グロープラグ

申请号 JP2013088283 申请日 2013-04-19 公开(公告)号 JP2014211280A 公开(公告)日 2014-11-13
申请人 日本特殊陶業株式会社; Ngk Spark Plug Co Ltd; 发明人 ITO KATSUTERU;
摘要 【課題】製造工程の煩雑化を抑制しつつ、導電部の第1の電位側の端部と中軸との間の短絡を抑える。【解決手段】グロープラグは、絶縁部と該絶縁部内に形成された導電部とを備え、少なくとも第1の電位側の端部が後端部において露出するヒータ素子と、導電性材料により形成された中軸と、前記ヒータ素子の後端部と前記中軸の先端部とが内部に嵌め込まれるリングと、を備える。グロープラグは、さらに、前記リングの内部に配置される絶縁体であって、前記ヒータ素子の後端部と前記中軸の先端部とに 接触 して前記導電部の前記第1の電位側の端部と前記中軸とを離間させる絶縁体を備える。【選択図】図1
权利要求
  • 絶縁部と該絶縁部内に形成された導電部とを備えて前記導電部に通電することにより発熱し、軸線方向に延出する形状を有するヒータ素子であって、前記導電部の第1の電位側の端部と第2の電位側の端部のうち、少なくとも第1の電位側の端部が前記ヒータ素子の後端部において露出するヒータ素子と、導電性材料により形成された中軸と、前記ヒータ素子の後端部と前記中軸の先端部とが内部に嵌め込まれて、前記ヒータ素子の後端部の側面を介して前記導電部の前記第2の電位側の接続端子と前記中軸とを電気的に接続させるリングと、を備えるグロープラグにおいて、さらに、
    前記リングの内部に配置される絶縁体であって、前記ヒータ素子の後端部と前記中軸の先端部とに接触して前記導電部の前記第1の電位側の端部と前記中軸とを離間させる絶縁体を備えることを特徴とする グロープラグ。
  • 請求項1に記載のグロープラグであって、
    前記絶縁体は、前記ヒータ素子の後端部であって、少なくとも前記導電部の前記第1の電位側の端部の露出部を含む領域と、前記中軸の先端部との間に配置されていることを特徴とする グロープラグ。
  • 請求項1または2に記載のグロープラグであって、
    前記リングの後端から前記絶縁体の後端面が配置される位置までの軸線方向の距離を嵌め込み可能長さとしたときに、前記中軸は、該中軸の先端の位置から、該中軸の先端からの距離が前記嵌め込み可能長さとなる位置までにわたって、横断面の径が前記リングの後端の内径以下に形成されていることを特徴とする グロープラグ。
  • 請求項1から3までのいずれか1項に記載のグロープラグであって、
    前記絶縁体は、軸線方向の厚みが1μm以上であることを特徴とする グロープラグ。
  • 請求項4に記載のグロープラグであって、
    前記絶縁体は、軸線方向の厚みが10μm以上であることを特徴とする グロープラグ。
  • 说明书全文

    本発明は、グロープラグに関するものである。

    ディーゼルエンジン等の圧縮着火方式の内燃機関では、始動時の補助熱源としてグロープラグが使用される。 従来、グロープラグの構造としては種々のものが知られている。 例えば、通電することにより発熱するヒータ素子と、導電性材料により形成されて後端部に外部端子が取り付けられる中軸と、ヒータ素子の後端部と中軸の先端部とが内部に嵌め込まれるリングとを備える構成が知られている。 上記ヒータ素子としては、ヒータ素子内に設けられて通電される導電部が、第1の電位側(マイナス側)の接続端子と第2の電位側(プラス側)の接続端子を備え、各々の接続端子がヒータ素子の側面に露出する構成のものが知られている。 そして、このようなヒータ素子の後端部がリング内に嵌め込まれることによって、第2の電位側の接続端子と中軸とが、上記リングを介して電気的に接続される。 このようなヒータ素子としては、その製造方法に起因して、導電部の第1の電位側の端部が、ヒータ素子の後端で露出する形状を有する素子が知られている(例えば、特許文献1参照)。

    特開2012−63078号公報

    このようなヒータ素子を用いるグロープラグでは、ヒータ素子の後端で露出する第1の電位側の端部と中軸との間にギャップを設ける構成が採用されている。

    しかしながら、このような構成において、ヒータ素子の後端と中軸の先端との間の距離が近すぎる場合には、導電部の第1の電位側の端部と中軸の間が短絡する可能性が高まるため、ヒータ素子の後端と中軸の先端との間の距離を精度良く調節する必要が生じる。 また、上記距離が遠すぎる場合には、グロープラグの軸線方向のサイズの大型化を招く。 さらに、上記距離が遠すぎる場合には、リング内にヒータ素子が嵌め込まれたときに、リングとヒータ素子とが重なる軸線方向の長さ、あるいはリングと中軸とが重なる軸線方向の長さが、より短くなり、ヒータ素子および中軸とリングとの結合の強度が低下する。 その結果、グロープラグの製造工程において、ヒータ素子および中軸をリング内に嵌め込んだ部材の取り扱いが困難化する可能性がある。 このような事態を避けるために、リングの軸線方向の長さを大きくする方策も考えられるが、このようにすると、例えばヒータ素子や中軸を圧入によってリング内に嵌め込む場合には、圧入時の荷重が大きくなってしまい採用し難い場合がある。

