【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に、ＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition）装置の補修工程に適用して有効な技術に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】ＣＶＤ法による薄膜の製造技術は、成膜する薄膜の膜厚および膜質などの制御性に優れていることから、半導体集積回路装置の歩留り向上を目的として半導体製造プロセスに大きく取り入れられている。 種々のＣＶＤ装置については、たとえば２０００年１１月２
１日、株式会社日刊工業新聞社発行、社団法人日本半導体製造装置協会編集、「半導体製造装置用語辞典 第５
版」、ｐ１９１〜ｐ１９４に記載がある。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明者は、ＣＶＤ法による薄膜の制膜技術について検討している。 その中で、本発明者は、ＣＶＤ装置に含まれる真空ポンプの補修工程において以下のような課題が存在することを見出した。 【０００４】すなわち、ＣＶＤ法は、形成しようとする薄膜材料を構成する元素を含む反応性ガスをＣＶＤ装置における反応室内に供給し、気相または半導体基板の表面における化学反応によって解離もしくは反応させ、所望の薄膜を形成する方法である。 また、上記真空ポンプによって反応室内を低圧状態に保つことから、半導体基板の表面で均一な反応が行われ、ステップカバレージの良い薄膜を形成することができる。 【０００５】ところで、上記真空ポンプは、たとえばケーシング内に設けられたローターの回転により排気を行っている。 上記反応性ガスの化学反応時には、所望の薄膜以外に副生成物も形成され、この副生成物は、そのケーシングおよびローターに付着する。 その副生成物の付着によりローターは回転し難くなり、ローターを回転させるモーターは過負荷状態となる。 その過負荷状態が検出されると、たとえばモーターは自動的に停止する。 この時、ローターが複数段に設けられている場合には、後段になるにしたがって圧縮比が高くなり反応性ガスの反応度が高くなることから、最後段のローターに最も多くの副生成物が付着することになる。 ここで、その副生成物に付着によって、ケーシングとローターとの隙間およびローター間の隙間がなくなってしまった場合には、ローターは回転不可能となる。 このような状況下では、真空ポンプによる排気ができなくなる。 つまり、排気されるべきガスが上記反応室内へ逆流してしまうことから、
前記副生成物が半導体基板にも付着し半導体集積回路装置の歩留りを低下させてしまう課題があった。 【０００６】また、ローターを回転させているモーターの回転速度および回転方向は固定されており、モーターの起動および停止は、スイッチのオン・オフによって行っている。 そのため、上記副生成物の付着によってモーターが自動的に停止した場合には、真空ポンプそのものの交換および動作確認が必要となり、それに要する時間が長くなることから、半導体集積回路装置の製造が長時間停止してしまう課題がある。 さらに、副生成物の付着によってモーターが停止した場合には、ポンプメーカーに真空ポンプを修理してもらう必要が発生し、それに要する費用が発生してしまう課題がある。 【０００７】本発明の目的は、ＣＶＤ装置における真空ポンプが有するローターが、反応副生成物の付着によって回転不能となった場合において、容易に原状回復することのできる技術を提供することにある。 【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。 【００１０】すなわち、本発明は、化学的成膜手段により半導体基板上に薄膜を成膜する工程を含み、前記工程に用いる成膜装置は、前記薄膜の成膜を行う反応室および前記反応室内の圧力を下げるポンプを有し、前記ポンプは、筐体内に設けられた少なくとも１個以上のローターと、前記筐体外に設けられ前記ローターを回転させるモーターと、前記モーターおよび前記ローターを機械的に接続し前記モーターの回転力を前記ローターに伝達する第１ギアおよび第２ギアのうちの少なくとも一方とを含み、前記ポンプの補修時において前記第１ギアは前記ローターの回転方向を逆転し、前記第２ギアはギア比の変更により前記ローターの回転力を変更するものである。 