[0001] 本发明的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及用于修复掩模的方法。

[0002] 在半导体集成电路(IC)工业中，IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即，单位芯片面积中的互连器件的数量)通常在增加，同时几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种规模缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来提供很多益处。这样的规模缩小还增大了处理和制造IC的复杂程度。

[0003] 例如，实施更高分辨率的光刻工艺的需求增长。用于处理这种需求的一种光刻技术是远紫外光刻(EUVL)。EUVL中使用的掩模存在新的挑战。例如，远紫外(EUV)掩模中使用多层结构。EUV掩模的衬底的表面上的微观非平整度(例如，由缺陷导致)可以使随后沉积在上面的多层结构的膜变形，这可以影响对应暴露的图像的质量或完整性。然而，不能够通过标准修复技术来去除EUV掩模的多层的下面或内侧的缺陷。

[0004] 因此，期望提供改进的掩模修复方法。

[0005] 本发明的实施例提供了一种修复掩模的方法，所述方法包括：检查掩模以定位所述掩模的缺陷的缺陷区域；在成像系统中获取所述缺陷区域的空中影像的相位分布；确定所述成像系统的点扩散函数；基于所述缺陷区域的空中影像的相位分布和所述点扩散函数来确认所述掩模的一个或多个修复区域；以及对所述掩模的一个或多个修复区域执行修复工艺以形成一个或多个修复部件。

[0006] 本发明的实施例还提供了一种修复掩模的方法，包括：接收图案化的远紫外(EUV)掩模，所述图案化的远紫外掩模包括具有吸收材料的吸收区域、定义主部件的反射区域以及缺陷；确定由所述缺陷导致的并且侵入所述反射区域的缺陷区域；获取所述缺陷区域的图像的相位分布；提供成像系统的点扩散函数；根据所述点扩散函数和所述缺陷区域的图像的相位分布来确定所述吸收区域中的修复区域；以及使用掩模修复工具去除所述修复区域的吸收材料以形成修复部件。

[0007] 本发明的实施例还提供了一种修复掩模的方法，包括：接收包括印刷部件和缺陷的掩模；检查所述掩模以定位所述缺陷的缺陷区域；确定成像系统的点扩散函数；基于所述点扩散函数和所述缺陷区域来确认所述掩模的修复区域；使用掩模修复工具对所述掩模的修复区域执行修复工艺以形成修复部件；将所述掩模暴露于所述成像系统中的辐射以从所述印刷部件产生第一辐射并且从所述修复部件产生第二辐射；以及使用所述第一辐射和所述第二辐射来暴露目标的光刻胶。附图说明

[0008] 当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可更好地理解本发明。需要强调的是，根据行业的标准实践，各个部件未按比例绘制，并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

[0009] 图1A、图1B和图1C是根据本发明的一个或多个实施例的用于修复掩模的方法的流程图。

[0010] 图2A是根据一些实施例的光掩模(或中间掩模或掩模)一部分的顶视图。图2B是根据一些实施例的图2A的掩模的截面图。图2C是根据一些实施例的光掩模(或中间掩模或掩模)一部分的顶视图。

[0011] 图3A和图3B是根据各个实施例的反射掩模中的示例性缺陷的截面图。

[0012] 图4示出了根据一个实施例的光掩模的一部分。

[0013] 图5A示出了根据一个实施例的光掩模的一部分。图5B示出了根据一些实施例的成像系统。

[0014] 图6A示出了根据一些实施例的成像系统。图6B示出了根据一些实施例的图6A的成像系统的点扩散函数(point spread function)。图6C示出了根据一些实施例的点扩散函数的二维投影。

[0015] 图7A示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的掩模的两个点状开口(point opening)传输的光的幅度分布。图7B示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的图7A的两个点状开口中的一个传输的光的幅度分布。

[0016] 图8A示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的掩模的两个点状开口传输的光的幅度分布。图8B示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的图8A的两个点状开口中的一个传输的光的幅度分布。

[0017] 图9A示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的掩模的两个点状开口传输的光的幅度分布。图9B示出了根据一些实施例的穿过根据成像系统中的点扩散函数的图9A的两个点状开口中的一个传输的光的幅度分布。

[0018] 图10是根据一些实施例的由像素表示的掩模的一部分的示意性顶视图。

[0019] 图11是根据一些实施例的其中确定初始修复区域的掩模的一部分的示意性顶视图。

[0020] 图12是根据一些实施例的包括修复区域的掩模的一部分的示意性顶视图。

[0021] 图13是根据一些实施例的包括修复区域的掩模的一部分的示意性顶视图。

[0022] 图14是根据一些实施例的包括修复部件的修复的掩模的一部分的示意性顶视图。

[0023] 图15A是根据一些实施例的掩模一部分的顶视图。图15B是根据一些实施例的图15A的掩模的一部分的截面图。图15C是根据一些实施例的图15A的掩模的缺陷区域的幅度分布。图15D是根据一些实施例的图15A的掩模的缺陷区域的强度分布。

[0024] 图16A是根据一些实施例的形成修复部件之后的图15A的掩模的一部分的顶视图。图16B是根据一些实施例的图16A的掩模的一部分的截面图。图16C是根据一些实施例的图
16A的掩模的缺陷区域的幅度分布。图16D 是根据一些实施例的图14的掩模的缺陷区域的强度分布。

[0025] 图17A是根据一些实施例的掩模一部分的顶视图。图17B是根据一些实施例的图17A的掩模的一部分的截面图。图17C是根据一些实施例的图 17A的掩模的缺陷区域的幅度分布。图17D是根据一些实施例的图17A的掩模的缺陷区域的强度分布。

[0026] 图18A是根据一些实施例的形成修复部件之后的图17A的掩模的一部分的顶视图。图18B是根据一些实施例的图17A的掩模的一部分的截面图。图18C是根据一些实施例的图
18A的掩模的缺陷区域的幅度分布。图18D 是根据一些实施例的图18A的掩模的缺陷区域的强度分布。

[0027] 以下公开内容提供了多种不同实施例或实例，以实现本发明的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。

[0028] 此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间关系术语旨在包括器件在使用或操作过程中的不同方位。装置可以以其他方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可以同样地作相应地解释。

[0029] 应该注意，本发明的实施例可以使包括但不限于集成电路(IC)制造、掩模制造和掩模修复的各种半导体制造工艺获得益处。

[0030] 图1A是在一个或多个实施例中修复根据本发明的各个实施例构建的掩模中的缺陷的方法100的流程图。可以在用于制造掩模的掩模商铺中、在用于使用掩模在晶圆上制造半导体器件的工厂中或在用于制造掩模毯的玻璃工厂中实施掩模修复。应该理解，在方法100之前、期间和之后可以提供额外的步骤，并且对于方法100的额外的实施例，可以替代、删除或移动一些步骤。方法100仅为实例，并且不旨在限制本发明超出权利要求中明确列举的那些。

