1.一种拉曼散射光增强设备，
在半导体基板中形成有空孔的光子结晶中具有波导，该波导相对于入射光以多个频率具有共振模式，
一个共振模式与另一个共振模式的频率差变成与所述半导体基板的拉曼位移频率相等，
其特征在于，
设定所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向，以使得由所述两个共振模式的电磁场分布和所述半导体基板的拉曼张量来表达的拉曼跃迁概率成为最大。
2.根据权利要求1所述的拉曼散射光增强设备，其特征在于，
所述两个共振模式是基底导波模式和第一激励导波模式。
3.根据权利要求2所述的拉曼散射光增强设备，其特征在于，
所述半导体基板是硅，并且所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向是所述硅的结晶方位[100]方向、或与所述硅的结晶方位[100]方向等效的面方位。
4.根据权利要求1所述的拉曼散射光增强设备，其特征在于，
在由所述光子结晶中形成的线状的缺陷构成的所述波导中具有光谐振器，该光谐振器具有一对光反射面，该一对光反射面使周围的光子结晶的构造变化为在该波导的中途使传播波段错开。
5.根据权利要求4所述的拉曼散射光增强设备，其特征在于，
所述两个共振模式是基底导波模式和第一激励导波模式，
所述一对光反射面，将所述基底导波模式的光和所述第一激励导波模式的光两者反射。
6.一种拉曼激光光源，具有：
权利要求5所述的拉曼散射光增强设备；和
激励光光源，其输出所述第一激励导波模式的光，
所述激励光光源输出的第一激励导波模式的光被输入到所述拉曼散射光增强设备的所述光谐振器。
7.根据权利要求6所述的拉曼激光光源，其特征在于，
所述激励光光源是激光光源。
8.根据权利要求6所述的拉曼激光光源，其特征在于，
所述激励光光源是发光二极管。
9.根据权利要求7或8所述的拉曼激光光源，其特征在于，
所述激励光光源形成在形成有所述光子结晶的所述半导体基板上。
10.一种拉曼散射光增强设备的制造方法，
所述拉曼散射光增强设备在半导体基板中形成有空孔的光子结晶中具备波导，该波导相对于入射光以多个频率具有共振模式，所述制造方法包括：
设定所述光子结晶的空孔的大小或配置，以使得一个共振模式与另一个共振模式的频率差变成与所述半导体基板的拉曼位移频率相等的阶段，
其特征在于，
所述制造方法还包括：
设定所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向，以使得由所述两个共振模式的电磁场分布和所述半导体基板的拉曼张量来表达的拉曼跃迁概率成为最大的阶段。