一种内嵌式触摸屏及显示装置 |
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申请号 | CN201510342189.7 | 申请日 | 2015-06-18 | 公开(公告)号 | CN104866158B | 公开(公告)日 | 2017-12-15 |
申请人 | 京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方显示技术有限公司; | 发明人 | 王宝强; | ||||
摘要 | 本 发明 公开了一种内嵌式 触摸屏 及显示装置,该内嵌式触摸屏将数据线复用为将自电容 电极 电性连接至触控侦测芯片的 连接线 ,在显示时间段,利用第一控制部件控制各自电容电极与对应的连接线断开,利用第二控制部件控制各数据线与数据驱动 电路 电性连接,在触控时间段,利用第一控制部件控制各自电容电极与对应的连接线连接,利用第二控制部件控制被复用为连接线的数据线与触控侦测芯片电性连接,这样,无需在数据线所在的遮光区域单独设置连接线即可实现自电容触控,从而可以增大自电容触摸屏的 开口率 ,这样,在与现有的触摸屏的显示画面的 亮度 相同的情况下,可以减小 背光 源 的强度,进而还可以降低触摸屏的功耗。 | ||||||
权利要求 | 1.一种内嵌式触摸屏,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上交叉绝缘而置的栅线和数据线,位于所述衬底基板上与所述栅线和所述数据线相互绝缘且呈矩阵排列的多个自电容电极,以及在触控时间段通过检测各所述自电容电极的电容值变化以判断触控位置的触控侦测芯片;其特征在于: |
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说明书全文 | 一种内嵌式触摸屏及显示装置技术领域[0001] 本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种内嵌式触摸屏及显示装置。 背景技术[0002] 触摸屏按照组成结构可以分为:外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中,内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部,可以减小模组整体的厚度,降低触摸屏的制作成本。 [0004] 在现有的自电容触摸屏中,如图1所示,设置有多个同层设置且相互绝缘的自电容电极101,每一个自电容电极101通过过孔102与另外设置的连接线103电性连接,各连接线103与触控侦测芯片104电性连接,连接线103设置于数据线105所在的遮光区域内,各数据线105与数据驱动电路106电性连接。当人体未触碰屏幕时,各自电容电极所承受的电容为一固定值;当人体触碰屏幕时,对应的自电容电极所承受的电容为固定值叠加人体电容,触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置。 [0005] 在上述自电容触摸屏中,与自电容电极电性连接的连接线一般采用不透光的金属制作,需要被黑矩阵遮挡以避免触摸屏出现漏光的问题,另外设置的连接线会减小触摸屏的开口率;并且,在触摸屏的开口率较小时,为了保证触摸屏的显示亮度,需要增大背光源的强度,从而会增大触摸屏的功耗。 [0006] 因此,如何增大自电容触摸屏的开口率以相应减小触摸屏的功耗,是本领域技术人员亟需解决的技术问题。 发明内容[0007] 有鉴于此,本发明实施例提供了一种内嵌式触摸屏及显示装置,用以增大自电容触摸屏的开口率以相应减小触摸屏的功耗。 [0008] 因此,本发明实施例提供了一种内嵌式触摸屏,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上交叉绝缘而置的栅线和数据线,位于所述衬底基板上与所述栅线和所述数据线相互绝缘且呈矩阵排列的多个自电容电极,以及在触控时间段通过检测各所述自电容电极的电容值变化以判断触控位置的触控侦测芯片; [0009] 每列所述自电容电极与多条所述数据线相互重叠,每列所述自电容电极包含的所述自电容电极的数量小于或等于与该列自电容电极相互重叠的所述数据线的数量; [0010] 将所述数据线复用为将所述自电容电极电性连接至所述触控侦测芯片的连接线;每个所述自电容电极对应一条所述连接线; [0011] 还包括:第一控制部件和第二控制部件;所述第一控制部件,用于在显示时间段控制各所述自电容电极与对应的连接线断开,在触控时间段控制各所述自电容电极与对应的连接线电性连接;所述第二控制部件,用于在显示时间段控制各所述数据线与数据驱动电路电性连接,在触控时间段控制被复用为所述连接线的所述数据线与所述触控侦测芯片电性连接。 [0012] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,所述第一控制部件,包括:与所述栅线相互绝缘且与各所述自电容电极一一对应的多个第一薄膜晶体管,与所述栅线和所述数据线相互绝缘且与各行所述自电容电极一一对应的多条第一控制线,以及与各所述第一控制线电性连接的第一控制电路; [0013] 每行所述自电容电极对应的各所述第一薄膜晶体管的栅极与该行自电容电极对应的所述第一控制线电性连接,每个所述第一薄膜晶体管的源极与对应的自电容电极电性连接,每个所述第一薄膜晶体管的漏极与对应的自电容电极所对应的连接线电性连接。 [0014] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,所述第二控制部件,包括:与被复用为所述连接线的所述数据线一一对应的多个第二薄膜晶体管,与各所述数据线一一对应的多个第三薄膜晶体管,与各所述第二薄膜晶体管电性连接的第二控制线,与所述第二控制线电性连接的第二控制电路,与各所述第三薄膜晶体管电性连接的第三控制线,以及与所述第三控制线电性连接的第三控制电路; [0015] 每个所述第二薄膜晶体管用于将对应的被复用为所述连接线的所述数据线与所述触控侦测芯片导通或断开;各所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二控制线电性连接,各所述第二薄膜晶体管的源极与所述触控侦测芯片电性连接,各所述第二薄膜晶体管的漏极与对应的被复用为所述连接线的所述数据线电性连接; [0016] 每个所述第三薄膜晶体管用于将各所述数据线与所述数据驱动电路导通或断开;各所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第三控制线电性连接,各所述第三薄膜晶体管的源极与所述数据驱动电路电性连接,各所述第三薄膜晶体管的漏极与对应的所述数据线电性连接。 [0018] 所述第一控制线位于相邻的两行所述像素单元之间的间隙处。 [0019] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,所述第一控制线与所述栅线同层设置。 [0020] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,每个所述像素单元包括第四薄膜晶体管和像素电极; [0021] 所述第一薄膜晶体管与所述第四薄膜晶体管同层设置。 [0022] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,所述第二控制线与所述栅线同层设置。 [0023] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,还包括:位于所述衬底基板上呈矩阵排列的多个像素单元;每个所述像素单元包括第四薄膜晶体管和像素电极; [0024] 所述第二薄膜晶体管与所述第四薄膜晶体管同层设置。 [0025] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,所述第三控制线与所述栅线同层设置。 [0026] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,还包括:位于所述衬底基板上呈矩阵排列的多个像素单元;每个所述像素单元包括第四薄膜晶体管和像素电极; [0027] 所述第三薄膜晶体管与所述第四薄膜晶体管同层设置。 [0028] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,所述第一薄膜晶体管的极性与所述第二薄膜晶体管的极性相同,所述第一薄膜晶体管的极性与所述第三薄膜晶体管的极性相反; [0029] 所述第一控制电路、所述第二控制电路和所述第三控制电路为同一个控制电路。 [0030] 在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,各所述自电容电极由设置于所述衬底基板上的公共电极层分割而成。 [0031] 本发明实施例还提供了一种显示装置,包括:本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏。 [0032] 本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏及显示装置,该内嵌式触摸屏将数据线复用为将自电容电极电性连接至触控侦测芯片的连接线,在显示时间段,利用第一控制部件控制各自电容电极与对应的连接线断开,利用第二控制部件控制各数据线与数据驱动电路电性连接,在触控时间段,利用第一控制部件控制各自电容电极与对应的连接线连接,利用第二控制部件控制被复用为连接线的数据线与触控侦测芯片电性连接,这样,无需在数据线所在的遮光区域单独设置连接线即可实现自电容触控,从而可以增大自电容触摸屏的开口率,这样,在与现有的触摸屏的显示画面的亮度相同的情况下,可以减小背光源的强度,进而还可以降低触摸屏的功耗。附图说明 [0033] 图1为现有的自电容触摸屏的结构示意图; [0034] 图2为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的结构示意图。 具体实施方式[0035] 下面结合附图,对本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。 [0036] 附图中各部件的形状和尺寸不反映其真实比例,目的只是示意说明本发明内容。 [0037] 本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏,如图2所示,包括:衬底基板,位于衬底基板上交叉绝缘而置的栅线1和数据线2,位于衬底基板上与栅线1和数据线2相互绝缘且呈矩阵排列的多个自电容电极3,以及在触控时间段通过检测各自电容电极3的电容值变化以判断触控位置的触控侦测芯片4; [0038] 每列自电容电极3与多条数据线2相互重叠,每列自电容电极3包含的自电容电极3的数量小于或等于与该列自电容电极相互重叠的数据线2的数量; [0039] 将数据线2复用为将自电容电极3电性连接至触控侦测芯片4的连接线;每个自电容电极3对应一条连接线; [0040] 还包括:第一控制部件5和第二控制部件6;第一控制部件5,用于在显示时间段控制各自电容电极3与对应的连接线断开,在触控时间段控制各自电容电极3与对应的连接线电性连接;第二控制部件6,用于在显示时间段控制各数据线2与数据驱动电路7电性连接,在触控时间段控制被复用为连接线的数据线2与触控侦测芯片4电性连接。 [0041] 本发明实施例提供的上述触摸屏,将数据线复用为将自电容电极电性连接至触控侦测芯片的连接线,在显示时间段,利用第一控制部件控制各自电容电极与对应的连接线断开,利用第二控制部件控制各数据线与数据驱动电路电性连接,在触控时间段,利用第一控制部件控制各自电容电极与对应的连接线连接,利用第二控制部件控制被复用为连接线的数据线与触控侦测芯片电性连接,这样,无需在数据线所在的遮光区域单独设置连接线即可实现自电容触控,从而可以增大自电容触摸屏的开口率,这样,在与现有的触摸屏的显示画面的亮度相同的情况下,可以减小背光源的强度,进而还可以降低触摸屏的功耗。 [0042] 一般地,触摸屏的触控密度通常在毫米级,在具体实施时,可以根据所需的触控密度选择自电容电极的密度和所占面积;而像素电极的密度通常在微米级,因此,一般一个自电容电极会对应多个像素电极,一列自电容电极会对应多列像素电极,也就是说,一列自电容电极会与多条数据线相互重叠。 [0043] 在具体实施时,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,如图2所示,每列自电容电极3包含的自电容电极3的数量可以等于与该列自电容电极相互重叠的数据线2的数量,此时,可以将所有的数据线复用为连接线;或者,每列自电容电极包含的自电容电极的数量也可以小于与该列自电容电极相互重叠的数据线的数量,此时,可以将部分数据线复用为连接线;在此不做限定。并且,在每列自电容电极包含的自电容电极的数量小于与该列自电容电极相互重叠的数据线的数量时,可以仅将一条数据线复用为一条连接线;或者,也可以将多条数据线共同复用为一条连接线,在此不做限定。 [0044] 在具体实施时,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,如图2所示,第一控制部件5,可以包括:与栅线1相互绝缘且与各自电容电极3一一对应的多个第一薄膜晶体管51,与栅线1和数据线2相互绝缘且与各行自电容电极3一一对应的多条第一控制线52,以及与各第一控制线52电性连接的第一控制电路53;其中,每行自电容电极3对应的各第一薄膜晶体管51的栅极与该行自电容电极3对应的第一控制线52电性连接,每个第一薄膜晶体管51的源极通过过孔(如图2所示的黑色圆点所示)与对应的自电容电极3电性连接,每个第一薄膜晶体管51的漏极与对应的自电容电极3所对应的连接线电性连接。 [0045] 需要说明的是,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,虽然在栅线所在的遮光区域内增加了第一控制线,该第一控制线也会影响触摸屏的开口率,但与在数据线所在的遮光区域内另外设置的连接线对开口率的影响相比,在栅线所在的遮光区域内增加的第一控制线对开口率的影响较小,因此,本发明实施例提供的上述触摸屏与现有的触摸屏相比,可以提高开口率,相应地,可以降低触摸屏的功耗。 [0046] 在具体实施时,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,各第一薄膜晶体管可以为N型晶体管;或者,各第一薄膜晶体管也可以为P型晶体管,在此不做限定。 [0047] 下面以各第一薄膜晶体管为N型晶体管为例,对本发明实施例提供的上述触摸屏中第一薄膜晶体管、第一控制线和第一控制电路的工作过程进行详细说明:在触控时间段,第一控制电路可以向各第一控制线加载高电平信号,控制各第一薄膜晶体管处于开启状态,使各自电容电极与对应的连接线电性连接;在显示时间段,第一控制电路可以向第一控制线加载低电平信号,控制各第一薄膜晶体管处于关闭状态,使各自电容电极与对应的连接线断开。 [0048] 在具体实施时,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,如图2所示,还可以包括:位于衬底基板上呈矩阵排列的多个像素单元8;可以将第一控制线52设置于相邻的两行像素单元8之间的间隙处,即第一控制线52位于栅线1所在的遮光区域内,这样,可以避免第一控制线52采用金属材料时出现漏光的问题。 [0049] 较佳地,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,可以将第一控制线与栅线同层设置,即第一控制线与栅线同层同材质,这样,可以简化触摸屏的制作工艺,降低触摸屏的生产成本。 [0050] 较佳地,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,如图2所示,每个像素单元8可以包括第四薄膜晶体管81和像素电极82;可以将第一薄膜晶体管51与第四薄膜晶体管81同层设置,即第一薄膜晶体管51的栅极与第四薄膜晶体管81的栅极同层设置,第一薄膜晶体管51的有源层与第四薄膜晶体管81的有源层同层设置,第一薄膜晶体管51的源漏极与第四薄膜晶体管81的源漏极同层设置,这样,可以简化触摸屏的制作工艺,降低触摸屏的生产成本。 [0051] 在具体实施时,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,如图2所示,第二控制部件6,包括:与被复用为连接线的数据线2一一对应的多个第二薄膜晶体管61,与各数据线2一一对应的多个第三薄膜晶体管62,与各第二薄膜晶体管61电性连接的第二控制线63,与第二控制线63电性连接的第二控制电路64,与各第三薄膜晶体管62电性连接的第三控制线 65,以及与第三控制线65电性连接的第三控制电路66;其中,每个第二薄膜晶体管61用于将对应的被复用为连接线的数据线2与触控侦测芯片4导通或断开,具体地,各第二薄膜晶体管61的栅极与第二控制线63电性连接,各第二薄膜晶体管61的源极与触控侦测芯片4电性连接,各第二薄膜晶体管61的漏极与对应的被复用为连接线的数据线2电性连接;每个第三薄膜晶体管62用于将各数据线2与数据驱动电路7导通或断开,具体地,各第三薄膜晶体管 62的栅极与第三控制线65电性连接,各第三薄膜晶体管62的源极与数据驱动电路7电性连接,各第三薄膜晶体管62的漏极与对应的数据线2电性连接。 [0052] 在具体实施时,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,各第二薄膜晶体管可以为N型晶体管;或者,各第二薄膜晶体管也可以为P型晶体管,在此不做限定。