光学功能集成单元及其制造方法

申请号 CN201380071322.9 申请日 2013-10-25 公开(公告)号 CN104937790A 公开(公告)日 2015-09-23
申请人 日本电气株式会社; 发明人 山崎裕幸;
摘要 提供了其中可容易地集成有源光学器件和包括 硅 波导 的无源光学器件的光学功能集成单元及其制造方法。所述光学功能集成单元(100)包括 半导体 光学 放大器 (1)、 光子 器件(2)、安装 基板 (3)、底座(4)和(5)。底座(4)和(5)设置在安装基板(3)上。半导体光学放大器(1)安装在底座(4)上并且从 活性层 发射光。光子器件(2)安装在底座(5)上。光子器件(2)包括从半导体光学放大器(1)发射的光被引导到的硅波导(26A至26C)。
权利要求

1.一种光学功能集成单元,所述光学功能集成单元包括:
安装基板
第一底座和第二底座,所述第一底座和第二底座被设置在所述安装基板上;
有源光学器件,所述有源光学器件被安装在所述第一底座上,并且从活性层输出光;以及
无源光学器件,所述无源光学器件被安装在所述第二底座上,其中,
所述无源光学器件包括波导,从所述有源光学器件输出的光被引导通过所述硅波导。
2.根据权利要求1所述的光学功能集成单元,其中,
所述有源光学装置是半导体光学放大器
3.根据权利要求2所述的光学功能集成单元,其中,
所述无源光学器件是外部振荡器,以及
所述半导体光学放大器和所述外部振荡器构成波长可调谐激光器
4.根据权利要求3所述的光学功能集成单元,其中,所述无源光学器件还包括:
衬底;
第一环形谐振器,所述第一环形谐振器被形成在所述衬底上,所述第一环形谐振器与所述硅波导光学连接,所述第一环形谐振器是由硅构造的;
第二环形谐振器,所述第二环形谐振器被形成在所述衬底上,所述第二环形谐振器与所述硅波导光学连接,所述第二环形谐振器具有与所述第一环形谐振器不同的直径,所述第二环形谐振器是由硅构造的;
镜,所述镜被形成在与所述有源光学装置的侧端相反侧的端部处;
第一电极,所述第一电极被形成在所述第一环形谐振器上;以及
第二电极,所述第二电极被形成在所述第二环形谐振器上。
5.根据权利要求4所述的光学功能集成单元,其中,所述无源光学器件还包括:
第一偏振-分离装置,所述第一偏振-分离装置将从外部输入的偏振复用和相位调制的光学信号分成第一TE分量和第一TM分量;
第二偏振-分离装置,所述第二偏振-分离装置将从所述镜射出的激光分成第二TE分量和第二TM分量;
第一干涉装置,所述第一干涉装置致使所述第一TE分量干涉所述第二TE分量以输出两个光学信号,该两个光学信号的相位相差90度;以及
第二干涉装置,所述第二干涉装置致使所述第一TM分量干涉所述第二TM分量以输出两个光学信号,该两个光学信号的相位相差90度。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的光学功能集成单元,其中,
所述有源光学器件包括第一非反射膜,所述第一非反射膜形成在所述活性层的所述无源光学器件的侧端上。
7.根据权利要求6所述的光学功能集成单元,其中,
所述无源光学器件还包括第二非反射膜,所述第二非反射膜形成在所述硅波导的所述有源光学器件的侧端上。
8.根据权利要求7所述的光学功能集成单元,其中,
在所述有源光学器件和所述无源光学器件之间填充有折射率匹配材料。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的光学功能集成单元,其中,
将所述第一底座和所述第二底座的高度确定为使得从所述安装基板的表面起的所述活性层的位置与从所述安装基板的表面起的所述硅波导的位置一致。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的光学功能集成单元,还包括:
