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一种媒体接入控制MAC芯片及终端设备

申请号 CN201520082348.X 申请日 2015-02-05 公开(公告)号 CN204391113U 公开(公告)日 2015-06-10
申请人 中兴通讯股份有限公司; 发明人 王莹; 付志明; 李明生;
摘要 本实用新型提供了一种媒体接入控制MAC芯片及终端设备,涉及光通信领域,解决 现有技术 中光通信终端设备体积大、功耗高、成本难以降低的问题,该MAC芯片包括: 硅 衬底层,在所述硅衬底层的表面上形成有 二 氧 化硅 基底层,在所述 二氧化硅 基底层背离所述硅衬底层的表面上形成有硅基底层;在所述硅基底层背离所述二氧化硅基底层的表面上形成有元件层,所述元件层包括 激光器 、无源器件、探测器、驱动 电路 及MAC芯片本体;其中,所述驱动电路分别与所述激光器、所述探测器及所述MAC芯片本体连接,所述激光器通过所述无源器件与所述探测器连接。本实用新型的方案集成新型MAC芯片来构成终端设备,缩小了设备体积,减小了功耗和成本。
权利要求

1.一种媒体接入控制MAC芯片,其特征在于,所述MAC芯片包括:
衬底层,在所述硅衬底层的表面上形成有化硅基底层,在所述二氧化硅基底层背离所述硅衬底层的表面上形成有硅基底层;
在所述硅基底层背离所述二氧化硅基底层的表面上形成有元件层,所述元件层包括激光器、无源器件、探测器、驱动电路及MAC芯片本体;
其中,所述驱动电路分别与所述激光器、所述探测器及所述MAC芯片本体连接,所述激光器通过所述无源器件与所述探测器连接。
2.根据权利要求1所述的MAC芯片,其特征在于,所述激光器为Ⅲ-Ⅴ族激光器。
3.根据权利要求1所述的MAC芯片,其特征在于,所述驱动电路包括:
分别与所述MAC芯片本体及所述激光器连接的激光器驱动电路。
4.根据权利要求1所述的MAC芯片,其特征在于,所述驱动电路还包括:
与所述探测器连接的放大电路;
分别与所述MAC芯片本体及所述放大电路连接的滤波电路。
5.根据权利要求1所述的MAC芯片,其特征在于,所述无源器件、所述探测器、所述驱动电路及所述MAC芯片本体分别采用硅材料生长方式形成于所述硅基底层上。
6.根据权利要求1所述的MAC芯片,其特征在于,所述激光器采用键合方式形成于所述硅基底层上。
7.根据权利要求1所述的MAC芯片,其特征在于,所述二氧化硅基底层采用硅材料生长方式形成于所述硅衬底层上;所述硅基底层采用硅材料生长方式形成于所述二氧化硅基底层上。
8.根据权利要求1所述的MAC芯片,其特征在于,所述激光器、所述无源器件、所述探测器、所述驱动电路及所述MAC芯片本体按照预设方式均布于所述硅基底层上。
9.一种终端设备,其特征在于,包括:如权利要求1-8任一项所述的媒体接入控制MAC芯片。

