液晶显示装置及其制造方法 |
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| 申请号 | CN201410419282.9 | 申请日 | 2014-08-22 | 公开(公告)号 | CN104423095A | 公开(公告)日 | 2015-03-18 |
| 申请人 | 三星显示有限公司; | 发明人 | 李常求; 朴乘范; 申娜英; 李正勋; 全倞焕; 洪孝性; | ||||
| 摘要 | 本 发明 提供了 液晶 显示装置及其制造方法。液晶显示装置包括：第一 基板 、与第一基板相对设置的第二基板、液晶层、以及设置在第一基板上的 相位 差补偿膜，其中，该 相位差 补偿膜包含氟 树脂 。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种液晶显示装置，其特征在于，包括： |
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| 说明书全文 | 液晶显示装置及其制造方法技术领域[0001] 示例性实施方式涉及液晶显示装置以及制造液晶显示装置的方法。更具体地，示例性实施方式涉及包含具有改善的硬度的相位差补偿膜(phase difference compensation film)的液晶显示装置。 背景技术[0004] LCD装置通过液晶显示图像。LCD装置通常薄且重量轻、低功耗、以及低驱动电压。 [0005] 通常，LCD装置包括液晶显示屏和背光组件。LCD屏通过控制液晶的透光率显示图像。背光组件通常设置在LCD屏的下表面上并且为LCD屏提供光。背光组件通常产生非偏振光。 [0006] 在其中背光组件产生非偏振光这样的LCD装置中，LCD装置进一步包括偏振板，该偏振板偏振来自背光组件的光。然而，偏振板通常具有较厚的厚度并且其制造成本通常较高。发明内容 [0008] 示例性实施方式还提供了液晶显示装置的制造方法。 [0009] 根据一个示例性实施方式，液晶显示装置包括：第一基板；与第一基板相对设置的第二基板；液晶层；以及设置在第一基板上的相位差补偿膜，其中，该相位差补偿膜包含氟树脂。 [0010] 在一个示例性实施方式中，基于相位差补偿膜的表面部分的总原子，相位差补偿膜的表面部分的氟原子比率可以为约20原子百分数(at％)至约30at％。 [0011] 在一个示例性实施方式中，氟树脂可以包括聚四氟乙烯(“PTFE”)、氟化乙烯丙烯(氟化乙丙烯，fluorinated ethylene propylene)(“FEP”)、全氟烷氧基(perfluoroalkoxy)(“PFA”)、乙烯-四氟乙烯(“ETFE”)、聚偏氟乙烯(“PVDF”)、乙烯-三氟氯乙烯(“ECTFE”)、聚三氟氯乙烯(“PCTFE”)、或它们的组合。 [0012] 在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜可以设置在第一基板的下表面上。 [0013] 在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜可以设置在第二基板的上表面上。 [0014] 在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜可以设置在第一基板的下表面和第二基板的上表面上。 [0015] 在一个示例性实施方式中，液晶显示装置可以进一步包括设置在第二基板上的黑矩阵(黑底，black matrix)，并且相位差补偿膜可以设置在第二基板和黑矩阵之间。 [0016] 在一个示例性实施方式中，液晶显示装置可以进一步包括设置在第二基板上的黑矩阵，并且相位差补偿膜可以设置在第二基板和黑矩阵上。 [0017] 在一个示例性实施方式中，液晶显示装置可以进一步包括设置在第二基板上的外覆层(保护涂层，over-coating layer)。相位差补偿膜可以设置在外覆层上。 [0019] 在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜可以进一步包括含有氟官能团的反应性介晶(反应性液晶元，活性液晶，reactive mesogen)。 [0020] 在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜的厚度可以等于或小于约10微米(μm)。 [0021] 在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜的硬度可以等于或大于约2H的铅笔硬度。 [0022] 在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜的表面能可以等于或小于约25毫牛顿/米(mN/m)。 [0023] 根据一个示例性实施方式，液晶显示装置的制造方法包括：将含有氟树脂的缓聚剂组合物(阻聚剂组合物，retarder composition)涂覆在基板上以形成缓聚剂涂覆层(阻聚剂涂覆层，retarder coating layer)；加热缓聚剂涂覆层；将缓聚剂涂覆层暴露于光使得缓聚剂涂覆层具有光学各向异性；以及加热缓聚剂涂覆层以形成相位差补偿膜。 [0024] 在一个示例性实施方式中，基板可以是液晶显示装置的第一基板或液晶显示装置的面对第一基板的第二基板，第二基板与第一基板相对设置。 [0025] 在一个示例性实施方式中，缓聚剂组合物可以包含按重量计约10％至按重量计约30％的氟树脂、按重量计约20％至按重量计约40％的反应性介晶、按重量计约1％至按重量计约10％的光固化单体(photo-curing monomer)、按重量计约1％至按重量计约10％的热固化剂、以及按重量计约10％至按重量计约30％的溶剂。 [0026] 在一个示例性实施方式中，可以将缓聚剂组合物涂覆在第一基板的下表面上。 [0027] 在一个示例性实施方式中，可以将缓聚剂组合物涂覆在第二基板的上表面上。 [0028] 在一个示例性实施方式中，可以将缓聚剂组合物涂覆在第一基板的下表面和第二基板的上表面上。 [0029] 在本发明的示例性实施方式中，相位差补偿膜包含氟树脂，使得显著改善相位差补偿膜的硬度、防污性(anti-fouling)、以及抗刮性。因此，相位差补偿膜可能不容易被损坏。 [0030] 在这种实施方式中，相位差补偿膜可以直接形成在基板上或基板之间，从而可以降低制造成本。相位差补偿膜可以形成得较薄，从而可以省去减小单元厚度的蚀刻过程。因此，可以改善制造成本和生产率。在这种实施方式中，可以在注射液晶之前将相位差补偿膜硬化，从而液晶可能不会被相位差补偿膜损坏。透明导电层可以形成在相位差补偿膜上，从而相位差补偿膜可能不会被损坏。因此，可以改善液晶显示装置的显示质量。附图说明 [0031] 通过参照附图详细描述其示例性实施方式，本公开内容将变得更加显而易见，其中： [0032] 图1是示出根据本发明的液晶显示装置的一个示例性实施方式的框图； [0034] 图3是沿图1中的线I-I'截取的截面图； [0035] 图4是示出根据本发明的液晶显示装置的一个可替换的示例性实施方式的截面图； [0036] 图5是示出根据本发明的液晶显示装置的另一个可替换的示例性实施方式的截面图； [0037] 图6是示出根据本发明的液晶显示装置的另一个可替换的示例性实施方式的截面图； [0038] 图7是示出根据本发明的液晶显示装置的另一个可替换的示例性实施方式的截面图； [0039] 图8是示出根据本发明的液晶显示装置的另一个可替换的示例性实施方式的截面图；以及 [0040] 图9是示出根据本发明的液晶显示装置的另一个可替换的示例性实施方式的截面图。 具体实施方式[0041] 现在在下文中将参照其中示出各种实施方式的附图对本发明进行更全面的描述。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应解释为限于本文中所阐述的实施方式。