第一掩模图案,所述第一掩模图案被形成在所述有源光学器件和所述无源光学器件上;
第二掩模图案,所述第二掩模图案被形成在所述第一底座和所述第二底座上,或者被形成在所述安装基板上,其中,
所述第一掩模图案和所述第二掩模图案被构造成,能够使用具有能够穿过所述有源光学器件和所述无源光学器件的波长的光来执行位置对准。
11.一种用于制造光学功能集成单元的方法,所述方法包括:
在安装基板上,形成第一底座和第二底座;
在所述第一底座上安装有源光学器件,所述有源光学器件用于从活性层输出光;以及在所述第二底座上安装无源光学器件,所述无源光学器件包括硅波导,从所述有源光学器件输出的光被引导到所述硅波导。

说明书全文

光学功能集成单元及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种光学功能集成单元及其制造方法。

背景技术

[0002] 随着宽带时代的发展,继续引入可使用多个光学波长进行通信的WDW(波分复用)传输系统。近来,普遍应用可通过多路复用数十个光学波长实现更高速传输的DWDM(密集波分复用)装置。
[0003] 因此,在WDM传输系统中,需要对应于各波长的光源,并且所需光源的数量根据高度多路复用而急剧增加。另外,近来,继续研究将在各节点分插任意波长的ROADAM(可重配置光分插复用器)商业化。通过波长多路复用得到的传输能可扩展,另外,可通过在引入ROADM系统的情况下改变波长来实现光路切换。因此,光学网络的自由度极度增大。
[0004] 在单轴模式下振荡的分布反馈激光二极管(下文中,被称为DFB-LD)从其过去的可使用性和高可靠性的方面看被用作WDM传输系统的光源。大约30nm深的衍射光栅形成在DFB-LD中的谐振器的整个区域上并且可以得到稳定的单轴模式振荡,该单轴模式振荡的波长对应于衍射光栅的周期与等效折射率两倍的乘积。
[0005] 然而,DFB-LD不可在密集振荡波长范围内调谐,而DFB-LD可得到稳定的单轴模式振荡。因此,DFB-LD的不同之处仅在于ITU(国际电信联盟)网络中的每个使用DFB-LD构造WDM传输系统的波长。也就是说,各波长需要使用不同的DFB-LD,因此,存货控制成本增加并且对应故障需要保持过量的库存。另外,在光路随波长改变的ROADM中,波长可调宽度限于大约3nm,即,当使用通用DFB-LD时能随温度变化而变化的波长范围。结果,难以利用明确使用波长资源的ROADM的优点来构造光学网络。
[0006] 已经针对可调谐激光器进行了研究,以克服现有DFB-LD中包括的这种问题并且在宽波长范围内实现单轴模式振荡。可调谐激光器通常被分类为两种类型,包括其中在同一装置中引入波长可调谐结构和激光谐振器的类型和其中在装置外部引入波长可调谐结构的类型。
[0007] 在波长可调谐结构和激光谐振器被引入同一装置的前一种可调谐激光器中,在同一装置中分别设置发光区域和分布反射区域。例如,已知DFB-LD(分布布拉格反射器激光二极管)是这种类型的可调谐激光器。另外,已知其中发光区夹在衍射光栅之间的取样光栅DBR-LD和SSG(超结构光栅)DBR-LD,在DBR-LD中所述衍射光栅的衍射光栅周期是周期性变化的。尽管DBR-LD的波长可调谐范围限于大约10nm的最大值,但在取样光栅DBR-LD中,100nm上进行的波长可调谐操作和在40nm进行的半连续波长可调谐操作是通过熟练地使用作为本结构中的特征的游标效应来实现的。
[0008] 提出了其中衍射光栅设置在装置外部并且通过精确调节衍射光栅的度和距离进行波长可调谐操作的系统作为其中在装置外部引入波长可调谐结构的后一种可调谐激光器。
