半透射式液晶显示装置以及电子设备 |
|||||||
| 申请号 | CN201310300694.6 | 申请日 | 2013-07-17 | 公开(公告)号 | CN103576395B | 公开(公告)日 | 2016-08-24 |
| 申请人 | 株式会社日本显示器; | 发明人 | 玉置昌哉; 前田和之; | ||||
| 摘要 | 本 发明 提供一种在保持与反射式显示装置同等的反射显示性能的同时能够实现透射显示的半透射式 液晶 显示装置以及包括该半透射式液晶显示装置的 电子 设备。在具有对应每个 像素 设置的反射 电极 的半透射型中，使用反射电极进行反射显示，同时使用反射电极的像素间的空间进行透射显示，从而能够在保持与反射式显示装置同等的反射显示性能的同时实现透射显示。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种半透射式液晶显示装置，其特征在于，包括： |
||||||
| 说明书全文 | 半透射式液晶显示装置以及电子设备技术领域[0001] 本发明涉及半透射式液晶显示装置以及电子设备。 背景技术[0002] 作为显示装置，存在利用画面背面的背光所产生的透射光来进行显示的透射式显示装置以及利用外部光所产生的反射光来进行显示的反射式显示装置。透射式显示装置具有色度高、在较暗的环境下也容易看见画面的特征。反射式显示装置具有消耗电力少、在较亮的环境下也容易看见画面的特征。 [0003] 并且，作为同时具有透射式显示装置和反射式显示装置的特征的显示装置，例如有在一个像素内具有透射显示区域（透射显示部）和反射显示区域（反射显示部）的半透射式液晶显示装置（例如，参照专利文献1）。半透射式液晶显示装置在较暗的环境下使用背光所产生的透射光进行显示，在较亮的环境下使用外部光所产生的反射光进行显示。 [0004] 半透射式液晶显示装置无论较亮的环境下还是较暗的环境下都容易看见画面，并且消耗电力少。因此，作为电子设备、特别是室外使用频率较高的便携式的电子设备（便携终端设备）、例如数码照相机等便携信息设备或者便携式电话机等便携通信设备的显示部使用。 [0005] 现有技术文献 [0006] 专利文献 [0007] 专利文献1：日本特开2009-93115号公报 [0008] 在半透射式液晶显示装置中，确保透射显示区域和保持反射显示性能具有权衡的关系。即，如果为了提高透射显示性能，确保较大的透射显示区域，则不得不使反射显示区域相应地减小，从而反射显示性能降低。相反，如果保持与反射式显示装置同等的反射显示性能，则必须确保较大的反射显示区域，从而透射显示性能相应地降低。 发明内容[0009] 因此，本发明的目的在于提供一种在保持与反射式显示装置同等的反射显示性能的基础上能够实现透射显示的半透射式液晶显示装置以及具有该半透射式液晶显示装置的电子设备。 [0010] 为了达成上述目的，本发明为一种半透射式液晶显示装置以及包括该半透射式液晶显示装置的电子设备。半透射式液晶显示装置包括：矩阵状排列的多个像素；反射电极，对应多个所述像素中的每个像素设置，分别具有多个电极，通过该多个电极的面积的组合，能够利用n比特进行面积色阶，对应于各自比特的所述电极的周边长度的总和的比为1:2:...:2n-（1 n是2以上的整数）；液晶层，设置在该反射电极和与该反射电极相对的对向电极之间，半透射式液晶显示装置使用所述反射电极进行反射显示，至少使用所述反射电极的所述像素间的空间进行透射显示。对应于各自比特的所述电极在像素的开口中的周边长度的总和的比也可以为1:2:...:2n-1。 [0011] 在上述结构的半透射式液晶显示装置或者包括该半透射式液晶显示装置的电子设备中，使用反射电极的像素间的空间进行透射显示是指将该像素间的空间的区域使用作为透射显示区域。由此，不需要确保在一个像素内用于透射显示的专用的区域。其意思是作为存在于一个像素内的反射电极的大小（面积），能够确保与反射式显示装置的反射电极相同程度的大小。因此，能够在保持与反射式显示装置同等的反射显示性能的同时实现透射显示。 [0012] 发明效果 [0014] 图1是在将适用本发明的半透射式液晶显示装置的结构的概略的一部分切除的状态下示出的立体图。 [0015] 图2A是示出基本的像素电路的电路图。 [0016] 图2B是彩色显示中的像素的模式图。 [0017] 图2C是单色显示中的像素。 [0018] 图3A是反射式液晶显示装置的像素部的俯视图。 [0019] 图3B是半透射式液晶显示装置的像素部的俯视图。 [0020] 图4是示出实施方式涉及的像素部的电极构造的俯视图。 [0022] 图5B是示出在线（line）反转或者点（dot）反转时的电压施加时优选采用帧反转的驱动方式的理由的模拟结果的视图。 [0023] 图5C是示出在帧反转时的电压施加时优选采用帧反转的驱动方式的理由的模拟结果的视图。 [0024] 图6是示出采用MIP方式的像素的电路结构的一例的框图。 [0025] 图7是用于采用MIP方式的像素的动作说明的时间图。 [0026] 图8A是关于面积色阶法中的像素分割的说明图。 [0027] 图8B是关于面积色阶法中的像素分割的说明图。 [0028] 图8C是关于面积色阶法中的像素分割的说明图。 [0029] 图8D是关于面积色阶法中的像素分割的说明图。 [0030] 图8E是关于面积色阶法中的像素分割的说明图。 [0031] 图8F是关于面积色阶法中的像素分割的说明图。 [0032] 图9A是从滤色片侧观看用于形成彩色图像的像素的视图。 [0033] 图9B是从滤色片侧观看用于形成彩色图像的像素的视图。 [0034] 图10A是示出使用本实施方式涉及的半透射式液晶显示装置的2比特的面积色阶中的色阶0的视图。 [0035] 图10B是示出使用本实施方式涉及的半透射式液晶显示装置的2比特的面积色阶中的色阶1的视图。 [0036] 图10C是示出使用本实施方式涉及的半透射式液晶显示装置的2比特的面积色阶中的色阶2的视图。 [0037] 图10D是示出使用本实施方式涉及的半透射式液晶显示装置的2比特的面积色阶中的色阶3的视图。 [0038] 图11A是示出显示W（白）时的亮度和色阶的关系的视图。 [0039] 图11B是示出显示G（绿）时的亮度和色阶的关系的视图。 [0040] 图11C是示出显示R（红）时的亮度和色阶的关系的视图。 [0041] 图11D是示出显示B（蓝）时的亮度和色阶的关系的视图。 [0042] 图12是示出邻接的反射电极的间隔的视图。 [0043] 图13是示出使用反射电极的像素间的空间进行透射显示情况下的像素间的液晶分子的移动的视图。 [0044] 图14是示出常白模式情况下的像素间的透射率的模拟结果的视图。 [0045] 图15A是示出利用黑矩阵划分像素彼此的彩色像素的视图。 [0046] 图15B是示出利用黑矩阵划分像素彼此的彩色像素的视图。 [0047] 图15C是示出利用滤色片的重叠部划分像素彼此的彩色像素的视图。 [0048] 图15D是示出利用滤色片的重叠部划分像素彼此的彩色像素的视图。 [0049] 图16是示出具有使光散射的散射层的半透射式液晶显示装置的一例的剖视图。 [0050] 图17是散射层的剖视图。 [0051] 图18是示出散射层的一例的俯视图。 [0052] 图19是示出散射层的一例的俯视图。 [0053] 图20是示出在单隙构造的半透射式液晶显示装置的行方向上邻接的两个像素的剖面构造的剖视图。 [0054] 图21A是示出在单隙构造的情况下进行常黑的ECB模式的光学设计的一例的视图。 [0055] 图21B是示出在单隙构造的情况下进行常黑的ECB模式的光学设计的一例的视图。 [0056] 图22是示出在多隙构造的半透射式液晶显示装置的行方向上邻接的两个像素的剖面构造的剖视图。 [0057] 图23是示出反射显示区域的光谱的计算结果的视图。 [0058] 图24是示出透射显示区域的光谱的计算结果的视图。 [0059] 图25是示出变形例涉及的像素部的电极构造的俯视图。 [0060] 图26A是示出适用本发明的数码照相机的外观的立体图。 [0061] 图26B是示出适用本发明的数码照相机的外观的立体图。 [0062] 图27是示出适用本发明的摄像机的外观的立体图。 [0063] 图28是示出适用本发明的笔记本型个人计算机的外观的立体图。 [0064] 图29A是示出适用本发明的便携式电话机的打开状态的主视图。 [0065] 图29B是示出适用本发明的便携式电话机的侧视图。 [0066] 图29C是示出适用本发明的便携式电话机的关闭状态的主视图。 [0067] 图29D是示出适用本发明的便携式电话机的左视图。 [0068] 图29E是示出适用本发明的便携式电话机的右视图。 [0069] 图29F是示出适用本发明的便携式电话机的俯视图。 [0070] 图29G是示出适用本发明的便携式电话机的仰视图。 具体实施方式[0071] 以下，使用附图，以如下示出的顺序对用于实施本发明的技术的方式（以下，称为“实施方式”）进行详细说明。 [0072] 1.适用本发明的半透射式液晶显示装置 [0073] 1-1.彩色显示对应的半透射式液晶显示装置 [0074] 1-2.基本的像素电路 [0075] 1-3.像素以及副像素 [0076] 1-4.像素部的电极构造的考察 [0077] 2.实施方式的说明 [0078] 2-1.液晶显示面板的驱动方式 [0079] 2-2.MIP方式 [0080] 2-3.面积色阶法 [0081] 2-4.