Sensor device

申请号 JP2002532890 申请日 2001-09-19 公开(公告)号 JP2004510970A 公开(公告)日 2004-04-08
申请人 ペッパール ウント フュフス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング; 发明人 クラウス アーネスト; フェイ ウィルヘルム;
摘要 本発明はセンサ装置に関し、特に外部測定量を検出するセンサシステムを含み、負荷回路を接続する切換えシステムを設けたしきい値センサ装置に関する。 現在まで、トランジスタまたはエレクトロメカニカルリレーを用いる切換えシステムの設計は、電子動作容量、回路設計、およびセンサ装置上またはセンサ装置との配置に関して妥協を強いられてきた。 本発明に従えば、制御電 力 が低く、制御回路と出力回路間がガルバーニ絶縁され、センサシステムが負荷回路から独立して構成される切換えシステムを提供することによって、上記の問題点を解決する。
权利要求
  • センサ装置、特にしきい値センサ装置であって、
    測定した量を検出するセンサシステムと、
    前記センサシステムに関連付けられ、負荷回路の切換えを行うスイッチ開閉装置(1)と、
    前記センサシステムと作動接続され、制御端子を有し、前記スイッチ開閉装置を駆動する制御回路とを含み、
    前記スイッチ開閉装置は、前記制御回路によって切換え可能で、前記制御回路とガルバーニ絶縁され、出力端子が設けられた出力回路を含み、前記出力端子間は少なくとも一方のスイッチ状態でガルバーニ絶縁され、
    前記スイッチ開閉装置は、ほぼ無効電流で駆動されるマイクロデバイスとして構成され、
    前記センサシステムは物体および/または流体物質の検出用に設計され、
    前記センサ装置は前記負荷回路から独立して構成され、
    前記負荷回路は、前記スイッチ開閉装置の前記出力回路と直接作動接続されることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1に記載のセンサ装置において、前記センサシステムは近接スイッチ、特定的には誘電、静電、光電子、超音波、または磁場近接スイッチとして構成されることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1または2に記載のセンサ装置において、前記センサシステムはレベルセンサとして構成されることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし3のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記スイッチ開閉装置(1)はマイクロデバイスとしてマイクロリレー、特定的にはシリコンマイクロリレーから構成され、前記マイクロリレーは、マイクロメカニクスおよび/または半導体技術の従来方法および材料に基づいて製造されることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし4のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記マイクロデバイスは最低1つのスイッチ開閉要素(2)を有し、かつ前記最低1つのスイッチ開閉要素(2)はマイクロメカニカル構造をもつことを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項5に記載のセンサ装置において、前記スイッチ開閉要素(2)は静電または圧電により動作可能であることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし6のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記スイッチ開閉要素(2)は、閉塞器(1)または開放器(14)として構成され、前記スイッチ開閉装置(1)を駆動する別個の制御端子(4)を設けるか、または前記スイッチ開閉装置(1)の電圧供給源(12,13)に接続された前記スイッチ開閉装置(1)の駆動装置を設けることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし7のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記スイッチ開閉装置(1)の前記制御端子(4)は、プログラマブルに構成されるか、および/または固定配線で構成されることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし8のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記スイッチ開閉装置(1)の前記制御回路の前記制御端子(4)と、負荷回路(15,16)への出力端子(5,6)とは、前記負荷回路を電位に関係なく切換えるように設計されることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし9のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記スイッチ開閉装置(1)の前記負荷回路(15