说明书全文

一种媒体接入控制MAC芯片及终端设备

技术领域

[0001] 本实用新型涉及光通信领域,特别涉及一种媒体接入控制MAC芯片及终端设备。

背景技术

[0002] 随着高速率、高带宽光通信系统需要进一步减少功耗,缩小体积,降低成本的发展趋势,光通讯系统中的关键元器件的小型化和集成化越来越受到人们的重视。
[0003] 而传统的光通信系统终端设备,由光收发模,传统MAC(Media Access Control,媒体接入控制)芯片及外围电路组成,该终端设备体积较大,功耗较高,成本上面很难有降低。实用新型内容
[0004] 本实用新型要解决的技术问题是提供一种媒体接入控制MAC芯片及终端设备,解决现有技术中的光通信系统终端设备体积大、功耗高、成本难以降低的问题。
[0005] 为解决上述技术问题,本实用新型的实施例提供一种媒体接入控制MAC芯片,所述MAC芯片包括:
[0006] 衬底层,在所述硅衬底层的表面上形成有化硅基底层,在所述二氧化硅基底层背离所述硅衬底层的表面上形成有硅基底层;
[0007] 在所述硅基底层背离所述二氧化硅基底层的表面上形成有元件层,所述元件层包括激光器、无源器件、探测器、驱动电路及MAC芯片本体;
[0008] 其中,所述驱动电路分别与所述激光器、所述探测器及所述MAC芯片本体连接,所述激光器通过所述无源器件与所述探测器连接。
[0009] 其中,所述激光器为Ⅲ-Ⅴ族激光器。
[0010] 其中,所述驱动电路包括:
[0011] 分别与所述MAC芯片本体及所述激光器连接的激光器驱动电路。
[0012] 其中,所述驱动电路还包括:
[0013] 与所述探测器连接的放大电路;
[0014] 分别与所述MAC芯片本体及所述放大电路连接的滤波电路。
[0015] 其中,所述无源器件、所述探测器、所述驱动电路及所述MAC芯片本体分别采用硅材料生长方式形成于所述硅基底层上。
[0016] 其中,所述激光器采用键合方式形成于所述硅基底层上。
[0017] 其中,所述二氧化硅基底层采用硅材料生长方式形成于所述硅衬底层上;所述硅基底层采用硅材料生长方式形成于所述二氧化硅基底层上。
[0018] 其中,所述激光器、所述无源器件、所述探测器、所述驱动电路及所述MAC芯片本体按照预设方式均布于所述硅基底层上。
[0019] 为了解决上述技术问题,本实用新型的实施例还提供了一种终端设备,包括:如上所述的媒体接入控制MAC芯片。
[0020] 本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:
[0021] 本实用新型实施例的媒体接入控制MAC芯片,包括由下向上依次形成的硅衬底层、二氧化硅基底层、硅基底层及元件层。其中元件层包括激光器、无源器件、探测器、驱动电路及MAC芯片本体,且驱动电路分别与激光器、探测器及MAC芯片本体连接,激光器通过无源器件与探测器连接。其中,激光器、无源器件、探测器以及驱动电路共同构成了MAC芯片的光收发功能,形成了自带光收发功能的新型MAC芯片,使新型MAC芯片的终端设备无需单独设置光收发模块,从而缩小了新型MAC芯片的终端设备的体积,减小了设备功耗,且降低了生产成本。附图说明
[0022] 图1为本实用新型媒体接入控制MAC芯片的结构示意图;
[0023] 图2为本实用新型媒体接入控制MAC芯片的元件层结构示意图。
[0024] 附图标记说明:
[0025] 1-硅衬底层,2-二氧化硅基底层,3-硅基底层,4-元件层,41-激光器,42-无源器件,43-探测器,44-驱动电路,441-激光器驱动电路,442-放大电路,443-滤波电路,45-MAC芯片本体,5-外部业务接口模块。

