最新中国发明专利第2023-04-04期 - 专利汇|PatentHub专利检索|专利查询网|发明专利查询分析

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CN115912238A	可有效隔离防火的电缆沟内动力电缆支架体系的构建方法本发明公开了一种可有效隔离防火的电缆沟内动力电缆支架体系的构建方法，解决了如何对动力电缆有效实施防火隔离的技术问题；在电缆沟（1）的沟内侧壁（8）上设置有动力电缆支架（2），动力电缆支架（2）是由角钢立柱（9）和水平悬臂（10）组成的，角钢立柱（9）是沿上下竖直方向固定在沟内侧壁（8）上的，水平悬臂（10）的一端固定连接在角钢立柱（9）上，在水平悬臂（10）上设置有防火板底板（11），在防火板底板（11）的内侧端上设置有防火板侧板（12），防火板底板（11）、防火板侧板（12）、防火板盖板（26）和沟内侧壁（8）组成动力电缆（3）的封闭空间；有效规避了各类缝隙对防火效果的影响。
CN115912234A	一种电力工程维护用电网除冰器本发明公开了一种电力工程维护用电网除冰器，包括下壳体、上壳体和刷饰组件，所述下壳体和上壳体的内底壁均连接有移动件；移动件包括安置槽、主动辊、从动辊、驱动电机和履带，两个所述安置槽分别开设在下壳体和上壳体的内底壁，所述主动辊和从动辊均通过转杆转动连接在安置槽的内部，两个所述驱动电机分别固定安装在下壳体和上壳体的侧边，且输出端与连接主动辊的转杆一端固定连接。本发明通过设置加温机构，使得刷饰组件在刷饰之前能够更好的配合着排风扇将加热管附近的热风排出，从而吹在冰上，使得冰得到快速的融化，从而进一步确保了冰块的除去，让整个除冰器的工作效率变得更高。
CN115912220A	一种具有接地性的母线连接器用顶部盖板本文提出了一种具有接地性的母线连接器用顶部盖板，母线槽通过母线连接器对接相连，所述的母线连接器的顶面设有连接器顶部盖板，所述的连接器顶部盖板分别与母线槽和母线连接器相连，连接器顶部盖板的底面设有盖板底板，所述的盖板底板的底面两端均设有接地接触面，盖板底板的两侧设有盖板滑沿，所述的盖板滑沿的上方均设有盖板导槽，通过使用连接器顶部盖板将母线槽和连接器的顶部进行连接固定，通过滑槽式的方式让盖板在母线槽之间进行精确的对接，而接地接触面用来做到使连接器的地线接入母线外壳，从而无需在进行接线或接地螺栓对连接器进行接地的操作，这样既可以保证盖板一体性的同时还能做到接地功能的不丧失。
CN115912217A	一种柔性防水套管本发明属于建筑管路相关的技术领域，提供了一种柔性防水套管，包括一号弹性层、套管本体、二号弹性层和至少一个支撑管，所述套管本体的外侧壁上设置有所述一号弹性层，所述套管本体的内侧壁上设置有所述二号弹性层，每个所述支撑管均活动插设在所述套管本体内部，所述二号弹性层包裹所述支撑管设置，所述套管本体的一端贯通设置有固定底座，所述一号弹性层的外表面包覆有隔离膜。
CN115912216A	一种LNG船钢丝网导架敷设方法本发明公开了一种LNG船钢丝网导架敷设方法，具体包括以下步骤：首先在舱壁或者大梁上开孔，安装电缆贯穿件，然后在舱壁的顶部焊接固定多个托架脚，再使钢丝网托架直接穿过电缆贯穿件，托架脚对钢丝网托架进行支撑，钢丝网托架在电缆贯穿件处无需断开，无需在钢丝网断开处额外增加2副托架脚来承托钢丝网导架，不仅保持了钢丝网的连续性，更好的保护电缆，而且也避免在电缆贯穿件处剪断钢丝网造成资源的浪费。
CN115912215A	浸油式驱动电源线缆密封结构本发明公开了浸油式驱动电源线缆密封结构，包括箱体，且所述箱体的上端开口处螺栓连接有盖板，所述盖板上开设有两个圆孔，且两个所述圆孔为左右设置，两个所述圆孔内腔均贯穿设有导线管，且所述导线管的内腔设有两个线缆本体，两个所述导线管的内腔上端均螺纹连接有第一密封盖，且所述第一密封盖上贯穿设有两个第一弹性护套，本发明在使用时，通过导线管、弹性垫圈、活动块、环形开槽、插板、第一弹簧、第一密封盖、第二密封盖、第一弹性护套和第二弹性护套之间的相互配合可在线缆穿过导线管后，并将导线管卡接固定在盖板上，同时保证盖板的密封效果，避免在运输过程中电源发生倾倒或歪斜时造成冷却油的泄漏。
CN115912214A	一种快装式穿墙套管本发明公开了一种快装式穿墙套管，其包括安装模块，所述安装模块包括套管组件和墙体安装组件，所述套管组件设置于墙体安装组件内；定位模块，所述定位模块包括驱动组件、联动组件、固定组件和锁定组件，所述联动组件通过驱动组件与连接模块联动，通过所述连接模块与锁定组件联动，实现其对联动组件的锁定。本发明通过设置可分离的套管以及套管安装支架，便于安装固定，还可以根据实际使用情况，通过修剪套管的长度，实现贴合安装。避免套管伸出墙体影响美观，通过卡接结构，实现套管与墙体的固定，确保安装后的稳定性，通过联动的齿轮，带动齿条实现两侧嵌合板的受力拉紧固定。
CN115912212A	一种电缆桥架四通本发明涉及电缆桥架四通技术领域，公开了一种电缆桥架四通，具有顶板和托盘；所述托盘的顶部等距设置有若干个圈柱，所述顶板的底端中部设置有散热机构，所述圈柱的顶部均设置有驱散机构，所述散热机构包括顶框和底盖，所述顶框设置在顶板的底端中部，所述顶框的内部等距设置有若干个第一电机，所述第一电机的输出端均与第一扇叶的中部固定连接，所述顶框的底部靠近边缘处等距设置有若干个第二固定槽，所述底盖靠近边缘处等距设置有若干个第一固定槽。本发明通过多个第一电机同时带动着多个第一扇叶转动，多个第一扇叶的转动通过过滤通板对电缆桥架四通的内部快速散热，增加内部的散热效果。
CN115912209A	一种发电线路安全防护装置本申请公开了一种发电线路安全防护装置，包括限位架体、发电线路防护组件和限位套管；限位架体的数量为两组，两组所述限位架体之间设置有弹性限位组件，所述限位架体上设置有线路穿口；发电线路防护组件的两端均设置有波纹管，所述波纹管的一端与限位架体连接；限位套管的数量为两组，所述限位套管设置在限位架体远离发电线路防护组件的一侧，所述限位套管的内部设置有线路夹紧装置；其中，所述波纹管、限位套管和线路穿口同轴设置；其技术要点为，本发明一种发电线路安全防护装置能够限定住线路的位置，线路在摇晃的过程中对线路接头的影响小，而且能够查看发电线路的接头处，维护比较方便，能够延长发电线路的使用寿命。
CN115912208A	一种表面涂覆有防静电涂层的阻燃式电缆桥架本文提出了一种表面涂覆有防静电涂层的阻燃式电缆桥架，桥架主体和桥架盖的表面均设有防静电涂层，桥架主体的上方设有桥架盖，所述的桥架主体的两侧顶面均设有安装槽，所述的安装槽内部两侧设有胶条卡槽，安装槽与桥架主体的顶面夹角处设有斜角切边，所述的胶条卡槽内部设有间隔胶条，所述的桥架盖的底部两侧设有安装插沿，所述的安装插沿与桥架盖的连接角处设有直角接边，通过使用直插式的连接方式来便捷的将桥架主体和桥架盖进行连接，并且通过胶条来进行固定，从而保证在安装桥架盖的时候桥架盖表面的防静电涂层和桥架主体表面的防静电涂层不会产生摩擦，从而不会产生掉漆的问题，从而进一步的增加电缆桥架的阻燃效果。
CN115912204A	一种低压电缆分支箱本发明公开一种低压电缆分支箱，其中隔热部的底部开设有第一进气孔，凝露箱体位于分支箱本体的一侧并覆盖在第一进气孔处，凝露箱体上开设有第二进气孔，第二进气孔和第一进气孔之间连通有凝露通道，凝露通道沿气体流动方向依次分为换热部和冷凝部，冷凝部设置在隔热部上并与散热部间隔设置，冷凝部内设有若干用于冷凝进气中水蒸气的冷凝板，各冷凝板分别安装在冷凝部的顶部和底部，并沿进气流动方向交错设置，冷凝板伸出散热部并连接有对其冷却的冷却结构，对外界空气进行预热，又通过配套设置凝露箱体和冷却结构对外界空气降温，充分冷凝其内部的水蒸气，保证进入分支箱本体中空气的干燥程度，且保证了对分支箱本体的冷却效果。
CN115912202A	一种线缆固定装置本发明公开了一种线缆固定装置，包括底板，底板的两侧均固定有矩形筒，两个矩形筒的内部均滑动连接有第一移动板，且两个第一移动板相互远离一侧的底部均固定有竖板，并且两个竖板相互远离的一侧均固定有空心板，空心板内设置有用于对交换机进行夹持的第二移动板，且空心板内设置有控制第二移动板移动的控制机构，底板顶部的中部固定有矩形板。按压第三移动板使得两个第三移动板相互靠近，从而使得两个第一移动板相互远离，进而增加两个竖板之间距离，便于将交换机嵌设到两个竖板之间，从而便于将装置固定在交换机上，另外转动螺纹杆后调整两个第二移动板之间的距离，使得装置能够对不同宽度的交换机进行夹持固定。
CN115912195A	一种手动式快速剥皮装置本发明公开了一种手动式快速剥皮装置，包括，剥线主体，包括握杆，所述握杆的顶端设置有安装壳，所述安装壳内的底端设置有下刀套，所述安装壳内的顶端设置有上刀套，所述下刀套和上刀套的两侧均设置有按压机构和固定机构，所述握杆顶端的右侧设置有推压机构，所述安装壳为椭圆形设置，其中心开设有椭圆形开口，所述上刀套固定安装在安装椭圆形开口的顶端，所述下刀套活动连接在椭圆形开口的底端，所述下刀套和上刀套均包括刀壳和刀片，所述刀片呈“H”型，且刀壳的前端开设有与刀片相匹配的H型槽，本发明主要采用套管式剪切方式剥皮，上下左右刀片同时进行，既安全，又经济；既快速，又简单；既便于推广，又适用性较高。
CN115912194A	智能式电缆剥线装置及控制方法本发明属于电力设施维护装备领域，提供了一种智能式电缆剥线装置及控制方法，包括电控模块和剥线装置，电控模块与剥线装置电连接，在电控模块设有主控芯片，主控芯片根据电缆的参数控制剥线装置进行剥线操作；在剥线装置设有底板，在底板上设有多个导柱，座板与导柱滑动连接，在底板与座板之间设有升降电机，以驱动座板升降，在座板上设有切割电机，用于切割电缆的保护层；主控芯片输出频率参数控制切割电机的转速，主控芯片输出转角参数控制升降电机的升降高度，以座板升降的高度控制切割电缆保护层的深度。本发明通过采用录入或拍摄电缆端面的方式，获得电缆的参数，智能的控制剥线装置精确切割保护层，完成电缆接头的制作。
CN115912193A	一种海底电缆埋设装置本发明公开了一种海底电缆埋设装置，涉及海底电缆施工设备技术领域，包括水下动力装置和缓冲装置，水下动力装置包括壳体，壳体设有用于石料通过的通孔，缓冲装置包括两个对称设置的夹板和连接两个夹板的柔性缓冲件，壳体设于两个夹板之间，两个夹板的上端都与壳体连接，柔性缓冲件设于通孔的下方，柔性缓冲件向下倾斜设置。本发明能够减轻抛石过程中对海底电缆的损害。
CN115912192A	线缆防牵拉保护装置及其使用方法本申请公开了线缆防牵拉保护装置及其使用方法，属于线缆保护装置技术领域。包含：外壳，外壳两侧开设有滑孔，外壳内部对应滑孔对称设置有用于对线缆缓冲的缓冲组件，外壳的内部固定设置有用于防过拉警报的蜂鸣器；本申请由于采用了缓冲组件对线缆的牵拉进行缓冲，并且可带动线缆自动复位，所以有效解决了线缆难以自动复位继续进行防牵拉保护的问题，进而实现了当线缆受到牵拉力时，线缆带动缓冲组件运动对拉力缓冲，当缓冲组件在线缆的带动下移动一定程度时会触发外壳内部的蜂鸣器进行警报，进而防止继续牵拉对线缆造成损伤，当消除牵拉后，缓冲组件带动线缆自行复位，可继续对线缆进行防牵拉保护。
CN115912191A	一种穿线器本发明提供了一种穿线器，本发明穿线器中的弯管汇流器通过第一套管、环形垫片和卡簧转动设置在第一转轴上的，弯管汇流器除了可以上下转动，也可以左右摆动，并且在弯管汇流器对内出口上设置有由排绳板、带有第一推杆的第一偏心轮和排绳电机组成的排绳辅助装置，排绳板上平行设置有第一滑槽和第二滑槽，第一滑槽和第二滑槽的滑动方向与排绳板往复运动方向垂直，弯管汇流器的对内出口和第一推杆分别插入第一滑槽和第二滑槽，通过这样设置，第一偏心轮在排绳电机的驱动下可以使得弯管汇流器在收线时左右往复运动，收到线轮上的线绳就不会集中收在一起产生夹线现象，线轮上的线绳收集的更加均匀。
CN115912190A	一种穿线管穿线方法与引线器本发明提供一种穿线管穿线方法与引线器，涉及建筑施工技术领域，包括系线器，所述系线器的内部设置有固带器，所述固带器的外表面设置有缎带，所述系线器和顶部套设有紧固环，所述系线器的底部开设有系线孔，所述系线器的顶部开设有固带器槽，所述固带器设置在固带器槽所在位置处，所述固带器的形状为长方体，所述固带器的四周均开设有倒角，实际使用时，通过设置系线器、固带器、缎带和紧固环，利用给穿线钢丝提供牵引力的方式，从而使得穿线钢丝能够很轻松穿通穿线管，特别是在多管联通的情况下不会出现走错管道的情况。
CN115912188A	一种通讯设备电缆拉线装置及操作方法一种通讯设备电缆拉线装置及操作方法，包括机架、滑块、凸轮杆、夹头、曲柄、连杆，所述机架中间具有滑槽,滑槽底部具有腰槽，滑槽右侧具有V槽,滑槽左侧具有齿轮架,齿轮架上部具有上下两个齿轮孔,齿轮架后侧具有电机座,滑槽左右两侧具有对称的两个驱动槽,驱动槽分为右缓冲段、夹紧段、输送段、分离段、左缓冲段、过渡段、回程段几个部分，机架下部具有底板,底板左侧具有支撑板,支撑板上部具有支撑板孔,支撑板孔后侧具有电机板，滑块下部具有竖板,竖板下部侧面具有滑块销,滑块上部具有夹紧座,夹紧座两侧具有对称的两个方孔，曲柄一侧具有转轴。
CN115912186A	一种碳纤维专用卡线器及该卡线器制备工艺本发明公开了一种碳纤维专用卡线器及该卡线器制备工艺，包括：固定件，以及沿固定件长度方向分布的固定模块，所述固定模块与固定件拆卸连接；固定模块包括用于夹持碳纤维复合芯导线的上固定部和下固定部，上固定部和下固定部通过螺栓组件连接。本发明根据实际使用的要求，可以增加减少固定模块的数量，提升施工的灵活性；实现了采用多节螺栓紧固的方式，每个固定模块对碳纤维复合芯导线都是单独的受力点，分段分区域对碳纤维复合芯导线握紧，防止铝线跟碳芯出现滑移的现象，并且通过多个固定模块分布式的握紧方式，最大握力可达300KN，安装方式简单且灵活，该卡线器可以拆分、组合，大幅度提高了施工的便利性及紧线施工时的安全和可靠性。
CN115912184A	一种电缆抬起装置本发明提供了一种电缆抬起装置，包括衬托杆；所述衬托杆滑动连接有托起件，托起件与所述衬托杆间隔角度设置，托起件的滑动方向沿所述衬托杆的长度方向设置；托起件与衬托杆之间的夹角用于放置电缆；所述托起件连接有驱动装置，衬托杆倾斜设置，所述驱动装置驱动所述托起件沿所述衬托杆的长度方向移动，使得所述托起件所处高度变化，带动所述电缆上升或下降；衬托杆的顶端可拆卸连接有移动杆；还包括弹性装置，所述弹性装置的两端分别连接所述移动杆与所述衬托杆，所述托起件将电缆带动至移动杆所在位置，使得所述移动杆倾斜，所述电缆沿着所述移动杆倾斜方向掉落。应用本技术方案可实现不用耗费人力将电缆抬起，节约人力资源。
CN115912178A	一种高压电力线路单相出线平衡装置及方法本发明公开了一种高压电力线路单相出线平衡装置及方法，属于高压电力线路检修技术领域,包括：载人机构，所述载人机构的两端均设置有伸缩机构，靠近所述载人机构的两端处均设置有压力传感器；所述伸缩机构的上端均设置有动力机构；动力遥控器；所述动力遥控器与所述动力机构连接，用于控制所述动力机构的启停；其中，所述压力传感器与所述伸缩机构连接，所述压力传感器向所述伸缩机构发送信号后，所述伸缩机构可进行伸缩动作。通过设置的压力传感器和伸缩机构对安全板的水平进行自动调节，保证高空作业人员处于水平作业面开展作业，提高了高空作业效率，降低了操作风险，另外，本装置通过电机驱动动力轮实现整个装置的移动，相比目前使用的机械出线方式，整体工作效率更高。
CN115912171A	用于绝缘子串拆装的辅助工具本发明公开了一种用于绝缘子串拆装的辅助工具，包括固定组件和导向组件，固定组件的一侧用于与导线固定，导向组件设于固定组件的另一侧，导向组件用于与绝缘子串导向配合，以使绝缘子串沿导向组件进行升降并避开导线。该用于绝缘子串拆装的辅助工具，固定组件与导线固定，以使导向组件位于拆装过程中绝缘子串的升降路径中；如此设置，在将拆掉的绝缘子串下降至地面的过程中，能够利用导向组件进行导向，避免下降过程中卡在导线上，在将新的绝缘子串升至待更换位置时，同样利用导向组件进行导向，以避免上升过程中卡在导线上；同时，由于不会卡在导线上，从而无需工作人员在下方推离卡在导线上的绝缘子串，进而避免发生意外。
CN115912168A	一种带电紧固高压输电线路上螺栓的套筒机构本发明公开了一种带电紧固高压输电线路上螺栓的套筒机构，解决了如何在线路不停电的情况下紧固线路上螺栓的问题；包括绝缘杆（2），在绝缘杆（2）的顶端连接有套筒底座（4），在套筒底座（4）上设置有锥形套筒头（1）；在锥形套筒头（1）的顶端面上设置有六方形沉孔（3），在六方形沉孔（3）外的锥形套筒头（1）的侧壁上，设置有长条形缺口（4）；本发明解决了目前现有技术中10千伏配网线路长时间运行，由于震动等自然原因，线路螺栓在风力等自然因素松动后T型接头垂直触头需要停电才能紧固的问题。
CN115912163A	一种采用无人机挂拆防坠落绳的装置及方法本发明涉及一种采用无人机挂拆防坠落绳的装置，包括固定组件、高空悬吊组件和起吊挂钩，固定组件包括本体和闭锁装置，本体的底端设有开口，本体经开口悬挂在塔材上，本体上连接有防坠落绳，高空悬吊组件的底端与第二机械臂相连；本发明的优点：通过高空悬吊组件和起吊挂钩将本体与无人机相连，由于本体上连接有防坠落绳，因此，防坠落绳挂设只需操作无人机就可将本体挂设在塔材上，使得作业人员能够简单、快速地挂设高空防坠落绳，以便作业人员安全、高效开展登塔检修工作，有效降低了工作人员作业风险和劳动强度，另外，本发明还提供了一种采用无人机挂拆防坠落绳的方法，采用上述的采用无人机挂拆防坠落绳的装置。
CN115912162A	一种可任意伸缩的电动绝缘导线撑杆本发明涉及一种可任意伸缩的电动绝缘导线撑杆，其包括拉杆、可伸缩撑杆、驱动组件、传动组件、夹头组件Ⅰ、夹头组件Ⅱ及自锁块；所述拉杆的一端连接所述可伸缩撑杆的一端，所述拉杆的另一端连接所述夹头组件Ⅰ，所述可伸缩支撑杆的另一端连接所述夹头组件Ⅱ；所述驱动组件和所述传动组件分别设置在所述可伸缩撑杆的内部，所述驱动组件包括电池和电机，所述传动组件包括螺杆，所述电机的输出端连接所述螺杆；所述自锁块分别设置在所述夹头组件Ⅰ和夹头组件Ⅱ的一侧，本发明通过设置自动装置代替人工拉绳，自动调节撑杆两端的延伸和伸缩，有效提高作业效率的同时减少安全隐患。
CN115912161A	一种移动式GIS设备快速充气装置本发明公开了一种移动式GIS设备快速充气装置，包括所述箱体的底端设有底座，所述底座上设有万向轮，所述箱体顶部开设有双开门，所述双开门的一端设有回收管接口，所述箱体的侧壁上设有电气控制箱和手推杆，所述电气控制箱的上方安装有充气管接口；还包括：减震结构，所述减震结构安装在底座的内部；过滤吸附结构，所述过滤吸附结构安装在箱体的内部。本发明通过设有减震结构和过滤吸附结构，使得GIS设备在移动时实现了对内部储气罐进行缓冲减震的作用，且过滤吸附结构能够有效吸收SF6混合气体中的颗粒杂质和油杂质，提高SF6混合气体的纯净度同时避免了颗粒杂质和油杂质对储气罐造成的影响。
CN115912160A	一种具有连锁机构的充气柜本申请涉及充气柜的技术领域，公开了一种具有连锁机构的充气柜，其包括柜体、连接在柜体上的下门、设置在柜体中的隔离接地机构和断路器机构，所述柜体中设置有用于锁定或解锁下门的连锁机构，所述连锁机构包括滑动设置在柜体中的连锁杆、固定在连锁杆朝向下门一侧的锁块、设置在断路器操作轴与连锁杆之间的联动组件、设置在接地操作轴与连锁杆之间的定位组件，所述下门中开设有用于供锁块伸入的锁槽；所述断路器操作轴转动时，所述锁块能在联动组件的作用下移入或移出锁槽，以实现下门的锁定或解锁；所述定位组件能随接地操作轴活动，以将连锁杆定位在下门解锁的状态。本申请在使用时操作人员不易误入带电间隔，安全性高。
CN115912159A	一种泄压防爆式环网柜本发明公开了一种泄压防爆式环网柜，包括有铺线基座构件与泄压防爆部件。该发明装置主要是利用隔离板设置在环网组件的隔离处，这样在设备爆燃后，利用隔离板能够起到一定程度的阻隔作用，实现缓冲的效果，而且由于夹持舱的内内边侧设置有多组交错平行分布的铰链条和合页钢片，这样在壳板结构中形成高温高压后，利用高压的作用，推开合页钢片，使得高温高压的气流通过夹持舱导流到喷口喷射出来，以持续的对于壳板结构进行压力的排除，并且由于连接棒利用连接基座将弧形罩设置在喷口的一端外部，使得喷口在喷射火焰高温气流时，能够进行有效的阻隔，这样能够避免周边的工作人员造成损伤，达到了提升设备安全性降低财产损失的效果。
CN115912158A	一种中置式手车开关触头挡板闭锁装置一种中置式手车开关触头挡板闭锁装置，本发明涉及一种闭锁装置，本发明目的是为了解决变电站10kV中置式手车开关，开关拉出开关舱后柜内静触头外挡板会自动落下，遮挡带电的静触头可以有效防止人身意外触电事故，在工作人员疏忽的情况下打开挡板进行作业，会造成人身触电死亡事故的问题，静触头挡板闭锁组件设置在中置柜体上，滑动挡板由上至下滑动设置在两个导杆上，第一挡板驱动连杆、第二挡板驱动连杆和扭簧和转动连接安装在固定轴上，两个触头固定块安装在滑动手车的前端，每个触头固定块插装在一个第一挡板驱动连杆和一个第二挡板驱动连杆之间，限位组件设置在中置柜体后端，且限位组件顶在静触头挡板闭锁组件上。本发明属于变电站设备领域。
CN115912156A	一种方便检修的高低压开关柜本发明公开了一种方便检修的高低压开关柜，包括开关柜结构，所述开关柜结构包括开关柜主体，开关柜主体的内壁上固定连接有位于其顶部的上隔断板，开关柜主体的侧面上开设有位于上隔断板上方的散热孔；通过定位翻转结构，使抽屉结构能够向一侧翻转，以便将开关柜结构左侧的空间空出来，方便人们对抽屉结构上的元器件和开关柜结构内部的元器件进行检修，通过拼接结构将间距扩大结构释放，使间距扩大结构能够伸长，通过伸长的间距扩大结构带着抽屉结构上的元器件相互远离，增加了元器件之间的间隙，以便人们快速对元器件进行检修，检修工作更容易操作，操作起来简单方便，省时省力，提高了该方便检修的高低压开关柜的实用性。
CN115912155A	一种避雷器手车摇把式位移调节装置本发明公开了一种避雷器手车摇把式位移调节装置，包括位移导轨、驱动装置、锁止装置、调节摇把；所述驱动装置包括驱动基础、输入转轴、传动横轴、输出转轴；所述锁止装置设有一对，所述锁止装置包括锁止腔室、滑移拨杆、传动链轮、锁止滑块。本案所述的一种避雷器手车摇把式位移调节装置，通过锁止装置实现手车调节装置和开关柜之间的自动锁止固定；通过调节摇把带动驱动装置动作，通过对称的两只输出转轴同步驱动，带动手车在前后方向上精准、连续的移动。避免单只螺纹杆驱动引起的两侧受力不平衡导致手车发生偏转乃至卡止的情况。
CN115912154A	一种基于1500V电池系统的商用电储换电站本发明涉及电储换电站领域，特别涉及一种基于1500V电池系统的商用电储换电站。包括外观雨棚、换电通道、通道屋檐、监控室、水平导轨、换电机器人、充电机、充电仓、1500V电池系统、储能变流器、储能电池集成系统、离并网切换柜和EMS能量管理系统；储能变流器与充电机相连，储能变流器与离并网切换柜相连，储能变流器与储能电池集成系统相连，储能变流器将充电之后剩余的电能存储在储能电池集成系统中，储能电池集成系统通过充电机给1500V电池系统充电；这种电储换电站能够实现对1500V电池系统的快速充电；能将富余的电能储存到储能电池集成系统中，外部电源断开时，充电机能够使用存储的电能充电。
CN115912151A	一种冷却箱式变电站本发明公开了一种冷却箱式变电站，其结构包括变电站、散热口、维修门，散热口嵌固于维修门的前端靠下方位置，变电站的左侧与维修门铰链连接，当被风带动的矿石粉末附着在变电站上的顶盖顶部时，当板面短暂失去风力推动后，通过反弹条能够推动限位块沿着底块向下摆动复位，从而使限位块能够带动板面进行摆动复位，反复如此产生的振动，则能够将摆动板上表面附着的矿石粉末振落，通过摆动板复位对收缩块产生的挤压，能够使收缩块沿着打底板向内滑动收缩，从而使收缩块能够在弹片的配合下对摆动板复位对其的撞击力产生撞击缓冲，再通过接触面能够对摆动板复位对其的撞击力进行进一步缓冲。
CN115912147A	一种变电站二次设备检修用安全装置本发明属于检修安全工具技术领域，具体涉及一种变电站二次设备检修用安全装置；包括筒体，筒体内部中空且转动设置有转轴，转轴上缠绕有隔离布，筒体的侧面上设置有隔离布出口，隔离布可从隔离布出口向外伸出，筒体的侧面上设置有连接带，连接带用于将本装置连接或者绑定在其它设备或固定物上，转轴的上端伸出筒体的顶部且侧面上设置有用于转动转轴的凸板，筒体的底部设置有下凹接口，转轴的下端连接有连接插板，连接插板穿过筒体底部设置的插板出口并伸入下凹接口内，转轴上端的内部设置有与连接插板相适配的插孔；本发明结构合理，操作使用方便，可对作业区域进行有效隔离，能适应复杂的作业环境，且连接固定方便牢靠，便于存放。
CN115912144A	一种电力设备外接供电装置本发明涉及电力设备技术领域，尤其是一种电力设备外接供电装置，包括支撑板，支撑板的上侧设有供电装置本体，供电装置本体的右侧固定设有绝缘保护管一，绝缘保护管一的内侧设有导电线一，导电线一的一端与供电装置本体的一侧电性连接设置，绝缘保护管一的一端固定设有连接盒，连接盒的内侧设有绝缘壳，绝缘壳的内侧设有插电座，插电座的一侧与导电线一的一端电性连接设置，连接盒的内侧设有散热机构，该电力设备外接供电装置，供电连接处具有自动散热功能，散热的同时具有防尘效果，具有后备电源供给。
CN115912141A	一种电气柜本申请提供了一种电气柜，涉及柜子领域，其包括中部内管、中部外管、中部电磁阀组、气泵、进出气电磁阀、控制器，中部内管与中部外管串连设置，中部内管围绕柜体的左侧、后侧、右侧设置，中部电磁阀组沿中部内管、中部外管设置，中部电磁阀组控制中部内管与柜体内的左侧空间、后侧空间、右侧空间的连通状态，气泵一端与中部内管中部连接另一端与中部外管中部连接，中部电磁阀组还控制气泵与中部内管、中部外管的连通状态，进出气电磁阀安装在气泵的进气端，通过控制器控制中部电磁阀组、进出气电磁阀的开启或关闭状态切换在柜体内中部空间内产生的气流场，提高散热效率和清灰效率。
CN115912139A	一种高性能抗干扰有源滤波器装置本发明涉及有源滤波器技术领域，且公开了一种高性能抗干扰有源滤波器装置，包括机壳和有源滤波器，所述有源滤波器设置在机壳的内部，所述机壳的底部固定连接有底座，所述机壳的顶端内壁固定连接有散热器，所述机壳的内壁铺设有石墨烯板，所述底座的上表面固定连接有水泵，所述水泵的顶端固定连接有第一输水管，所述机壳位于散热器的顶端固定连接有箱体，所述箱体的顶端固定连接有输水盒，所述第一输水管背离水泵的一端与输水盒固定连接，所述箱体的内部设有多个冷却板，所述冷却板延伸至输水盒的内部。该高性能抗干扰有源滤波器装置，能够降低冷却气体进入装置内部的温度，提高对有源滤波器的散热效率，保证有源滤波器使用性能。
CN115912137A	一种适于室外使用的智能化电气柜本发明公开了一种适于室外使用的智能化电气柜，包括主体柜，所述主体柜的前侧活动连接有柜门，所述主体柜的一侧内壁开设有散热口，所述主体柜的一端对应散热口的位置安装有散热装置，所述散热装置包括固定连接在主体柜一端靠近位置散热口位置的固定盒，所述散热口的内壁靠近前后侧位置均固定连接有T形块，两组所述T形块的外侧均活动连接有活动杆。本发明所述的一种适于室外使用的智能化电气柜，通过启动电机带动风扇头进行旋转散热，其次通过转动手动螺栓拧松，再带动活动架将散热孔进行遮挡后，改变热风进入空腔的内部，有效加速上端堆积的积雪融化，或促进积雪滑落。
CN115912136A	一种配电箱温湿度控制装置温湿度控制器装置主要用于中高压开关柜、端子箱、环网柜、箱变等设备内部温度和湿度的调节控制。可有效防止因低温、高温造成的设备故障以及受潮或结露引起的爬电、闪络事故的发生。本发明针对配电箱在工作的复杂环境要求，设计了一种配电箱温湿度控制装置，由配电箱和温控箱两个结构构成。在温控箱中，使用半导体制冷片代替分立的加热系统和制冷系统，通过两路通风管与配电箱相连，在连接处由两个开关阀控制通风大小；在配电箱中含有温度采集模块与湿度采集模块与STM32微控制器连接，STM32微控制器接收到温湿度传感器信号后通过发出不同占空比的PWM脉冲信号对两个开关阀阀进行无级调节；最终控制冷风和热风的流量使配电箱中各电子元器件周围工作温度维持在一个稳定的范围内，保证配电箱的正常运行。该装置具有结构简单、半导体制冷片同时代替制冷和制热系统、无级调节、可控温差范围大、精度高等特点，展现了极大的应用前景。
CN115912132A	开关柜智能控温除湿装置本发明公开了开关柜智能控温除湿技术领域的开关柜智能控温除湿装置，所述柜体的左右侧壁顶部均设置有散热窗，所述柜体的左右侧壁底部均装配有进风组件，所述柜体内侧壁上固定装配有防潮组件，所述柜体内腔左右侧壁顶部固定装配有和散热窗相对应的出风组件，所述柜体的底部一体成型设置有固定在水冷器顶部的导热底座，所述柜体的内腔顶部中间固定有温湿传感器组，所述柜体的内腔顶部左右两侧均固定装配有风冷器，能够保证室内温度更加平均稳定，使用效果更佳，进风组件能够保证柜体内部空气的流通，能够保证对进入空气的过滤除湿性，防潮组件能够通过内部的电加热铜片加热释放热量，能够促使柜体内部的水分蒸发，提高除湿防潮效果。
CN115912127A	一种散热性能好的高低压电力柜本发明公开了一种散热性能好的高低压电力柜，涉及高低压电力柜技术领域。该散热性能好的高低压电力柜，包括高低压电力柜本体，所述高低压电力柜本体内部设有杂质清理机构和杂质收集机构，所述杂质清理机构包括两个方形导热管体，两个所述方形导热管体分别固定连接于高低压电力柜本体内腔两侧壁。该散热性能好的高低压电力柜，通过杂质清理机构的设计，可以当方形导热管体与方形磁性活塞之间的密封气体受热膨胀时，此时会通过磁性带动L形磁性板进行移动，当清理毛刷外表面与圆形进风孔内壁相接触时，从而达到对圆形进风孔内壁粘附的灰尘和杂质进行清理的工作效果，防止由于在长期使用中圆形进风孔产生堵塞造成难以散热的问题出现。
CN115912124A	一种具有加强结构柜体的电气柜本发明涉及电气柜技术领域，具体为一种具有加强结构柜体的电气柜。在本发明中，在柜体本体的两侧外部加强杆，可对柜体本体进行加强保护，有效增加柜体本体的防撞能力，避免柜体本体因为碰撞出现变形的情况；当外部加强杆受到碰撞时，抵触挡杆同样会被碰撞，当抵触挡杆受到碰撞时，抵触挡杆会向凹槽的内部移动，同时联动穿杆会被顶动并发生移动，在联动穿杆移动的过程中，在槽内挡板的作用下，第二弹簧会发生蓄力形变，便于后续的抵触挡杆的复位，移动的联动穿杆会对活动型支架进行顶动，使得活动型支架远离柜体本体的内壁，这样则可以避免柜体本体在因为碰撞发生形变时，柜体本体形变的部分不会对活动型支架上的电器件造成损伤。
