1.一种力学量测定装置，能测定作用于半导体基板的力学量的测定部设置在上述半导体基板的中央部，上述半导体基板被粘贴到被测定物并间接地测定作用于上述被测定物的力学量，该力学量测定装置的特征在于，
在上述半导体基板的上述中央部的外侧的外周部，具有形成以互相靠近的方式在多个位置集中的集合的多个杂质扩散电阻，
形成上述集合之一的多个上述杂质扩散电阻被互相连接并形成惠斯通电桥，多个上述惠斯通电桥至上述半导体基板的端部为止的距离互不相同，
多个杂质扩散电阻的导电型全部相同。
2.根据权利要求1所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述半导体基板在俯视时呈四边形，
在上述四边形的四角的至少一个位置形成上述惠斯通电桥。
3.根据权利要求1所述的力学量测定装置，其特征在于，
沿着从上述半导体基板的端部朝向中心的方向，配置多个上述惠斯通电桥。
4.根据权利要求1所述的力学量测定装置，其特征在于，
形成上述集合之一的多个上述杂质扩散电阻包括：
第1杂质扩散电阻；
一端与上述第1杂质扩散电阻的一端连接的第2杂质扩散电阻；
一端与上述第2杂质扩散电阻的另一端连接的第3杂质扩散电阻；和
一端与上述第3杂质扩散电阻的另一端连接，另一端与上述第1杂质扩散电阻的另一端连接的第4杂质扩散电阻。
5.根据权利要求4所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述第1杂质扩散电阻在上述半导体基板内，配置在比上述第2杂质扩散电阻和上述第
4杂质扩散电阻更靠外侧的位置上。
6.根据权利要求5所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述第3杂质扩散电阻在上述半导体基板内，配置在比上述第2杂质扩散电阻和上述第
4杂质扩散电阻更靠近外侧的位置上。
7.根据权利要求6所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述第2杂质扩散电阻和上述第4杂质扩散电阻能够分别在长边方向上使电流流过，上述第2杂质扩散电阻的长边方向和上述第4杂质扩散电阻的长边方向大致平行，上述第2杂质扩散电阻的两端和上述第4杂质扩散电阻的两端靠近并被一致地排列。
8.根据权利要求7所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述第2杂质扩散电阻和上述第4杂质扩散电阻的长边方向，与以上述半导体基板的表面内的中心为中心的圆的直径方向大致平行。
9.根据权利要求7或8所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述第1杂质扩散电阻和上述第3杂质扩散电阻能够分别在长边方向上使电流流过，上述第1杂质扩散电阻的长边方向和上述第3杂质扩散电阻的长边方向大致平行。
10.根据权利要求9所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述第1杂质扩散电阻和上述第3杂质扩散电阻的长边方向，与以上述半导体基板的表面内的中心为中心的圆的直径方向大致以直角相交。
11.根据权利要求10所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述第1杂质扩散电阻的两端和上述第3杂质扩散电阻的两端靠近并被一致地排列。
12.根据权利要求4所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述半导体基板俯视时呈四边形，
上述第1杂质扩散电阻和上述第3杂质扩散电阻分别相对于上述四边形的对角线呈线对称的形状。
13.根据权利要求4所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述半导体基板俯视时呈四边形，
上述第2杂质扩散电阻和上述第4杂质扩散电阻被配置成互相相对上述四边形的对角线而线对称。
14.根据权利要求1所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述半导体基板是表面为(001)面的硅的单晶基板。
15.根据权利要求1所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述杂质扩散电阻的导电型为p型，
上述杂质扩散电阻的长边方向成为<110>方向。
16.根据权利要求1所述的力学量测定装置，其特征在于，
上述杂质扩散电阻的导电型为n型，
上述杂质扩散电阻的长边方向成为<100>方向。
17.一种半导体装置，元件或者电路设置在半导体基板的中央部，该半导体装置的特征在于，
在上述半导体基板的上述中央部的外侧的外周部，具有形成以互相靠近的方式在多个位置集中的集合的多个杂质扩散电阻，
形成上述集合之一的多个上述杂质扩散电阻被互相连接并形成惠斯通电桥，多个上述惠斯通电桥至上述半导体基板的端部为止的距离互不相同，
多个杂质扩散电阻的导电型全部相同。
18.一种剥离感知装置，其特征在于，
在半导体基板的外周部，具有形成以互相靠近的方式在多个位置集中的集合的多个杂质扩散电阻，
形成上述集合之一的多个上述杂质扩散电阻被互相连接并形成惠斯通电桥，多个上述惠斯通电桥至上述半导体基板的端部为止的距离互不相同，
多个杂质扩散电阻的导电型全部相同。
19.一种模块，元件或者电路设置在半导体基板的半导体装置被粘贴于模块基板，该模块的特征在于，
权利要求18所述的剥离感知装置被粘贴于上述模块基板内的上述半导体装置的附近。