【００１１】また、本発明は、化学的成膜手段により半導体基板上に薄膜を成膜する工程を含み、前記工程に用いる成膜装置は、前記薄膜の成膜を行う反応室および前記反応室内の圧力を下げるポンプを有し、前記ポンプは、筐体内に設けられた少なくとも１個以上のローターと、前記筐体外に設けられ前記ローターを回転させるモーターとを含み、前記筐体の外周部には第２加熱機構または第２冷却機構が設けられているものである。 【００１２】また、本発明は、化学的成膜手段により半導体基板上に薄膜を成膜する工程を含み、前記工程に用いる成膜装置は、前記薄膜の成膜を行う反応室および前記反応室内の圧力を下げるポンプを有し、前記ポンプは、筐体内に設けられた少なくとも１個以上のローターと、前記筐体外に設けられ前記ローターを回転させるモーターとを含み、前記ローターは、内部に第１加熱機構または第１冷却機構を含むものである。 【００１３】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。 なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 【００１４】（実施の形態１）図１は、本実施の形態１
のＣＶＤ装置（成膜装置）の概略を示す説明図である。
図１に示すように、本実施の形態１のＣＶＤ装置は、たとえばプラズマＣＶＤ装置である。 形成しようとする薄膜の材料となる反応性ガスは、配管ＰＩＰを通じて反応室ＲＣ内へ供給される。 反応室ＲＣ内には、上部電極Ｊ
Ｄおよび下部電極ＫＤが設けられ、下部電極ＫＤ上には薄膜が成膜される半導体基板１が配置されている。 真空ポンプＶＰにより反応室ＲＣ内を減圧した状況下において、この上部電極ＪＤおよび下部電極ＫＤに、たとえばそれぞれ高周波電圧を印加することで反応室ＲＣ内の反応性ガスに高電界を印加することにより、反応室ＲＣ内にプラズマを発生することができる。 これによって、反応性ガスをプラズマ放電分解し、所望の薄膜を半導体基板１上に成膜することができる。 【００１５】図２は図１中に示した真空ポンプＶＰの斜視図であり、図３はその真空ポンプＶＰの要部断面図である。 真空ポンプＶＰは、ケーシング（筐体）ＣＡＳ内に設けられたローターの回転により、反応室ＲＣ（図１
参照）と接続された吸気口ＫＹＫＩからケーシングＣＡ
Ｓ内へガスを取り込み、そのガスを排気口ＨＩＫＩから排出することによって反応室ＲＣ内の減圧を行っている。 前記ローターは、ローターＲＴ１、ＲＴ２、ＲＴ３
の３段のローターから形成され、これらローターＲＴ
１、ＲＴ２、ＲＴ３は、吸気口ＫＹＫＩから排気口ＨＩ
ＫＩへ向かって順次配列されている。 また、そのローターは、ケーシングＣＡＳの外部に設けられたモーターＭ
ＯＴの動力によって回転を行う。 【００１６】真空ポンプＶＰの作動中、すなわち上記薄膜の成膜中においては、上記反応性ガスのプラズマ放電分解によって所望の薄膜以外に副生成物も生成される。
たとえば、シラン（ＳｉＨ 4 ）ガスおよび亜酸化窒素（Ｎ 2 Ｏ）の混合ガスを反応性ガスとして用い、酸化シリコン（ＳｉＯ 2 ）膜を成膜しようとする時には、副生成物としてＳｉＯ X Ｎ Y Ｈ Z （Ｘ，Ｙ，Ｚは所定の数）が生成される。 この副生成物は、主に吸気口ＫＹＫＩよりケーシングＣＡＳ内に吸い込まれ、ケーシングＣＡＳの内壁およびローターに付着する。 ケーシングＣＡＳの内壁およびローターへの副生成物の付着量が増加し、ローター間の隙間（約０．５ｍｍ）およびローターとケーシングＣＡＳとの間の隙間がその副生成物によって埋まってしまうと、モーターＭＯＴにかかる負荷が増大し、モーターＭＯＴは過負荷状態となって自動的に停止する。
このようにモーターＭＯＴが停止してしまった場合には、ＣＶＤ装置の稼動を停止してケーシングＣＡＳ内部に付着した副生成物を除去する必要があり、そのために停止してしまったモーターＭＯＴを再び回転させる必要がある。 しかしながら、モーターＭＯＴの回転をそのままローターに伝達し順方向に回転させることは困難となっている。 そこで、本実施の形態１においては、モーターＭＯＴとローターとの間にローターの回転を逆転させるための逆転ギア（第１ギア）ＲＧＥＲ（図２参照）を設ける。 これにより、モーターＭＯＴが停止してしまった場合でも、ローターを逆転させるように逆転ギアＲＧ