    本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

    (1)本発明の一形態によれば、絶縁部と該絶縁部内に形成された導電部とを備えて前記導電部に通電することにより発熱し、軸線方向に延出する形状を有するヒータ素子であって、前記導電部の第1の電位側の端部と第2の電位側の端部のうち、少なくとも第1の電位側の端部が前記ヒータ素子の後端部において露出するヒータ素子と、導電性材料により形成された中軸と、前記ヒータ素子の後端部と前記中軸の先端部とが内部に嵌め込まれて、前記ヒータ素子の後端部の側面を介して前記導電部の前記第2の電位側の接続端子と前記中軸とを電気的に接続させるリングと、を備えるグロープラグが提供される。 このグロープラグは、さらに、前記リングの内部に配置される絶縁体であって、前記ヒータ素子の後端部と前記中軸の先端部とに接触して前記導電部の前記第1の電位側の端部と前記中軸とを離間させる絶縁体を備える。
    この形態のグロープラグによれば、絶縁体を設けることにより、第1の電位側の端部と中軸の間の短絡を抑えることができる。 そのため、リングの軸線方向の長さを抑えても、リングとヒータ素子の間を固定する、およびリングと中軸の間を固定する力を、より大きく確保することができる。 また、リングの軸線方向の長さを抑えることができるため、ヒータ素子および中軸をリング内に圧入する際の圧入荷重を低減することができる。 さらに、中軸をリング内に嵌め込む際に、特別な位置制御を行なう必要がないため、グロープラグの組付けを容易化することができる。

    (2)上記形態のグロープラグにおいて、前記絶縁体は、前記ヒータ素子の後端部であって、少なくとも前記導電部の前記第1の電位側の端部の露出部を含む領域と、前記中軸の先端部との間に配置されていることとしてもよい。
    この形態のグロープラグによれば、第1の電位側の端部と中軸との間の短絡を抑える効果を高めることができる。

    (3)上記形態のグロープラグにおいて、前記リングの後端から前記絶縁体の後端面が配置される位置までの軸線方向の距離を嵌め込み可能長さとしたときに、前記中軸は、該中軸の先端の位置から、該中軸の先端からの距離が前記嵌め込み可能長さとなる位置までにわたって、横断面の径が前記リングの後端の内径以下に形成されていることとしてもよい。
    この形態のグロープラグによれば、リング内への中軸の嵌め込み位置を規定するための特別な構造を設ける必要がないため、グロープラグの製造工程を簡素化することができる。

    (4)上記形態のグロープラグにおいて、前記絶縁体は、軸線方向の厚みが1μm以上であることとしてもよい。
    この形態のグロープラグによれば、導電部の第1の電位側の端部と中軸との間の短絡を抑える効果を高めることができる。

    (5)上記形態のグロープラグにおいて、前記絶縁体は、軸線方向の厚みが10μm以上であることとしてもよい。
    この形態のグロープラグによれば、リング内に中軸を挿入する動作に起因する絶縁体の損傷を抑制することができる。

    本発明は、上記以外の種々の形態で実現可能であり、例えば、グロープラグ用の絶縁体、あるいはグロープラグの製造方法などの形態で実現することが可能である。

    グロープラグの概略構成を表わす断面模式図である。

    ヒータ素子の後端部と中軸の先端部とを含む領域の構成を拡大して示す断面模式図である。

    グロープラグの製造方法を表わす工程図である。

    グロープラグの概略構成を表わす断面模式図である。

    グロープラグの概略構成を表わす断面模式図である。

    グロープラグの概略構成を表わす断面模式図である。

    グロープラグの概略構成を表わす断面模式図である。

    グロープラグの概略構成を表わす断面模式図である。

    グロープラグの概略構成を表わす断面模式図である。

    グロープラグの概略構成を表わす断面模式図である。

    A. 第1の実施形態:
    図1は、本発明の第1の実施形態としてのグロープラグ10の概略構成を表わす断面模式図である。 本実施形態のグロープラグ10は、ディーゼルエンジンを始めとする内燃機関に取り付けられて、内燃機関の始動時における点火を補助する熱源として機能する。 グロープラグ10は、ディーゼル微粒子捕集フィルター(DPF)の再活性バーナーシステムにおいて用いることもできる。 図1に示すように、グロープラグ10は、主な構成要素として、主体金具20と、外筒30と、ヒータ素子40と、中軸50と、リング60と、絶縁体65と、を備えている。 なお、本明細書では、図1におけるグロープラグ10の軸線O方向の下方側をグロープラグ10の「先端側」と呼び、上方側を「後端側」と呼んで説明する。