显示模式 [0082] 2-5.具体的实施例 [0083] 3.变形例 [0084] 4.电子设备 [0085] 5.本发明的结构 [0086] <1.适用本发明的半透射式液晶显示装置> [0087] 本发明的技术能够适用于平板式（平面式）的显示装置。作为平板式的显示装置，能够例示出使用液晶显示（LCD：Liquid Crystal Display）面板的显示装置、使用场致发光（EL：Electro Luminescence）显示面板的显示装置、使用等离子显示（PD：Plasma Display）面板的显示装置等。 [0088] 如果以显示的方式进行分类，这些平板型的显示装置能够分成透射式、反射式以及半透射式。本发明的技术能够适用于同时具有透射式显示装置和反射式显示装置的特征的半透射式液晶显示装置、即无论在较亮的环境下还是较暗的环境下都容易看见画面且消耗电力少的半透射式液晶显示装置。具有这些特征的半透射式液晶显示装置适合用作电子设备、特别是室外使用频率较高的便携式的电子设备、即便携终端设备、例如数码照相机等便携信息设备或者便携式电话机等便携通信设备的显示部。 [0089] 适用本发明的半透射式液晶显示装置可以是单色显示对应的显示装置，也可以是彩色显示对应的显示装置。在彩色显示对应的情况下，成为形成彩色像素的单位的一个像素（单位像素）包含多个副像素（sub-pixel）。具体来说，在彩色显示对应的显示装置中，单位像素例如包含显示红色（Red：R）的副像素、显示绿色（Green：G）的副像素、显示青色（Blur：B）的副像素这三个副像素。 [0090] 但是，作为一个像素，并不限于将RGB这三原色的副像素组合。例如，也可以在RGB这三原色的副像素中再增加一色或者多色的副像素。具体来说，例如，可以为了提高亮度而增加显示白色（White：W）的副像素作为单位像素、或者可以为了扩大色再现范围而增加显示余色的至少一个副像素作为单位像素。 [0091] [1-1.彩色显示对应的半透射式液晶显示装置] [0092] 以下，作为适用本发明的半透射式液晶显示装置，以彩色显示对应的半透射式液晶显示装置为例进行说明。 [0093] 图1是在将适用本发明的半透射式液晶显示装置的结构的概略一部分切除的状态下示出的立体图。 [0094] 如图1所示，适用本发明的半透射式液晶显示装置1具有第一面板部10、第二面板部20、液晶层30以及背光部40作为主要的构成元件。在半透射式液晶显示装置1中，第二面板部20的表面侧为显示面侧。第一面板部10和第二面板部20保持规定的间隙而对向配置。并且，通过将液晶材料密封在第一面板部10和第二面板部20的间隙内，以形成液晶层30。 [0096] 在该第一面板部10中，在第一基板14上，均未图示的多个信号线和多个扫描线以交叉的方式形成。并且，在多个信号线和多个扫描线交叉的部位，副像素（以下，也存在仅称为“像素”的情况）50被二维配置成矩阵状。 [0097] 在第一基板14上，对应每个像素50形成TFT（Thin Film Transistor：薄膜晶体管）等开关元件以及电容元件的电路元件。通过在这些电路元件、信号线以及扫描线的表面形成平坦化膜15，从而实现第一面板部10的表面的平坦化。并且，在平坦化膜15上，对应每个像素50形成后述的反射电极。由于形成包含TFT的电路元件，因此有时将第一基板14称为TFT基板。 [0098] 多个信号线是用于传送驱动像素50的信号（显示信号/影像信号）的配线，且形成相对于像素50的矩阵状的配置，对应每个像素列，沿着该像素列的像素的排列方向、即列方向（图1的Y方向）延伸的配线构造。多个扫描线是用于传送以行单位选择像素50的信号（扫描信号）的配线，且形成相对于像素50的矩阵状的配置，对应每个像素行，沿着该像素行的像素的排列方向、即行方向（图1的X方向）延伸的配线构造。X方向和Y方向相互垂直。 [0099] 第二面板部20构成为从液晶层30侧依次设置由ITO（Indium Tin Oxide：铟锡氧化物）等形成的透明电极21、滤色片22、将透明的玻璃等作为基板材料的第二基板23、1/4波长板24、1/2波长板25以及偏光板26。 [0100] 在该第二面板20中，滤色片22形成例如沿着列方向（Y方向）延伸的条纹状的R（红色）G（绿色）B（青色）的各滤色器以与像素50的行方向（X方向）的间距相同的间距反复排列的结构。由于包括滤色片（CF：Color Filter）22，因此有时将第二基板23称为CF基板。 [0101] 通过上述第一面板部10、与该第一面板部10对向配置的第二面板部20以及配置在第一面板部10和第二面板部20之间的液晶层30，构成半透射型的液晶显示面板，第二面板部20的上面（表面）成为显示面。 [0102] 背光部40是对液晶显示面板从该液晶显示面板的背面侧、即第一面板部10的液晶层30的相反侧进行照明的照明部。该背光部40对其构造以及构成元件没有特别的限定，例如，可以使用LED（Light Emitting Diode，发光二极管）或者荧光管等光源、棱镜片、扩散片以及导光板等公知的部件。 [0103] 在上述构成的半透射式液晶显示装置1中，像素50对应每个像素50而具有反射显示区域（反射显示部）和透射显示区域（透射显示部）。如上所述，反射显示区域在平坦化膜15的表面上具有对应每个像素50形成的反射电极，通过该反射电极，将从外部入射并透射第二面板部20的外部光反射，通过该反射光进行显示。透射显示区域将来自背光部40的光透射，通过该透射光进行显示。后面将详细说明设置于每个像素50的透射显示区域。 [0104] [1-2.基本的像素电路] [0105] 接着，使用图2A对像素50的基本的像素电路进行说明。在图2A中，X示出的方向（X方向）表示图1中示出的半透射式液晶显示装置1的行方向，Y示出的方向（Y方向）表示列方向。 [0106] 如图2A所示，多个信号线61（611、612、613、...）和多个扫描线62（621、622、623、...）以交叉的方式配线，在其交叉部配置像素50。多个扫描线62（621、622、623、...）所延伸的方向为行方向（X方向），多个信号线61（611、612、613、...）所延伸的方向为列方向（Y方向）。如前所述，多个信号线61和多个扫描线62形成在第一面板部10的第一基板（TFT基板）14的表面。并且，各信号线61（611、612、613、...）的一端连接于与信号输出电路70的各列相对应的输出端，各扫描线62（621、622、623、...）的一端连接于与扫描电路80的各行相对应的输出端。 [0107] 像素50例如形成具有使用薄膜晶体管（TFT）的像素晶体管51、液晶电容52、保持电容53的结构。在像素晶体管51中，栅电极连接于扫描线62（621、622、623、...），源电极连接于信号线61（611、612、613、...）。 [0108] 液晶电容52表示在像素电极和与其对向形成的对向电极（相当于图1的透明电极21）之间产生的液晶材料的电容成分，像素电极连接于像素晶体管51的漏电极。像素电极在彩色显示的情况下相当于对于每个副像素形成的反射电极，在单色显示的情况下相当于对于每个像素形成的反射电极。在全像素上，直流电压的普通电位VCOM都被施加给液晶电容52的对向电极。在保持电容53中，一侧的电极连接于液晶电容52的像素电极，另一侧的电极连接于液晶电容52的对向电极。 [0109] 从上述的像素电路可知，多个信号线61（611、612、613、...）是将驱动像素50的信号、即从信号输出电路70输出的影像信号对应每个像素列传送至像素50的配线。并且，多个扫描线62（621、622、623、...）是将以行单位选择像素50的信号、即从扫描电路80输出的扫描信号对应每个像素行进行传送的配线。 [0110] [1-3.像素以及副像素] [0111] 如图2B所示，在半透射式液晶显示装置1对应于彩色显示的情况下，成为形成彩色图像的单位的一个像素、即单位像素5例如包括多个副像素（sub-pixel）50。在该例中，单位像素5包括显示R的副像素50R、显示B的副像素50B、显示G的副像素50G。单位像素5所具有的副像素50R、50B、50G朝向X方向、即半透射式液晶显示装置1的行方向排列。如上所述，单位像素5可以进一步具有一色或者多色的副像素。如图2C所示，在半透射式液晶显示装置1仅对应于单色显示的情况下，成为形成单色图像的单位的一个像素即单位像素5M成为像素50（相当于彩色显示中的副像素50）。单位像素5为用于显示彩色图像的基本单位，单位像素5M为用于显示单色像素的基本单位。 [0112] [1-4.像素部的电极构造的考察] [0113] 在对透射显示区域进行说明之前，对像素50的电极构造进行考察。 [0114] 图3A、图3B是用于说明关联技术中的像素部的电极构造的视图。图3A示出反射（全反射）式液晶显示装置的像素部的俯视图，图3B示出半透射式液晶显示装置的像素部的俯视图。在图3A、图3B中，以阴影表示反射电极63。 [0115] 如图3A、图3B所示，通常液晶显示装置的像素部形成如下结构：像素50配置成矩阵状，相对于该矩阵状的配置，信号线61在沿着列方向延伸的像素50之间的空间位置配线，扫描线62在沿着行方向延伸的像素50之间的空间位置配线。如上所述，在图1中，信号线61和扫描线62以在第一面板部10的第一基板14上相互交叉的方式配线。 [0116] 在这样构成的像素部（像素阵列部）中，图3A中示出的反射式液晶显示装置将由铝等金属形成的反射电极63以与像素50的尺寸基本相同的大小形成，并且将该反射电极63的区域作为反射显示区域。