用于制造发光装置的方法和发光装置 |
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| 申请号 | CN201280027077.7 | 申请日 | 2012-06-12 | 公开(公告)号 | CN103608941B | 公开(公告)日 | 2016-08-31 |
| 申请人 | 欧司朗有限公司; | 发明人 | 约尔格·索尔格; 拉尔夫·维尔特; | ||||
| 摘要 | 本 发明 涉及一种用于制造发光装置的方法，其具有以下步骤：提供第一载体（1），将第二载体（2）固定在第一载体（1）上，在将第二载体（2）固定在第一载体（1）上之后将第二载体（2）分隔成至少两个部分（21，…，28），并且将至少两个发光 二极管 芯片（3）固定到第二载体（2）的、背离第一载体（1）侧上。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种用于制造发光装置的方法，具有以下步骤： |
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| 说明书全文 | 用于制造发光装置的方法和发光装置技术领域[0001] 本发明提出一种用于制造发光装置的方法以及发光装置。 发明内容[0003] 根据该方法的至少一个实施方式，该方法包括提供第一载体的方法步骤。为此第一载体设置用于机械地承载待制造的发光装置的部件。此外，第一载体的特征尤其是特别高的导热能力。在此第一载体例如可以设计为导电的。那么第一载体特别是涉及金属载体，其以金属例如铜构成。于是第一载体可以特别好地吸收由发光装置的部件在运行时产生的热量，并且向外散发。也就是说，第一载体特别是形成发光装置的散热源。 [0004] 根据该方法的至少一个实施方式，第二载体固定在第一载体上。例如第二载体固定在第一载体的主面上。例如借助连接元件固定第二载体，该连接元件除建立在第一载体与第二载体之间的机械连接之外，还建立在第一载体与第二载体之间的热连接。也就是说，连接元件的特征可以是高的导热能力。 [0005] 第二载体涉及一个载体，为此其设置为，在背离第一载体的、该第二载体的侧上承受并且机械地承载该发光装置的部件的一个部分。在此第二载体比第一载体特别是具有更小的基面。第二载体的特征同样在于高的导热能力。同时第二载体特别是可以设计为电绝缘的。例如用不掺杂的半导体材料或陶瓷材料构造第二载体。也就是说，第二载体尤其可以是陶瓷载体。例如第二载体用A1N构成，其特征是导热值为大约180W/mK。 [0006] 根据该方法的至少一个实施方式，在将第二载体固定到第一载体上之后至少部分地将第二载体分隔成至少两个部分。第二载体可以这样切割，即由第二载体的材料不能促成在第二载体的、通过分隔产生的部分之间的连接。这些通过分隔形成的、第二载体的部分例如仅仅通过其与第一载体的连接相对彼此并且相对于第一载体机械地保持在固定位置上，该位置不会由于分隔第二载体而变化。也就是说这可以实现完全的分隔。 [0007] 进一步可能的是，实现部分地分隔第二载体。在这种情况下，在第二载体内引入沟槽，该沟槽用作在第二载体的部分之间的标准断裂位置。在发光装置运行时，第一载体热膨胀比第二载体更强，并且这可以沿着标准断裂位置发生第二载体的完全分隔。在此在第二载体内的从背离第一载体的侧起的沟槽的埋入深度是第二载体的平均厚度的至少5％，特别是至少10％。以这种方式可以确保，在运行时可以沿着标准断裂位置实现完全的分隔。 [0008] 在此在第二载体的部分之间的分隔线横向延伸，特别是垂直于第一载体的、朝向第二载体的上侧延伸。也就是说，第二载体的部分的基面小于第二载体的基面。 [0009] 根据该方法的至少一个实施方式，至少两个发光二级管芯片固定在第二载体的、背离第一载体的侧上。