[0031] 方法100开始于框102，接收或提供具有缺陷的掩模。在光刻工艺期间，掩模用于在半导体晶圆上制造器件和/或电路。掩模包括衬底和形成在衬底上或将要形成在衬底上的图案。根据电路设计来定义图案。

[0032] 参考图2A和图2B的实例，并且在框102的实施例中，示出了将要用于EUV光刻系统中的反射掩模200(也称为EUV掩模200)。反射掩模 200包括衬底202、沉积在衬底202上的反射多层(ML)204、沉积在反射 ML 204上的覆盖层206(也称为缓冲层206)、以及沉积在覆盖层206上的图案化的吸收层220。应该理解，在不脱离本发明的范围的情况下，掩模200中的各个条目的其他配置以及内含物或省略都是可能的。

[0033] 在一些实施例中，衬底202可以包括低热膨胀材料(LTEM)。衬底 202用于使由于通过加强的照明辐射加热掩模所导致的图像失真最小化。 LTEM可以包括熔融硅石、熔融石英、氟化钙(CaF2)、碳化硅、氧化硅- 氧化钛合金和/或本领域已知的其他合适的LTEM。衬底202包括具有低缺陷等级和光滑表面的材料。

[0034] 反射ML 204沉积在衬底202上。根据Fresnel等式，光线传播穿过具有不同的折射率的两种材料之间的界面时会发生光反射。当折射率的差值越大时，反射光也就越多。为了增强反射光，一种方法还可以通过沉积交替材料的反射ML 204来增加界面的数量，并且通过选择反射ML 204内的每一层的适当厚度来使从不同界面所反射的光相长干涉。然而，反射ML 204所使用的材料的吸收限制了所能达到的最高反射率。反射ML 204包括多个薄膜对，诸如钼-硅(Mo/Si)薄膜对(如，在每一个薄膜对中钼层位于硅层上面或下面)。可选地，反射ML 204可以包括钼-铍(Mo/Be)薄膜对，或在能够被用于反射ML 204的EUV波长处具有高反射性的任何材料。反射ML 204的每一层的厚度都依赖于EUV波长和入射角。调节反射ML 204的厚度，以通过反射ML 204实现在每一个界面处所反射的EUV 光的最大相长干涉和对EUV光的最小吸收。反射ML 204可以选择为使得它提供对选择的辐射类型/波长的高反射率。薄膜对的典型数量在20个至 80个之间，然而任何数量的薄膜对都是可能的。在一些实施例中，反射 ML 204包括四十对Mo/Si层。在一个实例中，每一个Mo/Si薄膜对都具有约7nm的厚度，总厚度为280nm，并且由此实现约70％的反射率。

[0035] 覆盖层206沉积在反射ML 204上。因为，覆盖层206具有与吸收层不同的蚀刻特性，所有覆盖层206在吸收层的随后的图案化或修复工艺中用作蚀刻停止层，之后将进行描述。覆盖层206包括钌(Ru)或诸如钌- 硼(RuB)或钌-硅(RuSi)的Ru化合物。

[0036] 吸收层220沉积在覆盖层206上，并且然后根据IC设计布局图案化以形成主部件222(也称为反射区域222或印刷部件222)。在一些实施例中，吸收层220吸收投射在其上的辐射束。吸收层220可以包括单层或多层。吸收层220可以包括从以下材料的组中选择的吸收材料：铬(Cr)、氧化铬(CrO)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钽(Ta)、钛(Ti)或铝- 铜(Al-Cu)、钯、碳化硼钽(TaBN)、氧化铝(AlO)、钼(Mo)、其他合适的材料、以及它们的组合。

[0037] 当入射EUV辐射投射在EUV掩模200上时，图案化的吸收层220吸收EUV辐射，而ML 204反射EUV辐射，从而形成图案化的EUV辐射，这可以用于图案化衬底。如图2B所示，EUV掩模200包括与图案化的吸收层220对应的吸收区域。EUV掩模200包括与暴露的ML 204对应的主图案222。

[0038] 在一些实施例中，反射ML中的缺陷可以在方向、形状或相位上改变或扭曲反射的束。因此，对应的暴露的图像(如，在抗蚀剂涂覆的衬底上) 的质量或完整性受到位于反射EUV掩模200的反射ML 204中的缺陷的影响。在一些实施例中，反射EUV掩模的反射ML中的缺陷影响反射的束的相位，并且也称为相位缺陷。在图2B中示出的实例中，输入的束214a从 ML 204反射以形成反射的束214b。位于ML 204的下部部分附近的颗粒 211可以导致反射的束214b中的相移和/或幅度变化，并且在使用EUV掩模200转移至衬底的图案中引入误差。包括诸如由颗粒211导致的变形的区(如，反射EUV掩模200的区)可以称为缺陷区域212。在如图2A和图2B中所示的一些实例中，整个缺陷区域212位于反射区域222中或下方。或者说，在如图2C所示的一些实例中，缺陷区域212的部分212a位于反射区域222中或下方，并且缺陷区域212的另一部分212b位于吸收层220 中或下方。

[0039] 参考图1A，方法100进行至框104，其中，使用诸如光学检查工具或原子力显微镜(AFM)的掩模检查工具来检查掩模以确认缺陷的缺陷区域。在一些实施例中，检查掩模包括扫描掩模的表面并且提供掩模上的缺陷区域的位置、形状和/或尺寸。在一些实施例中，在框104中，生成缺陷区域的表面轮廓。在一些实施例中，在掩模上形成ML 204之后，但是在形成覆盖层206以及沉积并且图案化掩模的吸收层220之前执行检查。在一些实施例中，在形成覆盖层206之后，但是在掩模上沉积并且图案化吸收层 220之前执行检查。在一些实施例中，在掩模上沉积并且图案化吸收层220 之后执行检查。

[0040] 参考图2C的实例，在一些实施例中，框104包括去除缺陷区域中的吸收层的可选步骤。在图2C的实例中，缺陷区域212包括EUV掩模200的吸收层220中的部分212b。在这样的实例中，可以去除(如，通过掩模修复工具)212b的区中的吸收层220的一部分，从而使得覆盖层206暴露在整个缺陷区域212(包括部分212a和212b)中。可选地，在一些实施例中，未去除缺陷区域部分212b的区中的吸收层220，并且缺陷区域部分212a 的区中的覆盖层206仍未暴露。

[0041] 参考图1A，方法100进行至框106，其中，确定缺陷区域的空中影像的相位和幅度分布。如以上参考图2A和图2B所述，掩模中的缺陷可以对来自缺陷区域的反射的束造成失真(如，对相位和/或幅度)，这导致缺陷区域的空中影像的强度失真并且影响对应的暴露图像的质量或完整性。框 106的各个实施例可以用于确定缺陷区域的空中影像的相位和幅度分布，例如包括图1B中所示的方法106A和图1C中所示的方法106B。