[0009] 另外,作为另一个示例,提出了其中光学谐振器由上面形成有外部谐振器的PLC(平面波导光路)组成并且LD(激光二极管)或SOA(半导体光学放大器)直接安装在PLC上的结构(例如,PTL1)。在可调谐激光器中,提供将SOA例如安装在PLC上的阶梯。在这个阶梯部分中设置SOA。因此,SOA的活性层和PLC的波导处于能够对准的位置关系。
[0010] 引用列表
[0011] 专利文献
[0012] PTL1:日本未经审查的专利申请公开No.2007-309987

发明内容

[0013] 技术问题
[0014] 然而,发明人已经发现了上述可调谐激光器中的下述问题。当使用包括波导的光子器件时,相对于空气的非反射涂层需要被施加于端面,以便致使硅波导的端面部分是非反射端。然而,如上所述,当在光子器件中设置该阶梯时,波导的端部部分的位置从光子器件的端面撤回
[0015] 因此,当尝试例如通过真空气相淀积方法从光子器件的端面的一侧形成涂层时,涂层材料的气相受到干扰并且不能够在硅波导的端部部分上提供平坦和耐久的涂层。因此,在形成阶梯的该结构中,不可通过使用包括硅波导的光子器件来构造可调谐激光器。
[0016] 本发明是针对上述情形进行的,本发明的目的是提供其中可容易地集成有源光学器件和包括硅波导的无源光学器件的光学功能集成单元及其制造方法。
[0017] 技术方案
[0018] 本发明的一方面是一种光学功能集成单元,所述光学功能集成单元包括:安装基板;第一底座和第二底座,其设置在所述安装基板上;有源光学器件,其安装在所述第一底座上并且从活性层输出光;以及无源光学器件,其安装在所述第二底座上。所述无源光学器件包括硅波导,从所述有源光学器件输出的光被引导通过所述硅波导。
[0019] 本发明的一个方面是一种用于制造光学功能集成单元的方法,所述方法包括:在所述安装基板上,形成第一底座和第二底座;在所述第一底座上安装有源光学器件,所述有源光学器件从活性层输出光;以及在所述第一底座上安装无源光学器件,所述无源光学器件包括从所述有源光学器件输出的光被引导到的硅波导。
[0020] 有益效果
[0021] 根据本发明,可以提供可容易地集成有源光学器件和包括硅波导的无源光学器件光学功能集成单元及其制造方法。附图说明
[0022] 图1是示意性示出根据第一实施例的光学功能集成单元100的构造的顶视图;
[0023] 图2是示意性示出沿着图1的II-II线的光学功能集成单元100的截面构造的截面图;
[0024] 图3是示意性示出光子器件2的构造的顶视图;
[0025] 图4是示意性示出沿着图1的IV-IV线的光学功能集成单元100的截面构造的截面图;
[0026] 图5是示意性示出沿着图1的V-V线的光学功能集成单元100的截面构造的截面图;
[0027] 图6是示意性示出根据第二实施例的光学功能集成单元200的构造的顶视图;
[0028] 图7是示意性示出光子器件8的构造的顶视图;
[0029] 图8是示意性示出根据第三实施例的光学功能集成单元300的构造的顶视图;
[0030] 图9是示意性示出光子器件9的构造的顶视图;
[0031] 图10是示意性示出端面95附近的光子器件9的构造的放大顶视图;以及[0032] 图11是示意性示出沿着图10的XI-XI线的连接部分93附近的截面构造的放大截面图。

具体实施方式

[0033] 以下,将参照附图描述本发明的示例性实施例。在整个附图中,用相同的附图标记表示相同的组件,并且根据需要省略重复说明。
[0034] 第一实施例
[0035] 首先,将要描述根据第一实施例的光学功能集成单元100。图1是示意性示出根据第一实施例的光学功能集成单元100的构造的顶视图。在这个实施例中,将要描述其中光学功能集成单元100被构造为波长可调谐激光器的示例。光学功能集成单元100包括半导体光学放大器1、光子器件2、安装基板3、底座4和5。注意的是,光子器件2以其上表面面向安装基板3的方式安装。底座4和5被分别称为第一底座和第二底座。
