1.一种用于修复光刻掩模的方法，包括：
对光刻掩模实施第一束扫描以修复所述光刻掩模，其中，所述第一束扫描包括：
将加工气体引入加工室，所述光刻掩模位于所述加工室中，并且将所述加工气体配置成与所述光刻掩模的一部分发生反应；和
将束投射到所述光刻掩模的非期望部分上，从而在下述第一辐射处理之前去除了所述光刻掩模的非期望部分；以及
在所述第一束扫描之后，对所述光刻掩模实施第一辐射处理，辐射的量子能大于使所述加工气体离解成气态原子所需的能量以离解累积在所述光刻掩模的期望部分和非期望部分上的加工气体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用具有键能的加工气体实施所述第一束扫描。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述加工气体包括二氟化氙(XeF2)，并且利用紫外光实施所述第一辐射处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在加工室中实施所述第一束扫描和所述第一辐射处理，并且在所述第一束扫描和所述第一辐射处理之间，所述加工室保持真空。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述第一辐射处理期间，停止向所述加工室内引入在所述第一束扫描中所使用的与所述光刻掩模发生反应的加工气体。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述第一辐射处理之后，对所述光刻掩模实施第二束扫描以进一步修复所述光刻掩模；以及
在所述第二束扫描之后，对所述光刻掩模实施第二辐射处理，其中，在所述第二束扫描过程中，去除缺陷未被所述第一束扫描去除的部分。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在同一加工室中实施所述第一辐射处理和所述第二束扫描，在所述第一辐射处理和所述第二束扫描之间不存在真空破坏。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一束扫描之后并且在所述第一辐射处理之前，从实施所述第一束扫描的真空室中移出所述光刻掩模。
9.一种用于修复光刻掩模的方法，包括：
对光刻掩模实施第一束扫描以修复所述光刻掩模，其中，所述第一束扫描包括：
将加工气体引入加工室，所述光刻掩模位于所述加工室中，并且将所述加工气体配置成与所述光刻掩模的一部分发生反应；和
将束投射到所述光刻掩模的非期望部分上，从而在下述第一辐射处理之前去除了所述光刻掩模的非期望部分；以及
在所述第一束扫描之后，利用辐射对所述光刻掩模实施第一辐射处理，其中，辐射的量子能大于使所述加工气体离解成气态原子所需的能量以离解累积在所述光刻掩模的期望部分和非期望部分上的加工气体。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述光刻掩模的所述非期望部分包括硅化钼(MoSi)，其中，所述加工气体包括二氟化氙(XeF2)。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述束包括电子束。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述束包括离子束。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述第一束扫描和所述第一辐射处理之间，所述加工室保持真空。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述第一辐射处理期间，停止向所述加工室引入所述加工气体。
15.根据权利要求9所述的方法，还包括：
在所述第一辐射处理之后，对所述光刻掩模实施第二束扫描，其中，在所述加工室中原位实施所述第一辐射处理和所述第二束扫描；以及
在所述第二束扫描之后，在所述加工室中对所述光刻掩模实施第二辐射处理。
16.一种被配置成对光刻掩模实施修复工艺的装置，所述装置包括：
束发生器，被配置成生成束并将所述束投射到所述光刻掩模的非期望部分上以通过束扫描在下述辐射处理之前去除了所述光刻掩模的非期望部分；
辐射源，被配置成在所述光刻掩模上生成辐射以对所述光刻掩模实施辐射处理，辐射的量子能大于使所述加工气体离解成气态原子所需的能量以离解累积在所述光刻掩模的期望部分和非期望部分上的加工气体；以及
加工气体源，被配置成释放加工气体到所述光刻掩模上以与所述光刻掩模的一部分发生反应。
17.根据权利要求16所述的装置，还包括：
真空加工室，所述束发生器的投射头部和所述辐射源被设置在所述真空加工室中，并且所述加工室的入口与所述加工气体源连接。
18.根据权利要求16所述的装置，还包括储存在所述加工气体源中的加工气体，所述加工气体被配置成在被所述束激发时与所述光刻掩模的表面部分发生反应。
19.根据权利要求18所述的装置，其中，所述加工气体包括二氟化氙(XeF2)。
20.根据权利要求18所述的装置，其中，所述束发生器被配置成生成量子能大于所述加工气体的键能的所述束。