    主体金具20は、軸線Oに沿って延びる略円筒状の部材であり、本実施形態では、炭素鋼によって形成されている。 主体金具20の内部には、軸線Oに沿って主体金具20を貫通する軸孔21が形成されている。 また、主体金具20の後端側の外周面には、雄ネジ部22が形成されている。 この雄ネジ部22が、内燃機関のシリンダヘッド(図示せず)のプラグ取り付け孔に形成された雌ネジに螺合することによって、グロープラグ10が内燃機関に固定される。

    外筒30は、軸線Oに沿って延びる略円筒状の金属製部材である。 外筒30の内部には、軸線Oに沿って外筒30を貫通する軸孔31が形成されている。 軸孔31の内径は、ヒータ素子40の外径と同等、あるいはヒータ素子40の外径に比べて若干小さく形成されており、軸孔31内にヒータ素子40が嵌め込まれる。 外筒30の後端部は、主体金具20の軸孔21の先端部に嵌め込まれ、主体金具20の先端において、主体金具20と外筒30とが溶接される。

    ヒータ素子40は、軸線Oに沿って延びる略円柱状の部材であり、絶縁部41と、導電部42とを備えている。 ヒータ素子40は、その中ほどの部位において外筒30内の軸孔31内に嵌め込まれている。 ヒータ素子40において、上記中ほどの部位よりも先端側の部分は、外筒30の先端から突出している。 上記中ほどの部位よりも後端側の部分は、主体金具20の軸孔21内に収容されている。 ヒータ素子40は、電力が供給されることによって発熱する。

    絶縁部41は、絶縁性のセラミックによって形成されている。 本実施形態では、絶縁部41は窒化珪素によって形成されている。 ただし、絶縁部41は、窒化珪素に限らず、例えば、アルミナやサイアロン等の他の絶縁性のセラミックによって形成されていてもよい。 この絶縁部41は、ヒータ素子40の基体を成す部位である。

    導電部42は、絶縁部41の内部に埋設されており、軸線O方向に伸長すると共に先端側を頂点にして折り曲げられたU字状の構造であり、通電によって抵抗発熱する導電性のセラミックによって形成されている。 本実施形態では、導電部42は、タングステンカーバイドによって形成されている。 ただし、導電部42は、タングステンカーバイドに限らず、例えば、二珪化モリブデンや二珪化タングステン等の他の導電性のセラミックによって形成されていてもよい。

    U字状に形成された導電部42の両端部は、ヒータ素子40の後端部の外表面において露出する。 一方の端部が第1の電位側の端部(マイナス側端部)43であり、他方の端部が、一方の端部よりも高電位になる第2の電位側の端部(プラス側端部)44である。 また、導電部42には、上記第2の電位側の端部(プラス側端部)44の近傍において、ヒータ素子40の側面で露出する第2の電位側の接続端子(プラス側接続端子)46が形成されている。 さらに導電部42には、上記第1の電位側の端部(マイナス側端部)43の近傍であって、上記第2の電位側の接続端子46よりも先端側の位置に、ヒータ素子40の側面で露出する第1の電位側の接続端子(マイナス側接続端子)45が形成されている。 導電部42の第1の電位側の接続端子(マイナス側接続端子)45は、ヒータ素子40が外筒30内の軸孔31内に嵌め込まれることにより、軸孔31の内壁に接触し、外筒30と電気的に接続される。 なお、本実施形態では、第1の電位側の接続端子45および第2の電位側の接続端子46は、導電部42の他の部位と同じ材料で形成されており、導電部42の一部として形成されている。 ただし、第1の電位側の接続端子45および第2の電位側の接続端子46は、導電部42の他の部位と別体で形成されていてもよい。

    中軸50は、軸線Oに沿って延びる形状を有し、導電性材料によって形成される棒状の部材であり、主体金具20の軸孔21内において、ヒータ素子40の後端側に配置されている。 中軸50は、例えば、SUS430等の金属材料によって形成することができる。 中軸50の外径は、主体金具20の軸孔21の内径よりも小さく形成されており、中軸50と軸孔21の内壁との間には、両者を電気的に絶縁する空隙が形成される。