CN115912122A	一种防尘防震机柜本申请涉及一种防尘防震机柜，涉及机柜的技术领域，一种防尘防震机柜，包括：机柜、减震装置和降尘装置，机柜包括第一门板、第二门板、内柜和外柜；内柜安装在外柜中且内柜与外柜之间留有间隙，内柜一端侧壁开口，第一门板与内柜开口内壁转动连接，第一门板能够封闭内柜开口；外柜一端侧壁开口，且外柜开口方向与内柜开口方向相同，第二门板与外柜开口内壁转动连接，第二门板能够封闭外柜开口；外柜上开设有第一散热孔，内柜上开设有第二散热孔；降尘装置包括驱动组件和降尘扇，驱动组件能够连接第二门板与降尘扇使第二门板在打开的过程中带动降尘扇转动；降尘扇朝向第一散热孔方向设置。本申请具有减少人工清灰过程的效果。
CN115912117A	一种电源箱本发明涉及电力工程技术领域，具体提供了一种电源箱，包括电源箱主体，所述电源箱主体两侧内壁均固定安装有固定座，两个所述固定座内侧均通过设置的滑动件连接有排线板，所述排线板前端安装有多组U形架，所述排线板和电源箱主体后端内壁均开设有连通的通槽，对应所述电源箱主体后端的通槽内部均设置有滚线组件，所述电源箱主体两侧均设置有散热机构，所述排线板两侧均设置有除网机构，所述电源箱主体前端转动安装有柜门，本发明可方便对电源箱主体内部的线路进行检修，同时又能保证箱体内部的清洁度，减少蜘蛛网的附着。
CN115912116A	一种土木工程施工用临时配电箱本发明涉及配电箱技术领域，尤其涉及一种土木工程施工用临时配电箱。本发明提供一种方便移动，且能够稳定供电的土木工程施工用临时配电箱。一种土木工程施工用临时配电箱，包括有配电箱本体；把手，配电箱本体前部左侧转动式连接有把手；隔离板，配电箱本体左右两侧均连接有隔离板；脱离机构，配电箱本体底部设有脱离机构；升降机构，配电箱本体下部与两个隔离板之间设有升降机构。本发明通过升降杆往下移动与地面接触，实现升降杆与滑轮的转换，如此，能够避免配电箱本体在供电时，滑轮会因外界因素而发生移动，稳定性较好，将滑轮往下转动复位与地面接触后，直接推动配电箱本体，即可方便配电箱本体移动。
CN115912115A	一种户内电器开关箱本发明专利适用于电器开关箱技术领域，公开了一种户内电器开关箱，其包括箱体、安装框和固定框，所述箱体一侧开设有第一安装槽，所述第一安装槽内部通过螺栓固定有安装框，所述安装框一侧安装有固定框，所述安装框内部两侧均设有滑槽，所述安装框内部两端均设有夹板，两个所述夹板一侧均均匀安装有复位弹簧，多个所述复位弹簧的另一端均分别安装在安装框的两端，两个所述夹板两侧均固定安装有滑块，所述固定框两侧均设有固定槽，两个所述固定槽内部均固定安装有LED灯带。本发明专利通过在固定框两侧安装有LED灯带，并且在固定框底部安装有蓄电池，可以在室内突然停电时，也可以将LED灯带打开，对电器开关箱内部进行照明。
CN115912114A	壁挂式直流电源箱本发明公开了壁挂式直流电源箱，包括电源箱本体，所述电源箱本体一端设置有箱门，且电源箱本体顶部外壁设置有储存箱，所述电源箱本体两侧设置有多个散热口，且电源箱本体底部开设有多个透气孔，所述电源箱本体下方内壁固定连接有安装板，且安装板外壁设置有多个抽风扇，所述电源箱本体内部上方设置有混合箱，且混合箱内部填充有发泡剂，所述储存箱中部内壁密封固定连接有分隔板，且分隔板两侧空间分别盛放有硫酸铝溶液和碳酸氢钠溶液。本发明当电源箱本体内部失火时，无需人工手持灭火器进行灭火，能够自动进行灭火，在失火初级阶段就能够将电源箱本体中的火灾扑灭，减少火灾带来的损失。
CN115912113A	一种配电箱固定装置本发明提供一种配电箱固定装置，包括安装板，安装板后侧垂向设置升降调节机构，所述升降调节机构左右两侧对称设置多个固定机构，用于与固定物固定连接；所述升降调节机构顶部左右端和所述安装板下部前侧左右分别对称设置主夹紧机构；所述主夹紧机构包括第一凹槽、第二凹槽、调节板和滑杆，调节板垂直固定在第一凹槽底壁，滑杆垂直贯穿调节板并与调节板滑动连接；所述第二凹槽扣合在第一凹槽内并与第一凹槽内壁滑动连接；第二凹槽前侧设置第一夹板，所述滑杆两端分别与第二凹槽后侧壁和第一夹板固定连接；所述滑杆套设第二弹簧，第二弹簧两端分别与第二凹槽后侧壁和调节板固定连接。本发明装置可实现对不同高度或厚度的配电箱的固定。
CN115912109A	一种高效建筑电气节能控制柜本发明公开了一种高效建筑电气节能控制柜，其包括：柜体、隔板、罩体、支架、轴承、第一转轴、第一扇叶、带轮、过滤网、上格栅、下格栅、挡水板、柜门、支脚、第二转轴、固定轴、第一摩擦轮、皮带、活动轴、传动齿轮、滚珠、电动推杆、防滑槽、电机、齿轮轴、转盘、开口、连接块、弹簧、立杆、固定块、软罩、第三转轴、端面齿轮、第二扇叶、连接轴、固定齿轮、第二摩擦轮、蓄电池、光伏板和温度传感器。本发明的有益之处在于其利用外界空气流通实现控制柜内部的散热，能讴歌提高控制柜的散热性能的同时，具有节能效果，同时在散热效果差时通过电机驱动扇叶转动，实现高效散热以满足控制柜的争产稳定工作，提高控制柜的实用性，可实现节能性能。
CN115912106A	一种配电柜本发明属于配电柜技术领域，具体涉及一种配电柜，包括柜体与柜门，柜门可翻转地设置在柜体正面开口处，柜体对向两侧壁的上半部均设置有制冷机构，柜体对向两侧壁的下半部均设置有导热组件；柜体同一侧壁上的导热组件与制冷机构通过导水组件连通，柜体内顶壁设置有出风机构，出风机构与制冷机构通过连接管连通，柜体底壁设置有抽风机构，抽风机构通过输风组件与制冷机构连通，抽风机构抽出柜体内的空气经输风组件向制冷机构输送，以加快推送制冷机构中的冷气输出同时也对制冷机构进行散热，用于解决现今的配电柜无法保证其在具有良好的通风散热效果的同时也具有防尘效果，无法满足使用者的使用需求的问题。
CN115912101A	一种基于微电网配电网控制设备本申请提供了一种基于微电网配电网控制设备，包括：控制柜主体，控制柜主体的顶面固定安装有顶板，顶板的顶面左右两侧通过转轴活动安装有呈左右镜像分布的活动顶棚，除雪机构，设置在控制柜主体内部，除雪机构包括有转柱，控制柜主体的内部固定安装有前后对称的支撑板，两个支撑板之间转动安装有转柱。本发明通过转柱带动凸轮转动，凸轮在转动过程中通过连接杆推动U形挤压杆上下来回移动，U形挤压杆向上移动时对活动顶棚的底面造成挤压，通过U形挤压杆不停的对两个活动顶棚的底面造成挤压，使两个活动顶棚不停的扇动，避免落叶或雪花积累在活动顶棚上。
CN115912099A	一种可悬挂式多用途电气配电柜本发明公开了一种可悬挂式多用途电气配电柜，涉及可悬挂式配电柜技术领域，包括可悬挂式配电柜本体，所述可悬挂式配电柜本体包括搭接底座，所述搭接底座的内部设置有限位搭接机构，所述限位搭接机构包括搭接固定板和外侧防护套圈，所述搭接固定板顶部外表面上活动搭接有配电柜，所述搭接固定板的右侧外表面上固定连接有内侧延伸板。本发明通过配合转动器一对高强度转动轴进行转动，同时配合高强度转动轴一端上的转动盘进行缓慢转动，同时利用转动盘一侧外表面上的内陷锥形挤压轴杆在螺纹杆一的表面上进行滑动，利用内陷锥形挤压轴杆在螺纹杆一的表面上进行贴合，增加与螺纹杆一之间的接触力度。
CN115912093A	一种防水防尘的配电柜本发明公开了一种防水防尘的配电柜，涉及配电柜技术领域，包括低压柜，所述低压柜的上方安装有高压柜，所述低压柜的内部上方安装有卡座，所述卡座的下方安装有第一母线插排，所述第二母线插排的下方安装有隔离板，且隔离板的内部贯穿有第二通线管，所述隔离板的下方安装有空气开关，且空气开关的下方安装有第一接线板，所述第一接线板的下方安装有熔断器，所述高压柜的内部一侧安装有第一主母线接头，所述支母线接头远离第一主母线接头的一侧安装有第二主母线接头。本发明在使用时，具有良好的排气效果，能够有效的排出配电柜内部的水汽，还能除去配电柜内部的灰尘，防止外部的灰尘进入到配电柜的内部。
CN115912082A	一种可带电清洗的高压配电柜本发明公开了一种可带电清洗的高压配电柜，涉及高压配电柜技术领域，包括升降底座，所述升降底座的顶端上固定连接有配电柜，所述配电柜的顶端上可拆卸式安装有防雨组件，所述防雨组件的底端外表面上可拆卸式安装有除尘组件，所述升降底座包括底座外壳，所述底座外壳的内部开设有升降组件安装槽。本发明通过设置除尘组件，在驱动组件的带动下使得除尘叶片匀速旋转产生风力，通过风力可对配电柜表面的灰尘进行清理，结构简单，清洁效果明显，不需要进行移动，从而提高了便捷性，节省工作人员的时间，降低了劳动力，且在风力的配合下既具备除尘效果，又具备对外壳散热的目的，关键是安全性能高的效果。
CN115912075A	一种配电箱的智能配线方法及装置本发明公开了一种配电箱的智能配线方法及装置，涉及配电箱配线技术领域，包括以下步骤，安装智能配线装置：将智能配线装置根据配电柜内部的设备安装情况，将第一组智能配线装置安装在接线端排旁呈与接线端排平行设置。本发明通过使用两组智能配线装置，分别设置在设备和接线排的端子旁，其配线的两端分别穿过两组智能配线装置上的配线座，通过使用者调节显示屏上的数字编号和配线两端的配线座上的数字相同，同时调节提示灯上的灯色，使配线两端的配线座上的提示灯颜色相同，方便后期维护改线时，使用者通过查看配线两端的配线座上的提示灯颜色和数字编号即可快速查找，不需要在配线改线时进行寻线，提高了配线的效率。
CN115912072A	一种便于安装的配电柜本申请涉及一种便于安装的配电柜，一种便于安装的配电柜包括配电柜本体、走线装置和控制器，配电柜本体开有若干线缆入口和线缆出口。走线装置包括固定架、走线机械手和引线架，所述固定架一端固定在配电柜本体内壁，竖直贯穿设置若干呈矩阵阵列的圆孔。走线机械手包括钻头和传动机构A，所述钻头竖直设置在固定架上端，并开设引线孔A和伸缩机构。引线架包括中心轴、辅助线体、优弧圈和传动机构B，中心轴设置在固定架下端，外圈设置优弧圈，外侧连接传动机构B，内壁设置辅助孔，辅助线体穿过辅助孔。本申请的一种便于安装的配电柜，通过走线机械手和引线架将线缆有序固定在固定架上，解决了线缆杂乱引起过热的问题，降低了短路和漏电风险。
CN115912068A	一种配电柜线路安装结构及其使用方法本发明公开了一种配电柜线路安装结构，包括柜体、支管、限位框、橡胶环和弧形环，柜体的正面活动安装有箱门，柜体内部的两侧均固定安装有竖直框，竖直框的两侧均固定安装有若干水平框，水平框的顶部和底部均开设有若干定位孔，水平框和竖直框的连接处设置有弧形面。通过设置的乳胶环，而后在排线完成以及固定后，可以将总线缆外侧的乳胶环和支筒进行固定位置，此时可以将支筒外侧的螺纹对接螺纹槽，并通过支柱转动支筒使得支筒可以逐步移动到支管的内部，并且乳胶环的软质形变可以贴合在总线缆的外侧，整体便于固定位置，同时配合弧形边避免摩擦增加了总线缆的使用寿命，便于稳固结构使用效果，整体使用效果好。
CN115912066A	一种水下分电站及其安装方法本发明涉及水下设备技术领域，具体涉及一种水下分电站及其安装方法。水下分电站，包括：安装底座，其上垂直安装有多个限位柱，多个限位柱之间围合成安装空间；承压罐体，固定安装在安装空间内，且承压罐体与安装底座之间固定连接，承压罐体上设置有多个接线端口，多个接线端口分别与不同的线缆配合连接；盘缆架，固定安装在安装底座上。通过安装盘缆架，并将线缆安装指定分类预先固定在盘缆架上，当水下分电站在水下固定完成后在对线缆进行安装，能够有效避免水下多根线缆之间相互交缠造成的线缆安装施工困难。能够降低水下分电站中线缆的布线难度和分电站的安装难度，降低施工人员的施工风险。
CN115912062A	一种输变电线路用驱雷装置本发明公开了一种输变电线路用驱雷装置，属于驱雷设备技术领域，解决了杆塔上端驱雷装置安装困难的技术问题。其包括中心体，中心体的上端可拆卸式固定设有多个向外发散延伸的支杆，每个支杆的外端均固定设有若干向外发散延伸的尖针；中心体的下端固定连接有撑杆，撑杆的下端固定连接有底板，底板的左端固定连接有向左延伸的第一横杆，底板的右端固定连接有向右延伸的第二横杆，第一横杆上设置有用于卡接杆塔上端横担的第一夹持组件，第二横杆上设置有用于卡接杆塔上端横担的第二夹持组件。将第一夹持组件夹持在杆塔上端的左横担上，将第二夹持组件夹持在杆塔上端的右横担上，夹持过程方便快捷，轻松省力，提高杆塔高空作业的工作效率。
CN115912060A	一种动作次数智能统计的多腔室灭弧间隙本发明公开了一种动作次数智能统计的多腔室灭弧间隙，包括高压电极，包括配网输电线路和针式绝缘子，高压电极设置与配网输电线路上，且与针式绝缘子并联安装；以及多腔室灭弧单元，其上部为若干层环形结构组成的具有灭弧功能的多腔室结构；淬弧动作次数统计单元，设置多腔室灭弧单元的下部，淬弧动作次数统计单元包括供能电源、故障电流监测模块、数据采集控制器、数据存储以及通讯模块。本发明的有益效果为可实现装置淬弧动作次数和装置淬弧时间统计，且能够长期免维护、独立供能，为线路维护检修工作人员确定线路的运行情况和故障易发位置提供参考。还可避免高压击穿和长期高压造成的绝缘损坏等故障，保证装置可靠稳定运行。
CN115912059A	配电线路过电压保护装置本发明属于电力设备技术领域，其公开了一种配电线路过电压保护装置，过电压保护组件、线夹以及可调节连接件，其中，过电压保护组件用于保护配电线路，以防止配电线路因遭到雷击而损坏；线夹用于将过电压保护组件的接线端连接在配电线路上；可调节连接件用于将过电压保护组件固定在配电线路上；过电压保护组件包括间隙过电压保护器、引流导线、绝缘连接座以及连接片，间隙过电压保护器的侧部具有两个对称设置的放电电极。本发明提供的配电线路过电压保护装置主要由过电压保护组件、线夹以及可调节连接件组成，在线夹以及可调节连接件的相互配合作用下可以方便地安装在不同高度的配电线路上。
CN115912057A	具有电子扩展结构的激光器及其生长方法本发明公开了一种具有电子扩展结构的激光器及其生长方法。所述具有电子扩展结构的激光器包括沿指定方向依次设置的n型限制层、第一波导层、发光层、第二波导层、p型限制层和p型欧姆接触层；所述激光器结构还包括n型电子扩展层，所述n型电子扩展层设置在所述n型限制层与第一波导层之间，并且所述n型电子扩展层的势垒高于所述n型限制层和第一波导层中任一者的势垒，以使自所述n型限制层向发光层移动的电子被所述n型电子扩展层阻挡而降低移动速度。本发明提供的一种GaN基激光器的制作工艺简单、可重复性好，有利于减低GaN基激光器的阈值电压、提升激光的发光效率，达到增加激光器寿命等的效果，更适合工业化生产。
CN115912056A	一种多渐变脊波导DFB激光器芯片本发明公开了一种多渐变脊波导的DFB激光器芯片，其在衬底上形成至少两个激光器腔；各激光器腔沿y方向的两端面分别为HR涂层解理面和AR涂层解理面；各激光器腔沿y方向刻蚀有一呈喇叭形的脊条，脊条的窄端位于HR涂层解理面，脊条的宽端位于AR涂层解理面，由此使得脊条的等效折射率沿y方向发生变化。相对于传统多激光器腔均匀宽度脊波导的DFB激光器芯片，本发明的单模测试成本更低。本发明的相邻两激光器腔内的起始光栅之间具有△L的相对位置差，使得两激光器腔的HR涂层解理面处于不同的光栅位置，由此确保至少有一个激光器腔的HR涂层解理面在光栅处的位置处于或接近所需范围，从而使该DFB激光器芯片具有较高的SMSR，单模良率可达到100%。
CN115912055A	一种大功率低发散角半导体激光器芯片本发明涉及一种大功率低发散角半导体激光器芯片，属于半导体激光器领域，层叠结构包括自下到上依次设置的N面金属、衬底、N型限制层、N型波导层、量子阱层、P型波导层、P型限制层、绝缘层以及P面金属；脊波导沿激光器芯片的出光方向延伸，脊波导两头宽中间窄；电流注入区形成于脊波导上，隔离槽区形成于靠近腔面的脊波导以及两侧区域，深沟槽区形成于脊波导两侧，其在出光方向为三角形，靠近腔面处宽度大。本发明可以有效消除了热透镜效应，大大降低慢轴发散角，同时，脊波导采用两头宽的形势，降低了载流子在脊波导边缘的堆积效应，消除近场光斑中边缘区域功率较强的尖峰，避免局部光场过强导致腔面损伤，大大提高了器件的长时间可靠性。
CN115912054A	一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法本发明实施例公开了一种硅基FP激光器件、集成可调谐激光器及其制备方法。在一具体实施方式中，该器件包括硅衬底；形成在衬底上的第一导电类型的第一接触层；形成在第一接触层上的第一电极和耦合腔结构；所述耦合腔结构包括形成在第一接触层上的下波导光限制层和III‑V族量子点有源层，以及形成在量子点有源层上的第一脊型波导和第二脊型波导以及其间的隔离槽，每一脊型波导包括依次形成的上波导光限制层、第二导电类型的第二接触层和第二电极。该实施方式工艺简单，避免了使用传统分布式反馈激光器的布拉格光栅和二次外延技术，可实现较大的激光阵列波长覆盖范围，适用于低成本大规模硅光集成芯片生产。
CN115912052A	一种新型半导体深紫外垂直腔面发射激光器结构本发明涉及一种新型半导体深紫外电注入式垂直腔面发射激光器结构，沿着材料的生长方向，从底部到顶部包括：衬底、衬上复合层、量子有源层、基于氮化铝镓的电子阻挡层和电注入隧穿反射复合层，该层包括基于量子隧穿效应的p‑UTi‑n型氮化铝镓结构和分布式布拉格反射层，UTi为超薄隧穿关联层，衬上复合层包括n型的氮化铝镓层和分布式布拉格反射层，n型的氮化铝镓层含有的铝组分大于等于20％，反射层的反光波段峰值在240纳米到350纳米之间，衬上复合层中的反射层在反光波段的反光率在80％以上，有源层包括氮化镓、氮化铝镓及氮化铝外延材料组成的量子阱、量子点和量子盘结构，有源层的发光波段位于260纳米到340纳米之间，基于氮化铝镓的电子阻挡层的掺杂元素为镁、锌或铍元素，n型氮化铝镓结构厚度大于等于50纳米，本发明是实现深紫外波段电注入垂直腔面发射激光器最有效方法，具有大幅度提高深紫外电注入垂直腔面发射激光器结构的出光效率和简化制备工艺的技术效果。
CN115912051A	一种调频速率可变的激光线性调频装置及其调频方法一种调频速率可变的激光线性调频装置及其调频方法，包括宽带可调谐激光器、微光学透镜、分束器、可调光延时非平衡MZ干涉仪、平衡光电探测器、鉴相器、环路滤波器、升/降开关控制电路和积分器。可调光延时非平衡MZ干涉仪包含两个耦合器和一个可调光纤延迟线单元，由干涉仪上下两臂线性调频光频率与时间的关系可得，当可调光纤延迟线单元的延时量发生改变时，就可改变输出激光的调频速率。本发明利用可调光纤延时线改变光的时延，可达到改变调频速率的目的。
CN115912048A	一种窄线宽激光器本发明公开了一种窄线宽激光器。该激光器包括：半导体光放大器、光栅辅助垂直耦合器，以及在激光器包层材料中蚀刻的第一下层无源波导、第一微环滤波器、第二微环滤波器、第二下层无源波导和上层无缘波导；半导体光放大器的输出端与第一下层无源波导的输入端连接，第一下层无源波导、第一微环滤波器、第二微环滤波器、第二下层无源波导依次耦合；第二下层无源波导与上层无缘波导设置于不同的平面，通过光栅辅助垂直耦合器进行耦合；第一微环滤波器和所述第二微环滤波器的大小不同，第一微环滤波器和第二微环滤波器形成游标滤波效应；光栅辅助垂直耦合器对第二下层无源波导中的光波进行光栅选模。实现了小尺寸、窄线宽、波长调谐功能的激光器。
CN115912047A	具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器具有一步成型微结构及外凸锥形光放大器的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。现有技术难以兼顾锥形半导体激光器的输出光功率和输出光质量。本发明其特征在于，跨层脊形主振荡器与外凸锥形光放大器的厚度相同，均从上波导层向下跨越有源增益层止于下波导层某一高度位置；在跨层脊形主振荡器两个侧面上制作有上下走向的条形光栅，外凸锥形光放大器具有两个外凸侧面，外凸侧面是由上下走向的若干个部分柱面组成；跨层脊形主振荡器的里端与外凸锥形光放大器的窄端相通，跨层脊形主振荡器的里端与外凸锥形光放大器的窄端的宽度相同；跨层脊形主振荡器的外端端面或者外凸锥形光放大器的宽端端面为半导体激光器的出光面。
CN115912045A	电吸收调制激光器芯片及激光器芯片封装结构本发明公开了一种电吸收调制激光器芯片及激光器芯片封装结构，电吸收调制激光器芯片包括：衬底，衬底具有相对的上表面和下表面；激光发射部分，位于衬底的上表面，用于发射激光；调制部分，位于衬底的上表面，用于对激光发射部分发出的激光进行调制；背金属电极层，位于衬底的下表面；接地电极，位于衬底的上表面，并临近调制部分设置，且与背金属电极层相电性连接；信号电极，位于衬底的上表面，临近接地电极和调制部分设置，且与调制部分相电性连接；波导结构，耦合连接激光发射部分与调制部分。便于将激光器芯片封装之后，缩短信号回路和接地回路的传输路径，从而降低引线产生的寄生电感，提高激光器芯片的封装带宽，同时兼容直流和交流匹配。
CN115912044A	片上激光器及其形成方法本申请实施例提供一种片上激光器及其形成方法，该方法包括：提供基底，其中，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的有源层，所述有源层的材料包括掺杂稀土离子的铌酸锂；在所述基底上形成加载波导，其中，所述加载波导包括两臂采用布拉格光栅结构的马赫曾德尔波导，或者，所述加载波导包括与输入端连接的侧壁采用布拉格光栅结构的谐振腔波导和与输出端连接的马赫曾德尔波导；在所述马赫曾德尔波导两臂的两侧沉积形成调制电极。
CN115912043A	激光器本申请公开了一种激光器，属于光电技术领域。所述激光器包括：基板、第一框体、发光芯片、反射部件、波长转换部件和密封盖；基板与第一框体固定，发光芯片、反射部件和波长转换部件均位于基板上且被框体包围，密封盖位于第一框体远离基板的一侧；反射部件位于发光芯片的出光侧；反射部件呈棱柱状，反射部件中靠近发光芯片的表面为倾斜面，倾斜面朝向远离基板的一侧；波长转换部件位于倾斜面上；发光芯片发出的激光射向波长转换部件，波长转换部件用于在激光的激发下向密封盖发出荧光，密封盖用于透射荧光，荧光的颜色与激光的颜色不同。本申请解决了激光器的使用灵活性较差的问题。本申请用于发光。
CN115912041A	一种氢气氘气混合气体2-6μm中红外波段多波长拉曼激光输出装置本发明公开了一种氢气氘气混合气体2‑6μm中红外波段多波长拉曼激光输出装置，通过在拉曼池中填充氢气和氘气两种拉曼活性气体介质，以高峰值功率的1064nm激光泵浦，在拉曼池内生成2920nm和4432nm的振动拉曼光，以及2071nm、2266nm、2604nm、3322nm、3743nm和5431nm的转动拉曼光。通过在拉曼池中四波混频并受激拉曼放大输出，可有效地降低中红外拉曼光输出的阈值能量，实现高效率2‑6μm中红外波段多波长拉曼激光输出。
CN115912037A	一种光频梳重复频率锁定方法及装置本发明公开了一种光频梳重复频率锁定方法及装置，采用腔长调整促动器对光频梳进行重复频率锁定，当腔长调整促动器的锁定状态处于临界阈值状态时，通过调整光频梳光学系统的光学延迟线调整光频梳的重复频率，以保持腔长调整促动器对光频梳的重复频率锁定。光学延迟线辅助控制系统可以实时判断腔长调整促动器精密控制系统的锁定状态，实现缓慢大范围调整光频梳重复频率，维持光频梳锁定状态不变，能够在环境温度变化大，环境条件复杂的情况下，实现光频梳重复频率高精度、长时间锁定。
CN115912036A	光纤拉伸器以及频率可调的全光纤超短脉冲激光器本发明涉及超短脉冲激光器，具体涉及一种光纤拉伸器以及频率可调的全光纤超短脉冲激光器，以解决现有飞秒脉冲激光器在调节重复频率时，存在结构复杂，体积变大，集成性差，以及调节频率范围较小的问题。本发明所采用的技术方案为：一种光纤拉伸器，包括压电陶瓷板；沿y轴对称设置的固定板和受力板；沿x轴对称设置的第一放大板和第二放大板，且第一放大板和第二放大板为T形结构；设置在固定板和第一放大板之间的第一连接板，设置在固定板和第二放大板之间的第二连接板，设置在受力板和第二放大板之间的第三连接板，以及设置在受力板和第一放大板之间的第四连接板。本发明还提供一种频率可调的全光纤超短脉冲激光器。
CN115912030A	一种腔内ZGP-OPO中红外激光器本发明提供了一种腔内ZGP‑OPO中红外激光器，包括激光增益晶体、调Q晶体、半波片、激光谐振腔和ZGP‑OPO谐振腔，所述激光增益晶体、调Q晶体、半波片、ZGP‑OPO谐振腔设置于激光谐振腔内，所述激光谐振腔不设置输出镜。本发明把ZGP‑OPO谐振腔放置于激光谐振腔内，使的腔内振荡激光经过ZGP晶体，并将激光谐振腔的输出镜换成全反镜，提高了腔内功率密度，进而可以提高ZGP‑OPO转换效率。同时无需激光到ZGP晶体的光束变换，降低调试难度。当ZGP晶体的膜层出现损伤时，激光由于损耗增大停止振荡，不会继续损伤ZGP晶体，对昂贵的ZGP晶体起到保护作用。
CN115912027A	一种高泵浦效率低非线性效应的光纤激光器本发明公开了一种高泵浦效率低非线性效应的光纤激光器，依次连接的种子源、隔离器、第一环形器、第一合束器、第一增益光纤、光纤光栅、第二增益光纤、第二合束器、第二环形器，还包括第一泵浦源、第二泵浦源和输出准直器；光纤光栅为全反射光栅，中心波长与种子光波长一致，设置于第一增益光纤和第二增益光纤之间；利用光纤光栅，实现种子光的原光路反射与二次放大，同时泵浦光传输到光纤光栅时会透射过去继续传输。本发明在增益光纤较短的情况下能增加种子光与增益光纤的作用距离，对种子光的进行二次放大的同时有效抑制光纤激光器中的自发辐射效应和非线性效应，同时对剩余泵浦光进行二次利用，有效提高泵浦效率，提升光纤激光器性能。
CN115912020A	一种激光器的晶体冷却装置本发明涉及一种激光器的晶体冷却装置，激光器的晶体冷却装置包括晶体安置腔体、晶体夹具、循环冷却结构，晶体安置腔体包括晶体安置腔壳体以及晶体安置腔，晶体安置腔壳体上设有安装口，晶体夹具通过安装口伸入晶体安置腔，循环冷却结构包括缓冲腔体、冷媒进管、冷媒出管，缓冲腔体包括冷却腔壁和冷却内腔，冷媒进管、冷媒出管均与冷却内腔相通，缓冲腔体用于缓冲由冷媒进管进入的冷媒，冷媒出管用于供冷却内腔中吸收热量后的冷媒排出；晶体夹具包括夹持部和冷却部，夹持部用于固定激光晶体，晶体夹具的冷却部与缓冲腔体的冷却腔壁固定并导热接触，通过形成循环冷却，有利于减小体积，使用灵活方便。
CN115912019A	一种使用含软磁材料磁场的切伦科夫振荡器本发明涉及一种使用含软磁材料磁场的切伦科夫振荡器，本发明包括振荡器腔体和振荡器腔体外侧环绕设置的含软磁材料磁场，含软磁材料磁场包括从内到外依次环绕设置的磁场支架、软磁材料和螺线管磁场。本发明在磁场设计中采用软磁材料和螺线管磁场结合的磁场模型并优选设计，改变了磁力线位形，进而改变了电子束运行轨迹，该种设计增加了阴阳极间距的同时，保持了电子束和慢波结构间的紧密束波作用；同时本发明克服了通常相对论切伦科夫振荡器难以兼顾长脉冲运行与高功率转换效率的问题，且该结构简单、易于加工。
CN115912015A	插拔装置和电子器件的插拔方法本申请提供一种插拔装置和电子器件的插拔方法，用以简化插拔装置的结构，降低插拔装置的成本。插拔装置包括运动机构和夹持机构。运动机构可沿Z轴方向移动。夹持机构安装于运动机构的一侧。夹持机构包括两个夹持组件和驱动器，沿X轴方向上，两个夹持组件相对设置。驱动器驱动至少一个夹持组件沿X轴方向移动，两个夹持组件夹紧电子器件，运动机构沿Z轴方向移动，且带动夹持机构沿Z轴方向移动，将电子器件插入电子设备的插槽，或，将电子器件自电子设备的插槽拔出。
CN115912014A	接线盒生产系统本发明公开了一种接线盒生产系统，包括第一生产线、第二生产线和翻转换线装置；所述第一生产线包括第一传送带、铜基片上料装置、二极管上料装置和二极管固定装置；所述第二生产线包括第二传送带、锡块上料装置和加热装置；所述第二传送带包括耐热滑轨和铜基片滑座，所述铜基片滑座可滑移地设置在所述耐热滑轨上并用于供铜基片放置；本发明能够实现铜基片两侧分别固定二极管和锡块的自动化生产，提高了接线盒的生产效率。
CN115912012A	插座固接设备及固接工艺本申请涉及插座装配的技术领域，尤其是涉及一种插座固接设备及固接工艺，其包括机架和转动设置在机架上的转盘，所述转盘上均布设置有多个用于放置插座的工装，还包括依次设置在机架上的插座进料装置、通电检测装置、压铆装置、螺栓拧紧装置、出料装置和铆钉进料装置，所述插座进料装置、通电检测装置、压铆装置、螺栓拧紧装置、出料装置和铆钉进料装置依次均布围绕转盘、并与多个工装一一对应；所述插座进料装置用于将插座放置到工装上，所述压铆装置用于将铆钉铆合在插座上。本申请具有便于将接地架装配在插座上的效果。
CN115912010A	一种银基电触头线材制备方法本发明公开了一种银基电触头线材制备方法，其特征在于：该方法通过热挤压方式成型，其包括以下步骤：(1)将银基触头圆锭进行烧结、复压后，装入加热炉进行挤压前预热；(2)在挤压筒内部采用火焰喷涂纯银涂层圈套；(3)将加热好的银基触头圆锭放入含纯银涂层圈套的挤压筒内部，挤压成线材，获得挤压丝；(4)对挤压丝进行电解去除线材表面银层，得到内外层组织一致的银基触头线材。本发明的优点是：该方法使得制备的银基电触头线材具有连续均匀形变能力。
CN115912005A	端子压接装置以及端子压接方法本发明提供一种能够在使芯线与筒部的基部面接触的状态下压紧筒部的端子压接装置。端子压接装置(1)通过将端子的芯线筒部夹在砧座(21)芯线压接器(32)之间而以包住线缆(5)的芯线(50)的方式进行压紧。端子压接装置(1)具备：按压部(35)，与芯线压接器(32)并列设置，通过芯线压接器(32)的向接近/分离方向的移动能够相对于线缆(5)接近/分离，在芯线筒部(41)的压紧之前先与线缆(5)接触并受到推压力的同时，以使芯线(50)与芯线筒部(41)的基部面(41B)接触的方式挤推线缆(5)；和限制部(27)，与使芯线(50)与基部面(41B)接触的按压部(35)干涉，限制按压部(35)对线缆(5)的挤推。