在此发光二级管芯片特别是可以机械固定地与第二载体连接，并且导热性良好地与其连接。 [0010] 发光二极管芯片例如涉及LED芯片或激光二极管芯片，其在运行时产生电磁射线，特别是光束。以这种方式，同样可以由运行中的发光装置发射电磁射线、特别是光束。尤其可能的是，发光二极管芯片射出白光和/或彩色光。在发光二极管芯片设置用于放射白光的情况下，该发光二极管芯片例如包括设置用于降频转换电磁射线的发光转换材料。 [0011] 根据用于制造发光装置的方法的至少一个实施方式，该方法包括以下步骤： [0012] -提供第一载体， [0013] -将第二载体固定在第一载体上， [0014] -在将第二载体固定在第一载体上之后，至少部分地将第二载体分隔成至少两个部分，以及 [0015] -将至少两个发光二极管芯片固定在第二载体的、背离第一载体的一侧上。 [0016] 在此该方法特别是可以按顺序地进行，在该顺序中列出各个方法步骤。 [0017] 根据该方法的至少一个实施方式，发光二极管芯片中的至少两个安装在第二载体的不同的部分上。也就是说，第二载体的第一部分例如承载发光装置的第一发光二极管芯片，载体的第二部分承载发光装置的第二发光二极管芯片。此外这两个发光二级管芯片通过第二载体既不机械地也不电地又不导热地相互连接。第二载体的不同部分上的两个发光二极管芯片之间的机械连接就仅仅或主要通过第一载体促成。 [0018] 此外在此描述的方法还以下面的考虑作为依据： [0019] 发光二极管芯片的良好的热连接是有利的，以便导走在发光二极管芯片中由电损耗功率形成的热量。例如发光二极管芯片的亮度是温度的函数。在温度上升时，发光二极管芯片的亮度和效率下降。此外，低的运行温度对发光二极管芯片的使用寿命产生有利的影响，因为大部分老化过程是温度促使的。因此好的热量管理有助于实现高的效率并且能够实现更长的使用寿命。 [0020] 发光二极管芯片的安装面的电接触的可能性是另一个重要方面。发光二极管芯片利用其安装面安装到散热源上。散热源自身又安装在壳体中。发光二极管芯片背侧具有电势，壳体应该无电势。因此发明人看出，电绝缘层在发光二极管芯片的安装面与壳体之间可以是有利的。 [0021] 特别是金属材料用作散热源和壳体材料。其特征在于结合相对低的成本的良好的可加工性、良好的机械特性和良好的导热能力。大部分金属材料的缺点是其相对于常用的半导体材料更高的热膨胀系数，以及与之相关的其电导率。 [0022] 如果以壳体由金属材料制成为出发点，那么必须在导热路径上的某个位置上实现从发光二极管芯片的半导体材料的低的热膨胀系数到金属壳体材料的高的膨胀系数的过渡。材料之间的高导热性连接尤其是可以通过钎焊方法和烧结方法实现。这种连接机械性能上是非常坚硬的。因此，在存在膨胀系数差异时，在接合面上形成力。这些力又可能导致损害或破坏接合面上的接合结构或较弱的接合配合件(Fuegepartnern)。由具有不匹配的膨胀系数的接合配合件构成的连接的耐用性以接合面的大小标定。具有大的机械延展性的接合面比小的接合面更难控制。出于这个原因有利的是，在具有小的结构尺寸的区域中实现从半导体材料(例如：锗5.8ppm/K)的小的膨胀系数到金属材料(例如：铝23ppm/K)的较高的膨胀系数的、在导热路径上的过渡。 [0023] 在平面地安装多个单个芯片时出现另一个问题。如果单个的发光二极管芯片安装到金属载体上，那么所有发光二极管芯片的安装面都处于共同的电势上。这种构造相应于并联电路。只要单个的发光二极管芯片具有U/I特性曲线上的差别，那么这种电路布局导致具有小的正向电压的发光二极管芯片通入过电流。这种发光二极管芯片布置的另一个缺点可以是电流与电压之间的关系。并联电路在正向电压小的情况下具有原则上高的工作电流。这可以导致更高的驱动成本和/或更低的驱动效率。