)への出力端子(5,6)は、前記スイッチ開閉装置内部で接続可能(21,22)か、または供給電圧端子(12,13)と外部で接続可能であることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし10のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記負荷回路(15)を前記スイッチ開閉装置(1)の供給電圧(11)への任意の基準電位と切換えるために、前記負荷回路(15)中に別個の電圧源(16)を設置可能なことを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし11のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記負荷回路(15)は、前記スイッチ開閉装置(1)の供給電圧端子(12,13)に接続可能なことを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし12のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記出力回路(10)は、3線端子(5,12,13;6,12,13)として外部へ出されることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項13に記載のセンサ装置において、前記3線端子の2つの端子(12,13)には供給電圧が印可され、前記切換え可能な負荷回路端子(6)には駆動可能な反転スイッチ(24)が設けられ、前記切換え可能な負荷回路端子(6)は、前記反転スイッチ(24)によって前記供給電圧端子(12,13)の一方と交互に接続できることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項13または14のいずれかに記載のセンサ装置において、前記切換え可能な負荷回路端子(6)は、2つのスイッチ(26,27)によって前記供給電圧端子(12,13)の一方に接続可能であり、前記スイッチ(26,27)は対向する方向に制御可能であることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし15のいずれか1項に記載のセンサ装置において、負荷回路の2チャネル制御のため、2つのマイクロリレー(1,1';1,14)が前記出力回路(10)内で駆動装置と並列に駆動され、前記負荷回路の少なくとも出力端子(5,6,5',6')が外部に出されることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項16に記載のセンサ装置において、前記2つのマイクロリレー(1,1';1,14)は、同一方向(1,1')または対向方向(1,14)に切換え可能なことを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし17のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記負荷回路(15)またはそれぞれ異なる複数の負荷回路群(15)の駆動装置は、動作方向反転装置(24,25,26,27)をもつように設計されることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし18のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記マイクロリレー(1)の駆動回路中に、前記マイクロリレー(1)の動作を反転させるためのXOR(排他的OR)素子、特定的にはブリッジ整流器(46)が設けられることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし19のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記マイクロリレー(1)の動作方向を選択するため、閉鎖可能および/または絶縁可能なブリッジセクション(44,45)と抵抗器(41,42)とが設けられることを特徴とするセンサ装置。
  • 請求項1ないし20のいずれか1項に記載のセンサ装置において、前記マイクロリレー(1)の希望機能、例えば動作方向の反転は、本質的に追加コンポーネントなしで、回路中で前記マイクロリレーを再配置することによって、特定的には前記マイクロリレーの入力構造または適応する電子機器の再配置によって達成できることを特徴とするセンサ装置。
  • マイクロデバイスの使用であって、前記マイクロデバイスは、
    制御端子を有し、前記マイクロデバイスをほぼ無効電流で駆動する制御回路と、
    前記制御回路によって切換え可能で、前記制御回路とガルバーニ絶縁され、出力端子を有し、前記出力端子間は少なくとも一方の切換え状態でガルバーニ絶縁された出力回路と、
    センサ装置、特定的にはしきい値センサ装置中の負荷回路を切換えるスイッチ開閉装置とを含み、前記センサ装置は、
    測定された量を検出するためのセンサシステムを含み、
    前記センサシステムは前記マイクロデバイスの制御回路と作動接続され、
    前記センサシステムは物体または流体材料の検出用に構成され、