[0042] 参考图1B、图3A、图3B和图4，在一些实施例中，在框106张，方法106A用于确定通过掩模200的各个层(如，ML 204、覆盖层206)的变形数据构建的缺陷区域的空中影像(如，焦平面空中影像)的相位和幅度失真。方法106A开始于框120，其中提供缺陷区域212的表面轮廓。例如，通过使用诸如光学检查工具、原子力显微镜(AFM)和扫描隧道显微镜 (STM)的掩模检查工具在缺陷区域212的位置处和/或附近扫描掩模的表面来生成缺陷区域的表面轮廓。在一些实例中，使用相同的工艺(如，AFM 工艺)在框104处生成缺陷区域的表面轮廓以确定缺陷区域。在一些实例中，使用与用于确定缺陷区域的框104的工艺不同的检查工艺来生成缺陷区域的表面轮廓。参考图3A，在一些实例中，确定缺陷区域212的表面轮廓302包括凸块并且具有宽度W1和高度T1。参考图3B，在一些实例中，确定缺陷区域212的表面轮廓302包括凹陷，并且表面轮廓304具有深度 T2和宽度W2。

[0043] 参考图1B和图4，方法106A进行至框122，其中，基于缺陷区域212 的表面轮廓来生成掩模的层的变形数据。在图4的实例中，掩模200的缺陷区域212包括表面轮廓302，并且基于表面轮廓302来生成掩模200的层的变形数据。掩模200的ML 204包括薄膜对204-1、204-2、...、以及204-N，其中N是正整数(如，约为40)。在一些实施例中，变形数据408包括衬底
202的衬底表面轮廓404、以及N个薄膜对表面轮廓406-1、406-2、...、 406-i、...、以及406-N。那些表面轮廓对应于介于薄膜对204-1、204-2、...、以及204-N之间的界面以及介于薄膜对204-N和覆盖层206之间的界面。在一些实施例中，变形数据408包括高度H0、...、Hi、...、以及HN。高度 H0是颗粒211的高度，并且高度H1、Hi、...、以及HN是薄膜对表面轮廓 406-
1、...、406-N和水平面薄膜对204-1、204-2、...、以及204-N之间的差值。在一些实施例中，变形数据408独特地描绘缺陷区域212下方的层的结构。

[0044] 在各个实施例中，可以使用基于用于形成掩模200的沉积和蚀刻步骤的一定顺序的沉积模型和蚀刻模型的计算机模拟来生成变形数据408。沉积模型和蚀刻模型包括沉积和蚀刻参数，例如包括沉积步骤(形成薄膜对和覆盖层的每一个的沉积步骤)的生长参数(如，薄膜对的数量、薄膜对的每一个的厚度)以及蚀刻步骤(如，用于去除反射区域222中的吸收层的蚀刻步骤)的蚀刻参数(如，蚀刻率)。

[0045] 参考图1B，框106进行至框124，其中，确定缺陷区域的空中影像的相位和/或幅度分布。在一些实例中，执行基于掩模200的层的变形数据的光衍射的模拟，以确定缺陷区域的空中影像的相位和/或幅度分布。也可以使用成像系统的光学条件(如，辐射源的波长、数值孔径)来执行模拟，其中，掩模200用于将其图案转移至目标衬底。

[0046] 参考图1C、图5A和图5B，可选地，在一些实施例中，方法106B用于在框106处使用缺陷区域的离焦(through-focus)强度分布来确定缺陷区域的空中影像(如，焦平面空中影像)的相位和/或幅度分布。在一些实例中，方法106B不依赖于缺陷区域212的表面轮廓。如图5A的实例中所示，在一些实施例中，与ML 204的更加远离ML 204的顶面的薄膜对相比， ML 204的更靠近ML 204的顶面的薄膜对可以具有更少的变形。在这样的实施例中，基于缺陷区域212的表面轮廓生成掩模的层的变形数据具有挑战性，其中，图5A的缺陷区域212具有比图4中示出的表面轮廓更平坦的表面轮廓。因为方法106B不依赖于缺陷区域212的表面轮廓，所以方法 106B可以用于图5A的缺陷区域212和图4的缺陷区域212两者。

[0047] 方法106B开始于框130，其中，获得缺陷区域212的空中影像的焦平面强度分布。参考图5B，示出了成像系统500的简化的示意图的实例。成像系统500可以用于将掩模200上的图案转移至目标(如，晶圆)。成像系统500具有光瞳面502和焦平面504。例如，可以通过使用根据成像系统500的光学条件(如，波长、数值孔径、图像平面位置)配置的光化性检查工具或显微光刻法模拟显微镜来获得焦平面504处的缺陷区域212的空中影像的焦平面强度分布。

[0048] 然后方法106B进行至框132，其中，获得散焦平面处的缺陷区域的空中影像的一个或多个散焦平面强度分布。参考图5B的实例，散焦平面506 位于光瞳面502和焦平面504之间，并且具有距离焦平面504的距离Z1(如，介于约40μm至约50μm之间)。测量散焦平面506处的缺陷区域212的空中影像的第一散焦平面强度分布。类似地，散焦平面508设置在距离散焦平面504的距离Z2(如，介于约20μm和约25μm之间)处，并且获得散焦平面508处的缺陷区域的空中影像的第二散焦平面强度分布。可以通过使用根据成像系统500的光学条件(如，波长、数值孔径、图像平面位置) 配置的光化性检查工具或显微光刻法模拟显微镜来获得强度分布。

[0049] 然后，方法106B进行至框134，其中，使用缺陷区域的焦平面强度分布和散焦平面强度分布来重新构建缺陷区域的焦平面图像的相位和幅度分布。例如，诸如修改的盖师贝格-撒克斯通算法的各种算法可以用于重新构建。

[0050] 参考图1A、图6A、图6B和图6C，然后，方法100进行至框108，其中，接收成像系统的光学参数以确定成像系统的点扩散函数。在各个实施例中，可以基于成像系统的类型确定成像系统的点扩散函数。在一些实施例中，成像系统是相干成像系统，并且其辐射源是具有无穷小尺寸的点源。这种相干成像系统的晶圆上的光场的复合幅度(包括相位和幅度)是相干成像系统的点扩散函数与对应的掩模图案的卷积。相干成像系统的点扩散函数可以是用于相干成像系统中的掩模上的点状开口的晶圆上的光场分布。这种相干成像系统中的晶圆上的光场的强度是光场的复合幅度的模的平方。在一些实施例中，成像系统是部分相干成像系统，并且其辐射源是扩展源。不容易定义这种部分相干成像系统的晶圆上的光场的复合幅度。为了计算晶圆上的光场的强度，可以执行这种部分相干成像系统的传输交叉系数的奇异值分解以获得特征函数和对应的特征值。这种部分相干成像系统中的晶圆上的光场的强度是相应的特征函数与掩模图案的卷积乘以对应的特征值的模的平方和。在这种实施例中，具有最大特征值的特征函数可以用作下文讨论的掩模修复工艺中的点扩散函数，并且可以称为部分相干成像系统的点扩散函数。

