1.热稳定陶瓷体，其包括发射层，其中所述发射层包括由通式(A1-x-zGdxDz)3B5O12表示的化合物，其中：
D为第一掺杂剂，所述第一掺杂剂为Ce；
A为Y或Lu；
B选自Al、Ga和In；
x为0.20至0.80；
z为0.001至0.10；以及
所述第一掺杂剂具有沿着所述发射层的厚度的第一掺杂剂浓度梯度。
2.如权利要求1所述的陶瓷体，其中A为Y。
3.如权利要求1所述的陶瓷体，其中B为Al。
4.如权利要求1所述的陶瓷体，其中所述陶瓷体表现出至少8W/mK的热导率。
5.如权利要求1所述的陶瓷体，其中所述第一掺杂剂浓度梯度包括最大第一掺杂剂浓度，其位于或接近沿着所述发射层的厚度的中心。
6.如权利要求1所述的陶瓷体，其中所述第一掺杂剂浓度梯度包括最大第一掺杂剂浓度，其位于或接近沿着所述发射层的厚度的表面。
7.如权利要求1所述的陶瓷体，其中所述发射层包括沿着所述发射层的厚度的Gd浓度梯度。
8.如权利要求7所述的陶瓷体，其中所述第一掺杂剂浓度梯度相对于所述Gd浓度梯度为更宽泛的。
9.如权利要求7所述的陶瓷体，其中所述Gd浓度梯度包括最大Gd浓度，其位于或接近沿着所述发射层的厚度的最大第一掺杂剂浓度。
10.形成热稳定陶瓷体的方法，其包括烧结组件，其中所述组件包括厚度为10μm至400μm的共掺杂层，其中所述共掺杂层包括：
钇铝石榴石(YAG)、YAG前体或其组合；
第一掺杂剂，其为Ce；
相对于YAG的量、YAG前体的当量或其组合，20at％至80at％的Gd；以及
布置在所述掺杂层的一侧上的第一层，其中所述第一层的厚度为40μm至800μm以及所述第一层包括YAG、YAG前体或其组合并基本不含所述第一掺杂剂。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述共掺杂层布置在所述第一层与第二层之间，所述第二层包括YAG、YAG前体或其组合，其中所述第二层基本不含所述第一掺杂剂，以及其中所述第一层和所述第二层的厚度各自独立地为40μm至400μm。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述第二层还包括Gd。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述第二层包括20at％至80at％的Gd。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述共掺杂层包括20at％至80at％的Gd。
15.如权利要求10所述的方法，其中所述共掺杂层包括0.1at％至10at％的第一掺杂剂。
16.如权利要求10所述的方法，其中烧结所述组件包括在1000℃至1900℃的温度下加热所述组件至少2小时。
17.如权利要求10所述的方法，其中所述共掺杂层中至少30％的所述第一掺杂剂在所述制程中扩散出所述共掺杂层。
18.陶瓷体，其是由权利要求10-17中任一权利要求所述的方法制造的。
19.发光设备，其包括：
光源，其配置成发射蓝色辐射；以及
权利要求1-9和18中任一权利要求所述的陶瓷体，其中所述陶瓷体被配置为接收至少一部分的所述蓝色辐射。