一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法 |
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| 申请号 | CN201410043788.4 | 申请日 | 2014-01-29 | 公开(公告)号 | CN103980648B | 公开(公告)日 | 2016-08-17 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司; 陶氏环球技术有限公司; | 发明人 | P·特雷福纳斯; P·赫斯塔德; 顾歆宇; E·沃格尔; V·靳兹伯格; 张诗玮; D·默里; | ||||
| 摘要 | 本 发明 涉及一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法，提供了一种共聚物组合物，该共聚物组合物包括具有聚（苯乙烯）嵌段和聚（ 丙烯酸 甲 硅 烷基酯）嵌段的嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物的数均分子量MN是1?1000千克/摩尔；以及，其中所述嵌段共聚物的多分散性PD是1?2。还提供了用所述共聚物组合物处理的基材。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种共聚物组合物，其包括： |
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| 说明书全文 | 一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法技术领域背景技术[0002] 已知由首尾相连的两种或更多种不同的均聚物组成的一些嵌段共聚物能自组装（self-assemble）成典型尺寸为10纳米至50纳米的周期性微结构域(micro domain)。由于采用光刻技术以纳米尺度尺寸(尤其是小于45纳米)图案化的费用高、难度大，使用这种微结构域在表面形成图案的可能性正越来越受到关注。 [0003] 但是，控制基材上嵌段共聚物微结构域的横向设置一直是个挑战。过去采用光刻形成的预定形貌的基材和/或对基材化学图案化来解决该问题。过去的研究证明，可引导薄层形式的自组装嵌段共聚物微结构域来遵循(follow)基材的化学图案化，产生与化学预定图案接近的周期性结构。其它研究证明通过控制形貌预定图案底部和侧壁上嵌段共聚物的表面润湿性，可引导所述薄层来遵循所述形貌预定图案。所述薄层形成与基材预设定图案相比尺寸更小的线条/间距图案，将形貌预定图案细分为更高频率的线条图案，即，具有较小间距的线条图案。对于形貌导向预定图案和/或化学导向预定图案而言，嵌段共聚物图案化的限制在于该嵌段共聚物倾向于在该预定图案表面的所有地方形成图案。 [0004] 目前，缩小指定基材上各种特征(例如，场效应晶体管中的栅)尺寸的能力受到用来对光刻胶进行曝光的光波长(即193纳米)的限制。这些限制对制造临界尺寸(CD)小于50纳米的特征产生巨大的挑战。使用常规嵌段共聚物时，在自组装过程中，难以实现取向控制和长程有序。此外，这种嵌段共聚物通常不能为后续加工步骤提供足够的耐刻蚀性。 [0005] 竹中（Takenaka）等研究了将二嵌段共聚物用于导向自组装（参见《聚合物科学：B部分，聚合物物理，（JOURNAL OF POLYMER SCIENCE:PART B,Polymer Physics）》2010年第48卷、第2297-2301页的《通过嵌段共聚物导向自组装来形成半间距小于10纳米的长程条纹图案（Formation of long-range stripe patterns with sub-10-nm half-pitch from directed self-assembly of blockCopolymer）》）。具体来说，竹中（Takenaka）等证明了使用聚（苯乙烯）-嵌段-聚（二甲基硅氧烷）二嵌段共聚物来导向自组装成小于10纳米的半间距，该二嵌段共聚物的分子量是15.8千克/摩尔；多分散性指数是1.03；以及，聚（苯乙烯）体积分数是0.74聚（苯乙烯）；其中，该二嵌段共聚物膜在170℃下真空退火24小时。 发明内容[0007] 本发明提供一种共聚物组合物，其包括：具有聚（苯乙烯）嵌段和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段的嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物的数均分子量MN是1-1000千克/摩尔，以及其中所述嵌段共聚物的多分散性PD是1-2。 [0008] 本发明提供一种方法，其包括：提供基材；提供本发明的共聚物组合物；将所述共聚物组合物膜应用到所述基材上；任选的，烘烤该膜；退火该膜，得到聚（苯乙烯）结构域和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域的图案；处理该退火的膜，以从该退火的膜中去除聚（苯乙烯）结构域，并将该退火的膜中的聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx。 具体实施方式[0009] 当应用到基材的表面时，在给定加工温度下，与使用常规的含硅聚合物如PS-嵌段-PDMS相比，本发明的共聚物组合物具有改善的退火能力，可获得更低缺陷的结构。此外，当加工该沉积的共聚物组合物以去除有机组分时，在本发明的共聚物组合物的聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域结合的无机部分可转化成耐蚀刻的物质（如掩模）。本发明的共聚物组合物使得能在导向自组装应用中使用热加工，这具有重要意义，所述导向自组装可用于形成周期性纳米结构，如在含硅基材上形成的线/间距图案。 [0010] 本文和所附权利要求所使用的术语“PS-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物”是聚（苯乙烯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）的缩写；其中所述聚（苯乙烯）嵌段包括来自苯乙烯单体、氘代苯乙烯单体、苯乙烯嵌段改性单体和氘代苯乙烯嵌段改性单体中至少一种的残基；以及其中所述聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段包括来自丙烯酸甲硅烷基酯单体、氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体、丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体中至少一种的残基。 [0011] 本文及所附权利要求中使用的术语“氘代苯乙烯”是其中至少一个氢被氘取代的苯乙烯分子。 [0012] 本文及所附权利要求中使用的术语“氘代苯乙烯嵌段改性单体”是其中至少一个氢被氘取代的苯乙烯嵌段改性单体。 [0013] 本文及所附权利要求中使用的术语“氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体”是其中至少一个氢被氘取代的丙烯酸甲硅烷基酯单体。 [0014] 本文及所附权利要求中使用的术语“氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体”是其中至少一个氢被氘取代的丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体。 [0015] 本文及所附权利要求中使用的术语“甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯”和“TMSMMA”指具有下述分子结构的单体： [0016] [0017] 对于本发明的嵌段共聚物而言，本文及所附权利要求中使用的术语“MN-BCP”是根据本文实施例所用方法确定的嵌段共聚物的数均分子量。 [0018] 对于本发明的嵌段共聚物而言，本文及所附权利要求中使用的术语“MW-BCP”是根据本文实施例所用方法确定的嵌段共聚物的重均分子量。” [0019] 对于本发明的嵌段共聚物而言，本文及所附权利要求中使用的术语“PDBCP”是根据以下方程式确定的嵌段共聚物的多分散性： [0020] PDBCP=(Mw-BCP)/(MN-BCP)。 [0021] 对于本发明的嵌段共聚物而言，本文及所附权利要求中使用的术语“WfPS”是嵌段共聚物中聚(苯乙烯)嵌段的重量百分数。 [0022] 对于本发明的嵌段共聚物而言，本文及所附权利要求中使用的术语“WfPSiAcr”是嵌段共聚物中聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段的重量百分数。 [0023] 嵌段共聚物是由两种或更多种不同单体合成的聚合物，具有两种或更多种化学上不同但又彼此共价结合的聚合链段。二嵌段共聚物是衍生自两种不同单体(例如A和B)的一类特定嵌段共聚物，且其结构包括共价的结合到B残基的聚合嵌段的A残基的聚合嵌段(例如，AAAAA-BBBBB)。 [0024] 用于本发明的共聚物组合物的嵌段共聚物包括具有至少2种不同嵌段的嵌段共聚物，其中，嵌段之一是聚（苯乙烯）嵌段，嵌段之一是聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段。任选的，用于本发明的共聚物组合物的嵌段共聚物包括一种或多种其它嵌段（如三嵌段共聚物）。 [0025] 优选地，用于本发明的共聚物组合物的嵌段共聚物是包含聚（苯乙烯）结构域和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域(domain)的PS-嵌段-PSiAcr二嵌段共聚物；其中，在本文实施例所述条件下沉积在基材上时，所述嵌段共聚物的膜间距L0是10-100纳米（优选14-60纳米；最优选20-40纳米)。 [0026] 优选地，用于本发明的共聚物组合物的嵌段共聚物是包含聚（苯乙烯）结构域和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域的PS-嵌段-PSiAcr二嵌段共聚物；其中，所述嵌段共聚物的数均分子量MN-BCP是1-1000千克/摩尔(优选10-500千克/摩尔；更优选15-300千克/摩尔；还更优选15-100千克/摩尔；最优选20-60千克/摩尔)；以及，其中所述嵌段共聚物的多分散性FBCP是1-3(优选1-2；最优选1-1.2)。 [0027] 优选的，用于本发明的共聚物组合物的嵌段共聚物是包含聚（苯乙烯）结构域和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域的PS-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物，其中通过选择和控制膜沉积条件，沉积的共聚物组合物中的圆柱状聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域会自组装以进行取向，从而使该结构域的对称轴与基材表面平行、与基材表面垂直、或与基材表面平行和垂直相组合，所述膜沉积条件包括例如：(a)基材的表面能(即，用插入材料预处理基材表面)，(b)沉积的共聚物组合物的膜厚度，(c)沉积的共聚物组合物的烘烤曲线(即，烘烤温度和烘烤时间)以及(d)沉积的共聚物组合物的退火曲线(即，退火温度和退火时间)。 [0028] 优选的，用于本发明的共聚物组合物的嵌段共聚物是包含聚（苯乙烯）结构域和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域的PS-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物，其中通过选择和控制膜沉积条件，沉积的共聚物组合物中的层状结构域会自组装以进行取向，从而使该结构域的对称轴与基材表面平行、与基材表面垂直、或与基材表面平行和垂直相组合，所述膜沉积条件包括例如：(a)基材的表面能(即，用插入材料预处理基材表面)，(b)沉积的共聚物组合物的膜厚度，(c)沉积的共聚物组合物的烘烤曲线(即，烘烤温度和烘烤时间)以及(d)沉积的共聚物组合物的退火曲线(即，退火温度和退火时间)。 [0029] 优选的，用于本发明的共聚物组合物的嵌段共聚物是包含聚（苯乙烯）结构域和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域的PS-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物，其中通过选择和控制膜沉积条件，沉积的共聚物组合物中的圆柱状聚（苯乙烯）结构域会自组装以进行取向，从而使该结构域的对称轴与基材表面平行、与基材表面垂直、或与基材表面平行和垂直相组合，所述膜沉积条件包括例如：(a)基材的表面能(即，用插入材料预处理基材表面)，(b)沉积的共聚物组合物的膜厚度，(c)沉积的共聚物组合物的烘烤曲线(即，烘烤温度和烘烤时间)以及(d)沉积的共聚物组合物的退火曲线(即，退火温度和退火时间)。 [0030] 优选地，所述聚(苯乙烯)-嵌段-聚(丙烯酸甲硅烷基酯)嵌段共聚物具有聚(苯乙烯)嵌段，其中所述聚(苯乙烯)嵌段包括来自苯乙烯、氘代苯乙烯、苯乙烯嵌段改性单体和氘代苯乙烯嵌段改性单体中至少一种的残基。更优选地，所述聚(苯乙烯)嵌段总共包括0-100重量%(优选0-15重量%；更优选0.001-15重量%)的苯乙烯嵌段改性单体衍生单元和氘代苯乙烯嵌段改性单体衍生单元。最优选地，所述聚(苯乙烯)嵌段包括＞75重量%(更优选＞ 90重量%；最优选＞95重量%)的苯乙烯单体衍生单元。 [0031] 优选地，所述苯乙烯嵌段改性单体选自下组：羟基苯乙烯(例如，4-羟基苯乙烯；3-羟基苯乙烯；2-羟基苯乙烯；2-甲基-4-羟基苯乙烯；2-叔丁基-4-羟基苯乙烯；3-甲基-4-羟基苯乙烯；2-氟-4-羟基苯乙烯；2-氯-4-羟基苯乙烯；3,4-二羟基苯乙烯；3,5-二羟基苯乙烯；3,4,5-三羟基苯乙烯；3,5-二甲基-4-羟基苯乙烯；3,5-叔丁基-4-羟基苯乙烯)；甲硅烷氧基苯乙烯(例如，4-三甲基甲硅烷氧基苯乙烯；和3,5-二甲基-4-三甲基甲硅烷氧基苯乙烯)；和4-乙酰氧基苯乙烯(例如，3,5-二甲基-4-乙酰氧基苯乙烯；3,5-二溴-4-乙酰氧基苯乙烯；3,5-二氯-4-乙酰氧基苯乙烯)；和它们的组合。更优选地，所述苯乙烯嵌段改性单体选自下组：4-羟基苯乙烯；3-羟基苯乙烯；2-羟基苯乙烯、2-甲基-4-羟基苯乙烯、2-叔丁基-4-羟基苯乙烯、3-甲基-4-羟基苯乙烯、2-氟-4-羟基苯乙烯、2-氯-4-羟基苯乙烯、3,4-二羟基苯乙烯、3,5-二羟基苯乙烯、3,4,5-三羟基苯乙烯、3,5-二甲基-4-羟基苯乙烯、3,5-叔丁基-4-羟基苯乙烯和它们的组合。最优选地，所述苯乙烯嵌段改性单体选自下组：4-羟基苯乙烯；3-羟基苯乙烯；2-羟基苯乙烯和它们的组合。 [0032] 优选地，所述氘代苯乙烯嵌段改性单体选自下组：氘代羟基苯乙烯(例如，氘代4-羟基苯乙烯；氘代3-羟基苯乙烯；氘代2-羟基苯乙烯；氘代2-甲基-4-羟基苯乙烯；氘代2-叔丁基-4-羟基苯乙烯；氘代3-甲基-4-羟基苯乙烯；氘代2-氟-4-羟基苯乙烯；氘代2-氯-4-羟基苯乙烯；氘代3,4-二羟基苯乙烯；氘代3,5-二羟基苯乙烯；氘代3,4,5-三羟基苯乙烯；氘代3,5-二甲基-4-羟基苯乙烯；氘代3,5-叔丁基-4-羟基苯乙烯)；氘代甲硅烷氧基苯乙烯(例如，氘代4-三甲基甲硅烷氧基苯乙烯；和氘代3,5-二甲基-4-三甲基甲硅烷氧基苯乙烯)；和氘代4-乙酰氧基苯乙烯(例如，氘代3,5-二甲基-4-乙酰氧基苯乙烯；氘代3,5-二溴-4-乙酰氧基苯乙烯；氘代3,5-二氯-4-乙酰氧基苯乙烯)；和它们的组合。更优选地，所述氘代苯乙烯嵌段改性单体选自下组：氘代4-羟基苯乙烯；氘代3-羟基苯乙烯；氘代2-羟基苯乙烯、氘代2-甲基-4-羟基苯乙烯、氘代2-叔丁基-4-羟基苯乙烯、氘代3-甲基-4-羟基苯乙烯、氘代2-氟-4-羟基苯乙烯、氘代2-氯-4-羟基苯乙烯、氘代3,4-二羟基苯乙烯、氘代3,5-二羟基苯乙烯、氘代3,4,5-三羟基苯乙烯、氘代3,5-二甲基-4-羟基苯乙烯、氘代3,5-叔丁基-4-羟基苯乙烯和它们的组合。最优选地，所述氘代苯乙烯嵌段改性单体选自下组：氘代4-羟基苯乙烯；氘代3-羟基苯乙烯；氘代2-羟基苯乙烯和它们的组合。 [0033] 优选的，该聚（苯乙烯）-嵌段-聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物包括聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段；其中该聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段包括来自丙烯酸甲硅烷基酯单体、氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体、丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体和氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体中至少一种的残基；以及其中该聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段包括＞75重量%(更优选,＞90重量%；最优选,＞95重量%)的丙烯酸甲硅烷基酯单体衍生单元。 [0034] 优选的，该丙烯酸甲硅烷基酯单体具有下述结构式 [0035] (R1(R2)(R3)Si)rR4xOOCC(R5)=CR62 [0036] 其中，R1、R2和R3各自独立的选自下组：C1-18烷基,卤化C1-18烷基,甲硅烷基化C1-18烷基,甲硅烷基化卤化C1-18烷基,C1-18烷氧基,甲硅烷基化C1-18烷氧基,甲硅烷基化卤化C1-18烷氧基,C6-14芳基,卤化C6-14芳基,C6-14芳氧基,甲硅烷基化C6-14芳基,甲硅烷基化C6-14芳氧基,甲硅烷基化卤化C6-14芳氧基,C1-18芳基烷基,卤化C1-18芳基烷基,C1-18芳基烷氧基,甲硅烷基化C1-18芳基烷基,甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷基,甲硅烷基化C1-18芳基烷氧基,甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷氧基,C6-14烷基芳基,卤化C6-14烷基芳基,C6-14烷基芳氧基,甲硅烷基化C6-14烷基芳基,甲硅烷基化C6-14烷基芳氧基以及甲硅烷基化卤化C6-14烷基芳氧基(优选,C1-6烷基,甲硅烷基化C1-6烷基,C1-6烷氧基,甲硅烷基化C1-6烷氧基,C6-10芳基,C6-10芳氧基,甲硅烷基化C6-10芳基,甲硅烷基化C6-10芳氧基,C1-10芳基烷基,C1-10芳基烷氧基,甲硅烷基化C1-10芳基烷基,甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,C6-10烷基芳基,C6-10烷基芳氧基,甲硅烷基化C6-10烷基芳基以及甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基；更优选,C1-3烷基；最优选,甲基)；其中r选自下组：0,4 1,2以及3(优选,1,2以及3；更优选,r是1)；其中R 选自下组：C1-10烷基,卤化C1-10烷基,甲硅烷基化C1-10烷基,甲硅烷基化卤化C1-10烷基,甲硅烷基化C1-10烷氧基以及卤化甲硅烷基化C1-10烷氧基(优选,C1-3烷基以及卤化C1-3烷基；更优选,C1-3烷基；最优选甲基)；其中x选自下组：0以及1(优选,x是1)；其中R5选自下组：氢、卤素、C1-3烷基、甲硅烷基化C1-3烷基以及卤化C1-3烷基(优选,氢和甲基；更优选,甲基)；其中R6独立的选字氢、卤素、甲硅烷基甲基,甲基和卤化甲基(优选,氢和甲基；更优选,氢)；以及，其中所述丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个Si原子。