[0051] 参考图6A的实例，其中示出了成像系统600。成像系统600可以与以上参考图5B讨论的成像系统500相同。在一些实施例中，成像系统600 可以包括EUV成像系统。成像系统600可以接收掩模200和衬底612、使用掩模200对衬底612执行光刻工艺、以及生成成像的衬底。成像系统600 包括多个子系统，诸如辐射源602、照明器604、配置为接收掩模200的掩模台606、投影光学仪器608、以及配置为接收半导体衬底612的衬底台 610。成像系统600暴露诸如硅晶圆的半导体衬底612上涂覆的感光材料 (如，光刻胶层)。将掩模200上定义的IC设计图案成像至光刻胶层以形成潜在的图案。半导体衬底612可以是任何合适的元素半导体、化合物半导体或合金半导体。在一些实施例中，使用诸如显影和烘焙的附加的步骤处理暴露的衬底612以在衬底上创建图案。例如，光刻胶层的图案化还可以包括显影暴露的光刻胶层以形成具有一个或多个开口的图案化的光刻胶层。在光刻胶层是正性光刻胶层的一个实例中，在显影工艺期间去除光刻胶层的暴露部分。光刻胶层的图案化还包括诸如各个阶段中的各个烘焙步骤的其他工艺步骤。例如，可以在光刻暴露工艺之后并且在显影工艺之前实施曝光后烘焙(PEB)工艺。

[0052] 在一些实施例中，成像系统600具有测量投影光学仪器608能够收集的光的圆锥形的尺寸的数值孔径。在实例中，数值孔径与sin(θ)成比例，其中，θ是投影光学仪器608的最大收集半张角。

[0053] 参考图6B的实例，使用成像系统600的光学参数(如，数值孔径)来确定成像系统600的点扩散函数(PSF)620。PSF 620描述成像系统600 对点状源或点状物体的响应。成像系统600的PSF可以受到辐射源602的波长和成像系统600的光学参数(如，数值孔径)的影响。在图6B中示出的实例中，PSF 620包括主瓣622，并且其宽度W3与波长成正比并且与数值孔径成反比。PSF 620包括具有正幅度的旁瓣626和630以及具有负幅度的旁瓣624、628和
632。在一些实施例中，远离主瓣622的旁瓣的峰值幅度的绝对值小于更靠近主瓣622的旁瓣的峰值幅度的绝对值。

[0054] 图6C还示出了PSF 620的振幅，其示出了对应于图6B的PSF 620的图像平面中的主瓣和旁瓣。在图6C的实例中，PSF 620的主瓣和旁瓣由具有中心634的同心环表示并且还称为PSF 620的环。环626和630具有正幅度，并且还称为正环626和630。环624、628和632具有负幅度，并且还称为负环624、628和632。每一个环都具有宽度。例如，环624具有与 x1和x2之间的距离相等的宽度，环626具有与x2和x3之间的距离相等的宽度，环628具有与x3和x4之间的距离相等的宽度，环630具有与x4 和x5之间的距离相等的宽度，以及环632具有与x5和x6之间的距离相等的宽度。

[0055] 参考图1A、图7A、图7B、图8A、图8B、图9A、图9B、图10、图 11和图12，方法100进行至框110，其中，基于成像系统的点扩散函数来确定修复区域。在图7A、图7B、图8A、图8B、图9A和图9B的实例中，传输掩模中的点状开口用于示出各个位置处的修复区域中的修复区域点状开口如何影响掩模中的缺陷区域中的缺陷区域点状开口的空中影像的空中影像强度。为了讨论的清楚，点状开口具有无穷小的尺寸，从而使得点状开口的空中影像的幅度分布基本与成像系统的点扩散函数相同。

[0056] 应该注意，尽管传输掩模用于作为实例的那些附图，但是不旨在限制。在一些实施例中，反射掩模中的反射点的点扩散函数与参考图7A、图7B、图8A、图8B、图9A和图9B所描述的那些点扩散函数基本类似。此外，如下文参考图10、图11和图12的详细描述，在一些实施例中，对于掩模的修复的主部件，空中影像是修复的主部件(包括原始主部件、缺陷区域和修复区域)的整个区域的组合的贡献。在这种实施例中，通过集成(如，使用卷积操作)来自修复的主部件的整个区的点的点扩散函数的贡献来计算成像平面中的个别点的强度。

[0057] 参考图7A和图7B的实例，掩模700具有缺陷区域点状开口702。缺陷区域点状开口702位于掩模的缺陷区域中，并且还称为缺陷区域点状开口702。幅度分布620-1示出了成像系统的焦平面处的缺陷区域点状开口 702的空中影像的幅度分布。幅度分布620-1可以与图6A的点扩散函数620 基本类似。如幅度分布620-1中所示，在位置708处，缺陷区域点状开口 702的空中影像具有基本等于零的相位(如，具有与未由于缺陷而相移的点状开口的空中影像相同的相位)和具有正值的幅度A1。

[0058] 在一些实施例中，确定需要增加位置708处的图像强度(如，补偿由缺陷导致的图像强度损失)。在这种实施例中，将点状开口704添加至掩模700。点状开口704位于掩模的修复区域中，并且还称为修复区域点状开口704。选择介于缺陷区域点状开口702和修复区域点状开口704之间的距离D1，从而通过修复区域点状开口704来增加位置708处的图像强度。幅度分布620-2示出了成像系统的焦平面处的修复区域点状开口704的空中影像的幅度分布，并且可以与图6A的点扩散函数620基本类似。如图 7B所示，幅度分布620-2包括正环
622、626以及630，其中，点状开口 704的空中影像的幅度为正。幅度分布620-2还包括负环
624、628以及632，其中，点状开口704的空中影像的幅度为负。

[0059] 在一些实施例中，为了增加位置708处的图像强度，基于点扩散函数的旁瓣和主瓣的宽度来选择距离D1，从而使得位置708位于幅度分布620-2 的正环622、626和630中的一个中。在特别的实例中，距离D1与位置708 至幅度分布620-2的中心634的距离D2成比例，并且位置708落在幅度分布620-2的正环626中。在该特别的实例中，位置708处的幅度是幅度分布620-1的幅度A1和幅度分布620-2的幅度A2的组合的幅度。因为幅度 A1和A2两者都具有正值，所以组合的幅度的绝对值大于幅度A1的绝对值。这样，通过修复区域点状开口704增加了位置708的图像强度。

[0060] 参考图8A和图8B，在一些实施例中，确定需要减小位置708处的缺陷区域点状开口702的空中影像的图像强度。在这样的实施例中，将修复区域点状开口704添加至掩模700，其中，选择介于缺陷区域点状开口702 和修复区域点状开口704之间的距离D3，从而减小位置708处的图像强度。幅度分布620-3示出了成像系统的焦平面处的修复区域点状开口704的空中影像的幅度分布，并且可以与图6A的点扩散函数620基本类似。如图 8B所示，幅度分布620-3包括正环622、626以及630，其中，修复区域点状开口704的空中影像的幅度为正。幅度分布620-3还包括负环624、628 以及632，其中，修复区域点状开口704的空中影像的幅度为负。