    前記センサシステムは前記負荷回路から独立して構成され、
    前記負荷回路は前記スイッチ開閉装置の出力回路と直接作動接続していることを特徴とするマイクロデバイスの使用。
  • 说明书全文

    【0001】
    (技術分野)
    本発明はセンサ装置に関し、特に、測定した量を検出するセンサシステムと、負荷回路を切換え、センサシステムに関連付けられる切換え回路とを有するリミットまたはしきい値センサ装置に関する。
    【0002】
    (背景技術)
    以後、センサシステムという用語は、本質的に対応の測定プローブと、機械設計と、適応または適合する対応の電子機器とを含む任意の種類のセンサシステムを意味すると基本的に理解されたい。 この適合する電子機器は対応する出回路をもち、センサシステムに関連付けられた出力から負荷回路を駆動する。
    【0003】
    本明細書で基本として使用するセンサシステムの種類は、ある所定値に達すると1つまたは複数の切換え出力を作動するしきい値センサシステムであり、所定値はアナログ値またはバイナリ値でもよい。 このようなしきい値センサシステムは従って、対応のセンサシステム内で、測定プローブまたはピックアップと、評価および出力機能を有する適合する電子機器とを組み合わせたものである。
    【0004】
    以後、このようなセンサシステムは、誘導性および容量性近接スイッチ、光電子センサ、超音波近接スイッチ、磁気および磁場センサ、ならびにレベルセンサ等に関すると理解されたい。
    【0005】
    かかるセンサ装置の問題点は、出力回路中で負荷回路または対応の負荷を駆動するスイッチ開閉装置が、トランジスタもしくはトランジスタ段、またはエレクトロメカニカルリレーから構成されることである。
    【0006】
    スイッチ開閉装置をトランジスタとして構成する方法をとった場合、センサに適合する対応電子機器とともに1つのレイアウト上に構成できるという可能性はたしかにある。 しかし構成が単純で安価な場合、制御回路と負荷回路間がガルバーニ絶縁されず、このため電位遅延が発生しうるという重大な問題があった。 また、トランジスタが交流電圧を切換えられないとう問題も発生した。
    【0007】
    出力回路中でスイッチ開閉装置としてエレクトロメカニカルリレーを使用する場合は、比較的大型であること、同時に駆動電力が200mW程度と比較的高いという問題を考慮する必要があった。
    【0008】
    近い将来に従来のエレクトロメカニカルリレーの分野で継続的に開発が進んだとしても、消費電力、高周波適応性、規模、および最大切換え動作回数に関してかかるリレーを用いた場合の問題を解決できるとは考えられない。
    【0009】
    独国特許発明DE19854450A1号明細書および独国特許発明DE4205029C1号明細書は、シリコンベースのマイクロメカニカルリレーの製造方法を記載している。 本質的には、半導体、特にシリコン技術の方法を用いる。 マイクロリレーは、静電スイッチング原理、従って非常に低い駆動電力を特徴とする。
    【0010】
    独国特許発明JP06060788A号明細書は、エネルギー消費を抑えた圧電マイクロリレーを開示している。
    【0011】
    独国特許発明DE4100634A1号明細書は、マイクロメカニカルリレーの応用を開示している。 組立てた印刷回路基板を検査する検査装置中で、複数のマイクロリレーをマトリクス状に相互接続する。
    【0012】
    独国特許発明DE19846639A1号明細書は、マイクロメカニカルリレーの他の利用可能性を記載している。 非常に高い切換え電圧および電流を得るために、スイッチボード中で複数のマイクロリレーを直列または並列に接続する。 他の利用可能な保護方式にくらべて、マイクロリレーを使用した場合は反応時間がかなり短くなる。
    【0013】
    本発明の目的は、センサ装置、特に出力領域に小型スイッチ開閉装置を備え、モジュール式の構成が可能で、かつ切換え速度の高速化と切換えサイクル数の増大によってスイッチ開閉装置の駆動力向上が可能な、リミットまたはしきい値センサ装置を提供することである。
    【0014】
    本発明に従えば、上記の目的は前掲の請求の範囲1の特徴を有するセンサ装置によって達成される。
    【0015】
    本質的な原理は、本質的にマイクロメカニカルなスイッチ開閉装置を使用することである。 すなわち、マイクロメカニカルスイッチとも称される最低1つのスイッチ開閉要素を備え、ただし駆動電力が極めて微細かつ例えば静電または圧電原理に従って動作可能なスイッチ開閉装置を提供する。 このマイクロデバイスは、半導体チップとしてサンドイッチ構造の場合、必要と考えられる電子機器等のマイクロメカニカルコンポーネントを含むのが好適である。 トランジスタによる小型化、低駆動電力、および高速切換え等の利点は、同一レイアウトの枠組み内でセンサ装置の残りの部分の適応電子機器と比較的単純に集積できることと同様に維持される。 このスイッチ開閉装置の設計では、エレクトロメカニカルリレーの利点、特にスイッチ開閉装置の制御回路と負荷回路間のガルバーニ絶縁または分離、および負荷回路の端子間のガルバーニ絶縁または分離も維持される。 本発明に従うセンサ装置の設計およびスイッチ開閉装置の使用により、スイッチ開閉装置を駆動するためのスイッチ開閉装置の比較的単純な構成、および例えば複数の異なる負荷回路を切換える等、モジュール回路中で容易に拡張可能な出力回路の提供が可能である。
