1.一种显示面板，其特征在于，该显示面板包括：第一基板；与第一基板相对设置的第二基板；和通过半导体工艺集成在第一基板和第二基板之间的传感器，并且所述传感器是用于感测所述显示面板的加速度的加速度传感器，该加速度传感器包括：
形成在第一基板上的第一电极；
形成在第二基板上的第二电极；
位于第一基板和第二基板之间的围墙，该围墙与第一电极和第二电极一起限定一密闭腔；
质量块，设置在该密闭腔内以将该密闭腔分隔成彼此隔离的第一腔和第二腔，并能够沿着围墙在第一基板和第二基板之间移动以改变第一腔和第二腔的容积；和第一流体和第二流体，分别填充第一腔和第二腔以允许质量块在密闭腔内自由移动。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，显示面板是液晶显示面板，所述液晶显示面板包括形成在第一基板上的像素电极和形成在第二基板上的公共电极，第一电极和像素电极由同一导电层同时形成，第二电极和公共电极由同一导电层同时形成；
或者
显示面板是有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板包括形成在第一基板上的阳极和靠近第二基板一侧形成的阴极，第一电极和阳极由同一导电层同时形成，第二电极和阴极由同一导电层同时形成。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，围墙的内壁设置有导轨，质量块被设置成能够沿着导轨在密闭腔内移动。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，围墙和质量块中的至少一个设置有用于检测质量块在密闭腔内的位置的位置检测结构。
5.一种显示面板，其特征在于，该显示面板包括：第一基板；与第一基板相对设置的第二基板；和通过半导体工艺集成在第一基板和第二基板之间的传感器，并且传感器是用于感测施加至显示面板的压力的压力传感器，该压力传感器包括形成在第一基板上的第一电极、与第一电极相对设置的第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的间隔壁，第一电极、第二电极和间隔壁一起限定至少一个密闭的微腔，第一电极和第二电极中的至少一个由石墨烯材料形成。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，该显示面板包括形成在所述第一基板上的遮光金属层和覆盖遮光金属层的缓冲层，所述第一电极由石墨烯材料形成，所述第二电极和遮光金属层由同一材料层同时形成，所述间隔壁由形成缓冲层的材料层形成。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，该显示面板包括形成在所述第一基板上的TFT结构以及覆盖TFT结构的一个或多个绝缘材料层，所述间隔壁由形成所述一个或多个绝缘材料层中的至少一个绝缘材料层形成。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述一个或多个绝缘材料层包括层间绝缘层、钝化保护层和平坦化层中的至少一种。
9.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，该显示面板包括形成在所述第二基板上的彩膜层和黑矩阵层，压力传感器位于所述第二基板与彩膜层和黑矩阵层之间。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述间隔壁由光刻胶材料通过构图工艺形成。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述间隔壁由形成彩膜层和黑矩阵层的材料层中的一个或多个通过构图工艺形成。
12.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，显示面板还包括覆盖彩膜层和黑矩阵层的公共电极，所述第一电极形成在第二基板的表面上，所述第二电极通过由形成彩膜层和黑矩阵层的一种或多种材料构成的绝缘层与公共电极电隔离。
13.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，显示面板还包括覆盖彩膜层和黑矩阵层的公共电极，所述第一电极形成在第二基板的表面上，所述第二电极和公共电极由同一导电层同时形成。
14.一种显示面板，其特征在于，该显示面板包括：第一基板；与第一基板相对设置的第二基板；和通过半导体工艺集成在第一基板和第二基板之间的传感器，并且传感器是用于感测外部环境的声波的声波传感器，该声波传感器包括形成在第一基板上的第一电极、与第一电极相对设置的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的背腔、贯穿所述第一基板并连通背腔和外部环境的微孔、以及设置在第二电极上的声波敏感结构，所述声波敏感结构至少部分地由硅材料制成。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，该显示面板还包括形成在所述第一基板上的遮光金属层和形成在遮光金属层上的顶栅型TFT结构，所述顶栅型TFT结构包括依次形成在所述遮光金属层上的半导体材料层、栅极绝缘层和栅极，所述第一电极和遮光金属层由同一材料层同时形成，半导体材料层和栅极绝缘层还依次覆盖在第一电极上且栅极绝缘层的至少一部分面向背腔的内部，所述第二电极和栅极由同一材料层同时形成。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，该显示面板还包括形成在所述第一基板上的底栅型TFT结构，所述底栅型TFT结构包括依次形成在所述第一基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体材料层、和源/漏电极层，所述第一电极和栅极由同一材料层同时形成，半导体材料层还覆盖在第一电极上，所述第二电极和源/漏电极层由同一材料层同时形成。