更确切地，提供这些实施方式使得本公开内容详尽和完整，以及将本发明的范围完整地传达给本领域技术人员。全文中，相似的参考标号指代相似的元件。 [0042] 应当理解，当提及一个元件在另一个元件“之上”时，它可以直接地位于另一个元件之上，或者它们之间可以存在中间元件(intervening elements)。相反，当提及一个元件“直接在另一个元件之上”时，不存在中间元件。 [0043] 应当理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离本文中的教导的情况下，以下所讨论的“第一元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。 [0044] 本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的而并非旨在限制。如在本文中使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一种”，除非上下文清楚地指示出了其他方式。“或”意指“和/或”。如在本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任意及所有组合。应当进一步理解，当术语“包括”、和/或“包含”、或“含有”和/或“含”用在本说明书中时，其说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件(要素)、和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他的特征、区域、整体、步骤、操作、元件(要素)、组件、和/或它们的组。 [0045] 此外，在本文中可以使用关系术语，如“下部”、“底部”、以及“上部”或“顶部”来描述如在附图中示出的一个元件相对于另一个元件的关系。应当理解，除了在附图中示出的方向之外，关系术语旨在涵盖装置的不同方向。例如，如果附图之一中的装置是倒置的，则被描述为在其他元件“下”侧的元件便被定向在其他元件的“上”侧。因此，根据附图的特定方向，示例性术语“下部”可以涵盖“下部”和“上部”两个方向。类似地，如果附图之一中的装置是倒置的，则被描述为在其他元件“下面”或“下方”的元件将被定向在其他元件“上面”。因此，示例性术语“下面”或“下方”可以涵盖上面和下面两个方向。 [0046] 考虑到有疑虑的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的局限性)，本文中使用的“约”或者“大约”包括在由本领域普通技术人员所确定的针对特定值的可接受偏差范围内的所陈述的值和平均数(means)。例如，“约”可指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、20％、10％、5％内。 [0047] 除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)均具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。应当进一步理解，诸如在通常使用的词典中定义的那些术语的术语应被解释为具有与它们在相关领域和本公开内容的上下文中的含义一致的含义，并且不得以理想化或者过度形式化的意义进行解释，除非在本文中明确规定如此定义。 [0048] 在本文中，参照理想实施方式的示意性示图的截面图示，描述了示例性实施方式。因此，预期由于例如制造技术和/或公差的结果而产生的与示图的形状的差异。因此，本文中所描述的实施方式不应解释为限于本文所示的区域的特定形状，而应包括由于例如制造所导致的形状上的偏差。例如，被示出或被描述为平坦的区域可能典型地具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，所示出的锐角可能被圆化。因此，图中所示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制权利要求的范围。 [0049] 在下文中，将参照附图详细地描述本发明的示例性实施方式。 [0050] 图1是示出根据本发明的液晶显示装置的一个示例性实施方式的框图。图2是根据本发明示出在图1中的像素例如第一像素P1的平面图。图3是沿图1中的线I-I'截取的截面图。 [0051] 参照图1，显示屏的一个示例性实施方式包括多个栅极线GL、多个数据线DL、以及多个像素例如第一像素P1至第三像素P3。 [0052] 栅极线GL可以基本上在第一方向D1上延伸。数据线DL可以基本上在与第一方向D1垂直的第二方向D2上延伸。可替换地，栅极线GL可以基本上在第二方向D2上延伸并且数据线DL可以基本上在第一方向D1上延伸。 [0053] 像素可以基本上被布置成矩阵形式。在一个示例性实施方式中，例如，像素可以设置于由栅极线GL和数据线DL所限定的区域，但不限于此。 [0054] 每一个像素都可以被连接至相应的栅极线GL和与此相邻的相应数据线DL。 [0055] 每一个像素都可以具有基本上在第二方向D2上延伸的矩形形状。可替换地，例如，像素可以具有V形或Z形。 [0056] 参照图2和图3，液晶显示装置包括第一基板100、与第一基板100相对设置的第二基板200、设置在第一基板100和第二基板200之间的液晶层300、相位差补偿膜400A、第一偏振板500以及第二偏振板600。 [0057] 第一基板100可以是透明绝缘基板。在一个示例性实施方式中，例如，第一基板100是玻璃基板或透明塑料基板。第一基板100可以包括多个用于显示图像的像素区域。 多个像素区域可以基本上被设置成具有多个行和多个列的矩阵形式。 [0058] 像素区域中的每一个像素可以进一步包括开关元件。在一个示例性实施方式中，例如，开关元件可以是薄膜晶体管TFT。开关元件可以被连接至相应的栅极线GL和与此相邻的相应数据线DL。开关元件可以设置在栅极线GL和数据线DL的交叉区域。 [0059] 栅极图案可以包括栅电极GE和栅极线GL。栅极图案可以设置在第一基板100上。栅极线GL电连接至栅电极GE。 [0060] 栅极绝缘层110可以设置在第一基板100上以覆盖第一基板100上的栅极图案，并且可以使栅极图案绝缘。 [0062] 数据图案可以包括数据线DL、源电极SE和漏电极DE。数据图案可以设置在位于栅极绝缘层110之上的半导体图案SM上。源电极SE可以覆盖半导体图案SM。源电极SE可以电连接至数据线DL。 [0063] 漏电极DE可以与半导体图案SM上的源电极SE间隔开。半导体图案SM可以具有在源电极SE和漏电极DE之间的导电通道。 [0064] 薄膜晶体管TFT可以包含栅电极GE、源电极SE、漏电极DE、以及半导体图案SM。 [0065] 数据线DL可以设置在栅极绝缘层110上。栅极绝缘层110可以基本上设置在第一基板100的整个表面上。 [0066] 栅极绝缘层110可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在一个示例性实施方式中，例如，栅极绝缘层110可以包括苯并环丁烯聚合物、烯烃聚合物、聚酰亚胺聚合物、丙烯酰基聚合物(acryl polymer)、聚乙烯基聚合物、硅氧烷聚合物、硅聚合物、或它们的组合。 [0067] 数据绝缘层120可以设置在栅极绝缘层110上以覆盖栅极绝缘层上的数据图案。数据绝缘层120可以使数据图案绝缘。 [0068] 数据绝缘层120可以设置在栅极线GL、数据线DL、以及开关元件上。数据绝缘层120可以基本上设置在第一基板100的整个表面上。数据绝缘层120可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在一个示例性实施方式中，例如，数据绝缘层120可以包括苯并环丁烯聚合物、烯烃聚合物、聚酰亚胺聚合物、丙烯酰基聚合物、聚乙烯基聚合物、硅氧烷聚合物、硅聚合物、或它们的组合。 [0069] 滤色片层(滤色层，color filter layer)CF可以设置在数据绝缘层120上。 [0070] 通过滤色片层CF可以改变光的颜色并且通过滤色片层CF，光可以透射到液晶层300。滤色片层CF可以包括多个含有红滤色片、绿滤色片和蓝滤色片的滤色片。 [0071] 每一个滤色片可以对应于一个像素区域。邻近的滤色片可以具有彼此不同的颜色。 [0072] 在一个示例性实施方式中，彼此邻近的滤色片可以在邻近彼此的相应像素区域之间的边界上彼此部分重叠。可替换地，滤色片可以与邻近彼此的相应像素区域之间的边界隔开，即，滤色片可以以岛形设置。 [0073] 液晶显示装置可以包括设置在滤色片层CF上的第一外覆层130。 [0074] 设置在滤色片层CF上的第一外覆层130可以具有基本上平面化的表面(平坦的表面，planarized surface)。 [0075] 第一外覆层130可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在一个示例性实施方式中，例如，第一外覆层130可以包括苯并环丁烯聚合物、烯烃聚合物、聚酰亚胺聚合物、丙烯酰基聚合物、聚乙烯基聚合物、硅氧烷聚合物、硅聚合物、或它们的组合。 [0076] 像素电极PE可以设置在第一外覆层130上。 [0077] 通过经由第一外覆层130、滤色片层CF以及数据绝缘层120所限定的接触孔CH，像素电极PE可以电连接至薄膜晶体管TFT。像素电极PE可以设置在像素区域中。通过薄膜晶体管TFT将灰度电压(灰阶电压，gray scale voltage)施加至像素电极PE。在一个示例性实施方式中，例如，像素电极PE可以包括透明导电材料如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化铝锌(“AZO”)、或它们的组合。在一个示例性实施方式中，例如，像素电极PE可以包括狭缝图案。 [0078] 第二基板200可以是透明绝缘基板。在一个示例性实施方式中，例如，第二基板200可以是玻璃基板或透明塑料基板。第二基板200可以包括设置在其中设置了连接至薄膜晶体管TFT的信号线的区域中的黑矩阵BM。黑矩阵BM覆盖信号线以阻挡光。 [0079] 黑矩阵BM可以设置在其中栅极线GL、数据线DL以及开关元件设置在第一基板100上的区域中。黑矩阵BM可以包括例如铬(Cr)或氧化铬。 [0080] 黑矩阵BM可以覆盖多个基本上在第一方向D1上延伸的栅极线以阻挡光。黑矩阵BM可以设置在像素区域的非显示区域上。 [0081] 液晶显示装置可以包括设置在黑矩阵BM上的第二外覆层210。 [0082] 黑矩阵BM上的第二外覆层210可以具有平面化的表面。 [0083] 第二外覆层210可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在一个示例性实施方式中，例如，第二外覆层210可以包括苯并环丁烯聚合物、烯烃聚合物、聚酰亚胺聚合物、丙烯酰基聚合物、聚乙烯基聚合物、硅氧烷聚合物、硅聚合物、或者它们的组合。 [0084] 共用电极CE可以设置在第二外覆层210上。 [0085] 将灰度电压施加至像素电极PE以及共用电极CE以在其间产生电场。在一个示例性实施方式中，例如，共用电极CE可以包括透明导电材料，如，例如ITO、IZO、以及AZO。在一个示例性实施方式中，例如，共用电极CE可以包括狭缝图案。 [0086] 液晶层300可以设置在第一基板100和第二基板200之间。 [0087] 液晶层300可以包括液晶分子。可以通过在第一基板100和第二基板200之间产生的电场控制液晶层300中液晶分子的取向，从而控制像素相应于液晶分子的透光性。 [0088] 在一个示例性实施方式中，液晶显示装置可以具有结构如阵列上滤色片(color filter-on-array)(“COA”)结构。如在图3中示出的，在COA结构中，滤色片层CF设置在液晶层300的下表面上，并且黑矩阵BM设置在液晶层300的上表面上。可替换地，液晶显示装置具有阵列上黑矩阵(black matrix-on-array)(“BOA”)结构。在BOA结构中，滤色片层CF和黑矩阵BM设置在液晶层300的下表面上。 [0089] 在一个示例性实施方式中，液晶显示装置可以包括取向层(未示出)从而以预定方向取向液晶层300中的液晶分子。 [0090] 取向层(未示出)可以设置在液晶层300和第一外覆层130之间、以及液晶层300和第二外覆层210之间。 [0091] 取向层预倾斜液晶层300中的液晶分子。使用取向液可以形成取向层。取向液可以提供在第一基板100和第二基板200上，然后，可以部分去除取向液。可以通过例如狭缝涂覆或旋涂来涂覆取向液。在室温下或通过加热，可以部分去除取向液。可以通过将取向材料如例如聚酰亚胺与溶剂混合获得取向液。 [0092] 在一个示例性实施方式中，根据液晶层300的类型或像素电极PE和共用电极CE的结构可以省去取向层。在一个示例性实施方式中，例如，其中像素电极PE具有微缝隙，液晶分子可以在没有取向层的情况下取向，从而，可以省去取向层。在一种可替换的示例性实施方式中，其中提供用于液晶取向的反应性介晶层，可以省去取向层。 [0093] 在一个示例性实施方式中，液晶显示装置包括设置在第一基板100的下表面上的相位差补偿膜400A。 [0094] 相位差补偿膜400A可以包括例如氟树脂。 [0095] 在一个示例性实施方式中，可通过将缓聚剂组合物涂覆在第一基板100的下表面上以形成缓聚剂涂覆层来提供相位差补偿膜400A。 [0096] 在这种实施方式中，缓聚剂组合物可以包含例如氟树脂、反应性介晶、光固化单体、热固化剂以及溶剂。 [0097] 缓聚剂组合物可以包含按重量计约10％至按重量计约30％的氟树脂、按重量计约20％至按重量计约40％的反应性介晶、按重量计约1％至按重量计约10％的光固化单体、按重量计约1％至按重量计约10％的热固化剂、以及按重量计约10％至按重量计约30％的溶剂。 [0098] 在这种实施方式中，相位差补偿膜400A可以包含氟树脂以改善其硬度、防污性以及抗刮性。 [0099] 氟树脂可以是其中氢位置由氟原子取代的化合物。 [0100] 在一个示例性实施方式中，例如，氟树脂可以包括但不限于，聚四氟乙烯(“PTFE”)、氟化乙烯丙烯(“FEP”)、全氟烷氧基(“PFA”)、乙烯-四氟乙烯(“ETFE”)、聚偏氟乙烯(“PVDF”)、乙烯-三氟氯乙烯(“ECTFE”)、聚三氟氯乙烯(“PCTFE”)、或它们的组合。 [0101] 可以将包含氟树脂的缓聚剂组合物涂覆在第一基板100的下表面上。基于相位差补偿膜的表面的总原子，相位差补偿膜400A的表面部分的氟原子比率可以在约20at％至约30at％的范围内。 [0102] 当氟原子比率小于约20at％时，相位差补偿膜400A的硬度太小以致不能保护表面免于刮擦。当氟原子比率大于约30at％时，相缓聚作用可能不会有效地发生。 [0103] 基于缓聚剂组合物的总含量，氟树脂的含量可以在约10wt％至约30wt％的范围内。当氟树脂的含量小于约10wt％时，硬度可能等于或小于2H的铅笔硬度。当氟树脂的含量大于30wt％时，相缓聚作用可能不会有效地发生。 [0104] 在这种实施方式中，反应性介晶可以具有特定相。反应性介晶可以是光固化反应性介晶。反应性介晶可以包括例如脂肪族环或芳香族环。反应性介晶在终端可以包括多个官能团。 [0106] 因此，官能团中的至少一种可以包括光反应基团。在一个示例性实施方式中，例如，光反应基团可以是丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基(氧代环丁烷基，oxethane group)、乙烯基-醚基、苯乙烯基、或硫醇烯基(亚硫醇基，thiolene group)。 [0107] 基于缓聚剂组合物的总含量，反应性介晶的含量可以在约20wt％至约40wt％的范围内。当反应性介晶的含量小于约20wt％时，相缓聚作用可能不会有效地发生。当反应性介晶的含量大于约40wt％时，可能降低缓聚剂涂覆层的柔性。 [0108] 在这种实施方式中，光固化单体可以是丙烯酸酯单体。当UV射线辐照到丙烯酸酯单体时，丙烯酸酯单体可以与反应性介晶反应以硬化缓聚剂涂覆层。 [0109] 在一个示例性实施方式中，例如，丙烯酸酯单体可以是，但不限于二季戊四醇六丙烯酸酯、丙烯酸双环戊二烯酯、甲基丙烯酸二环戊二烯酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、乙二醇丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、或它们的组合。 [0110] 基于缓聚剂组合物的总含量，光固化单体的含量可以在约1wt％至约10wt％的范围内。当光固化单体的含量小于约1wt％时，可能降低缓聚剂涂覆层的稳定性。当光固化单体的含量大于10wt％时，可能降低缓聚剂涂覆层的柔性。 [0111] 在这种实施方式中，当加热热固化剂时，热固化剂可以与反应性介晶反应，从而硬化缓聚剂涂覆层。 [0112] 在一个示例性实施方式中，例如，热固化剂可以包括，但不限于胺固化剂、酸酐固化剂或咪唑固化剂。可以基于处理温度确定热固化剂。 [0113] 在一个示例性实施方式中，例如，热固化剂可以包括，但不限于二氨基二苯基甲烷(“DDM”)、二氨基二苯砜(“DDS”)、四氢邻苯二甲酸酐(“THPA”)、六氢邻苯二甲酸酐(“HHPA”)、甲基四氢邻苯二甲酸酐(“MeTHPA”)、甲基纳迪克酸酐(nadicmethyl anhydride)(“NMA”)、水解甲基纳迪克酸酐(hydrolyzed methylnadic anhydride)(“HNMA”)、邻苯二甲酸酐(“PA”)、2-苯基-4-甲基-羟基甲基咪唑、3-(3,4-二氯苯基)-1,1-二甲基脲(“DCMU”)、锍盐、磷鎓盐、二苯醚嵌段羧酸或多价羧酸的活性酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑(“TCI”)、1,1-二甲氧基-N,N-二甲基甲胺(二甲基甲酰胺二甲基缩醛，1,1-dimethoxy-N,N-dimethylmethanamine)、1-苯乙胺、2-(二乙氧基氨基)乙胺、2-苯乙胺、3-甲氧基丙胺、丁胺、环己胺、1-苯丙胺、二(2-乙基己基)胺、二丁胺、二乙胺、二亚乙基三胺、二甲基乙胺、二丙胺、二亚丙基三胺、异丙胺、N,N-双-(3-胺丙基)甲胺、N,N-二甲基异丙胺、N-乙基二异丙胺、N-辛胺、N-3-胺-3-(2-氨基乙基氨基)丙胺、丙胺、三丁胺、三丙胺、三-(2-乙基己基)胺、叔丁胺、二异丙醇胺、甲基二乙醇胺、N,N-二甲基异丙醇胺、N-甲基乙醇胺、2,6-二甲苯胺、N-乙基-N-(2-羟基乙基)苯胺、亚乙基二胺、异佛尔酮二胺、乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺、三异丙醇胺、二亚乙基三胺、亚乙基二胺、N-(2-胺乙基)乙醇胺、1-甲氧基咪唑、1-乙烯基咪唑、N,N-二甲基异丙醇胺、N-乙基-N-(2-羟基乙基)苯胺、1-甲基咪唑、N,N-二甲基环己胺、三甲基氨基乙基乙醇胺、它们的混合物。 [0114] 基于缓聚剂组合物的总含量，热固化剂的含量可以在约1wt％至约10wt％的范围内。当热固化剂的含量小于约1wt％时，可能降低缓聚剂涂覆层的稳定性。当热固化剂的含量大于约10wt％时，可能降低缓聚剂涂覆层的柔性。 [0115] 在这种实施方式中，溶剂可以是例如酮溶剂、烃溶剂或醇溶剂。 [0116] 在一个示例性实施方式中，例如，酮溶剂可以包括，但不限于丙酮、甲基乙基酮、环戊酮、环己酮或环庚酮。在一个示例性实施方式中，例如，烃溶剂可以包括，但不限于己烷、苯、甲苯、二甲苯或茴香醚。在一个示例性实施方式中，例如，醇溶剂可以包括，但不限于甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇或异丁醇。 [0117] 基于缓聚剂组合物的总含量，溶剂的含量可以在约10wt％至约30wt％的范围内。当溶剂的含量小于约10wt％时，缓聚剂组合物的粘度可能过高，使得可能降低相位差补偿膜400A的均匀性。当溶剂的含量大于约30wt％时，缓聚剂组合物的粘度可能过低，使得相位差补偿膜400A的厚度可能显著变薄。 [0118] 缓聚剂组合物可以进一步包含光聚合引发剂。光聚合引发剂可以被光分解，从而产生自由基。因此，光聚合引发剂可以活化光固化单体。 [0119] 在一个示例性实施方式中，例如，光聚合引发剂可以包括，但不限于苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、二乙氧基苯乙酮化合物、羟基-苯乙酮化合物、二苯甲酮化合物、噻吨酮化合物、蒽醌化合物、α-酰基肟酯化合物、苯基乙醛酸酯化合物(phenylglyoxylate compound)、苄基化合物、偶氮化合物、二苯硫醚化合物、酰基膦草酸酯化合物(acylphosphine oxylate compound)、有机颜料化合物、铁酞菁化合物或它们的组合。 [0120] 在一个示例性实施方式中，例如，光聚合引发剂可以包括，但不限于1-苯基-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、氨基苯乙酮、苄基二甲基缩酮、苯偶姻醚、噻吨酮、2-乙基蒽醌(“2-ETAQ”)、樟脑醌、α-萘酚、2,4-二乙基噻吨酮、三甲基苯甲酰基二苯基膦氧化物(trimethylbenzoil diphenylphosphine oxide)、二苯甲酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、或苯偶姻异丙醚。 [0121] 基于缓聚剂组合物的总含量，光聚合引发剂的含量可以在约1wt％至约10wt％的范围内。当光聚合引发剂的含量小于约1wt％时，缓聚剂组合物可能不会被充分硬化。当光聚合引发剂的含量大于约10wt％时，可能降低缓聚剂涂覆层的柔性。 [0122] 氟树脂可以包含在缓聚剂组合物中。可以将缓聚剂组合物涂覆在第一基板100上。氟树脂和反应性介晶具有不同的表面能。因此，通过曝光、干燥和加热，缓聚剂组合物中可以发生相分离。 [0123] 通常，反应性介晶的表面能可以在约30毫牛/米(mN/m)至约45mN/m的范围内，此表面能是高表面能。在示例性实施方式中，相位差补偿膜400A的表面能可以等于或小于25mN/m。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400A的表面能可以在约10mN/m至约25mN/m的范围内。 [0124] 相位差补偿膜400A的硬度可以等于或大于2H的铅笔硬度。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400A的硬度可以是约2H至约5H的铅笔硬度。 [0125] 可以通过狭缝涂覆、喷墨涂覆、辊涂或旋涂等涂覆缓聚剂组合物。缓聚剂组合物可以是液态，并且粘度可以在约1毫帕秒(mPas)至约50mPas的范围内。 [0126] 可以加热缓聚剂涂覆层。通过加热装置可以干燥包括涂覆在其上的缓聚剂涂覆层的第一基板100。在一个示例性实施方式中，例如，加热装置可以是热板。加热装置可以将缓聚剂涂覆层的表面温度设置在约70℃至约110℃的范围内。当加热第一基板100时，热固化剂和反应性介晶可以彼此反应，并且可以去除缓聚剂涂覆层中的溶剂。 [0128] 可替换地，缓聚剂涂覆层可以具有多层结构。