更优选的，所述丙烯酸甲硅烷基酯单体选自下组（：甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三乙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三丙基甲硅烷基）甲酯； （甲基）丙烯酸（三异丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三丁基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三-仲-丁基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三异丁基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（仲-丁基甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（仲-丁基二甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（二甲基丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（单甲基二丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（甲基乙基丙基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸双-（三甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷基）甲酯；（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷氧基）甲酯；（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷氧基）丙酯（；甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）甲酯；（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）丙酯；甲基）丙烯酸（三甲氧基甲硅烷基）丙酯；以及，（甲基）丙烯酸（三乙氧基甲硅烷基）丙酯.最优选地，所述丙烯酸甲硅烷基酯单体是甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯。 [0037] 优选的，该氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体具有下述结构式 [0038] (R7(R8)(R9)Si)tR10yOOCC(R11)=CR122 [0039] 其中R7、R8和R9各自独立的选自下组：C1-18烷基,卤化C1-18烷基,甲硅烷基化C1-18烷基,甲硅烷基化卤化C1-18烷基,C1-18烷氧基,甲硅烷基化C1-18烷氧基,甲硅烷基化卤化C1-18烷氧基,C6-14芳基,卤化C6-14芳基,C6-14芳氧基,甲硅烷基化C6-14芳基,甲硅烷基化C6-14芳氧基,甲硅烷基化卤化C6-14芳氧基,C1-18芳基烷基,卤化C1-18芳基烷基,C1-18芳基烷氧基,甲硅烷基化C1-18芳基烷基,甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷基,甲硅烷基化C1-18芳基烷氧基,甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷氧基,C6-14烷基芳基,卤化C6-14烷基芳基,C6-14烷基芳氧基,甲硅烷基化C6-14烷基芳基,甲硅烷基化C6-14烷基芳氧基,甲硅烷基化卤化C6-14烷基芳氧基,氘代C1-18烷基,氘代卤化C1-18烷基,氘代甲硅烷基化C1-18烷基,氘代甲硅烷基化卤化C1-18烷基,氘代C1-18烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-18烷氧基,氘代甲硅烷基化卤化C1-18烷氧基,氘代C6-14芳基,氘代卤化C6-14芳基,氘代C6-14芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-14芳基,氘代甲硅烷基化C6-14芳氧基,氘代甲硅烷基化卤化C6-14芳氧基,氘代C1-18芳基烷基,氘代卤化C1-18芳基烷基,氘代C1-18芳基烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-18芳基烷基,氘代甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷基,氘代甲硅烷基化C1-18芳基烷氧基,氘代甲硅烷基化卤化C1-18芳基烷氧基,氘代C6-14烷基芳基,氘代卤化C6-14烷基芳基,氘代C6-14烷基芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-14烷基芳基,氘代甲硅烷基化C6-14烷基芳氧基以及氘代甲硅烷基化卤化C6-14烷基芳氧基(优选,C1-6烷基,甲硅烷基化C1-6烷基,C1-6烷氧基,甲硅烷基化C1-6烷氧基,C6-10芳基,C6-10芳氧基,甲硅烷基化C6-10芳基,甲硅烷基化C6-10芳氧基,C1-10芳基烷基,C1-10芳基烷氧基,甲硅烷基化C1-10芳基烷基,甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