一种导电组件及其制备方法、基板、显示装置 |
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| 申请号 | CN201510446770.3 | 申请日 | 2015-07-27 | 公开(公告)号 | CN105047550B | 公开(公告)日 | 2017-11-07 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司; | 发明人 | 张锋; | ||||
| 摘要 | 本 发明 实施例 提供了一种导电组件及其制备方法、 基板 、显示装置，涉及显示技术领域，当该导电组件应用于显示装置中的金属走线等 电极 结构时，可无需再额外设置黑矩阵，避免了由于设置黑矩阵而产生的增加工艺次数、对位困难以及有效显示面积降低等问题。该导电组件包括：金属层；在所述金属层的至少一侧表面上依次设置的吸光层与减反射层；其中，所述吸光层的折射率大于所述减反射层的折射率；所述减反射层远离所述吸光层的第一表面靠近于光线射入的方向。用于导电组件及包括该导电组件的基板、显示装置的制备。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种导电组件，其特征在于，所述导电组件包括： |
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| 说明书全文 | 一种导电组件及其制备方法、基板、显示装置技术领域[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种导电组件及其制备方法、基板、显示装置。 背景技术[0002] 阵列基板中的栅线、数据线以及公共电极线等结构通常由电阻率较低的金属材料构成。由于金属材料对光线具有一定的反射效果，因此，还需要在阵列基板或与阵列基板对盒的彩膜基板上额外设置用于遮挡光线的黑矩阵。 [0003] 黑矩阵的材料可由炭黑颗粒或钼(Mo)、铬(Cr)等低反射率的金属材料构成。这两种材料对光线的反射率差异较大，炭黑颗粒对光线的反射率<5％，而Mo、Cr等金属材料对光线的反射率>50％，因此，现有技术通常采用包覆炭黑颗粒的有机树脂构成。 [0004] 然而，由于黑矩阵需要对应于栅线、数据线以及公共电极线等结构，在制备具有相应图案的黑矩阵时还需与上述的各个结构的图案进行对位，因此，存在一定的对位困难。为了降低由于对位误差而导致的黑矩阵遮光效果降低，黑矩阵的图案通常会被设计的比上述的图案面积更大，从而造成显示装置有效显示区域的面积下降。 [0005] 此外，由于黑矩阵需要通过额外的工艺来制备，增加了显示装置整体工艺的次数。 发明内容[0006] 鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种导电组件及其制备方法、基板、显示装置，该导电组件对射入的光线具有良好的减反射的效果，当该导电组件应用于显示装置中的导电图案如金属走线等电极结构时，可无需再额外设置黑矩阵，避免了由于设置黑矩阵而产生的增加工艺次数、对位困难以及有效显示面积降低等诸多问题。 [0007] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案： [0008] 一方面、本发明实施例提供了一种导电组件，所述导电组件包括：金属层；在所述金属层的至少一侧表面上依次设置的吸光层与减反射层；其中，所述吸光层的折射率大于所述减反射层的折射率；所述减反射层远离所述吸光层的第一表面靠近于光线射入的方向。 [0010] 优选的，所述导电组件包括位于所述吸光层远离所述金属层一侧的至少两层所述减反射层；其中，沿由所述吸光层指向所述减反射层的方向，各层所述减反射层的折射率依次降低。 [0011] 进一步优选的，所述减反射层主要由金属氧化物构成；其中，沿由所述吸光层指向所述减反射层的方向，各层所述减反射层中的氧含量依次提高。 [0012] 在上述基础上优选的，所述吸光层中的金属元素与所述减反射层中的金属元素相同。 [0013] 优选的，所述金属层中的金属元素、所述吸光层中的金属元素以及所述减反射层中的金属元素均相同。 [0014] 优选的，所述吸光层的折射率为3～4，所述减反射层的折射率为1～2。 [0015] 另一方面、本发明实施例还提供了一种导电组件的制备方法，所述方法包括：在金属层的至少一侧表面上，依次形成吸光层、减反射层；其中，所述吸光层的折射率大于所述减反射层的折射率。 [0016] 优选的，形成的所述吸光层主要由金属氧化物和/或金属氮氧化物构成；形成的所述减反射层主要由金属氧化物构成；其中，所述吸光层中的氧含量小于所述减反射层中的氧含量。 [0017] 进一步优选的，采用溅射沉积法，通过调节溅射反应气体的流量，一次溅射形成所述吸光层与所述减反射层。 [0018] 进一步优选的，所述采用溅射沉积法，通过调节溅射反应气体的流量，一次溅射形成所述吸光层与所述减反射层，具体包括：采用金属靶材，在氧气气氛下溅射形成吸光层；在形成有所述吸光层的反应体系中增大通入的所述氧气流量，溅射形成减反射层；或者，采用金属靶材，在氧气与氮气气氛下溅射形成吸光层；在形成有所述吸光层的反应体系中停止氮气的通入，且增大通入的所述氧气流量，溅射形成减反射层。 [0019] 优选的，在所述吸光层远离所述金属层一侧至少形成两层所述减反射层；其中，沿由所述吸光层指向所述减反射层的方向，各层所述减反射层的折射率依次降低。 [0020] 进一步优选的，形成的所述减反射层主要由金属氧化物构成；其中，沿由所述吸光层指向所述减反射层的方向，各层所述减反射层中的氧含量依次提高。 [0021] 优选的，采用金属靶材，在氧气气氛下逐层溅射形成各层所述减反射层；其中，沿由所述吸光层指向所述减反射层的方向，溅射各层所述减反射层时通入的所述氧气的流量依次提高。 [0022] 进一步优选的，采用溅射沉积法，通过调节溅射反应气体的流量，一次溅射形成所述吸光层与所述减反射层，包括：采用溅射沉积法，通过调节溅射反应气体的流量，一次溅射形成所述金属层、所述吸光层以及所述减反射层。 [0023] 再一方面、本发明实施例又提供了一种基板，所述基板包括导电图案；所述导电图案由上述任一项所述的导电组件构成。 [0024] 优选的，所述导电图案包括：栅极、栅线以及栅线引线中的至少一种。 [0025] 优选的，所述导电图案包括：源极、漏极、与所述源极相连的数据线以及数据线引线中的至少一种。 [0026] 优选的，所述导电图案包括：公共电极线。 [0027] 优选的，所述导电图案包括：连接感应电极的桥接电极。 [0028] 又一方面、本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一项所述的基板。 [0029] 基于此，本发明实施例提供的上述具有黑矩阵功能的导电组件主要具有以下优点：其一、金属层具有导电作用，能够作为基板中的电极结构，起到导电的作用；其二、吸光层具有吸光作用，能够吸收环境光线，起到黑矩阵遮光的作用；其三、减反射层对反射光具有减反作用，能够进一步降低反射率，提高显示对比度。因此，当该导电组件应用于显示装置中的走线、电极等导电结构时，由于该导电组件对光线的反射程度较低，因此可无需再额外设置黑矩阵，避免了现有技术中由于设置黑矩阵而产生的增加工艺次数、对位困难以及有效显示面积降低等诸多问题。附图说明 [0030] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 [0031] 图1为本发明实施例提供的一种导电组件沿厚度方向的剖面结构示意图一； [0032] 图2为本发明实施例提供的一种导电组件沿厚度方向的剖面结构示意图二； [0033] 图3为本发明实施例提供的一种导电组件沿厚度方向的剖面结构示意图三； [0034] 图4为本发明实施例提供的一种导电组件中吸光层与减反射层的折射率对比图； [0035] 图5为本发明实施例提供的一种基板的俯视结构示意图； [0036] 图6为图5中A-A'方向的剖面结构示意图； [0037] 图7为图5中B-B'方向的剖面结构示意图。 [0038] 附图标记： [0039] 01-COA型阵列基板；10-导电组件；11-金属层；12-吸光层；13-减反射层；13a-第一表面；20-衬底基板；31-公共电极线；32-像素电极；33-栅绝缘层；34-数据线；35-第一钝化层；36-彩色滤光片；37-有机膜平坦层；38-公共电极；39-第二钝化层；40-栅极；41-栅线；42-有源层；43a-源极；43b-漏极。 具体实施方式[0040] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。 [0041] 需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。 [0042] 并且，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。 [0043] 本发明实施例提供了一种导电组件10，如图1至图3所示，该导电组件10包括：金属层11；在金属层11的至少一侧表面上依次设置的吸光层12与减反射层13；其中，吸光层12的折射率大于减反射层13的折射率；减反射层13远离吸光层12的第一表面13a靠近于光线射入的方向。 [0044] 需要说明的是，第一、上述金属层11可以由金属单质和/或金属合金构成。示例的，金属单质可以为Al、Cr、Cu、Mo、Ti等；金属合金可以为AlNd、CuMo、MoTa、MoNb等。其厚度可以为 以保证上述的导电组件10作为金属电极时具有充分的导电性能。 [0045] 第二、减反射层13通常为透明的，是设置在光学器件(即本发明实施例中的吸光层12)表面折射率较低的膜层。示例的，如图4所示，吸光层12的折射率例如可以为3～4，减反射层13的折射率例如可以为1～2。外界光线在折射率较低的减反射层13的第一表面13a上产生的反射光与外界光线在与第一表面13a相对的第二表面上产生的反射光可发生干涉相消，进而通过干涉相消的作用使光线(如外界环境光线或来自背光源的光线)难以在金属层 11表面发生反射，或者是降低光线在金属层11表面发生反射的程度，从而起到现有技术中黑矩阵的作用。 [0047] [0049] 第三、由于光线在减反射层13中的反射率减小，透过率会相应地增加。而吸光层12通常为黑色的，可以达到吸收从减反射层13透过的光，而避免这部分光线在金属层11的表面继续发生反射的作用。从而通过透明的减反射层13的干涉相消与黑色的吸光层12的吸光这两种作用的综合效果使光线(如外界环境光线或来自背光源的光线)难以在金属层11表面发生反射，或者是显著地降低光线在金属层11表面发生反射的程度，从而起到现有技术中黑矩阵的作用。 [0050] 第四、由于吸光层12、减反射层13是依次远离金属层11设置的，即减反射层13远离吸光层12的第一表面13a是靠近于光线射入的方向。这里，由于上述的导电组件10通常都是设置在一定的衬底表面而应用于显示装置中的，为了清楚地示意出减反射层13的第一表面13a靠近于光线射入的方向，图1～3中以导电组件10设置在衬底基板20上方为例进行说明。 当然，根据导电组件10应用于显示装置的具体结构，上述导电组件10与衬底基板20之间还可设置有其他结构，在此不作限定。 [0051] 减反射层13远离吸光层12的第一表面13a靠近于光线射入的方向，光线例如可以来自于外界环境光，即当上述的导电组件10应用于显示装置时，照射到显示装置显示画面一侧(显示屏)表面的外界环境光，在此情况下，参考图1所示，沿厚度方向(图中以D示意出)，金属层11、吸光层12以及减反射层13依次远离衬底基板20设置，第一表面13a为相对于衬底基板20向上的表面，另一面则为第二表面。减反射层13可通过干涉作用减少金属层11对外界环境光的反射，改善显示对比度，提高显示画面的显示质量。 [0052] 当上述的导电组件10应用于液晶显示装置时，由于液晶自身不发光，需要借助于背光模组发出的光来进行显示。这样一来，上述导电组件10中的减反射层13可减少导电的金属层11对相邻子像素间不受液晶偏转控制的背光的反射，以避免这部分光线在显示装置内部产生光线紊乱。在此情况下，参考图2所示，沿厚度D方向，减反射层13、吸光层12以及金属层11依次远离衬底基板20设置，第一表面13a为相对于衬底基板20向下的表面，另一面则为第二表面。减反射层13可通过干涉作用减少金属层11对不受液晶偏转控制的背光的反射，避免显示装置内部光线紊乱，同样可以达到提高显示质量的目的。 [0053] 当然，参考图3所示，金属层11的上下两侧表面上均可设置上述的吸光层12与减反射层13，即一个减反射层13与一个吸光层12在金属层11靠近衬底基板20的一侧设置，即以衬底基板20为下方，减反射层13的第一表面13a相对于衬底基板20为向下的表面，以减少上述导电组件10中的金属层11对不受液晶偏转控制的背光的反射；另一个减反射层13与另一个吸光层12在金属层11远离衬底基板20的另一侧设置，减反射层13的第一表面13a相对于衬底基板20即为向上的表面，以减少上述导电组件10中的金属层11对外界环境光的反射。 [0054] 基于此，本发明实施例提供的上述具有黑矩阵功能的导电组件10主要具有以下优点：其一、金属层11具有导电作用，能够作为基板中的电极结构，起到导电的作用；其二、吸光层12具有吸光作用，能够吸收环境光线，起到黑矩阵遮光的作用；其三、减反射层13对反射光具有减反作用，能够进一步降低反射率，提高显示对比度。因此，当该导电组件10应用于显示装置中的走线、电极等导电结构时，由于该导电组件10对光线的反射程度较低，因此可无需再额外设置黑矩阵，避免了现有技术中由于设置黑矩阵而产生的增加工艺次数、对位困难以及有效显示面积降低等诸多问题。 [0055] 具体的，吸光层12主要由金属氧化物和/或金属氮氧化物构成；减反射层13主要由金属氧化物构成；其中，由于在金属氧化物或金属氮氧化物中，随着氧原子含量的提高，形成的膜层的折射率降低，因此，吸光层12中的氧含量小于减反射层13中的氧含量。 [0056] 这里，若吸光层12以及减反射层13中的金属为Al、Cr、Cu、Mo、Ti等金属单质，或AlNd、CuMo、MoTa、MoNb等金属合金，当吸光层12中的氧含量较少时，形成的吸光层12的颜色为黑色或接近于黑色；当减反射层13中的氧含量较多时，形成的减反射层13为透明或接近于透明。 [0057] 示例的，上述金属氧化物例如可以为AlO、CrO、CuO、MoO、TiO等金属单质氧化物，或AlNdO、CuMoO、MoTaO、MoNbO等金属合金氧化物；金属氮氧化物也可以为上述金属单质和/或合金的氮氧化物。 [0058] 其中，当减反射层13主要由上述金属单质和/或合金氧化物构成时，其厚度可以为当吸光层12主要由上述金属氧化物和/或金属氮氧化物构成时，其厚度可以为 [0059] 在上述基础上优选的，为了在可见光范围内达到理想的减反射效果，本发明实施例提供的上述减反射层13可以为多层结构，即上述的导电组件10包括位于吸光层12远离金属层11一侧的至少两层减反射层13；其中，沿由吸光层12指向减反射层13的方向，各层减反射层13的折射率依次降低。 [0060] 这里，当减反射层13由金属氧化物构成时，沿由吸光层12指向减反射层13的方向，各层减反射层13中的氧含量依次提高，即折射率依次降低。 [0062] 进一步的，金属层11中的金属元素、吸光层12中的金属元素以及减反射层13中的金属元素均相同，可以在同一个制备工艺(例如溅射法)下获得，有利于减低生产成本、提高生产效率。例如，当采用金属单质和/或合金靶材溅射形成上述的金属层11后，无需更换靶材，只需调节溅射反应气体(如氧气O2、氮气N2)的通入流量即可一次溅射形成上述的吸光层12、减反射层13，有利于更进一步减低生产成本、提高生产效率。 [0063] 在上述基础上，本发明实施例还提供了一种上述导电组件10的制备方法，该方法包括： [0064] 在金属层11的至少一侧表面上，依次形成吸光层12、减反射层13；其中，吸光层12的折射率大于减反射层13的折射率。 [0065] 这里，形成的金属层11可以主要由金属单质和/或合金构成。 [0066] 具体的，形成的吸光层12可以主要由金属氧化物和/或金属氮氧化物构成；形成的减反射层13可以主要由金属氧化物构成；其中，由于在金属氧化物或金属氮氧化物中，随着氧原子含量的提高，形成的膜层的折射率降低，因此，吸光层12中的氧含量小于减反射层13中的氧含量。 [0067] 这里，可以采用溅射沉积法，通过调节溅射反应气体的流量，一次溅射形成上述的吸光层12与减反射层13，具体包括如下步骤： [0068] S11、采用金属靶材，在氧气气氛下溅射形成吸光层12。 [0069] 其中，金属靶材可以为Al、Cr、Cu、Mo、Ti等金属单质，或AlNd、CuMo、MoTa、MoNb等金属合金；相应地形成的吸光层12即为上述金属元素的氧化物。 [0070] S12、在形成有吸光层12的反应体系中增大通入的氧气流量，溅射形成减反射层13。 [0071] 这里，考虑到氧气较为活泼，气氛控制难度较大，上述制备方法也可采用以下方式： [0072] S21、采用金属靶材，在氧气和氮氧气氛下溅射形成吸光层12。 [0073] 其中，金属靶材可以为Al、Cr、Cu、Mo、Ti等金属单质，或AlNd、CuMo、MoTa、MoNb等金属合金；相应地形成的吸光层12即为上述金属元素的氮氧化物。 [0074] S22、在形成有吸光层12的反应体系中停止氮气的通入，且增大通入的氧气流量，溅射形成减反射层13。 [0075] 这里，在上述步骤S21中，通入的氧气流量小于10sccm，通入的氮氧流量小于30sccm；在之后的步骤S22中，由于已经形成的一定厚度的吸光层12，即溅射反应已经发生了一定程度，此时再停止氮气的通入，且增大通入的氧气流量(小于30sccm)，氧气气氛更易于控制。 [0076] 这里需要指出的是，上述的一次溅射形成吸光层12与减反射层13是在一个反应腔内，采用同一个溅射靶材，通过调节反应气氛，形成组分部分的膜层。 [0077] 由于形成吸光层12与形成减反射层13使用的是同一金属靶材，因而形成的吸光层12与减反射层13的金属元素相同，而金属层11与上述两层中的金属元素可以相同也可以不同，例如：金属层11可以由金属单质Mo构成，吸光层12可以由金属氮氧化物MoON构成，减反射层13可以由金属氧化物MoO构成；或者，金属层11可以由金属合金MoNb构成，吸光层12可以由金属氮氧化物MoNbON构成，减反射层13可以由金属氧化物MoNbO构成；再或者，金属层 11可以由金属单质Al构成，吸光层12可以由金属氮氧化物MoON构成，减反射层13可以由金属氧化物MoO构成。 [0078] 在上述基础上优选的，为了在可见光范围内达到理想的减反射效果，形成的上述减反射层13可以为多层结构，即上述的导电组件10包括形成于吸光层12远离金属层11一侧的至少两层减反射层13；其中，沿由吸光层12指向减反射层13的方向，各层减反射层13的折射率依次降低。 [0079] 这里，当减反射层13由金属氧化物构成时，沿由吸光层12指向减反射层13的方向，各层减反射层13中的氧含量依次提高，即折射率依次降低。 [0080] 具体的，可以采用金属靶材，在氧气气氛下逐层溅射形成各层减反射层13；其中，沿由吸光层12指向减反射层13的方向，溅射各层减反射层13时通入的氧气的流量依次提高，以获得折射率逐渐降低的多层的减反射层13结构。 [0081] 在上述基础上优选的，可以采用溅射沉积法，通过调节溅射反应气体的流量，一次溅射形成上述的金属层11、吸光层12以及减反射层13，有利于更进一步减低生产成本、提高生产效率。示例的，可以采用以下步骤一次溅射形成上述的金属层11、吸光层12以及减反射层13： [0082] S31、采用金属单质和/或金属合金靶材，在氩气(Ar)气氛下溅射形成金属层11。 [0083] 这里，由于上述的导电组件10通常是形成于一定的衬底基板之上的，溅射时衬底基板的基体温度例如可为120℃，溅射功率可为12kW，Ar气氛压力可为0.3Pa，Ar气体流量可为100sccm。 [0084] 其中，溅射时的靶材可以为金属单质，如Al、Cr、Cu、Mo、Ti等；也可以为金属合金，如AlNd、CuMo、MoTa、MoNb等。当靶材为金属单质时，形成的金属层11即由上述的金属单质构成；当靶材为金属合金时，形成的金属层11即由上述的金属合成构成。 [0085] 溅射形成的金属层11的厚度可以为 [0086] S32、在形成有金属层11的反应体系中通入氧气(O2)和氮气(N2)，在氧气和氮气气氛下溅射形成吸光层12。 [0087] 这里，溅射的基体温度、溅射功率、气氛压力以及Ar气体流量等参数与上述步骤S21保持不变，O2气体流量小于10sccm，N2气体流量小于30sccm。 [0088] 形成的吸光层12即为上述金属单质和/或金属合金的氮氧化合物。 [0089] S33、在形成有吸光层12的反应体系中停止氮气的通入，且增大通入的氧气流量，在氧气气氛下溅射形成减反射层13。 [0090] 停止通入N2后，为了保证反应体系中有充分的氧可与金属单质和/或金属合金靶材相反应，以生成由金属氧化物构成的减反射层13，O2气体流量可由10sccm增加至不大于30sccm。 [0091] 这里，当需要形成的减反射层13为多层结构时，可在溅射沉积一定厚度的膜层(即一层光学层)后逐渐提高通入氧气的流量，以获得具有折射率逐渐降低的多层结构的减反射层13。 [0092] 这样一来，通过调节溅射反应在各阶段的反应气体，即可一次溅射形成上述的金属层11、吸光层12以及减反射层13，提高了生产效率。 [0093] 在上述基础上，本发明实施例还提供了一种基板，该基板包括导电图案；该导电图案由上述的导电组件10构成。 [0094] 需要说明的是，第一、在上述导电图案中，起到导电作用的部分为导电组件10中的金属层11。 [0095] 第二、上述的基板例如可以为显示基板，如阵列基板，集成有彩膜的COA(color filter on array)型阵列基板；或者，也可以为触控基板。 [0096] 其中，根据阵列基板中TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)有源层材料的不同，上述阵列基板具体可以为Oxide阵列基板(即有源层采用金属氧化物Oxide构成)，LTPS阵列基板(即有源层采用低温多晶硅Low Temperature Poly Silicon构成)以及a-Si阵列基板(即有源层采用非晶硅a-Si构成)等。 [0097] 具体的，当上述的基板为触控基板时，该导电图案包括：连接感应电极的桥接电极。 [0098] 当上述的基板为阵列基板或COA型阵列基板时，该导电图案包括：栅极、栅线以及栅线引线中的至少一种。这里，优选的，包括有栅极、栅线以及栅线引线的栅极图案层均由上述导电组件10构成，从而使得上述的栅极、栅线以及栅线引线在实现导电作用的同时，还起到黑矩阵遮光的作用。 [0099] 当上述的基板为阵列基板或COA型阵列基板时，该导电图案也可包括：源极、漏极、与源极相连的数据线以及数据线引线中的至少一种。 [0100] 这里，优选的，包括有源极、漏极、与源极相连的数据线以及数据线引线的源漏图案层均由上述导电组件10构成，从而使得上述的源极、漏极、与源极相连的数据线以及数据线引线在实现导电作用的同时，还起到黑矩阵遮光的作用。 [0101] 其中，当由导电组件10经构图工艺处理得到的电极为TFT的源极与漏极时，由于源极与漏极需要与有源层电连接，在此情况下，在构成源极与漏极的导电组件10中，仅在金属层11的一个侧面上设置吸光层12与减反射层13，并且使得金属层11靠近有源层设置。 [0102] 当上述的基板为阵列基板或COA型阵列基板时，上述的导电图案还可包括：公共电极线。 [0103] 下面提供一种当上述基板为COA型阵列基板时的具体结构，以详细描述上述的导电组件10的作用。 [0104] 如图5所述，上述的基板具体为COA型阵列基板01，由导电组件10构成的公共电极线31的图案覆盖栅线、数据线以及TFT的区域，并与公共电极电连接。图6为图5沿A-A'方向的剖面结构示意图，如图6所示，该COA型阵列基板包括衬底基板20、依次形成在衬底基板20上栅绝缘层33、数据线34、第一钝化层35、彩色滤光片36(图中仅示意出红色R部分和绿色G部分)、有机膜平坦层37、公共电极38、起到现有技术中黑矩阵遮光作用的公共电极线31、第二钝化层39和像素电极32。图7为图5沿B-B'方向的剖面结构示意图，如图7所示，该COA型阵列基板01还包括位于衬底基板20与栅绝缘层33之间的栅极40、栅线41，依次位于栅绝缘层33之上的有源层42、相对设置的源极43a与漏极43b，第一钝化层35覆盖在形成的薄膜晶体管结构上。 [0105] 进一步的，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的基板。 [0106] 上述显示装置具体可以为液晶显示(Liquid Crystal Display，简称LCD)面板、液晶电视、有机电致发光显示(Organic Light-Emitting Display，简称OLED)面板、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。 [0107] 其中，液晶显示面板或液晶电视可以为ADS(Advanced Super Dimensional Switching，高级超维场转换技术)型、IPS(In Plane Switch，横向电场效应)型、TN型(Twist Nematic，扭曲向列型)以及VA型(Vertical Align，垂直排列型)中的任一种。 [0108] 需要说明的是，本发明所有附图是上述的导电组件、显示基板的简略的示意图，只为清楚描述本方案体现了与发明点相关的结构，对于其他的与发明点无关的结构是现有结构，在附图中并未体现或只体现部分。 [0109] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。 |
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