ＥＲを切り替えることにより、モーターＭＯＴを再び回転させることが可能となる。 すなわち、モーターＭＯＴ
を再び回転させることにより、ローターを再び回転させ、ケーシングＣＡＳ内部に付着した副生成物を剥がして除去することができる。 その結果、稼動を停止した真空ポンプＶＰの交換および動作確認を省略できるようになるので、半導体集積回路装置の製造を容易に再開できるようになる。 さらに、稼動を停止した真空ポンプＶＰ
の修理にかかる費用を削減することが可能となる。 【００１７】また、本実施の形態１のＣＶＤ装置を一定期間（たとえば１年程度）使用した後に、ＣＶＤ装置の稼動を停止した状態で上記ローターを順方向および逆方向の双方向に回転させることで、ケーシングＣＡＳ内部に付着した副生成物を除去する。 これにより、モーターＭＯＴが過負荷状態となって停止してしまうことを防ぐことができる。 すなわち、真空ポンプＶＰより排気されるべきガスが反応室ＲＣ（図１参照）へ逆流してしまうことを防ぐことができるので、上記副生成物が半導体基板１（図１参照）にも付着し本実施の形態１の半導体集積回路装置の歩留りを低下させてしまうことを防ぐことができる。 【００１８】また、本実施の形態１の真空ポンプＶＰにおいては、ギア比を下げて上記ローターを回転させるための減速ギア（第２ギア）ＬＧＥＲ（図２参照）を、モーターＭＯＴとローターとの間に設けてもよい。 このような減速ギアＬＧＥＲを設けることによってローターの回転トルク（回転力）を上昇することができるので、ケーシングＣＡＳ内に副生成物が付着しモーターＭＯＴが停止してしまった場合でも、ギア比を下げてローターを回転させるように減速ギアＬＧＥＲを操作し、モーターＭＯＴを再び回転させることが可能となる。 これにより、ローターを回転させ、ケーシングＣＡＳ内部に付着した副生成物を剥がして除去することができる。 さらに、減速ギアＬＧＥＲと逆転ギアＲＧＥＲとを併用してもよく、この場合にはケーシングＣＡＳ内に付着した副生成物をさらに効率的に除去することができる。 【００１９】次に、本実施の形態１の半導体集積回路装置の製造工程について図４〜図８を用いて説明する。 【００２０】まず、図１に示すように、比抵抗が１０Ω
ｃｍ程度の単結晶シリコンからなる半導体基板１を８５
０℃程度で熱処理して、その主面に膜厚１０ｎｍ程度の薄い酸化シリコン膜（パッド酸化膜）を形成する。 次いで、この酸化シリコン膜の上に膜厚１２０ｎｍ程度の窒化シリコン膜をＣＶＤ法（化学的成膜手段）で堆積する。 この窒化シリコン膜を堆積する工程においては、図１〜図３を用いて説明した本実施の形態１のＣＶＤ装置を用いることができる。 続いて、フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで素子分離領域の窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを除去する。 酸化シリコン膜は、後の工程で素子分離溝の内部に埋め込まれる酸化シリコン膜をデンシファイ（焼き締め）するときなどに基板に加わるストレスを緩和する目的で形成される。 また、窒化シリコン膜は酸化されにくい性質を持つので、
その下部（活性領域）の基板表面の酸化を防止するマスクとして利用される。 【００２１】続いて、窒化シリコン膜をマスクにしたドライエッチングで素子分離領域の半導体基板１に深さ３
５０ｎｍ程度の素子分離溝２を形成した後、エッチングで素子分離溝２の内壁に生じたダメージ層を除去するために、半導体基板１を１０００℃程度で熱処理して溝の内壁に膜厚１０ｎｍ程度の薄い酸化シリコン膜を形成する。 【００２２】続いて、ＣＶＤ法にて半導体基板１上に酸化シリコン膜３を堆積する。 この酸化シリコン膜３を堆積する工程においては、図１〜図３を用いて説明した本実施の形態１のＣＶＤ装置を用いることができる。 次いで、酸化シリコン膜３の膜質を改善するために、半導体基板１を熱処理して酸化シリコン膜３をデンシファイ（焼き締め）する。 その後、窒化シリコン膜をストッパに用いた化学的機械研磨（Chemical Mechanical Polish