实现并联电路和串联电路的可能性在此是一个优点。 [0024] 因此认识到，一种构造是有利的，在这种构造中发光二极管芯片安装在布线层上，该布线层安装在另一个电绝缘的但是导热的层上。那么电绝缘层可以在半导体材料的低的膨胀系数与散热源和壳体的高的膨胀系数之间进行调节。 [0025] 至此研究出了不同的解决方案： [0026] A)金属芯电路板(MCB)上的发光二极管芯片。这种安装示出一种简单的解决方案。MCB的背面是电绝缘的。MCB大部分基于可以相对容易安装的铝片。布线层可以结构化，以使得可以利用一定的限制产生不同的布线变型。绝缘层有一定的弹性，由此为多种应用充分地平衡半导体与基板的铝材料之间不同的膨胀系数。这种解决方案的弱点是受限的绝缘层的导热能力(厚度为d＝38μm时3W/mK)。 [0027] B)DCB(直接覆铜法)。在DCB过程中，在压力和温度下将薄的铜片与陶瓷板(Al2O3、A1N)接合。由于相对薄的铜和陶瓷层可以通过弹性变形吸收张力。由此可以部分地补偿半导体和壳体之间的膨胀系数差。这种变型的缺点是，布线层的结构化通过结合腐蚀的光学技术(Phototechnik)来实现。由此困难的是，成本低廉地不超出确定的最小尺寸。 [0028] C)陶瓷基底。在这种构造中，陶瓷单侧或双侧金属化。在金属化陶瓷(低膨胀系数)上的发光二极管芯片(低膨胀系数)的构造毫无问题是可能的。困难始于要将陶瓷模块安装在金属壳体中。如果陶瓷模块例如焊接在壳体中，那么就可以实现良好的散热。然而由于焊接连接的高的机械刚性形成可以导致损坏连接或陶瓷基底的力。 [0029] 在发光装置中第二载体在固定在第一载体上之后至少部分地分隔成至少两个部分，该发光装置比当取消这种分隔时在技术上更难制造。然而，不发生分隔的发光装置的主要缺点在于，由于第二载体在横向的方向上热膨胀，该方向平行于第一载体的表面，在该表面上安装第二载体上，并且由于第一载体与第二载体之间的热膨胀系数差异很大，所以在热交变应力下使得发光装置的耐久性低。 [0030] 在此所述的方法中，第二载体此时可以在固定在第一载体上之后分成较小的区段，即第二载体的部分。那么第二载体的部分的间距仅仅通过由分隔产生的材料去除(Matrialabtrag)确定。也就是说，第二载体的部分相互之间具有特别小的间距，通过将第二载体的部分单独安装在第一载体上不能实现如同这样的间距。在这些小的间距的区域内以及基于第二载体的部分的小的横向的膨胀可以由此控制第二载体与第一载体之间的热膨胀系数的差异，即可以通过弹性变形吸收产生的力，而不会超过对损坏来说的材料特定的极限值。作为用于至少部分地分隔第二载体的适当的方法，例如可以使用下面的方法中的一个或者是多个下面的方法的组合：机械地锯开、砂磨切割、激光分隔法、离子蚀刻法、化学分隔法。 [0031] 在第一载体与第二载体之间以及在第二载体的部分与发光二极管芯片之间的连接可以通过烧结法和/或钎焊法来建立。由此实现导热性好并且坚固性高的连接。第二载体特别是可以设计为电绝缘的，以使得其构成无电势的散热源。为此特别适合于如AlN或Al2O3的陶瓷材料。第一载体特别是设计为金属的，并且能以这种方式简单地例如集成到用于发光装置的壳体中。 [0032] 根据该方法的至少一个实施方式，在分隔第二载体之前将第一结构化的金属层安装在第二载体的、背离第一载体的表面上，其中，第一结构化的金属层的区域通过至少一个沟槽彼此分开，沿着该沟槽实现将第二载体分隔成至少两个部分。也就是说，通过在第二载体的、背离第一载体的上侧上的第一结构化的金属层，由第一结构化的金属层的各个区域之间的沟槽预先给定第二载体分隔成部分所依据的形式。此外通过金属层的结构化，当结构化的金属层与发光二级管芯片导电连接时，还可以实现发光装置的发光二极管芯片之间的串联连接和/或并联连接。