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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	集成型光模块	CN201310320898.6	2013-07-26	CN103576236A	2014-02-12	笠原亮一; 荒武淳; 小川育生; 那须悠介; 铃木雄一; 相马俊一
本发明提供一种集成型光模块，其在湿度变化时，避免PLC芯片的位移变动的发生，使得没有剥离。该集成型光模块的特征在于，具备：PLC芯片；台座，用涂布在黏接面上的胶黏剂与上述PLC芯片的底面的一部分黏接固定；以及支承部，支承上述台座；设有用憎水材料掩蔽上述支承部的顶面的憎水处理部。上述憎水处理部只被设在上述台座的周围的规定宽度上。上述憎水处理部被设在上述台座的周围100μm以上的宽度上。
2	平板投影显示器	CN01823653.7	2001-09-25	CN1549946A	2004-11-24	阿德里安·罗伯特·利·特拉维斯
一种平板投影显示器，包含：板条形波导1，其在一表面上带有优选为凸出的衍射光栅2；透镜3，其用于把光引导入波导的边缘；以及在透镜的聚焦平面中的液晶调制器4，其用于把光的强度调制为侧部位置和传送的仰角方向的函数。光被光栅以与输入角度对应的角度从板条形波导1射出，以提供了虚显示。来自调制器的光能够通过穿过放大波导7而在一维上展开，接着由屏幕13在平面中把位于波导7另一端部的透镜10的投影进行散射。抬头式和3－D显示器能够使用这种原理而构建。
3	基于插指型MOS结构的硅基电光调谐波导结构	CN201610031805.1	2016-01-18	CN105629379A	2016-06-01	肖希; 李淼峰; 王磊; 杨奇; 余少华
本发明公开了一种基于插指型MOS结构的硅基电光调谐波导结构，涉及光通信领域中的硅基电光可调波导器件。该结构包括由下至上设置的单晶硅材质的硅衬底、填埋二氧化硅层和单晶硅材质的外延硅层；外延硅层上设置有基于插指型MOS结构的硅基电光调谐波导，该波导包括硅波导下半层、栅氧层和硅波导上半层；硅波导下半层包括下波导区、下平板区和下欧姆接触区；第二电极位于下欧姆接触区上，栅氧层位于下波导区的外表面；硅波导上半层包括上波导区、上平板区和上欧姆接触区；第一电极位于上欧姆接触区上。本发明能够将光场充分与载流子积累区交叠，大幅度提高调谐效率，有利于实现更紧凑、更高效的硅基电光调谐器件。
4	光波导	CN201510205927.3	2011-11-22	CN104749693A	2015-07-01	酒井大地; 黑田敏裕; 青木宏真
本发明涉及一种光波导。本发明提供的光波导是在基材上依次层叠下部包层、在厚度方向具有锥度的芯图案、上部包层而形成的光波导，在所述下部包层上具有虚设层。
5	平板投影显示器	CN01823653.7	2001-09-25	CN1271447C	2006-08-23	阿德里安·罗伯特·利·特拉维斯
一种平板投影显示器，包含：板条形波导1，其在一表面上带有优选为凸出的衍射光栅2；透镜3，其用于把光引导入波导的边缘；以及在透镜的聚焦平面中的液晶调制器4，其用于把光的强度调制为侧部位置和传送的仰角方向的函数。光被光栅以与输入角度对应的角度从板条形波导1射出，以提供了虚显示。来自调制器的光能够通过穿过放大波导7而在一维上展开，接着由屏幕13在平面中把位于波导7另一端部的透镜10的投影进行散射。抬头式和3-D显示器能够使用这种原理而构建。
6	集積型光モジュール	JP2012166085	2012-07-26	JP5662386B2	2015-01-28	笠原　亮一; 亮一笠原; 荒武　淳; 淳荒武; 小川　育生; 育生小川; 那須　悠介; 悠介那須; 鈴木　雄一; 雄一鈴木; 相馬　俊一; 俊一相馬

7	Integrated optical module	JP2012166085	2012-07-26	JP2014026104A	2014-02-06	KASAHARA RYOICHI; ARATAKE ATSUSHI; OGAWA IKUO; NASU YUSUKE; SUZUKI YUICHI; SOMA SHUNICHI
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated optical module capable of preventing displacement variation and detachment of a PLC chip due to humidity variation.SOLUTION: An integrated optical module includes a PLC chip 33, a base 42 which is adhesively fixed on a portion of a bottom surface of the PLC chip by means of an adhesive 38 applied on a bonding surface of the base, and a support member 41 which supports the base and is provided with a water repellent section 43 masked with a water repellent material on a top surface thereof. The water repellent section is provided only around the base with a predetermined width. The width of the water repellent section provided around the base shall be no less than 100 μm.
8	Planar projection display	JP2003531240	2001-09-25	JP5060704B2	2012-10-31	アドリアンロバートリートラヴィス

9	Planar projection display	JP2003531240	2001-09-25	JP2005504339A	2005-02-10	アドリアンロバートリートラヴィス
平面型投影ディスプレイは、１つの面に好ましく施された回折格子２を有するスラブ導波路１と、前記導波路の端部に光を誘導するレンズ３と、前記レンズの焦点面において、横方向の一及び仰角の進行方向の関数として前記光の強度を変調する液晶変調器とを備えている。前記光は、入力角度に対応する角度で前記回折格子によって前記スラブ導波路１から放射され、仮想表示を与える。前記変調器からの光は、拡大導波路７を通過することによって１次元に拡張され、前記導波路７の他の端部のレンズ１０による投影をスクリーン１３によって平面に拡散させることに従う。ヘッドアップ３−Ｄディスプレイはこの原理を利用して構成され得る。
10	INTEGRATED PHOTONIC AMPLIFIER AND DETECTOR	PCT/US2006035567	2006-09-11	WO2007061485A3	2007-12-06	FORREST STEPHEN R; SHIU KUEN-TING; AGASHE SHASHANK S
An asymmetric twin waveguide (ATG) structure with an integrated amplifier and detector fabricated in a single active waveguide layer is disclosed. The structure comprises an active waveguide layer formed on a passive waveguide layer. The active and passive waveguides have different effective indices of refraction such that a first mode of light is confined primarily to the active waveguide and a second mode of light is confined primarily to the passive waveguide in the area where the waveguides overlap.
11	HOLOGRAPHIC SURFACE MASK ETCHING AND OPTICAL STRUCTURES	PCT/US0322608	2003-07-18	WO2004010167A3	2009-06-18	FAINMAN YESHAIAHU; NAKAGAWA WATARU; CHEN CHYONG-HUA; SUN PANG-CHEN; PANG LIN
The invention is directed to a method for etching a solid state material to create a surface relief pattern. A resist layer is formed on the surface of the solid state material. The photoresist layer is holographically patterned to form a patterned mask. The pattern is then transferred into the solid state material by a dry etching process. The invention is especially useful for forming optical nanostructures. In preferred embodiments, a direct write process, such as e-beam lithography, is used to define defects and functional elements, such as waveguides and cavities.

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