ing；ＣＭＰ）法でその酸化シリコン膜３を研磨して素子分離溝２の内部に残すことにより、表面が平坦化された素子分離領域を形成する。 【００２３】続いて、熱リン酸を用いたウェットエッチングで半導体基板１の活性領域上に残った窒化シリコン膜を除去した後、半導体基板１のｎチャネル型ＭＩＳＦ
ＥＴを形成する領域にＢ（ホウ素）をイオン注入してｐ
型ウエル４を形成する。 次いで、半導体基板１のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴを形成する領域にＰ（リン）をイオン注入してｎ型ウエル５を形成する。 【００２４】次に、図５に示すように、半導体基板１を熱処理することによって、ｐ型ウェル４およびｎ型ウェル５の表面にゲート酸化膜６を形成する。 続いて、半導体基板１上に、たとえばＰをドープした低抵抗の多結晶シリコン膜７、ＷＳｉ x （タングステンシリサイド）膜８および酸化シリコン膜９を順次堆積する。 これら多結晶シリコン膜７、ＷＳｉ x膜８および酸化シリコン膜９
を堆積する工程においては、図１〜図３を用いて説明した本実施の形態１のＣＶＤ装置を用いることができる。 【００２５】次に、図６に示すように、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとしたドライエッチングにより酸化シリコン膜９、ＷＳｉ x膜８、多結晶シリコン膜７
およびゲート酸化膜６をパターニングすることにより、
ＷＳｉ x膜８および多結晶シリコン膜７からなるゲート電極１０を形成する。 続いて、ｐ型ウェル４にＰまたはＡｓ（ヒ素）をイオン注入することよってｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）１１を形成し、ｎ型ウェル５にＢをイオン注入することによってｐ型半導体領域（ソース、ドレイン）１２を形成する。 ここまでの工程によって、ｐ型ウェル４にｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎが形成され、ｎ型ウェル５にｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ
を形成することができる。 次いで、ｎチャネル型ＭＩＳ
ＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐの上部に、たとえば酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜１３を形成する。 この層間絶縁膜１３を形成する工程においては、図１〜図３を用いて説明した本実施の形態１のＣＶ
Ｄ装置を用いることができる。 【００２６】次に、図７に示すように、フォトレジスト膜をマスクにして層間絶縁膜１３をドライエッチングすることにより、ｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）１
１およびｐ型半導体領域（ソース、ドレイン）１２の上部にコンタクトホール１５を形成する。 続いて、コンタクトホール１５内を含む半導体基板１上に、スパッタリング法により、たとえば窒化チタン膜を堆積する。 次いで、ＣＶＤ法により、半導体基板１上にＷ（タングステン）膜を堆積し、コンタクトホール１５をそのＷ膜で埋め込む。 このＷ膜を堆積する工程においては、図１〜図３を用いて説明した本実施の形態１のＣＶＤ装置を用いることができる。 その後、コンタクトホール１５以外の絶縁膜１３上の窒化チタン膜およびＷ膜を、たとえばＣ
ＭＰ法により除去し、プラグ１６を形成する。 【００２７】次に、層間絶縁膜１３の上部にＴｉ（チタン）膜、Ａｌ合金膜および窒化チタン膜を順次堆積する。 続いて、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとしたドライエッチングによりそのＴｉ膜、Ａｌ合金膜および窒化チタン膜をパターニングすることにより、Ｔｉ