[0036] 半导体光学放大器1和光子器件2在其波导彼此对准的条件下安装在安装基板3上。在这种情况下,以亚微米的间隙(等于或小于1μm)来安装半导体光学放大器1和光子器件2。注意的是,为了简化附图,在图1中的半导体光学放大器1和光子器件2之间插入可视间隙。同样的情况应该应用于下面的附图。
[0037] 半导体光学放大器1是输出光的有源光学器件(例如,半导体激光二极管)的示例。图2是示意性示出沿着图1的II-II线的光学功能集成单元100的截面构造的截面图。半导体光学放大器1包括半导体衬底11、活性层12、覆盖层13和非反射涂层15。活性层12形成在半导体衬底11上。活性层12被覆盖层13掩埋。非反射涂层15形成在活性层12的端面14的侧端上。非反射涂层15形成为相对于空气或折射率匹配凝胶的非反射涂层。非反射涂层15被称为第一非反射膜。注意的是,诸如接触层、电极等的其它物形成在覆盖层13上,然而,将在省略这些的情况下描述本实施例。
[0038] 图3是示意性示出光子器件2的构造的顶视图。也就是说,图3代表当从安装基板3的一侧观察光子器件2时光子器件2的构造。在本实施例中,光子器件2是通过使用硅(Si)构成的无源光学器件和包括波长调谐功能的外部调谐器。可通过Si工艺(例如,CMOS(互补型金属化物半导体)工艺等)制作光子器件2。
[0039] 光子器件2包括形成在衬底20上的两个环形谐振器21和22、环形镜23、电极24和25、硅波导26A至26C和非反射涂层28。注意的是,环形谐振器21和22被分别称为第一环形谐振器和第二环形谐振器。非反射涂层28被称为第二非反射膜。电极24和25被分别称为第一电极和第二电极。衬底20被构造为例如硅衬底或SOI(绝缘体上硅)衬底。
[0040] 可通过窄线波导或脊波导构造硅波导26A至26C。硅波导26A将端面27与环形谐振器21光学连接。硅波导26B将环形谐振器21与环形谐振器22光学连接。硅波导26C将环形谐振器22与环形镜23光学连接。非反射涂层28形成在硅波导26A的端面27的侧端上。非反射涂层28形成为相对于空气的非反射涂层。
[0041] 电极24形成在环形谐振器21的一部分上。电极25形成在环形谐振器22的一部分上。另外,环形谐振器21和环形谐振器22在它们的直径方面略有不同。
[0042] 如图2中所示,环形谐振器21和22、环形镜23和硅波导26A至26C被覆盖层29掩埋。注意的是,省略覆盖层29,以说明图3中的光子器件2的结构。
[0043] 如图1和图2中所示,环形形状的底座4和5形成在安装基板3上。图4是示意性示出沿着图1的IV-IV线的光学功能集成单元100的截面构造的截面图。用焊料6将半导体光学放大器1固定在底座4上。例如,AuSn焊料用于焊料6,并且通过在超过一定恒定温度以上使焊料6回流,将半导体光学放大器1和安装基板3彼此粘结。
[0044] 图5是示意性示出沿着图1的V-V线的光学功能集成单元100的截面构造的截面图。以上面形成有环形谐振器21和22、环形镜23、电极24和25和硅波导26A至26C的表面在下侧的方式,用焊料7将光子器件2固定在底座5上。AuSn焊料用作焊料7,通过在超过一定恒定温度以上使焊料7回流,将光子器件2和安装基板3粘结。
[0045] 注意的是,确定底座4和5的高度,以致使半导体光学放大器1的活性层12的高度与光子器件2的硅波导26A的高度一致。