[0061] 在一些实施例中，为了减小位置708处的图像强度，基于点扩散函数的旁瓣和主瓣的宽度来选择距离D1，从而使得位置708位于幅度分布620-3 的负环624、628和632中的一个中。在特别的实例中，距离D3与位置708 至幅度分布620-3的中心634的距离D4成比例，并且位置708落在幅度分布620-3的负环624中。在该特别的实例中，位置708处的幅度是幅度分布620-1的幅度A1和幅度分布620-3的幅度A3的组合的幅度。因为幅度 A1具有正值，而幅度A3具有负值，所以组合的幅度的绝对值小于幅度A1 的绝对值。这样，通过修复区域点状开口704减小了位置708的图像强度。

[0062] 参考图9A和图9B，在一些实施例中，在位置708处，缺陷区域点状开口702的空中影像具有与180度基本相等的相位(如，来自缺陷区域点状开口702的辐射由于缺陷而相移约180度)和具有负值的幅度A1。在这样的实施例中，为了增加位置708处的图像强度，将修复区域点状开口704 添加至掩模700，其中，选择介于缺陷区域点状开口702和修复区域点状开口704之间的距离D5，从而增加位置708处的图像强度。在一些实施例中，幅度分布620-4示出了成像系统的焦平面处的修复区域点状开口704 的空中影像的幅度分布，并且可以与图6A的点扩散函数620基本类似。如图9B所示，幅度分布620-4包括正环622、626以及630，其中，修复区域点状开口704的空中影像的幅度为正。幅度分布620-4还包括负环624、 628以及632，其中，修复区域点状开口704的空中影像的幅度为负。

[0063] 在一些实施例中，为了增加位置708处的图像强度，基于点扩散函数的旁瓣和主瓣的宽度来选择距离D5，从而使得位置708位于幅度分布620-4 的负环624、628和632中的一个中。在特别的实例中，距离D5与位置708 至幅度分布620-4的中心634的距离D6成比例，并且位置708落在幅度分布620-4的负环624中。在该特别的实例中，位置708处的幅度是幅度分布620-1的幅度A1和幅度分布620-4的幅度A4的组合的幅度。因为幅度 A1和A2两者都具有负值，所以组合的幅度的绝对值大于幅度A1的绝对值。这样，通过修复区域点状开口704增加了位置708的图像强度。

[0064] 在一些实施例中，其中，在位置708处，掩模700的缺陷区域点状开口702的空中影像具有基本等于180度的相位并且具有带有负值的幅度 A1，将修复区域点状开口704添加至掩模700以减小位置708处的图像强度。在这样的实施例中，选择介于缺陷区域点状开口702和修复区域点状开口704之间的距离，从而使得位置708位于修复区域点状开口704的幅度分布的正环622、626、630中的一个中。在该特别的实例中，位置708 处的幅度是幅度分布
620-1的幅度A1和修复区域点状开口704的空中影像的正幅度的组合的幅度。因为幅度A1具有负值，所以组合的幅度的绝对值小于幅度A1的绝对值。这样，通过修复区域点状开口704减小了位置708 的图像强度。

[0065] 参考图10、图11和图12的实例，使用成像系统的点扩散函数来确定掩模中的修复区域。在一些实施例中，通过涉及空中影像或抗蚀剂图像度量(通过用于掩模的AIMS或用于晶圆的扫描电子显微镜(SEM))以及掩模修复的反馈环来确定修复区域。在一些实施例中，可以使用各个模拟模型以采用模拟来确定掩模中的修复区域。

[0066] 参考图10，在一些实施例中，模拟模型包括基于像素的补偿方法。在这样的实施例中，将掩模划分为多个区，并且每一个区都称为掩模像素或像素。然后反复修改像素的状态(如，个别像素是否包括在修复区域中) 直到晶圆上的模拟的印刷图像与期望的图案匹配。

[0067] 在各个实施例中，基于掩模修复工具的掩模修复模型来确定像素的尺寸。在一些实例中，像素尺寸等于或大于掩模修复工具能够生产的最小修复部件尺寸。在一些实施例中，像素尺寸与用于确定修复区域的模拟的效果和效率相关。在一些实例中，如果像素尺寸太小(小于最小修复部件尺寸)，则其超过了掩模修复工具的能力并且消耗更多的模拟时间，而对于掩模修复区域优化没有任何实际的改进。另一方面，粗糙的掩模像素或许不能够充分利用掩模工具，并且由于由较大像素尺寸引发的本质上不良的分辨率而不能够接近优化的掩模修复区域。

[0068] 在一些实例中，掩模像素具有共同的像素尺寸。可选地，如图10所示，在一些实施例中，掩模像素具有不同的尺寸来提高模拟的效果和效率。在图10的实例中，吸收层220包括围绕缺陷区域212的内部吸收部分1002 和围绕内部部分1002的外部吸收部分1004，其中，内部吸收部分1002和外部吸收部分1004中的像素具有不同的尺寸和/或形状。在一些实施例中，可以基于缺陷区域212和点扩散函数620来确定内部吸收部分1002和外部吸收部分1004的尺寸和形状。在一些实例中，内部吸收部分1002中的每一个像素1006都具有比外部吸收部分1004的每一个像素1008的第二像素尺寸都小的第一像素尺寸。在特别的实例中，第一像素尺寸约为第二像素尺寸的四分之一。换句话说，如果像素更接近缺陷区域212(如，位于内部吸收部分1002中)，则可以将像素定义为具有更小的像素尺寸，并且如果像素更远离缺陷区域212(如，位于外部吸收部分1004中)，则可以将像素定义为具有更大的像素尺寸。这种工艺可以用于生成具有各种像素尺寸的像素矩阵，从而使得更接近缺陷区域212的吸收部分1002具有比更远离缺陷区域212的吸收部分1004更精细的像素分辨率，这提供了更加有效地设计以及修复区域的有效的优化。

[0069] 应该注意，尽管在图10的实例中，像素具有矩形形状，但是应该理解，可以将像素定义为各种形状，包括方形、圆形、椭圆形、五边形、六边形以及任何其他合适的形状。

[0070] 在一些实施例中，实施模拟以确定修复区域。模拟反复重复修改修复区域(如，通过将像素添加至修复区域或从修复区域移除像素)、执行模拟步骤以确定新修复的区域是否更好(如，对于实现更好的晶圆图案和/或满足空中影像强度范围)、以及然后基于模拟步骤的结果进一步修改修复区域的工艺。可以使用基于规则的方法和/或基于模型的方法来应用模拟。对于基于规则的方法，通过例如取决于缺陷区域、主部件和/或光学参数以及成像系统的点扩散函数的补偿规则清单来设置修复区域(如，位置、尺寸、形状)。对于基于模型的方法，使用图案转移工艺的图案转移模型(如，包括成像工艺的成像模型和/或显影工艺的显影模型)来模拟晶圆上的印刷的图像，并且确定修复区域从而使得模拟的图像满足图像强度需求和/或与主部件的期望的晶圆图像匹配。