    【0016】
    適切には、このスイッチ開閉装置は、従来のマイクロメカニクスおよび/または半導体製造技術等の材料および方法に基づくマイクロリレーMRによってマイクロデバイスとして実現される。
    【0017】
    この目的のため、シリコンベース等のマイクロリレーを選択するのが有利であり、これは例えば半導体素子の場合と同様の適当なサンドイッチ構造をとることができ、各層はスイッチ開閉用の機械要素が静電または圧電、すなわち負荷の変化によって動作可能となるようにプロセス構造にされる。 従って標準的な駆動力は10mW程度の範囲となりうる。 コンタクト形成またはコンタクト開成に関しては、このシリコンマイクロリレーは、板バネ機能、曲げ板(ベンダーバー)等と同様に動作しうる。 米国特許第5638946号は、曲げ板を有するリレーを例示している。
    【0018】
    スイッチ開閉装置をマイクロデバイスとして構成することはまた、センサ装置またはそれに適合する電子機器との集積構造を可能にし、かかる構造は、センサ装置の回路基板上等の素子もしくはサブアセンブリとして、またはSMDとして、またはセンサ装置の他の適合する電子機器を含むチップとして、ならびに別個のチップとして、構成することが可能である。
    【0019】
    制御回路と負荷回路間、および負荷回路の端子間のガルバーニ絶縁は、本発明に従ってセンサ装置中にスイッチ開閉装置を使用する場合の重要な利点である。
    【0020】
    センサ装置中でマイクロリレーをスイッチ開閉装置として適切に使用することにより、駆動回路と負荷回路への共通電位を排除でき、このため負荷回路の駆動および配線に関して高い柔軟性が達成できる。
    【0021】
    また、動作方向反転器を実現することもできる。
    【0022】
    マイクロリレーの高入力インピーダンスと制御回路−負荷回路間のガルバーニ絶縁の結果、動作方向の反転は、回路図中の様々な位置にマイクロリレーMRを対応して挿入することによって、追加コンポーネントの必要なく、またはこの柔軟性を得るための他の配線構造の必要なく、簡単に行うことができる。 従って、得られるセンサ装置のサブアセンブリのレイアウト費用および規模は、特に全コンポーネントをSMDとして構成できることから、最小限に抑えられる。
    【0023】
    従来のリレーを使用した場合と比較すると、マイクロリレーを用いた場合、高い耐振動性のために誤動作の確率が減り、かつその用途および応用範囲を大幅に広げられるという重要な利点が得られる。
    【0024】
    センサ装置の出力回路中のスイッチ開閉装置をマイクロリレーを用いて設計することにより、先行技術でこれまで使用されてきたコンポーネントおよびサブアセンブリの利点を実現することに加えて、驚くべき方法で新規かつ大幅に駆動および切換え動作を簡素化できる。 これはセンサ装置の出力回路を複数チャネル設計にした場合にもあてはまる。
    【0025】
    以下に、スイッチ開閉装置およびその内部構造、ならびに外部駆動例、内部および外部切換え構造または回路構造の概略図を参照して、本発明を詳細に説明する。
    【0026】
    (発明を実施するための最良の形態)
    センサデバイスは、誘導センサ等の対応するトランスデューサを有し、出力回路を含む対応の適合または適応電子機器が関連付けられるサブアセンブリとして構成されるものと考えてもよい。 この出力回路は最低1つの対応するスイッチ開閉装置を有し、これは好適にはマイクロリレーMRであり、後段の負荷回路の切換えを行う最低1つのスイッチ要素を有する。
    【0027】
    図1(a)〜(e)は、対応するマイクロリレー1の簡略記号図である。 マイクロリレーを各種外部配線を含むチップとして構成する可能性もあることにも言及しておく。
    【0028】
    図1(a)〜(e)は、通常は開状態のコンタクトすなわち閉塞器としてのマイクロリレー1に関して例示する。
    【0029】
    図1(a)は、マイクロリレー1と各端子とを概略的に示し、三のブロック部分は、端子VDD−VSS間の供給電圧が継続的に供給される増幅器3を示す。 増幅器3は入力信号4を受信し、出力側では図1(a)では開状態で示すスイッチ2に作用する。
    【0030】
    以後の説明では、マイクロリレー1は、記号上、図1(b)に示すように閉塞器として使用するものとして示す。
    【0031】
    図1(c)は、閉塞器としてのマイクロリレー1の他の実施形態を示し、ここでは別個の制御入力を省略し、対応の供給電圧の印可または対応の電圧差への到達によって切換え機能を実現する。
    【0032】
    図1(d)および(e)は、マイクロリレーおよびその外部配線をチップ内に配置した場合の2つの実施形態を例示する。
    【0033】