CN115912002A	一种高压电缆中间接头防火方法本发明涉及一种高压电缆中间接头防火方法，包括防火接头，所述防火接头包括至少两根独立的电缆，缆线A和缆线B，接管、过渡用中间接头、铜制导体、屏蔽层、保护套、半导电层；本发明提供的一种高压电缆中间接头防火方法，通过防火接头设计，强化了电缆中间接头的整体强度，通过保护套内设置电缆防火型密封填料，能够隔绝外部热量，避免电缆受到高温侵袭中间接头部分产生高温型形变和自燃现象的发生；通过锥形设计的接管配合过渡用中间接头连接铜制导体，能够均匀电缆接头部分的电场，减低电流抗阻，进一步有效的降低了电缆中间接头部分的温度效果。
CN115912001A	一种带有定位机构的接头电缆用加工装置本发明涉及一种带有定位机构的接头电缆用加工装置，包括加工台，所述加工台底部的正面固定连接有控制器，所述加工台顶部正面的两侧均固定连接有固定架，位于所述加工台左侧的固定架上卡接有收卷辊，所述固定架靠近收卷辊的正面固定连接有驱动电机。通过设置一级定位机构，根据现场需求，对收卷辊和放卷辊进行定位夹持处理，同时也便于收卷辊和放卷辊的拆卸工作，通过设置二级定位机构，由第二电动推杆提供动力源，再由固定座、滑套、升降架、升降杆、移动座和定位槽的配合，对接头电缆缆线的两侧进行同步定位处理，利于接头电缆缆线的切割工作，以防接头电缆的缆线出现松动位移，提高接头电缆的切割加工精准度。
CN115912000A	一种自动打拔式临时接地装置本发明涉及一种自动打拔式临时接地装置，属于临时接地技术，解决了现有技术中传统接地柱接地不牢固和拔出困难的问题。一种自动打拔式临时接地装置，包括减速电机和固定筒，两者之间固定连接；所述固定筒为空腔结构，其内表面焊接有导向块，且所述固定筒的空腔配合连接有接地柱，所述接地柱内部设有螺纹，与螺纹丝杠螺纹连接；所述接地柱远离所述减速电机的一端固定连接有锥式结构。本发明实现了临时接地装置半自动化节省劳动力的前提下，增加了接地装置接地的稳定性和牢固性。
CN115911999A	用于保持滑动接触装置的至少两个电刷的电刷架、电机和机动车本发明涉及一种用于保持滑动接触装置的至少两个电刷(10)的电刷架，电刷架包括中间元件(7)和两个接触元件(8、9)，所述接触元件分别用于电接触电刷(10)中的至少一个电刷，其中，接触元件(8、9)布置在中间元件(7)的相对置的两个侧(11、12)上，中间元件(7)具有延伸穿过相对置的侧(11、12)的、用于旋转轴(6)的接纳部(13)。
CN115911998A	平面滑环、旋转导电组件及伸缩数据线组件本发明涉及电子配件技术领域，特别涉及一种平面滑环、旋转导电组件及伸缩数据线组件，平面滑环用于保证转动过程中与PCB板之间的稳定电连接，包括结构支架及设置在所述结构支架上的多个导电件，所述结构支架包括限位环及沿所述限位环径向对称延伸形成的延伸段，所述导电件设置在所述延伸段上，包括与外界其他组件电接触的接触部，所述接触部上形成有接触点，每一所述导电件的接触点在同一直线上。本发明提供的平面滑环，对称设置的延伸段可保持转动时两端受力均衡，进而降低平面滑环与其它组件作用时的磨损，提高使用寿命；导电件的接触部方便与其它组件抵持，接触部的接触点在同一直线能保证整体的同轴度，使平面滑环旋转过程更稳定。
CN115911996A	一种高速柔板连接组件一种高速柔板连接组件，包括柔性印制板，柔性印制板的一端设置标准SMA连接器，用于接矢量网络分析仪，另一端部设置金手指结构，用于和标准VPX插座对插；金手指结构包括多个金手指，金手指与对应的标准SMA连接器通过柔性印制板连接。与现有技术相比，本发明的有益之处在于：高速柔性连接组件使用高速柔性印制板作为传输通道，可灵活用于搭建VPX架构测试链路，具有速率高(20Gbps)、损耗低、成本低、质量一致性好等优点。
CN115911994A	一种抗干扰且不易松动的音视频数据转换器本发明公开了一种抗干扰且不易松动的音视频数据转换器，涉及音视频数据转换器技术领域，包括底板，所述底板的一侧固定安装有前安装板，所述底板相对应的两侧均固定安装有侧阻位板，所述底板的上方固定安装有音视频数据转换器本体，所述底板的上方设置有上盖板，所述上盖板内壁的顶部设置有缓冲机构，本发明的有益效果为：该抗干扰且不易松动的音视频数据转换器，通过在底板的底部设置底安装块，并通过底安装块底部安装的负压吸盘将底板固定在对应的桌面上，同时可以通过旋转转动盘进行底安装块的固定状态和普通放置状态，尽可能的保证了底板在桌面上放置时的稳定性，相比于目前使用的音视频数据转换器而言使用更加安全。
CN115911993A	线缆转接器及线缆组件本发明关于一种线缆转接器及线缆组件，该线缆组件包括通过线缆转接器连接的电缆Ⅰ和至少两个电缆Ⅱ，且所述电缆Ⅰ另一端连接有用于与电源端连接器连接的连接器Ⅰ；所述电缆Ⅱ另一端均连接有一个用于与设备端连接器连接的连接器Ⅱ。本发明线缆组件能够实现一路信号到多路信号的转接，可以在保证线缆组件性能的同时，降低输电材料成本，提高安装效率，减小线缆组件对基站整体空间的占用，满足了通讯设备高集成度要求。
CN115911988A	一种电源柜即插即用连接装置本发明涉及一种电源柜即插即用连接装置，其技术特点是：包括快速连接公头和快速连接母头，快速连接母头一端固定在电源柜上，所述快速连接公头一端通过电缆连接到设备备用间隔上；快速连接公头包括公头固定卡扣、公头绝缘层和动导体，所述快速连接母头包括静导体、母头固定卡扣和母头绝缘层，所述快速连接公头和快速连接母头插接在一起实现应急电源快速接入功能。本发明通过快速连接公头和快速连接母头配合使用，当出现进线电源断电时，使用快速连接公头能够将应急电源快速接入电源柜上，实现电源柜的电源快速接入功能，具有结构简单、拆装方便等特点，不仅保证了快速插拔实用性又兼顾绝缘防护的安全性，同时降低投入和运行成本。
CN115911976A	一种锁紧机构一种锁紧机构，包括一端铰接、另一端通过锁紧组件连接的固定端和活动端，锁紧组件包括销钉和锁扣，销钉固定在活动端另一端，固定端设有容纳腔，锁扣能在容纳腔内移动以实现锁紧位置和解锁位置的切换，固定端另一端设有与容纳腔连通的锁孔；销钉具有中间杆部及蘑菇头；锁扣包括锁扣本体，锁扣本体一端设有伸出于容纳腔的按钮部，锁扣本体上贯通设置有直径不同且相交的大圆孔和小圆孔，小圆孔直径与中间杆部直径相当，大圆孔直径与蘑菇头直径相当，锁扣本体在小圆孔贯通处的另一侧设有与大圆孔连通的凹槽。本发明通过葫芦状内腔的锁扣和具有蘑菇头的销钉配合来实现固定端和活动端之间的锁定和解锁，具有体积小、锁紧及解锁速度快的优势。
CN115911975A	一种抗拉高稳定性蓄电池用电源连接线本申请公开了一种抗拉高稳定性蓄电池用电源连接线，包括电源线和连接头，所述电源线的至少一端连接有所述连接头，所述连接头包括导电夹持板、导电接头、限位单元、拉紧单元、盖帽单元、螺柱单元、抵紧单元、第一锁紧单元和第二锁紧单元，所述导电夹持板包括安装槽以及与所述安装槽连通的限位孔，所述导电接头包括圆环片以及与圆环片连接的长条形的导电片，所述导电片和所述电源线连接。本申请的电源连接线能够实现更好的对不同类型的蓄电池极柱的连接，并且连接具有高稳定性。
CN115911969A	自锁型电连接结构及高压开关设备本发明实施例公开的自锁型电连接结构，包括第一导体和第二导体，还包括：卡扣触指，铰接于第二导体，用于与第一导体的外周面上的卡槽电连接卡配；复位弹性件，用于使得卡扣触指抱紧卡槽，解锁装置设置于卡扣触指沿卡槽滑动的路径上，在卡扣触指与解锁装置配合时，以使得卡扣触指脱离卡槽；接触板，用于与第一导体的端部电连接，且与第二导体通过导电压缩弹性件连接，在导电压缩弹性件被压缩至预设状态时，卡扣触指与卡槽配合。本发明可通过卡扣触指和卡槽的配合实现自锁，保证了连接的稳定性和连接的高可靠性，通过卡扣触指和解锁装置的配合可快速实现解锁，简化电连接的安装和拆卸步骤。本发明实施例还公开了一种高压开关设备。
CN115911960A	一种快插接头及真空镀膜设备本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及一种快插接头及真空镀膜设备。该快插接头包括第一电极、第二电极以及锁紧件。其中，第二电极能够与第一电极连接，第二电极包括第二电极本体以及限位柱，限位柱一部分插入第二电极本体中，一部分突出于第二电极本体外周面，锁紧件套设在第二电极和第一电极连接处，且锁紧件能够与限位柱卡接配合，从而使第一电极和第二电极形成可拆卸的连接关系，以便于操作者根据需求选择是否需要第一电极和第二电极连接，该连接结构稳定性强，且可以反复拆卸，有助于提高第一电极和第二电极的使用寿命。本发明还提供一种真空镀膜设备，采用上述快插接头，以达到提高第一电极和第二电极使用寿命的效果。
CN115911959A	一种便于安装的线缆连接结构本发明公开了一种便于安装的线缆连接结构，涉及新能源汽车技术领域。该线缆连接结构包括公端组件、母端组件和紧固螺母。母端组件包括固定设置于供电设备上的端盖，端盖的腔体内设置有母端子，且母端子的一端穿过供电设备的外壳后与供电设备的供电母排固定连接。公端组件包括线缆，线缆的芯体的端部固定设置有公端子，且公端子穿过设置于端盖上的安装孔后插入到母端子的第一插接孔内，线缆上套设固定有屏蔽压套，屏蔽压套包括主筒体，主筒体的外侧圆柱面上设置有第一凸台。紧固螺母朝向端盖的一端与端盖螺纹连接，紧固螺母的背向端盖的一侧设置有压紧板，且压紧板压紧在第一凸台上。该连接结构简化了线缆的安装过程，提高了线缆的安装效率。
CN115911953A	自动遮挡插电口拖线板本发明公开了自动遮挡插电口拖线板，包括拖线板主体、遮挡卡扣、固定座、弹簧，所述拖线板主体呈长方体状，拖线板主体上设有设有若干个插孔区，插孔区沿着拖线板主体的长度方向依次排列，每个插孔区仅可插上一个插头，每个插孔区均配有两个遮挡卡扣，遮挡卡扣呈横置的U形结构，遮挡卡扣卡在拖线板主体上，两个遮挡卡扣分别卡在插头区的两侧，所述遮挡卡扣由上板体、下板体、连接板、上侧板、下侧板组成。本发明通过将遮挡卡扣、固定座、弹簧相配合，使得拖线板上未使用的插孔区可得到有效的遮挡，避免灰尘或杂物进入插孔，且在使用的插孔区拔掉插头后遮挡卡扣可自动完成会插孔区的遮挡，使用更加方便。
CN115911948A	一种电子电气电源线本发明涉及一种电子电气电源线,包括：第一连接体，所述第一连接体的一侧设置有第一插针，所述第一连接体的上下表面开设有安装槽；第二连接体，所述第二连接体的一侧安装有第二插针，所述第二连接体的一侧开设有卡块，其中所述卡块滑动安装在所述安装槽内，用于将所述第一连接体与所述第二连接体拼接。本发明通过将第一连接体的侧壁贴合第二连接体，让卡块从安装槽的端部滑入，使得卡块卡接在第一连接体上，将第一连接体与第二连接体拼接在一体，将六个第一插针增加至八个，此时第一连接体可插接在不同型号的接头上使用，提电源线实用性。
CN115911946A	一种防扭线接头结构本发明提供一种防扭线接头结构，包括壳体，所述壳体具有腔体；端盖，所述端盖为中空结构，且一端围合形成第一进线孔，另一端与所述壳体的一端活动连接；底座，所述底座与所述壳体的另一端活动连接；固定件，所述固定件活动设置在所述壳体的腔体内，所述固定件包括头部和底部，所述底部与所述底座的内壁卡接，所述头部与所述端盖的内壁抵接；所述头部设有第二进线孔，所述底部设有多个第一线芯孔。通过固定件与底座的卡接，第一线芯孔和第二进线孔的设置，可以对线芯起到防扭的作用，实现对线芯的保护，降低安全隐患；通过壳体、端盖、底座、固定件的组合装配，可以提高防水性能，进一步延长灯具寿命。
CN115911944A	一种电力电缆连接结构及其使用方法本发明公开了一种电力电缆连接结构及其使用方法，包括连接壳、电缆A和电缆B，连接壳内腔的两侧均固定安装有隔套，隔套相对面的顶部和底部均开设有限位槽，限位槽的内部均滑动安装有滑板，连接壳内腔两侧的顶部均设置有半圆卡座A，连接壳内腔两侧的底部均设置有半圆卡座B。通过将电缆A和电缆B向连接壳内部进行推动时，连接插座和连接插头首先分别插入散热连接座A和散热连接座B的内部，然后推环卡接在推槽的内部，然后将电缆A和电缆B继续向连接壳内部推动时，可推动散热连接座A和散热连接座B向相互靠近的方向进行靠近，使连接插头插接在连接插座的内部，最终使电缆A和电缆B连接在一起，连接方便，连接效果好,提升了工作效率。
CN115911940A	一种连接器的壳体结构本发明公开了一种连接器的壳体结构，有利于电镀液充分在铁壳表面镀上镀层。本发明包括绝缘座体、壳体、端子组，绝缘座体部分嵌设在壳体中，端子组镶埋成型设置于绝缘座体中；壳体的一端设有插接口，壳体上远离插接口的一端设有开口部，壳体的两侧设有向后延伸的侧壁；侧壁上设有凸出开口部向外伸出的延伸部，延伸部远离插接口的一端设有翻折部，翻折部远离延伸部的一端设有平行于延伸部的翻边部，翻边部与延伸部平行设置，翻边部与延伸部之间设有一定间距，翻边部靠近延伸部的一侧开设有若干流液槽，若干流液槽相互间隔的设置在翻边部内侧壁上。本发明应用于HDMI连接器，增加流液槽，有利于电镀，进行环境测试不容易腐蚀。
CN115911939A	标识装置和标识电源线本发明实施例提供了一种标识装置和标识电源线，安装在用于连接服务器的电源线上，所述标识装置包括圆盘和柱状套筒，其中，所述柱状套筒设置有孔洞和锁定按钮，所述圆盘上设置有编号，所述圆盘内嵌于柱状套筒中，通过旋转所述圆盘调整透过所述柱状套筒的孔洞显示的所述圆盘上的编号，所述锁定按钮用于锁定所述圆盘，以固定透过所述柱状套筒的孔洞显示的所述圆盘中的编号；其中，所述服务器放置于工架上，所述编号用于表示所述服务器在所述工架所放置的位置以及所述服务器在所述工架上所在的层数。通过上述装置能够准确地通过服务器找到其对应的电源线，进而为服务器供电，有效地节省了找线接线的时间，提高了工作效率。
CN115911937A	一种手机充电头安全保护装置本发明公开了一种手机充电头安全保护装置，涉及手机充电头技术领域，包括充电头本体，所述充电头本体的底部设置有两个插头，所述充电头本体上设置有保护机构；所述保护机构包括保护壳、矩形孔、滑块、凹槽一、弹簧一、弧形块、限位槽、卡槽一、卡槽二，所述充电头本体的底部设置在保护壳的内部，且保护壳的内壁与充电头本体的外壁滑动连接，所述矩形孔的数量为两个，两个所述插头分别穿过两个矩形孔延伸至保护壳的外部，且插头与矩形孔活动连接，本发明通过设置保护壳，不使用插头时，将插头收进保护壳的内部，从而达到保护的目的，避免插头意外沾水，造成安全问题，增加手机充电头的使用寿命。
CN115911934A	一种可整体更换的充电插座一种可整体更换的充电插座，包括插座端，插座端设置多个导电端子，导电端子伸出插座端尾部的部分分为功率对插端、接地对插端，充电插座所在的基础设备上的电缆端与对应的功率对插端、接地对插端可拆卸连接。该充电插座通过集成处理后可作为一个整体部件，也可作为标准件进行储备，便于进行大规模生产；电缆端上的铜排结构通过螺栓与插座端上的铜排结构进行连接，需要拆装时仅需要拆下螺栓即可实现两者分离，操作简单，可实现充电插座高效率的整体更换；插座端上的信号端子尾端集成设置，方便与电动汽车的信号接口插件插装。
CN115911930A	插卡连接器本发明公开一种插卡连接器，包括绝缘本体、多个第一端子以及多个第二端子，多个第一端子沿左右方向并排设置于绝缘本体内，多个第二端子沿左右方向并排设置于绝缘本体内，多个第二端子与多个第一端子沿上下方向相对且相互间隔设置；每一第一端子具有第一弹性段，每一第二端子具有第二弹性段，第二弹性段和第一弹性段均设有位于插槽内且彼此朝向的凸部，第二弹性段的凸部与第一弹性段的凸部沿左右方向投影于同一平面上的投影正对设置；在电子卡插入插槽内时，电子卡与多个第一弹性段的凸部和多个第二弹性段的凸部同步抵接。本发明提出的插卡连接器在电子卡水平插入插槽内时，不会撞伤绝缘本体，电子卡的插拔简单，插卡连接器的使用寿命长。
CN115911929A	一种液冷充电枪快换结构本发明公开了一种液冷充电枪快换结构，涉及新能源电动汽车充电领域，包括充电连接器主体组件，所述充电连接器主体组件的一侧固定连接有端子固定组件，且端子固定组件的内部设置有可拆卸快换端子，所述可拆卸快换端子和充电连接器主体组件之间固定连接，所述充电连接器主体组件的前侧设置有可拆卸快换枪连接器头部组件。本发明实现了此拆卸结构能有效节省大量维护成本，工时和材料成本，替换磨损失效的端子整个过程仅需要在确认断电后数分钟内可以完全替换，不需要对充电连接器端线束端进行其他动作，实现易损件的快速更换，降低维护成本，降低对维护更换技术能力要求，可以实现快速更换维护。
CN115911928A	一种车载连接器端子及其装配方法本发明提供了一种车载连接器端子及其装配方法，包括绝缘子、弹性接触头和尾部压线端子壳体；弹性接触头右侧设置有多个弹性外凸起，每个弹性外凸起下面还连接有内凸点，尾部压线端子壳体左侧设置有多个卡槽；弹性接触头右侧与尾部压线端子壳体左侧通过弹性外凸起和卡槽进行连接，绝缘子设置在弹性接触头内部，且绝缘子右侧与内凸点相互挤压。本申请所设计的一种车载连接器端子不仅结构简单、材料投入成本低，还通过合理设计弹性接触头和尾部压线端子壳体的结构组成，使得上述两组件与绝缘子装配完成后，三者在结构上能够实现互锁，拥有较高的可靠性；而且其装配方法也十分简便快捷，在提高装配效率的同时有效减少了人工成本的投入。
CN115911921A	一种MOOG协调控制加载系统保护回路扩展接头本申请属于MOOG协调控制加载系统保护回路检测技术领域，具体涉及一种MOOG协调控制加载系统保护回路扩展接头，包括：短接接头外壳；两个短接端口，嵌在短接接头外壳上，通过短接接头外壳内设置的线缆短接，与不需要使用的加载通道的检测进口、出口对应安全环的端口对接。
CN115911920A	一种端子及使用该端子的弯式连接器本发明涉及一种端子及使用该端子的弯式连接器，端子包括插合端(21)、压接端(23)及连接插合端与压接端的端子走线部(22)，端子走线部(22)上设置加强结构，加强结构的延伸方向与端子走线部(22)的走线方向相同；加强结构可以为凸包，凸包由端子走线部朝其厚度方向冲压形成；加强结构也可以为折弯部(222)，折弯部由端子走线部的截面朝脱离端子走线部的基体(220)所在平面的方向折弯形成。借由上述技术方案，本发明在端子的端子走线部上设置加强结构，能提高端子走线部的结构强度，防止端子走线部在端子安装或弯式连接器插拔使用时发生折弯变形。
CN115911918A	电连接模块及连接器本发明提供了一种电连接模块及连接器，所述电连接模块包括：两个端子，并列设置；线缆，其内部设有两个相互贴合设置的导线，所述线缆包括依次连接的连接端、扭转段、连接段以及延伸段，两个所述导线的位于所述扭转段的部分以相同方向呈螺旋状扭转，所述线缆的连接段与延伸段之间弯折连接；所述连接器包括上述的电连接模块。本发明提供的电连接模块及连接器解决了现有的电连接模块的线缆在弯折时会导致线缆结构尺寸发生变化甚至严重变形而使线缆的信号完整性恶化的问题。
CN115911916A	一种基于物联网技术的接入电源线本发明公开了一种基于物联网技术的接入电源线，包括适配器、绝缘片和导电件可对电源线进行良好的绝缘保护，减少报废率降低经济损失，特别适用于不懂电路的人操作使用，安全性大大增加，电源线分别连接市电和电器设备后，电器设备将形成智能化感知、识别和管理的多方人机交互电器设备；电源线和适配器是即插即用性设备，简单的更换电器设备的原装电源线设备即可，也可以直接接入相关电器设备进行使用，使电器设备的物联网技术能得到快速的推广和应用。
CN115911914A	用于紧凑系统的电连接器本发明的实施例提供了一种用于紧凑系统的电连接器。用于紧凑系统的电连接器包括：绝缘壳体，绝缘壳体的对接面上设置有沿着第一方向凹陷的插槽，插槽用于接收电元件；弹性锁合件，弹性锁合件构造为与电元件上的适配锁合部配合以将电元件保持在插槽内，且在外力的作用下与适配锁合部脱离配合。在本发明实施例的电连接器中，弹性锁合件设置在插槽内。因此无需在电连接器的外周侧为弹性锁合件预留足够的操作空间，因此，可以减小该电连接器与印刷电路板上的相邻器件之间的间隙，从而为电子系统的小型化提供了可能性。
CN115911912A	电路板连接装置以及电路板组件本发明涉及一种用于连接电路板(3，5)的电路板连接装置(1)，所述电路板连接装置包括：不导电的板(21)，所述板具有上侧面和下侧面；以及多个接口连接件(23)，所述多个接口连接件彼此间隔开地布置在所述板(21)中，其中每个接口连接件具有分组的、穿过所述板(21)延伸的并且在侧向上被板材料包围的导体(41)，所述导体的在顶侧和底侧从所述板伸出的端部区域能够被固定在两个要连接的电路板的接口(13)处，从而使得所述导体在所述电路板的接口之间形成机械连接和电连接。本发明还涉及一种包括该电路板连接装置的电路板组件。
CN115911911A	一种叠层电路板补强和故障修复的装置和使用方法本发明公开了一种叠层电路板补强和故障修复的装置和使用方法，设置于第一主板、第二主板和主板线路连接件之间，包括装置本体，所述装置本体为具有导通效果的薄膜柔性结构，所述装置本体包括框体、以柔性连接件连接于所述框体的第一连接件和第二连接件，所述第一连接件与主板线路连接件框内主板电路连接，所述第二连接件与主板线路连接件框外的主板电路连接。应用于叠层电路板的生产中，叠层类型主板的中框线路利用装置本体再次连接一遍，由于柔性连接件预留有缓冲空间，即使主板与主板线路连接件因外力导致断裂失效，装置本体也能确保各主板正常工作，从而提升了叠层电路板的连接强度和使用寿命。
CN115911908A	柱上变压器低压柜刀闸接地线装置本发明涉及一种柱上变压器低压柜刀闸接地线装置，包括刀闸接地线连接器，所述刀闸接地线连接器上设有地线挂点，所述地线挂点上设有接地线挂点装置，所述刀闸接地线连接器包括快速接口，对称设置于快速接口内的穿刺电极。本发明在不改变变压器台结构的基础上设置刀闸接地线连接器，实现高空作业地线悬挂，其端部采用了穿刺电极形式，安装时只需将原有变压器台横母线上的瓷针式绝缘子更换为专用的变压器台作业接地线挂点装置即可，解决了变压器台作业不挂地线的违章问题，减少了装拆地线的安装时间，保证了作业人员的人身安全。
CN115911907A	带电搭火专用线夹及电动绝缘操作杆装置本发明涉及带电搭火专用线夹技术领域，具体为带电搭火专用线夹及电动绝缘操作杆装置，包括接地线夹结构以及与之配合使用的绝缘操作杆组件，接地线夹结构包括由底座和搭线钩组成的线夹本体，绝缘操作杆组件连接有限位挂环；绝缘操作杆组件包括通过连接限位器连接的若干个绝缘操作杆以及安装在位于最顶部的绝缘操作杆内部的控制器、电源以及减速电机；本发明通过设置的相互配合使用的接地线夹结构和绝缘操作杆组件，绝缘操作杆具备挑挂接地线夹结构及压紧、松开接地线夹结构的多用功能，并使用内置遥控器、控制器、减速电机作为代替人力的传动装置，较人工攀爬到杆头使用普通线夹搭火更加方便，整个搭火过程比较省时省力。
CN115911899A	电连接装置本发明提供一种电连接装置，包含第一压板、第二压板以及电力桥接部。第二压板与第一压板相对设置。电力桥接部设置于第一压板与第二压板之间。电力桥接部包括绝缘结构件以及第一桥接片。第一桥接片设置于绝缘结构件的第一面上，其中第一桥接片与第一导体片及第二导体片电性耦接。其中，第一压板与第二压板通过固定件提供压应力至电力桥接部。
CN115911898A	用于马达控制中心干线和分接连接器的系统和方法一种系统包括多分接电缆和连接器。连接器被配置成耦合至安装在MCC的一个或更多个相应桶中的一个或更多个MCC可拆卸单元，其中，连接器被配置成在不中断MCC的网络或子网的情况下将一个或更多个MCC可拆卸单元耦合至多分接电缆，以及将一个或更多个MCC可拆卸单元与多分接电缆去耦合。
CN115911897A	套管式接头端子、套管式接头及其制备方法本发明涉及超导技术领域，公开了一种套管式接头端子、套管式接头及其制备方法，该套管式接头包括两个套管式接头端子，套管式接头端子包括超导缆、套设在超导缆外侧的铜套管、接头盒、盖板及氦接头；铜套管与超导缆电连接；接头盒设置在铜套管的一侧，接头盒与铜套管电连接；盖板盖设在铜套管远离接头盒的一侧；氦接头与铜套管连接。套管式接头的两个接头盒远离盖板的一侧电连接。通过在超导缆的缩径部外侧套设铜套管，实现在超导缆缩径尺寸的保持，进而保证对超导缆缩径操作的预处理，不需要在施工现场对超导缆再进行缩径操作，极大的缩短套管式接头端子的安装时间，提高施工效率。
CN115911896A	一种接地棒装置本发明涉及接地棒技术领域，特别是一种接地棒装置，其包括，接地棒本体，包括有第一连接杆、设于所述第一连接杆外部的操作头和设于所述操作头端面的螺栓，以及；设于所述第一连接杆外部的转动组件，所述第一连接杆外壁设有握把，所述第一连接杆端面设有第二连接杆，所述第二连接杆端面设有伸缩杆，所述伸缩杆端面设有第三连接杆，所述第三连接杆外部设有第四连接杆，本发明通过设置第二连接杆，在第一连接杆内部滑动，可以实现对整体操作杆长度的调节，设置转动组件，可以第三连接杆和第四连接杆间的角度，适应不同的作业环境，在第四连接杆内部设置固定组件，可以实现与第五连接杆之间的快拆，以此可以进行接地棒上操作头的更换。
CN115911891A	天线阵列结构和布置天线阵列结构的方法公开了天线阵列结构和布置天线阵列结构的方法。提供一种天线阵列结构，包括：多个第一天线元件，用于以第一频率发送和接收信号；以及多个第二天线元件，用于以第二频率发送和接收信号，其中，所述多个第一天线元件设置在第一层中且与第一方向上延伸的线对齐，并且所述多个第二天线元件设置在第二层中且与所述线对齐。
CN115911890A	一种用于毫米波手机终端的双频双极化磁电偶极子天线阵列一种用于毫米波手机终端的双频双极化磁电偶极子天线阵列，属于5G毫米波无线通信和天线技术领域。由天线单元排列组合而成，每个天线单元包括水平方形金属贴片、蝶形金属贴片层、金属地板、金属化盲孔、馈电结构及其填充在以上结构内的介质，其中，馈电结构包括+45°馈电单元、‑45°馈电单元。天线阵列由四个结构相同等间隔排布的天线单元和两个位于两侧的类磁流结构构成，第一第二天线单元的四个端口与第三第四天线单元的四个端口关于阵列中心成镜像分布。本发明利用金属地板的金属化盲孔、蝶形金属贴片层的结构，能够实现紧凑型的天线单元设计，适用于以高通毫米波模块为例的毫米波手机天线阵列中；利用类磁流结构7实现宽扫描角；能够实现小尺寸、双频、双极化和宽扫描角的共存。
CN115911885A	基于温控网状二氧化钒微结构的太赫兹宽带吸波器本发明提供的基于温控网状二氧化钒微结构的太赫兹宽带吸波器，包括：多个周期性排列的结构单元，所述结构单元包括：基底层和位于基底层上方的二氧化钒谐振层，所述基底层为四层结构，由上至下分别为：第一层介质基板、二氧化钒基底层、第二层介质基板和金基底层；在不同温度下，结构单元的电导率不同，使得太赫兹宽带吸波器的共振特性发生变化，实现对吸波强度的动态调控；具有工作波段宽、吸收效率高、吸收强度可连续动态调控的有益效果；适用于吸波器微结构设计的技术领域。
CN115911881A	一种基于全介质材料的柔性可调制太赫兹滤波器本发明是一种基于全介质材料的柔性可调制太赫兹滤波器，器件包括：上层为掺杂硅或无掺硅介质图案层，下层为聚二甲基硅氧烷柔性衬底层，上层掺杂硅或无掺硅介质图案层与下层衬底层的连接依靠硅与聚二甲基硅氧烷衬底间的成键作用；上层图案为对称三角形结构、对称扇环结构或不对称裂口环结构单元在平面内周期性阵列平铺，阵列与衬底的连接依靠硅与聚二甲基硅氧烷衬底间的成键作用。通过拉伸，器件在太赫兹波段实现明显的滤波位置调制与滤波深度调制。本发明具有初级材料成本低的优势，且与传统半导体制造工艺有很高的兼容性，在较宽的频率范围内具有较大深度的可调制性，满足太赫兹系统的许多应用要求，并有潜力替代传统的金属基超材料器件。
CN115911880A	一种立体贴片型频率选择天线罩/天线窗及其制备方法本发明涉及频率选择表面天线罩制作技术领域，具体涉及一种立体贴片型频率选择天线罩/天线窗及其制备方法。一种立体贴片型频率选择天线罩/天线窗，由下至上依次为天线罩/天线窗基底、立体贴片单元阵列、表面金属层；所述的天线罩/天线窗基底与立体贴片单元阵列为3D打印一体成型，所述立体贴片单元阵列贴合附于所述天线罩/天线窗基底上，所述表面金属层置于每个所述立体贴片单元上表面或外表面；所述立体贴片单元为凸起结构或沿所述天线罩/天线窗基底深度方向嵌入的凹陷结构，材料为硬质材料；与普通二维贴片型频率选择表面相比，也更适合通过3D打印技术实现，在滤波性能和工艺实施便利性等方面均有所提升。
CN115911879A	一种立体环型频率选择天线罩/天线窗及其制备方法本发明涉及频率选择表面天线罩制作技术领域，具体涉及一种立体环型频率选择天线罩/天线窗及其制备方法。具体方法为：（1）结构设计：采用电磁仿真软件进行频率选择表面结构的仿真优化；（2）三维建模：采用三维建模软件进行立体环型频率选择表面的三维建模；（3）打印成型：根据需求选择合适的材料和打印工艺，在3D打印设备上一体化成型出天线罩/天线窗基底和立体环型单元阵列；（4）打印后处理：去除支撑结构、清洗、干燥，必要时进行局部修磨；（5）表面金属化：根据性能要求，在每个立体环型单元的表面进行金属化处理；本发明的天线罩一体成型，在滤波性能和工艺实施便利性等方面均有所提升。
CN115911878A	一种Ku波段的可重构高增益双层惠更斯超表面本发明涉及可重构超表面技术领域，公开了一种Ku波段的可重构高增益惠更斯超表面，包括：介质层；上工字型金属结构，包括第一上横杆、第一下横杆以及连接所述第一上横杆、第一下横杆的第一竖杆，所述第一竖杆内设有第一二极管；下工字型金属结构，包括第二上横杆、第二下横杆以及连接所述第二上横杆、第二下横杆的第二竖杆，所述第二竖杆内设有第二二极管；所述上工字型金属结构和下工字型金属结构分别设置在所述介质层的两侧，且上工字型金属结构和下工字型金属结构以所述介质层的中点呈中心对称。本发明一种Ku波段可重构高增益惠更斯超表面，采用两中心对称的工字型金属结构实现惠更斯谐振，透射性能较强。
CN115911864A	天线结构和电子设备本公开是关于一种天线结构和电子设备。天线结构包括金属体，金属体包括主体、第一辐射体和断缝，主体和第一辐射体围成至少部分净空区，断缝与净空区连通，第一辐射体处于第一谐振模式时的辐射效率与信号频率相关；第一馈电连接至第一辐射体靠近断缝的一端，第一馈电用于传输频率高于预设阈值的第一频段信号，第一辐射体的第一谐振模式产生处于第一频段信号内的谐振；第二馈电连接至第一辐射体，第二馈电用于传输第二频段信号，第二频段信号的频率最大值小于第一频段信号的频率最小值；匹配电路连接于第二馈电和第一辐射体之间，匹配电路包括第一并联电容，第一并联电容的一端连接于第二馈电和第一辐射体之间、另一端接地。