也就是说，发光二极管芯片可以特别是导电地与第一结构化的金属层连接。在此鉴于其软化温度这样选择第一载体与第二载体以及发光二极管芯片之间的钎焊和/或烧结连接，即分别第一制造的连接具有最高的软化点并且最后制造的连接在工艺环节中具有最低的软化点。以这种方式确保了通过以下连接不可能发生损坏或者甚至解体已经实现的连接。 [0033] 根据该方法的至少一个实施方式，在将第二载体固定在第一载体上之前，在第一载体和第二载体之间布置结构化的连接层，其在制造公差的范围内与第一结构化的金属层至少部分地是对准的。 [0034] 结构化的连接层例如涉及硬焊层。结构化的连接层这样安装，即其在结构化的连接层的区域之间同样具有沟槽，该沟槽与第二载体的相对的上侧上的沟槽、即第一结构化的金属层的沟槽是对准的。以这种方式可能的是，在将第二载体沿着第一结构化的金属层分隔成其部分时不必实现完全分隔连接层。其实是每个在分隔之前已经存在的、连接层的区域在分隔之后唯一地分配给第二载体的一个部分，并且与其机械地固定。也就是说，第二载体的部分的机械分离也在第一载体与第二载体之间的连接层上延伸。 [0035] 可替换地可能的是，第一载体与第二载体之间的连接层全部表面地设计在第二载体的、朝向第一载体的底侧上。在这种情况下，在第二载体分隔成其部分时也同时彻底分隔了连接层。然而在这种情况下如果必要的话需要的是，在分隔第二载体之后改变分隔方法。例如可以需要的是，在分隔第二载体之后通过适用于分隔特别是金属的连接层的锯条替换适用于分隔陶瓷材料的锯条。由此能产生工艺技术上的额外费用。 [0036] 根据该方法的至少一个实施方式，在将第二载体固定在第一载体上之前将第二结构化的金属层安装在第二载体的、朝向第一载体的表面上，其在制造公差的范围内与第一结构化的金属层是对准的。第二结构化的金属层特别是用于促成第二载体和连接层之间的连接。第二结构化的金属层安装在第二载体上，以使得其在第二载体分隔成该第二载体的部分时不会彻底分隔，而是通过第二结构化的金属层的沟槽实现分开，该沟槽与第一结构化的金属层的沟槽是对准的。 [0037] 在此第一和第二结构化的金属层可以构造成相同类型。也就是说，这两个金属层以相同的材料构成，具有相同的层构造，并且以相同的模式(Muster)安装在第二载体的两侧上。例如其通过涂层方法如溅射、汽化渗镀、无电沉积和/或电镀沉积被安装在第二载体的上侧和下侧上。例如这些结构化的金属层以金属如金、铜、镍和/或铬构成。 [0038] 根据该方法的至少一个实施方式，第一结构化的金属层的至少一个沟槽的厚度最大是150μm。那么在第二载体的、由分隔形成的部分之间的间距就由其之间的沟槽的厚度确定，也就是说，该间距最大是150μm。此外特别是部分之间的间距是更小的，因为为了进行分隔优选地选择更薄的区域，在该区域实现材料去除，以便在进行分隔时不损坏结构化的金属层。 [0039] 此外提出一种发光装置。该发光装置特别是可以利用在此描述的方法来制造。也就是说，所有对于方法公开的特征对于发光装置也是公开的并且反之亦然。 [0040] 根据该发光装置的至少一个实施方式，发光装置包括：第一载体和第二载体，该第二载体固定在第一载体上；以及至少两个发光二极管芯片，该二极管芯片固定在第二载体的、背离第一载体的侧上。在此载体以及发光二极管芯片特别是如最前面所提出地来构造。 [0041] 第二载体包括至少两个部分，其通过至少一个分隔区彼此分开，该分隔区部分地或者完全地穿过第二载体延伸。 [0042] 也就是说，第二载体的两个部分例如不是通过第二载体的材料机械地相互连接的，而是例如仅仅通过第一载体建立在第二载体的部分之间的机械连接。 [0043] 此外可能的是，将两个部分通过标准断裂位置相互分开，其如最前面所述。那么在发光装置运行时两个部分可以得到完全分开，由此降低热张力。 [0044] 第二载体的至少两个部分在此相互之间具有最大为125μm的间距。也就是说，载体的两个部分彼此特别接近地布置，其中，部分之间的间距很小，以使得该间距通过将第二载体的部分分开地安装在第一载体上几乎不可能或者仅仅能以高的调整耗费实现。 [0045] 根据该发光装置的至少一个实施方式，这两个部分在朝向彼此的侧面上分别具有分隔过程的痕迹。侧面涉及第二载体的部分的外面的部分，其倾斜于或垂直于横向方向延伸。它们特别是通过上面所述的分隔方法制造，并且具有例如像分隔过程留下的锯齿沟纹这样的残留。分隔过程的痕迹即特别是涉及材料去除的轨迹，而不涉及例如折断边。 [0046] 根据该发光装置的至少一种实施方式，第二载体的每个部分在其背离第一载体的表面上具有一个第一结构化金属层的区域，其中，每个区域唯一地对应于第二载体的一个部分，并且第一结构化的金属层的区域中的至少两个通过连接导线相互导电连接。换句话说，结构化的金属层不在第二载体的部分上面延伸，而是第二载体的每个部分包括一个结构化的金属层的区域，该区域一对一对应于第二载体的每个部分。借助通过像连接导线这样的电连接元件连接结构化的金属层的至少两个区域、即第二载体的不同部分上的区域，可以实现发光装置的发光二极管芯片的特别灵活的电路布置。 [0047] 根据该发光装置的至少一个实施方式，在第一结构化的金属层的区域中的至少一个区域上安装两个发光二极管芯片，其通过第一结构化的金属层的区域相互串联连接。在此，发光二极管芯片中的一个第一发光二极管芯片例如利用其p侧安装在这个区域上，发光二极管芯片中的另一个利用其n侧安装在这个区域上。在这种情况下即第二载体的一个部分承载至少两个发光二极管芯片。 [0048] 根据该发光装置的至少一个实施方式，第二载体布置在第一载体的边缘处和/或拐角处，其中，用于电连接所有布置在第二载体上的发光二极管芯片的电连接件局部地沿着第一载体的表面和并且在第一载体的表面上延伸，第一载体对应于第二载体延伸。 [0049] 在此第二载体的至少一个侧面例如与第一载体的至少一个侧面平齐地闭合。特别是然后第二载体不布置在第一载体的中央区域，而是在其边缘处，以使得第一载体的、朝向第二载体的表面的相对大的部分可以用作用于承载连接元件的机械部件，通过该连接元件电连接发光装置的发光二极管芯片。连接元件涉及例如柔性电路板和/或印刷电路板，其固定在第一载体的所述表面上。 [0050] 进一步提出了一种发光装置的布置。这种发光装置的布置包括至少两个如在此所述的发光装置，其中，第二载体布置在第一载体的边缘处或拐角处。此外发光装置的第二载体彼此邻近地布置，以使得布置在第二载体上的发光二极管芯片构成共同的发光面。此外特别是对于人类观察者几乎不能用肉眼察觉到这些发光二极管芯片对应于不同的第一和第二载体。那么确切地说至少两个发光装置的发光二极管芯片看作例如在行和列上有秩序的布置。 [0051] 特别是当两个不同的发光装置的第二载体彼此具有最大为125μm的间距时，情况就是如此。也就是说，则在边缘的或拐角的区域内发光装置的布置的、两个不同的发光装置的发光二极管芯片之间的间距与在发光装置中的任一个之中的发光二极管芯片之间的间距是差不多或刚好一样大的。特别是由此实现这种准确的调整，即利用发光装置的第一载体来彼此定位相对大的部件，该部件比第二载体的、由分隔产生的各个部分具有明显更大的横向的延伸长度。附图说明 [0052] 下面借助实施例和相应的附图更详细地描述在此所述的方法以及在此所述的发光装置。图1在示意性的透视图中示出了一种在此所述的发光装置。 [0053] 根据图1的示意性的透视图更详细地描述了在此所述的发光装置的一个实施例。 [0054] 根据图2A至2F的示意图更详细地描述了在此所述的方法的一个实施例。 [0055] 根据图3的示意性的透视图更详细地描述了一种在此所述的、发光装置的布置。 [0056] 相同的、同类的或作用相同的元件在附图中以相同的标号标出。附图和在图中所示的元件相互之间的大小比例关系不能认为是按比例的。确切地说是为了可以更好的可示性和/或为了更好的可理解性放大地示出各个部件。 具体实施方式[0057] 图1在示意性的透视图中示出在此所述的发光装置。 [0058] 发光装置包括第一载体1。当前第一载体1可以是金属载体，特别是由铜制成的散热源。金属载体1包括孔11，载体1可以例如通过配合销和螺栓穿过该孔机械地固定在发光装置的确定位置上。 [0059] 在第一载体1的上侧上布置第二载体2，该第二载体分隔成多个部分21至28。 [0060] 在第一载体1与第二载体2之间布置结构化的连接层6，其中，结构化的连接层6的每个区域都唯一地对应于第二载体2的每个部分。 [0061] 当前在第二载体2的、背离第一载体的上侧上，九个发光二极管芯片安装在第二载体2的部分上，并且借助连接导线8相互电连接。 [0062] 每个发光二极管芯片3在其背离第二载体2的上侧上包括一个由转换器12构成的层，其设置用于降频转换(Abwaertskonversion)电磁射线，并且例如用于产生白光。 [0063] 当前第二载体2设计为电绝缘的以及陶瓷的。例如其由A1N或Al2O3构成。 [0064] 第二载体2的部分21至28通过分隔区51相互分开。这些分隔区51没有第二载体2的材料。第二载体2的部分的朝向彼此(图2E也类似)的侧面2a具有用来产生第二载体的部分21至28的分隔过程的痕迹。 [0065] 当前第二载体2这样布置在第一载体1的拐角处，以使得第二载体的、在第二载体的外表面上的两个侧面在制造公差的范围内与在第一载体的外表面上的两个侧面齐平地闭合。 [0066] 电连接件10、当前为印刷电路板沿着第一载体1的上侧延伸，在该电连接件上安装着柔性电路板、例如柔性板(Flexboard)。借助电连接件10使发光装置的所有发光二极管芯片3电连接。 [0067] 在此描述的发光装置具有例如至少30v的正向电压，例如35V。在此描述的发光装置100还具有例如至少0.8A的正向电流，例如1A。光通量可以大于3000lm、特别是大于3200lm，并且光密度可以大于250lm/mm2、例如290lm/mm2。在运行时产生的热量在此可以特别有效地通过分隔开的第二载体与第一载体的组合导出，使热交变应力不会导致发光装置 100的损坏。 [0068] 图2A至2F的示意图示出一种在此描述的用于制造发光装置100的方法的一个实施例的方法步骤。 [0069] 结合图2A更详尽地描述了一种方法步骤，其中，提供第一载体1。在第一载体1的上侧上安装结构化的连接层6。结构化的连接层6在相互分开的区域内结构化，其与第二载体2的、朝向第一载体的下侧上的第二结构化金属层7是对准的(图2B也类似)。通过同类地结构化该结构化的金属层以及结构化的连接层，使得在将第二载体2安装到第一载体1上并且借助结构化的连接层6进行固定时实现第二载体2在第一载体1上的自身调整。 [0070] 第二载体2在其背离第一载体1的上侧上具有第一结构化的金属层4，其部分地与结构化的连接层6和第二结构化的金属层7是对准的。特别是在第一结构化的金属层4的区域之间的沟槽5找到其相应的在结构化的连接层6的区域之间的或者在第二结构化的金属层7的区域之间的沟槽5。 [0071] 也就是说，在全部结构化层内的沟槽5特别是位于第二载体2的部分21至28之间的后来的分隔区51的区域内。 [0072] 在图2C中给出第二载体2的长度1、宽度b的示例值。此外为沟槽5的厚度以及第二载体的相邻部分之间的间距A1给出了示例值。特别是第一结构化的金属层4的相邻区域之间的沟槽5的厚度可以是100μm或更小。