    リング60は、導電材料で形成された円筒状部材であり、主体金具20の軸孔21の内部で、中軸50とヒータ素子40との間に組み付けられる。 具体的には、ヒータ素子40の後端部と、中軸50の先端部とが、リング60の内部に嵌め込まれる。 ヒータ素子40の後端部がリング60に嵌め込まれることにより、ヒータ素子40の側面に露出する第2の電位側の接続端子(プラス側接続端子)46がリング60の内壁に接する。 これにより、ヒータ素子40の導電部42の第2の電位側の接続端子(プラス側接続端子)46が、リング60を介して中軸50に電気的に接続される。 リング60は、例えば、SUS410、SUS630等の金属材料によって形成することができる。

    絶縁体65は、電気絶縁性を有する材料によって構成される薄板状の部材であり、リング60内において、ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部の間に配置される。 絶縁体65は、ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部の双方に接触しており、リング60内においてヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部との間に形成される空間に、隙間無く配置されている。 このように絶縁体65が配置されることにより、ヒータ素子40が備える導電部42の第1の電位側の端部(マイナス側端部)43と中軸50との間が絶縁される。 絶縁体65を構成する絶縁性材料としては、例えば、ゴム、樹脂、およびセラミックから選択される材料を用いることができる。 絶縁体65は、後述するように、リング60内に中軸50を圧入する際にヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部との間に配置するため、中軸50の圧入時の衝撃を低減する観点からは、弾性率がより高いゴム製部材あるいは樹脂製部材を用いることが好ましい。

    絶縁体65を構成するゴムとしては、例えば、ブチルゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、エチレンプロピレンゴム(EPDM)から選択されるゴムを用いることができる。 絶縁体65を構成する樹脂としては、例えば、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ樹脂から選択される樹脂を用いることができる。 グロープラグ10の使用中における絶縁体65の環境条件(温度および雰囲気等)において安定な材料であれば良い。 絶縁体65を構成する材料の耐熱温度は、100℃以上であることが好ましく、150℃以上であることがより好ましく、200℃以上であることがさらに好ましく、300℃以上であることが最も好ましい。

    図2は、ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部とを含む領域(図1において領域Xとして破線で囲んだ領域)の構成を拡大して示す断面模式図である。 なお、図2では、図1の領域X内における主体金具20については記載を省略している。

    本実施形態では、中軸50の最先端とヒータ素子40の最後端とは、軸線O方向に垂直な平坦面として形成されている。 中軸50、ヒータ素子40、およびリング60の内壁は、いずれも横断面が円形に形成されており、絶縁体65は円盤状に形成されている。 なお、本明細書において説明する各部の形状、具体的には、円形、円筒状、円柱状、円盤状等の形状は、各部を備える部材を製造する際に生じる誤差等に起因する公差による歪みや変形を有する形状を含んでいる。

    図2では、絶縁体65の厚みを厚みaとして示している。 この厚みaは、導電部42が備える第1の電位側の端部(マイナス側端部)43と中軸50との間の短絡を抑える観点から、1μm以上とすることが好ましく、5μm以上とすることがより好ましい。 また、厚みaは、後述するように中軸50をリング60内に圧入する際に、中軸50とヒータ素子40との間に挟まれることによる損傷を抑えるという観点から、10μm以上とすることが好ましい。 また、厚みaは、グロープラグ10の軸線O方向の大型化を抑える観点、あるいは中軸50とリング60との結合の強度を確保する観点から、1mm以下とすることが好ましく、0.5mm以下とすることがより好ましく、0.1mm以下とすることがさらに好ましい。 ただし、厚みaは、1μm未満とすることも可能であり、1mm以上とすることも可能である。

    なお、中軸50の最先端の近傍の外壁において、中軸50の先端側に向かって次第に縮径するテーパが形成されていてもよい。 これにより、中軸50の先端部をリング60内に嵌め込む動作を容易化することができる。

    図1に戻り、グロープラグ10では、さらに、中軸50の後端部において金属製の端子金具70が加締め固定されている。

    また、主体金具20の後端部には、主体金具20の軸孔21の内壁と中軸50の間、および、主体金具20の後端と端子金具70の間に介在するように、円筒状の絶縁部材72が配置されている。 絶縁部材72は、中軸50を主体金具20内で位置決めすることによって、中軸50と主体金具20との間を電気的に絶縁する空隙を形成すると共に、端子金具70と主体金具20との間を電気的に絶縁する。 絶縁部材72は、絶縁性および使用環境に応じた耐熱性を有する材料、例えば、ナイロン(登録商標)やPPS樹脂(ポリフェニレンサルファイド樹脂)等の絶縁性樹脂によって形成することができる。

    主体金具20の軸孔21の内壁と中軸50の間において、絶縁部材72よりも先端側には、円筒状の封止部材74が配置されている。 封止部材74は、中軸50、絶縁部材72および主体金具20の各々に密着することによって、主体金具20の内部を密閉する。 封止部材74は、絶縁性、弾性、および使用環境に応じた耐熱性を有する材料、例えば、フッ素ゴムやシリコーンゴム等の弾性体によって形成することができる。