    図1(d)の例では、アンプ3の入力を端子VDDに接続する。 図1(e)の他の実施形態では、アンプ入力は端子VSSにおいてインバータとして構成される。 他方の供給電圧端子VDDは、ダイオード8経由でインバータに印可され、極の混同を防ぐ。 図1(e)の例では、ダイオード8を省略してもよい。
    【0034】
    上記と同様に、マイクロリレー1を通常は閉状態のコンタクトすなわち開放器として構成することもでき、これを図2(a)および(b)に示す。 図2(a)に示す実施形態では、マイクロリレー1には別個の信号入力4を設け、VDD−VSS間に継続的に電圧を供給する。 図2(b)では、この別個の信号入力を削除して対応の供給電圧によって制御を行い、例えばマイクロリレーの入力端子に制御電圧をかけると、スイッチが開駆動される。
    【0035】
    チップ内構成も、図1(d)および(e)に示すマイクロリレーを閉塞器として構成した場合と同じく、開放器として用いても実現できる。
    【0036】
    図3(a)および(b)は、動作方向が一定のセンサ装置またはセンサ装置出力回路10の1チャネルの場合の概略図である。
    【0037】
    装置回路GKとも称される出力回路10は、その一方側に図1(b)に対応するマイクロリレー1を有する。 このマイクロリレーには、直流電圧源11から接続端子12,13を介して継続して直流電圧が供給される。 負荷回路は負荷15と直流電圧源16とで概略的に示し、これはマイクロリレー1の出力端子5および6を介して切換えることができる。 マイクロリレー1のスイッチ2がガルバーニ絶縁しているため、負荷回路はマイクロリレー1の絶縁耐力内の任意の電位に設定できる。
    【0038】
    図3(b)は図3(a)と同じ構成だが、負荷回路LKが交流電圧源17をもつ構成を示す。 この図から、マイクロリレー1の制御回路のガルバーニ絶縁により、負荷回路LKには交流電圧も供給可能なことが明らかである。 従って、負荷回路LKには、時間によって変化する任意の電圧、および/または任意の極性の電圧を供給でき、このためデータ線またはインターフェースの接続にも適している。
    【0039】
    このように、図3(a)および(b)は、出力回路10すなわち装置回路GKと負荷回路LKとの配線に関して、マイクロリレー1が非常に高い自由度で適用できることを概略的に示す。 ただし、応用によっては広範囲な外部配線費用が必要となる場合もある。
    【0040】
    図3(a)および(b)に従う回路に基づき、次のような回路または切換え方式、および配線が実現できる。 図示するように、出力回路10すなわち装置回路GKと負荷回路LKとはガルバーニ接続していない。 出力回路10と負荷回路LKとは、センサ装置もしくは出力回路10の外部で、または出力回路10内部でガルバーニ接続し、例えば同一基準電位をもつか、もしくは基準電位が不均一な場合は電圧の和をとる。 ガルバーニ接続の場合、自由なままの出力5または6は、p型またはn型スイッチング方式に設計できる。 p型スイッチングとは正電位についての切換えであり、n型スイッチングとは負電位についての切換えである。
    【0041】
    出力回路10または負荷回路は、異なる電圧値または振幅をもちうる。 出力回路および負荷回路は、同一または対向する極性をもちうる。 また負荷回路が出力回路に対して極性が変化するようにしてもよい。
    【0042】
    図3(a)および(b)に示す負荷回路と電圧源の外部配線の汎用の接続可能性を、図4(a)および(b)に示すように大幅に簡略化して、かつ図5(a)および(b)のようにさらに簡略化して、出力回路10すなわち装置回路GKと負荷回路LK間をガルバーニ接続するようにしてもよい。
    【0043】
    センサ装置の出力回路10と負荷回路LK間にガルバーニ接続が必要な場合、センサ装置または出力回路10内部でマイクロリレー1のスイッチ2と電位VSSに関する接続端子13との間をガルバーニ接続21するのが有利である。 その先の負荷回路すなわち負荷15の配線は、接続端子5と接続端子13の電位に接続する。 図4(a)の例では、このため負荷回路LK中の直流電圧源16に交流電圧源17の交流電圧を重畳する。
    【0044】
    添付図面中、同一参照番号は同じサブアセンブリおよびコンポーネントを指すので、簡略化のため対応図面中ですべてのサブアセンブリを示す必要はないことを注記しておく。 図3(a)では、簡略化および接続端子6−13間の内部接続のため、一般的な非整合接続の3線センサまたは図4(a)に示す端子タイプをもつことが可能である。
    【0045】
    図4(b)に示す変形例と図4(a)との相違点は、出力回路10内部のガルバーニ接続22が正の接続端子12へ延びることである。 従って負荷回路LKは、出力端子6と、直流電圧源VDC11からの正電位をもつ接続端子12とに接続する。
    【0046】
    図4(a)および(b)に示す実施形態では、負荷回路LKに印可される電位は、図示する配線では直流供給電圧11未満またはそれより上回ってもよい。
    【0047】
