阵列基板及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置 |
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| 申请号 | CN201710752621.9 | 申请日 | 2017-08-28 | 公开(公告)号 | CN107329342A | 公开(公告)日 | 2017-11-07 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司; | 发明人 | 王洪润; 祝明; | ||||
| 摘要 | 本 发明 公开一种阵列 基板 及制造方法、 显示面板 及制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，为降低显示面板的功耗。所述阵列基板，包括衬底基板、反射层、滤光层、 像素 电极 和公共电极；其中，反射层和滤光层依次设置在衬底基板上，像素电极和公共电极均位于滤光层背向反射层的一侧。将反射层和滤光层依次设置在衬底基板上，像素电极和公共电极均设置在滤光层背向反射层的一侧，设置有上述阵列基板的显示面板工作时，分别向像素电极和公共电极施加 电压 后，像素电极与公共电极之间产生的 电场 不会穿过滤光层，滤光层不会对像素电极与公共电极之间产生的电压差造成不良影响，可以降低在驱动 液晶 偏转时所需要的电压差，降低显示面板的功耗。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、反射层、滤光层、像素电极和公共电极； |
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| 说明书全文 | 阵列基板及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置技术领域[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置。 背景技术[0002] 显示装置是一种用于显示文字、数字、符号、图片，或者由文字、数字、符号和图片中至少两种组合形成的图像等画面的装置，为人们的生活、工作提供较大的便利性。显示装置通常包括显示面板，现有的显示面板通常包括阵列基板(Array基板)、彩色滤光基板(Color Filter基板，CF基板或彩膜基板)及位于阵列基板和彩色滤光基板之间的液晶层，利用彩色滤光基板上的滤光层对经液晶层后的光作用，实现显示装置的彩色化。然而，由于制造工艺、显示面板的类型等，显示面板在使用时，滤光层不能完全覆盖对应的像素区内除薄膜晶体管的区域(即像素区的有效显示区)时，例如，对于柔性反射式显示面板来说，当弯折柔性反射式显示面板时，柔性反射式显示面板的弯折区内滤光层可能不能完全覆盖对应的像素区内除薄膜晶体管的区域，因而造成显示面板的漏光。 [0003] 为了解决因滤光层不能完全覆盖对应的像素区内除薄膜晶体管的区域而造成显示面板的漏光，现有技术采用COA(CF On Array，彩色滤光层集成在阵列基板上)技术，将滤光层集成在阵列基板上，以防止滤光层不能完全覆盖对应的像素区内除薄膜晶体管的区域，进而防止显示面板漏光。然而，由于现有技术中显示面板的结构以及工作方式的限定，分别向显示面板内像素电极和公共电极施加电压，利用像素电极与公共电极之间产生的电压差驱动液晶层中液晶偏转时，通常需要较大的电压差才能驱动液晶偏转，造成显示面板的功耗增加。 发明内容[0004] 本发明的目的在于提供一种阵列基板，用于降低显示面板的功耗。为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案： [0005] 一种阵列基板，包括衬底基板、反射层、滤光层、像素电极和公共电极；其中，所述反射层和所述滤光层依次设置在所述衬底基板上，所述像素电极和所述公共电极均位于所述滤光层背向所述反射层的一侧。 [0006] 优选地，所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述衬底基板与所述反射层之间；所述反射层覆盖至少部分所述薄膜晶体管。 [0007] 优选地，所述反射层完全覆盖所述衬底基板。 [0008] 优选地，所述滤光层覆盖至少部分所述薄膜晶体管。 [0009] 优选地，所述阵列基板还包括栅线、数据线和黑矩阵，所述黑矩阵位于所述薄膜晶体管背向所述衬底基板的一侧，且所述黑矩阵分别与所述栅线和所述数据线对应，所述黑矩阵与所述栅线对应的部分在所述衬底基板上的正投影落入所述栅线在所衬底基板上的正投影内，所述黑矩阵与所述数据线对应的部分在所述衬底基板上的正投影落入所述数据线在所述衬底基板上的正投影内。 [0010] 优选地，所述薄膜晶体管与所述反射层之间设置有第一钝化层，所述第一钝化层完全覆盖所述衬底基板；所述反射层覆盖至少部分所述薄膜晶体管，所述黑矩阵和所述反射层均位于所述第一钝化层上且均与所述第一钝化层直接接触；或者，所述反射层完全覆盖所述衬底基板，所述反射层上还设置有完全覆盖所述衬底基板的第二钝化层，所述黑矩阵和所述滤光层均位于所述第二钝化层上。 [0011] 优选地，所述反射层为金属反射层。 [0012] 本发明提供的阵列基板中，将反射层和滤光层依次设置在衬底基板上，像素电极和公共电极均设置在滤光层背向反射层的一侧，因而设置有本发明提供的阵列基板的显示面板工作时，分别向像素电极和公共电极施加电压后，像素电极与公共电极之间产生的电场不会穿过滤光层，因而滤光层不会对像素电极与公共电极之间产生的电压差造成不良影响，从而可以降低在驱动液晶偏转时所需要的电压差，进而降低显示面板的功耗。 [0013] 本发明的目的还在于提供一种显示面板，用于降低显示面板的功耗。为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案： [0014] 一种显示面板，所述显示面板包括如上述技术方案所述的阵列基板。 [0015] 本发明提供的显示面板与上述阵列基板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。 [0016] 本发明的目的还在于提供一种显示面板，用于降低显示面板的功耗。为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案： [0017] 一种显示面板，包括：平行且相对的第一衬底基板和第二衬底基板，设置在所述第一衬底基板朝向所述第二衬底基板一侧的反射层、滤光层和像素电极，以及设置在所述第二衬底基板朝向所述第一衬底基板一侧的公共电极，其中，所述反射层、所述滤光层和所述像素电极依次设置在所述第一衬底基板上。 [0018] 本发明提供的显示面板中，将反射层、滤光层和像素电极依次设置在第一衬底基板上，公共电极设置在第二衬底基板上，因而本发明提供的显示面板工作时，分别向像素电极和公共电极施加电压后，像素电极与公共电极之间产生的电场不会穿过滤光层，因而滤光层不会对像素电极与公共电极之间产生的电压差造成不良影响，从而可以降低在驱动液晶偏转时所需要的电压差，进而降低显示面板的功耗。 [0019] 本发明的目的还在于提供一种显示装置，用于降低显示面板的功耗。为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案： [0020] 一种显示装置，所述显示装置包括如上述技术方案所述的显示面板。 [0021] 本发明提供的显示装置与上述显示面板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。 [0022] 本发明的目的还在于提供一种阵列基板的制造方法，用于降低显示面板的功耗。为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案： [0023] 一种阵列基板的制造方法，包括： [0024] 提供衬底基板； [0025] 形成反射层； [0026] 形成滤光层； [0027] 形成像素电极和公共电极。 [0028] 优选地，提供衬底基板之后、形成反射层之前，所述阵列基板的制造方法还包括： [0029] 在所述衬底基板上形成栅极、栅线； [0030] 形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述衬底基板、所述栅极和所述栅线； [0031] 形成有源层； [0032] 形成源极、漏极和数据线，所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触； [0033] 形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述栅极绝缘层、所述有源层、所述源极、所述漏极和所述数据线。 [0034] 优选地，形成反射层之后、形成滤光层之前，所述阵列基板的制造方法还包括： [0035] 在所述第一钝化层上形成黑矩阵； [0036] 或者， [0037] 形成反射层之后、形成滤光层之前，所述阵列基板的制造方法还包括： [0038] 形成第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述反射层； [0039] 在所述第二钝化层上形成黑矩阵。 [0040] 优选地，形成像素电极和公共电极，包括： [0041] 形成第三钝化层，所述第三钝化层覆盖所述滤光层、所述黑矩阵； [0042] 形成所述公共电极； [0043] 形成第四钝化层； [0044] 在与所述漏极对应的部位形成过孔； [0045] 形成所述像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。 [0046] 本发明提供的阵列基板的制造方法与上述阵列基板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。 [0047] 本发明的目的还在于提供一种显示面板的制造方法，用于降低显示面板的功耗。为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案： [0048] 一种显示面板的制造方法，包括如上述技术方案所述的阵列基板的制造方法。 [0049] 本发明提供的显示面板的制造方法与上述的阵列基板的制造方法相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。 [0050] 本发明的目的还在于提供一种显示面板的制造方法，用于降低显示面板的功耗。为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案： [0051] 一种显示面板的制造方法，包括： [0052] 提供第一衬底基板和第二衬底基板； [0053] 在所述第一衬底基板上依次形成反射层、滤光层和像素电极，在所述第二衬底基板上形成公共电极。 [0055] 此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中： [0056] 图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图； [0057] 图2为图1中反射层的结构示意图； [0058] 图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图； [0059] 图4为图3中反射层的结构示意图； [0060] 图5为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图； [0061] 图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图； [0062] 图7为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的流程图一； [0063] 图8为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的流程图二； [0064] 图9为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的流程图三； [0065] 图10为本发明实施例提供的显示面板的制造方法的流程图一； [0066] 图11为本发明实施例提供的显示面板的制造方法的流程图二； [0067] 图12为本发明实施例提供的显示面板的制造方法的流程图三。 [0068] 附图标记： [0069] 1-衬底基板， 2-第一衬底基板， [0070] 3-第二衬底基板， 11-薄膜晶体管， [0071] 111-栅极， 112-栅极绝缘层， [0072] 113-有源层， 114-源极， [0073] 115-漏极， 12-栅线， [0074] 13-数据线， 14-第一钝化层， [0075] 15-反射层， 16-第二钝化层， [0076] 17-黑矩阵， 18-滤光层， [0077] 19-第三钝化层， 21-公共电极， [0078] 22-第四钝化层， 23-像素电极。 具体实施方式[0080] 实施例一 [0081] 请参阅图1、图2或图3、图4，本发明的实施例一提供一种阵列基板，包括衬底基板1、反射层15、滤光层18、像素电极23和公共电极21；其中，反射层15和滤光层18依次设置在衬底基板1上，像素电极23和公共电极21均位于滤光层18背向反射层15的一侧。 [0082] 举例来说，请继续参阅图1、图2或图3、图4，实施例一提供的阵列基板应用于反射式显示装置的显示面板中，实施例一提供的阵列基板中，采用COA技术将滤光层18集成在阵列基板上，同时将公共电极21也集成在阵列基板上，具体地，实施例一提供的阵列基板包括衬底基板1、反射层15、滤光层18、像素电极23和公共电极21，反射层15和滤光层18依次设置在衬底基板1上，像素电极23和公共电极21位于滤光层18的上方，即像素电极23和公共电极21均位于滤光层18背向反射层15的一侧，其中，像素电极23和公共电极21的设置方式可以根据实际需要进行设定，例如，请继续参阅图1或图3，公共电极21可以位于滤光层15与像素电极23之间，此时，可以在滤光层18上形成第三钝化层19，然后在第三钝化层19上形成公共电极21，然后形成第四钝化层22，第四钝化层22覆盖第三钝化层19和公共电极21，然后在第四钝化层22上形成像素电极23。 [0083] 本发明的实施例一提供的阵列基板中，将反射层15和滤光层18依次设置在衬底基板1上，像素电极23和公共电极21均设置在滤光层18背向反射层15的一侧，因而设置有本发明实施例一提供的阵列基板的显示面板工作时，分别向像素电极23和公共电极21施加电压后，像素电极23与公共电极21之间产生的电场不会穿过滤光层18，因而滤光层18不会对像素电极23与公共电极21之间产生的电压差造成不良影响，从而可以降低在驱动液晶偏转时所需要的电压差，进而降低显示面板的功耗。 [0084] 另外，在本发明的实施例一提供的阵列基板中，反射层15仅起到反射光的作用，而不起其它作用例如充当电极，反射层15的功能单一，从而可以方便对反射层15的结构进行设置，同时还可以防止因反射层15充当电极时对像素电极23或公共电极21的电位造成不良影响。 [0085] 在实施例一中，反射层15的结构可以为多种，例如，请继续参阅图1和图2，实施例一提供的阵列基板包括由多条栅线12和多条数据线13交叉限定出的多个像素区，每个像素区内设置有薄膜晶体管11、像素电极23和公共电极21，薄膜晶体管11的栅极111与对应的栅线12连接，薄膜晶体管11的源极114与对应的数据线13连接，薄膜晶体管11的漏极115与对应的像素电极23连接；薄膜晶体管11位于衬底基板1与反射层15之间，反射层15位于像素区内，反射层15覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域，反射层15还覆盖至少部分薄膜晶体管11，例如，反射层15可以覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的部分区域，此时，反射层15的覆盖面积小于对应像素区的面积，也可以理解为反射层15在衬底基板1上的正投影落入像素区内，且反射层15在衬底基板1上的正投影的面积小于像素区的面积；或者，请参阅图1和图2，反射层15可以覆盖整个像素区，即反射层15同时覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11，此时，反射层15的覆盖面积与对应像素区的面积相等，也可以理解为反射层15在衬底基板1上的正投影与像素区重合。 [0086] 具体地，请参阅图1，薄膜晶体管11形成在衬底基板1上像素区内，薄膜晶体管11包括栅极111、栅极绝缘层112、有源层113、源极114和漏极115，栅极111和栅线12同层设置，且栅极111与对应的栅线12连接，栅极绝缘层112覆盖栅极111、栅线12和衬底基板1，也可以理解为栅极绝缘层112完全覆盖形成有栅极111和栅线12的衬底基板1，图1中栅极绝缘层112在衬底基板1的上表面的正投影完全覆盖衬底基板1的上表面，源极114和漏极115、数据线13同层设置，且源极114与对应的数据线13连接，漏极115与对应的像素电极23连接，薄膜晶体管11上还形成有第一钝化层14，第一钝化层14覆盖源极114、漏极115、有源层113、数据线 13以及栅极绝缘层112，也可以理解为第一钝化层14完全覆盖形成有薄膜晶体管11、栅线 12、数据线13的衬底基板1，图1中第一钝化层14在衬底基板1的上表面的正投影完全覆盖衬底基板1的上表面；反射层15形成在第一钝化层14上，反射层15可以覆盖第一钝化层14上与像素区内除薄膜晶体管11以外的区域对应的区域、以及与薄膜晶体管11的部分区域对应的区域，例如，反射层15可以覆盖第一钝化层14上与像素区内除薄膜晶体管11以外的区域对应的区域、以及与薄膜晶体管11的漏极115对应的区域；或者，反射层15可以覆盖第一钝化层14上与像素区对应的区域，此时，反射层15覆盖第一钝化层14上与像素区内除薄膜晶体管11以外的区域对应的区域、以及与薄膜晶体管11对应的区域。 [0087] 将薄膜晶体管11设置在反射层15和衬底基板10之间，且反射层15覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域，因而可以利用反射层15将入射至薄膜晶体管11处的光也反射，使得像素区的有效显示区包括像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域，与现有技术中像素区的有效显示区仅包括像素区内除薄膜晶体管11以外的区域相比，增加了像素区的有效显示区的面积，从而提高显示装置的开口率。 [0088] 或者，请继续参阅图3和图4，在本发明实施例一提供的阵列基板中，反射层15完全覆盖衬底基板1。具体地，本发明实施例一提供的阵列基板包括由多条栅线12和多条数据线13交叉限定出的多个像素区，每个像素区内设置有薄膜晶体管11、像素电极23和公共电极 21，薄膜晶体管11形成在衬底基板1上像素区内，薄膜晶体管11包括栅极111、栅极绝缘层 112、有源层113、源极114和漏极115，栅极111和栅线12同层设置，且栅极111与对应的栅线 12连接，栅极绝缘层112覆盖栅极111、栅线12和衬底基板1，也可以理解为栅极绝缘层112完全覆盖形成有栅极111和栅线12的衬底基板1，图3中栅极绝缘层112在衬底基板1的上表面的正投影完全覆盖衬底基板1的上表面，源极114、漏极115和数据线13同层设置，且源极114与对应的数据线13连接，漏极115与对应的像素电极23连接；薄膜晶体管11上还形成有第一钝化层14，第一钝化层14覆盖源极114、漏极115、有源层113、数据线13以及栅极绝缘层112，也可以理解为第一钝化层14完全覆盖形成有薄膜晶体管11、栅线12、数据线13的衬底基板 1，图3中第一钝化层14在衬底基板1的上表面的正投影完全覆盖衬底基板1的上表面；反射层15形成在第一钝化层14上，反射层15完全覆盖第一钝化层14，也可以理解为反射层15完全覆盖衬底基板1，图3中反射层15在衬底基板1的上表面的正投影完全覆盖衬底基板1的上表面，反射层15在衬底基板1的上表面的正投影与第一钝化层14在衬底基板1的上表面的正投影重合，此时，请参阅图4，反射层15同时覆盖像素区、栅线和数据线。 [0089] 反射层15完全覆盖衬底基板1，因而可以利用反射层15将入射至薄膜晶体管11处的光也反射，使得像素区的有效显示区包括像素区内所有的区域，与现有技术中像素区的有效显示区仅包括像素区内除薄膜晶体管以外的区域相比，增加像素区的有效显示区的面积，从而提高显示装置的开口率；另外，反射层15完全覆盖衬底基板1，可以提高对入射至阵列基板的光的利用，改善显示装置的画面显示质量。 [0090] 需要说明的是，在上述实施例中，像素电极23可以仅设置在像素区内除薄膜晶体管11以外的区域，或者，如图1或图3所示，可以同时在像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域设置像素电极23，以增加像素电极23与公共电极21之间产生的电场的覆盖面积，以增加对入射至阵列基板内的光的利用，改善显示装置的画面显示质量。 [0091] 在实施例一中，滤光层18可以仅覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域，以实现显示装置的彩色显示，在实际应用中，请继续参阅图1、图2或图3、图4，滤光层18可以覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域、以及薄膜晶体管11的至少部分区域，例如，滤光层18可以覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域、以及薄膜晶体管11的漏极115；或者，滤光层18可以覆盖整个像素区，即滤光层18覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域、以及薄膜晶体管11。如此设计，可以使得像素区的有效显示区包括像素区除薄膜晶体管11的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域，从而可以提高显示装置的开口率。 [0092] 值得一提的是，在上述实施例中，反射层15覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域时，滤光层18位于反射层15上，此时，滤光层18可以完全覆盖反射层15，即滤光层18在衬底基板1上的正投影与反射层15在阵列基板1上的正投影重合。 [0093] 请继续参阅图1、图2或图3、图4，在本发明的实施例一提供的阵列基板中还集成有黑矩阵17，黑矩阵17位于薄膜晶体管11背向衬底基板10的一侧，黑矩阵17分别与栅线12和数据线13对应，黑矩阵17与栅线12对应的部分在衬底基板1上的正投影落入栅线12在衬底基板1上的正投影内，例如，黑矩阵17对应于栅线12的部分在衬底基板1上的正投影与栅线12在衬底基板1上的正投影重合，或者，黑矩阵17对应于栅线12的部分在衬底基板1上的正投影位于栅线12在衬底基板1上的正投影内，且黑矩阵17对应于栅线12的部分在衬底基板1上的正投影的宽度小于栅线12在衬底基板1上的正投影的宽度；黑矩阵17与数据线13对应的部分在衬底基板1上的正投影落入数据线13在衬底基板1上的正投影内，例如，黑矩阵17对应于数据线13的部分在衬底基板1上的正投影与数据线13在衬底基板1上的正投影重合，或者，黑矩阵17对应于数据线13的部分在衬底基板1上的正投影位于数据线13在衬底基板1上的正投影内，且黑矩阵17对应于数据线13的部分在衬底基板1上的正投影的宽度小于数据线13在衬底基板1上的正投影的宽度。黑矩阵17的设置，可以防止相邻的两个像素区之间的区域出现漏光的现象，提高显示装置的对比度，改善显示装置的画面显示质量。 [0094] 值得一提的是，在本发明的实施例一中，黑矩阵17对应于栅线12的部分在衬底基板1上的正投影位于栅线12在衬底基板1上的正投影内，且黑矩阵17对应于栅线12的部分在衬底基板1上的正投影的宽度小于栅线12在衬底基板1上的正投影的宽度，黑矩阵17对应于数据线13的部分在衬底基板1上的正投影位于数据线13在衬底基板1上的正投影内，且黑矩阵17对应于数据线13的部分在衬底基板1上的正投影的宽度小于数据线13在衬底基板1上的正投影的宽度时，与现有技术中黑矩阵分别与栅线和数据线完全对应相比，黑矩阵17的宽度可以降低，以增加像素区的有效显示区的面积，从而进一步提高显示装置的开口率。 [0095] 在本发明的实施例一中，黑矩阵17的位置可以根据反射层15的结构进行设置，例如，请参阅图1，薄膜晶体管11与反射层15之间设置有第一钝化层14，第一钝化层14完全覆盖衬底基板1；反射层15位于第一钝化层14上，且反射层15仅覆盖像素区内除薄膜晶体管11的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域，此时，黑矩阵17可以与反射层15一起形成在第一钝化层14上，即黑矩阵17和反射层15均位于第一钝化层14上且均与第一钝化层14直接接触。 [0096] 或者，请参阅图3，薄膜晶体管11与反射层15之间设置有第一钝化层14，第一钝化层14完全覆盖衬底基板1；反射层15位于第一钝化层14上，且反射层15完全覆盖衬底基板1，也可以理解为反射层15位于第一钝化层14上且覆盖整个第一钝化层14，此时，则在反射层15上形成第二钝化层16，第二钝化层16完全覆盖反射层15，也可以理解为第二钝化层16完全覆盖衬底基板1，黑矩阵17位于第二钝化层16上，滤光层18也位于第二钝化层16上。 [0097] 实施例一中，反射层15的材料可以为多种，例如，反射层15的材料可以为具有反光功能的有机材料、无机材料、金属等，在本发明实施例一中，反射层15的材料选用金属，即反射层15为金属反射层。 [0098] 实施例一中，滤光层18的材料可以为彩色树脂，具体地，当实施例一提供的阵列基板应用于采用RGB(Red红，Green绿，Blue蓝)显示模式的显示面板中时，滤光层18的材料包括红色树脂、绿色树脂和蓝色树脂，红色树脂沉积在用于显示红色的像素区内，绿色树脂沉积在用于显示绿色的像素区内，蓝色树脂沉积在用于显示蓝色的像素区内。 [0099] 实施例二 [0100] 本发明的实施例二提供一种显示面板，所述显示面板包括如实施例一提供的阵列基板。具体地，本发明的实施例二提供的显示面板包括如实施例一提供的阵列基板、以及与阵列基板的衬底基板1平行且相对的透明基板，其中，阵列基板可以采用图1中所示的阵列基板，即反射层15仅覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域，或者，阵列基板也可以采用图3中所示的阵列基板，即反射层15完全覆盖衬底基板1。 [0101] 实施例二提供的显示面板与实施例一提供的阵列基板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。 [0102] 实施例三 [0103] 实施例二提供的显示面板中的阵列基板采用实施例一提供的阵列基板，公共电极21也集成在阵列基板上，在实际应用中，公共电极21可以不集成在阵列基板上。 [0104] 具体地，请参阅图5和图6，本发明的实施例三提供的显示面板包括：平行且相对的第一衬底基板2和第二衬底基板3，设置在第一衬底基板2朝向第二衬底基板3一侧的反射层15、滤光层18和像素电极23，以及设置在第二衬底基板3朝向第一衬底基板2一侧的公共电极21，其中，反射层15、滤光层18和像素电极23依次设置在第一衬底基板2上方。 [0105] 本发明的实施例三提供的显示面板中，将反射层15、滤光层18和像素电极23依次设置在第一衬底基板2上，公共电极21设置在第二衬底基板3上，因而本发明实施例三提供的显示面板工作时，分别向像素电极23和公共电极21施加电压后，像素电极23与公共电极21之间产生的电场不会穿过滤光层18，因而滤光层18不会对像素电极23与公共电极21之间产生的电压差造成不良影响，从而可以降低在驱动液晶偏转时所需要的电压差，进而降低显示面板的功耗。 [0106] 另外，在本发明的实施例三提供的显示面板中，反射层15仅起到反射光的作用，而不起其它作用例如充当电极，反射层15的功能单一，从而可以方便对反射层15的结构进行设置；同时还可以防止因反射层15充当电极时对像素电极23或公共电极21的电位造成不良影响。 [0107] 在本发明的实施例三中，反射层15的结构可以根据实际需要进行设置，例如，请参阅图5，反射层15可以采用如图1和图2所示的反射层15的结构，具体地，实施例三提供的显示面板还包括由多条栅线12和多条数据线13交叉限定出的多个像素区，每个像素区内设置有薄膜晶体管11、像素电极23和公共电极21，薄膜晶体管11位于第一衬底基板2与反射层15之间，薄膜晶体管11的栅极111与对应的栅线12连接，薄膜晶体管11的源极114与对应的数据线13连接，薄膜晶体管11的漏极115与对应的像素电极23连接，反射层15覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域，同时，滤光层18也覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域，滤光层18在第一衬底基板2上的正投影与反射层15在第一衬底基板2上的正投影可以重合。 [0108] 或者，请参阅图6，反射层15可以采用如图3和图4所示的反射层15的结构，具体地，实施例三提供的显示面板还包括由多条栅线12和多条数据线13交叉限定出的多个像素区，每个像素区内设置有薄膜晶体管11、像素电极23和公共电极21，薄膜晶体管11位于第一衬底基板2与反射层15之间，薄膜晶体管11的栅极111与对应的栅线12连接，薄膜晶体管11的源极114与对应的数据线13连接，薄膜晶体管11的漏极115与对应的像素电极23连接，反射层15完全覆盖第一衬底基板2，图6中反射层15在第一衬底基板2的上表面的正投影完全覆盖第一衬底基板2的上表面，即反射层15完全覆盖像素区、栅线12和数据线13，滤光层18覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域。 [0109] 请继续参阅图5和图6，本发明的实施例三提供的显示面板还包括黑矩阵17，黑矩阵17位于薄膜晶体管11背向第一衬底基板2的一侧，黑矩阵17分别与栅线12和数据线13对应，黑矩阵17与栅线12对应的部分在第一衬底基板2上的正投影落入栅线12在第一衬底基板2上的正投影内，黑矩阵17与数据线13对应的部分在第一衬底基板2上的正投影落入数据线13在第一衬底基板2上的正投影内。 [0110] 同样地，黑矩阵17的设置位置也可以根据反射层15的结构来设置，例如，请参阅图5，薄膜晶体管11与反射层15之间设置有第一钝化层14，第一钝化层14完全覆盖第一衬底基板2；反射层15位于第一钝化层14上，且反射层15覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域，此时，黑矩阵17可以与反射层15一起形成在第一钝化层14上，即黑矩阵17和反射层15均位于第一钝化层14上。 [0111] 或者，请参阅图6，薄膜晶体管11与反射层15之间设置有第一钝化层14，第一钝化层14完全覆盖第一衬底基板2；反射层15位于第一钝化层14上，且反射层15完全覆盖第一衬底基板2，也可以理解为反射层15位于第一钝化层14上且完全覆盖第一钝化层14，此时，则在反射层15上形成第二钝化层16，第二钝化层16完全覆盖第一衬底基板2，即第二钝化层16完全覆盖反射层15，黑矩阵17位于第二钝化层16上，滤光层18也位于第二钝化层16上。 [0112] 在实施例三中，反射层15的材料可以为多种，例如，反射层15的材料可以为具有反光功能的有机材料、无机材料、金属等，在本发明实施例三中，反射层15的材料选用金属，即反射层15为金属反射层。 [0113] 实施例三中，滤光层18的材料可以为彩色树脂，具体地，当实施例一提供的阵列基板应用于采用RGB(Red红，Green绿，Blue蓝)显示模式的显示面板中时，滤光层18的材料包括红色树脂、绿色树脂和蓝色树脂，红色树脂沉积在用于显示红色的像素区内，绿色树脂沉积在用于显示绿色的像素区内，蓝色树脂沉积在用于显示蓝色的像素区内。 [0114] 实施例四 [0115] 本发明的实施例四提供一种显示装置，所述显示装置包括如实施例二或实施例三提供的显示面板。 [0116] 实施例四提供的显示装置与实施例二提供的显示面板或实施三提供的显示面板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。 [0117] 值得一提的是，本发明的实施例一提供的阵列基板、实施例二和实施例三提供的显示面板均可以应用于反射式显示装置，例如，可以应用于柔性反射式显示装置、刚性反射式显示装置中，尤其地，将本发明的实施例一提供的阵列基板、实施例二和实施例三提供的显示面板均可以应用于柔性反射式显示装置时，由于滤光层位于阵列基板一侧，且与反射层相邻设置，因而当柔性反射式显示装置弯折时，弯折处滤光层的变形量与反射层的变形量基本相同，因而可以防止柔性反射式显示装置中相邻的两个像素区之间发生漏光现象的产生。 [0118] 本发明的实施例四提供显示装置为柔性反射式显示装置或刚性反射式显示装置，相应地，本发明的实施例四提供显示装置为柔性反射式显示装置时，可以有效防止反射式显示装置中相邻的两个像素区之间发生漏光现象的产生。 [0119] 实施例五 [0120] 请参阅图7，本发明的实施例五提供一种阵列基板的制造方法，用于制造实施例一提供的阵列基板，所述阵列基板的制造方法包括： [0121] 步骤S10、提供衬底基板。 [0122] 步骤S20、形成反射层。 [0123] 步骤S30、形成滤光层。 [0124] 步骤S40、形成像素电极和公共电极。 [0125] 实施例五提供的阵列基板的制造方法与实施例一提供的阵列基板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。 [0126] 请参阅图8或图9，在步骤S10、提供衬底基板之后，步骤S20、形成反射层之前，所述阵列基板的制造方法还包括： [0127] 步骤S11、在衬底基板上形成栅极、栅线。 [0128] 步骤S12、形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖衬底基板、栅极和栅线。 [0129] 步骤S13、形成有源层。 [0130] 步骤S14、形成源极、漏极和数据线，源极和漏极分别与有源层接触。 [0131] 步骤S15、形成第一钝化层，第一钝化层覆盖栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和数据线。 [0132] 实施例一提供的阵列基板还包括黑矩阵，黑矩阵的设置位置根据反射层的结构设定，相应地，根据反射层的结构不同，黑矩阵的设置位置不同，阵列基板的制造方法也有所不同，具体地，当反射层覆盖像素区内除薄膜晶体管的区域以及薄膜晶体管的至少部分区域时，请参阅图8，在步骤S20、形成反射层之后，步骤S30、形成滤光层之前，所述阵列基板的制造方法还包括： [0133] 步骤S21、在第一钝化层上形成黑矩阵。 [0134] 或者，当反射层完全覆盖衬底基板时，请参阅图9，在步骤S20、形成反射层之后，步骤S30、形成滤光层之前，所述阵列基板的制造方法还包括： [0135] 步骤S22、形成第二钝化层，第二钝化层覆盖反射层。 [0136] 步骤S23、在第二钝化层上形成黑矩阵。 [0137] 请继续参阅图8至图11，在本发明实施例五中，步骤S40、形成像素电极和公共电极，可以包括： [0138] 步骤S41、形成第三钝化层，第三钝化层覆盖滤光层、黑矩阵。 [0139] 步骤S42、形成公共电极。 [0140] 步骤S43、形成第四钝化层。 [0141] 步骤S44、在与漏极对应的部位形成过孔。 [0142] 步骤S45、形成像素电极，像素电极通过过孔与漏极连接。 [0143] 实施例六 [0144] 本发明的实施例六提供一种显示面板的制造方法，用于制造如实施例二提供的显示面板，所述显示面板的制造方法包括如实施例五提供的阵列基板的制造方法。 [0145] 实施例六提供的显示面板的制造方法与实施例五提供的阵列基板的制造方法相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。 [0146] 实施例七 [0147] 请参阅图10，本发明的实施例七提供一种显示面板的制造方法，用于制造如实施例三提供的显示面板，所述显示面板的制造方法包括： [0148] 步骤S100、提供第一衬底基板和第二衬底基板。 [0149] 步骤S200、在第一衬底基板上依次形成反射层、滤光层和像素电极，在第二衬底基板上形成公共电极。 [0150] 实施例七提供的显示面板的制造方法与实施例三提供的显示面板相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。 [0151] 在实施例三中，显示面板中薄膜晶体管、反射层、黑矩阵的设置与实施例一中阵列基板中薄膜晶体管、反射层、黑矩阵的设置相似，因而实施例七提供的显示面板的制造方法中，薄膜晶体管、反射层、黑矩阵的形成方法可以与实施例五中阵列基板的制造方法中薄膜晶体管、反射层、黑矩阵的形成方法相似，具体地，反射层覆盖像素区内除薄膜晶体管11以外的区域以及薄膜晶体管11的至少部分区域时，请参阅图11，所述显示面板的制造方法可以包括： [0152] 步骤S100、提供第一衬底基板和第二衬底基板。 [0153] 步骤S110、在第一衬底基板上形成栅极、栅线。 [0154] 步骤S120、形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖第一衬底基板、栅极和栅线。 [0155] 步骤S130、形成有源层。 [0156] 步骤S140、形成源极、漏极和数据线，源极和漏极分别与有源层接触。 [0157] 步骤S150、形成第一钝化层，第一钝化层覆盖栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和数据线。 [0158] 步骤S210、在第一钝化层上形成反射层。 [0159] 步骤S220、在第一钝化层上形成黑矩阵。 [0160] 步骤S230、在反射层上形成滤光层。 [0161] 步骤S240、形成第三钝化层，第三钝化层覆盖滤光层、黑矩阵。 [0162] 步骤S250、在与漏极对应的部位形成过孔。 [0163] 步骤S260、形成像素电极，像素电极通过过孔与漏极连接。 [0164] 步骤S270、在第二衬底基板上形成公共电极。 [0165] 反射层完全覆盖第一衬底基板时，请参阅图12，所述显示面板的制造方法可以包括： [0166] 步骤S100、提供第一衬底基板和第二衬底基板。 [0167] 步骤S110、在第一衬底基板上形成栅极、栅线。 [0168] 步骤S120、形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖第一衬底基板、栅极和栅线。 [0169] 步骤S130、形成有源层。 [0170] 步骤S140、形成源极、漏极和数据线，源极和漏极分别与有源层接触。 [0171] 步骤S150、形成第一钝化层，第一钝化层覆盖栅极绝缘层、有源层、源极、漏极和数据线。 [0172] 步骤S310、形成反射层。 [0173] 步骤S320、形成第二钝化层，第二钝化层覆盖反射层。 [0174] 步骤S330、在第二钝化层上形成黑矩阵。 [0175] 步骤S340、在第二钝化层上形成滤光层。 [0176] 步骤S350、形成第三钝化层，第三钝化层覆盖滤光层、黑矩阵。 [0177] 步骤S360、在与漏极对应的部位形成过孔。 [0178] 步骤S370、形成像素电极，像素电极通过过孔与漏极连接。 [0179] 步骤S380、在第二衬底基板上形成公共电极。 [0180] 在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。 [0181] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。 |
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