[0071] 参考图11和图12，在一些实例中，在模拟中使用基于规则的方法和基于模型的方法的组合(也称为混合方法)。可以使用基于规则的方法来提供用于模拟的初始修复区域。通过使用补偿规则来生成用于模拟的初始修复区域，可以减小用于模拟的反复的次数。还可以使用基于模型的方法来修改这种初始修复区域以优化修复区域从而实现晶圆上的期望的图案。

[0072] 参考图11的实例，使用基于规则的方法来确定用于模拟的初始修复区域。在一些实例中，提供补偿规则的集合以根据缺陷区域212、缺陷区域 212的空中影像的相位和幅度分布、以及如以上参考图6A、图6B、图6C、图7A、图7B、图8A、图8B、图9A以及图9B所描述的成像系统的点扩散函数及其振荡性质来确定初始修复部件的位置、尺寸和形状。例如，可以基于以上参考图7A、图7B、图8A、图8B、图9A和图9B所描述的介于缺陷区域点状开口702和修复区域点状开口704之间的距离(如，距离 D1、D3和D5)来确定补偿规则。在一些实施例中，如图11的实例所示，缺陷区域212的焦平面空中影像的相位约为180度。在这样的实施例中，基于以上参考图9A和图9B所描述的距离D5来确定补偿规则的集合。例如，根据补偿规则，确定位于区1102和1106中的修复区域可以用于减小缺陷区域212的图像的图像强度，其中，基于点扩散函数620的环626和区622的宽度来确定区1102和1106。又例如，根据补偿规则，确定位于区1104和1108中的修复区域可以用于增加缺陷区域212的图像的图像强度，其中，基于点扩散函数620的环624和628的宽度来确定区1104和 1108。在图11中示出的实例中，为了增加缺陷区域212的图像的图像密度，提供区1104中的初始修复区域1110A和1112A以及区1108中的初始修复区域1114A以用于模拟。

[0073] 参考图12的实例，模拟使用基于模型的方法来修改初始修复区域从而确定修复区域。在一些实施例中，根据通过经验上的半导体晶圆数据和测试图案表征的经验模型的模拟结果来应用基于模型的方法。在一些实施例中，基于模型的方法包括具有以上参考图6B、图6C、图7A、图7B、图 8A、图8B、图9A、和图9B所描述的成像系统的点扩散函数的成像模型，并且基于缺陷区域的相位和幅度分布来计算主部件和/或缺陷区域的空中影像强度。

[0074] 在一些实施例中，基于模型的方法包括具有将图像强度转换为抗蚀剂图案的抗蚀剂层的显影模型。抗蚀剂层可以包括诸如顶部抗反射涂覆 (TAR)膜、底部抗反射涂覆膜(BARC)和抗蚀剂膜的多层膜。转换可以涉及具有响应于光的抗蚀剂的信息的薄膜抗蚀剂响应函数。抗蚀剂的响应可以包括对于曝光强度、曝光时间和响应半径的响应。转换可以涉及抗蚀剂显影函数，反映对于显影工艺的最终抗蚀剂图案的影响。在一些实施例中，可以修改成像模型的卷积计算以包括从空中影像向抗蚀剂图案的转换，从而使得成像模型的图像强度函数可以表示曝光和显影工艺之后的抗蚀剂图案。

[0075] 参考图12的实例，其中示出了在将基于模型的方法应用至初始修复区域之后通过模拟确定的修复区域1110B、1112B和1202。在示出的实例中，通过将像素1204添加至图11的初始修复区域1110A并且从该初始修复区域去除像素1206、1208、1210和1212来形成修复区域1110B。通过去除像素1214、1216和1218来形成修复区域1112B。去除初始修复区域1114A，并且添加修复区域1202。

[0076] 应该注意，虽然提供了缺陷区域的相位和幅度分布的具体实例，但是这些仅是实例并不旨在限制。在各个实施例中，缺陷区域的空中影像可以具有任何相位分布(如，具有介于0度和180度之间或大于180度的相位、或具有对于空中影像的不同部分的不同相位)和幅度分布，并且以上参考图11和图12所描述的模拟可以用于确认修复区域，从而使得缺陷区域的图像强度满足需要的强度范围。此外，修复区域的配置仅是示例性的，并不旨在限制。本领域的技术人员应该理解，可以使用其他配置，并且修复区域可以具有各种形状，包括方形、矩形、圆形、椭圆形、五边形、六边形、以及任何其他合适的形状。

[0077] 参考图1A和图13，然后方法100进行至框112，其中，基于修复区域 1110B、1112B和1202以及掩模修复工具的掩模修复模型来确定掩模修复轮廓。在一些实施例中，掩模修复模型包括掩模修复工具的各种参数，例如包括对于不同形状的蚀刻特性(如，速度、选择性)和修复准确性。在一些实例中，掩模修复模型提供实现更高修复准确性的掩模修复工具以用于形成特别的形状，例如，相比于矩形的圆形和椭圆形。在这样的实例中，根据那些特别的形状来修改用于修复区域1110B、1112B和1202的掩模修复轮廓1302、1304和1306从而包括掩模修复模型所指示的圆角。在一些实例中，可以根据对于掩模修复轮廓的改变来修改修复区域1110B、1112B 和1202。在实例中，将像素1308添加至修复区域1112B以补偿掩模修复轮廓1302、1304和1306的改变。

[0078] 参考图1A和图14，方法100进行至框114，其中，对修复区域执行修复工艺。图14中示出了对修复区域1110B、1112B和1302执行修复工艺之后的掩模200，其中，去除修复区域1110B、1112B和1202中的吸收层 220以分别形成修复部件1402、1404和1406。修复工艺可以包括通过掩模修复工具执行的聚焦离子束蚀刻或聚焦电子束感应蚀刻。通过修复部件 
1402、1404和1406暴露覆盖层206。修复部件1402、1404和1406提供附加的反射的辐射以补偿由缺陷区域212导致的强度损失，并且恢复形成在目标(如，晶圆衬底)上的对应的抗蚀剂图案。

[0079] 在一些实例中，如果与缺陷区域212对应的抗蚀剂图案缺陷较小并且在规范内(如，抗蚀剂图案缺陷具有小于约3nm的宽度)，则认为掩模200 上的缺陷已经通过修复区域被修复。在各个实施例中，选择修复部件的尺寸和形状，从而使得被修复部件反射的辐射未超过对于设置在目标上的光刻胶材料的曝光阈值，并且这样的修复部件还称为亚分辨率修复部件。

