显示面板及具有该显示面板的显示器 |
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| 申请号 | CN201510187423.3 | 申请日 | 2015-04-20 | 公开(公告)号 | CN104751820B | 公开(公告)日 | 2017-10-24 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司; | 发明人 | 衣志光; | ||||
| 摘要 | 本 发明 公开一种 显示面板 ，包括：多个 像素 单元，所述像素单元至少包括 薄膜 晶体管， 薄膜晶体管 中 沟道 的宽度值为W，薄膜晶体管中沟道的长度值为L；多条扫描线和多条数据线，所述扫描线和所述数据线交叉布置，以用于限定所述像素单元的 位置 ；源极 驱动器 (2)，用于连接所述数据线且向每条所述数据线提供数据 信号 ；栅极驱动器(3)，用于连接所述扫描线且向所述扫描线提供扫描信号；调整所述薄膜晶体管中沟道宽度值W与沟道长度值L的比值，以使与同一条扫描线相连的像素单元同时完成充电。本发明还公开一种具有该显示面板的显示器。本发明通过使与同一条扫描线相连的像素单元同时完成充电，从而避免邻近栅极驱动器一侧的像素单元出现显示偏白现象。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种显示面板，包括： |
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| 说明书全文 | 显示面板及具有该显示面板的显示器技术领域[0001] 本发明属于显示技术领域，具体地讲，涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示器。 背景技术[0002] 现有的常暗式(Normal Black)液晶显示器(LCD)中，存在阻容延迟效应(RC delay)，因此在给每行像素单元进行充电时，将每行像素单元中的每个像素单元充满的时间(即每个像素单元的充电时间)不相同。 [0003] 由于邻近栅极驱动器(Gate IC)一侧的阻容延迟效应较小，而远离栅极驱动器一侧的阻容延迟效应较大，因此针对每行像素单元，在远离栅极驱动器一侧的像素单元还未充满电时，邻近栅极驱动器一侧的像素单元已经完成充电。这样，为了给远离栅极驱动器一侧的像素单元充满电，势必会对邻近栅极驱动器一侧的像素单元形成过充电。此外，还可能出现远离栅极驱动器一侧的像素单元因为阻容延迟效应而无法充到指定电位，使该行像素单元的两端形成电位差，从而导致邻近栅极驱动器一侧出现显示偏白现象。 发明内容[0004] 为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种避免邻近栅极驱动器一侧出现显示偏白现象的显示面板及显示器。 [0005] 根据本发明的一方面，提供了一种显示面板，包括：多个像素单元，所述像素单元至少包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中沟道的宽度值为W，所述薄膜晶体管中沟道的长度值为L；多条扫描线和多条数据线，所述扫描线和所述数据线交叉布置，以用于限定所述像素单元的位置；源极驱动器，用于连接所述数据线且向每条所述数据线提供数据信号；栅极驱动器，用于连接所述扫描线且向所述扫描线提供扫描信号；其中，调整所述薄膜晶体管中沟道宽度值W与沟道长度值L的比值W/L，以使与同一条扫描线相连的像素单元同时完成充电。 [0006] 进一步地，对于所述同一条扫描线相连的像素单元，按照逐渐远离所述栅极驱动器的顺序，前一个像素单元的薄膜晶体管的W/L小于后一个像素单元的薄膜晶体管的W/L。 [0007] 进一步地，对于所述同一条扫描线相连的像素单元，按照逐渐远离所述栅极驱动器的顺序，将所述同一条扫描线相连的像素单元分为多组，后一组像素单元的薄膜晶体管的W/L大于前一组像素单元的薄膜晶体管的W/L，并且同一组像素单元的薄膜晶体管的W/L相同。 [0008] 进一步地，所述前一个像素单元的薄膜晶体管的W/L和所述后一个像素单元的薄膜晶体管的W/L之差的绝对值与所述后一个像素单元的薄膜晶体管的W/L的比值正比于所述前一个像素单元的充电时间和所述后一个像素单元的充电时间之差的绝对值与所述前一个像素单元的充电时间的比值。 [0009] 进一步地，所述前一组像素单元的薄膜晶体管的W/L和所述后一组像素单元的薄膜晶体管的W/L之差的绝对值与所述后一组像素单元的薄膜晶体管的W/L的比值正比于所述前一组像素单元的充电时间和所述后一组像素单元的充电时间之差的绝对值与所述前一组像素单元的充电时间的比值。 [0010] 进一步地，与同一条数据线相连的像素单元的薄膜晶体管的W/L均相同。 [0011] 根据本发明的又一方面，提供了一种显示器，其包括上述的显示面板。 [0013] 通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中： [0014] 图1示出了根据本发明的实施例的显示面板的架构图； [0015] 图2示出了根据本发明的实施例的薄膜晶体管的沟道的长度和宽度的示意图。 具体实施方式[0016] 以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度，相同的标号在整个说明书和附图中可用来表示相同的元件。 [0017] 在本发明的实施例中，将以液晶显示器(LCD)作为示例来进行说明。但是，应当说明的是，本发明的显示面板不仅仅作为LCD中的显示面板，还可以作为有机发光显示器(OLED)或者其他合适类型的显示器中的显示面板。 [0018] 图1示出了根据本发明的实施例的显示面板的架构图。图2示出了根据本发明的实施例的薄膜晶体管的沟道的长度和宽度的示意图。 [0019] 参照图1，根据本发明的实施例的显示面板1至少包括：时序控制器(未示出)、源极驱动器2、栅极驱动器3、多条数据线S1至Sn、多条扫描线G1至Gm以及多个像素单元P11、……P1n、……Pmn。应当理解的是，根据本发明的实施例的显示面板1还可包括电压转换器(未示出)等其他合适类型的器件。 [0020] 时序控制器为源极驱动器2和栅极驱动器3提供时序控制信号，控制源极驱动器2和栅极驱动器3的操作。 [0021] 源极驱动器2连接到多条数据线S1至Sn，根据时序控制器提供的时序控制信号向所述多条数据线S1至Sn提供数据信号，以驱动所述多条数据线S1至Sn。n为整数。 [0022] 栅极驱动器3连接到多条扫描线G1至Gm，根据时序控制器提供的时序控制信号向所述多条扫描线G1至Gm提供扫描信号，以驱动所述多条扫描线G1至Gm。m为整数。 [0023] 多条数据线S1至Sn和多条扫描线G1至Gm彼此垂直交叉布置，形成m×n阵列形式。 [0024] 像素单元的数量为m×n。每个像素单元Pij可设置在第i条扫描线与第j条数据线之间的节点处(1≤i≤m，1≤j≤n)。像素单元Pij包括薄膜晶体管(TFT)、液晶电容和存储电容。TFT的栅极连接到第i条扫描线，TFT的源极连接到第j条数据线。液晶电容和存储电容的一端连接到TFT的漏极，液晶电容和存储电容的另一端连接到接地端。 [0025] 作为本发明的一个实施方式，对于每一行像素单元，按照逐渐远离栅极驱动器3的顺序，前一个像素单元的薄膜晶体管的W/L小于后一个像素单元的薄膜晶体管的W/L，以实现与同一条扫描线相连的所有像素单元(即同一行像素单元)能同时完成充电，其中，如图2所示，W表示薄膜晶体管中沟道的宽度，L表示薄膜晶体管中沟道的长度。此外，在图2中，薄膜晶体管还包括栅极41、源极42和漏极43。 [0026] 例如，对于第一行像素单元P11、……P1n，按照逐渐远离栅极驱动器3的顺序，前一个像素单元P1j的薄膜晶体管的W/L小于后一个像素单元P1(j+1)的薄膜晶体管的W/L，从而使第一行像素单元P11、……P1n同时完成充电(1≤j≤n)。 [0027] 进一步地，对于每一行像素单元，按照逐渐远离栅极驱动器3的顺序，前一个像素单元的薄膜晶体管的W/L和后一个像素单元的薄膜晶体管的W/L之差的绝对值与后一个像素单元的薄膜晶体管的W/L的比值正比于前一个像素单元的充电时间和后一个像素单元的充电时间之差的绝对值与前一个像素单元的充电时间的比值。 [0028] 例如，对于第一行像素单元P11、……P1n，按照逐渐远离栅极驱动器3的顺序，前一个像素单元P1j的薄膜晶体管的(W/L)P1j和后一个像素单元P1(j+1)的薄膜晶体管的(W/L)P1(j+1)之差的绝对值|(W/L)P1j-(W/L)P1(j+1)|与后一个像素单元P1(j+1)的薄膜晶体管的(W/L)P1(j+1)的比值|(W/L)P1j-(W/L)P1(j+1)|/(W/L)P1(j+1)正比于前一个像素单元P1j的充电时间TP1j和后一个像素单元P1(j+1)的充电时间TP1(j+1)之差的绝对值|TP1j-TP1(j+1)|与前一个像素单元P1j的充电时间TP1j的比值|TP1j-TP1(j+1)|/TP1j，即满足式子|(W/L)P1j-(W/L)P1(j+1)|/(W/L)P1(j+1)＝a×|TP1j-TP1(j+1)|/TP1j，其中，a为一比例系数。 [0029] 对于每一列像素单元(即与同一条数据线相连的所有像素单元)而言，每一列像素单元中的每个像素单元的薄膜晶体管的W/L均相同。例如，对于第一列像素单元P11、……Pm1而言，第一列像素单元P11、……Pm1中的每个像素单元Pi1的薄膜晶体管的W/L均相同。 [0030] 作为本发明的另一个实施方式，对于每一行像素单元，按照逐渐远离栅极驱动器3的顺序，将每一行像素单元分为多组，后一组像素单元的薄膜晶体管的W/L大于前一组像素单元的薄膜晶体管的W/L，并且同一组像素单元的薄膜晶体管的W/L均相同，以实现与同一条扫描线相连的所有像素单元(即同一行像素单元)能同时完成充电，其中，如图2所示，W表示薄膜晶体管中沟道的宽度，L表示薄膜晶体管中沟道的长度。此外，在图2中，薄膜晶体管还包括栅极41、源极42和漏极43。 [0031] 例如，对于第一行像素单元P11、……P1n，按照逐渐远离栅极驱动器3的顺序，将第一行像素单元P11、……P1n分为n/q组(q能整除n)，后一组像素单元P1(n-q+1)、……P1n的薄膜晶体管的W/L大于前一组像素单元P1(n-2q+2)、……P1(n-q+1)的薄膜晶体管的W/L，并且同一组像素单元(例如，后一组像素单元P1(n-q+1)、……P1n或者前一组像素单元P1(n-2q+2)、……P1(n-q+1))的薄膜晶体管的W/L均相同，从而使第一行像素单元P11、……P1n同时完成充电(1≤j≤n)。 [0032] 进一步地，按照逐渐远离栅极驱动器3的顺序，前一组像素单元的薄膜晶体管的W/L和后一组像素单元的薄膜晶体管的W/L之差的绝对值与后一组像素单元的薄膜晶体管的W/L的比值正比于前一组像素单元的充电时间和后一组像素单元的充电时间之差的绝对值与前一组像素单元的充电时间的比值。 [0033] 例如，第(n/q)-1组像素单元P1(n-2q+2)、……P1(n-q+1))的薄膜晶体管的(W/L)(n/q)-1和第n/q组像素单元P1(n-q+1)、……P1n薄膜晶体管的(W/L)n/q之差的绝对值|(W/L)(n/q)-1-(W/L)n/q|与第n/q组像素单元P1(n-q+1)、……P1n薄膜晶体管的(W/L)n/q的比值|(W/L)(n/q)-1-(W/L)n/q|/(W/L)n/q正比于第(n/q)-1组像素单元P1(n-2q+2)、……P1(n-q+1))的充电时间T(n/q)-1和第n/q组像素单元P1(n-q+1)、……P1n的充电时间Tn/q之差的绝对值|T(n/q)-1-Tn/q|与第(n/q)-1组像素单元P1(n-2q+2)、……P1(n-q+1))的充电时间T(n/q)-1的比值|T(n/q)-1-Tn/q|/T(n/q)-1，即|(W/L)(n/q)-1-(W/L)n/q|/(W/L)n/q＝b×|T(n/q)-1-Tn/q|/T(n/q)-1，其中，b为一比例系数。 [0034] 对于每一列像素单元(即与同一条数据线相连的所有像素单元)而言，每一列像素单元中的每个像素单元的薄膜晶体管的W/L均相同。例如，对于第一列像素单元P11、……Pm1而言，第一列像素单元P11、……Pm1中的每个像素单元Pi1的薄膜晶体管的W/L均相同。 [0035] 综上所述，根据本发明的实施例，通过使与同一条扫描线相连的像素单元同时完成充电，从而避免邻近栅极驱动器一侧的像素单元出现显示偏白现象。 |
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