    3つの端子をもち、図4(a)および(b)に示し、内部ガルバーニ接続21または22を考慮して3線センサと称することもできるセンサ装置出力回路10は、図3(a)および(b)に関して説明したのと同じ利点が得られる。 特に、自由なままの出力をp型またはn型スイッチング方式に設計できる。 負荷回路LKと出力回路10とは、異なる電圧値および振幅をとることができ、および/または同極性または逆極性でもよい。 出力回路10に対して負荷回路LKの極性は可変であり、かつ負荷回路LKには時間によって変化する任意の電圧および/または任意の極性の電圧を供給できる。
    【0048】
    図5(a)および(b)はさらに簡略化した例を示す。 図5(a)では、負荷回路の負荷15を、出力端子5と、直流電圧源11の正電位をもつ接続端子12とに接続する。 図5(b)の場合は、負荷回路15は、出力端子6と、接続端子13すなわち直流電圧源11の負電位との間に位置する。
    【0049】
    従って、この簡略化した変形例では、n型スイッチング方式、p型スイッチング方式、開放器、および閉塞器を任意に組み合わせた標準的な各種接続タイプに対応する、もっとも標準的な実施形態を実現できる。
    【0050】
    図6(a)は、図4(a)および(b)に従う出力回路10の他の発展例を示す。 図6(a)の実施形態では、負荷回路への基準電位を反転できる。 この目的のため、供給電位VDDの接続端子12と電位VSSの接続端子13との間に反転スイッチ24を設け、このスイッチはWRU端子25の動作方向反転器WRUによって反転できる。 マイクロリレー1を駆動してスイッチ2を閉じると、図6(a)に示す位置では、負荷回路への出力端子6は電位VDDへつながる。 動作方向反転器を作動させて反転スイッチ24を切換えると、出力端子6には電位VSSが印可される。
    【0051】
    このように、マイクロリレー1の対応出力6には、希望に応じて一方極または他方極の供給電圧が印可でき、すなわちp型およびn型スイッチング方式に設計できる。 反転スイッチ24は、内部ブリッジ、スイッチングロジック、または他の内部配線プログラミング等の任意の適当な形式で構成できる。
    【0052】
    図6(a)の反転スイッチ24の代わりに、図6(b)に示す内部配線で2つの簡単なスイッチ26,27を使用した場合も同じ機能性が得られ、これらスイッチは別個のマイクロリレーとしても構成可能である。
    【0053】
    このように図4(a)および(b)のところで説明した利点および配線可能性を維持しながら、同時にp型またはn型スイッチング方式に関してさらに拡張することが可能である。
    【0054】
    図7(a)に示す実施形態では、プッシュプル出力29を有する3線センサを設計するために、センサ装置出力回路10に開放器としての第2のマイクロリレー14を設ける。 上側のマイクロリレー1は図4(b)の内部配線に対応し、下側の第2のマイクロリレー14は図4(a)に従う内部配線を有し、このマイクロリレーは開放器として構成される。 2つのマイクロリレーの対応する端子5および6は、プッシュプル出力29へ延ばされる。 信号端子4を介して同一の駆動信号がマイクロリレー1,14両方に印可される。
    【0055】
    図7(a)では、一方のスイッチ切換え状態では、接続端子13からの電位VSSがプッシュプル出力29に印可される。 他方のスイッチ切換え状態では、マイクロリレー14がマイクロリレー1を開放かつ閉鎖し、これによりプッシュプル出力29は端子12から電位VDDを受ける。
    【0056】
    負荷をVDD−出力間またはVSS−出力間で切換えられるため、この内部構成では動作方向の選択ができる。 従って、プッシュプル出力29はp型とn型のいずれかのスイッチング方式で動作できる。 この動作モードのため、誘導負荷をもつ回復ダイオードは必要ない。 特に、高周波を切換える場合、センサ装置中の電力損失を抑える。
    【0057】
    図7(a)の回路の機能性は、制御可能な動作方向反転器WRUを端子25に付加することによりさらに改善される。 図7(b)の例では、個々のマイクロリレー1,14を駆動するロジック28にWRU端子25と信号端子とを設ける。 図7(b)の配線では、制御用のWRUと、おそらくは追加ロジックとを設けることにより、センサまたはその出力回路10内部でn型スイッチング方式、p型スイッチング方式、開放器、および閉塞器を任意に組み合わせた様々な出力が可能となる。
    【0058】
    制御ロジックは、例えば同一の複数のマイクロリレーの使用が可能で、このため例えば両マイクロリレーを希望に応じて閉塞器または開放器として設計してもよい。 図7(b)の構成の代わりに、WRUを内部または外部ブリッジとして構成してもよい。
    【0059】
    図7(a)および(b)に示す回路は、比較的簡単な方法で2チャネルの自由電位形式に拡張可能できるという利点がある。 この目的のため、例えば図8(a)では、図7(a)に示すマイクロリレー1,14の2つの出力端子を外部へ出す。 従って図8(a)の例では、2組の独立したガルバーニ絶縁出力5,6または5'、6'が存在し、ロジック回路28は信号端子4とWRU端子25とを有するため、2つのマイクロリレー1,1'を同一方向または逆方向に駆動可能である。
    【0060】
