一种液晶显示面板及其制作方法专利检索- 用于控制光的强度颜色相位偏振或方向的器件或装置例如转换选通调制或解调上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器专利检索查询-专利查询网

一种液晶显示面板及其制作方法
申请号	CN201510030357.9	申请日	2015-01-21	公开(公告)号	CN104597647B	公开(公告)日	2017-11-28
申请人	深圳市华星光电技术有限公司;			发明人	王聪; 陈彩琴;
摘要	本发明提供一种液晶显示面板及其制作方法，所述方法包括分别制作第一基板、第二基板，其中所述第二基板与所述第一基板相对设置；以及在所述第一基板和所述第二基板之间注入液晶；其中在制作所述第一基板或者所述第二基板的过程中，使得第一距离大于第二距离，其中所述第一距离为所述主像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离，所述第二距离为所述子像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离。本发明的液晶显示面板及其制作方法，在解决大视角色偏问题的同时增大像素的开口率。
权利要求	1.一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述液晶显示面板包括第一基板、第二基板、设置于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，其中所述第一基板包括第一透明导电层；所述第二基板包括开关阵列层和色阻层、第二透明导电层，所述色阻层包括多个像素单元，每个所述像素单元包括主像素区和子像素区；所述方法包括：制作所述第一基板；制作所述第二基板，其中所述第二基板与所述第一基板相对设置；以及在所述第一基板和所述第二基板之间注入液晶；在制作所述第一基板的过程中，使得第一距离大于第二距离，具体包括：在衬底基板上形成黑色矩阵层；在所述黑色矩阵层上形成平坦层；对所述平坦层进行图形化处理，以使所述主像素区对应的平坦层的厚度小于所述子像素区对应的平坦层的厚度；在所述图形化处理后的平坦层上形成第一透明导电层；其中所述第一距离为所述主像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离，所述第二距离为所述子像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离。 2.根据权利要求1所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述第二基板包括多条数据线和多条扫描线，每个像素单元对应设置一条扫描线。 3.根据权利要求2所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述像素单元的所述主像素区设置有第一薄膜晶体管，所述像素单元的所述子像素区设置有第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述像素单元对应的扫描线。 4.根据权利要求1所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述色阻层位于所述开关阵列层上。 5.一种液晶显示面板，其特征在于：包括第一基板，包括黑色矩阵层和平坦层、第一透明导电层；所述平坦层包括第一部分和第二部分，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度，其中所述第一部分与主像素区位置对应，所述第二部分与子像素区位置对应；所述第一透明导电层位于所述平坦层上；第二基板，与所述第一基板相对设置；包括开关阵列层和色阻层、第二透明导电层，所述色阻层包括多个像素单元，每个所述像素单元包括主像素区和子像素区；以及液晶层，位于所述第一基板和所述第二基板之间；其中第一距离大于第二距离，所述第一距离为所述主像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离，所述第二距离为所述子像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离。 6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二基板包括多条数据线和多条扫描线，每个像素单元对应设置一条扫描线。 7.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述像素单元的所述主像素区包括第一薄膜晶体管，所述像素单元的所述子像素区包括第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述像素单元对应的扫描线。 8.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述色阻层位于所述开关阵列层上。