    以上のように構成されたグロープラグ10では、端子金具70から電力が供給されると、中軸50、リング60および第2の電位側の接続端子46を通じて導電部42に電力が供給され、ヒータ素子40が発熱する。 このとき、導電部42の第1の電位側の接続端子45は、外筒30、主体金具20、および内燃機関のシリンダヘッドを通じて接地される。

    図3は、本発明の第1の実施形態のグロープラグ10の製造方法を表わす工程図である。 グロープラグ10を製造する際には、まず、リング60の後端側から先端側へとヒータ素子40の先端を挿入し、リング60内にヒータ素子40を圧入する(ステップS100)。 これにより、導電部42の第2の電位側の接続端子(プラス側接続端子)46がリング60の内壁に接触して、導電部42とリング60とが電気的に接続される。 このとき、ヒータ素子40がリング60内に圧入されることで、プラス側接続端子46とリング60の内壁との密着状態が高められ、導電部42とリング60とが電気的に接続される際の抵抗が十分に抑えられる。

    その後、外筒30内に、軸孔31の後端側からヒータ素子40を圧入し、外筒30の先端からヒータ素子40の先端部を突出させる(ステップS110)。 これにより、導電部42の第1の電位側の接続端子(マイナス側接続端子)45が軸孔31の内壁に密着され、導電部42と外筒30とが電気的に接続される。

    次に、中軸50の最先端の平坦面(以後、先端面ともいう)に絶縁体65を貼り付ける(ステップS120)。 中軸50への絶縁体65の貼り付けは、グロープラグ10の使用中における絶縁体65の環境条件(温度および雰囲気等)において安定であって絶縁性を有する接着剤を用いて行なえばよい。 接着剤としては、例えば、シリコーン系接着剤を用いることができる。

    その後、リング60の後端側に、絶縁体65を貼り付けた中軸50の先端部を圧入し、リング60と中軸50とを溶接により固定する(ステップS130)。 中軸50をリング60内に圧入する際には、絶縁体65を貼り付けた中軸50の先端部がヒータ素子40の後端部に接するまで、中軸50をリング60内へと挿入すればよい。 リング60と中軸50との溶接は、リング60の後端と中軸450の外表面とが接する位置(図2において矢印W1で示す)において行なえばよい。

    次に、主体金具20の軸孔21内に中軸50を挿入して、外筒30の後端部に主体金具20の先端部を組み付ける(ステップS140)。 このとき、外筒30と主体金具20の間は、溶接により固定する。 その後、主体金具20および中軸50の後端部に、封止部材74、絶縁部材72、および端子金具70を取り付けて(ステップS150)、グロープラグ10を完成する。

    なお、グロープラグ10が備える絶縁体65の厚みaについては既に説明したが、ステップS120で貼り付けに用いる絶縁体65の厚みは、ステップS130における圧入による潰れを考慮して設定すればよい。

    また、本実施形態では、ヒータ素子40が嵌め込まれたリング60の後端側に中軸50を圧入する前に、外筒30内にヒータ素子40を圧入したが、このステップS110とステップS130の順序は逆であってもよい。 また、本実施形態では、中軸50の先端部に絶縁体65を貼り付けてからリング60内への中軸50の圧入を行なったが、異なる構成としてもよい。 例えば、ヒータ素子40の後端部をリング60内に圧入する前(ステップS100の前)、あるいはヒータ素子40の後端部をリング60内に圧入した後に(例えばステップS120に代えて)、ヒータ素子40の最後端の平坦面(以後、後端面ともいう)に絶縁体65を貼り付けても良い。 また、中軸50の先端部への絶縁体65の貼り付け、およびヒータ素子40の後端部への絶縁体65の貼り付けを行なわず、リング60内への中軸50の圧入によって、中軸50とヒータ素子40との間に絶縁体65を挟み込んでも良い。

    以上のように構成された本実施形態のグロープラグ10によれば、中軸50の先端面とヒータ素子40の後端面の間に絶縁体65を配置することにより、導電部42の第1の電位側の端部(マイナス側端部)43と中軸50とが離間されている。 そのため、ヒータ素子40の後端面よりも後端側に、第1の電位側の端部43と中軸50の間を絶縁するための空間を積極的に設けなくても、第1の電位側の端部43と中軸50の間の短絡を抑えることができる。 このとき、ヒータ素子40と中軸50との距離が絶縁体65の厚みと等しくなるため、ヒータ素子40と中軸50との距離を抑えることが容易になる。 そのため、リング60の軸線O方向の長さを抑えつつ、ヒータ素子40あるいは中軸50とリング60とが重なる軸線O方向の長さをより長く確保して、ヒータ素子40あるいは中軸50とリング60との間を固定する力を、より大きく確保することができる。 その結果、グロープラグ10の製造工程において、リング60にヒータ素子40を嵌め込んだ部材、あるいは、さらに中軸50を嵌め込んだ部材の取り扱いが、より容易になる。