17.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述声波敏感结构包括形成在第二电极上的三层复合结构，该三层复合结构包括硅材料层和将该硅材料层夹在中间的上、下绝缘材料层。
18.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，该显示面板还包括位于第一电极和第二电极之间且与第一电极和第二电极一起限定背腔的腔壁，该腔壁至少部分地由硅材料形成。
19.一种显示装置，包括如权利要求1-18中的任一项所述的显示面板。
20.一种制作集成有加速度传感器的显示面板的方法，包括下述步骤：
提供第一基板；
在第一基板上形成TFT结构和第一电极；
在第一基板上形成围墙，围墙与第一电极一起限定具有上部开口的空间；
注入第一流体以填充该空间的一部分；
将质量块设置在该空间内以接触并密封第一流体；
提供第二基板；
在第二基板上形成第二电极；
以第一电极和第二电极彼此面对的方式将第一基板和第二基板对盒密封，使得围墙与第一电极和第二电极一起限定一密闭腔，质量块将该密闭腔分隔成彼此隔离的第一腔和第二腔，第一流体填充在第一腔内；以及
向第二腔内注入第二流体并密封第二腔，第一流体和第二流体允许质量块在受到加速度影响时能够沿着围墙在第一基板和第二基板之间自由移动以改变第一腔和第二腔的容积。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，在第一基板上形成第一电极的步骤包括：由同一导电材料同时在第一基板上形成所述第一电极和与TFT结构的源极或漏极电连接的像素电极，和/或
在第二基板上形成第二电极的步骤包括由同一导电材料在第二基板上同时形成所述第二电极和显示面板的公共电极。
22.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，在第一基板上形成第一电极的步骤包括：由同一导电材料同时在第一基板上形成所述第一电极和与TFT结构的源极或漏极电连接的有机发光二极管的阳极，和/或
在第一基板上形成第二电极的步骤包括由同一导电材料在第一基板上同时形成有机发光二极管的阴极。
23.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，在第一基板上形成围墙的步骤包括由光刻胶材料通过构图工艺形成围墙。
24.一种制作集成有压力传感器的显示面板的方法，包括下述步骤：
提供相对设置的第一基板和第二基板；以及
采用半导体工艺在所述第一基板和第二基板之间形成压力传感器，包括在所述第一基板或第二基板上依次形成第一电极、多个间隔壁和第二电极，以便在第一电极和第二电极之间形成至少一个密闭的微腔，其中第一电极和第二电极中的至少一个由石墨烯材料形成。
25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于
形成第一电极的步骤包括由同一材料层在所述第一基板上同时形成第一电极和遮光金属层，
形成间隔壁的步骤包括形成覆盖遮光金属层和第一电极的缓冲层，并对缓冲层覆盖第一电极的部分进行构图工艺以在该部分中形成具有开口的至少一个凹腔，并且第二电极覆盖所述开口以形成所述微腔。
26.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，该方法还包括在所述第一基板上形成TFT结构以及覆盖TFT结构和第一电极的一个或多个绝缘材料层的步骤，其中，形成间隔壁的步骤包括对至少一个绝缘材料层覆盖第一电极的部分进行构图工艺，以在该部分中形成具有开口的至少一个凹腔，第二电极覆盖所述开口以形成所述微腔。
27.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，压力传感器形成在第二基板上，该方法还包括在第二基板上形成覆盖压力传感器的彩膜层和黑矩阵层。
28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，该方法还包括由形成彩膜层和黑矩阵层的一种或多种材料形成覆盖第二电极的绝缘层，和形成覆盖彩膜层、黑矩阵层以及绝缘层的公共电极。
29.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，该方法还包括在所述第二基板上形成彩膜层和黑矩阵层，其中由形成彩膜层和黑矩阵层的材料层中的一个或多个通过构图工艺形成间隔壁。
30.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，由同一导电层在所述第二基板上同时形成第二电极和显示面板的公共电极。
31.一种制作集成有声波传感器的显示面板的方法，包括下述步骤：
提供一基板；以及
采用半导体工艺在所述基板上形成TFT结构和声波传感器，该声波传感器包括第一电极、第二电极、位于第一电极和第二电极之间的背腔、贯穿所述基板并连通背腔和外部环境的微孔、以及设置在第二电极上的声波敏感结构，该声波敏感结构至少部分地由硅材料制成。
32.根据权利要求31所述的方法，其特征在于，形成TFT结构的步骤包括依次在所述基板上形成遮光金属层、半导体材料层、栅极绝缘层和栅极，其中第一电极和遮光金属层由同一材料层同时形成，半导体材料层和栅极绝缘层还依次覆盖在第一电极上且栅极绝缘层的至少一部分面向背腔的内部，第二电极和栅极由同一材料层同时形成。
33.根据权利要求31所述的方法，其特征在于，形成TFT结构的步骤包括依次在所述基板上形成遮光金属层、半导体材料层、栅极绝缘层和栅极，其中第一电极和遮光金属层由同一材料层同时形成，半导体材料层和栅极绝缘层还依次覆盖在第一电极上且栅极绝缘层的至少一部分面向背腔的内部，第二电极和栅极由同一材料层同时形成。
34.根据权利要求31所述的方法，其特征在于，声波敏感结构是通过依次在第二电极上形成下绝缘材料层、硅材料层和上绝缘材料层而形成的。
35.根据权利要求31所述的方法，其特征在于，由硅材料至少部分地形成背腔的腔壁。