膜、Ａｌ合金膜および窒化チタン膜の積層膜からなる配線１８を形成することができる。 【００２８】次に、図８に示すように、たとえばＣＶＤ
法によって半導体基板１上に酸化シリコン膜２０を堆積する。 この酸化シリコン膜２０を堆積する工程においては、図１〜図３を用いて説明した本実施の形態１のＣＶ
Ｄ装置を用いることができる。 続いて、その酸化シリコン膜２０の表面をＣＭＰ法で研磨することによって平坦化する。 【００２９】次に、フォトレジスト膜（図示は省略）をマスクにして酸化シリコン膜２０をドライエッチングすることにより、配線１８の上部にコンタクトホール２１
を形成する。 続いて、コンタクトホール２１の内部を含む酸化シリコン膜２０の上部にＴｉ（チタン）膜、Ａｌ
合金膜および窒化チタン膜を順次堆積する。 次いで、フォトリソグラフィ技術によりパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとしたドライエッチングによりそのＴｉ膜、Ａｌ合金膜および窒化チタン膜をパターニングすることにより、Ｔｉ膜、Ａｌ合金膜および窒化チタン膜の積層膜からなる配線２２を形成し、
本実施の形態１の半導体集積回路装置を製造する。 なお、上記図８に示した工程を繰り返すことによって、さらに多層に配線を形成してもよい。 【００３０】（実施の形態２）図９は、前記実施の形態１において図１中に示した真空ポンプＶＰの他の例を示す斜視図である。 【００３１】図９に示す本実施の形態２の真空ポンプＶ
Ｐは、前記実施の形態１の真空ポンプＶＰに設けられていた逆転ギアＲＧＥＲおよび減速ギアＬＧＥＲの代わりに、ケーシングＣＡＳの外周に冷却機構（第１冷却機構）ＲＫ１を設けるものである。 この冷却機構ＲＫ１
は、たとえばケーシングＣＡＳの外周に配置された配管に冷水を通水させることでケーシングＣＡＳを冷却するものである。 ケーシングＣＡＳを形成する材質とＣＶＤ
法による成膜工程で発生しケーシングＣＡＳ内壁に付着した副生成物とは、熱膨張率に差がある。 そのため、ケーシングＣＡＳ内部への副生成物の付着によってケーシングＣＡＳ内部のローターの回転が停止してしまった場合において、冷却機構ＲＫ１によりケーシングＣＡＳを冷却し、その際のケーシングＣＡＳと副生成物との間の熱膨張率の差を利用してケーシングＣＡＳの内壁に付着した副生成物を剥がすことができる。 これにより、ケーシングＣＡＳ内部のローターは再び回転できるようになるので、モーターＭＯＴを再び回転させることにより、
ローターを再び回転させ、ケーシングＣＡＳ内部に付着した副生成物を剥がして除去することが可能となる。 【００３２】上記冷却機構ＲＫ１の代わりに加熱機構（第１加熱機構）ＮＫ１を設け、加熱によって生じるケーシングＣＡＳと副生成物との間の熱膨張率の差を利用する手段を用いてもよい。 この場合、上記冷却機構ＲＫ
１と同様にケーシングＣＡＳの外周に配管を配置し、この配管に温水を通水することで加熱機構ＮＫ１とすることができる。 また、配管の代わりに電源供給によって稼動するヒーターをケーシングＣＡＳの外周に配置し、ケーシングＣＡＳを加熱することで加熱手段ＮＫ１としてもよい。 電源供給によって稼動するヒーターを用いる場合には、本実施の形態２のＣＶＤ装置の稼動が停止している時のみヒーターに電源供給するものとする。 【００３３】上記のような本実施の形態２の真空ポンプＶＰによっても、前記実施の形態１の真空ポンプＶＰと同様の効果を得ることができる。 【００３４】（実施の形態３）図１０は、前記実施の形態１において図１中に示した真空ポンプＶＰの他の例を示す斜視図である。 【００３５】図１０に示す本実施の形態２の真空ポンプＶＰは、前記実施の形態１の真空ポンプＶＰに設けられていた逆転ギアＲＧＥＲおよび減速ギアＬＧＥＲの代わりに、ローターの内部に加熱機構（第２加熱機構）ＮＫ