    また、上記のようにリング60の軸線O方向の長さを抑えることができるため、ヒータ素子40および中軸50をリング60内に圧入する際の圧入荷重を低減することができる。 圧入荷重が過剰であると、例えば、中軸50の圧入時にリング60が軸線O方向にスライドして、リング60とヒータ素子40および中軸50との相対的な位置が、所望の位置からずれる可能性がある。 リング60がスライドすると、例えば第2の電位側の接続端子(プラス側接続端子)46とリング60との接触が十分に確保できなくなる可能性が生じるが、電極圧入荷重を抑えることで、このような不都合を抑えることができる。 あるいは、圧入荷重が過剰であると、中軸50の圧入時に中軸が変形する可能性がある。 中軸50が変形すると、グロープラグ10内で中軸50が主体金具20の軸孔21の内壁面に接触して短絡する可能性があるが、圧入荷重を低減することで、このような不都合を抑制することができる。

    本実施形態によれば、上記したように、第1の電位側の端部43と中軸50の間を絶縁するための空間を積極的に設ける場合に比べて、中軸50の先端部とヒータ素子40の後端部の距離を、より短くすることができる。 第1の電位側の端部43と中軸50の間に空間を設けることで両者を絶縁する場合には、中軸50やヒータ素子40の寸法の公差や圧入の動作の精度等を考慮すると、上記空間の軸線O方向の長さを0.5mm以上確保することが望ましい。 これに対して本実施形態では、より薄い絶縁体65を用いることにより、中軸50の先端部とヒータ素子40の後端部の距離を短くして、グロープラグ10の軸線方向の長さをより短くすることができる。 さらに、中軸50をリング60内に圧入する際には、中軸50の先端部が絶縁体65に接触し、絶縁体65がヒータ素子40の後端部に接触するまで中軸50をリング60内に挿入すればよい。 そのため、特別な位置制御を行なう必要がなく、また、リング60内への中軸50の嵌め込み位置を規定するための特別な構造を設けることなく、リング60内への中軸50の嵌め込み位置を容易に決定できる。 そのため、グロープラグ10の組付けの動作を容易化し、グロープラグ10の製造工程を簡素化することができる。

    B. 第2の実施形態:
    図4は、第2の実施形態のグロープラグ110の概略構成を表わす断面模式図である。 第2の実施形態において、第1の実施形態と共通する部分には同じ参照番号を付して詳しい説明は省略する。 第2の実施形態のグロープラグ110は、絶縁体65に代えて絶縁体165を備えること以外は、第1の実施形態のグロープラグ10と同様の構成を有している。 図4では、図2と同様にして、ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部とを含む領域のみを拡大して示している。

    絶縁体165は、第1の実施形態の絶縁体65と同様の円盤状の薄板状部材であるが、絶縁体65よりも径が小さく形成されている。 そして、絶縁体165は、ヒータ素子40の後端面で露出する第1の電位側の端部(マイナス側端部)43を覆うように配置されている。 絶縁体165は、例えば第1の実施形態と同様に、ヒータ素子40の後端部あるいは中軸50の先端部のいずれかに予め固定することにより配置すればよい。 このような構成としても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。 すなわち、絶縁体は、ヒータ素子40の後端面全体を覆い、ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部の間の空間全体を塞ぐ形状とする必要はない。

    C. 第3の実施形態:
    図5は、第3の実施形態のグロープラグ210の概略構成を表わす断面模式図である。 第3の実施形態において、第1の実施形態と共通する部分には同じ参照番号を付して詳しい説明は省略する。 第3の実施形態のグロープラグ210は、絶縁体65に代えて絶縁体265を備えること以外は、第1の実施形態のグロープラグ10と同様の構成を有している。 図5では、図2と同様にして、ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部とを含む領域のみを拡大して示している。

    絶縁体265は、第1の実施形態の絶縁体65と同様の円盤状の薄板状部材であるが、絶縁体65よりも径が小さく形成されている。 そして、絶縁体265は、ヒータ素子40の後端面で露出する第1の電位側の端部(マイナス側端部)43および第2の電位側の端部(プラス側端部)44よりもヒータ素子40の後端面の中央寄りの領域を覆うように配置されている。 絶縁体265は、例えば第1の実施形態と同様に、ヒータ素子40の後端部あるいは中軸50の先端部のいずれかに予め固定することにより配置すればよい。 このような構成としても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。 すなわち、絶縁体は、ヒータ素子40の後端部で露出する第1の電位側の端部(マイナス側端部)43全体を覆う必要はない。 絶縁体は、第1の電位側の端部43の少なくとも一部を覆う態様としてもよく、第1の電位側の端部43とは重ならない位置に配置する態様としてもよい。 また、第2および第3の実施形態では、ヒータ素子40の後端面の一部を覆う単一の絶縁体を設けることとしたが、ヒータ素子40の後端面の一部を覆う複数の絶縁体を配置してもよい。