,C6-10烷基芳基,C6-10烷基芳氧基,甲硅烷基化C6-10烷基芳基,甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基,氘代C1-6烷基,氘代甲硅烷基化C1-6烷基,氘代C1-6烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-6烷氧基,氘代C6-10芳基,氘代C6-10芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-10芳基,氘代甲硅烷基化C6-10芳氧基,氘代C1-10芳基烷基,氘代C1-10芳基烷氧基,氘代甲硅烷基化C1-10芳基烷基,氘代甲硅烷基化C1-10芳基烷氧基,氘代C6-10烷基芳基,氘代C6-10烷基芳氧基,氘代甲硅烷基化C6-10烷基芳基以及氘代甲硅烷基化C6-10烷基芳氧基；更优选,C1-3烷基以及氘代C1-3烷基；最优选,甲基以及氘代甲基)；其中t选自下组：0,1,2和3(优选1、2和3；更优选的，t是1)；其中R10选自下组：C1-10烷基,卤化C1-10烷基,甲硅烷基化C1-10烷基,甲硅烷基化卤化C1-10烷基,甲硅烷基化C1-10烷氧基,卤化甲硅烷基化C1-10烷氧基,氘代C1-10烷基,氘代卤化C1-10烷基,氘代甲硅烷基化C1-10烷基,氘代甲硅烷基化卤化C1-10烷基,氘代甲硅烷基化C1-10烷氧基以及氘代卤化甲硅烷基化C1-10烷氧基(优选,C1-3烷基以及氘代C1-3烷基；更优选,C1-3烷基；最优选甲基)；其中y是0或者1(优选,y是1)；其中R11选自下组：氢,氘,卤素,C1-3烷基,氘代C1-3烷基,甲硅烷基化C1-3烷基,氘代甲硅烷基化C1-3烷基,卤化C1-3烷基以及氘代卤化C1-3烷基(优选,氢,氘,甲基以及氘代甲基；更优选,甲基)；其中R12各自独立的选自下组：氢,氘,卤素,甲硅烷基甲基,氘代甲硅烷基甲基,甲基,氘代甲基,卤化甲基以及氘代卤化甲基(优选氢、氘、甲基以及氘代甲基；更优选氢)；其中所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个Si原子；以及，其中所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体包括至少一个氘。更优选的，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体选自下组：氘代（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三乙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三异丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三丁基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三-仲-丁基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三异丁基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（仲-丁基甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（仲-丁基二甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（二甲基丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（单甲基二丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（甲基乙基丙基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸双-（三甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（三甲基甲硅烷氧基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸三-（三甲基甲硅烷氧基）丙酯；氘代（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）甲酯；氘代（甲基）丙烯酸（五甲基二甲硅烷氧基）丙酯；氘代（甲基）丙烯酸（三甲氧基甲硅烷基）丙酯；以及，氘代（甲基）丙烯酸（三乙氧基甲硅烷基）丙酯。最优选地，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯单体是氘代甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯。 [0040] 优选地，所述丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自下组：烯烃和环烯烃。更优选地，所述丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自C1-5烯烃和C3-7环烯烃。最优选地，所述丙烯酸酯嵌段改性单体是乙烯。 [0041] 优选地，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自下组：氘代烯烃和氘代环烯烃。更优选地，所述氘代丙烯酸甲硅烷基酯嵌段改性单体选自氘代C1-5烯烃和氘代C3-7环烯烃。最优选地，所述氘代丙烯酸酯嵌段改性单体是氘代乙烯。 [0042] 优选的，本发明的共聚物组合物包括≥2重量%的抗氧化剂（以该PS-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物的重量为基准计）。更优选的，所述共聚物组合物包括2-30重量%的抗氧化剂（以该PS-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物的重量为基准计）。还更优选的，所述共聚物组合物包括5-30重量%的抗氧化剂（以该PS-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物的重量为基准计）。还更优选的，所述共聚物组合物包括10-25重量%的抗氧化剂（以该PS-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物的重量为基准计）。