[0046] 如图1中所示,在半导体光学放大器1和光子器件2上设置用于无源对准的第一掩模图案M1。使用能够穿过半导体光学放大器1和光子器件2的红外线识别第一掩模图案和第二掩模图案M2,并且可精确地执行半导体光学放大器1的活性层12和光子器件2的硅波导26A之间光轴准直(位置对准)。注意的是,第二掩模图案M2可设置在底座4和5上。
[0047] 从半导体光学放大器1的活性层12的端面14的一侧输出的光经过非反射涂层28并且入射到硅波导26A上。入射光被环形镜23反射经由环形谐振器21、硅波导26B、环形谐振器22、硅波导26C。如上所述,环形谐振器21和环形谐振器22在它们的直径方面略有不同。因此,环形谐振器21的峰和环形谐振器22的峰协调的波长仅仅是宽可调谐范围的波长。因此,在环形镜23和半导体光学放大器1的端面14之间的环形谐振器所选择的波长处,出现谐振,并且光学功能集成单元100执行激光振荡。激光被输出作为激光101。
[0048] 可通过向电极24施加电压以改变环形谐振器21的有效折射率来改变环形谐振器21的光学距离。可通过向电极25施加电压以改变环形谐振器22的有效折射率来改变环形谐振器22的光学距离。因此,可通过向电极24和25施加电压来改变光学功能集成单元
100的振荡波长。也就是说,光学功能集成单元100可用作波长可调谐激光器。
[0049] 根据该构造,用作波长可调谐激光器的光学功能集成单元100构造在安装基板3上。在这个构造中,通过不同的制造工艺形成半导体光学放大器1和光子器件2。然后,半导体光学放大器1和光子器件2被同时安装在安装基板3上。因此,当制造光学功能集成单元100时,不必提供用于将半导体光学放大器安装在光子器件上的不平坦。结果,可以在光子器件2的端面上形成平坦且高质量的非反射涂层28。
[0050] 另外,不必提供用于将半导体光学放大器安装在光子器件上的不平坦,使得可省略用于形成不平坦的工艺。因此,可通过一般的CMOS工艺,在短时间内并以低成本制造光子器件2。
[0051] 如上所述,根据该构造,可在较短时间内并以较低成本制造其中集成有有源光学器件和无源光学器件的光学功能集成单元100。可通过将光学功能集成单元100构造为波长可调谐激光器,提供能够进行例如,数字相干通信方法必需的窄带宽操作的波长可调谐激光器。
[0052] 第二实施例
[0053] 接下来,将要描述根据第二实施例的光学功能集成单元200。图6是示意性示出根据第二实施例的光学功能集成单元200的构造的顶视图。光学功能集成单元200是光学功能集成单元100的替代形式。光学功能集成单元200具有其中用光子器件8取代光学功能集成单元100中的光子器件2的构造。
[0054] 图7是示意性示出光学器件8的构造的顶视图。也就是说,图7代表在从安装基板3的一侧观察的情况下光子器件8的构造。光子器件8被构造为在数字相干通信中使用的接收器(光学接收器)。光子器件8包括波长滤波器81、偏振分离单元82和83、以及90度混合干涉仪84和85。偏振分离单元82和83被分别称为第一偏振分离单元和第二偏振分离单元。90度混合干涉仪84和85被称为第一干涉单元和第二干涉单元。
[0055] 波长滤波器81包括环形谐振器21和22和环形镜23。环形谐振器21和22和环形镜23与光学功能集成单元100的环形谐振器21和22和环形镜23相同,从而省略对其的描述。也就是说,半导体光学放大器1和波长滤波器81构成与光学功能集成单元100相同的功能。
[0056] 偏振分离单元82从外部光学发送器接收DP-QPSK(双偏振正交相移键控)信号光IN。偏振分离单元82将接收到的信号光1N偏振地分离成TE(横向电子)分量信号光TE_IN和TM(横向磁性)分量信号光TM_IN。
[0057] 偏振分离单元83经由波导WG1从环形镜23接收激光,作为本地振荡光LO。偏振分离单元83将本地振荡光LO偏振地分成TE分量本地振荡光TE_LO和TM分量本地振荡光TM_LO。