CN115911859A	天线结构及电子设备本申请提出一种天线结构及电子设备，其中，天线结构包括：介质基板，包括第一表面及第二表面；辐射部；接地部，辐射部与接地部设置于第一表面，且辐射部与接地部互相耦合；电路单元，连接至辐射部，电路单元包括第一电路及第二电路，第一电路环绕辐射部及接地部设置，第二电路设置于第二表面，第一电路及第二电路均包括若干射频扼流圈；由此，辐射部与接地部的耦合，扩大了天线单元的带宽；第一电路及第二电路屏蔽了天线单元周围电路的直流电流信号及噪声，降低了周围电路中直流电流信号对天线结构的影响，提高了天线结构的辐射效率。
CN115911858A	天线和电子设备本申请公开了一种天线和电子设备，属于天线技术领域。天线，包括：第一天线分支和第二天线分支；第一天线分支的第一端接地；第一天线分支的第二端为开口端；第一天线分支通过第一匹配电路与第一馈电端口连接；第二天线分支的第一端为开口端，通过第一电路接地；第二天线分支的第二端为开口端，与第一开关电路的第一端连接；第一开关电路的第二端，通过第二匹配电路与第二馈电端口连接；第一开关电路的第三端接地；第一开关电路用于在第一制式下，将第一开关电路的第一端与第一开关电路的第三端导通；以及，在第二制式下，将第一开关电路的第一端与第一开关电路的第二端导通。
CN115911855A	一种天线系统及基站天馈系统本申请提供了一种天线系统及基站天馈系统。该天线系统包括依次设置的第一频段辐射单元阵列、频率选择表面和第二频段辐射单元阵列，也就是说，频率选择表面设置于第一频段辐射单元阵列与第二频段辐射单元阵列之间。该频率选择表面用于反射第一频段辐射单元阵列的信号，并透射第二频段辐射单元阵列的信号。上述移相器与第一频段辐射单元阵列连接，从而用于为第一频段辐射单元阵列馈电。上述移相器包括腔体，该腔体设置于频率选择表面的边缘，且腔体的第一延伸方向与第一频段辐射单元阵列的第二延伸方向一致。该天线系统至少包括两个频段的辐射单元阵列，且天线系统的信号质量较好，集成度较高。此外。不同频段的辐射单元阵列可以分别独立演进。
CN115911840A	一种超宽带高隔离度的MIMO天线本发明属于MIMO天线设计领域，具体涉及一种超宽带高隔离度的MIMO天线；该天线包括：第一圆形天线单元、第二圆形天线单元、介质基板和金属地板；第一圆形天线单元和第二圆形天线单元印刷在介质基板上表面，且两圆形天线单元关于对称轴镜像对称；金属地板印刷在介质基板下表面，且金属地板上刻蚀有双F型缺陷地结构和两个矩形凹槽；本发明工作频带宽，隔离度高。且整体尺寸小，同时天线达到阻抗匹配，实用性高。
CN115911839A	一种宽带紧耦合树状天线模块及阵列本发明提供了一种宽带紧耦合树状天线模块及阵列，通过设计馈电结构和渐变型宽角匹配层，构成宽频带宽扫描角匹配结构，并利用短路条抑制二维阵列的共模谐振，从而实现宽带天线阵列工作。本发明的天线模块集成度高，可一体化印制加工，极大地降低了后期紧耦合天线阵列的焊接难度，增加了天线阵列的可靠性。
CN115911838A	宽带共模吸收的差分馈电式双模贴片天线及天线阵列本发明公开了宽带共模吸收的差分馈电式双模贴片天线及天线阵列，双模贴片天线包括上层介质基板、下层介质基板和三层金属结构；由上至下，三层金属结构依次为辐射贴片、公共金属地层及差分馈电网络；辐射贴片设置阶梯宽度，使其具有双模辐射特性；公共金属地层上蚀刻有T型耦合孔径，以增强差分馈电网络与辐射贴片之间的电磁耦合；差分馈电网络包括双端口差分网络和加载在沿信号输入方向中间对称面的吸收支节；吸收支节由金属化短路过孔、四分之一波长短路支节、吸收电阻、连接支节沿信号输入方向依次级联形成。以及基于所述双模贴片天线的直线阵列和平面阵列。具有宽频带共模吸收、工作带宽相对较宽、增益高及良好的增益滤波特性等优势。
CN115911835A	一种新型方形分形贴片天线本发明公开了一种新型方形分形贴片天线，包括新型方形分形贴片天线、基底、馈线、地板；新型方形分形贴片天线是基于分形几何理论的一种分形形状，理想一阶分形在边数为n的基本正多边形的中心挖分形正多边形孔，孔的顶点和基本正多边形边长中点重合，分形迭代因子为cos(π/n)，n为>2的自然数；二阶分形在一阶的基础上，基本正多边形边长的中心填充正多边形实体，它的顶点和一阶正多边形边长中点重合，实际应用中对理想各阶正多边形分形孔或者分形实体以其中心为基点放大或者缩小，并且各阶分形的孔或者填充的实体可以以其几何中心为旋转中心旋转一个角度β；采用共面耦合馈电方式，馈线为直线+正多边形环形的微带线连接而成。
CN115911834A	贴片天线以及天线装置本发明的贴片天线具有第1振子、和处于与所述第1振子相对的位置的第2振子，所述第1振子具有与所述第2振子相对的第1主体部、和从所述第1主体部向所述第2振子侧延伸的至少一个第1折曲部，在所述第2振子与所述第1折曲部之间产生波源。
CN115911832A	一种金属双频双极化天线本发明公开了一种金属双频双极化天线，主要内容为：包括上层辐射板、下层辐射板和金属腔体，所述金属腔体中心处设有第三金属圆柱台，所述第三金属圆柱台上定位安装有下金属支撑柱且第三金属圆柱台通过第二螺钉与金属腔体固定，所述下层辐射板安装在下金属支撑柱上，所述下金属支撑柱上端安装有上金属支撑柱且上金属支撑柱底部法兰压在下层辐射板，所述上层辐射板通过第一螺钉固定安装在上金属支撑柱顶端法兰上。本发明具有较高的辐射效率和较宽的频带宽度，实现天线小型化的同时还可减少周围电磁环境对天线的干扰，天线的主要结构为金属结构，易于控制成本和加工一致性，能较好的满足实际项目工程应用。
CN115911831A	一种天通北斗双模通信定位耐压终端设备本发明公开了一种天通北斗双模通信定位耐压终端设备，包括天线组件、耐压舱组件、天线中间杆和穿舱件，天线组件偏离耐压舱组件轴线设置，天线中间杆的一端与天线组件连接，天线中间杆的另一端与耐压舱组件连接；天线组件包括天线保护体以及设置在天线保护体内的辐射体，耐压舱组件包括耐压舱以及设置在耐压舱内的通信模块，辐射体通过穿过天线中间杆的射频线缆与通信模块连接，穿舱件的一端插入耐压舱内，另一端伸出耐压舱外；本申请通过设置耐压舱用于安装通信模块，使得通信模块与天线集成在一起，缩短了通信模块与天线辐射体之间的射频线缆长度，降低了原材料的成本，减小了射频信号衰减，在不减弱使用功能的情况下缩短了部件的装配工时。
CN115911830A	一种用于通讯和精确定位的集成式蓝牙与超宽带天线结构本发明公开一种用于通讯和精确定位的集成式蓝牙与超宽带天线结构，针对狭小空间内需同时实现蓝牙和超宽带天线进行设计，充分利用蓝牙频段和超宽带频段所对应的波长特点，将波长较短的超宽带天线辐射体作为辐射源的同时，当作蓝牙天线辐射体的激发源，通过近场耦合的形式激发出蓝牙辐射体。在工作模式上，超宽带辐射体与天线参考地形成非偶极子工作模式，而蓝牙辐射体被耦合激发，处于偶极子工作模式，使两个辐射体之间具备最小的互扰，可以最大程度的减小两种天线频段间的相互干扰。
CN115911824A	电子设备本申请公开了一种电子设备，属于通信技术领域。该电子设备包括：壳体、按键和按键电路；所述按键设置在壳体上，所述按键上设置有接地端，所述接地端和所述按键电路电连接，用于所述按键电路的接地；所述电子设备还包括调频电路，所述调频电路设置于所述壳体内，所述调频电路与所述接地端电连接；在所述电子设备处于调频模式时，所述调频电路通过所述接地端接收调频信号。
CN115911820A	天线和基站本公开提出了一种天线和基站。该天线多个辐射单元，按列布置并且包括多个辐射体和反射板，所述反射板被配置为使多个辐射体所辐射的电磁波中的一部分发生反射，从而使所述电磁波以预定的辐射取向被辐射；以及介电部件，布置在所述多个辐射单元中的至少一个辐射单元的所述辐射取向上，并且包括与所述至少一个辐射单元间隔开预定距离的起伏部，其中在所述起伏部的至少朝向所述至少一个辐射单元的下表面，沿横向方向设置有第一起伏结构，所述横向方向垂直于所述列并且平行于所述反射板。通过在辐射取向上设置具有起伏部的介电部件，天线的性能能够得到显著提高。
CN115911819A	前壳组件、终端设备以及装配方法本公开是关于一种前壳组件、终端设备以及装配方法，其中，前壳组件包括前壳主体和与前壳主体相连的前壳边框，前壳边框的侧边部外露；前壳主体与前壳边框之间的第一预设区域设有天线净空区域，前壳边框的侧边部设置有多个贯穿前壳边框的缺口，每个天线净空区域对应设置至少一个缺口；前壳组件包括设置于前壳主体的加强结构，加强结构设置于天线净空区域的内侧，至少部分加强结构与缺口相对设置。本公开提出的前壳组件，在前壳组件上设置有缺口的位置处，对应设置加强结构，改善了缺口位置处应力过于集中，容易出现断裂的问题，提升了前壳组件的结构强度。
CN115911816A	一种气象雷达车雷达收放结构本发明公开了一种气象雷达车雷达收放结构，包括雷达车，所述雷达车的后端设有雷达舱，所述雷达舱的前端设有升降架。本发明通过丝杆与升降架相互啮合，进而升降架通过旋转电机A带动传动轴转动时带动两个丝杆转动，从而使得升降架进行升降操作，通过传动轴的上下两端位于限位块的内侧设有限位块，进而便于通过限位块在传动轴转动时，防止传动轴长时间工作发生偏移，通过雷达和雷达连接架与雷达底座连接，且雷达连接架通过弹簧A与雷达底座连接，进而便于雷达底座通过旋转电机B带动齿轮旋转，从而使得雷达通过雷达底座进行位移，通过弹簧A在运输的雷达过程中，进行减震操作。
CN115911813A	一种易安装的卫星天线支架本发明属于卫星天线支架技术领域，具体为一种易安装的卫星天线支架，包括底座，底座包括第一组块、设置于第一组块一侧的第二组块、设置于第二组块前侧的第三组块和设置于第三组块面向第一组块一侧的第四组块，第一组块、第二组块、第三组块和第四组块内均开设有空腔，若干空腔内设有扩大部，扩大部用于增加第一组块、第二组块、第三组块和第四组块之间的距离，第一组块、第二组块、第三组块和第四组块上表面均开设有滑动槽，滑动槽内滑动设有伸缩部，伸缩部用于调整支架的高度，伸缩部上设有用于调整支架角度的调节部，调节部上设有固定板，固定板用于支撑卫星天性，解决了目前的卫星天线支架安装不稳固的局限性。
CN115911812A	一种可以折叠的车载卫星地面接收天线本发明涉及卫星设备领域，公开了一种可以折叠的车载卫星地面接收天线，本方案通过将反射板拆分成N块，如此在车辆准备行驶前，将活动连接的反射板从固定槽沿着开口导向槽滑动到各自对应的卡合滑槽中，使其出现分层，再将活动连接的反射板沿各自对应的卡合滑槽滑动着向固定连接的反射板靠拢，使活动连接的反射板分层和固定连接的反射板叠放在一起，如此反射板受正面气流的冲击面积变小，受到正面气流的冲击力也会变小，这样降低反射板出现损坏、变形等问题的可能，同时折叠后的反射板，只剩一个两侧开放的弧形面，这个弧形面可以引导正面冲击的气流从两侧流走，进一步减少反射板受到的冲击力，起到保护作用。
CN115911806A	微带毫米波单定向耦合器系统本发明涉及一种微带毫米波单定向耦合器系统，包括耦合部分网络、∏型衰减网络、主传输线、副传输线，所述的主传输线与副传输线构成耦合微带线，所述的耦合部分网络的一端与副传输线的一端相连，另一端与∏型衰减网络相连，所述的∏型衰减网络的另一端为耦合端口或隔离端口。采用了本发明的微带毫米波单定向耦合器系统，微带毫米波单定向耦合器可实现毫米波频段使用，还可实现26.5GHz～43.5GHz的频段范围，可大量用于前端设备中，具有广泛的应用范围。
CN115911803A	一种易设计加工的高隔离度太赫兹宽带正交模耦合器本发明公开了一种易设计加工的高隔离度太赫兹宽带正交模耦合器，属于太赫兹通信技术领域，解决了目前缺少一种兼具高带宽、高隔离度、结构简单且易设计加工的正交模耦合器的问题，包括金属壳，所述金属壳的内部设置有腔室，所述腔室的两端贯穿所述金属壳，所述腔室的两端分别设置有第一标准波导以及方波导，还包括第二标准波导；所述腔室上还设置有连续渐变的匹配耦合装置，所述第一标准波导、方波导以及第二标准波导通过连续渐变的匹配耦合装置进行连接，其目的在于，提供一种易加工设计的高隔离度太赫兹宽带正交模耦合器，其兼具结构简单、高带宽、高隔离度及易加工设计的优点，以满足太赫兹无线通信的使用需求。
CN115911796A	一种基于基片集成波导的毫米波滤波功分器本发明属于射频通信技术领域，具体涉及一种基于基片集成波导的毫米波滤波功分器，包括：基板上层金属层、基板介质层和基板下层金属层；基板下层金属层作为接地面，铺满整个基板介质层的下表面，基板上层金属层设置在基板介质层上表面；基板介质层设置有若干个规则排列的金属通孔，金属通孔贯穿整个基板介质层，连通基板上层金属层和基板下层金属层。本发明提出的滤波功分器是三个SIW腔体耦合的滤波功分结构，在其输出端的两个SIW矩形腔体中，耦合开窗和微带到SIW过渡结构互相正交垂直，该结构可以在S参数图中引入一个传输零点来增强滤波功分器的带外抑制，进而提升滤波功分器的滤波性能。
CN115911794A	用于滤波器和其他频率选择装置的带有调谐元件的壳体本发明提供了一种用于频率选择装置的导电壳体，包括：设置在导电壳体内部且形成滤波结构的导体，和至少一个调谐元件，所述调谐元件由导电壳体的壁的一部分组成，与壁的其他部分部分地通过狭槽分离；其中，所述狭槽的形状允许弯曲部分分离的部分，并改变部分分离的部分与滤波结构的导体之间的距离。
CN115911792A	一种基于凹形谐振腔的双零点太赫兹波导滤波器本发明属于太赫兹波导滤波器技术领域，具体提供一种基于凹形谐振腔的双零点太赫兹波导滤波器，用以显著改善太赫兹波段下波导滤波器的带外特性。本发明包括：输入波导、双模谐振腔及输出波导；其中，双模谐振器采用基于TE201模式与TE102模式的凹形双模谐振腔，将高频的第二个传输零点向低频移动，且能够位于滤波器的上阻带，靠近滤波器的通带，实现单个凹形双模谐振腔产生两个传输零点的目的，在不引入额外结构的前提下能够在滤波器上阻带一定带宽内达到很高的抑制度，极大地提升了对无用信号的抑制效果，同时利用谐振腔内的第二个传输零点还能够有效改善滤波器的矩形系数；并且，本发明还能够有效减小滤波器的尺寸和生产成本。
CN115911788A	一种紧凑型汇流环波导旋转关节装置本发明公开了一种紧凑型汇流环波导旋转关节装置，包括安装架，所述外导体远离安装架一端设有射频块，所述射频块内部开设有第一凹槽，所述第一凹槽内部开设有第一滑槽，所述第一滑槽内部滑动连接有第一滑板。本发明通过在第一拉杆外壁设置挤压杆，在第一凹槽内部设置挤压板，在卡合块外壁设置第三磁铁，在卡合块外壁设置第二挡板，在第一凹槽内部设置第一挡板，在挤压板和第一凹槽之间设置第一弹簧，使第一拉杆可以带动挤压板进行运动，本发明中，当旋转关节上的射频块损坏需要进行更换时，射频块与外导体拆卸简单方便，致使射频块更换时，不需要使外导体与旋转关节上的安装架整体分离。
CN115911784A	全自动注液机本发明涉及一种全自动注液机，包括电池上料机构和电池下料机构，电池上料机构和电池下料机构的前侧设有夹具输送线，夹具输送线由多个双向传送模块拼接组成并呈矩形环状，夹具输送线的左端后部设有注液工位，注液工位设有位于注液夹具上方的注液机构；夹具输送线的前侧和内侧均设有若干个静置工位，每个静置工位均设有用于沿纵向传送注液夹具的第一单向传送模块，第一单向传送模块的正上方设有静置机构。利用多个双向传送模块组成环形状的夹具输送线，且夹具输送线的内侧和前侧均设置多个静置工位，不仅提高产能，而且当电池在静置工位静置或者某个静置工位出现故障时，夹具输送线依然可以正常输送，有效减少注液夹具的物流时间，提高工作效率。
CN115911777A	注塑成型的极柱结构本发明所公开的注塑成型的极柱结构，金属环成型，将极柱和密封圈置入金属环的极柱固定腔内，且密封圈位于环底与极柱的极柱固定部之间，对环壁的外侧壁、以及极柱和环壁的内侧壁之间作注塑成型处理，以形成注塑件，冷却后通过注塑件使极柱固接至金属环的极柱固定腔内；其利用注塑极柱成型方法得到注塑极柱时，无需过多考虑顶盖片的材料性能（如延展性），简化电池顶盖设计及制造过程，以提升电池顶盖制造的效率，也相应的降低了制造成本。
CN115911776A	叠片式电极组件、电池单体、电池及用电装置本申请提供了一种叠片式电极组件、电池单体、电池及用电装置，属于电池技术领域。其中，叠片式电极组件包括极性相反的第一极片和第二极片，第一极片和第二极片沿第一方向层叠设置。第一极片包括沿第二方向排布的第一涂覆区和第一空白区，第一空白区包括第一连接部和第一极耳部，第一连接部连接第一涂覆区和第一极耳部，沿第三方向，第一连接部的尺寸大于第一极耳部的尺寸，第一方向、第二方向和第三方向两两垂直。多个第一极片的第一连接部收拢于叠片式电极组件在第二方向上的一端，并形成第一收拢区，多个第一极片的第一极耳部层叠设置并沿第二方向凸出于第一收拢区。这种叠片式电极组件具有较高的过流性能，且第一极耳部的韧性和稳定性较好。
CN115911775A	集流构件、储能装置及用电设备本申请提供了集流构件、储能装置及用电设备。集流构件包括转接片与绝缘件，转接片包括第一连接部、熔断部及第二连接部，熔断部在转接片的宽度方向上的宽度，与第一连接部的宽度和第二连接部的宽度的比值范围为1/6‑4/5；第一连接部靠近第二连接部的一端设有第一角，第二连接部靠近第一连接部的一端设有第二角，绝缘件沿着转接片长度方向上设置有第一保护部、第二保护部和第三保护部，第一保护部覆盖第一角，第二保护部覆盖第二角，第三保护部覆盖转接片的熔断部上的第一表面，熔断部的第二表面的至少部分露出于绝缘件。本申请通过利用绝缘件覆盖第一角与第二角可防止电极组件被第一角与第二角割伤，有效保护电极组件。
CN115911766A	一种储能装置、储能器件及储能装置的制造方法本发明具体提供一种储能装置、储能器件及储能装置的制造方法，其中所述储能装置包括：第一储能单元、至少一个第二储能单元以及为层状结构的第二集流体，其中，所述第一储能单元为锂离子电池型储能单元，所述第一储能单元包括多层层状结构；所述第二储能单元为双电层电容器型储能单元，所述第二储能单元包括多层层状结构，所述第一储能单元与第二储能单元通过第二集流体串联连接，所述第一储能单元中的第一电解液与第二储能单元中的第二电解液相互隔离。本发明通过将锂离子电池型储能单元的第一储能单元与双电层电容器型储能单元的第二储能单元通过层状结构的第二集流体串联，同时获得了较大的能量密度以及功率密度。
CN115911764A	一种汇流排与冷却管的集成结构、储能单元及动力装置本发明涉及电池技术领域，公开了提供的一种汇流排与冷却管的集成结构、储能单元及动力装置，储能单元和动力装置中均应用了上述集成结构；集成结构包括控温管组件和汇流排组件；汇流排组件的主体部分连接与控温管组件的外部，并通过分支部分与电池系统的电连接部件连接；控温管组件和汇流排组件的主体部分包覆有防护部件；通过将汇流排组件包覆在控温管组件的外部，实现了对汇流排组件与控温管组件的集成化设计，减少了占用的空间，有利于提升电池包的能量密度，增强其续航能力，同时更便于组装和维护；通过形成包覆结构能够增加控温管组件的强度，在保证强度足够的同时，能够适当降低控温管组件的壁厚，有利于节约材料成本和生产成本。
CN115911758A	一种涂层隔膜及其制备方法和二次电池本发明属于二次电池技术领域，尤其涉及一种涂层隔膜，包括基膜和设置于基膜至少一侧面的多边形阵列式涂层，所述多边形阵列式涂层包括若干多边形结构，所述多边形结构包括凸起的边框和漏空部，所述边框围绕漏空部形成所述多边形结构，若干个所述多边形结构呈阵列式放置。本发明的涂层隔膜，具有良好的吸液保液能力，有效提高电池倍率性能。
CN115911756A	一种基于氢氧化镁的电池隔膜及其制备工艺本发明涉及电池隔膜技术领域，具体是一种基于氢氧化镁的电池隔膜及其制备工艺，在锂离子电池隔膜的涂覆浆料中引入氢氧化镁纳米管，用COPNA树脂作为粘接剂，用2,2'‑二烯丙基双酚A、聚砜先对萘酚基COPNA树脂进行改性，然后用3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐、对苯二胺、2,2'‑二(三氟甲基)‑4,4'‑二氨基联苯制备共聚COPNA树脂，使COPNA树脂在高温下仍然保持粘结性的同时，改善电池隔膜的热膨胀系数，使其具有较低的介电常数；对氢氧化镁纳米管进行改性处理，在未添加分散剂的情况下，提高氢氧化镁纳米管在涂覆浆料中分散的均匀性，使隔膜均质化；用氢氧化镁纳米管、超支化单宁酸复合物、氨基化金属框架制备改性氢氧化镁纳米管，提高锂离子电池的安全性。
CN115911755A	一种陶瓷隔膜及其制备方法和应用本发明提供了一种陶瓷隔膜及其制备方法和应用，所述陶瓷隔膜包括基膜和设置在所述基膜至少一侧表面的水滑石层，沿远离所述基膜的表面的方面，所述水滑石层中的水滑石在所述基膜表面呈竖式排列。本发明在基膜表面设置具有优良的物理化学性能的水滑石层，并且水滑石在基膜表面呈竖式排列，该结构在保证穿刺强度的基础上，能够有效降低陶瓷隔膜透气度，最终制备得到的电池具有更低的电阻和更高的循环性能。
CN115911754A	一种用于锂金属电池的隔膜及其制备方法本发明公开了一种用于锂金属电池的隔膜及其制备方法，其中隔膜包括基膜以及位于所述基膜的至少一侧表面的涂覆层，所述涂覆层包括涂覆材料，所述涂覆材料包括稀土金属卤化物、稀土金属氮化物、稀土金属硫化物、稀土金属硝酸盐以及稀土金属磷酸盐中的一种。本发明公开的用于锂金属电池的隔膜相较于传统的隔膜，具有更均匀Li+传输通道以及优良的循环性能。同时，与金属锂搭配使用有更好的循环稳定性，为锂金属电池稳定循环及隔膜表面功能化的研究提供了新的思路。
CN115911752A	一种海藻酸钠涂覆间位芳纶锂离子电池隔膜的方法本发明为一种海藻酸钠涂覆间位芳纶锂离子电池隔膜的方法。该方法包括如下步骤：将海藻酸钠加入到水，在室温下搅拌6‑20h，然后加入非离子表面活性剂，继续搅拌2‑12h，得到海藻酸钠涂覆液；将海藻酸钠涂覆液超声处理1‑5h，然后滴在烘干处理的PMIA多孔膜上，涂覆20μm‑200μm，静置2‑10h，再60‑150℃的热处理即可得到Na‑Alg/PMIA复合隔膜。本发明方法制备的Na‑Alg/PMIA复合隔膜工艺简单，在200℃的高温下可以热闭孔且维持尺寸完整性，大大降低了LIBs的热失控爆炸风险。
CN115911746A	一种高稳定性的锂离子电池隔膜以及的制备方法本发明公开了一种高稳定性的锂离子电池隔膜以及的制备方法，该高稳定性的锂离子电池隔膜的制备方法包括，基膜和改性涂层，该高稳定性的锂离子电池隔膜的制备方法包括，基膜浆料制备、流延、热处理、改性涂层涂料制备、改性涂覆、涂层定型处理、双向异步拉伸、热定型处理和分切包装，并提供了一种高稳定性的锂离子电池隔膜的制备方法涂覆设备。该高稳定性的锂离子电池隔膜的制备方法及其制备装置，可提高传统锂电池隔膜的热交换稳定性以及安全性，并可实现锂离子电池隔膜改性涂层浆料涂覆过程中，避免传统喷头下方浆料受重力因素导致堆积较多，外围喷洒浆料较少的缺点，使浆料涂覆更将均匀，进一步提高锂离子电池隔膜高耐热性高粘接性改性。
CN115911745A	一种新型聚酰亚胺/二氧化锆复合纳米球浆料及其涂覆隔膜本发明公开了一种新型聚酰亚胺/二氧化锆复合纳米球浆料及其涂覆隔膜，可应用于高能量密度和高安全性锂离子电池。所述浆料由聚酰亚胺/二氧化锆复合纳米球、粘结剂、表面活性剂、分散剂和溶剂所组成。所述涂覆隔膜由上述浆料通过线棒涂覆、挤压涂覆、微凹版涂覆等方式涂覆在多孔基膜至少一侧表面后得到。该涂覆隔膜保留了原有基膜的力学性能，同时具有更优异的热尺寸稳定性和浸润性。相比于陶瓷涂覆隔膜，该发明中的涂覆隔膜具有更低的面密度和更好的浸润性，因此将其应用于锂电池中将有效提升锂离子电池的能量密度和充放电性能。
CN115911743A	电池以及用电装置本申请涉及电池的技术领域，尤其涉及一种电池和用电装置。电池包括消防管道和设有泄压机构的多个电池单体，泄压机构用于在电池单体的内部压力或温度达到阈值时致动并沿第一方向泄放内部压力，消防管道设置在多个电池单体设有泄压机构的一侧，并且，消防管道和泄压机构沿第一方向错位设置，消防管道设置有引流口，引流口被配置为在泄压机构致动时朝向泄压机构排出消防介质，以给电池单体降温。本申请提供的电池能够提高将消防介质用于对内部压力或温度超过阈值的电池单体降温的效率，提高电池的使用安全性。
CN115911741A	电池包结构及用电设备本申请提供了一种电池包结构及用电设备，涉及动力电池技术领域。电池包结构包括：若干电芯，电芯的长度方向被配置为左右方向，且电芯的左右两端均设置有输出极；线束隔离组件，其包括隔离板、FPC及汇流排，隔离板具有垂直设置的第一安装面及第二安装面，第二安装面遮盖于输出极，FPC配置于第一安装面，汇流排配置于第二安装面，且汇流排分别与FPC及输出极连接。电芯的输出极设置于左右两侧，隔离板的第一安装面与第二安装面垂直设置，汇流排设置于第二安装面，FPC设置于第一安装面，FPC及汇流排能够分别位于电芯的不同位置，且第二安装面设置于输出极的外侧，当电芯进行充放电时，能够方便电芯的散热，有利于提高产品的安全性能。
CN115911734A	电池组本发明提供一种电池组，其包括：下板，一个或多个电池单元组件安置在所述下板上；一个或多个隔板框架，结合到下板；以及一个或多个加强部件，结合到隔板框架的一侧以形成排气流道，其中，加强部件由与隔板框架不同的材料形成。
CN115911731A	一种集成式储能装置本发明公开的属于储能技术领域，具体为一种集成式储能装置，包括集成柜组件，其内部放置有若干组电池组件，散热门框组件，其转动连接在集成柜组件的外壁左端，压缩机，其安装在散热门框组件的内壁下端，密封门框，其转动连接在集成柜组件的外壁右端，且能够对集成柜组件进行密封，散热风道组件，其设置在集成柜组件的内部左端，本发明能够对电池进行有效散热，防止电池包集成使用所导致的温度过高，影响电池的使用寿命。
CN115911728A	大面冷却笼式结构高成组率电池系统、成组方法及车辆本发明涉及新能源汽车技术领域，公开了大面冷却笼式结构高成组率电池系统、成组方法及车辆，包括超大尺寸电池组单元、液冷管集成式电池下箱体、集成式采样连接组件、电池管理系统丛控单元、上箱体、多合一系统和结构胶；本发明集成了大面冷却式高效热管理系统、超大尺寸电池组单元、液冷管集成式电池箱体、直连式电芯采样连接系统、笼式结构防护系统、电芯膨胀安全防护系统和热阻隔防护系统，通过大面冷却方式、CTP式一体化成组和各部件的多功能融合实现了电池系统的充电倍率、成组率和安全防护性协同提升，实现了电池系统的充电倍率、成组率和安全防护性协同提升，同时兼顾平台化应用、低成本、高空间利用率和高生产效率。
CN115911727A	电池包下箱体及电池包本发明提供一种电池包下箱体及电池包，该电池包下箱体包括箱体框架和至少一个接插件面板，接插件面板固定连接于箱体框架，箱体框架为挤压成型件，接插件面板为压铸成型件，接插件面板具有第一密封平面和过渡密封面，箱体框架具有第二密封平面，第二密封平面与第一密封平面处于不同的水平面，过渡密封面的至少部分为曲面，过渡密封面分别与第一密封平面和第二密封平面连接形成密封面。
CN115911726A	一种便于安装的储能用锂离子电池装置本发明公开了一种便于安装的储能用锂离子电池装置，涉及锂电池组安装技术领域，包括电池盒、设于电池盒顶部的电池盖；卡槽，所述卡槽对称开设于电池盒的顶部；卡块，所述卡块对称固定于电池盖的底部，其中电池盖通过卡块配合卡槽卡接在电池盒的顶部；安装腔，所述安装腔设于电池盒的顶部；锂离子电池本体，所述锂离子电池本体放置于安装腔内部；散热孔，所述散热孔开设于电池盒的左、右两侧外壁并与安装腔相连通；固定机构一，所述固定机构一设于电池盒的顶部，其用于对锂离子电池本体进行固定；本发明在对锂离子电池本体进行安装时比较的方便，本发明能够避免或降低锂离子电池本体因短路或自燃所带来的火灾隐患，保障了人们的生命和财产安全。
CN115911725A	一种风电场电化学储能装置本发明公开了一种风电场电化学储能装置，涉及电场储能设备技术领域，包括下壳体和上壳体，所述下壳体中装配有串联底座，且下壳体中装配有在串联底座上均匀分布的化学电池。该风电场电化学储能装置，通过下壳体和上壳体以及对接板和限位柱的配合使用，使得该风电场电化学储能装置的化学电池装配在下壳体中后，上壳体套接在下壳体的顶部，卡板卡接在下壳体的两端，卡板内侧的卡块与下壳体外部的卡槽对接，对接板嵌入下壳体中的对接槽内，限位柱在限位弹簧弹力的作用下卡接于对接板外部的限位孔中，将下壳体和上壳体连接固定，使得下壳体和上壳体的装配和拆卸操作简单便捷，易于工作人员对下壳体中的化学电池进行检修工作。
CN115911721A	一种高强度电池箱体结构本发明提出了一种高强度电池箱体结构，涉及电池箱体技术领域，包括：底板、围设在所述底板周边的边梁，所述边梁包括相对设置在所述底板两侧的左边梁与右边梁，其中：所述左边梁与所述右边梁之间且位于靠近二者的端口位置设有连接二者的拉条，所述拉条设有多个并由所述左边梁与所述右边梁的一端向二者的另一端间距设置，所述拉条的横截面形状为T形。本发明一方面提高了箱体的强度，另一方面增加了结构的紧凑度，能够对电芯进行Z向限位。且整个箱体结构设计紧凑，每个结构件充分发挥作用，整个箱体的质量、强度、模态在大电量电池领域充满创新和优势。
CN115911715A	一种具有灭火功能的电池箱本发明公开了一种具有灭火功能的电池箱，涉及电池安全技术领域，包括箱体和箱盖，所述箱盖安装于箱体的上端，所述箱体内对称设有两组隔离件并将箱体分成位于两侧的灭火腔以及位于中间并于灭火腔相连通的电池腔，所述灭火腔内放置有灭火单元，所述电池腔内放置有电池包，本发明结构简单，采用外置式的安装方式，与箱体可完全分离，且采用板状的结构设计，占用空间小，且本方案中的灭火单元只要不发生结构损坏，仍然可以继续使用，重复利用率高。设置了多个排气管，可从多个位置喷射灭火气体，灭火效率高。
CN115911713A	一种新能源锂电池防护缓冲装置本发明涉及新能源汽车部件技术领域，具体地说就是一种新能源锂电池防护缓冲装置，包括两个连接轨、防护组件、防护布、检测组件和控制器，所述连接轨沿电池仓的长度方向设置，所述防护组件与连接轨滑动连接，电池仓的前端设有收纳辊，防护布卷设与收纳辊上，所述防护布的一端防护组件固连，所述检测组件设置于电池仓的前侧，所述控制器与检测组件通过线路连接，所述控制器用于执行对防护组件的命令。本申请能够对电池仓的底部进行高效防护，当检测组件未检测到磕碰时，防护组件呈收起状态，不影响车辆的底盘高度，能够减少车辆的底盘剐蹭。