最优选的，所述共聚物组合物包括15-25重量%的抗氧化剂（以该PS-嵌段-PSiAcr嵌段共聚物的重量为基准计）。 [0043] 本发明所述的共聚物组合物中包含的抗氧化剂可以选自主抗氧化剂和辅助抗氧化剂。优选的，该抗氧化剂选自下组：包含至少1种(优选的至少2种；更优选的至少3种；最优选的3-4种)2,6-双-叔-丁基苯酚部分的抗氧化剂；包含至少1种(优选的至少2种；更优选的至少3种；最优选的3-4种)具有以下结构式的部分的抗氧化剂 [0044] [0045] 包含至少一个(优选至少2种，最优选2种)下式所示部分的抗氧化剂 [0046] 以及， [0047] 包含至少一个(优选至少2种，最优选2种)下式所示部分的抗氧化剂 [0048] 以及， [0049] 它们的混合物。更优选的，该抗氧化剂选自下组： [0050] [0051] 以及， [0052] 它们的混合物。还更优选的，该抗氧化剂选自下组： [0053] [0054] 和一种或多种其它抗氧化剂的混合物。最优选的，该抗氧化剂是 [0055] [0056] 优选地，本发明的共聚物组合物中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)的平均分子量≥358克/摩尔。更优选地，本发明的共聚物组合物中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)的平均分子量≥600克/摩尔。最优选地，本发明的共聚物组合物中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)的平均分子量≥1000克/摩尔。 [0057] 优选地，本发明的共聚物组合物中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)在760毫米Hg(101.3kPa)下所测的平均沸点＞400℃.更优选的，本发明的共聚物组合物中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)在760毫米Hg(101.3kPa)下所测的平均沸点＞ 500℃。还更优选的，本发明的共聚物组合物中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)在760毫米Hg(101.3kPa)下所测的平均沸点＞700℃。还更优选的，本发明的共聚物组合物中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)在760毫米Hg(101.3kPa)下所测的平均沸点＞800℃。最优选的，本发明的共聚物组合物中包含的所述抗氧化剂(或抗氧化剂的混合物)在760毫米Hg(101.3kPa)下所测的平均沸点＞1000℃。 [0058] 本发明的共聚物组合物任选地还包含溶剂。溶剂包括能将该嵌段共聚物分散成平均流体动力直径（通过动态光散射测量）小于50纳米的颗粒或团聚体的液体。优选地，使用的溶剂选自丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙酸乙氧基乙酯、苯甲醚、乳酸乙酯、2-庚酮、环己酮、乙酸戊酯、γ-丁内酯(GBL)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)和甲苯。更优选地，使用的溶剂选自丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)和甲苯。最优选地，所述溶剂是甲苯。 [0059] 本发明的共聚物组合物任选地还包含添加剂。添加剂包括额外的聚合物(包括均聚物和无规共聚物)、表面活性剂、光酸产生剂、热酸产生剂、猝灭剂、硬化剂、粘合促进剂、溶解速率调节剂、光固化剂、光敏剂、酸扩增剂、增塑剂、取向控制剂和交联剂。优选的用于本发明的共聚物组合物的添加剂包括表面活性剂。 [0060] 本发明的方法优选包括：提供基材；提供本发明的共聚物组合物；将所述共聚物组合物膜应用到所述基材上；任选的，烘烤该膜；退火该膜，得到聚（苯乙烯）结构域和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域的图案；处理该退火的膜，以从该退火的膜中去除聚（苯乙烯）结构域，以及将该退火的膜中的聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx。 [0061] 本发明的方法所使用的基材包括具有表面的任意基材，所述表面可以用本发明的共聚物组合物进行涂覆。优选的基材包括层状基材。优选的基材包括含硅基材(例如，玻璃、二氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、含硅半导体基材如硅晶片、硅晶片碎片、绝缘体上硅基材、蓝宝石上硅基材、基底半导体基材上外延生长硅层(epitaxial layers of silicon on a base semiconductor foundation)、硅-锗基材)；塑料；金属(例如，铜、钌、金、铂、铝、钛及合金)；氮化钛；和不含硅的半导体基材(例如，不含硅的晶片碎片、不含硅的晶片、锗、砷化镓和磷化铟)。最优选的基材是含硅基材。 [0062] 任选的，在应用本发明的共聚物组合物之前，用插入材料预处理待用本发明的共聚物组合物涂覆的基材表面。优选的，该预处理材料用作插入在该基材表面和本发明的共聚物组合物的嵌段共聚物之间的粘结层，用来增强该嵌段共聚物和该基材之间的粘附。优选地，所述插入材料形成选自成像层或取向控制层的层。 [0063] 适用于本发明方法的成像层包括，例如可以图案化或选择性活化的任意类型的材料。这种材料包括例如聚合物刷和自组装的单层硅烷和硅氧烷化合物。 [0064] 适用于本发明方法的取向控制层包括中性和非中性取向控制层。即，所述取向控制层可以在所述基材表面和本发明的共聚物组合物的嵌段共聚物之间形成界面，且聚（丙烯酸酯）结构域或聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域可优先润湿该界面-即，非中性取向控制层。中性取向控制层表示在所述基材表面和本发明的共聚物组合物的嵌段共聚物之间形成界面的层，且聚（苯乙烯）结构域和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域可等效的润湿该界面。