说明书全文	一种液晶显示面板及其制作方法【技术领域】 [0001] 本发明涉及液晶显示器技术领域，特别是涉及一种液晶显示面板及其制作方法。【背景技术】 [0002] 目前COA(Color Filter on Array)技术，是将色阻层直接做在阵列基板上，这样能有效地提高阵列基板与彩色滤光片的贴合位置精度的要求，同时降低外购彩色滤光片的成本。同时，由于彩膜色阻的膜厚比阵列基板侧膜厚厚的多，可以减小寄生电容，有效的降低产品的阻容延迟，所以被广泛用于大尺寸产品上。 [0003] 大尺寸的垂直取向显示模式下，色偏现象比较严重。为了改善色偏现象，传统的方式是电性改变，将每个像素单元分为主像素区与子像素区，现有技术需要增加一个薄膜晶体管和分享电容，该薄膜晶体管控制分享电容开启或者关闭，最终通过分享电容降低子像素部的液晶电容的电压，以解决大视角色偏问题，但是上述薄膜晶体管和分享电容由于遮挡了像素单元的较大部分的光线，因而降低了像素单元的开口率。 [0004] 因此，有必要提供一种液晶显示面板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。【发明内容】 [0005] 本发明的目的在于提供一种液晶显示面板及其制作方法，以解决现有显示面板在解决大视角色偏问题时，降低像素的开口率的技术问题。 [0006] 为解决上述技术问题，本发明构造了一种液晶显示面板的制作方法，所述液晶显示面板包括第一基板、第二基板、设置于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，其中所述第一基板包括第一透明导电层；所述第二基板包括开关阵列层和色阻层、第二透明导电层，所述色阻层包括多个像素单元，每个所述像素单元包括主像素区和子像素区； [0007] 所述方法包括： [0008] 制作所述第一基板； [0009] 制作所述第二基板，其中所述第二基板与所述第一基板相对设置；以及 [0010] 在所述第一基板和所述第二基板之间注入液晶； [0011] 其中在制作所述第一基板或者所述第二基板的过程中，使得第一距离大于第二距离，其中所述第一距离为所述主像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离，所述第二距离为所述子像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离。 [0012] 在本发明的液晶显示面板的制作方法中，在制作所述第一基板的过程中，使得所述第一距离大于所述第二距离，具体包括： [0013] 在衬底基板上形成黑色矩阵层； [0014] 在所述黑色矩阵层上形成平坦层； [0015] 对所述平坦层进行图形化处理，以使所述主像素区对应的平坦层的厚度小于所述子像素区对应的平坦层的厚度； [0016] 在所述图形化处理后的平坦层上形成第一透明导电层。 [0017] 在本发明的液晶显示面板的制作方法中，所述第二基板包括多条数据线和多条扫描线，每个像素单元对应设置一条扫描线。 [0018] 在本发明的液晶显示面板的制作方法中，所述像素单元的所述主像素区设置有第一薄膜晶体管，所述像素单元的所述子像素区设置有第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述像素单元对应的扫描线。 [0019] 在本发明的液晶显示面板的制作方法中，所述色阻层位于所述开关阵列层上。 [0020] 本发明还提供一种液晶显示面板，其包括： [0021] 第一基板，包括黑色矩阵层和平坦层、第一透明导电层； [0022] 第二基板，与所述第一基板相对设置；包括开关阵列层和色阻层、第二透明导电层，所述色阻层包括多个像素单元，每个所述像素单元包括主像素区和子像素区；以及 [0023] 液晶层，位于所述第一基板和所述第二基板之间； [0024] 其中第一距离大于第二距离，所述第一距离为所述主像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离，所述第二距离为所述子像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离。 [0025] 在本发明的液晶显示面板中，所述平坦层包括第一部分和第二部分，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度，其中所述第一部分与所述主像素区位置对应，所述第二部分与所述子像素区位置对应； [0026] 所述第一透明导电层位于所述平坦层上。 [0027] 在本发明的液晶显示面板中，所述第二基板包括多条数据线和多条扫描线，每个像素单元对应设置一条扫描线。 [0028] 在本发明的液晶显示面板中，所述像素单元的所述主像素区包括第一薄膜晶体管，所述像素单元的所述子像素区包括第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述像素单元对应的扫描线。 [0029] 在本发明的液晶显示面板中，所述色阻层位于所述开关阵列层上。 [0030] 本发明的液晶显示面板及其制作方法，通过增大主像素区对应的两个基板之间的距离，从而在解决大视角色偏问题的同时增大像素的开口率，提高了液晶显示器的显示效果。