CN115911712A	蓄电装置本申请实施例提供一种蓄电装置，包括电池、第一壳体、第二壳体以及缓冲组件；所述第一壳体位于所述第二壳体的容置空间内，所述电池位于所述第一壳体的容置空间内；所述第二壳体还设置有导电端子，所述电池的电极与所述导电端子电连接；所述缓冲组件设置于所述第一壳体与所述第二壳体之间，以使所述第一壳体的外侧壁与所述第二壳体的内侧壁间隔设置。通过两层壳体，且在两层壳体之间设置缓冲组件，以提高防碰撞能力，进一步地，可提高电池的安全性能。
CN115911710A	蓄电池模块、蓄电池组以及蓄电池模块的制造方法本发明提供一种能够吸收固态电池单体的膨胀或收缩且缓冲材料的形状的自由度高的蓄电池模块、蓄电池组以及蓄电池模块的制造方法。蓄电池模块(10)具备：多个固态电池单体(30)，该多个固态电池单体在左右方向上排列，且在前后方向上延伸；以及缓冲块(20)，该缓冲块设置有用于收容多个固态电池单体(30)的多个插槽(28)，且具有弹性。蓄电池模块(10)通过多个固态电池单体(30)插入到多个插槽(28)中而构成。
CN115911707A	一种新能源汽车的电池包防爆框架本发明涉及电池框架技术领域，提出了一种新能源汽车的电池包防爆框架，包括固定框架，固定框架的底部抽拉连接有抽拉框架，抽拉框架的内部前侧对称的连接有两个可翻转可延伸的电池安装架，电池安装架包括转动连接的转动座，转动座的内侧上端连接有拉板，转动座的上端滑动安装有延长支架，电池安装架的内侧安装有转动的防爆机构。通过在固定框架的内部前侧设置对称的两个可翻转和延长的电池安装架，完成电池的安装和拆卸，电池包安装过程中对防爆机构进行挤压，使防爆机构紧贴在电池包的排气结构上，便于电池包的防爆，使电池包在进行拆卸过程中自动与防爆机构进行分离，使电池安装架和防爆机构对电池包进行夹持和固定。
CN115911702A	统型蓄电池箱结构本发明公开了一种统型蓄电池箱结构，所述统型蓄电池箱结构包括外箱、内箱、悬挂臂和电控箱机构；所述外箱与车辆底架连接，外箱对称设置，且采用框架式设计并加以蒙皮；所述悬挂臂固定在所述外箱内，且悬挂臂采用“抱臂式”结构，为所述内箱的支撑结构同时也是所述内箱抽出外箱的轨道；所述内箱内安装蓄电池，且内箱的开档尺寸由蓄电池的安装尺寸决定。本发明具有操作便捷性更高、优化了滚轮机构结构、主体采用框架式结构、产品适用性强、产品结构更为紧凑、有利于整车轻量化的优点。
CN115911701A	一种电池箱、电池箱簇单元、电池箱簇以及储能系统本申请公开了一种电池箱，包括并排设置的两个电池模组，第一电池模组第一端引出正极端作为第一总正输出端，第二端引出负极端作为第一总负输出端，第二电池模组的与第一电池模组的第一端处于同一侧的第一端引出负极端作为第二总负输出端，第二电池模组的与第一电池模组的第二端处于同一侧的第二端引出正极端作为第二总正输出端，因此在两侧都可以与其他的电池箱电连接，增加电池箱在电池箱簇布置上的灵活性，无需两个相邻电池箱共用风道，消除电芯温度不均的安全隐患，在深度方向两个电池箱紧密相邻，减小占地空间，将布置的电量最大化，还提供了电池箱簇单元、电池箱簇以及储能系统，由于采用了上述电池箱，因此都具有与上述电池箱相同的优点。
CN115911695A	一种一次锂电池用正极盖组及其制备方法和应用本发明提供了一种一次锂电池用正极盖组及其制备方法和应用，所述一次锂电池用正极盖组包括盖板、芯柱和封接玻璃，所述芯柱贯穿于所述盖板，所述芯柱和盖板之间设置封接玻璃，所述芯柱与封接玻璃接触位置任意一侧或两侧设置硅胶，所述封接玻璃和盖板接触位置任意一侧或两侧涂覆硅胶，本发明所述一次锂电池用正极盖组的制备方法简单，仅简单的涂覆部分硅胶，即可达到避免盖组腐蚀，避免电池在长期使用或储存中出现低压无电的现象的目的，具有很好的应用前景。
CN115911694A	一种蝴蝶焊结构、装配方法及方形电池本发明公开了一种蝴蝶焊结构、装配方法及方形电池，属于锂离子电池结构技术领域。本发明的方形电池负极首先采用传统蝴蝶焊连接方式，并将极芯入壳，通过正极连接片两次折弯后直接焊接到极柱上的新型蝴蝶焊连接方式，解决两端出极耳方形电芯无法同时采用传统蝴蝶焊的难题，在一定程度提高了对焊接位置准确性的把控，同时盖板结构采用新型弱导结构，避免了壳体带强电对后续组装造成的安全风险。
CN115911692A	一种电池钢帽本发明涉及电池领域，具体是涉及一种电池钢帽，包括帽盖和开设在所述帽盖端面上的防爆刻线，所述帽盖上设置有向锂电池内部延伸的支撑凸起，以使所述支撑凸起的连接底面与所述防爆刻线所在区域的受力面在锂电池的轴向方向上形成安全间隔，同时，所述支撑凸起的连接底面与锂电池内的卷芯固定连接。解决了现有技术中由于锂电池的装配效率低下的技术问题。
CN115911687A	一种双极性水平电池及其端子连接结构本发明公开了一种双极性水平电池及其端子连接结构，包括电池外壳、端子排、极板，所述电池外壳的内部被封板分隔成多个单间，每个单间内对应设置一个极群，所述极板分为正极板和负极板，所述极群由多个正极板和负极板上下交替叠加构成，单个极群内所述正极板和负极板之间设置隔板；所述极板包括中线板、正极耳和负极耳，所述隔板上设置有极板垫片，所述正极耳之间设置正极排，两个所述负极耳之间设置负极排，所述正极排和负极排上均开设端子孔；所述端子排包括正汇集板、负汇集板和极柱，本发明的有益效果：保证极膏互不相融的同时还方便涂板、固化、干燥和清理；防止了极板和隔板的沉降现象，提高了充电效率以及电池的合格率。
CN115911686A	电化学存储金属壳体和电池本发明公开一种电化学存储金属壳体和电池，其中，将电化学存储金属壳体分为底部收容体和复合密封体，并将复合密封体分为顶面层、中夹层和底面层，其中，底面层的底电连接内体会与电芯的一极电导通，顶面层的电连接顶体会与电芯的另一电极导通，而顶面层与底部收容体焊接后可实现对电芯的封装，由于底面层与顶面层通过中夹层绝缘，因此底部收容体也会与底面层绝缘，从而可防止电芯的两个电极相互导通短路；由于复合密封体的底面层与顶面层已预先绝缘，因此在将复合密封体封装底部收容体时，只需焊接顶面层与底部收容体即可，无需再设置绝缘膜，由此可简化电池的封装过程，提高封装效率。
CN115911685A	一种圆柱形电池壳体及生产设备本发明公开了一种圆柱形电池壳体及生产设备，涉及电池技术领域。该圆柱形电池壳体及生产设备，包括圆柱形壳体，所述圆柱形壳体的内壁固定安装有碳棒，所述圆柱形壳体的内部设置有静电吸附结构。该圆柱形电池壳体及生产设备，为了避免圆柱形壳体内部静电影响到电池的正常使用，通过在圆柱形壳体的内部设置有静电吸附结构，配合阻拦板与减速条，从而降低电池使用过程中其内部的电解液出现晃动而影响到电解液的稳定性，以对电解液的运动趋势进行抑制，同时，通过设置有引导杆和导电杆体以及静电电容，以对电解液与阻拦板相接触摩擦而产生的静电电荷进行吸收集聚，避免静电电荷在圆柱形壳体内部聚集，引发爆炸、火灾等安全隐患。
CN115911684A	一种电芯壳体、电芯及电池包本申请涉及电芯设计技术领域，提供一种电芯壳体、电芯及电池包，主要包括若干用于围成电芯壳体的侧板，至少其一所述侧板上设置有应力集中区，所述应力集中区用于电芯热失控时的爆破；所述应力集中区与所述侧板为一体式结构，所述应力集中区的厚度小于所述侧板的厚度，所述应力集中区设置在所述侧板的内侧面，所述侧板的外侧面为平面结构。本方案可以有效避免传统技术上需要在电芯壳体上焊接或粘接防爆阀的情况，降低组装难度以及相应的人员配置，从而便于降低生产成本以及提高生产效率。
CN115911683A	一种电池本发明涉及电池技术领域，提出了一种电池。该电池包括：外壳，外壳包括盖板和壳体件，壳体件设有用于容纳电芯的凹槽，盖板扣合凹槽的开口端、以密封电芯；外壳在壳体件和/或盖板的外表面设有焊接面；支撑部件，支撑部件设于凹槽内并抵接外壳设置；焊接面的至少部分设置于外壳平行支撑部件的表面上。在焊接盖板与壳体件时，焊头可作用于壳体件外表面形成的焊接面和/或盖板外表面形成的焊接面，由于至少部分焊接面设于外壳平行于支撑部件的表面上，且支撑部件设于凹槽内并抵接外壳设置，所以支撑部件可以提供足够的支撑力，以便于焊接定位、降低焊接难度，以及，可以提高盖板与外壳之间的焊接强度和焊接准确性。
CN115911682A	电池和用电设备一种电池，包括电极组件、壳体、第一电连接件和电路板组件。极组件容纳于壳体中。壳体包括朝向电极组件凹设的第一凹部。第一电连接件和第一凹部分别与电极组件电连接。电路板组件包括基板、第一导电件、第二导电件和第三导电件，基板设置于第一凹部中，第一导电件电连接于基板且至少部分延伸至第一凹部外，第二导电件电连接于第一导电件和第一电连接件之间，第三导电件电连接于第一导电件和第一凹部之间。本申请还提供包括上述电池的用电设备。上述电池和用电设备中，第一凹部在壳体外侧形成容纳基板的空间，以减少壳体和基板相对设置占用的空间以及第一电连接件和基板重叠连接占用的空间，能够综合减少电池的空间浪费，提升电池的能量密度。
CN115911667A	一种电动汽车动力电池紧急降温装置本发明属于动力电池技术领域，且公开了一种电动汽车动力电池紧急降温装置，包括盒体，所述盒体的内表面固定安装有配电架，所述盒体的内部设有电池模块，所述电池模块的顶部设有稳定架。本发明通过完成气槽的完全打开，从而使得风扇旋转通气时，有效减少通入气体的阻碍，提高进气量的同时提高进气速度，使得快速通入的增量气流与异常升温的电池模块接触，完成快速降温，同时配合升降机构将顶部盖向上推动打开，使得盒体顶部开放，从而使得密闭空间中的热空气快速排出，从而实现动力电池的紧急降温，针对异常高温情况可以通过快速降温降低动力电池损坏率，降低动力电池高温下的运行时间，提高动力电池的使用安全性。
CN115911662A	一种沉浸式液冷电池模组结构及其装配方法本发明提供了一种沉浸式液冷电池模组结构，包括中空的壳体，其一端板上开设有至少一个第一通孔；至少一个套管插设于第一通孔内，至少一个套管与壳体密封连接，用于封装裸电芯；分隔板插设于壳体内，分隔板还套设在至少一个套管的外表面且与套管密封连接，将位于各套管外侧的壳体内部空间分隔为互不连通的第一腔体和第二腔体；其中，第一腔体与所述第二腔体内均设置有换热介质，第一腔体所在的壳体上开设有进液口和出液口。第一腔体与第二腔体内的换热介质分别对套管与裸电芯的不同部位进行换热，第一腔体与第二腔体内的换热介质还通过分隔板换热。
CN115911661A	模组液冷装置及其动力电池包本发明涉及动力电池制造技术领域，特别涉及模组液冷装置及其动力电池包，所述模组液冷装置包括上层液冷板和下层液冷板，所述上层液冷板和所述下层液冷板通过两个接头管路并联连接，每一所述接头管路被构造为包括第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口连通冷却液进口或冷却液出口，所述第二开口连通所述下层液冷板顶面，所述第三开口连通所述上层液冷板底面。并联连接，流量分配更均匀，有利于降低上下层温差，通过第二开口和第三开口呈方向相反的设置，有利于减少接头管路在整包侵占的空间，冷却液由下往上的输入上层液冷板，有效降低系统压降，降低了水泵扬程要求，降低成本及能耗。
CN115911659A	散热装置及储能系统本申请涉及储能装置技术领域，本申请公开一种散热装置及储能系统。散热装置包括液冷板及供液装置，液冷板开设有多条换热通道，换热通道沿第一方向延伸，多条换热介质沿第二方向间隔设置于液冷板，相邻换热通道内换热介质流向相反，第一方向与第二方向呈第一夹角α，多条换热通道分别与供液装置连接，以使换热介质与液冷板换热。与现有技术相比，可控制相邻两个换热通道中一个换热通道的进液口与另一换热通道的出液口相邻，进而，使相邻的换热通道之间进行换热，进而可有效避免进液口处温度低，出液口处温度高的问题，也就提高整个液冷板温度的均一性。
CN115911658A	一种可分离式节能通信基站电池恒温柜本发明涉及机柜恒温散热技术领域，具体涉及一种可分离式节能通信基站电池恒温柜，包括柜体，柜体底部安装有若干个移动轮，移动轮上安装自锁结构；柜体的前侧安装有可与外部连通的柜门，柜门上的前侧面左右对称设置有自动化开合的遮挡机构；柜体内底部设置为冷却室，冷却室的上端放置电池，且在柜体内顶部设置排气室，冷却室通过外部引入冷却气体由柜体底部向上移动带走电池发热热量，通过排气室排出到机房的外部；柜体内还安装有触发控制组件。本发明中自动化的遮挡机构能在柜体内温度较高时打开连通槽，其与机房内低温环境实现连通，辅助柜体降温，并且不会对机房的散热造成较重的负荷，实用性强。
CN115911646A	一种具有散热功能的锂电池底座及其家居储能系统本发明涉及新能源技术领域，且公开了一种具有散热功能的锂电池底座及其家居储能系统，包括底座壳体，所述水冷装置包括冷却室、水泵、水冷管和热敏电阻，所述底座壳体的内部前侧壁固定连接有冷却室，所述冷却室的内部设置有水泵，所述水泵的外侧固定连接有水冷管，所述冷却室的后侧壁且在水冷管的外侧固定连接有热敏电阻，所述热敏电阻关于冷却室的后侧壁旋转设置。该具有散热功能的锂电池底座，通过水冷管关于锂电池进行环绕设置，从而对锂电池进行全方位水冷散热，同时在进行水冷散热时，水流通过转动板带动扇叶杆进行同步转动，进而产生风力，然后风冷与水冷同步进行散热，进而达到高效散热的目的，从而解决了使用寿命减短的问题。
CN115911645A	一种储能电池散热装置、电池箱及热监测系统本发明公开了一种储能电池散热装置及电池箱，通过电池箱内设置具有三明治结构的隔板，有效阻隔相邻电池模组之间的热量传递，同时将单个电池模组内的热失控监测信号快速导出并散热，此外，隔板的设置有效限制电池模组热失控时向两侧的膨胀，将对相邻模组的影响最小化。电池隔板包括中部的隔热层和分别位于隔热层两侧的导热层。隔板具有中部隔热层和两侧导热层的三明治复合结构设计，隔热层有效隔绝相邻电池模组之间的热传递，同时通过导热层的设计能够将电池模组的热失控快速导出。本发明还提出一种储能电池热监测系统。
CN115911640A	蓄电装置以及蓄电装置的制造方法本发明涉及一种蓄电装置，配备有：包括底部的下壳体、与底部的内表面热接触的蓄电堆、配置在底部的下方的冷却器(30)、以及设置在底部与冷却器之间的热传导构件(40)，冷却器(30)包括冷却部(32)和一对保持部(31)，热传导构件(40)包括沿着一对保持部(31)延伸的一对第一线状部(41)、以及沿着冷却部(32)延伸的多个第二线状部(42)，冷却部(32)具有与多个第二线状部(42)接触的冷却面，在冷却部(32)的与冷却部(32)延伸的方向正交的截面中，形成于多个第二线状部(42)之间的空气层(43)的宽度的总和小于等于冷却面的宽度的14％。
CN115911635A	一种低铜铝无氟黑粉及其制备方法本发明公开了一种低铜铝无氟黑粉及其制备方法，废旧电池经破碎和筛分得到第一黑粉和第一筛上物，第一筛上物热解，筛分得第二黑粉和第二筛上物，将第二筛上物进行色选得铜箔和含铝极片，含铝极片在铁盐溶液中反应，筛分得铝箔和浆料，浆料固液分离得第三黑粉，第一、第二和第三黑粉在含水蒸气的空气中焙烧，得到低铜铝无氟黑粉。本发明采用低温热解、色选分离、盐洗脱附、火法脱氟的联合工艺，回收得到了高价值的铜箔、铝箔以及黑粉。
CN115911634A	一种废旧锂电池高效转化多孔碳基磷化物复合材料的方法及储能应用本发明属于电化学及新能源材料领域，具体公开了一种废旧锂电池高效转化多孔碳基磷化物复合材料的方法，将废旧LiFePO4电池正极材料为铁源和磷源，废旧LiCoO2/LiMn2O4/LiNiO2/LiNixCoyMnzO2/MnO2电池中的一种或几种作为镍钴锰金属源，废旧石墨负极或ZIF‑8为碳源，通过一步碳热还原磷化得到氮、磷共掺杂多孔碳基二元或多元金属磷化物复合材料，再将所得多孔碳基磷化物复合材料用于制备锂硫电池正极材料或隔膜涂层材料。本发明方法高效环保，不会引入或产生有毒气体，且不需使用强碱等腐蚀性药品，复合材料应用于锂硫电池时表现出高比容量和稳定循环。
CN115911630A	一种废旧磷酸铁锂电池的全自动化拆解方法及装置本发明公开了一种废旧磷酸铁锂电池的全自动化拆解方法及装置，涉及电池技术领域，目的在于提供一种放膜收膜同步进行，精简拉伸部件结构，简化运行流程，提高膜片收卷效率的废旧磷酸铁锂电池的全自动化拆解方法及装置，其技术要点是所述放膜机构包括转运部件和拉伸部件，所述转运部件用于搬运经过切割的电池，并带动电池进行转动放膜，所述拉伸部件用于拉动膜片至所述收卷区，所述卷膜机构用于在转运部件放膜时收卷膜片，技术效果是转运部件放出一段膜片后，拉伸部件将膜片拉至收卷区，并利用卷膜机构对膜片进行收卷，实现放膜收膜同步进行，提高膜片收卷效率；同时，拉伸部件只拉取一部分膜片，降低承受的反向拉力，简化拉伸部件结构。
CN115911628A	一种异构锂电池拆解装置及其拆解方法本发明公开了一种异构锂电池拆解装置及其拆解方法，该拆解装置包括上料识别分类组件、多角度可旋转抓取机构、电磁式阵列式推出机构和可调式切割装置；上料识别分类组件用于异构锂电池初步分类；多角度可旋转抓取机构用于获得锂电池尺寸信息，且对异构锂电池进行抓取移动至切割位置；可调式切割装置用于切割锂电池外壳；电磁式阵列式推出机构用于将切割后的锂电池的电芯推出回收。本发明能够对不同形状、不同尺寸的锂电池进行切割和回收电芯，不但适应性强、效率高，制作成本低，而且有效提高了拆解效率和资源化利用率。
CN115911627A	一种基于MOS管切换板的废旧锂电池放电系统本发明提供了锂电池回收技术领域的一种基于MOS管切换板的废旧锂电池放电系统，包括：一个显示屏；一个中位机，与所述显示屏连接；一个交换机，与所述中位机连接；一个PLC，与所述交换机连接；一个DCDC模块，与所述交换机连接；至少一个温度采集板，与所述交换机连接；至少一个温度探针，与所述温度采集板连接；至少一个电压采集板，与所述DCDC模块连接；至少一个电压探针，与所述电压采集板连接；至少一个MOS管切换板，与所述PLC连接；至少一个电能消耗模块，与所述MOS管切换板连接。本发明的优点在于：极大的提升了锂电池的放电效率。
CN115911623A	一种储能系统基于声信号的电池热失控诊断方法及系统本发明公开一种储能系统基于声信号的电池热失控诊断方法及系统，其中，该方法包括：获取电池储能系统舱中的混合声信号，所述混合声信号包括：排气声信号、环境噪声、其他噪声；将所述混合声信号进行谱减法以去除所述混合声信号中的环境噪声；构建排气声信号识别模型，并将去除所述环境噪声的混合声信号输入到所述排气声信号识别模型中进行识别，以识别出所述排气声信号并判断是否发生了电池热失控。该方法基于声信号可以及时、准确的对电池热失控进行诊断。
CN115911621A	电池包以及用于电池包的控制方法提供了一种电池包以及用于该电池包的控制方法。该电池包包括电池单元和测量电路单元，该测量电路单元配置为测量电池单元的温度信息并包括第一测量电路单元和第二测量电路单元，第一测量电路单元和第二测量电路单元分别包括具有不同的根据温度变化的电阻变化特性的第一类型温度测量元件和第二类型温度测量元件，其中第一测量电路单元和第二测量电路单元在公共基底基板上或在不同的分开的基底基板上。因此，通过混合具有不同的根据温度变化的电阻特性的第一类型温度测量元件和第二类型温度测量元件，可以防止对过热的错误检测并可以没有遗漏地检测过热。
CN115911620A	电池监测装置及电池装置本申请实施例公开一种电池监测装置及电池装置。电池装置包括多个电芯、壳体以及电池监测装置。电芯及电池监测装置均收容于壳体内，电池监测装置用于监测电芯的状态。电池监测装置包括多个传感器及处理器，多个传感器用于感测电芯的多种参数。处理器用于根据多种参数确定电芯的状态信息，并通过第一处理线路和第二处理线路将状态信息上报给外部装置。本申请实施例可以将多个传感器集成到电池装置中，在有限影响电池的电化学性能的情况下，可以有效地实现对电池状态的实时监控。
CN115911617A	一种电池组的被动均衡方法本发明公开了一种电池组的被动均衡方法，获取在不同温度下，目标电芯的静态OCV数据；判断电池组是否满足OCV校准条件；若是，则首先根据当前各个单体电芯温度、电流采集值、各个单体电芯电压采集值、和目标电芯的静态OCV数据，得到每个单体电芯的SOC‑OCV值；然后根据各个单体电芯的SOC‑OCV值，得到每个单体电芯的待均衡容量；接着根据各个单体电芯的待均衡容量，计算出每个单体电芯的均衡时间；最后根据各个单体电芯的均衡时间执行均衡控制；本发明其通过使用静态OCV查表的方式获取更精准的单体电芯剩余容量、以及根据不同电芯类型和采集精度以加权方式进行均衡时间计算，使得均衡控制的效果更加精准、保证均衡时间评估符合实际要求。
CN115911612A	一种铅酸蓄电池活化剂制备方法及电化学激活方法本发明实施例提供一种铅酸蓄电池活化剂制备方法及电化学激活方法，首先将乙炔黑或碳纳米管置于酸性溶液中进行酸化处理，得到悬浊液；将悬浊液稀释并抽滤处理至滤液呈中性，滤出物经干燥、研磨处理后，得到酸化后的乙炔黑或碳纳米管；然后将所述乙炔黑或碳纳米管加入至活性剂溶液中进行超声处理，得到铅酸蓄电池活化剂。本发明利用CO2高温熔盐电化学法制备绿色低成本纳米碳活化剂，利用CO2高温熔盐电化学法制备的绿色低成本修复剂提高了铅酸蓄电池的综合性能，有效解决了铅酸蓄电池因硫酸盐化导致的容量失效的问题。
CN115911611A	一种具有防爆防自燃的电池结构本发明公开了一种具有防爆防自燃的电池结构；包括上壳体、下壳体、在上壳体和下壳体之间有多个片状的正极模组和负极模组通过隔膜交错重叠连接，当电池有燃烧或爆炸风险时，外部的阻断流体在压力下通过中间管、横流孔、竖流孔到达电池内部设置于负极模组两面的先导槽内，并通过先导槽进入负极模组和隔膜之间，使负极模组和隔膜之间的间隙被增大。使得负极模组和隔膜之间的电解液或电解质失去连续性而不能正常传导离子。本发明减小了电池受到破坏后持续放热而出现自燃或爆炸的可能性，提高了车载电池的安全等级。
CN115911608A	一种低维护高可靠性的机载蓄电池系统本申请提供一种低维护高可靠性的机载蓄电池系统，包括蓄电池组、充放电控制器、接触器、开关、上位机、监控装置，其中：充放电控制器，用于接收蓄电池组的充电请求，当充电请求有效时，充放电控制器根据不同形式的充电请求接通充放电控制器内部的充电电源或均衡电源；机载蓄电池系统，采用两套具有独立功能的蓄电池通过主接触器与电网连接供电输出，供电互为备份，当正常供电系统故障时，为机载应急负载提供供电；蓄电池组内部设置加热组件，当接收加热指令后，蓄电池组根据加热启动条件进行判断，满足后开启加热电源，同时返馈上位机允许加热状态字，给蓄电池内部加热组件供电，开启内部加热控制，实现加热。
CN115911599A	一种锂离子电池配组工艺本发明涉及一种锂离子电池配组工艺，包括以下步骤：（1）一次放电；（2）电池搁置；（3）一次充电；（4）电池搁置；（5）二次放电；（6）电池搁置；（7）再二次放电；（8）将上述分容工艺数据与静态参数进行配组；其中，充、放电条件与客户端使用条件相同，分容工艺数据为二次放电的容量、再二次放电的容量及二次放电的容量差、再二次放电的容量差。本发明的锂离子电池配组工艺通过分容工艺数据检测出各锂电池间综合性的动态差异，再根据分容工艺数据及静态参数进行配组，以提高电池模组一致性，进而提高电池模组寿命。
CN115911594A	一种高能量密度水系锌基双卤素电池本发明公开了一种高能量密度水系锌基双卤素电池，该电池采用碳材料作为正极，负极为金属锌箔，电解液由氯化锌、氯化胆碱和溴化锌三种卤化盐形成水合共晶电解液；其中水合共晶电解液独特的溶剂化结构和水分子活性的限制有效地实现了固溴和固氯，使充放电过程中溴和氯卤素阴离子发生高度可逆的氧化还原反应，负极发生锌离子稳定的沉积/剥离反应。本发明提供的高能量密度水系锌基双卤素电池，具有放电容量大、输出电压高、能量密度高、使用寿命长、成本低且安全性好的特点，适用于大规模储能的应用。
CN115911592A	一种含碳点的锌离子电池电解液及其制备方法和应用本发明提供了一种含碳点的锌离子电池电解液及其制备方法和应用，该电解液包括可溶性锌盐、去离子水、有机溶剂和碳点，所述碳点的浓度为0.2～2.0g/L；碳点的制备方法包括以下步骤：将聚(4‑苯乙烯磺酸)锂盐和柠檬酸溶于水中，得到混合溶液；将混合溶液的溶剂水气化，直到获得干燥的粉末；将所述粉末在惰性气氛保护下进行反应，反应温度为180～240℃；反应完成后，溶于水中，透析去除小分子和离子；然后将去除小分子和离子后的溶液冷冻干燥，得到所述碳点；本发明的电解液可有效抑制锌枝晶生成，提高锌离子电池的倍率性能和循环性能。
CN115911591A	一种本征可拉伸聚合物电解质及其制备方法与应用本申请公开了一种本征可拉伸聚合物电解质及其制备方法与应用。所述本征可拉伸聚合物电解质是由一种两性离子单体，在含有电解质盐的体系中室温下自聚合而成，无需加热及引入额外的引发剂。本申请获得的电解质具有可拉伸性能、优异的粘附性、良好的回弹性能、高的室温离子电导率等优势。该电解质作为可拉伸储能器件的关键组分应用于柔性储能器件如锌离子电池、锂离子电池及超级电容器，可有效提升能量存储装置对机械损伤的可靠维护性，且可抑制电池中枝晶刺破造成电池的短路，进而提升储能器件的长期循环稳定性和安全性。本申请简单高效的制备方法亦可有效降低工艺成本，为电子装置和电源的进一步可弯曲性、延伸性集成提供更多可能。
CN115911589A	一种高充电接受能力的汽车AGM启停电池及其制备方法本发明公开了一种高充电接受能力的汽车AGM启停电池及其制备方法，电池包括正极板、负极板、隔板和电解液；正极板包括正极板栅及涂覆于正极板栅上的正极铅膏，负极板包括负极板栅及涂覆于负极板栅上的负极铅膏；负极铅膏配方按以下重量百分比组成：稀硫酸10％～30％、炭黑0.5％～2％、石墨0.5％～2％、多孔炭0.5％～2％、木素0.1～0.5％、碳纤维0.1％～0.5％、超细硫酸钡1％～5％、其余为铅粉。本发明通过增大负极铅膏与板栅接触面积，增大负极充电过程反应面积；通过铅膏配方设计，在铅膏中增加石墨、多孔炭、导电碳纤维等材料，提高铅膏导电率；通过极板表面压花工艺，增大极板与电解液接触面积。
CN115911586A	一种用于大圆柱锂电池卷绕机极耳折弯装置本发明公开了一种用于大圆柱锂电池卷绕机极耳折弯装置，涉及锂电池卷绕机技术领域。包括驱动机构以及抚平轮组件，所述驱动机构包括伺服电机以及与其传动连接的同步带组件，所述抚平轮组件包括与同步带组件传动连接的抚平轮调节块、活动设置于抚平轮调节块上的抚平轮支撑块以及通过深沟球轴承转动设置于抚平轮支撑块一侧的抚平轮主体，所述抚平轮支撑块的一侧设置有抚平轮支撑轴，所述深沟球轴承套设于抚平轮支撑轴上。通过设置通过驱动机构以及抚平轮组件，为了有效的提高卷绕机折弯极耳效率和品质，采用深沟球轴承配合抚平轮主体折极耳的方式，在卷绕时抚平轮主体同步转动，不会与极耳产生硬摩擦，确保高效率、高精度的生产。
CN115911585A	首层极耳边距控制方法和计算机可读存储介质本申请实施例提供了一种首层极耳边距控制方法和计算机可读存储介质，包括如下步骤：获取极片由辊送机构至卷针的多个预设位置的移动距离；对多个移动距离进行转换，得到卷针的多个转动角度，并从多个转动角度中确定目标转动角度和最大转动角度；控制卷针匀加速运动并控制辊送机构同步转动，直到卷针由起始角度转动至目标转动角度；在卷针由目标转动角度转动至最大转动角度的过程中，控制卷针先匀速后减速或者一直减速，并控制辊送机构同步转动。通过上述控制方式，本申请实施例能够提高电芯首层极耳边距的控制精度，以满足精度要求。
CN115911578A	一种模组电芯整形工装本发明属于电芯整形技术领域，具体而言，本发明涉及一种模组电芯整形工装，包括底座、限位板组件、支座和施压件；所述支座和所述施压件均安装在所述底座上；所述限位板组件位于所述支座和所述施压件之间，所述限位板组件包括多个限位板，多个所述限位板并排设置，并与所述底座滑动配合；相邻两个所述限位板之间形成容纳电芯的空腔，空腔内设有限位块，所述限位块用于受压时与相邻所述限位板相抵以限制电芯整形后的最小厚度。本发明通过限位块来限制电芯整形后的最小厚度，能够确保每个厚度超差的电芯在整形后厚度达到标准尺寸，从而可以保证模组的质量，避免后续Busbar焊接时咬边、炸孔。
CN115911576A	一种电池制造方法及电池本发明提供一种电池制造方法及电池，属于电池技术领域，其中，电池制造方法包括：将芯包、顶盖和外壳进行组装，形成电池本体；对电池本体外表面进行预处理；采用喷粉工艺将绝缘粉末喷设于预处理后的电池本体的外表面，并进行固化形成绝缘层；对固化后的电池本体进行烘烤，并在烘烤后注入电解液。本发明提供的一种电池制造方法，在组装完成的电池本体的表面直接进行预处理、绝缘粉末的喷粉以及固化，省去了在电池外部进行包膜的过程，工艺方式简单，提高绝缘层的加工效率以及加工质量，在进行喷粉工艺时，电池本体不带电，喷粉工艺安全性更高，并且可以采用高温固化方式，提高加工效率，高温固化过程也不会对电解液产生影响，保证电池质量。
CN115911572A	适用于镀铝复合膜集流体的功能型电解液及锂离子电池本发明涉及电池电解质技术领域，具体涉及一种适用于镀铝复合膜集流体的功能型电解液及锂离子电池，包括基础电解液、和/或锂盐、和/或添加剂，所述基础电解液由以下方法制得：首先将碳酸乙烯酯、碳酸甲乙酯在手套箱内均匀混合，向其中加入碳酸亚乙烯酯、氟代碳酸乙烯酯，混合均匀后得到。制作正极极片、负极极片再依次经过碾压、模切、干燥、卷绕、装配、注入功能型电解液、封口、化成、二封制得锂离子电池。本发明通过电解液配方调整，使电池体系中HF酸含量处于极低水平，有效抑制镀铝复合膜的腐蚀脱落问题，提升使用镀铝复合膜的锂离子电池的综合性能。镀铝复合膜铝与PET基膜无脱层现象；电池交流阻抗下降，电池循环性能提升。
CN115911567A	一种电池本发明提供了一种电池，特别是一种具有快充性能和高安全性能的电池。本发明通过优化隔膜的overhang和电解液中羧酸酯类溶剂的含量，降低了高温环境下隔膜的收缩率；同时在电解液中加入式I所示化合物，不仅可以在负极形成致密稳定的界面膜，在电池内部温度较高时还可以吸收热量，降低体系温度，减少热失控风险，从而同时提高电池的快充性能和安全性能。