    D. 第4の実施形態:
    図6は、第4の実施形態のグロープラグ310の概略構成を表わす断面模式図である。 第4の実施形態において、第1の実施形態と共通する部分には同じ参照番号を付して詳しい説明は省略する。 第4の実施形態のグロープラグ310は、絶縁体65に代えて絶縁体365を備えること以外は、第1の実施形態のグロープラグ10と同様の構成を有している。 図6では、図2と同様にして、ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部とを含む領域のみを拡大して示している。

    絶縁体365は、中央部に穴が形成されたリング状の断面形状を有している。 リング状に形成された絶縁体365の外周は、リング60の内壁に接しており、絶縁体365の内周は、ヒータ素子40の後端面で露出する第1の電位側の端部(マイナス側端部)43および第2の電位側の端部(プラス側端部)44から離間している。 絶縁体365は、例えば第1の実施形態と同様に、ヒータ素子40の後端部あるいは中軸50の先端部のいずれかに予め固定することにより配置すればよい。 このような構成としても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。 なお、絶縁体365は、ヒータ素子40の後端面で露出する第1の電位側の端部(マイナス側端部)43および第2の電位側の端部(プラス側端部)44から離間している必要はない。 例えば、第1の電位側の端部(マイナス側端部)43の少なくとも一部と重なっていてもよい。 ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部とに接触する絶縁体を設けることで、第1の電位側の端部(マイナス側端部)43と中軸50とを離間させることができればよい。

    E. 第5の実施形態:
    図7は、第5の実施形態のグロープラグ410の概略構成を表わす断面模式図である。 第5の実施形態において、第1の実施形態と共通する部分には同じ参照番号を付して詳しい説明は省略する。 第5の実施形態のグロープラグ410は、絶縁体65に代えて絶縁体465を備えること以外は、第1の実施形態のグロープラグ10と同様の構成を有している。 図7では、図2と同様にして、ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部とを含む領域のみを拡大して示している。

    グロープラグ410では、中軸50の先端面に、絶縁性材料からなる被膜として絶縁体465が形成されている。 絶縁体465としての被膜は、例えば、グロープラグ10の使用中における絶縁体65の環境条件(温度および雰囲気等)において安定な樹脂(例えばポリイミド等)を用いて樹脂コーティングにより形成してもよく、あるいは、セラミックコーティングにより形成してもよい。 セラミックコーティングは、例えばイオンプレーティングなどのPVD法(物理蒸着法)により行なうことができる。 絶縁体465を絶縁性被膜によって構成する場合には、絶縁性被膜は、ヒータ素子40の後端面および中軸50の先端面のうちの少なくともいずれか一方に形成すればよい。 このような構成としても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。

    なお、コーティングにより形成される絶縁性被膜によって絶縁体を構成する場合には、ヒータ素子40および中軸50とは別体の薄板状部材によって絶縁体を構成する場合よりも、絶縁体の薄型化が容易になる。 例えば、厚みaが1〜10μm程度の絶縁体を容易に形成可能になる。 これにより、リング60の軸線O方向の長さおよびグロープラグの軸線O方向の長さを抑える効果を高めることができる。 なお、絶縁体が被膜であるか薄板状部材であるか等の態様にかかわらず、絶縁体を薄く(例えば、厚みaを10μm未満に)形成する場合には、第1の電位側の端部43と中軸50との間の絶縁を確保するために、絶縁体は、少なくとも第1の電位側の端部43全体と重なる領域に設けることが望ましい。

    F. 第6の実施形態:
    図8は、第6の実施形態のグロープラグ510の概略構成を表わす断面模式図である。 第6の実施形態において、第1の実施形態と共通する部分には同じ参照番号を付して詳しい説明は省略する。 第6の実施形態のグロープラグ510は、絶縁体65に代えて絶縁体565を備えること以外は、第1の実施形態のグロープラグ10と同様の構成を有している。 図8では、図2と同様にして、ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部とを含む領域のみを拡大して示している。

    第6の実施形態では、絶縁体565は、絶縁性材料(既述した樹脂やセラミック)から成る粉体を、ヒータ素子40の後端部と中軸50の先端部との間に充填することにより形成されている。 このように、絶縁体は、絶縁性材料から成る固体によって形成されればよく、これにより第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。 ただし、ヒータ素子40の後端部との間に絶縁体を介在させつつリング60内に中軸50を嵌め込む動作を簡素化するためには、絶縁体は、単一の部材であること、あるいは、ヒータ素子40の後端部または中軸50の先端部に予め固定された状態で形成されることが望ましい。