中性取向控制层优选的包括通过浇铸无规共聚物来制备的膜，该无规共聚物同时包括丙烯酸酯单体和丙烯酸甲硅烷基酯单体的残基（如，聚（甲基丙烯酸甲酯）-无规-甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯-OH）。 [0065] 优选的，在沉积本发明的共聚物组合物之前对基材进行预处理，以促进该共聚物组合物中嵌段共聚物的导向自组装（guided self assembly）。具体来说，所述预处理有利于用于导向自组装嵌段共聚物膜的两种常规方法（即制图外延法和化学外延法）中的一种。在制图外延法中，用在该基材表面上的形貌特征（如凹槽、孔）对基材表面进行预图案化，该形貌特征可用来引导该嵌段共聚物中嵌段的自组装。 [0066] 在化学外延法中，用具有组成(compositional)图案的膜处理所述基材表面，其中所述组成图案的各部分之间对聚（苯乙烯）和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）的亲合性不同。这种化学亲和性的差异，用于促进该共聚物组合物中的嵌段共聚物的导向自组装。 [0067] 优选的，用选自下组的方法来在该基材上形成插入层：旋涂、浸涂、辊涂、喷涂和层压(最优选是旋涂)。在所述基材表面上施用插入层形成材料之后，任选地将所述材料进一步加工以去除任何残留的溶剂。优选地，所述插入层在升高的温度(例如，70-340℃)下烘烤至少10秒至5分钟，以从所述插入层中除去任何残留的溶剂。优选地，用溶剂进行清洗烘烤过的插入层，所述溶剂能从基材表面去除任何未结合的残留插入层材料，然后在升高的温度(例如，70至340℃)下再烘烤至少10秒至5分钟，以除去任何残留溶剂。 [0068] 在本发明的方法中，将本发明的共聚物组合物膜应用到基材上，优选的包括使用选自下组的方法来将该共聚物组合物沉积到该基材上：旋涂、浸涂、辊涂、喷涂和层压(最优选是旋涂)。在将所述共聚物组合物应用到所述基材之后，任选地进一步加工沉积的共聚物组合物，以去除任何残留的溶剂优选地，所述沉积的共聚物组合物在升高的温度(例如，70-340℃)下烘烤至少10秒至5分钟，以从该沉积的共聚物组合物膜中除去任何残留的溶剂。 [0069] 可通过任意退火技术如热退火、热梯度退火和溶剂蒸汽退火来退火该沉积的膜。优选的，使用热退火技术来退火所述膜。更优选的，使用热退火技术来退火所述沉积的膜，其中将该沉积的膜在200-340℃(更优选的200-300℃；最优选的225-300℃)的温度下加热 0.5分钟-2天(更优选的0.5分钟-2小时；还更优选的0.5分钟-0.5小时；最优选的0.5分钟-5分钟)。优选的，在气态气氛下使用热退火技术来退火所述沉积的膜，其中所述气态气氛选自包含＞20重量%氧气的气氛和包含＜20重量%氧气的气氛。更优选的，在气态气氛下热退火该沉积的膜，其中所述气态气氛选自气态氮气气氛和气态氩气气氛，其中所述气态气氛的氧浓度≤150ppm(更优选的,≤10ppm；还更优选的,≤7.5ppm；还更优选的,≤6.5ppm；最优选的,≤5ppm)。最优选的，在气态氮气气氛下热退火该沉积的膜，所述气态氮气气氛的氧浓度≤100ppm(优选,≤7.5ppm；更优选,≤6.5ppm；最优选,≤5ppm)。 [0070] 在本发明的方法中，处理该退火的膜以去除该退火的膜中的聚（苯乙烯）结构域，并将该退火的膜中的聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx，提供具有多个空穴的产物膜（即，垂直于该基材表面的凹槽状空穴；对称轴垂直于该基材表面的圆柱状孔；多个圆柱状SiOx杆，该SiOx杆的对称轴垂直于该基材表面）。所述处理包括：将该膜暴露于一些条件下，这些条件对该膜中的聚（苯乙烯）的反应性相对于对该膜中聚（丙烯酸甲硅烷基酯）的反应性不同，以有助于从该退火的膜中去除聚（苯乙烯）结构域，以及将聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx。优选的，所述处理包括：任选的，将该退火的膜暴露于含卤素等离子体（如，CF4）以去除在该退火的膜表面上形成的任何润湿层；然后将该退火的膜暴露于反应性等离子体或反应性离子蚀刻气氛，以去除聚（苯乙烯）结构域且将聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx。最优选的，所述处理包括：将该退火的膜暴露于含卤素等离子体以去除在该退火的膜上形成的任何润湿层；以及随后将该退火的膜暴露于反应性等离子体或反应性离子蚀刻气氛，其中该气氛包括等离子体，该等离子体包括低压离子化氧化性气体（优选的是O2）；其中，去除了该退火的膜中的聚（苯乙烯）结构域且将该退火的膜中的聚（丙烯酸甲硅烷基酯）结构域转化成SiOx。 [0071] 现在将在以下实施例中详细描述本发明的一些实施方式。 [0072] 在本文实施例中使用之前，将以下材料，即四氢呋喃(99.9%纯，购自奥德里奇公司(Aldrich))、苯乙烯(购自阿德里奇公司(Aldrich))和环己烷(HPCL级，购自费氏公司(Fischer))通过活化A-2级氧化铝填充柱进行处理。在本文实施例中使用之前，将以下材料，即1,1-二苯乙烯(购自奥德里奇公司(Aldrich))和甲基丙烯酸甲酯（MMA）)通过碱性氧化铝填充柱进行处理。本文实施例中使用的所有其它材料都是市售的，直接使用。 [0073] 本文实施例中的膜厚度采用NanoSpec/AFT2100膜厚测量工具进行测量。根据通过衍射光栅的白光干涉确定膜厚度。使用称为聚酰亚胺叠硅“(Polyimide on Silicon)”的标准程序分析组分波长(380-780纳米)，以确定膜厚度。沉积的嵌段共聚物组合物膜和刷层的厚度在一起作为一个聚合层进行测量。报告的膜厚度为沉积的嵌段共聚物组合物和刷层的总厚度。 [0074] 通过在配备了安捷伦（Agilent）1100系列折射率检测器和MiniDAWN光散射检测器的(瓦特科技公司（Wyatt TechnologyCo.）)安捷伦（Agilent）1100系列LC系统上的凝胶渗透色谱（GPC）来测量实施例中所报道的数均分子量MN和多分散性值。将样品以约1毫克/毫升的浓度溶解于HPCL级THF，以及在通过2种PLGel300x7.5毫米混合C填充柱(5毫米，聚合物实验室公司（Polymer Laboratories,Inc.)）注入之前，透过0.20微米的注射器过滤器过滤。流量保持为1毫升/分钟，且温度保持为35℃。