1.一种真空对盒设备，包括：上基板、信号处理装置、以及与所述上基板相对设置的下基板，其特征在于，所述上基板上设置有发光装置，所述下基板的与所述上基板相对的面上设置有光敏接收单元阵列，所述光敏接收单元阵列与所述信号处理装置相连接，所述信号处理装置用于将来自所述光敏接收单元阵列的电信号转换为液晶扩散模拟图像。
2.根据权利要求1所述的真空对盒设备，其特征在于，所述发光装置包括光源、反光板和导光板，所述光源设置于所述导光板的一侧，所述导光板设置于所述反光板的下方。
3.根据权利要求1所述的真空对盒设备，其特征在于，所述光敏接收单元阵列包括多个光敏电阻。
4.根据权利要求3所述的真空对盒设备，其特征在于，所述光源为紫外光电源，所述光敏电阻为紫外光敏电阻，用于接收来自所述上基板的紫外光电源发出的紫外线。
5.根据权利要求2所述的真空对盒设备，其特征在于，所述导光板为平板型导光板。
6.根据权利要求1所述的真空对盒设备，其特征在于，所述信号处理装置包括二维建模单元，用于将来自所述光敏接收单元阵列的电信号转换为所述液晶扩散模拟图像。
7.根据权利要求1所述的真空对盒设备，其特征在于，还包括显示装置，所述显示装置与所述信号处理装置相连接，用于显示所述液晶扩散模拟图像。
8.根据权利要求3所述的真空对盒设备，其特征在于，所述光敏电阻为长方形的薄片状。
9.一种使用权利要求1-8任意一项所述的真空对盒设备进行对盒的方法，其特征在于，包括：
将液晶滴注在下玻璃基板上；
将上玻璃基板和所述下玻璃基板进行对盒；
观察所述液晶在扩散过程中形成的液晶扩散模拟图像；
根据所述液晶扩散模拟图像调整对盒的工艺参数。
10.根据权利要求9所述的对盒的方法，其特征在于，
所述液晶为标记液晶。
11.根据权利要求10所述的对盒的方法，其特征在于，所述标记液晶包括：
在普通液晶分子的碳链上嵌入分子基团形成的可吸收紫外线的标记液晶。
12.根据权利要求11所述的对盒的方法，其特征在于，所述分子基团为C＝C或C＝O或C＝N或N＝N。
13.根据权利要求9-12任一所述的对盒的方法，其特征在于，所述对盒的工艺参数包括：液晶量、液晶间距、液晶温度和对盒压力。
14.根据权利要求10所述的对盒的方法，其特征在于，
将所述标记液晶滴注在下玻璃基板的第一位置，所述下玻璃基板除所述第一位置以外的区域滴注普通液晶。
15.根据权利要求14所述的对盒的方法，其特征在于，还包括：
清洗掉液晶后，将所述标记液晶滴注在下玻璃基板的第二位置，所述下玻璃基板除所述第二位置以外的区域滴注普通液晶；
将第一位置和第二位置所形成的所述液晶扩散模拟图像叠加，得到整体的液晶扩散模拟图像，根据所述整体的液晶扩散模拟图像调整对盒的工艺参数。