２を設けるものである。 この加熱機構ＮＫ２は、たとえば、ローターＲＴ１、ＲＴ２、ＲＴ３から形成されたローターの内部に電源供給によって稼動するヒーターを配置し、ローターを加熱するものである。 このようなヒーターを用いる場合には、本実施の形態３のＣＶＤ装置の稼動が停止している時のみヒーターに電源供給するものとする。 この加熱により、ローターとＣＶＤ法による成膜工程で発生してローターに付着した副生成物とを膨張させる。 この時、ローターおよび副生成物の膨張率の差を利用してローターに付着した副生成物を剥がすことができる。 これにより、ケーシングＣＡＳ内部のローターは再び回転できるようになるので、モーターＭＯＴを再び回転させることにより、ローターを再び回転させ、ケーシングＣＡＳ内部に付着した副生成物を剥がして除去することが可能となる。 また、本実施の形態３では、ローターの内部に電源供給によって稼動するヒーターを配置することで加熱機構ＮＫ２を形成する場合について例示したが、ローターの内部を中空状態とし、この中空部分に温水を通水することで加熱機構ＮＫ２を形成してもよい。 【００３６】また、上記加熱機構ＮＫ２の代わりに冷却機構（第２冷却機構）ＲＫ２を設け、冷却によって生じるローターと副生成物との間の熱膨張率の差を利用する手段を用いてもよい。 この場合、たとえばローターの内部を中空状態とし、この中空部分に冷水を通水することで冷却機構ＲＫ２を形成することができる。 【００３７】上記のような本実施の形態３の真空ポンプＶＰによっても、前記実施の形態１の真空ポンプＶＰと同様の効果を得ることができる。 【００３８】（実施の形態４）図１１は、前記実施の形態１〜実施の形態３において示した真空ポンプＶＰ（図１、図２、図９および図１０参照）の応用例である。 【００３９】図１１に示す本実施の形態４の真空ポンプＶＰは、前記実施の形態２の真空ポンプＶＰ（図９参照）に設けられていた冷却機構ＲＫ１と、前記実施の形態３の真空ポンプＶＰに設けられていた加熱機構ＮＫ２
とが設けられたものである。 冷却機構ＲＫ１によってケーシングＣＡＳを縮めると共に、加熱機構ＮＫ２によってローターを膨張させることにより、前記実施の形態２
および前記実施の形態３の場合よりローターおよびケーシングＣＡＳの内壁に付着した副生成物を剥がしやすくすることができる。 この状況下でモーターＭＯＴを再び回転させてローターを回転させることによって、前記実施の形態２および前記実施の形態３の場合よりも効率的にケーシングＣＡＳの内部に付着した副生成物を除去することが可能となる。 【００４０】また、前記実施の形態１の真空ポンプに設けられていた逆転ギアＲＧＥＲ（図２参照）または低速ギアＬＧＥＲ（図２参照）の一方もしくは両方を上記の本実施の形態３の真空ポンプＶＰに設けてもよい。 逆転ギアＲＧＥＲを設けた場合には、冷却機構ＲＫ１および加熱機構ＮＫ２の使用によってローターとケーシングＣ
ＡＳとの間の隙間が減少していることから、ローターの逆回転による副生成物の除去効率をさらに向上することができる。 これにより、本実施の形態３の真空ポンプＶ
Ｐにおいては、さらに効率的にケーシングＣＡＳの内部に付着した副生成物を除去することが可能となる。 【００４１】以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。 【００４２】たとえば、前記実施の形態においては、真空ポンプが有するローターは３段である場合について示したが、３段以上または３段以下の段数であってもよい。 【００４３】また、たとえば前記実施の形態においては、本発明をプラズマＣＶＤ装置における真空ポンプに対して適用した場合について示したが、プラズマＣＶＤ
装置以外の減圧ＣＶＤ装置などが有する真空ポンプに対して適用してもよい。 【００４４】 【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。 （１）ＣＶＤ装置（成膜装置）が有する真空ポンプにおいて、モーターとローターとの間にローターの回転を逆転させるための逆転ギア（第１ギア）およびギア比を下げてローターを回転させるための減速ギア（第２ギア）
のうちの少なくとも一方を設けるので、成膜工程において真空ポンプのケーシング（筐体）内へ副生成物が付着することによってローター（モーター）が停止してしまった際に再びローター（モーター）を回転させることが可能となる。 その結果、ケーシング内部に付着した副生成物をローターの回転によって剥がして除去することができる。 （２）ＣＶＤ装置（成膜装置）が有する真空ポンプにおいて、ケーシング（筐体）の外周に冷却機構（第１冷却機構）もしくは加熱機構（第１加熱機構）を設けるので、成膜工程において真空ポンプのケーシング内へ副生成物が付着することによってローター（モーター）が停止してしまった際に、ケーシングの熱膨張率と前記副生成物の熱膨張率との差を利用してケーシングの内壁に付着した副生成物を剥がすことが可能となる。 その結果、