即，反射式液晶显示装置通过确保与像素50的尺寸基本相同的大小的反射显示区域，从而获得期望的反射显示性能。 [0117] 与此相对，图3B中示出的半透射式液晶显示装置在一个像素50内同时形成反射电极63和开口部64，并将该开口部64使用作为透射显示区域。这样，为了确保透射显示区域，如果在像素50内形成开口部64，则不得不对应于该开口部64的面积而减小反射电极63、即反射显示区域。因此，半透射式液晶显示装置与反射式液晶显示装置相比，有时反射显示性能降低。即，确保透射显示区域和保持反射显示性能具有权衡的关系。 [0118] <2.实施方式的说明> [0119] 本发明的实施方式涉及的半透射式液晶显示装置1为了在保持与反射式显示装置同等的反射显示性能的同时实现透射显示，使用反射电极63的像素50之间的空间进行透射显示。具体来说，如图4所示，在像素50配置成矩阵状而形成的像素部中，信号线61以及扫描线62等配线以不阻塞反射电极63的像素50之间的空间的方式形成，从而能够使用该空间作为透射显示区域进行透射显示。 [0120] 在图4中，以阴影表示反射电极63。并且，反射电极63的像素50之间的空间存在沿着像素列的像素的排列方向即列方向（图4中示出的Y方向）延伸的空间65A、沿着像素行的像素的排列方向即行方向（图4中示出的X方向）延伸的空间65B。并且，在本例中，作为形成于像素部的配线，例示出信号线61以及扫描线62，但是形成于像素部的配线并不限定于此。即，驱动（控制）像素50所需要的全部驱动线（控制线）都包括在本例中所指的配线中。 [0121] “不阻塞空间”并不排除存在配线与反射电极63的像素50之间的空间65A、65B重叠的区域。具体来说，沿着列方向配线的信号线61与沿着行方向延伸的空间65B重叠的状态、以及沿着行方向配线的扫描线62与沿着列方向延伸的空间65A重叠的状态包括在“不阻塞空间”的概念中。 [0122] 并且，信号线61与沿着列方向延伸的空间65A一部分或者部分地重叠的状态、以及扫描线62与沿着行方向延伸的空间65B一部分或者部分地重叠的状态也包括在“不阻塞空间”的概念中。在任一种情况中，将信号线61以及扫描线62与空间65A以及65B中的任一个都不重叠的区域使用作为透射显示区域。 [0123] 并且，当以不阻塞反射电极63的像素50之间的空间65A、65B的方式形成配线时，优选将该配线避开反射电极63的像素50之间的空间65A以及65B中的至少一个而形成。“避开空间”是指在反射电极63的像素50之间的空间65A或者65B中不存在配线（即在空间65A以及65B的至少一个中不存在配线重叠的区域）的状态。 [0124] 具体来说，如图4所示，关于信号线61，优选以避开沿着列方向延伸的空间65A的方式、即以在与空间65A之间不存在重叠的区域（部分）的方式进行配线。关于扫描线62，优选以避开沿着行方向延伸的空间65B的方式、即以在与空间65B之间不存在重叠的区域的方式进行配线。通过在反射电极63的像素50之间的空间65A以及65B中分别不存在信号线61以及扫描线62进行重叠的区域，从而能够使用该空间65A、65B的基本全体区域作为透射显示区域，因此半透射式液晶显示装置1能够获得更高的透射显示性能。 [0125] 如上所述，半透射式液晶显示装置1使用反射电极63的像素50之间的空间进行透射显示、即将该空间的区域作为透射显示区域，因此不需要在像素50内另外确保透射显示区域。这样，从图3A和图4的对比可知，在像素50的尺寸相同的情况下，半透射式液晶显示装置1能够使反射电极63的尺寸与反射式液晶显示装置的尺寸相等。结果，半透射式液晶显示装置1能够在保持与反射式显示装置同等的反射显示性能的同时实现透射显示。 [0126] [2-1.液晶显示面板的驱动方式] [0127] 因此，在液晶显示面板（液晶显示装置）中，为了通过持续施加与液晶同极性的直流电压而抑制液晶的电阻率（物质固有的电阻值）的劣化，采用将普通电位VCOM作为基准以规定的周期使视频信号的极性反转的驱动方法。 [0128] 作为这样的液晶显示面板的驱动方式，已知有线反转、点反转、帧反转等驱动方式。线反转是在相当于一个线（一个像素行）的1H（H为水平期间）的时间周期使视频信号的极性反转的驱动方式。点反转是对于相互邻接的上下左右的每个像素使影像信号的极性交替反转的驱动方式。帧反转是在相当于一个画面的每一帧中以相同的极性使写入全部像素的影像信号一同反转的驱动方式。 [0129] 在本实施方式中，半透射式液晶显示装置1可以采用上述各驱动方式中的任一种。但是，由于如下说明的理由，与线反转、点反转的驱动方式相比，优选采用帧反转的驱动方式。 [0130] 关于优选采用帧反转的驱动方式的理由，使用图5的模拟结果进行说明。在图5中，图5A表示对像素50不施加电压情况下的模拟结果，图5B表示在线反转或者点反转时对像素50施加电压情况下的模拟结果，图5C表示在帧反转时对像素50施加电压情况下的模拟结果。并且，在图5B、图5C中，以点划线表示等势线。 [0131] 在线反转或者点反转的情况下，由于透明电极（对向电极）21和反射电极（像素电极）63之间的电位在邻接的两个像素之间不同，因此像素之间的一个像素附近和另一个像素附近的液晶分子的动作不同。因此像素之间的液晶取向不稳定。这从图5B中以点划线示出的等势线的分布可以看出。 [0132] 这样，在邻接的两个像素之间电位不同的线反转或者点反转的情况下，不能稳定地控制像素之间的液晶取向。如果使用液晶取向不稳定的像素之间的空间作为透射显示区域进行透射显示，则有可能产生残留图像等。 [0133] 与此相对，在帧反转的情况下，由于透明电极21和反射电极63之间的电位在邻接的两个像素之间相同，因此像素之间的一个像素附近和另一个像素附近的液晶分子进行相同的动作。因此，使用帧反转的驱动方式情况下的像素之间的液晶取向比线反转或者点反转的情况稳定。这从图5C中以点划线示出的等势线的分布可以看出。 [0134] 这样，由于在邻接的两个像素之间电位相同的帧反转的情况下，能够比较稳定地抑制像素之间的液晶取向，因此即使使用该像素之间的空间作为透射显示区域进行透射显示，也能够有效地抑制残留图像。基于以上的理由，在使用反射电极63的像素50之间的空间进行透射显示的情况下，与使用线反转或者点反转的驱动方式相比，优选使用帧反转的驱动方式。但是，如上所述，并不排除采用线反转或者点反转的驱动方式。 [0135] [2-2.MIP方式] [0136] 在使用帧反转的驱动方式的情况下，由于在一帧期间将相同极性的信号电压写入信号线，因此存在产生阴影的可能性。因此，在半透射式液晶显示装置1中，在使用帧反转的驱动方式的情况下，采用所谓的MIP（Memory In Pixel，像素内存）方式，该MIP方式使用具有存储功能的像素、例如对于每个像素能够储存数据的存储器作为像素50。在MIP方式的情况下，由于对像素50总是施加固定电压，因此能够使阴影减少。 [0137] 并且，由于MIP方式在像素内具有储存数据的存储器，因此能够实现利用模拟显示模式进行的显示、和利用存储显示模式进行的显示。模拟显示模式是指模拟地显示像素的色阶的显示模式。存储显示模式是指基于储存于像素内的存储器的二进制信息（逻辑“1”/逻辑“0”），以数字的方式显示像素的色阶的显示模式。 [0138] 由于在存储显示模式的情况下使用储存于存储器的信息，因此不需要以帧周期执行反映色阶的信号电位的写入动作。因此，在存储显示模式的情况下，与需要以帧周期执行反映色阶的信号电位的写入动作的逻辑显示模式的情况相比，只要消耗电力减少即可。换而言之，能够减少半透射式液晶显示装置1的消耗电力。 [0139] 图6是示出采用MIP方式的像素的电路构成的一例的框图，图中，对与图2A相同的部位赋予相同的符号。并且，图7是用于采用MIP方式的像素的动作说明的时间图。 [0140] 如图6所示，像素50除了液晶电容（液晶单元）52以外，还具备驱动电路部58，该驱动电路部58具有三个开关元件54～56以及闩锁部57。驱动电路部58具备SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）功能。具备驱动电路部58的像素50形成带有SRAM功能的像素构成。液晶电容（液晶单元）52的意思是在像素电极（例如，图4的反射电极63）和与其对向配置的对向电极之间产生的液晶电容。 [0141] 开关元件54的一端连接于信号线61（相当于图2A的信号线611～613）。开关元件54通过从图2A的扫描电路80收到扫描信号 而成为接通（闭）状态，收到从图2A的信号输出电路70经由信号线61供应的数据SIG。闩锁部57具有相互逆向并联连接的变换器（inverter）571、572，闩锁部57保持（闩锁）与通过开关元件54收到的数据SIG相对应的电位。 [0142] 对开关元件55、56的一个端子施加与普通电位VCOM反相的控制脉冲XFRP以及同相的控制脉冲FRP。开关元件55、56的另一个端子共同连接，其共同连接节点成为本像素电路的输出节点NOUT。对应于闩锁部57的保持电位的极性，开关元件55、56的任一个成为接通状态。由此，对于向对向电极（图1的透明电极21）施加普通电位VCOM的液晶电容52，控制脉冲FRP或者控制脉冲XFRP被施加于像素电极（例如，图4的反射电极63）。 [0143] 从图7可知，在本例的情况下，当闩锁部57的保持电位为负极性时，由于液晶电容52的像素电位与普通电位VCOM同相，因此成为黑显示，在闩锁部57的保持电位为正极性的情况下，由于液晶电容52的像素电位与普通电位VCOM逆相，因此成为白显示。 [0144] 从上述可知，MIP的像素50根据闩锁部57的保持电位的极性使开关元件55、56中的任一个成为接通状态，从而对液晶电容52的像素电极（例如，图4的反射电极63）施加控制脉冲FRP或者控制脉冲XFRP。结果，由于对像素50总是施加固定的电压，因此可以抑制阴影的产生。 [0145] 并且，在本例中，列举了使用SRAM作为像素50所内置的存储器的情况，但是SRAM只不过是一例，也可以采用使用其他存储器，例如DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器）的构成。 [0146] [2-3.面积色阶法] [0147] 在MIP方式的情况下，对于每个像素50，利用1比特仅能够进行2色阶的色阶显示。因此，在半透射式液晶显示装置1中，在采用MIP方式的情况下，优选使用面积色阶法。面积色阶法是指对像素面积（像素电极的面积）赋予例如2:1的加权并利用2比特显示4色阶的色阶显示方式。后面将详细说明面积色阶法。 [0148] 具体来说，使用将成为像素50的反射显示区域的反射电极63（参照图4），分割成以面积的方式赋予加权的多个电极的面积色阶法。并且，对以面积的方式赋予加权的分割像素电极通电通过闩锁部57的保持电位选择的像素电位，通过赋予加权的面积的组合，进行色阶显示。以下，将以面积的方式赋予加权而将反射电极63分割所得到的各个电极称为分割像素电极。 [0149] 接着，对面积色阶法进行具体的说明。面积色阶法是以利用20、21、22、...、2N-1对面积比进行加权的N个电极来显示2×N个色阶的色阶显示方式（一个电极对应于用于显示色阶的各个比特的情况）。在多个电极对应于用于显示色阶的比特的情况下，面积色阶法以20、21、22、...、2N-1对与各个比特相对应的电极的面积比赋予加权，从而利用N比特显示2N个色阶。 [0150] 采用面积色阶法的目的在于例如改善TFT特性的波动所产生的画质不均匀性等。在半透射式液晶显示装置1中，采用通过对作为像素电极的反射电极63的面积（像素面积）赋予2:1的加权并进行分割，从而利用2比特显示4色阶的面积色阶法。 [0151] 作为对像素面积赋予2:1的加权的构造，如图8A中示出的反射电极63A那样，通常为将像素50的像素电极分割成面积S的分割像素电极501、以及分割像素电极501的二倍面积（面积2×S）的分割像素电极502的构造。但是，由于各色阶的重心与像素50的一个像素的重心不对齐（不一致），因此以色阶显示这点来看不优选反射电极63A的构造。 [0152] 作为各色阶的重心相对于像素50的一个像素的重心对齐的构造，如图8B中示出的反射电极63B，存在将面积2×S的分割像素电极504的中心部以矩形形状切除，并在该切除的矩形区域的中心部配置面积S的分割像素电极503的构造。但是，在反射电极63B的构造中，由于位于分割像素电极503的两侧的、分割像素电极504的连结部504A、504B的宽度窄，因此分割像素电极504整体的反射面积变小，且存在于连结部504A、504B的周边的液晶取向困难。 [0153] 如上所述，如果在面积色阶中采用无电场时液晶分子相对于基板基本垂直的VA（Vertical Aligned，垂直取向）模式，则电压对液晶分子的作用因电极形状或者电极的尺寸等而改变，因此难以使液晶良好地取向。并且，由于反射电极的面积比不一定等于反射率比，因此色阶设计困难。反射电极的反射率通过反射电极的面积以及液晶取向等来决定。在图8B中示出的反射电极63B的构造的情况下，即使面积比为1:2，电极周边的长度（周边长度）的比也不会成为1:2。例如，考虑到如下情况：分割像素电极501俯视为正方形形状，一边的长度为L，分割像素电极502俯视为长方形形状，短边的长度为L，长边的长度为2×L。在该情况下，分割像素电极501的周边长度为4×L，分割像素电极502的周边长度为6×L，周边长度的比为2:3。因此，反射电极的面积比不一定等于反射率比。 [0154] 为了考虑色阶的表现性和反射面积的有效利用而采用面积色阶法，如图8C中示出的反射电极63C，优选将反射电极63C分割成相同面积（大小）的多个（本例中为三个）分割像素电极505、506A、506B。反射电极63C具有多个（本例中为三个）分割像素电极505、506A、506B，通过将这些面积组合，能够进行面积色阶。 [0155] 在该具有三分割的电极构成的反射电极63C中，分割像素电极506A、506B配置在分割像素电极505的两侧。即，三个分割像素电极506A、505、506B以该顺序排列配置为一列。反射电极63C将配置在分割像素电极505的两侧的分割像素电极506A、506B作为一组。并且，通过反射电极63C同时驱动该成为一组的两个分割像素电极506A、506B，能够在与配置在两者之间的分割像素电极505之间对像素面积赋予2:1的加权。 [0156] 为了同时驱动两个分割像素电极506A、506B，如图8C所示，优选将两个分割像素电极506A、506B例如通过ITO等导体510相互电连接。通过将两个分割像素电极506A、506B电连接，从而能够通过一个驱动电路驱动两个分割像素电极506A、506B。因此，与采用将两个分割像素电极506A、506B通过各自的驱动电路进行驱动的结构的情况相比，具有能够将像素（彩色显示的情况下为一个副像素）的驱动电路58的结构简略化的优点。 [0157] 反射电极63C更具体地说，具有反射电极63C的副像素（仅单色显示的情况下为像素）能够进行以n（n为2以上的整数）=2比特显示色阶的面积色阶。在该情况下，一个副像素对于一个分割像素电极505和两个分割像素电极506A、506B分别逐个地具备图6中示出的驱动电路58。在对于具有反射电极63C的副像素进行利用2比特的面积色阶的情况下，对应于最下位的比特的电极为分割像素电极505，对应于与最下位相比上位的比特，即最上位的比特的电极成为分割像素电极506A、506B组。 [0158] 反射电极63C具有的各个分割像素电极506A、505、506B俯视为正方形形状且一边的长度为L。并且，这些分割像素电极的形状以及大小相等。因此，一个分割像素电极505和两个分割像素电极506A、506B的面积比为1:2。并且，一个分割像素电极505的周边长度的总和为4×L，两个分割像素电极506A、506B的周边长度的总和为8×L。因此，能够利用n=2比特进行面积色阶的反射电极63C在对应于各个比特的一个分割像素电极505和两个分割像素电极506A、506B中，各个周边长度的总和的比为1:2n-1=1:2。因此，能够利用n（本例中为2）比特进行面积色阶的反射电极63C能够使对应于各个比特的电极（分割像素电极505、506A、506B）的面积比接近反射率比。结果，反射电极63C提高了进行色阶显示时的特性（色阶特性）。 [0159] 如上所述，在反射电极63C中，两个分割像素电极506A、506B配置在一个分割像素电极505的两侧。即，反射电极63C以对应于n（=2）比特的面积色阶中最下位的比特的电极即分割像素电极505为中心，将对应于与最下位的比特相比上位（本例中为最上位）的比特的电极即两个分割像素电极506A、506B对称配置。因此，由于反射电极63C能够使各色阶的重心与一个像素（彩色显示的情况下为一个副像素）的中心对齐，因此色阶特性得以提高。 [0160] 图8D中示出的反射电极63D，通过被三分割，具有三个分割像素电极505、506A、506B。并且，通过三个分割像素电极505、506A、506B中的两个分割像素电极506A、506B和剩余的一个分割像素电极505的面积的组合，反射电极63D进行面积比为2:1且2比特的面积色阶。两个分割像素电极506A、506B邻接配置，并且在同一平面内通过导体511被电连接。两个分割像素电极506A、506B中的分割像素电极506A与一个分割像素电极505邻接。一个分割像素电极505为对应于最下位比特的电极，两个分割像素电极506A、506B为对应于与最下位的比特相比上位的比特，具体来说最上位的比特的电极。 [0161] 导体511为与两个分割像素电极506A、506B相同的材料，此外，导体511和两个分割像素电极506A、506B在同一平面内一体形成。在同一平面内且一体形成的意思是：在图1中示出的平坦化膜15的表面上，导体511和两个分割像素电极506A、506B一体形成。 [0162] 在本例中，在三个分割像素电极505、506A、506B的形状以及大小相等的情况下，当求出一个分割像素电极505和两个分割像素电极506A、506B的面积比以及周边长度的总和的比时，不使用导体511的面积以及周边长度。一个分割像素电极505和两个分割像素电极506A、506B的面积比为1:2。并且，在对应于各个比特的一个分割像素电极505和两个分割像素电极506A、506B中，各个周边长度的总和的比为1:2n-1=1:2。因此，能够利用n（本例中为2）比特进行面积色阶的反射电极63D能够使对应于各个比特的电极（分割像素电极505、506A、 506B）的面积比接近反射率比。 [0163] 导体511在同一平面内配置在两个分割像素电极506A、506B之间，将两者电连接。导体511的宽度（图8D中为X方向中的尺寸）比分割像素电极506A、506B的宽度（图8D中为X方向中的尺寸）小。在本实施方式中，导体511的宽度优选在分割像素电极506A、506B的宽度的 1/10以上1/5以下的范围。