具体实施方式

[0026] 为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0027] 本实用新型实施例的媒体接入控制MAC芯片,将光收发模块与传统MAC芯片整合到一起,利用硅基混合集成的方式构成了一种自带光收发功能的新型MAC芯片,解决了现有终端设备体积大、功耗高、成本难以降低的问题。
[0028] 如图1-2所示,本实用新型实施例的媒体接入控制MAC芯片,包括:
[0029] 硅衬底层1,在所述硅衬底层1的表面上形成有二氧化硅基底层2,在所述二氧化硅基底层2背离所述硅衬底层1的表面上形成有硅基底层3;
[0030] 在所述硅基底层3背离所述二氧化硅基底层2的表面上形成有元件层4,所述元件层4包括激光器41、无源器件42、探测器43、驱动电路44及MAC芯片本体45;
[0031] 其中,所述驱动电路44分别与所述激光器41、所述探测器43及所述MAC芯片本体45连接,所述激光器41通过所述无源器件42与所述探测器43连接。
[0032] 本实用新型实施例的媒体接入控制MAC芯片,采用CMOS工艺,首先在硅衬底层1上由下向上依次形成二氧化硅基底层2、硅基底层3,然后在硅基底层3上形成元件层4,其中元件层4的激光器41、无源器件42、探测器43以及驱动电路44共同构成了MAC芯片的光收发功能。形成了自带光收发功能的新型MAC芯片,使新型MAC芯片的终端设备无需单独设置光收发模块,从而缩小了新型MAC芯片的终端设备的体积,减小了设备功耗,且降低了生产成本。
[0033] 其中,MAC芯片本体45与外部业务接口模块5连接,用于与外部业务接口模块5进行业务交互。
[0034] 本实用新型的具体实施例中,所述激光器41为Ⅲ-Ⅴ族激光器。
[0035] 其中,所述驱动电路44可以包括:
[0036] 分别与所述MAC芯片本体45及所述激光器41连接的激光器驱动电路441。
[0037] 此时,激光器驱动电路441可根据MAC芯片本体45传递的信号控制激光器41进行工作,进而实现MAC芯片的光收发功能。
[0038] 进一步的,所述驱动电路44还可以包括:
[0039] 与所述探测器43连接的放大电路442;
[0040] 分别与所述MAC芯片本体41及所述放大电路442连接的滤波电路443。
[0041] 此时,探测器43探测得到的激光器41信号可能存在干扰信息,通过放大电路442及滤波电路443可将探测器43探测得到的信号进行放大和滤波,使信号得以恢复,然后通过MAC芯片本体45传送给外部业务接口模块5。
[0042] 优选的,所述无源器件42、所述探测器43、所述驱动电路44及所述MAC芯片本体45分别采用硅材料生长方式形成于所述硅基底层3上。
[0043] 此时,无源器件42、探测器43、驱动电路44及MAC芯片本体45与硅基底层3实现了良好的结合,增加了稳固性。
[0044] 其中,由于激光器41无法采用硅材料生长方式形成于硅基底层3上,所述激光器41采用键合方式形成于所述硅基底层3上。同样实现了激光器41与硅基底层3之间的良好结合。
[0045] 优选的,所述二氧化硅基底层2采用硅材料生长方式形成于所述硅衬底层1上;所述硅基底层3采用硅材料生长方式形成于所述二氧化硅基底层2上。
[0046] 进一步的,所述激光器41、所述无源器件42、所述探测器43、所述驱动电路44及所述MAC芯片本体45按照预设方式均布于所述硅基底层3上。
[0047] 下面对本实用新型的具体实施例举例说明如下。
[0048] 本实用新型实施例的媒体接入控制MAC芯片,采用CMOS工艺,首先在硅衬底层1上由下向上依次生长二氧化硅基底层2、硅基底层3,然后在硅基底层3上形成元件层4,元件层4包括按照预设方式均布的Ⅲ-Ⅴ族激光器、无源器件42、探测器43、驱动电路44及MAC芯片本体45,驱动电路44包括激光器驱动电路441、放大电路442及滤波电路443。其中无源器件42、探测器43、驱动电路44及MAC芯片本体45采用硅材料生长方式形成于硅基底层3上,Ⅲ-Ⅴ族激光器采用键合方式形成于硅基底层3上。其中,Ⅲ-Ⅴ族激光器通过无源器件42与探测器43连接,MAC芯片本体45与外部业务接口模块5连接,激光器驱动电路441分别与MAC芯片本体45及Ⅲ-Ⅴ族激光器连接,放大电路442与探测器43连接,滤波电路443分别与MAC芯片本体45及放大电路442连接。通过Ⅲ-Ⅴ族激光器、无源器件42、探测器43以及驱动电路44共同构成了MAC芯片的光收发功能,形成了自带光收发功能的新型MAC芯片,使新型MAC芯片的终端设备无需单独设置光收发模块,从而缩小了新型MAC芯片的终端设备的体积,减小了设备功耗,且降低了生产成本。
[0049] 本实用新型实施例的媒体接入控制MAC芯片,将光收发模块与传统MAC芯片整合到一起,利用硅基混合集成的方式构成了一种新型的MAC芯片,不但缩小了原来终端设备的体积,而且减少了设备功耗,同时为设备降低成本提供了空间,有很大的应用前景。
[0050] 由于本实用新型实施例的媒体接入控制MAC芯片应用于终端设备,因此,本实用新型实施例还提供了一种终端设备,包括:如上述实施例中所述的媒体接入控制MAC芯片。其中,上述媒体接入控制MAC芯片的所述实现实例均适用于该终端设备的实施例中,也能达到相同的技术效果。
[0051] 以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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