ローターを再び回転させて、ケーシング内部に付着した副生成物を剥がして除去することができる。 （３）ＣＶＤ装置（成膜装置）が有する真空ポンプにおいて、ローターの内部に加熱機構（第２加熱機構）もしくは冷却機構（第２冷却機構）を設けるので、成膜工程において真空ポンプのケーシング（筐体）内へ副生成物が付着することによってローター（モーター）が停止してしまった際に、ローターの熱膨張率と前記副生成物の熱膨張率との差を利用してローターに付着した副生成物を剥がすことが可能となる。 その結果、ローターを再び回転させて、ケーシング内部に付着した副生成物を剥がして除去することができる。 （４）ＣＶＤ装置（成膜装置）が有する真空ポンプにおいて、ケーシング（筐体）内部に付着した副生成物をローターの回転によって剥がして除去することができるので、稼動を停止した真空ポンプの交換および動作確認の省略が可能となる。 その結果、半導体集積回路装置の製造を容易に再開できる。 【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の一実施の形態である半導体製造装置の概略を示す説明図である。 【図２】本発明の一実施の形態である半導体製造装置が有する真空ポンプの斜視図である。 【図３】図２に示した真空ポンプの要部断面図である。 【図４】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法を説明する要部断面図である。 【図５】図４に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。 【図６】図５に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。 【図７】図６に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。 【図８】図７に続く半導体集積回路装置の製造工程中の要部断面図である。 【図９】本発明の他の実施の形態である半導体製造装置が有する真空ポンプの斜視図である。 【図１０】本発明の他の実施の形態である半導体製造装置が有する真空ポンプの斜視図である。 【図１１】本発明の他の実施の形態である半導体製造装置が有する真空ポンプの斜視図である。 【符号の説明】 １ 半導体基板２ 素子分離溝３ 酸化シリコン膜４ ｐ型ウェル５ ｎ型ウェル６ ゲート酸化膜７ 多結晶シリコン膜８ ＷＳｉ x膜９ 酸化シリコン膜１０ ゲート電極１１ ｎ型半導体領域（ソース、ドレイン） １２ ｐ型半導体領域（ソース、ドレイン） １３ 層間絶縁膜１５ コンタクトホール１６ プラグ１８ 配線２０ 酸化シリコン膜２１ コンタクトホール２２ 配線ＣＡＳ ケーシング（筐体） ＨＩＫＩ 排気口ＪＤ 上部電極ＫＤ 下部電極ＫＹＫＩ 吸気口ＬＧＥＲ 減速ギア（第２ギア） ＭＯＴ モーターＮＫ１ 加熱機構（第１加熱機構） ＮＫ２ 加熱機構（第２加熱機構） ＰＩＰ 配管Ｑｎ ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ Ｑｐ ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ ＲＣ 反応室ＲＧＥＲ 逆転ギア（第１ギア） ＲＫ１ 冷却機構（第１冷却機構） ＲＫ２ 冷却機構（第２冷却機構） ＲＴ１〜ＲＴ３ ローターＶＰ 真空ポンプ ───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3H029 AA06 AB06 BB34 BB44 4K030 CA04 CA12 EA11 JA09 KA22 KA26 LA15 4M104 BB01 DD44 5F033 JJ19 JJ33 KK01 PP06 PP15 QQ09 QQ11 QQ37 QQ48 5F045 AA04 AA06 BB08 BB10 EG04 |