CN115911564A	一种电解液及含有该电解液的磷酸铁锂电池本发明涉及磷酸铁锂电池技术领域，具体涉及一种电解液及含有该电解液的磷酸铁锂电池。所述电解液包括锂盐、溶剂和添加剂，其中，所述添加剂包括硫酸亚乙烯酯、三(三甲基硅烷)亚磷酸酯和碳酸亚乙烯酯。使用本发明的添加剂组合所制备的电解液粘度和交流电阻不显著改变的前提下，常温放电保持率在99％以上，同时保证了优异的低温循环性能。
CN115911562A	一种长寿命高安全性能锂电池及其制备方法本发明公开了一种长寿命高安全性能锂电池及其制备方法，属于新能源技术领域。本发明提供的长寿命高安全性能锂电池，包括电解液；电解液包括电解液基体和热固化组分；热固化组分占电解液的质量百分数为1～3％；热固化组分包括高官能度环氧树脂、酰胺化离子液体改性的环氧树脂以及固化剂。本发明提出的长寿命高安全性能锂电池，能够有效提高所得锂电池的寿命和安全性能。本发明还提供了上述锂电池的制备方法。
CN115911558A	一种高首效快充型钠离子电池及应用本申请提出一种高首效快充型钠离子电池及应用，其中高首效快充型钠离子电池包括电解液、负极和正极；电解液包括溶剂、电解质盐、第一添加剂和第二添加剂，第一添加剂为三氟甲基磺酸钠，第二添加剂为硫系化合物，第一添加剂在所述电解液中的含量为awt％，第二添加剂在电解液中的含量为b wt％,负极包括负极材料，负极材料的压实密度为cg/cm3，c与a、b存在以下关系：0.2≤(a+b)/4c≤2.5。本申请所述高首效快充型钠离子电池，通过控制第一添加剂的含量、第二添加剂的含量和负极材料的压实密度并限定它们之间的关系，可使钠离子电池的首次充放电效率更高、倍率性能和循环性能更好。
CN115911556A	一种电解液及含有该电解液的锂电池本发明涉及一种电解液及含有该电解液的锂电池。为了解决现有锂电池的电解液无法同时兼顾锂电池的高温稳定性和高温循环性能，本发明提出一种电解液，其包括锂盐、非水有机溶剂和添加剂，其中添加剂包括具有通式(1)所示结构的噻唑异氰酸酯及其衍生物中的一种或多种，通式(1)中R1和R2分别独立地为H、卤素原子或烷基、或R1和R2相连形成环烃。本发明通过适量的噻唑异氰酸酯及其衍生物添加剂有效抑制高温环境下电解液的水分和酸度上升，提高电解液稳定性和电化学性能。
CN115911555A	一种钠离子电池电解液本发明涉及一种钠离子电池的电解液，所述电解液包括含氟钠盐、碳酸酯类溶剂和添加剂，所述添加剂中包括含有Si‑O键的(亚)磷酸酯类添加剂。本发明通过在钠离子电池的电解液中加入含有Si‑O键的(亚)磷酸酯类添加剂，在电化学循环过程中，含有Si‑O键的(亚)磷酸酯类添加剂改善了SEI的电子绝缘性。本发明首次通过从抑制电子泄露的角度对抑制SEI生长提出的新的电解液。本发明电解液组装后的钠离子电池，SEI在充放电循环过程(200圈充放电循环)中，没有明显的增长，保持光滑，均匀的SEI膜。克服了现有技术中SEI膜在电化学循环过程中呈现增后和不均匀的形貌。显著改善钠离子电池的电化学性能，特别是循环稳定性。
CN115911554A	电解液、电池以及用电设备本发明公开了电解液、电池以及用电设备，所述电解液包括：二硼酸酯类添加剂、溶剂和电解质盐；所述二硼酸酯类添加剂选自具有式I所示结构的化合物中的至少一种：其中，R选自C1～C6的亚烷基、O、C2～C7的亚烯基、C2～C5的亚炔基、C4～C20的亚芳基、O‑R3‑O、取代的C4～C20的亚芳基、取代的C2～C7的亚烯基中的任一种；R1和R2各自独立地选自C1～C6的亚烷基、取代的C1～C6的亚烷基、C6～C10的亚芳基中的任一种；R3选自C1～C6的亚烷基。本发明中的二硼酸酯类添加剂提高了电解液的电化学窗口和热力学稳定性，还提高了电池在高温下的存储性能。
CN115911552A	一种阻燃型电解液及其制备方法和应用本发明属于锂离子电池阻燃剂技术领域，具体涉及一种阻燃型电解液及其制备方法和应用，电解液包括：锂盐、碳酸酯有机溶剂、共溶剂以及阻燃添加剂；锂盐在锂盐和碳酸酯有机溶剂组成的电解液中的浓度为0.5～5mol/L；碳酸酯电解液和阻燃添加剂的体积比为100：(1～30)；共溶剂和阻燃添加剂的体积比为(4～120)：(1～5)；共溶剂为能够溶解阻燃添加剂的溶剂，且阻燃添加剂为全氟己烷衍生物。本发明提出在电解液中引入不与锂离子相互作用的共溶剂，通过共溶剂的桥梁作用将不溶的阻燃剂引入到常规电解液中，通过该方法配置的阻燃电解液不会因为阻燃剂的添加而恶化电化学性能，解决了锂离子电池的电解液阻燃性能与电化学性能不兼容的问题。
CN115911549A	电解液添加剂、电解液以及包含其的锂离子二次电池本发明提供了电解液添加剂、电解液以及包含其的锂离子二次电池。电解液添加剂包含由以下式(1)所示的物质，其中，R1是全氟代亚丙基或全氟代亚丁基；以及R2和R3各自独立地是含有一个杂原子的五元单杂环基团或六元单杂环基团，杂原子选自O、S或N。通过本发明的电解液添加剂、包含该电解液添加剂的电解液以及包含该电解液的锂离子二次电池，抑制了锂离子二次电池的产气膨胀，提高了锂离子二次电池的首次库伦效率，改善了锂离子二次电池的循环性能并且降低了锂离子二次电池的循环后阻抗。
CN115911545A	一种非水电解液及电池为克服现有极片表面钝化膜存在厚度不均一、高温稳定性差、锂离子电导率较低和阻抗较高的问题，本发明提供了一种非水电解液，包括结构式1所示的化合物中的至少一种：其中，n为0‑4的自然数，A选自环状硫酸酯基团及其衍生物、环状磺酸酯基团及其衍生物、环状碳酸酯基团及其衍生物或环状亚硫酸酯基团及其衍生物。同时，本发明还公开了包括上述非水电解液的锂离子电池。本发明提供的非水电解液可在电极表面发生电化学反应，同时能够适度交联形成比较稳定的薄膜结构，利于改善极片表面钝化膜的质量。
CN115911544A	一种非水电解液及锂电池本发明涉及一种非水电解液及锂电池，主要解决了非水电解液在高温易分解、高温循环性能差以及倍率性能差的问题。本发明通过添加剂A和添加剂B联合使用产生的协同效应较好地解决了该问题，本申请中的非水电解液及采用此非水电解液的锂电池具有优异的高温性能、循环性能、倍率性能。
CN115911536A	负极表面人造固体电解质界面膜SEI及其制备方法和锂电池本发明公开了一种负极表面人造固体电解质界面膜SEI及其制备方法和锂电池，负极表面人造固体电解质界面膜SEI包括:聚合物固体电解质；聚合物固体电解质包括:聚合物、锂盐和引发剂；锂盐和引发剂的总质量占聚合物固体电解质的总质量的百分比为5％‑80％；其中，聚合物为具有不饱和化学键的聚合物；负极表面人造固体电解质界面膜SEI的厚度为5nm‑20μm；负极表面人造固体电解质界面膜SEI的电化学窗口≥4.6V；负极表面人造固体电解质界面膜SEI的离子电导率≥10‑4S/cm；负极表面人造固体电解质界面膜SEI的热分解起始温度≥250℃；负极表面人造固体电解质界面膜SEI的机械强度≥10MPa。
CN115911534A	一种锂离子电池电解液及含有该电解液的锂离子电池本发明属于锂离子电池技术领域，公开了一种锂离子电池电解液及含有该电解液的锂离子电池。本发明的锂离子电池电解液包括非水性有机溶剂、锂盐及添加剂，所述添加剂包括常规添加剂和化合物A，所述化合物A的结构如式(Ⅰ)所示：其中，R独立选自1‑4个碳的烷基、烯基、异氰酸基、氟代烷基、苯基、硅基及其取代物中的一种。本发明的锂离子电池电解液通过优化配方，特别是在独特组合的混合锂盐、负极成膜添加剂、正极保护添加剂和具有特定结构的化合物A的协同作用下，充分发挥了锂离子电池的性能，延长了锂离子电池的日历和循环寿命。
CN115911533A	多孔氧化物固态电解质及其制备方法和应用、锂离子电池本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了一种多孔氧化物固态电解质及其制备方法和应用、锂离子电池。本发明的制备方法包括：（1）将含有氧化物固态电解质原料和造孔剂的第一混合物压制成片，得到固体电解质片A；（2）将所述固体电解质片A进行煅烧，得到固体电解质片B；（3）将所述固体电解质片B与酸溶液进行接触混合，得到固体电解质片C；（4）将所述固体电解质片C进行干燥处理，得到所述多孔氧化物固态电解质。本发明提供的方法制备得到多孔氧化物固态电解质应用于锂离子电池后具有较好的倍率性能。
CN115911532A	一种全固态电池及其制备方法本发明公开了一种全固态电池及其制备方法，具体涉及电池技术领域。该全固态电池包括复合正极层、固体电解质层、隔膜层以及锂‑铟合金负极层。具体过程为：将正极活性颗粒、导电剂以及固体电解质颗粒混合、球磨、压制成片得到复合正极层；复合正极层、固体电解质层、隔膜层、锂‑铟合金负极层依次层叠压制成片得到所述全固态电池。本发明制备的全固态电池采用Li3‑xIn1‑xHfxCl6为固体电解质层，使制备的全固态电池具有较长的循环寿命和较高的能量密度。
CN115911528A	一种去除固态电解质表面污染物并原位生成保护层的方法本发明涉及固态电解质技术领域，特别是指一种去除固态电解质表面污染物并原位生成保护层的方法，包括以下步骤：S1、将石榴石型固态电解质粉体利用放电等离子体烧结工艺烧结成块体；S2、将所得块体放置在空气中自然处理，使之与空气中的部分组分发生化学反应得到表面带有碳酸锂污染物的石榴石型固态电解质块体；S3、在氢碘酸溶液存在条件下，将所述表面带有碳酸锂污染物的石榴石型固态电解质块体进行加热处理，使氢碘酸蒸发出碘化氢气体来处理电解质块体表面，在电解质块体表面原位生成碘化锂保护层。本发明方法所得固态电解质在与锂金属接触组成电池时，表现出较低的界面接触阻抗和优异的循环稳定性，具有良好的应用价值。
CN115911523A	一种石榴石型锂离子固体电解质及其制备方法本发明公开了一种石榴石型锂离子固体电解质及其制备方法，本发明的制备方法通过将LLZMO前驱体粉末与锆源A球磨获得混合粉体，混合粉体预定成型，获得粗坯，粗坯于空气气氛下烧结，获得表面和晶界彻底消除碳酸锂、表面包覆锆酸锂的石榴石型锂离子固体电解质，本发明避免了因碳酸锂的存在阻碍烧结致密性、降低锂离子电导率、增大界面阻抗的问题，同时在核心材料的表面包覆有具有良好稳定性的锆酸锂层，能够更进一步的提高石榴石电解质空气稳定性。
CN115911514A	一种锂离子电池本发明公开了一种锂离子电池，包括：正极片，正极片包括正极集流体以及设在正极集流体相对两表面的正极活性物质层，正极活性物质层包括正极活性材料LiNixCoyMn(1‑x‑y)O2，其中0.7≤x＜1,0＜y≤0.3,0＜x+y＜1；负极片，负极片包括负极集流体及设在负极集流体相对两表面的负极活性物质层；正极活性物质层的微观应力σ正与负极活性物质层的微观应力σ负满足0.115 Pa≤（σ正+σ负）/(σ正/σ负)≤0.165 Pa。本发明通过控制正极活性物质层和负极活性物质层的微观应力，使得正极活性物质层和负极活性物质层能够在锂离子电池充放电循环过程中保持结构稳定，从而减弱副反应的发生，进而提高了锂离子电池的循环寿命。
CN115911512A	一种锂离子电池本发明提供了一种锂离子电池，所述锂离子电池包括正极片和负极片，所述正极片包括正极集流体，所述正极集流体的至少一侧表面设置有正极活性物质层，所述正极活性物质层的厚度为h0，所述正极活性物质层表面开设有第一减薄区和第二减薄区，所述第一减薄区内的正极活性物质层的厚度为h1，0.55≤h1/h0≤0.65，所述第二减薄区内的正极活性物质层的厚度为h2，h2
CN115911508A	电池的制造方法提供一种电池的制造方法，能够缩短电解液的浸渗时间。该电池的制造方法具有经由未密封部向中间构件注入电解液的注入工序以及使电解液浸渗中间构件的浸渗工序，电极体具有发电元件以及第1集电端子和第2集电端子，发电元件具有与矩形的长边对应的第1边和第2边、以及与矩形的短边对应的第3边和第4边，第1集电端子和第2集电端子分别配置于第1边和第2边，在浸渗工序中，形成将中间构件配置成第1边位于铅垂方向下侧的第1配置状态。
CN115911503A	包胶设备及包胶方法本申请公开了包胶设备及包胶方法，涉及电池加工技术领域，包胶设备包括送料装置以及包胶装置；送料装置用于将呈立式且可转动的电芯输送至包胶工位；包胶装置设置于送料装置的一侧，包括胶带供给机构、贴胶机构以及裁切机构；贴胶机构包括吸附轮以及用于带动吸附轮转动的吸附轮驱动器；吸附轮周面上分布有用于吸附胶带的吸附孔，吸附轮周面上的胶带可与位于包胶工位上的电芯相切接触；胶带供给机构用于给贴胶机构输送胶带；裁切机构用于将吸附在吸附轮周面上的胶带逐段切断。该设计能实现立式包胶，无需经历多次中转定位等工作，同时，可省略掉传统的拉胶机构，进一步缩短工时。该设计的包胶设备，包胶工序简便，加大地提升了电芯的组装效率。
CN115911502A	电池及其制作方法本申请公开了一种电池及其制作方法。该制作方法先将正极片、负极片、隔膜与不含有绝缘层的壳体组装形成电芯，再在电芯中注入电解液，得到组装电池，在对壳体的外表面进行清洁处理后，将绝缘材料喷涂于外表面的至少一部分区域上，固化处理后得到包含绝缘层的电池。在本申请的制作方法中，清洁处理和对绝缘材料的喷涂过程发生于组装过程和电解液注入过程之后，故由此得到的绝缘层的表面性能不会受到组装时焊接所产生的焊接火花的影响，绝缘层也不会受到电解液的腐蚀，从而本申请的绝缘层的表面厚度均一、平整度好，能够使得电池具有良好的外部绝缘性能，在一定程度上降低电池发生外部短路的风险。
CN115911500A	卷针控制方法、控制器和计算机可读存储介质本申请提供了一种卷针控制方法、控制器和计算机可读存储介质，获取卷针的当前角度、卷针初始卷绕卷料的初始角度、卷料厚度、卷针直径；根据当前角度和初始角度确定卷料的叠加角度；根据卷料厚度计算出在单位角度下卷料的单位递增厚度；根据叠加角度和单位递增厚度，确定卷料的累计递增厚度；根据卷针直径和累计递增厚度，确定卷针和卷料的整体直径；根据卷针的预设线速度和整体直径计算得到卷针的目标角速度，并控制卷针根据目标角速度进行卷绕。本申请能够根据卷料厚度的锥度叠加计算卷径大小，再将线速度转化成角速度，使得卷针同步跟随该角速度，换型和调试便利，只需更改卷料厚度即可，节省大量时间，跟随速度稳定，不会因其他因素产生突变。
CN115911497A	电池单体、储能装置及用电设备本发明公开了一种电池单体、储能装置及用电设备，电池单体包括：外壳、电极组件、端盖和集流盘。外壳具有开口，且外壳内具有容纳腔，电极组件容纳于容纳腔，外壳的内壁与电极组件的外周之间的间隙为L1；端盖覆盖于开口以密封容纳腔；集流盘电连接于电极组件与端盖之间，集流盘包括盘体和形成在盘体朝向端盖一侧的定位台，定位台至少包括：在远离盘体的方向上横截面减小的变径段，变径段的径向长度为L2，且满足：L1≤L2，其中横截面为平行于盘体的截面。由此，通过设置变径段为集流盘提供导向，可在简化装配工艺的同时提高装配效率。
CN115911488A	一种燃料电池的固定装置及冷启动方法本发明公开了一种燃料电池的固定装置，伸缩电机、压缩架、压缩板、上端板、若干伸缩连杆、下端板、pack固定外壳和电堆，伸缩电机、压缩架、压缩板、上端板、若干伸缩连杆、下端板和电堆均设置于pack固定外壳内，伸缩电机用于压缩电堆内。本发明通过设置伸缩电机对电堆进行压缩，可以将电堆内部的水挤出来pack固定外壳内，使得电堆内部的水在极端天气情况下不会结冰，从而更好地保护电堆。
CN115911487A	一种电堆封装壳体及燃料电池本发明涉及一种电堆封装壳体以及燃料电池，属于电堆封装技术领域。该电堆封装壳体包括：底座，其设有与电堆凹凸配合的第一限位部，用以限制电堆在底座的平移；上盖板，盖设于底座，底座和所述上盖板共同围设形成电堆的封装空间；以及，支撑结构，其内置于封装空间并架设于电堆的相对两端，以形成电堆封装壳体的内部支撑，并配合第一限位部约束所述电堆。本发明提供了一种新的电堆封装结构，解决现有电堆封装困难、稳固效果差且效率低的难题。
CN115911486A	燃料电池发电系统及其电堆自紧机构本发明公开了一种燃料电池发电系统及其电堆自紧机构，所述电堆自紧机构包括：电堆盖板，包括竖向间隔布置的上电堆盖板(1)和下电堆盖板(2)，用于夹紧介于所述上电堆盖板(1)和所述下电堆盖板(2)之间的电堆(3)；和盖板连接件(100)，用于竖向穿连所述上电堆盖板(1)和所述下电堆盖板(2)。电堆盖板为热膨胀系数不同多层盖板，使得电堆盖板能够随着热膨胀的增加而弯曲形变，利用电堆盖板的热膨胀补偿特性，减少或消除盖板连接件在高温形变下而产生的预紧力下降的问题保证电堆的密封性不被破坏，提高电堆的密封性，保证燃料电池的稳定运行。
CN115911485A	一种可倾斜的通用燃料电池堆组装夹具装置本发明公开了一种可倾斜的通用燃料电池堆组装夹具装置。倾斜底板的上表面对称设置有两个T型轨道，每个T型轨道的三端分别设有一个定位调整单元，支撑平台位于定位调整单元上方且支撑平台的四个角分别通过支柱与倾斜底板固定连接，燃料电池堆放置在支撑平台上，定位杆位于支撑平台的周围且与定位调整单元固定连接，倾斜底板中做切角处理的两个对角分别通过转轴支架和倾角调节组件分别与固定底板中的两个对角可活动地连接。本发明提高了燃料电池堆组装时的定位精度，能够适用于多种尺寸的燃料电池堆，方便组装的定位与保证电堆组装的一致性。
CN115911483A	一种应用于全钒液流电池的移动隔断式储罐结构及控制方法本发明公开了一种应用于全钒液流电池的移动隔断式储罐结构及控制方法，涉及全钒液流电池的技术领域，包括储罐、分隔板、电堆、进液主管、进液分管、回液主管及回液分管，分隔板竖直插装于储罐的内侧并将内部空间分隔出左储仓及右储仓，左储仓及右储仓的内侧均竖直安装有液位管，液位管的内部滑动设有液位浮球，液位管的顶部安装有液位控制器，电堆分别与进液主管和回液主管的某一端连接，进液分管设有一对并连接于进液主管的另一端，两个进液分管对应设于左储仓及右储仓内，回液分管设有一对并连接于回液主管的另一端，两个回液分管对应设于左储仓及右储仓内。本发明中的隔断式储罐结构具有方案设计合理、结构设计巧妙、使用维护方便的特点。
CN115911481A	一种高能量密度低成本碘基液流电池及其制备方法本发明公开了一种高能量密度低成本碘基液流电池及其制备方法，碘基液流电池包括：正负极电解液、正负极电极、隔膜、电解液罐、循环泵，正极电解液活性物质为碘化物，添加剂为硫氰化物、乙醇、吸附剂、三维多孔材料以及筛分过滤材料，硫氰化物与碘化物的阳离子相同；筛分材料包裹在三维多孔材料表面；负极电解液的活性物质为硫化物、锌盐、锂盐、镁盐、铝盐及蒽醌‑2，7‑二磺酸二钠盐或12‑磷钨酸中的任意一种；隔膜为经过离子化处理的离子交换膜；正负极电极为石墨毡或碳毡。本发明在碘基液流电池的正极电解液中加入添加剂，将活性物质固定在正极电解液中，通过硫氰化物与碘单质络合，解锁更多碘离子（I−）容量。
CN115911478A	用于燃料电池质子交换膜的碳纤维复合材料及其制备方法本发明涉及碳纤维复合材料的加工的技术领域，特别是涉及用于燃料电池质子交换膜的碳纤维复合材料及其制备方法，其能够使膜的拉伸、弯曲、冲击强度得到提高，增强膜的力学性能，增强膜的耐腐蚀性，延长质子交换膜燃料电池的使用寿命；该碳纤维复合材料由短切碳纤维、石墨粉末和乙烯基酯组成，其中短切碳纤维由碳纤维长丝经过纤维切断机短切而成，石墨粉末由研磨机将石墨研磨加工至粉末状，乙烯基酯由双酚型环氧树脂与甲基丙烯酸反应制得。
CN115911477A	一种用于液流电池的复合膜材料及其制备方法和应用本发明提供了一种用于液流电池的复合膜材料及其制备方法和应用。本发明提供的用于液流电池的复合膜材料包括多孔膜以及喷涂至所述多孔膜表面的普鲁士蓝层。本发明提供的复合膜材料具有更好的离子选择性；相比于目前应用更为广泛的Nafion膜，该复合膜具有低廉的成本，同时还能保持较高的库伦效率和能量效率。
CN115911474A	一种燃料电池用全喷涂膜电极组件及其制备方法本发明提供了一种燃料电池用全喷涂膜电极组件的制备方法。与现有技术相比，本发明提供的膜电极组件中离子交换膜层与催化剂层均通过喷涂法制备，可以避免传统CCS法制备膜电极组件所面临的界面问题以及传统的CCM法制备膜电极组件遇到的膜溶胀/收缩以及催化层损坏等问题，可形成良好的催化层‑离子交换膜界面，从而提高催化剂的利用效率和界面处的传质行为；并且催化剂效率的提高可以帮助实现降低膜电极组件中的催化剂用量；而界面处的传质速率的提升可以帮助膜电极组件在用于与燃料电池时表现出更好的低湿度性能，从而降低其湿度依赖性。
CN115911473A	一种电解液添加剂本发明涉及一种用于解决碱性锌铁液流电池的电解液迁移问题的多价态阴离子型有机添加剂，具体为：通过向碱性锌铁液流电池负极电解液中加入多价态阴离子型有机添加剂，提高负极电解液离子浓度和离子强度，降低与正极电解液离子浓度和离子强度的差异，从而有效抑制碱性锌铁液流电池因正、负极电解液离子浓度和离子强度压不一致而导致的电解液迁移问题，极大地降低了电池实际使用过程中电解液的维护成本。
CN115911472A	正极电解液、包括其的电池及其在电池中的用途本发明涉及正极电解液、包括其的电池及其在电池中的用途。该正极电解液包括：a)作为活性物质的铁的化合物，其优选由亚铁氰化钾和亚铁氰化钠的混合物组成；和b1)辅助中性盐，其选自如下的一种或多种：氯化铵、氯化钾、氯化钠、氯化锂、硫酸钠、硫酸钾、硫酸锂、硫酸铵、硝酸钠、硝酸钾、硝酸锂、和硝酸铵，所述辅助中性盐在正极电解液中的摩尔浓度在0.5M‑1.5M的范围内，或替代地b2)辅助碱，其选自如下的一种或多种：氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂、氨水、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾、和碳酸氢钾，所述辅助碱在正极电解液中的摩尔浓度在0.5M‑4M的范围内。
CN115911469A	一种甲醇自热重整的固体氧化物燃料电池系统的控制方法本发明公开了一种甲醇自热重整的固体氧化物燃料电池系统的控制方法。该方法包括以下步骤：构建重整温度模型、重整产气量模型、缓冲罐压力模型、电堆功率模型、电堆阳极入口流量模型；第一控制器选择燃烧换热器冷端的入口流量F3作为控制变量实现对重整换热室冷端出口气体温度设定值T2，ref的反馈跟踪；第二控制器选择重整换热室冷端的入口流量F1作为控制变量实现对重整换热室冷端出口流量设定值F2，ref的反馈跟踪；第三控制器选择SOFC电堆的输出电流I作为控制变量实现对电堆功率设定值Ps，ref的反馈跟踪。本发明在保障系统重整产气、电堆供气平衡的同时，克服了重整物料波动所带来的温度控制干扰，实现了对负载功率以及重整温度的快速、精准跟踪控制。
CN115911466A	一种燃料电池微网供能系统及其动态调度方法本发明公开了一种燃料电池微网供能系统及其动态调度方法，燃料电池微网供能系统包括电能型电堆模组和热能型电堆模组；燃料电池微网供能系统的动态调度方法包括：根据当前用户的用电功率和用热功率的需求比，确定燃料电池微网供能系统的工作模式；其中，燃料电池微网供能系统的工作模式包括电模式和热模式；根据燃料电池微网供能系统的工作模式，动态调配电能型电堆模组以及热能型电堆模组的能量输出。实现了适应用户运行工况的调配，满足不同的电力和热力需求比例，提高用户的舒适度，实现了供能系统的经济、稳定运行。
CN115911460A	氢燃料电池系统的停机方法及系统本申请提出一种氢燃料电池系统的停机方法及系统，其中，方法包括：响应于氢燃料电池系统接收到关闭信号，关闭氢气瓶，并开启氮气瓶，通过氮气对氢燃料电池系统中电堆阳极侧的氢腔进行吹扫；检测氢燃料电池系统中单片氢燃料电池的电压；根据单片氢燃料电池的电压，通过与单片氢燃料电池对应的放电电路，对单片氢燃料电池进行放电；响应于所有单片氢燃料电池的电压均低于第二预设阈值，检测氢燃料电池系统中氢气出口压力值；响应于氢燃料电池系统中氢气出口压力值到达保压阈值，关闭氮气瓶，完成氢燃料电池系统的停机。本申请可加快停机吹扫的时间，提高放电效率，增加氢燃料电池系统的使用寿命。
CN115911456A	燃料电池热电联供系统的控制方法本发明涉及燃料电池技术领域，具体涉及一种燃料电池热电联供系统的控制方法。本申请旨在解决现有氧化剂供给系统送气压力和送气流量范围小的问题。为此目的，本申请的系统设置有压力流量调节部，其包括开关阀组、第一增压装置和第二增压装置，通过调节开关阀组的开闭能够实现不同的连通状态，控制方法包括：获取当前时刻的气体压力需求值和气体流量需求值；获取压力流量调节部的进口前的第一实际气体压力值；比较第一实际气体压力值与气体压力需求值的大小；比较气体流量需求值与预设流量阈值的大小；基于比较结果，控制压力流量调节部的连通状态。本申请能够达到较大范围的压力、流量调配的效果。
CN115911455A	燃料电池空气流量计算方法、装置、设备及存储介质本发明属于流量计算技术领域，公开了一种燃料电池空气流量计算方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：获取待评测系统的背压阀信息和电堆信息；根据所述待评测系统的背压阀信息确定排气质量流量；根据所述待评测系统的电堆信息确定已消耗氧气质量流量；根据所述排气流量和所述已消耗氧气质量流量确定进气质量流量。通过上述方式，基于待评测系统的环境空气信息和背压阀信息直接计算排气质量流量和已消耗氧气质量流量，从而计算得到进气质量流量，实现了无需配置空气质量流量计即可得到进气质量流量，减少了进气质量流量的计算成本。
CN115911450A	一种燃料电池用通风引流封装架本发明涉及一种燃料电池用通风引流封装架，该通风引流封装架包括设有通风口(3)的电堆外壳(1)和通风组件；通风口(3)位于电堆外壳(1)底面的侧边，通风组件贯穿通风口(3)。通风组件包括长度可调节的倒L型引流导管(4)，引流导管(4)弯管部分位于电堆外壳(1)内，直管部分贯穿通风口(3)。与现有技术相比，本发明消除了通风域内的死区，使流线分布更均匀；增快了流速，可让气体更快速的从若干出风口分散排出腔体；安全性更高。
CN115911446A	燃料电池热电联供系统的控制方法本发明涉及燃料电池技术领域，具体涉及一种燃料电池热电联供系统的控制方法。本申请旨在解决现有燃料电池热电联供系统的冷却方式存在的温度波动大、运行稳定性差的问题。为此目的，本申请的散热器和换热器使用第一三通阀和第二三通阀连接，控制方法在接收到通电指令时，控制第一三通阀的第一端口与第三端口连通，控制第二三通阀的第二端口与第三端口连通；获取冷却出口的第一出口温度；比较第一出口温度与出口下限温度阈值的大小；根据比较结果，选择性地控制冷却水泵启动运行或保持停止。本申请能够减小燃料电池内部的温度波动，最大化利用燃料电池的输出效率，保证系统高效稳定运行。
CN115911438A	单极板、单体电池以及电池电堆本发明公开了一种单极板、单体电池以及电池电堆，该单极板，包括极板本体、气体流道、第一冷却流道和第二冷却流道。第一冷却流道，设置于极板本体上，与气体流道隔绝设置，用于通入第一冷却液，第一冷却流道位于反应区中，第一冷却流道用于冷却位于反应区中的气体流道；第二冷却流道设置于极板本体上，与气体流道隔绝设置，用于通入第二冷却液，第二冷却流道位于第二区中，与第二冷却流道用于冷却第二区中的气体流道；第一冷却流道与第二冷却流道隔绝设置。本发明的单极板在不影响反应区中的气体中的水蒸气含量的情况下，减少第二区中排出气体的水蒸气含量，利于气体排放。
CN115911432A	燃料电池系统本说明书提供能够抑制劣化的燃料电池系统。本说明书公开的燃料电池系统具备：燃料电池单元，与输出端连接；蓄电池单元，与燃料电池单元并联连接；以及控制器。在目标输出电力低于对于燃料电池单元设定的输出电力下限值的情况下，控制器以燃料电池单元的输出电压保持规定的空载电压的方式控制燃料电池单元，上述规定的空载电压大于零且低于蓄电池单元的输出电压。
CN115911422A	一种制备磷化三钼作为锂-二氧化碳电池正极的方法本发明属于新能源储能材料领域，涉及一种制备磷化三钼作为锂‑二氧化碳电池正极的方法。主旨在于提供具有高电催化性能的过渡金属基材料代替贵金属的一种方案，该方法首先将钼酸钠溶于硫酸溶液中，水热后抽滤得到三氧化钼，将干燥后的产物借助次磷酸钠在高温下磷化成为磷化三钼。本发明中的磷化三钼作为正极催化剂时，锂‑二氧化碳电池的充电电压在250mA/g的电流密度下低至2.91V，并在4.5V以下稳定循环40圈。
CN115911420A	一种Co2P/Cu3P氧还原催化剂及其制备方法和应用本发明属于电催化技术领域，具体涉及一种Co2P/Cu3P氧还原催化剂及其制备方法和应用。本发明提供了一种纳米复合材料，包括纳米颗粒和包覆纳米颗粒的碳纳米管；所述纳米颗粒包括Co2P纳米颗粒和Cu3P纳米颗粒。在本发明中，钴和铜作为过渡金属，d电子层容易失电子或得电子，具有较强的氧化还原性能，能够提高氧还原反应的活性。本发明以Co2P纳米颗粒和Cu3P纳米颗粒作为催化剂的主要催化成份降低了催化剂的生产成本，可以作为空气阴极组装到金属‑空气电池中并应用于能源储存与转换设备，以期解决由于社会的高速发展所带来的能源短缺问题并减少环境污染，能够商业化应用。
CN115911419A	一种复合空气电极及其制备方法本发明提供了一种复合空气电极及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将前驱体材料和溶剂混合得到静电纺丝浆料，将所述静电纺丝浆料与添加剂混合得到复合电纺浆料；(2)将所述复合电纺浆料通过静电纺丝法制成高分子纳米纤维复合膜；(3)对所述高分子纳米纤维复合膜进行煅烧处理，经炭化处理得到所述复合空气电极，本发明可以制备具有优异机械性能和双功能氧电催化活性的一体化电极，制备过程简单且电极厚度和孔径可控，孔径均一，成本低廉。制备得到的功能化碳复合一体化电极不仅能在液流锌空气电池中表现出出色的循环性能，同时也能在固态柔性锌空气电池中稳定运行。
CN115911418A	一种气体扩散层及制备方法本发明公开一种气体扩散层及其制备方法，涉及氢燃料电池材料技术领域，以解决气体扩散层易使水分积聚或水分流失过多的缺点。在疏水性碳纸的表面涂布阻水浆料，形成阻水层，所述阻水浆料包含由十八烷基三氯硅烷与水聚合而成的阻水涂料；在所述阻水层的表面涂布保水浆料，形成保水层，获得预制扩散层；烧结所述预制扩散层，获得所述气体扩散层。本发明提供的一种气体扩散层及其制备方法，用于制备出一种既具有足够的水分保持质子膜湿润，又可以避免水分积聚阻碍气体传输的气体扩散层。