[0080] 参考图15A、图15B、图15C、图15D、图16A、图16B、图16C、图 16D、图17A、图17B、图17C、图17D、图18A、图18B、图18C、和图 18D，可以使用方法100来修复各种类型的掩模。图
15A、图15B、图15C、图15D、图16A、图16B、图16C、图16D示出了使用方法100修复的掩模1500。
图17A、图17B、图17C、图17D、图18A、图18B、图18C、图18D示出了使用方法100修复的相移掩模1700。

[0081] 现在参考图15A和图15B的实例，提供包括部件222中的缺陷区域 1504的二元(binary)掩模1500。在一些是实施例中，掩模1500包括衬底 1502，该衬底包括熔融硅石(SiO2)、熔融石英、氟化钙或其他合适的材料。在一些实施例中，二元掩模1500包括吸收层1508，该吸收层可以包括从由以下材料构成的组中选择的材料的单层或多层：铬(Cr)、氧化铬 (CrO)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钽(Ta)、钛(Ti)、铝-铜 (Al-Cu)、钯、碳化硼钽(TaBN)、氧化铝(AlO)、钼(Mo)、一级其他合适的材料。在图15A和图15B中示出的掩模1500的具体实施例中，根据IC布局图案化吸收层1508以包括部件222。当将入射辐射1510投射在掩模1500上时，图案化的吸收层1508吸收辐射，从而形成图案化的辐射1512。进一步地，对于该实施例，发现掩模1500具有缺陷区域1504(如，具有凸块)，其中，穿过缺陷区域1504的图案化的辐射1512不具有期望的相位和/或幅度。

[0082] 参考图15C和图15D的实例，分别示出了缺陷区域1504的焦平面空中影像的归一化幅度和强度分布。在特别的实例中，缺陷区域1504的空中影像具有约为1.2的最大归一化幅度值1520、约为90度的相位和约为1.44 的最大归一化强度值1524。

[0083] 参考图16A、图16B、图16C和图16D，在一些实施例中，执行方法 100以修复掩模1500。例如，在方法100的框110处，基于成像系统的点扩散函数以及缺陷区域1504的空中影像的相位和幅度分布来确定修复区域。参考图16A、图16B，示出了对掩模1500执行方法100以修复缺陷区域之后的掩模1500。通过去除修复部件1602的区域中的吸收层来在掩模 
1500上形成修复部件1602。穿过修复部件1602的辐射1604补偿由缺陷区域1504导致的强度损失。

[0084] 参考图16C和图16D的实例，分别示出了在将修复部件添加至掩模 1500之后的缺陷区域1504的焦平面空中影像的归一化幅度和强度分布。在特别的实例中，缺陷区域1504的空中影像具有约为1.4的最大归一化幅度值1620(从最大归一化幅度值1520增加了约17％)和约为2的最大归一化强度值1624(从最大归一化强度值1524增加了约36％)。

[0085] 现在参考图17A和图17B的实例，提供包括部件222中的缺陷区域 1708的可选的相移掩模1700。在这样的实例中，部件222对应于相移区域，并且还称为相移区域222。在一些是实施例中，掩模1700包括衬底1702，该衬底包括熔融硅石(SiO2)、熔融石英、氟化钙或其他合适的材料。衬底1702包括相移区域222和非相移区域1706。穿过相移区域222的辐射 1714相比于穿过非相移区域1706的辐射1716相移约180度。电路部件可以利用穿过相邻区域的反相180度的辐射(如，辐射1714和1716)形成在晶圆上。进一步地，对于该实施例，发现掩模1700具有位于相移区域 222中的缺陷区域1708(如，具有凹陷)，穿过缺陷区域1708的辐射1714 不具有期望的相位。

[0086] 参考图17C和图17D的实例，分别示出了缺陷区域1708的焦平面空中影像的归一化幅度和强度分布。在特别的实例中，缺陷区域1708的空中影像具有约为1.2的最大归一化幅度值1720、约为45度的相位和约为1.44 的最大归一化强度值1724。

[0087] 参考图18A、图18B、图18C和图18D，在一些实施例中，执行方法 100以修复掩模1700。例如，在方法100的框110处，基于成像系统的点扩散函数以及缺陷区域1708的空中影像的相位和幅度分布来确定修复区域。在其中掩模1700是相移掩模的实施例中，在框110处，还确定(如，通过使用相移掩模模型进行的模拟)与不同修复区域对应的不同修复部件可以具有不同的厚度，从而使得穿过这些修复部件的辐射可以具有不同的相位(如，反相约
180度)。参考图18A、图18B、图18C和图18D，示出了执行方法100以修复缺陷区域1708之后的掩模1700。通过去除修复区域中的吸收层1710来在掩模1700上形成修复部件1802和1804。
此外，修复部件1802具有与修复部件1804的厚度不同的厚度，从而使得穿过修复部件1802和修复部件1804的辐射约反相180度。在实例中，穿过修复部件1804的辐射具有与穿过非相移区域1706的辐射相同的相位。

[0088] 参考图18C和图18D的实例，分别示出了在将修复部件添加至掩模 1700之后的缺陷区域1708的焦平面空中影像的归一化幅度和强度分布。在特别的实例中，缺陷区域1708的空中影像具有约为1.9的最大归一化幅度值1820(从最大归一化幅度值1720增加了约58％)和约为3.6的最大归一化强度值1824(从最大归一化强度值1724增加了约192％)。

[0089] 本发明的实施例提供了优于现有技术的优势，但是应当理解，不同的实施例可以提供不同的优势，不是所有的优势都必须在本文中论述，并且没有特定的优势是所有的实施例都需要的。一些实施例的一个优势在于，可以通过在围绕缺陷区域的非缺陷区域中形成修复部件以补偿由缺陷导致的图像强度损失来修复掩模中的缺陷。此外，通过使用成像系统的点扩散函数的振荡图案，可以使用模拟来高效地并且在实际上确定修复区域。此外，通过在模拟中使用基于规则的方法和基于模型的方法的组合，可以在确认优化的修复区域以用于实现目标上的期望的图案的同时减小模拟的反复的次数。

[0090] 因此，本发明的一个实施例涉及掩模修复方法。检查掩模以定位掩模的缺陷的缺陷区域。获取缺陷区域的空中影像的相位分布。确定成像系统的点扩散函数。基于缺陷区域的空中影像的相位分布和点扩散函数来确认掩模的一个或多个修复区域。对掩模的一个或多个修复区域执行修复工艺以形成一个或多个修复部件。

[0091] 本发明的另一实施例涉及包括接收图案化的远紫外(EUV)掩模的方法。图案化的EUV掩模包括具有吸收材料的吸收区域、定义主部件的反射区域以及缺陷。确定由缺陷导致的侵入反射区域的缺陷区域。获取缺陷区域的图像的相位分布。提供成像系统的点扩散函数。根据点扩散函数和缺陷区域的图像的相位分布来确定吸收区域中的修复区域。使用掩模修复工具去除修复区域的吸收材料以形成修复部件。