[0058] 90度混合干涉仪84是两输入/两输出干涉仪。TE分量信号光TE_IN经由波导WG2被输入到90度混合干涉仪84的一个输入端。TE分量本地振荡光TE_LO经由波导WG3被输入到90度混合干涉仪84的另一个输入端。90度混合干涉仪84致使TE分量信号光TE_IN和TE分量本地振荡光TE_LO相互干涉,并且分别从这两个输出端输出TE分量信号光TE_IN的同相分量TE_I和TE分量信号光TE_IN的正交分量TE_Q。
[0059] 90度混合干涉仪85是两输入/两输出干涉仪。TM分量信号光TM_IN经由波导WG4被输入到90度混合干涉仪85的一个输入端。TM分量本地振荡光TM_LO经由波导WG5被输入到90度混合干涉仪85的另一个输入端。90度混合干涉仪85致使TE分量信号光TM_IN和TM分量本地振荡光TM_LO相互干涉,并且分别从这两个输出端输出TM分量信号光TM_IN的同相分量TM_I和TM分量信号光TM_IN的正交分量TM_Q。
[0060] 光学功能集成单元200的其它构造与光学功能集成单元100的相同,从而省略对其的描述。
[0061] 如上所述,根据该构造,通过使用从由半导体光学放大器1和波长滤波器81组成的波长可调谐激光器输出的激光作为本地振荡光,可实现能够对DP-QPSK信号执行偏振-分离和相位-分离的光学接收器。也就是说,可提供包括用于数字相干通信的波长可调谐激光器的光学接收器作为一个光学功能集成单元。
[0062] 第三实施例
[0063] 接下来,将要描述根据第三实施例的光学功能集成单元300。图8是示意性示出根据第三实施例的光学功能集成单元300的构造的顶视图。光学功能集成单元300是光学功能集成单元100的替代形式。光学功能集成单元300具有其中分别用半导体光学放大器10和光子器件9取代光学功能集成单元100中的半导体光学放大器1和光子器件2的构造。光子器件9被构造为外部振荡器,如光子器件2的情况中一样。
[0064] 图9是示意性示出光子器件9的构造的顶视图。大体上,图9代表在从安装基板3的一侧观察的情况下光子器件9的构造。光子器件9具有用硅波导91取代光子器件2中的硅波导26A的构造。注意的是,在图9中,为了说明光子器件9的构造,省略覆盖层29。
[0065] 图10是示意性示出端面95附近的光子器件9的构造的放大顶视图。硅波导91具有锥形部分92,锥形部分92的端面95附近的顶端宽度逐渐变窄。硅波导91的锥形部分92的顶端形成在没有到达端面95的位置处。
[0066] 另外,锥形部分92覆盖有连接部分93。通过例如掺杂Ge(锗)的SiO2(例如,其折射率是大约1.5),构造连接部分93。连接部分93被填充在端面95和锥形部分92之间。向端面95施加折射率匹配材料94(例如,其折射率是大约1.5)。
[0067] 如图8中所示,半导体光学放大器10具有用涂层16取代半导体光学放大器1中的非反射涂层15的构造。用折射率与折射率匹配材料94(例如,其折射率是大约1.5)相匹配的材料(例如,其折射率是大约1.5)构造涂层16。半导体光学放大器10的其它构造与半导体光学放大器1相同,从而省略对其的描述。
[0068] 图11是示意性示出沿着图10的XI-XI线的连接部分93附近的截面构造的放大截面图。它是示意性示出端面95附近的光子器件9的构造的放大截面图。用由未掺杂的SiO2(例如,其折射率是大约1.45)组成的覆盖层29掩埋硅波导91和连接部分93。连接部分93由掺杂Ge的SiO2组成,从而具有比覆盖层29高的折射率。因此,连接部分93可限制从锥形部分92输出的光。从锥形部分92输出的光在一般模式下传播通过连接部分93并且从端面95射出。类似地,入射到端面95上的光可高效入射到锥形部分92上。光学功能集成单元300的其它构造与光学功能集成单元100的其它构造类似,从而省略对其的描述。