    G. 第7の実施形態:
    図9は、第7の実施形態のグロープラグ610の概略構成を表わす断面模式図である。 第7の実施形態において、第1の実施形態と共通する部分には同じ参照番号を付して詳しい説明は省略する。 第7の実施形態のグロープラグ610は、ヒータ素子40に代えてヒータ素子640を備え、中軸50に代えて中軸650を備えること以外は、第1の実施形態のグロープラグ10と同様の構成を有している。 図9では、図2と同様にして、ヒータ素子640の後端部と中軸650の先端部とを含む領域のみを拡大して示している。

    第7の実施形態では、ヒータ素子640の後端部および中軸650の先端部における互いに対向する部位の各々が、平坦面として形成されるのではなく凹凸形状が形成されている。 絶縁体65は、例えば第1の実施形態と同様に、ヒータ素子640の後端部あるいは中軸650の先端部のいずれかに予め固定されることにより配置すればよい。 このような場合であっても、ヒータ素子640の後端部と中軸650の先端部とに接触して第1の電位側の端部43と中軸650とを離間させる絶縁体を設けることで、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。 なお、図9ではヒータ素子640の後端部および中軸650の先端部の双方に凹凸形状を設けたが、いずれか一方のみに凹凸形状を設けてもよい。

    H. 第8の実施形態:
    図10は、第8の実施形態のグロープラグ610の概略構成を表わす断面模式図である。 第8の実施形態において、第1の実施形態と共通する部分には同じ参照番号を付して詳しい説明は省略する。 第8の実施形態のグロープラグ610は、中軸50に代えて中軸750を備えること以外は、第1の実施形態のグロープラグ10と同様の構成を有している。 図10では、図2と同様にして、ヒータ素子40の後端部と中軸750の先端部とが接する部位を含む領域のみを拡大して示している。

    中軸750には、先端部近傍の外壁に、後端側に向かって急激に外径が拡大する鍔状の段差部755が形成されている。 中軸750は、この段差部755において、リング60の後端と接している。 なお、グロープラグ710では、中軸750とリング60との溶接は、リング60の後端と段差部755とが接する位置(図10において矢印W2で示す)において行なえばよい。 なお、上記のように中軸に段差部755を設ける構成は、絶縁体の構成が異なる場合、例えば第2〜第6の実施形態において、同様に適用してもよい。

    このような構成としても、第1の実施形態と同様の効果が得られる。 また、本実施形態では、段差部755の位置で中軸750とリング60とを溶接すればよいため、溶接の動作を容易化することが可能になる。 また、本実施形態では、絶縁体によって第1の電位側の端部43と中軸750との間を絶縁しており、段差部755の位置により規定される第1の電位側の端部43と中軸750との間のギャップの距離に依存して絶縁性を確保していない。 そのため、段差部755の精度に係る要求を抑えることができる。 ただし、中軸の製造工程を簡素化する観点からは、段差部755を設けない各実施形態の構成が望ましい。 すなわち、リング60の後端から絶縁体65の後端面が配置される位置までの軸線O方向の距離を嵌め込み可能長さbとしたときに(図10参照)、中軸は、中軸の先端の位置から、中軸の先端からの距離が上記嵌め込み可能長さbとなる位置までにわたって、横断面の径がリング60の後端の内径以下に形成されていることが好ましい。

    I. 変形例:
    ・変形例1(プラス側端部の位置関係の変形):
    上記各実施形態では、ヒータ素子40の後端部において、第1の電位側の端部(マイナス側端部)43と共に第2の電位側の端部(プラス側端部)44も露出することとしたが、第2の電位側の端部(プラス側端部)44は設けないこととしてもよい。 第1の電位側の端部43が後端部で露出するヒータ素子を用いるならば、本発明を適用することにより、各実施形態と同様の効果を得ることができる。

    ・変形例2(リングと中軸の組付け方法の変形):
    上記各実施形態では、中軸50の先端部をリング60の後端部に圧入した後に、中軸50の先端部とリング60の後端部とを溶接したが、異なる構成としてもよい。 例えば、中軸50の先端部をリング60の後端部に圧入した後に、溶接を行なわないこととしてもよい。 あるいは、中軸50の先端部の外径をリング60の後端部の内径よりも小さく形成し、中軸50の先端部をリング60内に単に挿入することによって、リング60への中軸の嵌め込みを行ない、その後両者を溶接してもよい。 また、中軸50の先端部をリング60内に挿入した後に、リング60の外側から加締めることによって、中軸50とリング60とを固定してもよい。

    本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。 例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。 また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。

    10,110,210,310,410,510,610,710…グロープラグ20…主体金具21…軸孔22…雄ネジ部30…外筒31…軸孔40,640…ヒータ素子41…絶縁部42…導電部43…端部45…第1の電位側の接続端子46…第2の電位側の接続端子50,650,750…中軸60…リング65,165,265,365,465,565…絶縁体70…端子金具72…絶縁部材74…封止部材755…段差部

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