CN115911417A	一种四面体介孔CuPd催化剂的制备方法本发明公开了一种四面体介孔CuPd催化剂的制备方法，利用十六烷基三甲基氯化铵或十六烷基三甲基溴化铵作为阳离子表面活性剂，溴离子诱导打破金属成核生长对称性，以氯钯酸和硝酸铜溶液作为金属前驱体，一步液相法制备了四面体介孔CuPd催化剂。本发明方法制备的CuPd催化剂具有不对称的四面体介孔晶体结构，其展现出增强的电催化乙二醇氧化反应的活性和稳定性，电催化乙二醇的氧化反应活性高达7.9AmgPd‑1，是商业化催化剂的4.7倍。本发明利用简单液相实现了具有多级结构的近单晶四面体不对称介孔金属晶体材料的制备，为碱性直接燃料电池阳极催化剂的制备提供了新策略。
CN115911416A	一种双异质结构电催化剂的制备方法及其应用本发明涉及一种双异质结构电催化剂的制备方法及其应用，首先制备两相的TiO2(Anatase‑B)纳米片组装微米球，将冰乙酸在容器中持续搅拌，量取钛酸四丁酯，滴入搅拌中的冰乙酸溶液中，当混合溶液逐渐变为白色后密封，放入马弗炉中；待反应后离心分离得到白色产物，清洗干燥后加热，得到TiO2纳米片组装微米球；利用制备好的TiO2(Anatase‑B)纳米片组装微米球制备Pt/TiO2(Anatase‑B)纳米片组装微米球。本发明利用化学沉淀法制备了Pt/TiO2(Anatase‑B)微米球，构建出三维Pt/TiO2(Anatase‑B)催化剂体系，并将其作为阳极电极材料用在直接醇类燃料电池中，发现锐钛矿相和TiO2(B)共存能够提高电子传导速率同时避免中间产物的二次反应以及中间产物的解附，提高了催化剂的催化活性以及稳定性。
CN115911415A	一种固体氧化物燃料电池阴极电催化剂及其制备方法与应用本发明公开一种固体氧化物燃料电池阴极电催化剂及其制备方法与应用，其中，所述固体氧化物燃料电池阴极电催化剂的材料为BCFZY‑GDC‑PrOx，其中，BCFZY为BaCo0.4Fe0.4Zr0.1Y0.1O3‑δ，GDC为Ce0.8Gd0.2O1.9。本发明主要是通过对固体氧化物燃料电池阴极电催化剂的材料进行改进，以提升阴极的催化活性，从而提升SOFC的功率密度。具体来讲，本发明将PrOx纳米粒子浸渍到BCFZY‑GDC复合阴极涂层中，从而改善复合阴极ORR(氧化还原)过程氧离子交换性能，并且PrOx的浸渍还可使单电池的功率密度大大提升。
CN115911411A	含活性纳米碳纤维层的全钒液流电池电极及其制备方法本发明提供一种全钒液流电池电极及其制备方法，所述全钒液流电池电极包括基体电极和附在所述基体电极一侧的由活性纳米碳纤维组成的活性纳米碳纤维层，所述活性纳米碳纤维含有纳米级的孔径及丰富的含氧官能团。本发明可以显著提高全钒液流电池的循环寿命、放电容量和能量效率。
CN115911402A	一种锂离子电池用负极集流体及其制备方法本发明涉及一种锂离子电池用负极集流体的制备方法，包括以下步骤：将聚合物薄膜在真空条件下进行等离子解吸附处理；对经S1处理后的聚合物薄膜进行离子源活化、溅射打底、溅射铜种子层；对经S2处理后的聚合物薄膜的铜种子层进行蒸镀加厚；对经S3处理后的聚合物薄膜进行粗糙化和防氧化处理。本发明中的技术方法能够有效提高复合负极集流体的生产效率，是现有技术的3倍。本发明中的复合集流体针孔数量明显减少，极大地提高了产品的质量。本发明中的复合集流体铜层与基膜之间的结合力较大，有效提高负极集流体的循环使用寿命。本发明中的复合集流体表面粗糙度在一定范围内可调且均匀，能够有效提高电池生产中负极材料与铜层的结合强度。
CN115911400A	负极集流体、电芯、电池包、车辆和负极集流体的加工方法本申请公开了一种负极集流体、电芯、电池包、车辆和负极集流体的加工方法，属于电池制造技术领域。所述负极集流体包括：铜箔，所述铜箔具有三维交联的多孔结构；亲锂层，所述亲锂层覆盖在所述铜箔的至少一个表面的至少部分区域；石墨层，所述石墨层覆盖所述亲锂层，且覆盖所述铜箔的表面。根据本申请提供的负极集流体，通过结合具有三维交联的多孔结构的铜箔、亲锂层和石墨层，可以显著提高负极集流体的剥离强度，能够有效抑制析锂行为的发生，且在发生析锂行为时，可以使得沉积的金属锂更均匀，以便于在放电过程中发生可逆的溶解，以防止析出的金属锂、副反应沉积物堵塞石墨负极的离子传输通道。
CN115911399A	吸液保液纳米涂炭集流体及制备方法、极片和电池本发明公开了一种吸液保液纳米涂炭集流体及制备方法、极片和二次电池，制备方法具体包括：（1）选取集流体基材，备用；（2）制备吸液保液纳米涂炭材料，备用；（3）将吸液保液纳米涂炭材料涂覆于集流体基材的上下两个表面上，烘干；其中，吸液保液纳米涂炭材料包括导电碳材料和吸液保液纳米材料，其中所述吸液保液纳米材料中包括纳米多孔材料，导电碳材料与吸液保液纳米材料的质量比为1:0.6‑1.2。纳米多孔材料和导电碳材料可以有效提高由该集流体制备得到的极片对电解液的浸润能力，减少浸润时间；同时还可提高集流体对活性物质的粘附力，避免活性物质的脱落，确保二次电池的综合性能；同时本发明的制备方法简单、操作方便。
CN115911398A	一种安全电芯极片结构及锂离子电池本发明属于电池的技术领域，具体涉及一种安全电芯极片结构，包括集流体；安全涂层，涂覆在所述集流体的一端；绝缘层，涂覆在所述集流体的另一端；其中，所述安全涂层和所述绝缘层在长度方向相对的一端分别设有第一削薄区和第二削薄区，所述第二削薄区搭接在所述第一削薄区上。本发明通过优化极片的涂覆结构，能够改善电芯的安全性能。此外，本发明还公开了一种锂离子电池。
CN115911397A	一种新型铜箔集流体及其制备方法和在锂金属电池中的应用本发明提供了一种新型铜箔集流体及其制备方法和在锂金属电池中的应用，涉及锂金属电池技术领域。本发明提供的新型铜箔集流体，铜箔表面分布垂直的纳米片阵列可以增加铜箔比表面积至适当水平，稳定存在的纳米片阵列结构在缓解了锂金属无限制体积膨胀的同时减小了局部电流密度，从而实现了电极表面均匀的电荷分布，抑制了锂枝晶的生长，实现了金属锂的超致密平滑沉积，为锂金属电池的长期稳定循环提供了保障。
CN115911396A	集流体、电极片以及集流体的制备方法本申请公开了一种集流体、电极片以及制备集流体的方法。集流体包括：支撑层、第一导电层和第二导电层；所述支撑层具有相背设置的第一表面和第二表面；所述第一导电层呈网格状结构分布在所述支撑层的第一表面和/或第二表面；所述第一导电层远离所述支撑层的表面上设置有所述第二导电层。通过设置支撑层满足了集流体的强度要求，通过第一导电层和第二导电层实现集流体的导电性。本申请实施例中第一导电层呈网格状结构形成在支撑层，降低了集流体单位面积重量。
CN115911395A	一种基于异质转换机理制备的新型中空氧化铜改性铜集流体本发明提供一种基于异质转换机理制备的新型中空氧化铜改性铜集流体，属于电池技术领域。所述材料制备方法利用金属硫化物或硒化物在空气中加热转化为相应的氧化物，通过转化过程中的体积损失和气体释放而原位形成中空改性层。中空结构具有足够的空间提供金属锂存储，可增大储锂容量，且具有亲锂性的氧化铜可引导锂离子均匀沉积，抑制锂枝晶的产生，从而提高锂金属电池的库伦效率、循环稳定性和安全性。
CN115911394A	一种双层包覆层状氧化物材料及其制备和应用本发明属于电池技术领域，具体涉及一种双层包覆层状氧化物材料及其制备和应用。该双层包覆层状氧化物材料包括层状氧化物和包覆层；所述层状氧化物的通式为NaxNiiFejMnkMmO2；所述包覆层包括内层和外层，所述内层为氮元素掺杂的碳包覆层，所述外层为碳材料掺杂的聚多巴胺包覆层。本发明碳复合聚多巴胺/碳氮包覆层状氧化物材料在提高层状氧化物材料空气稳定性的同时，并没有影响材料的倍率特性，且还提升了材料在大倍率条件下的克容量发挥；同时，这种双层包覆的层状氧化物材料避免了材料与电解液的直接接触，提高了该材料的循环稳定性。
CN115911390A	电极片及其制备方法和电池本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种电极片及其制备方法和电池。该电极片的电极材料层中含有阻燃导电微球，所述阻燃导电微球包括阻燃剂纳米核以及包覆在所述阻燃剂纳米核表面的导电材料。阻燃导电微球中的阻燃剂纳米核能够在电池发生热失控时发挥阻燃性能，提升电池的安全性能，而表面包覆的导电材料能够在电池正常运行的情况下发挥导电剂的作用，参与完善电极活性材料与导电剂之间的导电网络，降低极片的极化，减小电池的内阻，从而提升电池的倍率性能和循环性能。因此，本发明的电极片克服了阻燃剂对其电化学性能的影响，同时兼具较好的安全性能和电化学性能。
CN115911387A	一种碱金属方酸盐复合材料及制备方法本发明公开了一种碱金属方酸盐复合材料及制备方法，复合材料包括碱金属方酸盐和导电碳材料，碱金属方酸盐附着于导电碳材料的表面；碱金属方酸盐复合材料添加于碱金属离子电池的正极，作为补充碱金属离子的材料。制备方法包括以下步骤：(1)以碱性的碱金属化合物与方酸反应制备碱金属方酸盐；(2)制备导电碳材料分散液；(3)将步骤(1)的碱金属方酸盐与步骤(2)的导电碳材料分散液混合得到混合分散液；(4)将步骤(3)的混合分散液进行喷雾干燥，得到碱金属方酸盐‑导电碳复合材料。本发明实现了绿色节能地制备碱金属方酸盐，也有效地降低了碱金属方酸盐氧化过电势，复合材料在碱金属离子电池正极材料搅拌工艺中可直接添加使用，不会增加工艺成本。
CN115911386A	自交联锂离子电池正极水性粘合剂及其制备方法本发明公开了一种自交联锂离子电池正极水性粘合剂及制备方法，由乳液及分散在乳液中的胶乳粒子组成，胶乳粒子是由丙烯酸类单体，丙烯酸酯类单体以及有机硅氧烷单体依次共聚而成的共聚物；有机硅氧烷单体是同时含碳碳双键与烷氧基的有机硅活性功能单体；乳液的固含量为5～30%，丙烯酸类单体，丙烯酸酯类单体以及有机硅氧烷单体的质量比为：（10～60）：（20～80）：（5～20）。本发明的水性粘结剂，以水为分散介质，解决了锂电池用粘结剂的环保问题，是环保型粘结剂。且本发明的粘合剂乳液在使用过程中，会形成化学交联结构，提高的附着力和耐电解液性能，制备的电池性能满足客户需求。
CN115911383A	磷酸铁锂复合材料及其制备方法、锂离子电池本发明属于锂离子电池正极材料技术领域，具体涉及一种磷酸铁锂复合材料及其制备方法、锂离子电池，所述磷酸铁锂复合材料的制备方法包括以下步骤：S1、制备磷酸铁锂前驱体；S2、将碳源、有机氮源和磷酸铁锂前驱体粉末混合均匀，然后在惰性气氛下进行烧结，得到磷酸铁锂复合材料。采用本发明提供的制备方法制备的磷酸铁锂复合材料的电阻率低，具有优异的导电性能。
CN115911380A	正极材料、正极材料的制备方法、正极极片和钠离子电池本申请公开了一种正极材料、正极材料的制备方法、正极极片和钠离子电池。本申请中，所述正极材料包括普鲁士蓝材料和包覆于所述普鲁士蓝材料表面的碳层。本申请中碳包覆普鲁士蓝材料，通过使用无机碳源包覆工艺，降低高温烧结对普鲁士蓝材料基材的破坏；碳源使用无机导电包覆剂，在烧制过程中均匀包覆于普鲁士蓝的表面，在提升材料表面导电性的同时提升颗粒表面光滑性，进而提升所得钠离子电池的循环稳定性。
CN115911374A	一种负极浆料及其制备方法、负极片和二次电池本发明属于二次电池技术领域，尤其涉及一种负极浆料及其制备方法、负极片和二次电池，包括以下重量份数的原料：负极活性物质90～98份、粘结剂1～10份、导电剂0.5～3份、卡波姆树脂1～6份、碱性添加剂0.2～4份以及溶剂50～80份。本发明的一种负极浆料，添加有卡波姆树脂和碱性添加剂，通过卡波姆树脂与碱性添加剂进行中和反应，生成含钠离子卡波姆的盐类聚合物，能够提供额外的钠离子，从而提高电芯的首效，改善电芯的循环性能，同时卡波姆树脂能够提高电极的孔隙率，增加浆料的稳定性。
CN115911373A	一种稀土掺杂硬碳复合材料及其制备方法本发明涉及锂离子电池技术领域，提出了一种稀土掺杂硬碳复合材料及其制备方法，所述稀土掺杂硬碳复合材料为核壳结构，内核为稀土掺杂硬碳，外壳由无定形碳及碳纳米管组成，其制备方法为：S1、将水溶性硬碳前驱体、稀土化合物、分散剂、催化剂混合，得到溶液A；在25‑150℃下，将碳酸盐溶液滴加到溶液A中，搅拌分散，过滤、洗涤、干燥，得到稀土掺杂硬碳前驱体；S2、在氮气保护下，将萘蒸汽通入稀土掺杂硬碳前驱体中，在80‑150℃下反应1‑6h，得到稀土掺杂硬碳内核；S3、在碳源气体作用下，将稀土掺杂硬碳内核在700‑1100℃碳化1‑6h，得到稀土掺杂硬碳复合材料。通过上述技术方案，解决了现有技术中的硬碳材料的首次效率偏低、功率性能偏差的问题。
CN115911361A	一种磷酸铁锂锂离子电池本发明提供了一种磷酸铁锂锂离子电池，属于锂电池技术领域，包括正极片、负极片、隔膜和电解液；正极浆料按重量百分比例，包括49‑51％的正极固体物质和49‑51％的溶剂NMP；正极固体物质按重量百分比例，包括92‑93.5％的正极活性物质、3.5‑4.2％的导电剂SP、0.8‑1.2％导电浆料以及2.2‑2.6％的聚偏氟乙烯粘结剂；负极浆料按重量百分比例，包括44‑46％的负极固体物质和54‑56％的溶剂水；负极固体物质按重量百分比例，包括92‑94％的负极活性物质、1.8％‑2.3％的导电剂SP、1.7‑2.2％的羧甲基纤维素纳和2.5‑3.5％的SBR粘结剂；隔膜为聚乙烯隔膜；电解液为低温倍率型电解液。本发明提供的一种磷酸铁锂锂离子电池，能够提升磷酸铁锂锂离子电池的低温性能。
CN115911359A	一种高镍多晶正极材料及其制备方法和应用本发明属于电池材料技术领域，具体涉及一种高镍多晶正极材料及其制备方法和应用。所述高镍多晶正极材料基体的粒度跨度D＝(D90‑D10)/D50满足：1.30≤D≤1.50，该粒度分布的正极材料多晶颗粒间空隙较少，辊压过程颗粒裂纹较少；以C9H3O6Li3作为包覆层能够降低正极材料的表面残碱，还能避免正极材料与电解液接触、减少副反应的发生。另外，本发明提供的高镍多晶正极材料的比表面积SSA和平均粒度D50满足：0.060≤SSA/D50≤0.0800，能进一步提升正极材料电性能。
CN115911357A	一种碳包覆铁酸锂材料的制备方法及其应用本发明涉及补锂剂技术领域，具体而言，涉及一种碳包覆铁酸锂材料的制备方法及其应用。所述的碳包覆铁酸锂材料的制备方法包括如下步骤：将含有铁源、锂源和非水溶剂的混合料依次进行第一研磨、第一喷雾干燥、第一烧结和第一粉碎，得到铁酸锂材料；所述铁酸锂材料经醇类溶剂洗涤后，与无机碳源和所述非水溶剂混合，并依次进行第二研磨、第二喷雾干燥和第二烧结，得到所述碳包覆铁酸锂材料。本发明采用两次烧结工艺，第一次烧结时的前驱体的中不含碳，避免了碳酸锂和单质铁的产生，通过洗涤去除了未反应完全的锂源，降低了残碱，制备出的碳包覆铁酸锂材料纯度高，充电比容量高。
CN115911355A	锆掺杂三元正极材料的制备方法、三元正极材料及其应用根据本发明的一个方面，提供一种锆掺杂三元正极材料的制备方法，包括如下步骤：S1.按照锆掺杂三元正极材料中各元素的化学计量比，采用可溶性镍盐、可溶性钴盐以及含有M元素的可溶性盐通过第一次共沉淀反应制备第一前驱体，第一前驱体中含有镍元素、钴元素以及M元素，其中，M元素包括锰元素、铝元素中的至少一种；S2.通过第二次共沉淀反应在第一前驱体的表面沉积含锆化合物得到第二前驱体；S3.按照锆掺杂三元正极材料中各元素的化学计量比，将第二前驱体与锂源混合得到第三前驱体，并采用高温固相法对第三前驱体进行煅烧，从而制得锆掺杂三元正极材料。
CN115911354A	改性无钴富锂锰基正极材料及其制备方法本发明公开了一种改性无钴富锂锰基正极材料及其制备方法，属于无钴富锂锰基正极材料的改性技术领域。其技术方案为：所述改性无钴富锂锰基正极材料包括无钴富锂锰基正极材料，无钴富锂锰基正极材料的体相内分散有二价锡离子。本发明在无钴富锂锰基正极材料的体相中掺杂二价锡离子，对正极材料进行改性，与未改性的无钴富锂锰基正极材料相比，装配成的电池的电化学性能更加优异。
CN115911349A	一种含卤素前驱体硅碳复合负极材料及其制备方法与应用本发明公开了一种含卤素前驱体硅碳复合负极材料及其制备方法与应用。涉及硅碳材料技术领域。硅碳复合材料，包括以下组分：硅材料；所述硅材料为表面含有硅卤键的纳米硅颗粒；石墨烯，所述石墨烯包覆所述硅材料；所述石墨烯具有褶皱结构。本发明的硅碳复合材料是一种包覆结构的材料，石墨烯碳层包覆在硅材料的表面，能够提高材料的导电性。当该材料被应用于电池中时，石墨烯碳层的包覆可以抑制硅的体积膨胀，防止硅与电解液的直接接触，减少SEI膜的过度生长，减小由硅的体积变化对电极结构造成的破坏。
CN115911348A	一种锂硫电池正极材料及其制备方法和应用本发明提供了一种锂硫电池正极材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将钴源、CTAB和CNT水分散液混合搅拌，加入2‑MIM，反应得到复合材料；(2)将硫化物和溶剂混合得到硫化物溶液，加入步骤(1)得到的复合材料，反应得到硫化钴‑有机骨架与碳纳米管的复合材料；(3)将步骤(2)得到的复合材料、PAN和溶剂混合进行静电纺丝处理，将得到的产物与二硫化硒混合，经烧结处理后与氧化剂溶液混合得到所述锂硫电池正极材料，本发明通过多步反应的方式，形成一种以纳米硫和硫化钴颗粒嵌入多孔碳骨架为核心，网状碳纳米管作为中间层，外层为PAN/SeS2纤维的核壳网状结构。
CN115911347A	一种多孔自支撑材料、电极及其制备方法以及电池本发明提供一种用于锌电池的多孔自支撑电极材料、制备方法及其应用，多孔自支撑电极材料为多孔铁镍合金，其中表层是少铁富镍的多孔自支撑合金；制备方法包括：在高温熔盐体系中，将致密的铁镍合金作为工作电极，镍作为对电极，银‑氯化银作为参比电极，在‑0.5到‑0.2V的电位之间，阳极氧化10‑60分钟，得到多孔自支撑的铁镍合金电极。当用多孔自支撑的铁镍合金电极负载锌时，可以用于水系锌电池或者非水系锌电池中。本发明能够有效解决锌枝晶的问题，具有优异的循环稳定性。
CN115911346A	一种基于无机稀土化合物的功能性钠或钾金属电极的制备方法和应用本申请涉及储能电池技术领域，尤其涉及一种基于无机稀土化合物的功能性钠或钾金属电极的制备方法和应用；所述功能性钠或钾金属电极为无机稀土化合物复合的钠或钾金属所形成的电极；其中，所述功能性钠或钾金属与所述无机稀土化合物的质量比为10～80：90～20；所述无机稀土化合物为稀土金属氟化物；通过限定无机稀土化合物为稀土金属氟化物，并且限定功能性钠或钾金属电极的组成原料，利用功能性钠或钾金属同稀土金属氟化物反应生成氟化钠或氟化钾和稀土合金，可以协同解决钠或钾金属电极的枝晶生长、体积膨胀和不稳定界面。
CN115911344A	一种用于锂电池的高性能碳硅复合材料的制备方法本发明公开了一种用于锂电池的高性能碳硅复合材料的制备方法，包括步骤3、将硅粉、石墨和石油沥青粉体放入到乙醇中进行混合，并通过搅拌磨进行研磨，步骤4、并通过一次或多次任意一种方式加入分散剂继续进行研磨，然后每研磨2h取样一次，测定粒度分布，至研磨满28h时停止研磨，从而得到分散悬浊液，步骤5、将得到的分散悬浊液放入到真空干燥机进行烘干，得到碳硅复合预制体，步骤6、最后再将烘干后的碳硅复合预制体放入到N2气氛炉进行热处理，得到碳硅复合材料，本发明涉及锂电池技术领域。该用于锂电池的高性能碳硅复合材料的制备方法，解决机械球磨法制成碳硅复合材料容易出现团聚现象，从而影响锂电池的质量和性能的问题。
CN115911343A	一类高钠含量、高电压的钠离子电池复合正极材料本发明属于电池材料合成技术领域，提供了一类高钠含量、高电压的钠离子电池复合正极材料。本发明将钠源，锂源，镍源，锰源和钛源按照不同比例混合，球磨获得前驱体，再经高温煅烧并保温一段时间后自然降温得到层状混相P2/O3‑NaxLi0.08Ni0.30Mn0.50Ti0.12O2（0.5＜x≤1.0）正极活性材料。本发明提供的钠离子电池正极材料具有高钠含量、高放电电压和优异的循环稳定性，特别适合用作商业钠离子电池的正极。本发明提供的正极材料制备方法简单易控、成本低廉，具有很好的应用前景。
CN115911341A	一种多孔硅碳负极材料、制备方法以及应用本发明提供了一种多孔硅碳负极材料，所述负极材料具有核壳结构，由内至外依次包括：多孔疏硅碳核芯、过渡层、密硅碳层以及碳包覆层。本发明中多孔硅碳负极材料的碳骨架结构间隙分布硅颗粒的多孔碳具有多孔间隙结构，可提供优良的柔韧性和机械强度，能缓冲锂离子脱嵌产生的膨胀与收缩应力。碳骨架结构间隙分布硅颗粒的多孔碳、碳包覆层及致密碳层掺杂的金属元素具有良好的电导性能，可提升材料电导率。该多孔硅碳负极材料中硅颗粒合理分布于多孔碳和碳颗粒间隙中，具有优良的综合性能，有效地减缓硅负极材料在循环过程中的膨胀，控制容量衰减，提高循环稳定性。
CN115911338A	一种MXene/硅碳复合负极材料及其制备方法与应用本发明属于锂离子电池用负极材料技术领域，具体涉及一种MXene/硅碳复合负极材料及其制备方法与应用。本发明首先采用喷雾干燥技术进行二次造粒，利用有机碳源将MXene纳米片粘结成具有蓬松多空隙结构的“爆米花”类球状基体，然后在氨气与氩气热处理过程中类球状基体中的有机碳源裂解为无定形碳，MXene二维纳米片外表面的Ti原子转化成TiN，当强度高且导电性好的TiN与具有较高的抗拉强度的无定形碳共同作用时，能够克服在反复充放电过程中负极结构易被破坏的缺点，可维持类球状导电基体宏观结构的完整性和机械稳定性，蓬松的球形结构为纳米硅的体积膨胀提供了缓冲空间，提高复合负极材料的循环性能。
CN115911336A	一种锂离子二次电池本发明公开了一种锂离子二次电池，该二次电池的充放电曲线具有多充放电平台，同时在dQ/dV曲线上具有多个氧化还原峰；该二次电池采用的正极材料的XRD谱图有以下特征：P1区：18°～19°之间至少具有1个或者分裂的2个衍射峰；P2区：36°～40°之间至少4个及以上衍射峰；P3区：43°～47°之间为至少1个或2个衍射峰；P4区：47.5°～52°之间为至少1个或2个衍射峰；P5区：57°～61°之间为至少1个或2个衍射峰。本发明将不同类型的正极材料以接枝的方式连成一体，在浆料调制中组成分布稳定，在充放电过程中两者为电势同一体，且具有良好的循环性能、倍率放电低温升性能和较低的自放电率。
CN115911334A	一种改性三元复合磷酸锰铁锂材料及其制备方法与应用本发明涉及一种改性三元复合磷酸锰铁锂材料及其制备方法与应用，所述改性三元复合磷酸锰铁锂材料中，包括复合的改性三元材料和改性磷酸锰铁锂材料；所述改性三元材料包括三元材料、三元材料双层包覆层和三元材料掺杂金属离子；所述三元材料双层包覆层包括三元材料金属氧化物层和三元材料阳离子包覆层；所述改性磷酸锰铁锂材料包括磷酸锰铁锂材料、磷酸锰铁锂双层包覆层和磷酸锰铁锂掺杂金属离子；所述磷酸锰铁锂双层包覆层包括磷酸锰铁锂金属氧化物层和磷酸锰铁锂阳离子包覆层。三元材料和磷酸锰铁锂复合，得到了兼顾能量密度和安全性的正极材料，将三元材料和磷酸锰铁锂均进行掺杂和包覆改性，可以利用掺杂和包覆的协同效果优化正极材料的长循环性能。
CN115911332A	铜锰基层状氧化物材料及制备方法、正极及钠离子电池本发明提供一种铜锰基层状氧化物材料及制备方法、正极及钠离子电池，铜锰基层状氧化物材料的分子通式为NaxMyCuaMn0.7O2+α，其中M为碱金属和碱土金属元素中的一种或多种，所述0.75≤x≤1，0
CN115911330A	一种硅碳复合材料及其制备方法、负极极片和锂离子电池本发明公开了一种硅碳复合材料及其制备方法、负极极片和锂离子电池，该硅碳复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)向有机钛环氧树脂混合液中加入石墨烯，在加热加压条件下进行水热反应，待反应完毕，过滤除去滤液，低温真空干燥滤渣，在惰性气体环境下碳化滤渣，得多孔复合硬碳基体；(2)向无机锂盐水溶液中加入多孔复合硬碳基体，待反应结束，过滤反应液，干燥滤渣，得锂盐/硬碳复合材料；(3)将锂盐/硬碳复合材料加入葡萄糖溶液中，搅拌均匀，再加入硅碳材料，进行球磨，过滤、干燥滤渣，将滤渣进行碳化，待碳化完毕，自然降温至室温，粉碎，得硅碳复合材料。相比于现有技术，本发明制得的硅碳复合材料能够同时兼顾首效和快充性能。
CN115911329A	一种硫空心球负载的二氧化钛微球及其制备方法和应用本发明旨在公开一种硫空心球负载的二氧化钛微球上的制备方法及应用，其中，硫为尺寸10nm～2μm的空心球结构，二氧化钛微球尺寸为3～8μm由宽度为50～200nm，长度为50～800nm的纳米块紧密堆叠而成。本发明采用溶剂热法，将Ti3AlC2溶于浓硫酸中，搅拌，超声混合均匀；将上述混合溶液转移到带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，在160～240℃下，反应12～40h后，冷却至室温，将产物用乙醇和水洗涤、干燥，即可得到硫空心球负载的二氧化钛微球。本发明可应用于制备钠离子电池负极材料，具有高初始库伦效率、超高倍率性能和超长循环性能。
CN115911327A	钠离子正极材料及其制备方法、二次电池本发明涉及材料制备技术领域，公开了钠离子正极材料及其制备方法、二次电池。钠离子正极材料包括内核和包覆层，内核中材料为O3相层状结构且化学式为NaNixFeyMnzM(1‑x‑y‑z)O2，包覆层中材料为P2相层状结构且化学式为NaiNO2。本发明的钠离子正极材料的制备方法包括步骤(I)制备前驱体和步骤(II)包覆。本发明通过固相法可在O3相层状结构内核材料表面原位生长一层P2相层状结构，以形成具有核壳结构的钠离子正极材料，此钠离子正极材料具有较佳的稳定性、高容量和长循环性能。
CN115911326A	一种低膨胀、长寿命硅碳复合材料及其制备方法本发明涉及锂离子电池材料技术领域，公开了一种低膨胀、长寿命硅碳复合材料及其制备方法。将多孔碳、多孔金属氧化物混合均匀得到碳基复合前驱体，之后通过硅烷裂解法在其前驱体中沉积纳米硅，最后通过等离子法在其沉积氮掺杂无定形碳，得到硅碳复合材料。本发明利用硅烷裂解法使纳米硅均匀的沉积在多孔碳和多孔金属中，降低膨胀，并在外层沉积低裂解温度的碳源，避免内核硅晶粒的变大，降低膨胀，且包覆在外层隔绝纳米硅与电解液的接触，提升循环和存储性能。本发明制备的硅碳复合材料应用于锂离子电池，具有膨胀低、循环好，能量密度高等特性。
CN115911324A	正极材料、二次电池和用电设备本发明提供了一种正极材料、二次电池和用电设备。该正极材料包括正极活性材料、设置于正极活性材料表面的补锂层以及设置于补锂层表面的第一碳材料层，补锂层包含含锂材料。相比于裸正极活性材料，在其表面设置补锂层能够使得该层中的Li+脱出并参与SEI膜的形成，从而减小二次电池在首次循环过程中的首次不可逆容量损失。在补锂层表面包覆第一碳材料层能改善正极材料的界面电导率，提高电池能量密度；同时还能能够提高正极材料的结构稳定性，从而提高二次电池的循环稳定性能。
CN115911322A	锂离子电池用硅碳负极材料及其制备方法和所得产品本发明提供了一种锂离子电池用硅碳负极材料及其制备方法和所得产品，属于电池材料技术领域。本发明提供的锂离子电池用硅碳负极材料的制备方法一方面通过剥离和恢复石墨层状结构的方式将SiOx材料引入到石墨的片层之间，可提高硅基材料的负载；第二方面将石墨烯引入到复合材料内部，解决了硅基材料导电性差的问题并且可以极大的提高电极材料的倍率性能；第三方面利用沥青在多孔材料中的吸附特性和高温收缩特性，获得具有类石墨结构的硅碳复合负极材料，其具有循环性能优良、倍率性能优良的优势。
CN115911318A	一种锂电正极活性材料、锂电正极及其制备方法和锂电池本发明公开了一种锂电正极活性材料、锂电正极及其制备方法和锂电池。该锂电正极活性材料，包括富含缺陷的1T结合2H混相MoS2和有机硒硫化合物PhSeSxSePh，x≤6。该锂电正极，包括CNTs和在CNTs中均匀分散的上述锂电正极活性材料。通过以MoS3纳米颗粒/CNTs复合材料起始正极，以包含PDSe添加剂的锂电池电解液为电解液，以锂金属为负极，组装电池后再充电制备得到。本发明提供一种从分子水平构筑的锂电活性正极活性材料，用于锂电电极中电化学性能优异，具有高的比容量，优异的倍率性能和长循环稳定性，循环500圈之后，每圈容量衰减率仅为0.04％。
CN115911315A	一种高镍正极前驱体材料及其制备方法和应用本发明提供了一种高镍正极前驱体材料及其制备方法和应用。所述高镍正极前驱体材料包括内核以及位于内核表面的包覆层；所述内核包括含镍锰的氢氧化物，所述包覆层包括氢氧化钴，所述氢氧化钴中包括掺杂元素，所述掺杂元素包括镁和/或铝。本发明提供的正极前驱体材料为核壳结构，即内核为高镍材料前驱体，可以有效地保证材料实现高电压充放电，壳为经过掺杂改性的钴酸锂前驱体氢氧化钴，保护内核的高镍材料不受电解液腐蚀，同时维持了颗粒的完整性，由本发明提供的前驱体材料得到的正极材料，在高电压的充放电条件下，颗粒结构稳定，不易开裂，且电化学性能良好。
CN115911313A	一种自支撑复合薄膜及其制备方法和应用本发明属于自支撑薄膜电极技术领域，具体涉及一种自支撑复合薄膜及其制备方法和应用。本发明将二硫化钼、多层Ti3C2TxMXene和氧化石墨烯三者复合制备成自支撑复合薄膜，解决了二维材料易发生堆叠的问题，构建的异质结结构具有极高吸附比容量，可以达到51.1mg/g，并且具有极大的吸附速率。本发明提供的自支撑复合薄膜具有很好的柔性、韧性以及导电性，是一种理想的电极材料，尤其适用于电容去离子技术领域，在超级电容器、锂离子电池和钠离子电池等器件中拥有巨大应用前景。
CN115911310A	一种正极复合材料及其制备方法和应用本发明涉及锂离子电池技术领域，具体而言，涉及一种正极复合材料及其制备方法和应用。所述正极复合材料包括核壳结构三元材料以及包覆在所述核壳结构三元材料外表面的金属氧化物包覆层，所述核壳结构三元材料包括镍钴锰三元材料外壳以及形成在所述镍钴锰三元材料外壳内部的镍钴锰三元材料内核；所述镍钴锰三元材料内核和所述镍钴锰三元材料外壳的化学式为LiNixCoyMn1‑x‑yO2，其中，x<1，y>0，x+y<1；核壳结构三元材料中的镍元素、钴元素和锰元素的摩尔浓度沿径向呈等浓度梯度分布；金属氧化物包覆层中的金属包括Zr、Mg、Al和Ti中的至少一种。该正极复合材料在高容量的同时兼具良好的循环性能和安全性能。