    2チャネルセンサ装置を同方向に駆動して簡単に反対の値の出力を得るには、図8(b)の下側のマイクロリレー14で示すように、単に図8(a)のマイクロリレー1'を開放器として設計しロジック回路を省略すればよい。
    【0061】
    図3(a)および(b)に示す1チャネルの場合の特徴および利点は、図8(a)の実施形態の個々のチャネルにも同様にあてはまる。 また、この2チャネル形式の出力段10では、2つの負荷回路LKを図3(a)および(b)の出力回路10と負荷回路との場合に関して説明したのと同じように、自由に配線接続できることを注記しておく。
    【0062】
    図8(b)に示す実施形態では、上側のマイクロリレー1を閉塞器として設計し、下側のマイクロリレー14は開放器として設計し、各リレー1,14は共通の信号線4によって制御可能であり、従って反対の価に切換え可能である。 マイクロリレーの両出力線5,6または5',6'は、本例では外部に出す。
    【0063】
    図6(a)で1チャネルで基準電位と任意に配線できるのとほぼ同様に、図8(c)に示すような2チャネル構成でもかかる配線が実現できる。 図8(b)の構成に加えて、内部スイッチ24によって接続端子12または接続端子13のいずれかと接続することにより、対応する基準電位VDDまたはVSSと任意に配線できる(図8(c))。
    【0064】
    動作方向反転器によって駆動される反転スイッチ24の代わりに、図6(b)に示すような個々のスイッチ26,27を用いた構成にすることも可能である。
    【0065】
    1つまたは複数のマイクロリレーを使用した場合、対応する半導体ベースのマイクロリレーは通常は高いオーム入力をもち、同時に制御回路と負荷回路間がガルバーニ絶縁されるため、センサ装置の制御および出力回路の駆動が簡素化できるという重要な利点がある。 従来のエレクトロメカニカルリレーでは、駆動電流が非常に高いためこのような駆動は想定できない。
    【0066】
    図9(a)は、従来のエレクトロメカニカルリレー用の入力の構成を簡略化したものである。 給電端子32−33間に負荷抵抗器34とトランジスタ35とを直列に設け、トランジスタ35のエミッタは端子33に接続する。 ベース端子37の駆動により、端子36で対応の信号が得られる。 この構成で従来のエレクトロメカニカルリレーを使用する場合は、負荷抵抗器34の位置に挿入できる。 しかし、端子36および33を介して従来型のリレーを挿入する際、抵抗器34を非常に低くしなければならず、シャント電流が高くなりすぎるのでこのモードは不可能となりうる。 また他の実施例においても、例えば対応するオペアンプ、比較器の出力段を介して、またはロジックによってエレクトロメカニカルリレーを駆動する場合などは、高駆動電流を発生するように設計しなければならない。 他の問題としては、対応するリレーに動作方向反転器を希望する場合は、どの場合も追加コンポーネントが必要で費用が増大する。
    【0067】
    しかし、マイクロリレー1を使用する場合は、入力の配線を比較的簡単かつ安価に行うことができる。
    【0068】
    図9(a)に示すような一般的なスイッチ段では、図9(b)に示すようにマイクロリレー1を正端子32とトランジスタ35のコレクタ側に位置する端子36との間に接続できる。
    【0069】
    ただし図9(c)に示す例では、マイクロリレー1は負の供給電圧33側に位置する。 追加コンポーネントなしで、従って非常に安価に、マイクロリレー1の入力配線をこのように自由に選択できるため、希望する動作方向の反転を行うことができる。 マイクロリレー1の入力抵抗は常に負荷抵抗器34の抵抗値よりかなり高くなるようにできるので、負荷抵抗器の大きさに関する問題は生じない。
    【0070】
    図9(b)および(c)に示す回路に基づいて、回路図中でマイクロリレー1の位置を変更するだけでどのように動作方向を反転するかを示す。 マイクロリレー1は、負荷抵抗器34およびトランジスタ35のどちらにも並列に配置できる。 これはマイクロリレー1が閉塞器、開放器のどちらに構成されるかにはまったく関係なく適用できる。
    【0071】
    特に、オートメーション産業で標準的な制約、例えばセンサ出力が必ず所定の切換え位置となる停電時などを考慮すると、これら変形例はどれも実際に使用可能であることは明白である。
    【0072】
    センサ装置に適合または適応する電子機器について、この電子機器に対応する基板レイアウトを用いた場合、他のコンポーネントを設ける必要なく、対応するマイクロリレーをこの対応レイアウトの適切な位置のコンタクト面上に単に配置するだけで、動作方向およびスイッチタイプ、n型スイッチング等のあらゆる組み合わせを実現できる。 従って、対応のマイクロリレーを出力回路の電子機器の回路サポートまたはキャリア上に配置するだけで、希望の機能を得ることができる。
    【0073】