那么沿着沟槽5延伸的分隔区51具有厚度A1，该厚度确定了第二载体2的部分21至28之间的后来的间距，并且小于沟槽5的厚度d。 [0073] 在图2D中示出了在将第二载体2分隔成部分21至28之后的构造。也就是说，在第二载体2的部分21至28之间沿着第一结构化的金属层4的区域之间的沟槽5布置分隔区51，该分隔区具有厚度A1。在此第二载体2的分隔可以如上所述地实现。 [0074] 第二载体2的部分21至28在此通过结构化的连接层6、即特别是通过焊接与第一载体1连接。由此得到具有导热阻力特别小的连接。铜的热膨胀系数是AlN的热膨胀系数的三倍以上。这样大的热膨胀系数的差别可以通过将第二载体2分隔成相对小的、相互非常接近地布置的部分2来补偿。 [0075] 在下一个方法步骤中，即图2E，发光二极管芯片3固定在第二载体2的、背离第一载体1的上侧上。在此发光二极管芯片之间的布线可以通过合适的安装和/或借助连接导线8的布线来实现。当前发光二极管芯片3彼此串联连接，其中，部分26，27和28利用其唯一对应的结构化的金属层4的区域部分将每两个发光二极管芯片串联连接，该发光二极管芯片分别以不同的取向固定在第二载体2上。 [0076] 在下一个方法步骤中，见图2F，电连接件10可以与发光二极管芯片3导电连接。这可以例如通过连接导线8实现，该连接导线与电连接件10和第一结构化的金属层4连接。 [0077] 如在图2F中所示，发光二极管芯片3可以包括各一个具有转换器12的层，该层可以在将发光二极管芯片2安装在第二载体2上之前或之后被安装。由此发光二极管芯片2例如适合于产生白光。 [0078] 结合图3根据示意性的透视图更详尽地阐述一种在此描述的发光装置100的布置。这种布置包括四个发光装置100，在该发光装置中第二载体2分别布置在第一载体1的一个拐角处。单个的发光装置相互调整，以使得四个发光装置100的所有发光二极管芯片形成一个共同的发光面9，在该发光面上以行和列地布置发光二极管芯片3。这种调整在此可以借助第一载体1中的孔11实现。 [0079] 除了所示的几何形状，以这种方式例如也可以由发光二极管芯片彼此靠近地排列为长排。在此发光装置100的发光二极管芯片3可以不依赖于另一个发光装置100的发光二极管芯片3地运行。 [0080] 也就是说，在此描述的发光装置也以简单的方式实现发光面9的尺寸调节(Skalierung)。所以例如可以提出一种发光装置100的线性的布置，其由一单行彼此紧密地排列的发光二极管芯片构成。 [0081] 总而言之，一种在此描述的发光装置100以及在此描述的布置100的特征尤其是以下优点中的至少一个： [0082] 1)良好的导热能力。通过在接合面上使用钎焊方法或烧结方法，实现一种特别好的热过渡，通过使用导热能力强的材料实现很好地导走热量。 [0083] 2)无电势的散热源。通过使用陶瓷载体确保了散热源没有电势。 [0084] 3)陶瓷载体的金属化可以结构化地实现。由此可以在构造多芯片模块时实现串联电路、并联电路或矩阵电路(Matrixschaltungen)。 [0085] 4)通过将陶瓷载体分成小的岛部，利用小型结构实现从小的膨胀系数(半导体)到高的膨胀系数(金属)的过渡。由于膨胀系数不匹配造成的力不会超过被处理的材料的临界的负荷阀值。通过在安装在第一载体上以后将第二载体分成小的岛部制造出相对于温度交变应力非常耐用的基片。 [0086] 5)成本。对于在本发明中所述的基片、即提出的由第一和第二载体构成的组合，使用了行业中可以比较低成本地应用的材料和过程。由此在成本比较低的情况下形成耐用的基片材料。 [0087] 本发明不因为根据实施例的说明而局限于此。而是本发明包括每个新的特征以及这些特征的每种组合。 |
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