[0069] 在该构造中,光通过其从半导体光学放大器10入射到光子器件9并且光从光子器件9入射到半导体光学放大器10的端面95可由掺杂Ge的SiO2(例如,其折射率是大约1.5)组成。因此,通过向端面95施加折射率匹配材料(例如,其折射率是大约1.5),光可容易地在半导体光学放大器10和光子器件9之间传播而不被反射。
[0070] 另外,在该构造中,可省略用于在光子器件9上形成非反射图层的过程。诸如真空气相淀积方法的大规模真空设备通常被用于形成非反射涂层。因此,形成非反射涂层需要长时间且高成本的过程。相比之下,在该构造中,只向端面95施加折射率匹配材料94,使得可在较短时间内并以较低成本制造光学功能集成单元300。
[0071] 其它实施例
[0072] 本发明不限于上述示例性实施例,并且可在不脱离本发明的范围的情况下酌情进行修改。例如,在第一实施例和第二实施例中,可以采用以下构造:将与设置在半导体光学放大器1的端面14和光子器件2的端面27上的涂层的折射率相匹配的折射率匹配材料填充在半导体光学放大器1的端面14和光子器件2的端面27之间,以便更高效地将半导体光学放大器1与光子器件2耦合。
[0073] 在上述实施例中,说明安装光子器件2、8和9以致使上面形成有硅波导的表面面对安装基板。这是因为,上面形成有光子器件2、8和9的衬底20的厚度一般是大约几十微米至几百微米,然而,衬底20的厚度公差是几十微米的级别。在此厚度容差的情况下,当安装光子器件以致使衬底20的表面面对安装基板时,必须根据衬底20的厚度,调节底座的高度。因此,理想的是,以上面形成有硅波导的表面面对安装基板的方式安装光子器件2、8和9。然而,应该理解,当衬底20的厚度公差被限制于厚度公差可被忽略的程度时,可安装光子器件以致使衬底20的表面面对安装基板。
[0074] 以上参照示例性实施例描述了本发明,但本发明不限于以上示例性实施例。可在本发明的范围内以本领域的技术人员可理解的各种方式修改本发明的构造和细节。
[0075] 本申请基于并要求于2013年2月1日提交的日本专利申请No.2013-18969的优先权权益,该申请的公开的全部内容通过引用并入本文中。
[0076] 附图标记列表
[0077] 1、10:半导体光学放大器
[0078] 2、8、9:光子器件
[0079] 3:安装基板
[0080] 4、5:底座
[0081] 6、7:焊料
[0082] 11:半导体衬底
[0083] 12:活性层
[0084] 13:覆盖层
[0085] 14:端面
[0086] 15:非反射涂层
[0087] 20:衬底
[0088] 21:环形谐振器
[0089] 22:环形谐振器
[0090] 23:环形镜
[0091] 24:电极
[0092] 25:电极
[0093] 26A至26C:硅波导
[0094] 27:端面
[0095] 28:非反射涂层
[0096] 29:覆盖层
[0097] 81:波长滤波器
[0098] 82、83:偏振分离单元
[0099] 84、85:90度混合干涉仪
[0100] 91:硅波导
[0101] 92:锥形部分
[0102] 93:连接部分
[0103] 94:折射率匹配材料
[0104] 95:端面
[0105] 100、200、300:光学功能集成单元
[0106] IN:信号光
[0107] LO:本地振荡光
[0108] M1、M2:标记图案
[0109] WG1至WG5:波导
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