通过使导体511的宽度在这样的范围内，当求出上述的面积比以及周边长度的总和时，可以忽略导体511的面积以及周边长度。并且，在本实施方式中，导体 511配置在两个分割像素电极506A、506B的宽度方向中的中央，但是并不限定于此，只要导体511的位置位于两个分割像素电极506A、506B之间即可。 [0164] 在三个分割像素电极505、506A、506B的形状和大小中的至少一者不同的情况下，当求出一个分割像素电极505和两个分割像素电极506A、506B的面积比以及周边长度的总和的比时，也可以使用导体511的面积以及周边长度。即，包含导体511的面积以及周边长度（两个分割像素电极506A、506B之间的部分的周边长度的总和），求出一个分割像素电极505和两个分割像素电极506A、506B的面积比以及周边长度的总和的比。在利用n=2比特表现4色阶的情况下，以面积比为1:2并且周边长度的总和的比为1:2的方式，调整三个分割像素电极505、506A、506B以及导体511的面积和周边长度。 [0165] 在形成图8C中示出的反射电极63C的情况下，图1中示出的平坦化膜15为两层，通过形成在第一层和第二层之间的ITO等导体，将形成在第二层的表面的两个分割像素电极506A、506B彼此连接。因此，反射电极63C的色阶特性出色，但是制造工序增加。对于图8D中示出的反射电极63D来说，将导体511和两个分割像素电极506A、506B一体形成在同一平坦化膜15的表面。因此，在反射电极63D中，图1中示出的平坦化膜15为一层，因此能够抑制工序数的增加。 [0166] 在反射电极63D中，各色阶的中心与一个像素（彩色显示的情况下为一个副像素）的中心偏离，因此与反射电极63C相比色阶特性略差。但是，除了如自然图像那样常用半色调的情况以外，在仅显示比较单纯的图像的情况下，反射电极63D的色阶特性有时也足够。在这样的情况下，如果在半透射式液晶显示装置1中使用反射电极63D，则带来能够减少制造工序并且降低制造成本的优点。 [0167] 接着，对能够利用大于n=2的比特数显示2n色阶的例子进行说明。图8E中示出的反射电极63E以及图8F中示出的反射电极63F都能够进行利用n=3比特显示2n=8色阶的面积色阶。图8E中示出的反射电极63E具有一个分割像素电极505、两个分割像素电极506A、506B、四个分割像素电极507A、507B、507C、507D。即，反射电极63E将一个电极七分割。 [0168] 两个分割像素电极506A、506B相互利用导体510电连接。并且，四个分割像素电极507A、507B、507C、507D相互利用导体512电连接。在反射电极63E中，一个分割像素电极505为最下位的比特（1比特），两个分割像素电极506A、506B为最下位的下一个比特（2比特），四个分割像素电极507A、507B、507C、507D为最上位的比特（3比特）。因此，对应于2比特的两个分割像素电极506A、506B彼此相互电连接，并且，对应于3比特的四个分割像素电极507A、 507B、507C、507D彼此相互电连接。这样，对应于各个比特的两个以上的电极（分割像素电极）彼此相互电连接。 [0169] 如图8E所示，对应于2比特的分割像素电极506A、506B分别配置在对应于1比特的分割像素电极505的两侧。并且，在对应于3比特的四个分割像素电极507A、507B、507C、507D中，分割像素电极507A与分割像素电极506A邻接配置，分割像素电极507B与分割像素电极506B邻接配置。此外，分割像素电极507C与分割像素电极507A邻接配置，分割像素电极507D与分割像素电极507B邻接配置。在反射电极63E中，在对应于最下位的比特的分割像素电极 505的两侧，分别配置对应于下一个上位的比特的两个分割像素电极506A、506B。并且，在夹着分割像素电极505配置在两侧的分割像素电极506A、506B的两侧，各配置两个对应于与两个分割像素电极506A、506B的比特相比上位的比特的四个分割像素电极507A、507B、507C、 507D。这样，在反射电极63E中，为对应于最下位的比特的电极的分割像素电极505作为中心，对应于与最下位的比特相比上位的比特的电极对称配置。 [0170] 图8F中示出的反射电极63F与图8E中示出的反射电极63E相同，但是在如下方面不同。即，在对应于最上位的比特（在该例中为3比特）的四个分割像素电极507A、507B、507C、507D中，配置在分割像素电极506A侧的两个分割像素电极507A、507C彼此和配置在分割像素电极506B侧的两个分割像素电极507B、507D彼此在同一平面内分别利用导体514电连接。 在四个分割像素电极507A、507B、507C、507D中，两个分割像素电极507A、507B相互利用导体 513电连接。 [0171] 与图8D中示出的反射电极63D相同，在反射电极63F所具有的七个分割像素电极505、506A、506B、507A、507B、507C、507D的形状以及大小相等的情况下，当求出上述的面积比以及周边长度的总和的比时，不使用导体514的面积以及周边长度。导体514的宽度（图8F中为X方向中的尺寸）以及导体514所配置的位置与上述反射电极63D相同。 [0172] 反射电极63E、63F所具有的七个分割像素电极505、506A、506B、507A、507B、507C、507D各自的形状以及大小相等。因此，对应于1比特的一个分割像素电极505的面积、对应于 2比特的两个分割像素电极506A、506B两者的面积、对应于3比特的四个分割像素电极507A、 507B、507C、507D全部的面积的比（面积比）为1:2:4。并且，对应于1比特的一个分割像素电极505的周边长度的总和、对应于2比特的两个分割像素电极506A、506B的周边长度的总和、对应于3比特的四个分割像素电极507A、507B、507C、507D的周边长度的总和的比为1:2:2n-1=1:2:22=1:2:4。因此，能够利用n（本例中为3）进行面积色阶的反射电极63E、63F能够使对应于各个比特的电极（分割像素电极505、506A、506B、507A、507B、507C、507D）的面积比接近反射率比。 [0173] 在进行透射显示的情况下，除了图4中示出的反射电极63的像素50之间的空间65A、65B以外，反射电极63A至63F还使背光从与多个分割像素电极501、502、505、506A、506B等邻接的分割像素电极之间透射。这样，具备反射电极63A至63F中的任一个的半透射式液晶显示装置1至少使用反射电极63的像素50之间的空间65A、65B进行透射显示。 [0174] 图9A中示出的显示彩色图像的像素（彩色像素）5a具有对应于R、G、B各色的副像素（像素）50R、50G、50B。各个副像素50R、50G、50B具备具有三个分割像素电极505、506A、506B的反射电极63C。反射电极63C与图8C中示出的相同。并且，对应于R的副像素50R具备滤色片22R，对应于G的副像素50G具备滤色片22G，对应于B的副像素50B具备滤色片22B。各个副像素50R、50G、50B被黑矩阵BM划分。黑矩阵BM之间的区域形成副像素50R、50G、50B的开口OP。 副像素50R、50G、50B都能够利用n=2比特进行4色阶的面积色阶。 [0175] 图9B中示出的显示彩色图像的像素（彩色像素）5b具有对应于R、G、B各色的副像素50Rb、50Gb、50Bb。各个副像素50Rb、50Gb、50Bb具备具有三个分割像素电极505b、506Ab、 506Bb的反射电极63b。分割像素电极505b、506Ab、506Bb为朝向彩色像素5b的列方向（图9B的Y方向）延伸且俯视为长方形形状的电极。分割像素电极505b、506Ab、506Bb的形状以及大小相同。 [0176] 分割像素电极505b、506Ab、506Bb以该顺序沿着彩色像素5b的行方向（图9B的X方向）排列。分割像素电极505b、506Ab、506Bb例如通过ITO等导体被电连接。因此，副像素50Rb、50Gb、50Bb通过分割像素电极505b和分割像素电极506Ab、506Bb，能够利用n=2比特进行4色阶的面积色阶。 [0177] 对应于R的副像素50Rb具备滤色片22R，对应于G的副像素50Gb具备滤色片22G，对应于B的副像素50Bb具备滤色片22B。在各个副像素50Rb、50Gb中，滤色片22R、22G彼此一部分重合，并且在各个副像素50Gb、50Bb中，滤色片22G、22B彼此一部分重合。滤色片22R、22G彼此重合的部分、滤色片22G、22B彼此重合的部分称为重叠部OL。各个副像素50Rb、50Gb、50Bb被重叠部OL划分。被重叠部OL划分的区域形成副像素50Rb、50Gb、50Bb的开口OP。 [0178] 在彩色像素5a中，由于副像素50R、50G、50B被黑矩阵BM划分，因此光不会从行方向中的副像素50R、50G、50B之间透射。在彩色像素5b中，由于50Rb、50Gb、50Bb被重叠部OL划分，因此行方向上的副像素50Rb、50Gb、50Bb之间与列方向上的副像素50Rb、50Gb、50Bb之间相比，光的透射率低。 [0179] 在彩色像素5a所具有的副像素50R、50G、50B中，开口OP中的周边长度的总和的比为1:22-1=1:2。即，在副像素50R、50G、50B中，不与黑矩阵BM接触的部分即在开口OP中出现的周边长度的总和的比为1:2。因此，即使在通过黑矩阵BM不传送列方向的光的情况下，也能够使对应于各个比特的电极（分割像素电极505、506A、506B）的面积比接近反射率比。