【附图说明】 [0031] 图1为现有技术的液晶显示面板的结构示意图； [0032] 图2为现有技术的液晶显示面板的像素单元的结构示意图； [0033] 图3为现有技术的液晶显示面板的像素单元的电路结构示意图； [0034] 图4为本发明优选实施例的液晶显示面板的结构示意图； [0035] 图5为本发明优选实施例的液晶显示面板的像素单元的结构示意图； [0036] 图6为本发明优选实施例的液晶显示面板的像素单元的电路结构示意图。【具体实施方式】 [0037] 以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。 [0038] 请参照图1，图1为现有技术的液晶显示面板的结构示意图； [0039] 现有的液晶显示面板包括第一基板20、第二基板10、液晶层、隔离件30；所述第一基板20，包括衬底基板21、黑色矩阵层22和平坦层23、第一透明导电层24；所述第二基板10，与所述第一基板20相对设置；所述第二基板20为COA基板，其包括另一衬底基板11、开关阵列层和色阻层18、第二透明导电层19，所述开关阵列层包括第一金属层12、栅绝缘层13、有源层14、欧姆接触层15、第二金属层16、第一钝化层17；所述色阻层18包括多个像素单元，每个所述像素单元包括主像素区和子像素区；以及 [0040] 液晶层，位于所述第一基板和所述第二基板之间；所述隔离件30用来维持所述第一基板20和所述第二基板10之间的间距； [0041] 结合图2和3，其中每个像素单元的主像素区包括第一薄膜晶体管，每个像素单元的子像素区包括第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；其中第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极连接主扫描线，第一薄膜晶体管的漏极连接第一液晶电容和第一存储电容，第一薄膜晶体管的源极和第二薄膜晶体管的源极连接数据线；第二薄膜晶体管的漏极连接第二液晶电容和第二存储电容以及第三薄膜晶体管的源极，第三薄膜晶体管的栅极连接次扫描线，第三薄膜晶体管的漏极连接分享电容；其中数据线为32、主扫描线31、次扫描线32；从左至右包括红色像素单元、绿色像素单元、蓝色像素单元，其中以红色像素单元为例，其主像素区包括第一薄膜晶体管T1、其子像素区(图2下半部分的灰色区域所示)包括第二薄膜晶体管T2和第三薄膜晶体管T3，其中第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的栅极连接主扫描线31、第三薄膜晶体管T3的栅极连接次扫描线33。 [0042] 结合图3，Clc1、Clc2分别表示主像素区和子像素区的液晶电容、Cst1、Cst2分别表示主像素区和子像素区的存储电容、Cst3为分享电容，假设数据线32输入的电压为V0，对所述像素单元进行充电时，主像素区的像素电极X点的电位为公式1： [0043] VX＝V0 公式1 [0044] 子像素区的像素电极Y点的电位为公式2： [0045] 公式2 [0046] 其中C2如公式3所示： [0047] C2＝Cst2+ClC2 公式3 [0048] 主像素区与子像素区的像素电极电位的差值，如公式4： [0049] 公式4 [0050] 通过改变主像素区和子像素区的电压值，使得子像素区的亮度小于主像素区的亮度，从而改善大视角的色偏问题，但是第三薄膜晶体管和分享电容遮挡了整个像素单元很大一部分光线，使得开口率降低。 [0051] 本发明的液晶显示面板包括第一基板、第二基板、液晶层、隔离件；所述第一基板，包括黑色矩阵层和平坦层、第一透明导电层；所述第二基板，与所述第一基板相对设置；所述第二基板可为COA基板，其包括开关阵列层和色阻层、第二透明导电层，所述色阻层包括多个像素单元，每个所述像素单元包括主像素区和子像素区；以及 [0052] 液晶层，位于所述第一基板和所述第二基板之间；所述隔离件用来维持所述第一基板和所述第二基板之间的间距； [0053] 所述主像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离为所述第一距离，所述子像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离为所述第二距离，第一距离大于第二距离。 [0054] 本发明的液晶显示面板的制作方法包括： [0055] S101、制作所述第一基板； [0056] 具体过程为：在衬底基板上依次形成黑色矩阵层、平坦层、以及第一透明电极层，其中第一透明电极层包括公共电极。所述黑色矩阵层通过对涂布在衬底基板上的黑色矩阵材料进行曝光、显影形成的。 [0057] S102、制作所述第二基板，其中所述第二基板与所述第一基板相对设置；以及 [0058] 具体过程为：在另一衬底基板上形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、第二金属层、第一钝化层、色阻层、及第二透明导电层；所述第二透明导电层包括像素电极。 [0059] S103、在所述第一基板和所述第二基板之间注入液晶； [0060] 其中在制作所述第一基板或者所述第二基板的过程中，使得第一距离大于第二距离，其中所述第一距离为所述主像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离，所述第二距离为所述子像素区对应的第二透明导电层和所述第一透明导电层之间的距离。 [0061] 由于光的穿透率和距离有关、两个基板之间的距离越大则光的穿透率越大，由于本实施例中主像素区的对应的两个基板之间的间距(第一距离)大于子像素区的对应的两个基板之间的间距(第二距离)，使得主像素区的透过的光线更多，即主像素区的亮度大于子像素区的亮度，从而不需要设置第三薄膜晶体管以及分享电容，也能解决大视角色偏的问题；同时由于省去了现有技术中的第三薄膜晶体管以及分享电容，能够增大像素单元的开口率。 [0062] 本发明的液晶显示面板及其制作方法，通过增大主像素区对应的两个基板之间的距离，从而在解决大视角色偏问题的同时增大像素的开口率，提高了液晶显示器的显示效果。 [0063] 请参照图4，图4为本发明优选实施例的液晶显示面板的结构示意图； [0064] 如图4所示，所述第二基板10还包括衬底基板11、第一金属层12、栅绝缘层13、有源层14、欧姆接触层15、第二金属层16、第一钝化层17、色阻层18、第二透明导电层19；其中第一金属层12、栅绝缘层13、有源层14、欧姆接触层15、第二金属层16、第一钝化层17构成开关阵列层。即所述色阻层18位于所述开关阵列层上。 [0065] 所述第一基板20，包括另一衬底基板21、黑色矩阵层22和平坦层40、第一透明导电层41；所述平坦层40包括第一部分和第二部分，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度，所述第一部分与所述主像素区位置对应，所述第二部分与所述子像素区位置对应； [0066] 所述第一透明导电层41位于所述平坦层40上。 [0067] 所述第二基板包括多条数据线和多条扫描线，如图5所示，每个像素单元对应设置一条扫描线。现有技术每个像素单元设置两条扫描线，而本发明通过减少一条扫描线(次扫描线33)，能够进一步增大像素单元的开口率。 [0068] 结合图5和6，所述像素单元的所述主像素区包括第一薄膜晶体管T1，所述像素单元的所述子像素区仅包括第二薄膜晶体管T2(省去了第三薄膜晶体管T3和分享电容Cst3)，所述第一薄膜晶体管T1的栅极和所述第二薄膜晶体管T2的栅极连接所述像素单元对应的扫描线31，所述第一薄膜晶体管T1的源极和所述第二薄膜晶体管T2的源极连接所述数据线 32。 [0069] 本实施例与上一实施例的液晶显示面板的制作方法区别在于： [0070] 本实施例优选地是在制作所述第一基板的过程中，使得所述第一距离L1大于所述第二距离L2，具体包括： [0071] S201、在衬底基板上形成黑色矩阵层； [0072] 所述黑色矩阵层包括多个黑色矩阵，在衬底基板21上涂布黑色矩阵材料；所述衬底基板21可为玻璃基板，所述黑色矩阵材料为不透光的负性光阻材料。接着使用掩膜板对涂布在衬底基板20上的黑色矩阵材料进行曝光、显影以形成多个黑色矩阵。所述黑色矩阵层包括多个黑色矩阵。 [0073] S202、在所述黑色矩阵层上形成平坦层； [0074] 所述平坦层40的材料可为透明丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或者聚亚安脂树脂，所述平坦层40用于保护所述黑色矩阵以及防止液晶被污染。 [0075] S203、对所述平坦层进行图形化处理； [0076] 具体包括：S301、在所述平坦层上涂布光阻材料； [0077] 所述光阻材料可为负性光阻材料，也可为正性光阻材料。 [0078] S302、使用半色调掩模板对所述光阻材料进行曝光、显影； [0079] 譬如当所述光阻材料可为负性光阻材料；所述半色调掩膜板包括多个预设图案，所述预设图案包括全透光区域和部分可透光区域，所述部分可透光区域与所述主像素区位置对应，所述全透光区域与所述子像素区位置对应，从而在显影过程中，与主像素区位置对应的光阻材料更容易被显影掉，与所述主像素区位置对应以外的光阻材料不被显影，从而形成光阻层。 [0080] S303、对未覆盖有光阻层的平坦层和位于所述平坦层上的光阻层进行刻蚀； [0081] 位于所述平坦层上的光阻层与所述子像素区对应，未覆盖光阻材料的平坦层比覆盖有光阻材料的平坦层更容易被刻蚀，因而经过刻蚀后，使得所述主像素区对应的平坦层的厚度小于所述子像素区对应的平坦层的厚度； [0082] S304、对剩余的光阻层进行清洗； [0083] 既对经过步骤S303未刻蚀完光阻层进行清洗，以移除光阻层。 [0084] S204、在所述图形化处理的平坦层上形成第一透明导电层。 [0085] 所述第一透明导电层41的材料氧化铟锡，所述第一透明导电层41包括公共电极。 [0086] 本实施例通过在第一基板的制作过程中实现第一距离大于第二距离，由于第一基板的结构相对简单，从而更容易制程，节省生产成本。当然可以理解的是，也可以在第二基板的制作过程中实现第一距离大于第二距离。 [0087] 本发明的液晶显示面板及其制作方法，通过增大主像素区对应的两个基板之间的距离，从而在解决大视角色偏问题的同时增大像素的开口率，提高了液晶显示器的显示效果。 [0088] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

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