    図10(a)および(b)に、マイクロリレー1の動作方向反転器を設ける他の有利な変形例を示す。 図10(a)では、マイクロリレー1の入力は、抵抗器41等の電流制限要素に配線し、抵抗器41の一方側は供給電圧VDD32に接続し、他方側はマイクロリレー1およびマイクロリレー1と並列に設置したブリッジ44に接続する。 ブリッジ44は他方極とともに信号端子4に接続する。 端子33からの他方の供給電圧VSSは、抵抗器42等の他の電流制限要素を介して、マイクロリレー1および別ブリッジ45に印可される。 この別ブリッジ45の他方極も信号端子4に接続する。 従って、これらブリッジ44,45によって、マイクロリレー1の動作方向をプログラマブルにできる。 これは例えば、対応するブリッジの絶縁、または対応するブリッジの追加もしくは閉鎖によって行われる。 かかる端子変更は、センサ製造時に固定形式で行うか、または希望に応じてユーザが使用時に行ってもよい。 これらブリッジ44,45は端子ボックス等の外部からアクセス可能である。
    【0074】
    図10(b)は、マイクロリレー1の動作方向を制御可能に反転する様子を示し、ここではブリッジ整流器がマイクロリレーの上流に接続される。
    【0075】
    マイクロリレー1の特殊な特性、例えば制御入力での電位自由度、入力側と出力側間のガルバーニ絶縁、および高い入力インピーダンス等のため、WRU機能は、整流器ブリッジ、特定的にはブリッジ整流器46を用いて非常に簡単に実現できる。
    【0076】
    これに対応する構成を図10(b)に示す。 整流器ブリッジ46の直流電圧端子はマイクロリレー1に接続される。 整流器ブリッジには、信号端子4と、反転スイッチ47を介して反転可能な供給電圧32または33の対応端子が接続される。
    【0077】
    従来のエレクトロメカニカルリレーを用いた場合は、リレーを駆動する適切な回路技術の構成は無理と考えられる。
    【0078】
    図10(b)の構成では、希望に応じて、外部からアクセス可能なブリッジを挿入するか、または対応の制御入力31の制御ロジックによって、動作方向を反転できる。 対応の初期設定では、この制御はまた、センサ装置の継続動作中の動作方向の反転にも影響しうる。 制御入力と基準電位とを固定配線することも可能である。
    【図面の簡単な説明】
    【図1a】別個の信号入力をもつマイクロリレーを短縮した記号図で表わした概略構造図である。
    【図1b】別個の信号入力をもつマイクロリレーを短縮した記号図で表わした概略構造図である。
    【図1c】別個の信号入力をもたず、供給電圧によって駆動されるマイクロリレーの記号図である。
    【図1d】スイッチ開閉要素が通常は開状態のコンタクトすなわち閉塞器である場合のチップ上のマイクロリレーの設計可能性を示す図である。
    【図1e】スイッチ開閉要素が通常は開状態のコンタクトすなわち閉塞器である場合のチップ上のマイクロリレーの設計可能性を示す図である。
    【図2a】それぞれ別個の信号入力をもつ場合ともたない場合の、通常閉状態のコンタクトすなわち開放器としてのマイクロリレーの記号図である。
    【図2b】それぞれ別個の信号入力をもつ場合ともたない場合の、通常閉状態のコンタクトすなわち開放器としてのマイクロリレーの記号図である。
    【図3a】マイクロリレーの基本的な外部配線の可能性を示す図である。
    【図3b】マイクロリレーの基本的な外部配線の可能性を示す図である。
    【図4a】3点端子をもち内部ガルバーニ接続を有するマイクロリレーの出力端子群と、外部配線の可能性との簡略図である。
    【図4b】3点端子をもち内部ガルバーニ接続を有するマイクロリレーの出力端子群と、外部配線の可能性との簡略図である。
    【図5a】図4と同様の実施形態であるが、負荷回路を簡略化した図である。
    【図5b】図4と同様の実施形態であるが、負荷回路を簡略化した図である。
    【図6a】内部ガルバーニ接続および動作方向反転器を有するマイクロリレーの実施形態を示す図である。
    【図6b】内部ガルバーニ接続および動作方向反転器を有するマイクロリレーの実施形態を示す図である。
    【図7a】2つのマイクロリレーに基づく3点センサとしてのセンサ装置のプッシュプル出力の実施例を示す図である。
    【図7b】2つのマイクロリレーに基づく3点センサとしてのセンサ装置のプッシュプル出力の実施例を示す図である。
    【図8a】2つの実質的に並列接続されたマイクロリレーによるセンサ装置の2チャネル実施例を示し、動作方向反転器を有する図である。
    【図8b】2つの実質的に並列接続されたマイクロリレーによるセンサ装置の2チャネル実施例を示し、動作方向反転器を有する図である。
    【図8c】2つの実質的に並列接続されたマイクロリレーによるセンサ装置の2チャネル実施例を示す図である。
    【図9a】一般的な切換え段を示す図である。
    【図9b】異なる動作方向についてのマイクロリレーの接続可能性を示す図である。
    【図9c】異なる動作方向についてのマイクロリレーの接続可能性を示す図である。
    【図10a】ブリッジセクションすなわち整流ブリッジによるマイクロリレーのプログラマブルな動作方向反転の可能性を示す図である。
    【図10b】ブリッジセクションすなわち整流ブリッジによるマイクロリレーのプログラマブルな動作方向反転の可能性を示す図である。

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