[0092] 本发明的又一实施例涉及包括接收具有印刷部件和缺陷的掩模。检查掩模以定位缺陷的缺陷区域。确定成像系统的点扩散函数。基于点扩散函数和缺陷区域来确认掩模的修复区域。使用掩模修复工具对掩模的修复区域执行修复工艺以形成修复部件。将掩模暴露于成像系统中的辐射以从印刷部件产生第一辐射并且从修复部件产生第二辐射。第一辐射和第二辐射用于暴露目标的光刻胶。

[0093] 本发明的实施例提供了一种修复掩模的方法，所述方法包括：检查掩模以定位所述掩模的缺陷的缺陷区域；在成像系统中获取所述缺陷区域的空中影像的相位分布；确定所述成像系统的点扩散函数；基于所述缺陷区域的空中影像的相位分布和所述点扩散函数来确认所述掩模的一个或多个修复区域；以及对所述掩模的一个或多个修复区域执行修复工艺以形成一个或多个修复部件。

[0094] 根据本发明的一个实施例，其中，确认所述一个或多个修复区域包括：基于所述点扩散函数的振荡图案来确认所述一个或多个修复区域。

[0095] 根据本发明的一个实施例，其中，基于所述点扩散函数的振荡图案来确认所述一个或多个修复区域包括：基于所述点扩散函数的主瓣来确定围绕所述缺陷区域的第一区域；基于所述点扩散函数的邻近所述主瓣的第一旁瓣来确定围绕所述第一区域的第二区域；以及基于所述点扩散函数的邻近所述第一旁瓣的第二旁瓣来确定围绕所述第二区域的第三区域；其中，每一个修复区域都位于所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的一个中。

[0096] 根据本发明的一个实施例，其中，所述缺陷区域的空中影像具有等于 180度的相位，以及其中，第一修复区域位于所述第二区域中。

[0097] 根据本发明的一个实施例，其中，基于所述点扩散函数的振荡图案来确认所述一个或多个修复区域包括：基于所述点扩散函数的邻近所述第二旁瓣的第三旁瓣来确定围绕所述第三区域的第四区域；以及其中，第二修复区域位于所述第四区域中。

[0098] 根据本发明的一个实施例，其中，所述缺陷区域的空中影像具有等于零的相位，以及其中，所述一个或多个修复区域位于所述第一区域和所述第三区域的至少一个中。

[0099] 根据本发明的一个实施例，其中，确认所述一个或多个修复区域包括：使用用于将在所述掩模中定义的部件转移至晶圆的图案转移工艺的图案转移模型来修改所述一个或多个修复区域。

[0100] 根据本发明的一个实施例，其中，确认所述一个或多个修复区域包括：使用多个像素来表示所述掩模；以及使用一个或多个像素来定义所述一个或多个修复区域。

[0101] 根据本发明的一个实施例，其中，使用所述多个像素表示所述掩模包括：使用多个第一像素表示所述掩模的围绕所述缺陷区域的第一区域，其中，每一个第一像素都具有第一尺寸；以及使用多个第二像素表示所述掩模的围绕所述第一区域的第二区域，其中，每一个第二像素都具有比所述第一尺寸大的第二尺寸。

[0102] 本发明的实施例还提供了一种修复掩模的方法，包括：接收图案化的远紫外(EUV)掩模，所述图案化的远紫外掩模包括具有吸收材料的吸收区域、定义主部件的反射区域以及缺陷；确定由所述缺陷导致的并且侵入所述反射区域的缺陷区域；获取所述缺陷区域的图像的相位分布；提供成像系统的点扩散函数；根据所述点扩散函数和所述缺陷区域的图像的相位分布来确定所述吸收区域中的修复区域；以及使用掩模修复工具去除所述修复区域的吸收材料以形成修复部件。

[0103] 根据本发明的一个实施例，其中，所述图案化的远紫外掩模包括：低热膨胀材料(LTEM)衬底；位于所述低热膨胀材料衬底上方的反射多层；位于所述反射多层上方的缓冲层；以及位于所述缓冲层上方以形成所述吸收区域的图案化的吸收层，其中，所述图案化的吸收层中的开口暴露所述缓冲层以形成所述反射区域。

[0104] 根据本发明的一个实施例，其中，获取所述缺陷区域的图像的相位分布包括：生成所述缺陷区域的表面轮廓；提供用于所述掩模的反射多层和缓冲层的膜沉积模型；使用所述膜沉积模型，基于所述表面轮廓来确定所述反射多层和所述缓冲层的变形数据；以及使用所述变形数据来生成所述缺陷区域的图像的相位分布。

[0105] 根据本发明的一个实施例，其中，获取所述缺陷区域的图像的相位分布包括：在所述成像系统的第一图像平面处获得所述缺陷区域的第一空中影像的第一强度分布，其中，所述第一图像平面位于距离所述成像系统的焦平面的第一距离的位置处；在所述成像系统的第二图像平面处获得所述缺陷区域的第二空中影像的第二强度分布，其中，所述第二图像平面位于距离所述成像系统的焦平面的第二距离的位置处；以及使用所述第一强度分布和所述第二强度分布以及所述第一距离和所述第二距离来重新构建所述缺陷区域的图像的相位分布。

[0106] 根据本发明的一个实施例，其中，获得所述第一强度分布和所述第二强度分布包括：使用根据所述成像系统配置的光化性检查工具来获得所述第一强度分布和所述第二强度分布。

[0107] 根据本发明的一个实施例，方法还包括：基于所述掩模修复工具的掩模修复模型来调整所述修复区域的轮廓。

[0108] 根据本发明的一个实施例，方法还包括：在确定所述缺陷区域的图像的相位分布之前，去除所述缺陷区域中的吸收区域的一部分。

[0109] 本发明的实施例还提供了一种修复掩模的方法，包括：接收包括印刷部件和缺陷的掩模；检查所述掩模以定位所述缺陷的缺陷区域；确定成像系统的点扩散函数；基于所述点扩散函数和所述缺陷区域来确认所述掩模的修复区域；使用掩模修复工具对所述掩模的修复区域执行修复工艺以形成修复部件；将所述掩模暴露于所述成像系统中的辐射以从所述印刷部件产生第一辐射并且从所述修复部件产生第二辐射；以及使用所述第一辐射和所述第二辐射来暴露目标的光刻胶。

[0110] 根据本发明的一个实施例，其中，所述第一辐射的第一强度大于所述第二辐射的第二强度，以及其中，所述第二辐射的第二强度小于所述目标的光刻胶的曝光阈值。

[0111] 根据本发明的一个实施例，其中，基于所述点扩散函数的振荡图案来确定所述修复区域与所述缺陷之间的距离。

[0112] 根据本发明的一个实施例，其中，所述掩模为相移掩模。

[0113] 以上论述了若干实施例的部件，使得本领域的技术人员可以更好地理解本发明的各个实施例。本领域技术人员应该理解，可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他的处理和结构以用于达到与本发明所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点。本领域技术人员也应该意识到，这些等效结构并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。