一种QLED灯条制作方法 |
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| 申请号 | CN201710318386.4 | 申请日 | 2017-05-08 | 公开(公告)号 | CN107237996A | 公开(公告)日 | 2017-10-10 |
| 申请人 | 安徽芯瑞达科技股份有限公司; | 发明人 | 崔杰; 孙海桂; 陈龙; | ||||
| 摘要 | 本 发明 公开了一种Q LED灯 条制作方法，所述方法包括以下步骤：准备好完成固晶焊线的LED灯珠半成品，贴于涂好 锡 膏的PCB板上，形成灯条；将该灯条过 回流焊 ；对PCB板上的LED灯珠半成品进行除湿；将除湿完成的灯条放入等离子清洗机，对PCB板上的LED灯珠半成品进行清洗；配置 量子点 荧光 胶 水 ；将配置好的量子点荧光胶水采用点胶工艺，点在PCB板上的LED灯珠半成品中；再次将灯条放入 烤箱 中进行 固化 。本发明介绍了一种颠倒工艺，通过先回流焊，再点胶的方式，巧妙的避开量子点粉经历回流焊的高温过程，避免了回流焊对量子点粉的性能影响，突破性的使QLED能够直接应用到 背光 领域中，具有良好的经济与市场推广价值。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种QLED灯条制作方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤： |
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| 说明书全文 | 一种QLED灯条制作方法技术领域背景技术[0002] 随着电视技术的不断进步，电视经历了从黑白到彩色的发展，从电子管、晶体管到如今的平板液晶电视。液晶自身并不能发光，需要利用到亮度恒定、均匀的白光背光源。通过信号电压，改变液晶分子的排布状态，达到调节穿透液晶后的光线强度，从而在屏幕上产生所需图像内容。与传统的CCFL背光源相比，LED背光具有色域高、亮度高、寿命长、节能环保等优点，特别是高色域的LED背光源广泛应用于电视、手机、平板电脑等电子产品中，使其具有更加艳丽，色彩还原度高。 [0003] 目前，主流LED灯珠采用蓝光LED芯片激发黄色YAG荧光粉，但缺少红色成分，色域值仅能达到NTSC 65％～72％。针对这一缺陷，技术人员采用蓝光芯片激发红色荧光粉和绿色荧光粉，将NTSC提升至80％～85％。现有荧光粉激发效率低，为得到高色域LED灯珠，需要提高荧光粉浓度，增加封装成本，降低亮度、提升不良率。 [0004] 量子点，又叫纳米晶，是由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒，粒径1～10nm。量子点的量子限域效应明显，将半导体中载流子限定在微小的三维空间内。受到光电刺激时，载流子会被激发跳跃到更高的能级，这些载流子回到原来较低能级时，会发出固定波长的光。量子点荧光粉具有较宽的吸收谱和较窄的激发谱，具有比传统荧光粉，更优秀的光电性能，NTSC高达140％。通过改变量子点颗粒尺寸和化学组成，可以使发射光谱覆盖整个可见光区域。寿命方面，量子点荧光粉是传统荧光粉寿命的3～5倍，且具有很好的光稳定性。 [0005] 目前，QLED量子点灯珠具有超高的色域值，但目前阶段量子点粉的热稳定不好，通常到70～100℃，量子点粉已经量子点效率衰减的很厉害。经过200℃～260℃回流焊数分钟，量子点粉基本失活，且无法恢复。现工艺是按传统LED背光工艺，在PCB板上点好锡膏，贴上QLED灯珠，再经历260℃左右回流焊。该工艺直接导致QLED基本失活，且不可恢复。 [0006] 对于该工艺现有的解决方案为采用低温锡膏，如150℃～180℃的回流焊温度。但该工艺给量子点带来的影响同样很大，且难以恢复。如果继续采用低温，可能会在灯条点亮过程中，锡膏融化，QLED灯珠对应在PCB板上的位置移动，甚至灯条断路。 [0007] 所以如何避免QLED固焊PCB板过程中经历150℃以上的回流焊，对量子点粉的毁灭性打击是现阶段迫切需要解决的问题。 发明内容[0008] 本发明的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种QLED灯条制作方法。 [0009] 为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现： [0010] 一种QLED灯条制作方法，所述方法包括以下步骤： [0011] S1:准备好完成固晶焊线的LED灯珠半成品，贴于涂好锡膏的PCB板上，形成灯条； [0012] S2:将该灯条放入260℃回流炉中，过回流焊； [0013] S3:将完成回流焊的灯条在170℃的温度下保温2小时，然后对PCB板上的LED灯珠半成品进行除湿； [0014] S4:将除湿完成的灯条放入等离子清洗机，对PCB板上的LED灯珠半成品进行清洗； [0015] S5:配置量子点荧光胶水； [0016] S6:将配置好的量子点荧光胶水采用点胶工艺，点在PCB板上的LED灯珠半成品中； [0018] 进一步地，所述LED灯珠半成品包括LED芯片，该LED芯片为蓝光芯片、紫外芯片、红外芯片中的任意一种。 [0019] 进一步地，所述LED灯珠半成品为传统贴片式LED或CSP。 [0020] 进一步地，所述LED灯珠半成品包括LED灯珠支架，该LED灯珠支架材质采用PPA、PCT、EMC、SMC中的任意一种。 [0022] 进一步地，所述灯条为直下式灯条或者侧入式灯条。 [0023] 进一步地，所述S5步骤中量子点荧光胶水采用量子点荧光粉进行配置，该量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。 [0025] 进一步地，所述LED灯珠半成品中包括LED芯片，该LED芯片表面覆有一层或多层透明材料，该透明材料为量子点荧光粉与封装硅树脂的混合物或者量子点荧光粉以及YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON与封装硅树脂的混合物，且在透明材料表面覆有一层透明硅树脂材料。 [0026] 进一步地，所述LED灯珠半成品的上方安装有LED背光透镜。 [0027] 本发明的有益效果是： [0028] 本发明介绍了一种颠倒工艺，通过先回流焊，再点胶的方式，巧妙的避开量子点粉经历回流焊的高温过程，避免了回流焊对量子点粉的性能影响，突破性的使QLED能够直接应用到背光领域中，具有良好的经济与市场推广价值。附图说明 [0030] 图1是本发明的流程示意图； [0031] 图2是本发明的传统工艺流程示意图。 具体实施方式[0032] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。 [0033] 实施例1： [0034] 如图1所示的一种QLED灯条制作方法，该方法包括以下步骤： [0035] S1:准备好完成固晶焊线的LED灯珠半成品，贴于涂好锡膏的PCB板上，形成灯条；LED灯珠半成品为传统贴片式LED或CSP，LED灯珠半成品包括LED灯珠支架，该LED灯珠支架材质采用PPA、PCT、EMC、SMC中的任意一种，PCB板材质采用铝基板或铜基板，灯条为直下式灯条或者侧入式灯条，LED灯珠半成品包括LED芯片，该LED芯片为蓝光芯片、紫外芯片、红外芯片中的任意一种，LED芯片表面覆有一层或多层透明材料，该透明材料为量子点荧光粉与封装硅树脂的混合物或者量子点荧光粉以及YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON与封装硅树脂的混合物，且在透明材料表面覆有一层透明硅树脂材料； [0036] S2:将灯条放入260℃回流炉中，过回流焊，该回流焊为贴片式LED灯珠通过焊锡固焊到PCB背光灯条上的一种工艺，该工艺也可以是加热台、烤箱等加热设备使LED通过焊锡、银胶、等导电胶固化在背光灯条上； [0037] S3:将完成回流焊的灯条在170℃的温度下保温2小时，然后对PCB板上的LED灯珠半成品进行除湿； [0038] S4:将除湿完成的灯条放入等离子清洗机，对PCB板上的LED灯珠半成品进行清洗； [0039] S5:配置量子点荧光胶水，量子点荧光胶水采用量子点荧光粉进行配置，该量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种，量子点荧光胶水内加入有荧光粉，该荧光粉为YAG粉或硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON中的至少一种，或者加入一种或多种不同激发波长的荧光粉； [0040] S6:将配置好的量子点荧光胶水采用点胶工艺，点在PCB板上的LED灯珠半成品中，LED灯珠半成品的上方安装有LED背光透镜； [0041] S7:再次将灯条放入烤箱中，并在100℃的温度下进行固化。 [0042] 实施例2： [0043] 一种QLED灯条制作方法，该方法包括以下步骤： [0044] S1:准备好完成固晶焊线的LED灯珠半成品，贴于涂好锡膏的PCB板上，形成灯条；LED灯珠半成品为传统贴片式LED或CSP，LED灯珠半成品包括LED灯珠支架，该LED灯珠支架材质采用PPA、PCT、EMC、SMC中的任意一种，PCB板材质采用铝基板或铜基板，灯条为直下式灯条或者侧入式灯条，LED灯珠半成品包括LED芯片，该LED芯片为蓝光芯片、紫外芯片、红外芯片中的任意一种，LED芯片表面覆有一层或多层透明材料，该透明材料为量子点荧光粉与封装硅树脂的混合物或者量子点荧光粉以及YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON与封装硅树脂的混合物，且在透明材料表面覆有一层透明硅树脂材料； [0045] S2:将灯条在170℃的温度下保温2小时，然后对PCB板上的LED灯珠半成品进行除湿； [0046] S3:将除湿完成的灯条放入260℃回流炉中，过回流焊； [0047] S4:将完成回流焊的灯条放入等离子清洗机，对PCB板上的LED灯珠半成品进行清洗； [0048] S5:配置量子点荧光胶水，量子点荧光胶水采用量子点荧光粉进行配置，该量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种，量子点荧光胶水内加入有荧光粉，该荧光粉为YAG粉或硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON中的至少一种； [0049] S6:将配置好的量子点荧光胶水采用点胶工艺，点在PCB板上的LED灯珠半成品中，LED灯珠半成品的上方安装有LED背光透镜； [0050] S7:再次将灯条放入烤箱中，并在100℃的温度下进行固化。 [0051] 实施例3： [0052] 一种QLED灯条制作方法，该方法包括以下步骤： [0053] S1:准备好完成固晶焊线的LED灯珠半成品，贴于涂好锡膏的PCB板上，形成灯条；LED灯珠半成品为传统贴片式LED或CSP，LED灯珠半成品包括LED灯珠支架，该LED灯珠支架材质采用PPA、PCT、EMC、SMC中的任意一种，PCB板材质采用铝基板或铜基板，灯条为直下式灯条或者侧入式灯条，LED灯珠半成品包括LED芯片，该LED芯片为蓝光芯片、紫外芯片、红外芯片中的任意一种，LED芯片表面覆有一层或多层透明材料，该透明材料为量子点荧光粉与封装硅树脂的混合物或者量子点荧光粉以及YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON与封装硅树脂的混合物，且在透明材料表面覆有一层透明硅树脂材料； [0054] S2:将该灯条放入260℃回流炉中，过回流焊； [0055] S3:配置量子点荧光胶水，量子点荧光胶水采用量子点荧光粉进行配置，该量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种，量子点荧光胶水内加入有荧光粉，该荧光粉为YAG粉或硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉、β-SiAlON中的至少一种； [0056] S4:将配置好的量子点荧光胶水采用点胶工艺，点在PCB板上的LED灯珠半成品中，LED灯珠半成品的上方安装有LED背光透镜； [0057] S5:再次将灯条放入烤箱中，并在100℃的温度下进行固化。 [0058] 如图2所示，传统的QLED灯条制作方法包括以下步骤： [0059] S1：完成固晶焊线的LED灯珠半成品； [0060] S2：将半成品放入烤箱中除湿，再放入等离子清洗机清洗； [0061] S3：配好的荧光胶水，点胶到LED灯珠半成品内； [0062] S4：放入烤箱固化烘烤； [0063] S5：取固化好的LED灯珠，用焊锡贴于PCB板背光灯条上，经历回流焊。 [0064] QLED量子点灯珠中的量子点粉温度衰减严重，70℃以上便衰减严重。采用传统工艺，将QLED固焊在PCB板上，必然要经过两百多摄氏度的回流焊，这对量子点粉几乎是毁灭性的伤害。本发明采用将未点胶的LED灯珠半成品，经过回流焊固焊在PCB背光灯条上，然后再进行点胶工艺，避免量子点粉经历两百多摄氏度的高温。使得量子点直接应用于液晶屏背光领域成为可能。量子点LED灯珠应用到背光模组中，实现高色域背光技术。该高色域显示技术的色域值远高于传统的蓝光芯片搭配红、绿荧光粉，得到高色域灯珠。 [0065] 本发明介绍了一种颠倒工艺，通过先回流焊，再点胶的方式，巧妙的避开量子点粉经历回流焊的高温过程，避免了回流焊对量子点粉的性能影响，突破性的使QLED能够直接应用到背光领域中，具有良好的经济与市场推广价值。 [0066] 以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。 |
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