在这种实施方式中，当缓聚剂涂覆层具有多层结构时，可以通过具有不同波长的UV射线使多层结构中的每一层曝光。 [0129] 可以加热缓聚剂涂覆层。可以通过可塑性装置加热通过UV射线曝光的第一基板100。在一个示例性实施方式中，例如，可塑性装置可以是烘箱。可塑性装置可以将可塑性装置的内部温度设置在约110℃至约130℃的范围内。当加热第一基板100时，缓聚剂涂覆层中的缓聚作用可以在基本上垂直于UV曝光方向的方向上发生，即，沿通过UV射线设置的第一基板100的方向。在这种实施方式中，当加热第一基板100时，缓聚剂涂覆层可以被大量或完全硬化，并且可以扩大光学各向异性。 [0130] 如以上所述的，在这种实施方式中，可以通过加热形成设置在第一基板100的下表面上并且包含氟树脂的相位差补偿膜400A。 [0131] 相位差补偿膜400A的厚度可以等于或小于约10微米(μm)。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400A的厚度可以等于或小于约5μm。 [0132] 相位差补偿膜400A可以进一步包括含有氟官能团的反应性介晶。 [0133] 反应性介晶可以包括多个氟官能团。包括氟官能团的反应性介晶可以基本上类似于氟树脂，使得可以通过曝光、干燥和加热在缓聚剂组合物中发生相分离。 [0134] 与不包括氟官能团的反应性介晶相比，包括氟官能团的反应性介晶可以具有更低的表面能。在一个示例性实施方式中，包括氟官能团的反应性介晶可以设置在相位差补偿膜400A的表面上。在这种实施方式中，不包括氟官能团的反应性介晶可以设置成邻近于第一基板100的下表面。氟树脂和包括氟官能团的反应性介晶可以设置在第一基板100和不包括氟官能团的反应性介晶之间。因此，在这种实施方式中，可以增大相位差补偿膜400A的硬度、防污性和抗刮性。 [0135] 液晶显示装置可以进一步包括设置在第一基板100的下表面上的第一偏振板500、以及设置在第二基板200的上表面上的第二偏振板600。 [0136] 在一个示例性实施方式中，例如，第一偏振板500可以附着在第一基板100的下表面上。第一偏振板500可以偏振由背光组件(未示出)提供的光。第一偏振板500可以具有第一偏振轴。因此，第一偏振板500可以使得由背光组件提供的光中具有第一偏振轴的光通过。 [0137] 在一个示例性实施方式中，例如，第二偏振板600可以附着在第二基板200的上表面上。第二偏振板600可以偏振通过滤色片层CF和液晶层300的光。第二偏振板600可以具有第二偏振轴。第二偏振轴可以垂直于第一偏振轴。因此，第二偏振板600可以使得来自滤色片层CF和液晶层300的光中的具有第二偏振轴的光通过。 [0138] 在一个示例性实施方式中，液晶显示装置可以是外嵌式(on-cell type)，其中，第一偏振板500设置在第一基板100的下表面上，并且第二偏振板600设置在第二基板200的上表面上。可替换地，液晶显示装置可以是内嵌式(in-cell type)，其中，第一偏振板和第二偏振板设置在第一基板和第二基板之间。 [0139] 图4是示出根据本发明的液晶显示装置的一种可替换的示例性实施方式的截面图。 [0140] 参照图4，液晶显示装置的一种可替换的示例性实施方式包括：第一基板100、第二基板200、液晶层300、相位差补偿膜400B、第一偏振板500、以及第二偏振板600。 [0141] 除了相位差补偿膜400B之外，示出在图4中的液晶显示装置基本上与示出在图3中的液晶显示装置相同。示出在图4中的相同或相似元件已经用上述用于描述图3中示出的液晶显示装置的示例性实施方式的相同参考符号标记，并且在下文中将省去或者简化任何其重复性细节描述。 [0142] 在一个示例性实施方式中，如在图4中示出的，液晶显示装置包括设置在第二基板200的上表面上的相位差补偿膜400B。 [0143] 在这种实施方式中，相位差补偿膜400B可以包含氟树脂。 [0144] 可以通过将缓聚剂组合物涂覆在第二基板200的上表面上以形成缓聚剂涂覆层来提供相位差补偿膜400B。 [0145] 缓聚剂组合物可以包含氟树脂、反应性介晶、光固化单体、热固化剂以及溶剂。 [0146] 相位差补偿膜400B可以包含氟树脂以改善其硬度、防污性以及抗刮性。 [0147] 氟树脂可以包含在缓聚剂组合物中。可以将缓聚剂组合物涂覆在第二基板200上。氟树脂和反应性介晶具有不同的表面能。因此，通过曝光、干燥和加热，缓聚剂组合物中可以发生相分离。 [0148] 通常，反应性介晶的表面能可以在约30mN/m至约45mN/m的范围内，此表面能是高表面能。在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜400B的表面能可以等于或小于25mN/m。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400B的表面能可以在约10mN/m至约25mN/m的范围内。 [0149] 相位差补偿膜400B的硬度可以等于或大于2H的铅笔硬度。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400B的硬度可以是约2H至约5H的铅笔硬度。 [0150] 例如，可以通过狭缝涂覆、喷墨涂覆、辊涂或旋涂来涂覆缓聚剂组合物。缓聚剂组合物可以是液态，并且粘度可以在约1mPas至约50mPas的范围内。 [0151] 可以加热缓聚剂涂覆层。通过加热装置可以干燥包括涂覆在其上的缓聚剂涂覆层的第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，加热装置可以是热板。加热装置可以将缓聚剂涂覆层的表面温度设置在70℃至110℃的范围内。当加热第二基板200时，热固化剂和反应性介晶可以彼此反应，并且可以去除缓聚剂涂覆层中的溶剂。 [0152] 然后，通过UV射线使缓聚剂涂覆层曝光。因此，光固化单体、反应性介晶可以彼此反应，使得缓聚剂涂覆层可以具有光学各向异性。 [0153] 在一个示例性实施方式中，缓聚剂涂覆层可以具有，但不限于单层结构。 [0154] 可替换地，缓聚剂涂覆层可以具有多层结构。当缓聚剂涂覆层具有多层结构时，可以通过具有不同波长的UV射线使多层结构中的每一层曝光。 [0155] 可以加热缓聚剂涂覆层。可以通过可塑性装置加热通过UV射线曝光的第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，可塑性装置可以是烘箱。可塑性装置可以将可塑性装置的内部温度设置在110℃至130℃的范围内。当加热第二基板200时，可以在垂直于UV曝光方向的方向上发生缓聚剂涂覆层中的缓聚作用。在这种实施方式中，当加热第二基板 200时，缓聚剂涂覆层可以被基本上或完全硬化，并且从而可以增强光学各向异性。 [0156] 如以上所述的，在这种实施方式中，可以通过加热形成设置在第二基板200的上表面上并且包含氟树脂的相位差补偿膜400B。 [0157] 相位差补偿膜400B的厚度可以等于或小于约10μm。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400B的厚度可以等于或小于约5μm。 [0158] 相位差补偿膜400B可以进一步包括含有氟官能团的反应性介晶。 [0159] 反应性介晶可以包括多个氟官能团。包括氟官能团的反应性介晶可以基本上类似于氟树脂，使得可以通过曝光、干燥和加热在缓聚剂组合物中发生相分离。 [0160] 与不包括氟官能团的反应性介晶相比，包括氟官能团的反应性介晶可以具有更低的表面能。因此，在一个示例性实施方式中，包括氟官能团的反应性介晶可以设置在相位差补偿膜400B的表面上。不包括氟官能团的反应性介晶可以设置成邻近于第二基板200的上表面。氟树脂和包括氟官能团的反应性介晶可以设置在第二基板200和不包括氟官能团的反应性介晶之间。因此，在这种实施方式中，可以增大相位差补偿膜400B的硬度、防污性和抗刮性。 [0161] 图5是示出根据本发明的液晶显示装置的另一个可替换的示例性实施方式的截面图。 [0162] 参照图5，液晶显示装置包括：第一基板100、第二基板200、液晶层300、相位差补偿膜400A及400B、第一偏振板500、以及第二偏振板600。 [0163] 除了相位差补偿膜400A、400B之外，示出在图5中的液晶显示装置基本上与示出在图3中的液晶显示装置相同。示出在图5中的相同或相似元件已经用上述用于描述图3中示出的液晶显示装置的示例性实施方式的相同参考符号标记，并且在下文中将省去或者简化任何其重复性细节描述。 [0164] 根据示例性实施方式，液晶显示装置包括相位差补偿膜，例如，设置在第一基板100的下表面上的第一相位差补偿膜400A、以及设置在第二基板200的上表面上的第二相位差补偿膜400B。 [0165] 相位差补偿膜400A、400B可以包含氟树脂。 [0166] 可以通过将缓聚剂组合物涂覆在第一基板100的下表面和第二基板200的上表面上以形成缓聚剂涂覆层来提供相位差补偿膜400A、400B。 [0167] 缓聚剂组合物可以包含氟树脂、反应性介晶、光固化单体、热固化剂以及溶剂。 [0168] 相位差补偿膜400A、400B可以包含氟树脂以改善其硬度、防污性以及抗刮性。 [0169] 氟树脂可以包含在缓聚剂组合物中。可以将缓聚剂组合物涂覆在第一基板和第二基板200上。氟树脂和反应性介晶具有不同的表面能。因此，通过曝光、干燥和加热，缓聚剂组合物中可以发生相分离。 [0170] 通常，反应性介晶的表面能可以在约30mN/m至约45mN/m的范围内，此表面能是高表面能。在示例性实施方式中，相位差补偿膜400A、400B的表面能可以等于或小于25mN/m。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400A、400B的表面能可以在约10mN/m至约 25mN/m的范围内。 [0171] 相位差补偿膜400A、400B的硬度可以等于或大于2H的铅笔硬度。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400A、400B的硬度可以是约2H至约5H的铅笔硬度。 [0172] 例如，可以通过狭缝涂覆、喷墨涂覆、辊涂或旋涂来涂覆缓聚剂组合物。缓聚剂组合物可以是液态，并且粘度可以在约1mPas至约50mPas的范围内。 [0173] 可以加热缓聚剂涂覆层。通过加热装置可以干燥包括涂覆在其上的缓聚剂涂覆层的第一基板100和第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，加热装置可以是热板。加热装置可以将缓聚剂涂覆层的表面温度设置在70℃至110℃的范围内。当加热第一基板 100和第二基板200时，热固化剂和反应性介晶可以彼此反应，并且可以去除缓聚剂涂覆层中的溶剂。 [0174] 然后，通过UV射线曝光缓聚剂涂覆层。因此，光固化单体、反应性介晶可以彼此反应，使得缓聚剂涂覆层可以具有光学各向异性。在一个示例性实施方式中，缓聚剂涂覆层可以具有但不限于单层。 [0175] 可替换地，缓聚剂涂覆层可以具有多层结构。当缓聚剂涂覆层是多层结构时，可以通过具有不同波长的UV射线曝光多层结构中的每一层。 [0176] 可以加热缓聚剂涂覆层。可以通过可塑性装置加热通过UV射线曝光的第一基板100和第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，可塑性装置可以是烘箱。可塑性装置可以将可塑性装置的内部温度设置在110℃至130℃的范围内。当加热第一基板100和第二基板200时，可以在垂直于UV曝光方向的方向上发生缓聚剂涂覆层中的缓聚作用。在这种实施方式中，当加热第一基板100和第二基板200时，缓聚剂涂覆层可以被基本上或完全硬化，并且从而可以增强光学各向异性。 [0177] 如以上所述的，在这种实施方式中，可以通过加热形成设置在第一基板100的下表面上并且包含氟树脂的第一相位差补偿膜400A以及设置在第二基板200的上表面上并且包含氟树脂的第二相位差补偿膜400B。 [0178] 相位差补偿膜400A、400B的厚度可以等于或小于约10μm。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400A、400B的厚度可以等于或小于约5μm。 [0179] 相位差补偿膜400A、400B可以进一步包括含有氟官能团的反应性介晶。 [0180] 反应性介晶可以包括多个氟官能团。包括氟官能团的反应性介晶可以基本上类似于氟树脂，使得可以通过曝光、干燥和加热在缓聚剂组合物中发生相分离。 [0181] 与不包括氟官能团的反应性介晶相比，包括氟官能团的反应性介晶可以具有更低的表面能。因此，在一个示例性实施方式中，包括氟官能团的反应性介晶可以设置在相位差补偿膜400A、400B的表面上。在这种实施方式中，不包括氟官能团的反应性介晶可以设置成邻近于第一基板100的下表面和第二基板200的上表面。氟树脂和包括氟官能团的反应性介晶可以设置在第一基板100和不包括氟官能团的反应性介晶之间。氟树脂和包括氟官能团的反应性介晶可以设置在第二基板200和不包括氟官能团的反应性介晶之间。因此，在这种实施方式中，可以增大相位差补偿膜400A、400B的硬度、防污性和抗刮性。 [0182] 图6是示出根据本发明的液晶显示装置的另一种可替换的示例性实施方式的截面图。 [0183] 参照图6，液晶显示装置包括：第一基板100、第二基板200、液晶层300、黑矩阵BM、设置在第二基板200和黑矩阵BM之间的相位差补偿膜400C、第一偏振板500、以及第二偏振板600。 [0184] 除了相位差补偿膜400C之外，示出在图6中的液晶显示装置基本上与示出在图3中的液晶显示装置相同。示出在图6中的相同或相似元件已经用上述用于描述图3中示出的液晶显示装置的示例性实施方式的相同参考符号标记，并且在下文中将省去或者简化任何其重复性细节描述。 [0185] 在示例性实施方式中，如在图6中示出的，液晶显示装置包括设置在第二基板200和黑矩阵BM之间的相位差补偿膜400C。 [0186] 相位差补偿膜400C可以包含氟树脂。 [0187] 可以通过将缓聚剂组合物涂覆在第二基板200的下表面上以形成缓聚剂涂覆层来提供相位差补偿膜400C。 [0188] 缓聚剂组合物可以包含氟树脂、反应性介晶、光固化单体、热固化剂以及溶剂。 [0189] 相位差补偿膜400C可以包含氟树脂以改善其硬度、防污性以及抗刮性。 [0190] 氟树脂可以包含在缓聚剂组合物中。可以将缓聚剂组合物涂覆在第二基板200上。氟树脂和反应性介晶具有不同的表面能。因此，通过曝光、干燥和加热，可以在缓聚剂组合物中发生相分离。 [0191] 通常，反应性介晶的表面能可以在约30mN/m至约45mN/m的范围内，此表面能是高表面能。在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜400C的表面能可以等于或小于25mN/m。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400C的表面能可以在约10mN/m至约25mN/m的范围内。 [0192] 相位差补偿膜400C的硬度可以等于或大于2H的铅笔硬度。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400C的硬度可以是约2H至约5H的铅笔硬度。 [0193] 例如，可以通过狭缝涂覆、喷墨涂覆、辊涂或旋涂来涂覆缓聚剂组合物。缓聚剂组合物可以是液态，并且粘度可以在约1mPas至约50mPas的范围内。 [0194] 可以加热缓聚剂涂覆层。通过加热装置可以干燥包括涂覆在其上的缓聚剂涂覆层的第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，加热装置可以是热板。