。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标元素是金，并且所述参考元素是硒(Se)或铒(Er)。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述轫致辐射X-射线具有7.5MeV与8.6MeV之间的端点能量。
11.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述轫致辐射X-射线具有7.8MeV与8.2MeV之间的端点能量。
12.根据权利要求1所述的方法，其还包括构造所述参考材料的形状以使得其大致具有圆盘的形式，所述圆盘具有与所述样本的直径基本上相同或略微小于所述样本的直径的直径。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述圆盘具有0.1mm与3.0mm之间的厚度以及
50mm-100mm之间的直径。
14.根据权利要求12或13所述的方法，其还包括构造所述样本的形状，以使得其具有大致的圆柱形。
15.根据权利要求12或13所述的方法，其还包括定位所述参考材料，以使得其轴线与所述样本的轴线大致对准。
16.根据权利要求12或13所述的方法，其中权利要求1的步骤(iv)包括相对于第一高分辨率检测器和第二高分辨率检测器来定位所述参考材料和所述样本，其中所述第一高分辨率检测器直接邻近所述参考材料的外面并且所述第二高分辨率检测器直接邻近所述样本的相对外面。
17.根据权利要求12或13所述的方法，其中权利要求1的步骤(iv)包括相对于高分辨率检测器来定位所述参考材料和所述样本，其中所述高分辨率检测器直接邻近所述参考材料的外面。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一高分辨率检测器和所述第二高分辨率检测器中的每一个是大致圆柱形的，具有等于或大于所述样本的所述直径的直径。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述高分辨率检测器是大致圆柱形的，具有等于或大于所述样本的所述直径的直径。
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一高分辨率检测器和所述第二高分辨率检测器中的每一个包括具有1.5keV或更好的279keV的FWHM分辨率的大面积半导体装置。
21.根据权利要求17所述的方法，其中所述高分辨率检测器包括具有1.5keV或更好的
279keV的FWHM分辨率的大面积半导体装置。
22.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其还包括持续多个周期重复(ii)至(vi)，其中对于每个周期来说，所述样本相对于所述参考材料的取向针对交替周期而改变。
23.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其还包括选择所述参考材料以使得，利用样本成分，引起所述参考材料中的活化的所述轫致辐射X-射线的衰减的变化小于引起所述样本中的活化的所述轫致辐射X-射线的衰减的变化。