并且,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,各第三薄膜晶体管可以为N型晶体管;或者,各第三薄膜晶体管也可以为P型晶体管,在此不做限定。 [0053] 下面以各第二薄膜晶体管为N型晶体管,第三薄膜晶体管为P型晶体管为例,对本发明实施例提供的上述触摸屏中第二薄膜晶体管、第二控制线、第二控制电路、第三薄膜晶体管、第三控制线和第三控制电路的工作过程进行详细说明:在触控时间段,第三控制电路可以向第三控制线加载高电平信号,控制各第三薄膜晶体管处于关闭状态,使各数据线与数据驱动电路断开,并且,第二控制电路可以向第二控制线加载高电平信号,控制各第二薄膜晶体管处于开启状态,使各连接线与触控侦测芯片电性连接,触控侦测芯片通过各连接线向对应的自电容电极加载触控信号,并通过检测各自电容电极的电容值变化判断触控位置;在显示时间段,第二控制电路可以向第二控制线加载低电平信号,控制各第二薄膜晶体管处于关闭状态,使各连接线与触控侦测芯片断开,并且,第三控制电路可以向第三控制线加载低电平信号,控制各第三薄膜晶体管处于开启状态,使各数据线与数据驱动电路电性连接,在栅极扫描信号向各栅线加载栅极扫描信号时,数据驱动电路向各数据线加载灰阶信号以显示画面。 [0054] 需要说明的是,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,在每列自电容电极包含的自电容电极的数量小于与该列自电容电极相互重叠的数据线的数量,将部分数据线复用为连接线时,第三薄膜晶体管还可以与被复用为连接线的数据线一一对应,用于将对应的被复用为连接线的数据线与数据驱动电路导通或断开,各第三薄膜晶体管的栅极与第三控制线电性连接,各第三薄膜晶体管的源极与数据驱动电路电性连接,各第三薄膜晶体管的漏极与对应的被复用为连接线的数据线电性连接;在触控时间段,第三控制电路通过第三控制线控制第三薄膜晶体管处于关闭状态,将各连接线与数据驱动电路断开,而未被复用为连接线的数据线仍然与数据驱动电路电性连接,因此,为了避免数据驱动电路向未被复用为连接线的数据线加载灰阶信号对触控信号产生干扰,可以利用栅极驱动电路通过各栅线控制各第四薄膜晶体管处于关闭状态。 [0055] 需要说明的是,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,如图2所示,可以将第二薄膜晶体管61、第二控制线63、第二控制电路64、第三薄膜晶体管62、第三控制线65和第三控制电路66设置于触摸屏中包围显示区域的边框区域内;或者,也可以将第二薄膜晶体管、第二控制线和第二控制电路集成在触控侦测芯片中,将第三薄膜晶体管、第三控制线和第三控制电路集成在数据驱动电路中,在此不做限定。 [0056] 较佳地,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,可以将第二控制线与栅线同层设置,即第二控制线与栅线同层同材质,这样,可以简化触摸屏的制作工艺,降低触摸屏的生产成本。 [0057] 较佳地,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,如图2所示,还可以包括:位于衬底基板上呈矩阵排列的多个像素单元8;每个像素单元8可以包括第四薄膜晶体管81和像素电极82;可以将第二薄膜晶体管61与第四薄膜晶体管81同层设置,即第二薄膜晶体管61的栅极与第四薄膜晶体管81的栅极同层设置,第二薄膜晶体管61的有源层与第四薄膜晶体管81的有源层同层设置,第二薄膜晶体管61的源漏极与第四薄膜晶体管81的源漏极同层设置,这样,可以简化触摸屏的制作工艺,降低触摸屏的生产成本。 [0058] 较佳地,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,可以将第三控制线与栅线同层设置,即第三控制线与栅线同层同材质,这样,可以简化触摸屏的制作工艺,降低触摸屏的生产成本。 [0059] 较佳地,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,如图2所示,还可以包括:位于衬底基板上呈矩阵排列的多个像素单元8;每个像素单元8可以包括第四薄膜晶体管81和像素电极82;可以将第三薄膜晶体管62与第四薄膜晶体管81同层设置,即第三薄膜晶体管62的栅极与第四薄膜晶体管81的栅极同层设置,第三薄膜晶体管62的有源层与第四薄膜晶体管81的有源层同层设置,第三薄膜晶体管62的源漏极与第四薄膜晶体管81的源漏极同层设置,这样,可以简化触摸屏的制作工艺,降低触摸屏的生产成本。 [0060] 进一步地,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,由于无论在触控时间段还是在显示时间段,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的开启或关闭的状态相同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的开启或关闭的状态相反,因此,可以将第一薄膜晶体管的极性与第二薄膜晶体管的极性设置为相同,将第一薄膜晶体管的极性与第三薄膜晶体管的极性设置为相反;这样,可以将第一控制电路、第二控制电路和第三控制电路设置为同一个控制电路,该控制电路可以向第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管同时加载相同的电信号,在触控时间段控制第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管处于开启状态同时控制第三薄膜晶体管处于关闭状态,在显示时间段控制第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管处于关闭状态同时控制第三薄膜晶体管处于开启状态,从而可以达到简化触摸屏的结构,简化触摸屏的制作工艺,降低触摸屏的生产成本的目的。 [0061] 下面以第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为N型晶体管,第三薄膜晶体管为P型晶体管为例,对触摸屏的工作过程进行详细说明:在触控时间段,控制电路可以向第一薄膜晶体管加载高电平信号,控制各第一薄膜晶体管处于开启状态,使各自电容电极与对应的连接线电性连接,第三控制电路可以向第三控制线加载高电平信号,控制各第三薄膜晶体管处于关闭状态,使各数据线与数据驱动电路断开,并且,第二控制电路可以向第二控制线加载高电平信号,控制各第二薄膜晶体管处于开启状态,使各连接线与触控侦测芯片电性连接,触控侦测芯片通过各连接线向对应的自电容电极加载触控信号,并通过检测各自电容电极的电容值变化判断触控位置;在显示时间段,第一控制电路可以向第一控制线加载低电平信号,控制各第一薄膜晶体管处于关闭状态,使各自电容电极与对应的连接线断开,第二控制电路可以向第二控制线加载低电平信号,控制各第二薄膜晶体管处于关闭状态,使各连接线与触控侦测芯片断开,并且,第三控制电路可以向第三控制线加载低电平信号,控制各第三薄膜晶体管处于开启状态,使各数据线与数据驱动电路电性连接,在栅极扫描信号向各栅线加载栅极扫描信号时,数据驱动电路向各数据线加载灰阶信号以显示画面。 [0062] 在具体实施时,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,可以在衬底基板上另外设置自电容电极。较佳地,在本发明实施例提供的上述触摸屏中,也可以将衬底基板上的公共电极层分割成呈矩阵排列的多个公共电极,将公共电极复用为自电容电极,这样,无需另外设置自电容电极,可以简化触摸屏的制作成本,降低触摸屏的整体厚度和生产成本。 [0063] 基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括:本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏,该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述内嵌式触摸屏的实施例,重复之处不再赘述。 [0064] 本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏及显示装置,该内嵌式触摸屏将数据线复用为将自电容电极电性连接至触控侦测芯片的连接线,在显示时间段,利用第一控制部件控制各自电容电极与对应的连接线断开,利用第二控制部件控制各数据线与数据驱动电路电性连接,在触控时间段,利用第一控制部件控制各自电容电极与对应的连接线连接,利用第二控制部件控制被复用为连接线的数据线与触控侦测芯片电性连接,这样,无需在数据线所在的遮光区域单独设置连接线即可实现自电容触控,从而可以增大自电容触摸屏的开口率,这样,在与现有的触摸屏的显示画面的亮度相同的情况下,可以减小背光源的强度,进而还可以降低触摸屏的功耗。 |