加热装置可以将缓聚剂涂覆层的表面温度设置在70℃至110℃的范围内。当加热第二基板200时，热固化剂和反应性介晶可以彼此反应，并且可以去除缓聚剂涂覆层中的溶剂。 [0195] 然后，通过UV射线使缓聚剂涂覆层曝光。因此，光固化单体、反应性介晶可以彼此反应，使得缓聚剂涂覆层可以具有光学各向异性。根据示例性实施方式，缓聚剂涂覆层可以具有但不限于单层结构。 [0196] 可替换地，缓聚剂涂覆层可以具有多层结构。当缓聚剂涂覆层具有多层结构时，可以通过具有不同波长的UV射线使多层结构中的每一层曝光。 [0197] 可以加热缓聚剂涂覆层。可以通过可塑性装置加热通过UV射线曝光的第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，可塑性装置可以是烘箱。可塑性装置可以将可塑性装置的内部温度设置在110℃至130℃的范围内。当加热第二基板200时，可以在垂直于UV曝光方向的方向上发生缓聚剂涂覆层中的缓聚作用。在这种实施方式中，当加热第二基板 200时，使得缓聚剂涂覆层可以被基本上或完全硬化，并且可以增强光学各向异性。 [0198] 如以上所述的，在这种实施方式中，可以通过加热形成设置在第二基板200的下表面上并且包含氟树脂的相位差补偿膜400C。 [0199] 相位差补偿膜400C的厚度可以等于或小于约10μm。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400C的厚度可以等于或小于约5μm。 [0200] 相位差补偿膜400C可以进一步包括含有氟官能团的反应性介晶。 [0201] 反应性介晶可以包括氟官能团。包括氟官能团的反应性介晶可以基本上类似于氟树脂，使得可以通过曝光、干燥和加热在缓聚剂组合物中发生相分离。 [0202] 图7是示出根据本发明的液晶显示装置的另一种可替换的示例性实施方式的截面图。 [0203] 参照图7，液晶显示装置包括：第一基板100、第二基板200、液晶层300、黑矩阵BM、设置在黑矩阵BM上的相位差补偿膜400D、第一偏振板500、以及第二偏振板600。 [0204] 除了相位差补偿膜400D之外，示出在图7中的液晶显示装置基本上与示出在图3中的液晶显示装置相同。示出在图7中的相同或相似元件已经用上述用于描述图3中示出的液晶显示装置的示例性实施方式的相同参考符号标记，并且在下文中将省去或者简化任何其重复性细节描述。 [0205] 在示例性实施方式中，液晶显示装置包括设置在黑矩阵BM上的相位差补偿膜400D。黑矩阵BM设置在第二基板200上，并且相位差补偿膜400D设置在包括设置在其上的黑矩阵BM的第二基板200上。 [0206] 相位差补偿膜400D可以包含氟树脂。 [0207] 可以通过将缓聚剂组合物涂覆在第二基板200的下表面上以形成缓聚剂涂覆层来提供相位差补偿膜400D。 [0208] 缓聚剂组合物可以包含氟树脂、反应性介晶、光固化单体、热固化剂以及溶剂。 [0209] 相位差补偿膜400D可以包含氟树脂以改善其硬度、防污性以及抗刮性。 [0210] 氟树脂可以包含在缓聚剂组合物中。可以将缓聚剂组合物涂覆在第二基板200上。氟树脂和反应性介晶具有不同的表面能。因此，通过曝光、干燥和加热，缓聚剂组合物中可以发生相分离。 [0211] 通常，反应性介晶的表面能可以在约30mN/m至约45mN/m的范围内，此表面能是高表面能。在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜400D的表面能可以等于或小于25mN/m。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400D的表面能可以在约10mN/m至约25mN/m的范围内。 [0212] 相位差补偿膜400D的硬度可以等于或大于2H的铅笔硬度。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400D的硬度可以是约2H至约5H的铅笔硬度。 [0213] 例如，可以通过狭缝涂覆、喷墨涂覆、辊涂或旋涂来涂覆缓聚剂组合物。缓聚剂组合物可以是液态，并且粘度可以在约1mPas至约50mPas的范围内。 [0214] 可以加热缓聚剂涂覆层。通过加热装置可以干燥涂覆缓聚剂涂覆层的第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，加热装置可以是热板。加热装置可以将缓聚剂涂覆层的表面温度设置在70℃至110℃的范围内。当加热第二基板200时，热固化剂和反应性介晶可以彼此反应，并且可以去除缓聚剂涂覆层中的溶剂。 [0215] 然后，通过UV射线使缓聚剂涂覆层曝光。因此，光固化单体、反应性介晶可以彼此反应，使得缓聚剂涂覆层可以具有光学各向异性。在一个示例性实施方式中，缓聚剂涂覆层可以具有但不限于单层结构。 [0216] 可替换地，缓聚剂涂覆层可以具有多层结构。当缓聚剂涂覆层具有多层结构时，可以通过具有不同波长的UV射线使多层结构中的每一层曝光。 [0217] 可以加热缓聚剂涂覆层。可以通过可塑性装置加热通过UV射线曝光的第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，可塑性装置可以是烘箱。可塑性装置可以将可塑性装置的内部温度设置在110℃至130℃的范围内。当加热第二基板200时，可以在垂直于UV曝光方向的方向上发生缓聚剂涂覆层中的缓聚作用。在这种实施方式中，当加热第二基板 200时，缓聚剂涂覆层可以被基本上或完全硬化，从而可以增强光学各向异性。 [0218] 如以上所述的，在这种实施方式中，可以通过加热形成设置在黑矩阵BM上并且包含氟树脂的相位差补偿膜400D。 [0219] 相位差补偿膜400D的厚度可以等于或小于约10μm。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400D的厚度可以等于或小于约5μm。 [0220] 相位差补偿膜400D可以进一步包括含有氟官能团的反应性介晶。 [0221] 反应性介晶可以包括多个氟官能团。包括氟官能团的反应性介晶可以基本上类似于氟树脂，使得通过曝光、干燥和加热在缓聚剂组合物中可以发生相分离。 [0222] 图8是示出根据本发明的液晶显示装置的另一种可替换的示例性实施方式的截面图。 [0223] 参照图8，液晶显示装置的示例性实施方式包括：第一基板100、第一外覆层120、第二基板200、第二外覆层210、液晶层300、黑矩阵BM、设置在第二外覆层210上的相位差补偿膜400E、第一偏振板500、以及第二偏振板600。 [0224] 除了相位差补偿膜400E之外，示出在图8中的液晶显示装置基本上与示出在图3中的液晶显示装置相同。示出在图8中的相同或相似元件已经用上述用于描述图3中示出的液晶显示装置的示例性实施方式的相同参考符号标记，并且在下文中将省去或者简化任何其重复性细节描述。 [0225] 在示例性实施方式中，如在图8中示出的，液晶显示装置包括设置在第二外覆层210上的相位差补偿膜400E。第二外覆层210设置在第二基板200上，并且相位差补偿膜 400E设置在包括设置在其上的第二外覆层210的第二基板200上。 [0226] 相位差补偿膜400E可以包含氟树脂。 [0227] 可以通过将缓聚剂组合物涂覆在第二外覆层210上以形成缓聚剂涂覆层来提供相位差补偿膜400E。 [0228] 缓聚剂组合物可以包含氟树脂、反应性介晶、光固化单体、热固化剂以及溶剂。 [0229] 相位差补偿膜400E可以包含氟树脂以改善其硬度、防污性以及抗刮性。 [0230] 氟树脂可以包含在缓聚剂组合物中。可以将缓聚剂组合物涂覆在第二基板200上。氟树脂和反应性介晶具有不同的表面能。因此，通过曝光、干燥和加热，缓聚剂组合物中可以发生相分离。 [0231] 通常，反应性介晶的表面能可以在约30mN/m至约45mN/m的范围内，此表面能是高表面能。在这种实施方式中，相位差补偿膜400E的表面能可以等于或小于25mN/m。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400E的表面能可以在约10mN/m至约25mN/m的范围内。 [0232] 相位差补偿膜400E的硬度可以等于或大于2H的铅笔硬度。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400E的硬度可以是约2H至约5H的铅笔硬度。 [0233] 例如，可以通过狭缝涂覆、喷墨涂覆、辊涂或旋涂来涂覆缓聚剂组合物。缓聚剂组合物可以是液态，并且粘度可以在约1mPas至约50mPas的范围内。 [0234] 可以加热缓聚剂涂覆层。通过加热装置可以干燥包括涂覆在其上的缓聚剂涂覆层的第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，加热装置可以是热板。加热装置可以将缓聚剂涂覆层的表面温度设置在70℃至110℃的范围内。当加热第二基板200时，热固化剂和反应性介晶可以彼此反应，并且可以去除缓聚剂涂覆层中的溶剂。 [0235] 然后，通过UV射线使缓聚剂涂覆层曝光。因此，光固化单体、反应性介晶可以彼此反应，使得缓聚剂涂覆层可以具有光学各向异性。在示例性实施方式中，缓聚剂涂覆层可以具有但不限于单层结构。 [0236] 可替换地，缓聚剂涂覆层可以具有多层结构。当缓聚剂涂覆层具有多层结构时，可以通过具有不同波长的UV射线使多层结构中的每一层曝光。 [0237] 可以加热缓聚剂涂覆层。可以通过可塑性装置加热通过UV射线曝光的第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，可塑性装置可以是烘箱。可塑性装置可以将可塑性装置的内部温度设置在110℃至130℃的范围内。当加热第二基板200时，可以在垂直于UV曝光方向的方向上发生缓聚剂涂覆层中的缓聚作用。在这种实施方式中，当加热第二基板 200时，缓聚剂涂覆层可以被基本上或完全硬化，从而可以增强光学各向异性。 [0238] 如以上所述的，在这种实施方式中，可以通过加热形成设置在第二外覆层210上并且包含氟树脂的相位差补偿膜400E。 [0239] 相位差补偿膜400E的厚度可以等于或小于约10μm。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400E的厚度可以等于或小于约5μm。 [0240] 相位差补偿膜400E可以进一步包括含有氟官能团的反应性介晶。 [0241] 在这种实施方式中，反应性介晶可以包括多个氟官能团。包括氟官能团的反应性介晶基本上可以类似于氟树脂，使得通过曝光、干燥和加热在缓聚剂组合物中可以发生相分离。 [0242] 图9是示出根据本发明的液晶显示装置的另一种可替换的示例性实施方式的截面图。 [0243] 参照图9，液晶显示装置包括：第一基板100、第二基板200、液晶层300、共用电极CE、设置在共用电极CE上的相位差补偿膜400F、第一偏振板500、以及第二偏振板600。 [0244] 除了相位差补偿膜400F之外，示出在图9中的液晶显示装置基本上与示出在图3中的液晶显示装置相同。示出在图9中的相同或相似元件已经用上述用于描述图3中示出的液晶显示装置的示例性实施方式的相同参考符号标记，并且在下文中将省去或者简化任何其重复性细节描述。 [0245] 在一个示例性实施方式中，液晶显示装置包括设置在共用电极CE上的相位差补偿膜400F。共用电极CE设置在第二基板200上，并且相位差补偿膜400F设置在包括设置在其上的共用电极CE的第二基板200上。 [0246] 相位差补偿膜400F可以包含氟树脂。 [0247] 可以通过将缓聚剂组合物涂覆在共用电极CE上以形成缓聚剂涂覆层来提供相位差补偿膜400F。 [0248] 缓聚剂组合物可以包含氟树脂、反应性介晶、光固化单体、热固化剂以及溶剂。 [0249] 相位差补偿膜400F可以包含氟树脂以改善其硬度、防污性以及抗刮性。 [0250] 氟树脂可以包含在缓聚剂组合物中。可以将缓聚剂组合物涂覆在第二基板200上。氟树脂和反应性介晶具有不同的表面能。因此，通过曝光、干燥和加热，缓聚剂组合物中可以发生相分离。 [0251] 通常，反应性介晶的表面能可以在约30mN/m至约45mN/m的范围内，此表面能是高表面能。在一个示例性实施方式中，相位差补偿膜400F的表面能可以等于或小于25mN/m。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400F的表面能可以在约10mN/m至约25mN/m的范围内。 [0252] 相位差补偿膜400F的硬度可以等于或大于2H的铅笔硬度。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400F的硬度可以是约2H至约5H的铅笔硬度。 [0253] 例如，可以通过狭缝涂覆、喷墨涂覆、辊涂或旋涂来涂覆缓聚剂组合物。缓聚剂组合物可以是液态，并且粘度可以在约1mPas至约50mPas的范围内。 [0254] 可以加热缓聚剂涂覆层。通过加热装置可以干燥包括涂覆在其上的缓聚剂涂覆层的第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，加热装置可以是热板。加热装置可以将缓聚剂涂覆层的表面温度设置在70℃至110℃的范围内。当加热第二基板200时，热固化剂和反应性介晶可以彼此反应，并且可以去除缓聚剂涂覆层中的溶剂。 [0255] 然后，通过UV射线使缓聚剂涂覆层曝光。因此，光固化单体、反应性介晶可以彼此反应，使得缓聚剂涂覆层可以具有光学各向异性。在示例性实施方式中，缓聚剂涂覆层可以具有但不限于单层结构。 [0256] 可替换地，缓聚剂涂覆层可以具有多层结构。当缓聚剂涂覆层具有多层结构时，可以通过具有不同波长的UV射线使多层结构中的每一层曝光。 [0257] 可以加热缓聚剂涂覆层。可以通过可塑性装置加热通过UV射线曝光的第二基板200。在一个示例性实施方式中，例如，可塑性装置可以是烘箱。可塑性装置可以将可塑性装置的内部温度设置在110℃至130℃的范围内。当加热第二基板200时，可以在垂直于UV曝光方向的方向上发生缓聚剂涂覆层中的缓聚作用。在这种实施方式中，当加热第二基板 200时，缓聚剂涂覆层可以被基本上或完全硬化，从而可以增强光学各向异性。 [0258] 如以上所述的，在这种实施方式中，可以通过加热形成设置在共用电极CE上并且包含氟树脂的相位差补偿膜400F。 [0259] 相位差补偿膜400F的厚度可以等于或小于约10μm。在一个示例性实施方式中，例如，相位差补偿膜400F的厚度可以等于或小于约5μm。 [0260] 相位差补偿膜400F可以进一步包括含有氟官能团的反应性介晶。 [0261] 反应性介晶可以包括多个氟官能团。包括氟官能团的反应性介晶可以基本上类似于氟树脂，使得通过曝光、干燥和加热在缓聚剂组合物中可以发生相分离。 [0262] 如在本文中所述的，在示例性实施方式中，相位差补偿膜可以直接提供，例如形成在基板上或基板之间，从而可以降低制造成本。可以提供具有薄厚度的相位差补偿膜，使得可以省去减小单元厚度的蚀刻过程。因此，在这种实施方式中，可以改善制造成本和生产率。在这种实施方式中，可以在注射液晶之前将相位差补偿膜基本上硬化，使得液晶可能不会被相位差补偿膜损坏。在一个示例性实施方式中，透明导电层可以提供，例如形成在相位差补偿膜上，从而相位差补偿膜可以被有效地保护。因此，在这种实施方式中，基本上可以改善液晶显示装置的显示质量。 |
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