一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法专利检索- 用电电化学或磁的方法测试或分析材料专利检索查询-专利查询网

一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法
申请号	CN201610391574.5	申请日	2016-06-06	公开(公告)号	CN105924871A	公开(公告)日	2016-09-07
申请人	怀远县金浩电子科技有限公司;			发明人	姚坤; 姚望; 王传稳; 陈静; 高尚;
摘要	本发明公开了一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法，其具体制备步骤为：（1）将氧化锌与二氧化钛混合置入球磨机中，并加入等质量的纯水，球磨后取出置入真空烘箱中烘干；（2）将配制好的玻璃粉与步骤（1）中处理好的混合料混合后进行充分搅拌，再置入真空烘箱中烘烤；（3）将步骤（2）中处理好的混合料均匀投入有机载料中，混匀搅拌后，再密闭超声后得到气敏浆料；本发明的有益效果是：采用配方、工艺参数设计合理，制备出的气敏浆料均匀，用该气敏浆料制备的半导体气敏元件敏感度高，各项性能优异。
权利要求	1.一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法，主要组分及所占比例为：氧化锌40%、二氧化钛30%、玻璃粉5%、有机载料25%，其具体制备步骤为：（1）将氧化锌与二氧化钛混合置入球磨机中，并加入等质量的纯水，球磨5-7小时后，取出置入真空烘箱中烘干20-30分钟，烘干温度设定为140-160℃；（2）将配制好的玻璃粉与步骤（1）中处理好的混合料混合后进行充分搅拌，搅拌时间为 20-30分钟，再置入真空烘箱中烘烤30-40分钟，烘烤温度设定为200-220℃；（3）将步骤（2）中处理好的混合料均匀投入有机载料中，混匀搅拌10-15分钟后，再密闭超声20-25分钟后得到气敏浆料。 2.根据权利要求1所述的一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法，其特征在于：所述玻璃粉组分及质量百分比为：氧化锆60%，氧化铅15%，二氧化硅15%，三氧化钼10%。 3.根据权利要求1所述的一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法，其特征在于：所述有机载料组分及质量百分比为：丁酸丁基卡必醇87%、聚甲基丙烯酸脂9%、丁醛树脂4%。
说明书全文	一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法技术领域 [0001] 本发明涉及半导体元件制备技术领域，特别是一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法。背景技术 [0002] 半导体气敏元件由于具有灵敏度高、响应时间和恢复时间短、使用寿命长及成本低等优点，被广泛应用于检测各种有害气体、可燃气体、工业废气和环境污染气体。气敏元件是检测环境气氛中某种(或某类)气体存在及其含量的基础。气敏元件性能与敏感材料的种类、结构及制作工艺密切相关。 [0003] 在制备半导体气敏元件时，气敏浆料的制备过程至关重要，直接影响气敏元件性能的好坏，然而大多制备方法制备的气敏浆料并不能满足器件的要求，制备出的气敏元件敏感度较低。发明内容 [0004] 本发明的目的是为解决现有技术中的问题，公开了一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法。 [0005] 为实现上述目的，本发明公开了一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法，主要组分及所占比例为：氧化锌40%、二氧化钛30%、玻璃粉5%、有机载料25%，其具体制备步骤为：（1）将氧化锌与二氧化钛混合置入球磨机中，并加入等质量的纯水，球磨5-7小时后，取出置入真空烘箱中烘干20-30分钟，烘干温度设定为140-160℃；（2）将配制好的玻璃粉与步骤（1）中处理好的混合料混合后进行充分搅拌，搅拌时间为 20-30分钟，再置入真空烘箱中烘烤30-40分钟，烘烤温度设定为200-220℃；（3）将步骤（2）中处理好的混合料均匀投入有机载料中，混匀搅拌10-15分钟后，再密闭超声20-25分钟后得到气敏浆料。 [0006] 其中所述玻璃粉组分及质量百分比为：氧化锆60%，氧化铅15%，二氧化硅15%，三氧化钼10%。 [0007] 其中所述有机载料组分及质量百分比为：丁酸丁基卡必醇87%、聚甲基丙烯酸脂9%、丁醛树脂4%。 [0008] 本发明的优点和积极效果是：本发明方法采用配方、工艺参数设计合理，制备出的气敏浆料均匀，用该气敏浆料制备的半导体气敏元件敏感度高，各项性能优异。具体实施方式 [0009] 具体实施例一：一种半导体气敏元件气敏浆料的制备方法，主要组分及所占比例为：氧化锌40%、二氧化钛30%、玻璃粉5%、有机载料25%，其具体制备步骤为：

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