1.制备包括在钛基材上的多个二氧化钛纳米管的二氧化钛纳米管膜的方法，所述方法包括：
在阳极氧化条件下于所述钛基材的第一侧面上生长所述多个二氧化钛纳米管，以使每一纳米管的第一末端闭合并与所述钛基材连接，并且每一纳米管的第二末端是开放的；以及
在足以打开第一组所述二氧化钛纳米管的所述第一末端的条件下于与所述第一侧面相对的侧面上蚀刻所述钛基材，由此制备所述二氧化钛纳米管膜。
2.如权利要求1所述的方法，其中第二组所述二氧化钛纳米管的所述第一末端保持闭合。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述生长步骤包括：
使所述钛基材的第一侧面与包含卤离子、水和水混溶性溶剂的阳极氧化溶液接触。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述阳极氧化溶液包含氟化铵。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述水混溶性溶剂选自乙醇、乙二醇、1,2-丙二醇和
1,3-丙二醇。
6.如权利要求3所述的方法，其中所述阳极氧化溶剂包含量为0.01wt％至5wt％的氟化铵。
7.如权利要求3所述的方法，其中所述阳极氧化溶剂包含量为0.1wt％至50wt％的水。
8.如权利要求3所述的方法，其中所述阳极氧化溶剂包含量为50wt％至99wt％的水混溶性溶剂。
9.如权利要求3所述的方法，其中所述阳极氧化溶剂包含：
量为0.1wt％至1wt％的氟化铵；
量为1wt％至5wt％的水；以及
量为95wt％至99wt％的所述水混溶性溶剂。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括退火在所述钛基材上的所述多个二氧化钛纳米管。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述退火步骤包括：
在200℃至1000℃的温度下加热在所述钛基材上的所述多个二氧化钛纳米管。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述加热的温度为450℃。
13.如权利要求1所述的方法，其中使用深反应离子蚀刻来进行所述蚀刻。
14.二氧化钛纳米管膜，其是通过权利要求1所述的方法制备的。
15.二氧化钛纳米管膜，其包括在钛基材上的多个二氧化钛纳米管，其中每一纳米管具有第一末端和第二末端，以使第一组所述二氧化钛纳米管的所述第一末端和所述第二末端均为开放的。
16.如权利要求15所述的二氧化钛纳米管膜，其中所述二氧化钛纳米管膜还包括第二组所述二氧化钛纳米管，其中仅所述第一末端是开放的。
17.如权利要求15所述的二氧化钛纳米管膜，其中所述二氧化钛纳米管膜是通过权利要求1所述的方法制备的。
18.装置，其包括：
适于植入的胶囊；
由所述胶囊封装的储库，其中所述储库适于包含治疗剂；以及
在钛基材上的二氧化钛纳米管膜，其中所述钛基材与所述胶囊连接，以使所述钛基材与所述储库接触，其中所述二氧化钛纳米管膜包括与所述储库流体接触的多个二氧化钛纳米管，其中所述二氧化钛纳米管膜是通过权利要求1-13中任一项所述的方法制备的或者其中所述二氧化钛纳米管膜为权利要求14-17中任一项所述的二氧化钛纳米管膜，以使所述多个二氧化钛纳米管为所述治疗剂从所述储库离开的唯一扩散路径。
19.如权利要求18所述的装置，其中所述胶囊包含钛。
20.如权利要求18所述的装置，其中所述二氧化钛纳米管的内直径为10nm至1000nm。
21.如权利要求18所述的装置，其中所述二氧化钛纳米管的长度为1μm至100μm。
22.如权利要求18所述的装置，其中所述二氧化钛纳米管的纵横比为10至10,000。
23.如权利要求18所述的装置，其中所述治疗剂选自β-葡糖脑苷脂酶、干扰素α、干扰素β、agasidaseα、agasidaseβ、艾塞那肽、纽托品/索玛多托品、因子VIII、磺达肝素、aldesleukinand、利培酮、forigerimod、NP融合蛋白、IL-12、黑素细胞刺激激素和巴匹珠单抗。
24.如权利要求18所述的装置，其中所述治疗剂是干扰素α。
25.如权利要求18所述的装置，其中所述治疗剂从所述储库离开并经过所述二氧化钛纳米管膜的释放为零级释放速率。
26.如权利要求18所述的装置，其中所述二氧化钛纳米管膜是通过权利要求1所述的方法制备的。