这与不使用黑矩阵BM而使用滤色片22R、22G、22B的重叠部划分各个副像素50R、50G、50B以使列方向的光的传送少的情况相同。 [0180] 与此相对，在彩色像素5b中，对于与重叠部OL邻接的分割像素电极506Ab或者分割像素电极506Bb，邻接部分的光的传送少。因此，当求出上述周边长度的总和的比时，不使用与重叠部OL邻接的部分中的分割像素电极506Ab或者分割像素电极506Bb的边。因此，在彩色像素5b所具有的副像素50Rb、50Gb、50Bb中，开口OP中的周边长度的总和的比不是1:22-1=1:2。接着，对其理由进行具体说明。 [0181] 如果分割像素电极505b、506Ab、506Bb的长边的长度为L，短边的长度为A，则各自的周边长度为2×（L+A）。在副像素50Rb、50Bb中，对应于最下位比特的分割像素电极505b的周边长度的总和为2×（L+A），对应于最上位比特的分割像素电极506Ab、506Bb的周边长度为2×（L+A）+L+2×A=3×L+4×A。因此，在副像素50Rb、50Bb中，对应于各个比特的分割像素电极505b、506Ab、506Bb的周边长度的总和的比为2×（L+A）:3×L+4×A，不是1:2。 [0182] 同样，在副像素50Gb中，对应于最下位比特的分割像素电极505b的周边长度的总和为2×（L+A），对应于最上位比特的分割像素电极506Ab、506Bb的周边长度为2×（L+2×A）。因此，在副像素50Gb中，对应于各个比特的分割像素电极505b、506Ab、506Bb的周边长度的总和的比为L+A:L+2×A，不是1:2。 [0183] 这样，由于副像素50Rb、50Gb、50Bb的开口OP中的周边长度的总和的比不是1:22-1=1:2，因此不能使对应于各个比特的电极（分割像素电极505b、506Ab、506Bb）的面积比接近反射率比，存在色阶特性降低的可能性。在副像素被黑矩阵BM或者重叠部OL划分的情况下，如彩色像素5a的副像素50R等所具有的反射电极63C，只要在开口OP中不与黑矩阵BM接触的n-1 部分即开口OP中出现的周边长度的总和的比为1:2:...:2 即可。这样，由于能够使对应于各个比特的电极（分割像素电极505b、506Ab、506Bb）的面积比接近反射率比，因此色阶特性提高。接着，对半透射式液晶显示装置1的色阶和亮度的关系进行说明。 [0184] 图10A示出色阶0，图10B示出色阶1，图10C示出色阶2，图10D示出色阶3。在色阶0中，像素50所具备的三个分割像素电极505、506A、506B的部分全部为黑显示。在色阶1中，分割像素电极505的部分为白显示，两个分割像素电极506A、506B为黑显示。在色阶2中，两个分割像素电极506A、506B为白显示，分割像素电极505的部分为黑显示。在色阶3中，三个分割像素电极505、506A、506B的部分全部为白显示。 [0185] 在像素50中，由于分割像素电极505、506A、506B的形状、电压的施加方式、背光的扩散程度或者液晶取向，亮度和色阶的关系不是比例关系。在像素50中，使用分割像素电极505和相互电连接的分割像素电极506A、506B，能够进行2比特的面积色阶。分割像素电极 505对应于最下位的比特，分割像素电极506A、506B对应于最上位的比特。图11A～图11D示出计测像素50的亮度，对色阶进行整理的结果。如图11A～图11D所示，在像素50中，在全部的颜色，色阶3的亮度比色阶1、2低。这是因为与色阶1、2相比，在色阶3中，邻接的像素的影响大。 [0186] 例如，如图10B所示，在色阶1中，电压仅施加于像素50的分割像素电极505，因此分割像素电极505不受邻接的分割像素电极506A、506B的影响。因此，如果分割像素电极505与分割像素电极506A、506B的距离为d，则在色阶1中，分割像素电极505从分割像素电极505移动至存在于超过d/2的区域Aa的液晶分子。 [0187] 如图10C所示，在色阶2中，电压施加于像素50的分割像素电极506A、506B。分割像素电极506A、506B配置在未被施加电压的分割像素电极505的两侧，因此不受分割像素电极505的影响。因此，在色阶2中，分割像素电极506A、506B从分割像素电极506A、506B移动至存在于超过d/2的区域Aa的液晶分子。 [0188] 如图10D所示，在色阶3中，电压施加于像素50的分割像素电极505、506A、506B。因此，分割像素电极505、506A、506B在邻接的部分相互受到影响。结果，在色阶3中，分割像素电极506A、506B在与分割像素电极505邻接的部分，仅使存在于从分割像素电极506A、506B至d/2以内的区域、即以区域Ac的Ri表示的区域的液晶分子移动。并且，在色阶3中，分割像素电极505在与分割像素电极506A、506B邻接的部分，仅使存在于从分割像素电极505至d/2以内的区域、即区域Ad的Ri表示的区域的液晶分子移动。 [0189] 在色阶1中，液晶分子在分割像素电极505的全周从分割像素电极505移动超过d/2。在色阶2中，液晶分子在分割像素电极506A、506B的全周从分割像素电极506A、506B移动超过d/2。在色阶3中，分割像素电极505在其两边使液晶分子从分割像素电极505移动超过d/2，在剩余的两边仅使液晶分子从分割像素电极505移动至d/2。并且，分割像素电极506A、 506B在其三边使液晶分子从分割像素电极506A、506B移动超过d/2，在剩余的一边仅使液晶分子从分割像素电极506A、506B移动至d/2。因此，在色阶1和色阶2中，分割像素电极505、 506A、506B的周围的液晶分子移动的区域的大小成比例，但是在色阶2和色阶3中，分割像素电极505、506A、506B的周围的液晶分子移动的区域的大小不成比例。在像素50中，亮度和色阶的关系不是比例关系的原因可以考虑是液晶分子移动区域的大小由于色阶而不成比例。 [0190] 为了解决该情况，在本实施方式中，作为像素50所具备的多个电极的分割像素电极505、506A、506B以亮度和色阶成比例变化的方式被配置。具体来说，如图12所示，在分割像素电极506A、505、506B中，沿列方向（图12中为Y方向）邻接的像素50彼此的间隔d和在一个像素50内邻接的分割像素电极506A、505、506B彼此的间隔D不同。在本实施方式中，d＜D。在存在于一个像素50内的分割像素电极506A、505、506B中，对应于与上位的比特相对应的分割像素电极506A、506B相比处于下位的比特的分割像素电极505与邻接的分割像素电极的距离大。 [0191] 通常，在分割像素电极505、506A、506B中，邻接的分割像素电极505、506A、506B的间隔在行方向（图12中为X方向）以及列方向上相同。在本实施方式中，邻接的分割像素电极505、506A、506B的间隔被设置为：与在列方向上邻接的像素50彼此中邻接的分割像素电极 506A、506B的间隔d相比，在一个像素50内邻接的分割像素电极505、506A、506B彼此的间隔D大。这样，在将电压施加于像素50所具备的分割像素电极505、506A、506B全部的情况下，在分割像素电极505和分割像素电极506A、506B邻接的区域，液晶分子能够移动超过邻接的像素50之间的间隔d的1/2。因此，与邻接的分割像素电极505、506A、506B的间隔全部相同的情况相比，色阶3的亮度提高。结果，亮度和色阶成比例变化，色阶特性提高。并且，由于调整了邻接的分割像素电极505、506A、506B的间隔，因此能够比较简单地调整各色阶间的亮度。 [0192] 这样，在本实施方式中，半透射式液晶显示装置1所具有的反射电极63C至63F具有作为针对多个像素（彩色显示中为副像素）50中的每个像素设置的多个电极的分割像素电n极505、506A、506B，通过这些面积的组合，能够利用n比特进行显示2 色阶的面积色阶。并且，对应于各个比特的分割像素电极505、506A、506B等的周边长度的总和的比为1:2:...: 2n-1。因此，能够利用n比特进行面积色阶的反射电极63C至63F能够使对应于各个比特的电极（分割像素电极505、506A、506B等）的面积比接近反射率比，能够使色阶特性提高。并且，由于分割像素电极505、506A、506B等的形状以及大小相等，因此分割像素电极505、506A、 506B等的设计以及制造变得比较容易。在上述说明中，分割像素电极505、506A、506B等的形状为正方形或者长方形。但是，只要面积比以及周边长度的总和的比在本实施方式的范围内，分割像素电极505、506A、506B等的形状并不限定于正方形或者长方形。 [0193] 并且，在本实施方式中，列举说明了为了采用MIP方式而使用面积色阶法的情况，但是也可以使用其他的色阶法、例如分时色阶法。但是在分时色阶法的情况下，即使是静止画面，像素电位也会因时间而改变，从而导致像素内以及像素间的液晶分子移动。因此，与使用分时色阶法相比，优选使用面积色阶法。并且，在面积色阶法的情况下，通过将像素电极、即反射电极63进行分割，所以电极间的间隙变多，因此具有面板的透射率比不进行分割的情况高的优点。 [0194] 并且，在上述的例子中，作为具有存储功能的像素，使用具有对于每个像素能够储存数据的存储器的MIP的像素，但是这只不过是一例。作为具有存储功能的像素，能够例示出除了MIP的像素以外，例如使用公知的存储性液晶的像素。 [0195] [2-4.