一种近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器

申请号 CN201510874491.7 申请日 2015-12-02 公开(公告)号 CN106033167A 公开(公告)日 2016-10-19
申请人 派尼尔科技(天津)有限公司; 发明人 姜城;
摘要 本 发明 提供一种近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光 波长 转换器,包括输入光纤, 波导 ,晶体,金属 外壳 ,输出光纤和 光源 ,所述的输入光纤设置在金属外壳的左侧;所述的波导设置在金属外壳的内部;所述的晶体设置在波导外侧;所述的输出光纤连接波导伸出金属外壳外部;所述的光源设置在输入光纤的外侧。本发明通过光源和晶体的设置,降低了波长转换器的工作要求,使该波长转换器的适用领域进一步扩大,降低了生产成本,使用更方便。
权利要求

1.一种近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器,其特征在于,该近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器包括输入光纤(1),波导(2),晶体(3),金属外壳(4),输出光纤(5)和光源(6),所述的输入光纤(1)设置在金属外壳(4)的左侧;所述的波导(2)设置在金属外壳(4)的内部;所述的晶体(3)设置在波导(2)外侧;所述的输出光纤(5)连接在波导(2)伸出的金属外壳(4)外部;所述的光源(6)设置在输入光纤(1)的外侧。
2.如权利要求1所述的近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器,其特征在于,所述的晶体(3)具体采用Mg局部掺杂方式,掺杂摩尔比为0.8%-20%。
3.如权利要求1所述的近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器,所述的晶体(3)具体采用同成分原始基片的铌酸锂晶体。
4.如权利要求1所述的近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器,所述的光源(6)具体采用近红外浦光。
5.如权利要求1所述的近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器,所述的金属外壳(4)具体采用密封设置。
6.如权利要求1所述的近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器,所述的输入光纤(1)具体与金属外壳(4)内部的晶体(3)耦合,并在金属外壳(4)外部形成尾纤。

说明书全文

一种近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器

技术领域

[0001] 本发明涉及一种波长转换设备领域,尤其涉及一种近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器。

背景技术

[0002] 目前,随着社会的进步和科技的发展,网路传输项目迅速的发展起来,为了使整个光网络各个路径能够始终传输同一波长的信号,使用同一类型的光纤和传输同一模式的光信号,需用波长转换器来实现,现有的波长转换器进行Mg的高掺杂,室温下不具有抗光折变特性,存在着使用不方便,应用能有限,造价高的问题。
[0003] 因此,发明一种近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器显得非常必要。

发明内容

[0004] 为了解决上述技术问题,本发明提供一种近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器以解决现有的波长转换器存在的使用不方便,应用能力有限,造价高的问题。一种近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器包括输入光纤,波导,晶体,金属外壳,输出光纤和光源,所述的输入光纤设置在金属外壳的左侧;所述的波导设置在金属外壳的内部;所述的晶体设置在波导外侧;所述的输出光纤连接在波导伸出的金属外壳外部;所述的光源设置在输入光纤的外侧。
[0005] 所述的晶体具体采用Mg局部掺杂方式,掺杂摩尔比为0.8%-20%,有利于减少Mg的掺杂量,降低了生产成本。
[0006] 所述的晶体具体采用同成分原始基片的铌酸锂晶体,具有造价低廉,易于获得的优点,有利于进一步降低生产成本。
[0007] 所述的光源具体采用近红外浦光,有利于引起光折变,降低了波长转换器的工作要求,使该波长转换器的适用领域进一步扩大。
[0008] 所述的金属外壳具体采用密封设置,有利于避免造成串扰,提高波长转换的工作效率。
[0009] 所述的输入光纤具体与金属外壳内部的晶体耦合,并在金属外壳外部形成尾纤,有利于与其他器件集成。
[0010] 与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:由于本发明的一种近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器广泛应用在波长转换技术领域中。同时,本发明的有益效果为:
[0011] 1.本发明的晶体的设置,采用Mg局部掺杂方式,掺杂摩尔比为0.8%-20%,有利于减少Mg的掺杂量,降低了生产成本。
[0012] 2.本发明的光源的设置,采用近红外泵浦光,有利于引起光折变,降低了波长转换器的工作要求,使该波长转换器的适用领域进一步扩大。
[0013] 3.本发明的金属外壳的设置,采用密封设置,有利于避免造成串扰,提高波长转换的工作效率。附图说明
[0014] 图1是本发明的结构示意图。

具体实施方式

[0015] 以下结合附图对本发明做进一步描述:
[0016] 图中:
[0017] 1-输入光纤,2-波导,3-晶体,4-金属外壳,5-输出光纤,6-光源。
[0018] 实施例
[0019] 如附图1所示
[0020] 本发明提供一种近化学计量比低掺杂Mg:PPLN全光波长转换器,包括输入光纤1,波导2,晶体3,金属外壳4,输出光纤5和光源6,所述的输入光纤1设置在金属外壳4的左侧;所述的波导2设置在金属外壳4的内部;所述的晶体3设置在波导2外侧;所述的输出光纤6连接在波导2伸出的金属外壳4外部;所述的光源6设置在输入光纤1的外侧。
[0021] 所述的晶体3具体采用Mg局部掺杂方式,掺杂摩尔比为0.8%-20%,有利于减少Mg的掺杂量,降低了生产成本。
[0022] 所述的晶体3具体采用同成分原始基片的铌酸锂晶体,具有造价低廉,易于获得的优点,有利于进一步降低生产成本。
[0023] 所述的光源6具体采用近红外泵浦光,有利于引起光折变,降低了波长转换器的工作要求,使该波长转换器的适用领域进一步扩大。
[0024] 所述的金属外壳4具体采用密封设置,有利于避免造成串扰,提高波长转换的工作效率。
[0025] 所述的输入光纤1具体与金属外壳4内部的晶体3耦合,并在金属外壳4外部形成尾纤,有利于与其他器件集成。
[0026] 工作原理
[0027] 本发明通过将光源6发出的泵浦光和高频率激光通过一个波分复用(WDM)接入输入光纤1,在低掺杂Mg的PPLN晶体3的波导2结构中实现周期性光学超晶格中和频与差频级联的二阶光学非线性效应,传播过程中初始光源6产生高效率的倍频效应,根据公式Wh=2Wp产生足够强度的波长为532nm的倍频光场,该光场同时又与信号光场发生差频效应,根据公式Wi=2Wp-Ws从而产生1550nm的新光场(即转换光Wi),经过输出光纤5将转换光输出。
[0028] 利用本发明所述的技术方案,或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下,设计出类似的技术方案,而达到上述技术效果的,均是落入本发明的保护范围。
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