用窄分子量的PS标准物(品牌为EasiCal PS-2，聚合物实验室公司（Polymer Laboratories,Inc.))校准该填充柱。 [0075] 实施例中的参考的质子核磁共振(1H NMR)谱结果是在Varian INOVA400MHz NMR波谱仪上测试的。使用了氘代氯仿。使用10秒的延迟时间来确保完全质子弛豫，用于定量积分。报告了相对于四甲基硅烷的化学位移。 [0076] 将热等离子体（PlasmaTherm）790i/反应性离子蚀刻平台用于实施例中提到的所有反应性离子蚀刻步骤。 [0077] 在实施例中报道的用于膜的膜间距L0是通过用公知结构域的、基于JAVA的图像处理程序ImageJ对膜的SEM进行图像分析来测量的。对于给定SEM图像，首先实施空间校准，将图像中以像素为单位的距离转化成以纳米为单位的距离。为了测量膜间距，划一条穿过并垂直多个SiOx柱的线。通过用所划线的长度除以(n-1)来计算膜间距，其中n指所划的线穿过的SiOx柱数目。 [0078] 比较例C1：制备PS-嵌段-PDMS二嵌段共聚物 [0079] 在氩气气氛下向500毫升三颈圆底反应器中加入环己烷(90毫升)和苯乙烯(18.4克)。然后，将反应器中的物质加热到40℃。然后，将0.5毫升在环己烷中浓度为1.4M的仲-丁基锂溶液通过导管迅速加入该反应器，致使反应器中的物质变橘黄色。将反应器中的物质搅拌30分钟。然后将一小部分反应器中的物质从反应器中取出，并放入含无水甲醇的小的圆底烧瓶中，用来对形成的聚苯乙烯嵌段进行凝胶渗透色谱分析。然后，将2,2,5,5-四甲基二硅氧呋喃（tetramethyldisilafuran）(337毫克)添加到该反应器。前述橘色开始缓慢消失。在1小时之后，该反应器中的物质是淡黄色的。然后，将新鲜升华的六甲基环三硅氧烷（hexamethylcyclotrisiloxane）(10.1克)通过导管转移到该反应器中。使反应器中的物质反应1.5小时，直到该反应器中的物质是无色的。然后，将干燥的四氢呋喃（90毫升）添加到该反应器，且使反应进行3.25小时。然后，将三甲基氯硅烷（Chlorotrimethylsilane）（1毫升）添加到该反应器来终止反应。然后，通过将产物沉淀进入500毫升甲醇中并且过滤，来分离产物。在用额外的甲醇洗涤后，将该聚合物重新溶于150毫升的二氯甲烷中，用去离子水洗涤3次，并随后重新沉淀进入500升甲醇中。然后，过滤该聚合物，并于70℃下在真空烘箱中过夜干燥，得到22.1克。该聚（苯乙烯）-嵌段-聚（二甲基硅氧烷）嵌段共聚物("PS-嵌段-PDMS")产物的数均分子量MN是35.8千克/摩尔；多分散性PD是1.01以及PDMS含量是25.0重量%(通过1H NMR测定)。 [0080] 实施例2：制备PS-嵌段-PTMSMMA二嵌段共聚物 [0081] 在氩气气氛下向500毫升三颈圆底反应器中加入四氢呋喃(“THF”)(186克)。然后，在冰/丙酮浴中将THF在反应器中冷却到-78℃。再用1.87克的0.35M仲丁基锂的环己烷溶液滴定反应器中的物质，直至反应器中的物质呈持久的浅黄色为止。然后将该反应器中的物质加热到30℃并维持在30℃，直至反应器中的物质褪色(约10-15分钟)。然后将反应器冷却回-78℃，并将苯乙烯(14.65克)通过导管转移到该反应器中。然后，将0.58克的0.35M仲丁基锂的环己烷溶液通过导管迅速加入该反应器。再将反应器中的物质搅拌30分钟。然后从反应器中提取一小部分反应器中的物质，来分析形成的聚苯乙烯（“PS”）嵌段。然后将在环己烷(1.89克)中稀释的1，1-二苯乙烯(0.054克)通过导管转移至反应器中。然后，将反应器中的物质搅拌30分钟。然后将在环己烷(7.28克)中稀释的甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯单体("TMSMMA")(5.68克)通过导管转移至该反应器中。再将反应器中的物质搅拌30分钟，之后向该反应器加入无水甲醇以终止反应。然后，将反应器中的物质沉淀进入1升甲醇中。然后，真空过滤该聚合物产物聚（苯乙烯）-嵌段-聚甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯嵌段共聚物("PS-嵌段-PTMSMMA")，并于60℃下在真空烘箱中过夜干燥。该聚合物产物的数均分子量MN是79.6千克/摩尔；多分散性PD是1.1以及聚甲基丙烯酸（三甲基甲硅烷基）甲酯含量是25重量%(通过1H NMR测定)。 [0082] 实施例3：制备基材 [0083] 从具有天然氧化物层的硅晶片中切割片材(约1英寸x1英寸)来制备基材。将羟基-封端的聚苯乙烯刷溶于甲苯中，以形成1.5重量%的刷溶液。然后将所述刷溶液以3000rpm（转/分）的速度在各基材上旋涂1分钟。再将基材放置在设定为150℃的加热板上，对沉积的刷层烘烤1分钟。在氮气气氛下，再将基材放置在设定为250℃的加热板上对沉积的刷层退火20分钟。然后将基材冷却至室温。然后，将该基材在甲苯中浸没1分钟。然后以3,000rpm的速度旋转干燥基材1分钟。然后，将基材在设定为110℃的加热板上放置1分钟，并随后储存在氮气中直到使用。 [0084] 比较例F1：膜沉积-自组装 [0085] 将根据比较例C1制备的PS-嵌段-PDMS嵌段共聚物溶解在丙二醇甲醚乙酸酯("PGMEA")( PMA,，购自陶氏化学公司(The DowChemicalCompany))中，形成1.6重量%的溶液。然后，通过0.2微米的瓦塔曼（Whatman）注射器过滤器，手动过滤该溶液。然后，将过滤的溶液以2370rpm的速度，旋涂到根据实施例3制备的涂覆了聚苯乙烯刷的基材表面上，以形成41.5纳米的PS-嵌段-PDMS膜。然后将基材在设定为150℃的加热板上放置1分钟，烘烤该膜。然后，在表压为50磅力/平方英寸（psig）的氮气气氛中，将基材在设定为250℃的另一加热板上放置1小时，退火该PS-嵌段-PDMS膜。 [0086] 在该退火的膜的气氛-膜界面上形成PDMS表面润湿层。然后，用2种连续的反应性离子蚀刻(RIE)步骤来处理该退火的膜，以显示该沉积的PS-嵌段-PDMS膜的嵌段共聚物形貌。首先，使用短CF4等离子体(10mT,50W)RIE处理(后等离子体稳定8秒)来击穿PDMS表面润湿层。然后，使用O2等离子体RIE处理(后等离子体稳定25秒)来去除聚苯乙烯结构域，并将PDMS结构域转化成SiOx。 |
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