显示模式] [0196] 在液晶的显示模式中，具有无电场（电压）施加时成为白显示且电场施加时成为黑显示的常白模式、以及无电场施加时成为黑显示且电场施加时成为白显示的常黑模式。在这两个模式中，液晶单元的构造相同，图1的偏光板11、26的配置不同。 [0197] 在使用反射电极63的像素50之间的空间进行透射显示的情况下，并不是像素间的液晶分子全部进行转换的意思，也存在液晶分子不移动的区域。在常白模式的情况下，由于液晶分子不移动的区域的存在，不能缩减黑色，因此对比度变低。 [0198] 图13示出使用反射电极63的像素间的空间进行透射显示情况下的像素间的液晶分子的移动。在图13中，在反射电极63的中央部的位置A，液晶分子完全移动。与此相对，在像素间的反射电极63的附近的位置B，液晶分子移动一定程度，在像素间的中央部的位置C，液晶分子完全不移动。 [0199] 这样，与反射电极63的区域相比，在液晶分子完全不移动的像素间的中央部的区域，透射率极其高，因此产生漏光。因此，由于不能缩减黑色，从而对比度降低。 [0200] 图14示出常白模式情况下的像素间的透射率的模拟结果。并且，在图14中，位置A、B、C分别对应于图13的位置A、B、C。从图14的模拟结果可知，在图13中的像素间的中央部的位置C，液晶分子完全不移动，因此透射率高（例如，0.35左右）。 [0201] 因为这样的理由，作为本实施方式涉及的半透射式液晶显示装置的显示模式，优选采用常黑模式。如果是常黑模式，则在对液晶不施加电压的状态下、即液晶取向均匀的状态下，成为黑显示，由于能够缩减黑色，因此能够提高对比度。但是，并不排除采用常白模式。 [0202] 作为光学特性的实测结果的一例，在常白模式的情况下，白透射率（%）为0.93左右，黑透射率（%）为0.29左右，因此对比度为3左右。在常黑模式的情况下，白透射率（%）为0.71左右，黑透射率（%）为0.06左右，因此对比度为12左右。即，通过采用常黑模式，从而能够使对比度提高到常白模式时的四倍左右。 [0203] （滤色片的重叠） [0204] 在与形成有TFT的图1中示出的第一基板14相对向的第二基板23上形成滤色片22的情况下，需要考虑使第一基板14和第二基板23重合时的偏离（称为重叠偏离）。如图15A所示，如果使用黑矩阵BM作为遮光带将副像素50R、50G、50B之间进行划分，则如图15B所示，由于重叠偏离，导致透射率较大地变化。即使产生重叠偏离，如果以在像素50之间配置黑矩阵BM的方式增大邻接的黑矩阵BM彼此的间隔，则导致反射率降低。 [0205] 如图15C所示，使滤色片22R、22G彼此的一部分以及滤色片22G、22B彼此的一部分重叠，并利用各个重叠部OL将副像素50R、50G、50B进行划分。重叠部OL的透射率低，但是一定程度的光能够透射。因此，如果使用重叠部OL作为遮光带，则与使用黑矩阵BM作为遮光带的情况相比，即使发生如图15D所示的重叠偏离，也能够减少所引起的透射率以及反射率的变化。 [0206] （散射层） [0207] 图16中示出的半透射式液晶显示装置1a具有使光向与液晶层30相比更向被反射电极63反射的光的前进方向侧散射的散射层27。更为具体地说，半透射式液晶显示装置1a在第二基板23和1/4波长板24之间具有散射层27。散射层27是使反射电极63所反射的光散射、或使透射像素间的空间65A的背光散射的各向异性或者各向同性的层。作为散射层27，例如可以使用LCF（Light Control Film，光线控制薄膜）。 [0208] 散射层27是向前散射多、反向散射少的向前散射层。散射层27是使从指定方向入射的光散射的各向异性散射层。在光相对于第二基板23从偏光板26侧的指定方向入射的情况下，散射层27使该入射光透射而几乎不散射，并将反射电极63所反射回的光较大地散射。 [0209] 例如，如图17所示，当外部光L1相对于第二基板23从规定的方向入射时，散射层27使该外部光透射，并以散射中心轴AX1作为中心，在规定的范围内使该透射的光中的被反射电极63反射的光L2散射。外部光L1是入射第二基板23的偏光板26的平行光。外部光L1可以为非偏振光，也可以为偏振光。例如，如图17所示，散射层27包含折射率相互不同的两种区域（第一区域27B、第二区域27S）。如图18所示，散射层27也可以形成多个板状的第二区域27S在第一区域27B中以规定间隔排列的百叶窗（louver）构造，如图19所示，也可以形成柱状的第二区域27Sa排列在第一区域27B中的柱状构造。 [0210] 在散射层27，例如，第一区域27B以及第二区域27S沿厚度方向延伸，且向规定的方向倾斜。散射层27例如通过从倾斜方向对作为折射率相互不同的两种以上能够光聚合的单体或者低聚体的混合物的树脂薄膜照射紫外线而形成。并且，散射层27可以形成与上述不同的构造，并且也可以利用与上述不同的方法制造。散射层27可以为一层，也可以为多层。在散射层27为多层的情况下，相互可以为相同的构造，也可以为不同的构造。 [0211] 散射层27的散射中心轴AX1优选例如朝向主视角方向。并且，散射中心轴AX1也可以朝向与主视角方向不同的方向。在任一情况下，当使用散射层27时，由于散射层27的效果，主视角方向的亮度最亮，即，只要以反射率最高的方式设定散射中心轴AX1的方向即可。主视角与半透射式液晶显示装置1a的使用者在使用半透射式液晶显示装置1a时观看影像显示面的方位相对应，在影像显示面为方形形状的情况下，与视频显示面的一边中最接近使用者的边垂直的方位相对应。 [0212] 在使背光等从像素间的空间65A透射的情况下，由于反射电极63的图案化精度或者与第二基板23的重叠偏离等，存在背光等的透射的波动变大的可能性。特别是在通过湿处理（wet process）使用银作为反射电极63的情况下，存在上述波动变得非常大的可能性。由于通过散射层27使透射光散射，因此存在使上述波动正常化的优点。 [0213] [2-5.具体的实施例] [0214] 以下，对本实施方式涉及的半透射式液晶显示装置的具体的实施例进行说明。以下，列举采用常黑作为显示模式，并采用ECB（Electrically Controlled Birefringence，电动控制双折射）模式作为动作模式的情况进行说明，但是作为动作模式，并不限于ECB模式，也可以采用VA（Vertically Aligned，垂直取向）模式或者FFS（Fringe Field Switching，边缘场开关）模式等。 [0215] 图20是示出本实施方式的一实施例涉及的半透射式液晶显示装置的行方向（X方向）上邻接的两个像素的剖面构造的剖视图，图中，对与图1相同的位置赋予相同的符号。 [0216] 如图20所示，第一面板部10构成为从液晶层30的相反侧依次设置有偏光板11、1/2波长板12、1/4波长板13、作为TFT基板的第一基板14以及平坦化膜15，对于每个像素，在平坦化膜15上形成有反射电极63。 [0217] 在该第一面板部10，反射电极63以与像素尺寸相同程度的大小形成。并且，反射电极63的区域成为反射显示区域（反射显示部）。并且，在行方向（X方向）上邻接的两个像素的反射电极63之间，沿着列方向（Y方向）形成有空间65A。并且，虽然在本截面中未显示，但是如图4所示，在列方向上邻接的两个像素的反射电极63之间，沿着行方向形成有空间65B。 [0218] 在第一基板14上，对于每个像素列配线有对各像素传送影像信号的信号线61。该信号线61以不阻塞沿着列方向延伸的空间65A的方式，优选以与该空间65A不重叠的方式，形成在反射显示区域内。虽然在本截面中未显示，但是对于每个像素行对各像素传送扫描信号的扫描线62（参照图4），以不阻塞沿着行方向延伸的空间65B的方式，优选以与该空间65B不重叠的方式，形成在反射显示区域内。 [0219] 并且，信号线61以及扫描线62不重叠的反射电极63的像素间的空间65A、65B被使用作为透射显示区域。这里，本实施例涉及的像素构造成为在反射显示区域和透射显示区域，液晶层30的厚度、即单元间隙（cell gap）相同的单隙构造。 [0220] 与第一面板部10夹着液晶层30相对的第二面板部20构成为从液晶层30侧依次设置有透明电极21、滤色片22、第二基板23、1/4波长板24、1/2波长板25以及偏光板26。这里，示出了在行方向上邻接的两个像素、例如显示红色的R的副像素和显示绿色的G的副像素的像素构造。 [0221] 图21A、图21B示出在上述单隙构造的情况下进行了常黑的ECB模式的光学设计的一例，其中，图21A示出了CF基板侧，图21B示出了TFT基板侧。图21A、图21B表示第一面板部10的构成部件、液晶单元（液晶层30（200nm））以及第二面板部20的构成部件的各轴方向。具体来说，第一面板部10侧分别表示偏光板11的吸收轴方向、1/2波长板12（265nm）的延伸轴方向以及1/4波长板13（140nm）的延伸轴方向。并且，第二面板部20侧分别表示液晶单元的TFT基板侧/CF基板侧的摩擦方向、1/4波长板24（210nm）的延伸轴方向、1/2波长板25（255nm）的延伸轴方向以及偏光板26的吸收轴方向。 [0222] 并且，在图21中，各数值表示轴方向的角度以及相位差（延迟）。并且，相位差是在对第一面板部10、第二面板部20的各构成部件入射波长550[nm]的光时换算为波长的数值。这里，作为具体的实施例，列举单隙构造的情况进行了说明，但是也可以是在反射显示区域和透射显示区域，液晶层间隙不同的如图22所示的多隙构造。 [0223] 但是，如图22所示，在多隙构造的情况下，为了在反射显示区域和透射显示区域之间形成高度差，需要在反射电极63的像素间的空间65（A 65B）形成槽，因此与单隙构造的情况相比，工序数增加。因此，从工序的观点来看，优选采用工序数比多隙构造少的单隙构造。 [0224] 图23以及图24示出在图21A、图21B中示出的光学设计（单隙构造）中在对于对向电极（透明电极21）以及像素电极（反射电极63）的上下电极电压接通（ON）、电压断开（OFF）的情况下，反射显示区域和透射显示区域的光谱的计算结果。这里，“电压接通”是指在上下电极之间施加电压的状态，“电压断开”是指在上下电极之间不施加电压的状态。 [0225] 图23示出反射显示区域中的反射率的光谱的计算结果，图24示出透射显示区域中的透射率的光谱的计算结果。该光谱的计算结果不是再现像素间的电场分布，而使上下电极所产生的电场完全作用于液晶分子的状态。由于为单隙构造，因此与通常的多隙构造的半透射型不同，透射显示区域的相位差小，因此透射率低。 [0226] <3.变形例> [0227] 在上述实施方式中，形成如下配线构造（参照图4）：信号线61以及扫描线62为直线状的条纹配线，信号线横穿沿着行方向延伸的空间65B的像素的中间位置，扫描线62横穿沿着列方向延伸的空间65A的像素的中间位置。但是，该信号线61以及扫描线62的配线构造仅是一例，并不限定于此。 [0228] 例如，如图25所示，将信号线61以及扫描线62形成弯曲的曲折配线，并形成如下进行配线的配线构造。即，关于信号线61，在行方向上邻接的像素间，以穿过沿着列方向形成的空间65A和沿着行方向形成的空间65B的交叉部65C的方式，具体来说，以其弯曲部61A位于交叉部65C的方式进行配线。并且，关于扫描线62，在列方向上邻接的像素间，以穿过沿着行方向形成的空间65B和沿着列方向形成的空间65A的交叉部65C的方式，具体来说，以其弯曲部62A位于交叉部65C的方式进行配线。 [0229] 如使用图13以及图14所述，由于在像素间的中央部的部位C液晶分子完全不移动，因此沿着列方向形成的空间65A和沿着行方向形成的空间65B的交叉部65C的中心对透射显示最影响不好。但是，通过使信号线61以及扫描线62不穿过空间65A和空间65B的像素的中间位置，而是如上述的配线构造穿过交叉部65C，与采用前者的配线构造相比，能够实现良好的透射显示。 [0230] <4.电子设备> [0231] 以上说明的本发明涉及的半透射式液晶显示装置，能够作为任何领域的电子设备的显示部（显示装置）使用，用于将输入至电子设备的影像信号或者在电子设备内生成的影像信号显示作为图像或者影像。 [0232] 本发明涉及的半透射式液晶显示装置，在任何领域的电子设备中，优选使用作为室外使用频率较高的便携终端设备的显示部（显示装置）。作为便携终端设备，可以例示出例如数码照相机、摄像机、PDA（Personal Digital Assistant，个人数字助理）、游戏机、笔记本型个人计算机、电子书籍等便携信息设备、便携式电话机等便携通信设备等。 [0233] 从上述实施方式的说明可知，本发明涉及的半透射式液晶显示装置由于在保持与反射式显示装置同等的反射显示性能的基础上能够实现透射显示，因此能够充分发挥作为反射式液晶显示装置的特征的消耗电力少、在较亮的环境下也容易看见画面的特征。因此，在任何领域的电子设备中，具体来说在便携终端设备中，通过使用本发明涉及的半透射式液晶显示装置作为其显示部，从而能够对便携终端设备的低消耗电力化起到很大的作用。 [0234] 以下，对使用本发明涉及的半透射式液晶显示装置1、1a作为显示部的电子设备、即本发明涉及的电子设备的具体例进行说明。 [0235] 图26A示出适用本发明的数码照相机的外观，其是从前侧观看的立体图，图26B是从后侧观看的立体图。本适用例涉及的数码照相机包含闪光用的发光部111、显示部112、菜单开关113、快门按钮114等，通过使用本发明涉及的半透射式液晶显示装置1、1a作为其显示部112而被制作。 [0236] 图27是示出适用本发明的摄像机的外观的立体图。本适用例涉及的摄像机包含主体部131、位于朝向前方的侧面的被摄物体拍摄用的镜头132、拍摄时的开始/停止开关133、显示部134等，通过使用本发明涉及的半透射式液晶显示装置1、1a作为其显示部134而被制作。 [0237] 图28是示出适用本发明的笔记本型个人计算机的外观的立体图。本适用例涉及的笔记本型个人计算机包含主体部121、输入文字等时进行操作的键盘122、显示图像的显示部123等，通过使用本发明涉及的半透射式液晶显示装置1、1a作为其显示部123而被制作。 [0238] 图29A至图29G是示出本发明适用便携通信设备，例如便携式电话机的外观图。图29A是打开状态的主视图，图29B是其侧视图，图29C是关闭状态的主视图，图29D是左视图，图29E是右视图，图29F是俯视图，图29G是仰视图。 [0239] 本适用例涉及的便携式电话机包含上侧框体141、下侧框体142、连结部（这里为折叶部）143、显示器144、副显示器145、闪光灯146、照相机147等。并且，通过使用本发明涉及的半透射式液晶显示装置1、1a作为显示器144和副显示器145，而制作本适用例涉及的便携式电话机。 [0240] <5.本发明的结构> [0241] 本发明能够采用以下的结构。 [0242] （1）半透射式液晶显示装置包括：多个像素，排列成矩阵状；多个反射电极，分别具有对应多个所述像素中的每个像素设置的多个电极，通过该多个电极的面积的组合，能够进行利用n比特（显示2n色阶）的面积色阶，对应于各自比特的所述电极的周边长度的总和的比是1:2:...:2n-1；以及液晶层，设置在该反射电极和与该反射电极相对的对向电极之间，其中，使用所述反射电极进行反射显示，至少使用所述反射电极的所述像素间的空间进行透射显示，n是2以上的整数。 [0243] （2）半透射式液晶显示装置包括：多个像素，排列成矩阵状；多个反射电极，分别具有对应多个所述像素中的每个像素设置的多个电极，通过该多个电极的面积的组合，能够进行利用n比特（显示2n色阶）的面积色阶，对应于各自比特的所述电极在所述像素的开口中的周边长度的总和的比是1:2:...:2n-1；以及液晶层，设置在该反射电极和与该反射电极相对的对向电极之间，其中，使用所述反射电极进行反射显示，至少使用所述反射电极的所述像素间的空间进行透射显示，n是2以上的整数。 [0244] （3）在上述（1）或上述（2）记载的半透射式液晶显示装置中，以对应于最下位的比特的电极为中心，与所述最下位的比特相比上位的比特对应的电极被对称配置。 [0245] （4）在上述（1）或上述（2）记载的半透射式液晶显示装置中，具有三个所述电极，通过三个所述电极中的两个电极和剩余的一个电极的组合，进行面积比为2:1且2比特的面积色阶，所述两个电极邻接配置，两者在同一平面内电连接，且所述两个电极中的一个与所述一个电极邻接。 [0246] （5）在上述（4）记载的半透射式液晶显示装置中，所述半透射式液晶显示装置包括：将所述两个电极在所述平面内电连接且与所述两个电极相同材料的导体，所述两个电极和所述导体被一体形成。 [0247] （6）在上述（1）至上述（5）中任一方面记载的半透射式液晶显示装置中，多个所述电极各自的形状以及大小相等。 [0248] （7）在上述（1）至上述（6）中任一方面记载的半透射式液晶显示装置中，对应于各自比特的两个以上的所述电极彼此相互电连接。 [0249] （8）在上述（1）至上述（7）中任一方面记载的半透射式液晶显示装置中，多个所述电极以亮度和色阶成比例变化的方式配置。 [0250] （9）在上述（8）记载的半透射式液晶显示装置中，与沿列方向邻接的所述像素彼此的间隔相比，在一个所述像素内邻接的所述电极彼此的间隔更大。 [0251] （10）在上述（8）记载的半透射式液晶显示装置中，在存在于一个所述像素内的多个所述电极中，与对应于上位的比特的所述电极相比下位的比特对应的所述电极与邻接的所述电极的距离大。 [0252] （11）在上述（1）至上述（10）中任一方面记载的半透射式液晶显示装置中，沿行方向邻接的所述像素各自具有的滤色片的一部分重叠。 [0253] （12）在上述（1）至上述（11）中任一方面记载的半透射式液晶显示装置中，所述半透射式液晶显示装置包括：使光向与所述液晶层相比更向被所述反射电极反射的光的前进方向侧散射的散射层。 [0254] （13）在上述（1）至上述（12）中任一方面记载的半透射式液晶显示装置中，显示模式是常黑显示模式。 [0255] （14）在上述（1）至上述（13）中任一方面记载的半透射式液晶显示装置中，所述像素具有存储功能。 [0256] （15）在上述（14）记载的半透射式液晶显示装置中，所述像素具有存储数据的存储部。 [0257] （16）在上述（14）记载的半透射式液晶显示装置中，所述像素使用存储性液晶。 [0258] （17）电子设备包括上述（1）至上述（16）中任一方面记载的半透射式液晶显示装置。 [0259] 以上对本发明进行了说明，但是本发明并不限定于上述内容。并且，上述本发明的构成要素包含本领域技术人员能够容易想到的、实质上相同的、所谓均等范围的构成要素。此外，上述构成要素能够进行适当组合。并且，在不脱离本发明的要旨的范围内，能够省略各种构成要素、进行置换以及变更。 [0260] 符号说明 [0261] [0262] |
||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