CN115911309A	负极材料、二次电池及用电装置本申请公开了一种负极材料、二次电池及用电装置。本申请的负极材料，包括内核，内核包括第一锰氧化物，内核的外表面设有壳层，壳层包括导电材料以及第二锰氧化物。本申请通过对第一锰氧化物包覆具有导电材料以及第二锰氧化物的壳层，提高了负极材料的机械性能、导电性能以及稳定性，从而提升电池的循环性能以及倍率性能。
CN115911305A	一种锂离子电池负极材料及其制备方法本发明提供一种锂离子电池负极材料及其制备方法，其由锡钛碳复合而成；通过将碳材料加入去离子水溶液中超声30～60分钟；然后加入锡前驱体以及钛前驱体，搅拌24h；使用去离子水和乙醇离心洗涤原样样品，随后在80℃的烘箱中干燥12h；将干燥好的材料在高温下，还原性气体环境中退火1‑5小时，快速降温后得到最终的Sn/Ti@C材料。本发明在碳材料分散的溶液中加入少量锡前驱体和钛前驱体，通过水解方式在碳材料表面长出SnO2、TiO2纳米颗粒，得到原样样品；再通过高温还原法将SnO2、TiO2还原为Sn/Ti合金，以实现在锡与碳材料接触界面生成碳化钛化合物，再快速降温后得到最终的Sn/Ti@C复合材料。
CN115911303A	一种高倍率硅基硬炭材料的制备方法及应用本发明属于负极材料技术领域，公开了一种高倍率硅基硬炭材料的制备方法，包括S1：将气相法二氧化硅颗粒放入垂直的石英管反应器中；S2：从石英管反应器的顶部通入惰性气体，然后将反应器升温到碳化温度，到达碳化温度后通入有机气体和惰性气体混合气进行化学气相沉积，并保温；S3：完成S2后，向石英管反应器内再次通入惰性气体，直至反应器自然冷却至室温，得到硅基硬炭复合材料；本发明利用化学气相沉积法，以气相法二氧化硅为模板制备硅基硬炭复合材料，制备该硬炭复合材料的流程短、工艺简单、能耗低，而且得到的硬炭微球比表面积小。解决了现有技术利用硬炭制备钠离子负极材料的比表面积大、倍率性能差、可逆比容量低和首效较低的问题。
CN115911296A	用于锂二次电池的正极活性物质、制备其的方法和包括其的锂二次电池本发明的用于锂二次电池的正极活性物质包括锂‑镍复合金属氧化物颗粒，每个锂‑镍复合金属氧化物颗粒都具有其中一次颗粒聚集的二次颗粒结构。锂‑镍复合金属氧化物颗粒包括第一元素和第二元素，第一元素包括选自B、Al、Si、Ti、V、Mn、Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Mo和W中的至少一种元素，第二元素的离子半径为80pm以上。第二元素不同于镍和第一元素。第二元素存在于二次颗粒的外表面上、一次颗粒之间的晶界处以及一次颗粒的内部。
CN115911294A	一种锂离子电池用硅氧复合材料及其制备方法和应用本发明公开了一种锂离子电池用硅氧复合材料及其制备方法和应用，该锂离子电池用硅氧复合材料包括三层结构，由内至外依次为硅基材料核、导电碳层和有机硅包覆层；硅基材料核的成分包括单晶硅和偏硅酸锂；有机硅包覆层中的有机硅来自包括硅烷偶联剂、硅油、高温硫化硅橡胶、液体硅橡胶、硅树脂中的一种或多种。本发明公开的锂离子电池用硅氧复合材料，解决了常规预锂化硅氧材料在使用过程中残碱量高和加工过程中产气的问题，结构稳定性和电池容量得到较大提升，组装得到的锂离子电池兼具优异的首次库伦效率、首次可逆容量及循环性能。
CN115911291A	一种电池正极材料及其制备方法和应用本申请提供了一种电池正极材料，包括内核和设置在内核上的第一壳层，内核包括LiMnxFe1‑xPO4，第一壳层包括LiMnyFe1‑yPO4，其中，0＜x≤0.4，0.6≤y≤0.9。该电池正极材料具有多层的分布结构，该结构能够缩短电子和离子的传输距离，从而提高正极材料的电化学性能，将其应用在电池中可有效提高电池的倍率性能。本申请还提供了上述电池正极材料的制备方法及其应用。
CN115911290A	正极材料及其制备方法、锂离子电池本发明公开了一种正极材料及其制备方法、锂离子电池，涉及锂离子电池电极材料领域。其中，正极材料的制备方法包括：(1)将正极原料、粘结剂、分散剂按照10：(0.2‑2)：(10‑50)的重量比混合均匀，得到浆料；(2)将所述浆料喷雾干燥，得到粉料；(3)将所述粉料采用流化床烧结；其中，所述粘结剂选用淀粉、PVP、PEG、PVA、PAN中的一种或多种，所述分散剂选用乙醇、异丙醇、水中的一种或多种。实施本发明，可降低正极材料的烧成温度，缩短其烧结反应时间，提升其烧结品质。具体的，本发明的正极材料的烧结时间可缩短至2‑60min。
CN115911285A	一种利用树叶表面化学镀镍磷合金制备锂硫电池正极的方法一种利用树叶表面化学镀镍磷合金制备锂硫电池正极的方法，它涉及一种制备锂硫电池正极材料的方法。本发明要解决锂硫电池正极材料中硫导电性差，多硫化锂溶解导致的穿梭效应等问题。本发明的方法如下：一、树叶的预处理；二、树叶表面粗化处理；三、树叶表面活化处理；四、树叶的化学镀镍磷合金；五、碳化处理；六、Ni‑P@PC负载硫；七、锂硫电池正极的制备；八、锂硫电池的组装。本发明的方法制备的锂硫电池正极材料相较于未进行化学镀的生物质碳材料组装的电池阻抗小、穿梭效应得到抑制，极化低、充/放电比容量高、循环更稳定，为锂硫电池正极材料的制备提供了新的方向。本发明应用于锂硫电池领域。
CN115911283A	一种石墨电极及电池负极生产原料的干法改性提质方法本发明公开了一种石墨电极及电池负极生产原料的干法改性提质方法，属于电极材料技术领域。将针状焦破碎到50mm以下给入干法分选提质系统分级，50‑1mm粗颗粒经分选得到不同质量等级粗粒针状焦产品，优质产品可用于石墨电极制备；通过除尘系统回收1mm以下细颗粒，可直接用于负极材料制备，也可利用电选设备进行分选分级，得到不同质量的细粒产品，分别用于不同等级负极材料制备。该干法分选分级工艺方法解决了针状焦产品生产质量不稳定、品质差的问题，分选得到的高品级针状焦产品可以用于生产高端负极材料和大功率石墨电极，低品级产品可以用于生产中端和低端负极材料，或其他碳素材料，实现针状焦分质分级利用，提高综合利用效益。
CN115911281A	一种电极极片与叠片电池及其制备方法、电池系统与车辆本发明提供了一种电极极片与叠片电池及其制备方法、电池系统与车辆，所述制备方法包括以下步骤：在集流体上间隔设定间距涂覆至少两段第一长度的活性浆料，形成依次间隔设置的空白集流体区与活性材料区，裁切后得到至少一段电极极片，每段所述电极极片中包括第二长度的连续的活性材料区及位于活性材料区一端的第三长度的连续的空白集流体区。本发明实现了在不对涂布机、碾压机与分切机等设备尺寸进行明显加宽和加大的前提下，生产超长长薄型电池的电极极片的目的，解决了因设备加宽和加大而带来的成本增加、设备占地面积加大与厂房地面载荷提升的问题，还降低了电极极片在幅宽方向的面密度、厚度与分切宽度不一致性的风险。
CN115911280A	一种干法制备的锂电池正负极片及其制备方法本发明提出了一种干法制备的锂电池正负极片及其制备方法，属于锂电池技术领域，将锂盐、镍盐、钴盐、锰盐的水溶液中加入络合剂，加热得到干凝胶，点燃，加入溶胶凝胶法制得的掺杂Mg的Al/Zn/Ti凝胶中，煅烧，经过聚多巴胺表面改性，与导电剂、粘结剂混合，挤压，制粒，热辊压，分别放置于涂炭铝箔的上下两面，热辊压，得到正极片；将含有氧化石墨烯、致孔剂的水相与含有正硅酸烷基酯、纳米硅的油相混合，乳化，反应，还原，经过聚多巴胺表面改性，与导电剂、粘结剂混合，挤压，制粒，热辊压，分别放置于涂炭铜箔的上下两面，热辊压，得到负极片。制得的正/负极片电极面密度和容量高，倍率和循环性能较好，内阻低，使用寿命长。
CN115911279A	一种辊压分切一体机厚度矫正装置本发明公开了一种辊压分切一体机厚度矫正装置，其包括辊压机、设置在辊压机一侧的出料口，以及；检测单元，所述检测单元包括第一壳体、贯穿第一壳体的进料口、设置于第一壳体一侧的测厚仪，以及；分切单元，所述分切单元包括第二壳体、设置于第二壳体一侧的连接柱、设置于第二壳体顶部端面的分切组件、设置于分切组件一侧的变向组件以及设置于第二壳体侧面的驱动组件，所述连接柱连接第一壳体，本装置可以及时对不符合厚度的锂离子电池极片进行切割再回收，杜绝了不合格的电池极片的输出，提高了产品的输出质量。
CN115911278A	一种锂电池极片制片系统本发明公开了一种锂电池极片制片系统。如图所示该系统包含极片极耳激光成型，极片分条，极片V角冲切。设备包括安装立板、放料模块、激光切割模块、极片分条模块、第一质检模块、V角冲切模块、第二质检模块、收卷模块。本设备中，料带从放料模块输出，分切模块对料带的进行分条，激光切割模块对料带进行极耳成型切割，V角冲切模块对料带进行冲切切割，经过三道切割工序，两道质检，料带收卷在收卷模块中。通过分切刀将极卷分条，脉冲激光裁切极片极耳，然后用切刀模具冲切V角，双收双放，实现全自动化工作。本发明能快速、精准地把卷料极片切割成型，和传统机构相比，本发明更稳定和高效，实现了一体化的自动生产。
CN115911270A	一种快充型负极极片、含有该极片的电芯及电池本发明属于电池技术领域，具体涉及一种快充型负极极片、含有该极片的电芯及电池。所述负极极片包括负极集流体和位于负极集流体一侧或双侧的活性物质涂层，所述活性物质涂层分别包括沿所述负极集流体长度方向连续设置的常规负极材料条带和快充负极材料条带，在所述负极集流体的宽度方向上，所述常规负极材料条带与快充负极材料条带间隔交替设置。本发明的极片可以降低负极的浓差极化和对应的极化电压，改善电芯整体的倍率能力，同时可以很好兼顾电池的能量密度和功率密度。
CN115911266A	一种钾离子电池正极活性物质、正极材料及其制备方法和应用本发明提供了一种钾离子电池正极活性物质、正极材料及其制备方法和应用。正极活性物质的化学式为：KxA1‑y‑zByCzO2‑mFm，0
CN115911265A	一种电池极片、极芯与电池为克服现有叠片电池边缘由于边缘膨胀力过大导致该部分容易析锂的问题，本发明提供了一种电池极片、极芯与电池，包括正极极片和负极极片，所述正极极片包括正极集流体和正极极耳，所述正极集流体与所述正极极耳固定连接，所述正极集流体的至少一面上设置有第一极片敷料区，所述第一极片敷料区的四周设置有第一减薄区，所述负极极片包括负极集流体和负极极耳，所述负极集流体与所述负极极耳固定连接，所述负极集流体的至少一面上设置有第二极片敷料区，所述第二极片敷料区的四周设置有第二减薄区；本发明提供的电池极片、极芯与电池同时具有减小极片的局部应力，避免局部应力过大析锂引起的电池衰减与安全风险的优点。
CN115911262A	电极极片及其回收方法、电化学装置本申请涉及储能装置领域，公开了一种电极极片及其回收方法、电化学装置。其中，电极极片包括：集流体；底涂层，设置于集流体至少一个表面上；活性物质层，设置于底涂层上；边涂层，设置于集流体至少一个表面上，并与底涂层连接；底涂层包括第一水性粘结剂；边涂层包括第二水性粘结剂和无机材料；边涂层包括第二水性粘结剂和无机材料；将电极极片在第一预设温度下水浸第一预设时间后，底涂层的第一剥离强度小于边涂层的第二剥离强度。本申请提供的电极极片和电化学装置具有较高的回收质量。
CN115911261A	负极极片、二次电池和用电装置本申请提供了一种负极极片、二次电池和用电装置，负极极片包括：负极集流体；设置于负极集流体至少一侧的含有负极活性物质颗粒的负极活性材料层，负极活性材料层包括：ID1/IG1值为A的表面层，其中，0.55≤A≤0.78，ID2/IG2值为B的基体层，基体层位于负极集流体和所述表面层之间，其中，0.78≤B≤0.96，负极活性材料层满足：0.60≤A/B＜1.0；通过将表面层的ID/IG的值A与基体层的ID/IG的值B的比值控制在上述范围，可以控制负极活性材料层的表面缺陷度，可以控制SEI膜的形成和稳定情况，从而提高二次电池的循环容量保持率，并维持动力学性能之间的平衡。
CN115911256A	柱状电池及包含其的用电装置一种柱状电池及用电装置，包括电极组件。电极组件包括正极极片、隔膜和负极极片层叠并卷绕的结构。正极极片包括正极集流体，正极集流体的第一表面上设置有活性材料层、绝缘层及空箔区，活性材料层、绝缘层及空箔区沿柱状电池的轴向方向依次排列。电极组件还包括揉平部，揉平部具有由空箔区向电极组件的卷绕中心轴弯折并重合形成的揉平面。绝缘层对正极集流体起到了支撑作用，可防止揉平部翻折超过隔膜与负极极片接触造成短路。
CN115911255A	端盖组件、电池单体、电池及用电装置本申请涉及电池技术领域，提供一种端盖组件、电池单体、电池及用电装置，其中，端盖组件包括：端盖；正极端子和负极端子，设置于端盖，正极端子和负极端子中的一个与端盖导电连接，另一个与端盖绝缘连接；补锂件，补锂件设于端盖朝向电池单体内部的一侧，并与端盖导电连接，补锂件用于向电池单体内补充锂离子。通过本申请的技术方案，能够实现补充锂离子电池单体使用过程中的活性锂损失，并提高电池单体的能量密度，以及提高电池整体的使用安全性及使用寿命。
CN115911253A	一种高性能锂一次电池正极片的制备方法本发明涉及一种化学电池技术领域，尤其涉及一种高性能锂一次电池正极片的制备方法。其步骤包括如下步骤：S1，将二氧化锰、导电剂混合后得混合粉料，在混合粉料中加入锂化合物，调整混合粉料的酸碱度为6～7，再加入粘接剂和去离子水搅拌混合，搅拌混合后过筛，制得颗粒均匀的正极粉；S2，将正极粉压合于集流体上并干燥；S3，将经过干燥的压合有粉料的正极集流体经辊压、分切制成正极片；S1还包括将二氧化锰经过氨水中和调整酸碱度为6～8，再经过350～420℃高温热处理的过程。二氧化锰经过高温热处理，将晶型转变为混合晶型。本发明的锂一次电池正极片，制备工艺简化，制造成本较低，所得电池高温工作性能好。
CN115911246A	极片及包含其的二次电池本申请提供了一种极片及包含其的二次电池。二次电池包括极片，极片包括集流体、底涂层和活性物质层；集流体表面沿远离集流体的方向依次设有底涂层和活性物质层；所述底涂层包括碳纳米材料与导电聚合物接枝的复合导电剂和底涂层粘结剂。采用本申请的二次电池集流体表面的底涂层薄且致密，可以保护集流体表面的氧化膜使之不被破坏，抑制了电解液对集流体的腐蚀，从而提升二次电池的安全性、电池寿命、倍率性能及循环性能。
CN115911239A	一种发光元件及其制备方法本发明提供了一种发光元件，涉及半导体技术领域，改变了常规的对称式电极结构设计，采用非对称式的电极结构以及大量的N孔，用以增加P电极和N电极之间的电流通道，降低P电极和N电极之间电压。发光元件的焊盘包括两个N型焊盘和一个P型焊盘，所述P型焊盘位于两个所述N型焊盘之间，所述N型焊盘的面积占比大于所述P型焊盘的面积占比，并且每一所述N型焊盘的端面上均匀的设有多个N孔。N型焊盘的面积占比更大，N孔的分布就更广，那么P电极和N电极之间的电流通道就会更多，P电极和N电极之间的电流扩展就会更充分，进而就能降低P电极和N电极之间电压。此外，本发明还提供一种制备发光元件的方法。
CN115911227A	发光二极体本发明有关于一种发光二极体。该发光二极体包括封装基板、发光晶片、封装层，发光晶片设于封装基板上并与封装基板电性连接，发光晶片上覆设封装层，所述封装层包含多孔性气凝胶、光转换材料与封装胶；多孔性气凝胶的密度小于0.2g/cm3，通过在封装层中添加多孔性气凝胶改进发光二极体的出光特性，并减少封装层中光转换材料的使用量，以节省材料成本。
CN115911226A	发光器件以及照明装置本申请公开了一种发光器件以及照明装置，所述发光器件包括荧光层和激发芯片，所述荧光层包括蓝紫色荧光粉、蓝色荧光粉、蓝绿色荧光粉、绿色荧光粉、红色荧光粉和深红色荧光粉，所述蓝紫色荧光粉选择具有式I所示物质中的任一种，(Sr2‑x‑yNay)(P2‑zBz)O7:xEu2+式I，x的取值范围为0.005≤x≤0.1，y的取值范围为0.001≤y≤0.05，z的取值范围为0.001≤z≤0.05。本申请所述的蓝紫色荧光粉与蓝色荧光粉、蓝绿色荧光粉、绿色荧光粉、红色荧光粉和深红色荧光粉配合使用，制备得到的LED器件的显色指数Ra可以达到99且光谱覆盖380～850nm，有效包含全部可见光区域。
CN115911222A	LED支架及其制备方法和器件本发明涉及一种LED支架，包括基板、内部电极、散热焊盘、电极焊盘和阻焊层，所述电极焊盘包括层叠的顶部连接层和底部电极层，所述顶部连接层连接所述基板的背面，其设有向所述散热焊盘延伸并连接到基板中的导电通孔的连接部，所述连接部位于所述散热焊盘与所述底部电极层之间，所述底部电极层与散热焊盘的间距大于所述连接部与散热焊盘的间距；所述阻焊层填充在所述基板的背面、电极焊盘和散热焊盘之间形成的凹槽中，将所述连接部覆盖。本发明还涉及包括该支架的LED器件及该支架的制备方法。所述支架既能减少焊接短路的情况，又能够保证散热焊盘的面积，有利于提高散热性能。
CN115911221A	一种三基色LED阵列制作方法及三基色LED阵列本申请提供了一种三基色LED阵列制作方法及三基色LED阵列，所述发光芯片包括第一电极和第二电极；所述三基色LED阵列制作方法包括：在每列的所述发光芯片的一侧分别设置相对应的驱动芯片，并通过增材制造方式将所述发光芯片的第一电极分别与相对应的驱动芯片的第二电极连接并导通，得到第一导电通路；通过增材制造方式将所述红光芯片的第二电极、所述绿光芯片的第二电极和所述蓝光芯片的第二电极电极连接并导通，得到第二导电通路；将所述驱动芯片的第一电极通过增材制造方式进行生长并延长，得到第三导电通路。通过在芯片上形成第一导电通路和第二导电通路以及第三导通电路，能够有效减小尺寸，提升产品可靠性，降低生产制作成本。
CN115911209A	高亮度的发光二极管及其制备方法本公开提供了一种高亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括发光结构和第一电极，所述第一电极位于所述发光结构的表面上；所述第一电极包括焊盘和扩展条，所述扩展条的一端与所述焊盘相连，所述扩展条包括多个纳米导电线和多个导电块，所述多个导电块间隔布置，相邻所述导电块通过所述纳米导电线相连。相邻导电块通过纳米导电线相连，使得扩展条仍然具有原本的导电作用，同时又由于纳米导电线直径小，基本不会对光线造成阻挡，因此能够进一步提高发光二极管的亮度。
CN115911207A	深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED 本发明公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED，所述深紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlBN层和P型接触层；所述P型AlBN层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的MgN层/AlxB1‑xN层超晶格层和Mg掺杂的AlxB1‑xN层，其中，x取值范围为0.1‑0.5。本发明提供的深紫外发光二极管外延片能够提高P型AlGaN层活化Mg浓度，降低P型AlGaN层吸光，提高深紫外发光二极管的光电转化效率。
CN115911202A	发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括依次层叠于所述应力释放层上的第一有源层、第二有源层和第三有源层，所述第一有源层包括周期性层叠的第一量子阱层和第一量子垒层，所述第二有源层包括周期性层叠的第二量子阱层和第二量子垒层，所述第三有源层包括周期性层叠的第三量子阱层和第三量子垒层。本发明提供的发光二极管外延片能够进一步改善droop效应，提升辐射复合几率，获得更佳的光电性能。
CN115911192A	一种修复外延层缺陷的方法本发明公开了一种修复外延层缺陷的方法，涉及半导体外延技术领域，包括以下步骤：在带缺陷的外延层上沉积第一金属薄层；退火处理，使第一金属薄层中的金属颗粒在外延层的缺陷处形成金属团聚物，并使第一金属薄层保持对外延层的非缺陷区域的覆盖形成缓冲层；等离子体轰击，使金属团聚物的金属颗粒与缺陷处紧密嵌合成一体，并且通过缓冲层将轰击能量间接传递到外延层的表面，使外延层的表面粗糙化；金属团聚物和缓冲层被等离子体轰击后在外延层的表面成型有第二金属薄层；采用化学药液去除外延层表面的所述第二金属薄层。本发明的方法通过修复外延层表面的缺陷，能有效地改善LED芯片的欧姆接触，提高芯片的出光效率，增强芯片的亮度性能。
CN115911191A	一种提升LED芯片侧面出光效率的方法本发明涉及一种提升LED芯片侧面出光效率的方法。步骤如下：(1)提供LED外延片，在外延片GaN层上生长SiO2薄膜；(2)在SiO2薄膜上均匀地涂覆光刻胶，制作光刻胶掩膜图形；(3)将外延片放入缓冲氧化物刻蚀液中腐蚀50～150s；(4)将外延片进行ICP干法刻蚀，形成MESA结构；(5)将外延片进行常规去胶作业，并制备透明导电层、蒸镀P/N电极和制备钝化层。本发明制作的LED芯片具有两段斜坡的MESA结构，首先增加了LED芯片的出光面积；其次增加了侧面出光路线中的角度组合，增加了GaN内部的波导或多次反射的光线的逃逸机会；最后更有利于发自MQW的光线横向传播的一次出光，相较于常规MESA结构的LED芯片发光效率提高了1.2％以上。
CN115911188A	布串台、制串设备及制串方法本发明涉及太阳能电池串生产技术领域，特别是涉及一种布串台、制串设备及制串方法。在膜支撑台上铺设胶连膜片，在胶连膜片上铺设焊带并使焊带处于夹钳的开口中，然后利用夹钳的开口缩小以调整焊带位置并定位焊带，在夹钳的上方铺设电池片，膜支撑台上移使胶连膜片和焊带与电池片接触，调整位置后的焊带与电池片上的焊接点正相对，胶连膜片经加热后与电池片粘接并使焊带与电池片连接在一起形成电池串，制成电池串后焊带与电池片接触良好，提高了电池串的品质。
CN115911187A	一种基于光伏组件的智能加工系统本发明涉及半导体零件制备技术领域，尤其涉及一种基于光伏组件的智能加工系统，包括，第一生产线、回收机构、第二生产线，以及，用以根据计算的太阳能电池板组评价值对单个太阳能板组是否符合第一预设标准进行判定，计算自动串焊机构在对应的预设时长中的评价值和超声清洗机构评价值，根据第二测试机构在预设时长内检测的若干光伏板的交联度和电压对第二生产线是否符合第二预设标准进行判定的判定机构，以及，用以根据所述判定机构输出的判定结果将对应部件的运行参数调节至对应值的调节机构，可及时发现在光伏组件的加工过程中的问题并对发生的问题进行调节，有效提高了光伏组件加工的效率及合格率。
CN115911183A	一种雪崩光电二极管器件及其制备方法本发明公开一种雪崩光电二极管器件及其制备方法。该雪崩光电二极管器件包括：硅衬底；在硅衬底中形成有倒分布的深P阱，在其上方形成有P‑区；在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在硅衬底的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖源极和漏极外的硅衬底表面。与CMOS工艺兼容，可检测低强度光，适用于ToF测距传感器。
CN115911178A	一种可见光探测器的制备方法本发明申请公开了一种可见光探测器的制备方法，通过在InGaN衬底上采用电子束蒸发镀膜沉积III族元素的金属层，然后以VI族元素的第一粉末为前驱体，采用化学气相沉积使金属层反应生成III‑VI族化合物薄膜，即化合物层，实现了在InGaN衬底上生成大面积的III‑VI族化合物薄膜，提升了可见光探测器在可见光波段的光吸收能力，从而提升了可见光探测器的性能；通过在化合物层上以及第一衬底层上制备电极层以制备InGaN基异质结可见光探测器，利用III‑VI族化合物薄膜高载流子迁移率的特性以及异质结结构，实现了可见光探测器中光生载流子的快速分离，进一步提升了可见光探测器的性能。
CN115911176A	提高黑硅吸收率的方法本发明提供一种提高黑硅吸收率的方法，包括：当前加工行不是第一条加工行时，将待处理材料置于空气氛围中，采用圆形高斯光斑对当前加工行进行清洗；当前加工行完成清洗后，将待处理材料置于六氟化硫氛围中，采用圆形高斯光斑对当前加工行进行诱导。本发明提供的提高黑硅吸收率的方法，能够有效的降低杂质堆积对当前加工行的影响，提高黑硅的吸收性能。
CN115911173A	一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周围布置，覆盖在非金属电极所在区域的高阻碳化硅单晶片的上表面，保证高阻碳化硅单晶片和金属电极在同一平面；连接电极位于金属电极上，保证连接电极与二氧化硅保护层在同一平面；引线电极位于连接电极和二氧化硅保护层上表面。本发明设计了一种新型碳化硅器件，并提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了碳化硅基高能粒子与射线探测器的制备和性能难题，实现新型碳化硅辐射探测器的研制。
CN115911170A	光电转换装置、光电转换系统和可移动体本发明提供光电转换装置、光电转换系统和可移动体。光电转换装置，包括设置在半导体层中的雪崩二极管，所述半导体层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该雪崩二极管包括：设置在第一深度的第一导电类型的第一半导体区域和设置在第二深度的第二导电类型的第二半导体区域，所述第二深度相对于所述第二表面比所述第一深度更深。在半导体层的第二表面上设置氧化膜和堆叠在氧化膜上的保护膜。存在满足dsio>(εsio/εprot)×dprot/2的点，其中，dsio是氧化膜的厚度，dprot是保护膜的厚度，εsio是氧化膜的相对介电常数，以及εprot是保护膜的相对介电常数。
CN115911169A	一种阵列红外探测器芯片及其制备方法与应用本发明公开了一种阵列红外探测器芯片及其制备方法与应用。该阵列红外探测器芯片，包括以下结构：衬底；N型接触层，N型接触层设于衬底的上表面；像元，像元设于N型接触层的上表面；像元的数量为m，像元之间相互分离；像元包括以下结构：P型接触层和数量为n的复合分布式布拉格反射镜；复合分布式布拉格反射镜包括分布式布拉格反射镜和i型吸收层；其中，i型吸收层的厚度为10‑500nm；其中，m和n独立选自正整数。本发明的阵列红外探测器芯片，为侧面入光结构的阵列红外探测器芯片，也即光入射方向与吸收层材料外延生长方向垂直，从而解决提升信噪比与响应度时，导致探测器响应时间变慢，不满足高频应用的现象。
CN115911160A	太阳能发电模块及其制造方法本发明涉及一种包括供插入太阳能电池(200)的下部基板(100)和配置在所述下部基板(100)上的上部基板(300)的太阳能发电模块，所述下部基板(100)包括贯通所述下部基板(100)的贯通部(110)或在所述下部基板(100)上以凹槽的形态形成的空间凹部(115)，所述太阳能电池(200)配置在所述下部基板(100)的所述贯通部(110)或所述空间凹部(115)之间的空间，所述上部基板(300)配置在插入所述太阳能电池(200)的所述下部基板(100)的上部。
CN115911157A	一种双模共振天线集成的Ⅱ类超晶格红外探测器本发明提供一种双模共振天线集成的Ⅱ类超晶格红外探测器，包括从下到上依次设置的GaSb衬底、n型GaSb缓冲层、n++InAs n型下接触层、InAs/InAs0.5Sb0.5T2SL吸收层、AlAsSb势垒层、InAs/InAs0.5Sb0.5T2SL n型上接触层以及梳状金属天线电极，本发明基于TE偏振下的波导模式和TM偏振下的局域等离子体模式共振，实现Ⅱ类型超晶格探测器偏振不敏感的探测性能增强，在TE和TM偏振方向下，外量子效率增强8‑11倍，达到40‑55％，解决超薄型Ⅱ类超晶格探测器探测效率不足的瓶颈问题。
CN115911155A	一种基于导体柱的光电二极管及其制造方法本申请涉及一种基于导体柱的光电二极管及其制造方法，该光电二极管包括：半导体层、第一电极和第二电极；半导体层中设置有垂直于半导体层的导体柱，半导体层包括第一型半导体区和环绕导体柱的第二型半导体区；导体柱的侧壁环绕覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层将第二型半导体区与导体柱隔离；导体柱顶端与第一电极接触，底端与第一型半导体区接触，第二电极与第二型半导体区接触；第一绝缘层的外侧壁环绕覆盖有第一型钉扎层；第一型钉扎层的顶部向外侧延伸形成第一型延伸层，第二型半导体区的顶部向外侧延伸形成第二型延伸区。本发明中提出的光电二极管，克服了现有光电二极管在面对长波光子时，光子在半导体层中的吸收位置会远离结区位置的问题。
CN115911151A	二硫化铼/锑化镓异质结光电探测器及其制备方法本发明公开了一种二硫化铼/锑化镓异质结光电探测器及其制备方法。所述的器件结构从下到上依次为刚性衬底、一维半导体材料GaSb纳米线、二维半导体材料ReS2薄片以及源漏电极，先在衬底上分散GaSb纳米线，使GaSb纳米线置于衬底表面，运用干法转移平台将ReS2薄片转移到GaSb纳米线表面使其形成范德华异质结构，再制备源漏电极，形成光电探测器。本发明的二硫化铼/锑化镓异质结光电探测器在可见光范围内表现出高的响应度，适用于可见光红外探测器领域。
CN115911140A	一种高透光、抗水汽透过的光伏组件及其制备方法和应用本发明公开了一种高透光、抗水汽透过的光伏组件及其制备方法和应用，包括层压复合为一体的柔性透光前板、电池片以及柔性背板；其中，至少所述柔性透光前板的外表面一体设有前板阻水气相沉积膜，和/或，至少所述柔性背板的外表面一体设有背板阻水气相沉积膜；本发明提出的光伏组件同时具有突出优异的透光以及抗水汽透过的性能表现，有利推进了光伏组件封装在抗水汽透过性上的技术水平，解决了光伏组件在高湿度安装环境中所面临的技术难题，同时克服了对于水汽具有高敏感性的光伏组件所面临的柔性封装难点。
CN115911138A	封装结构、封装方法及显示装置本申请公开了一种封装结构、封装方法及显示装置，该封装结构将内嵌有散热部的有机封装层用于封装结构，该散热部中的相变材料层可以通过发生相变，从而吸收被封装的光电器件工作时产生的部分热量，防止器件的温度过高，影响器件的性能；另一方面，由于散热部以内嵌方式设置在有机封装层内，不会改变有机封装材料的特性，可兼顾散热效果和机封装层的成膜质量，不影响其作为平坦化层的特性，且不会给有机封装层的制程和器件的出光带来不利的影响；此外，内嵌在有机封装层中的散热部可以阻隔水氧，可提高有机封装层的水氧阻隔效果。
CN115911135A	一种雪崩二极管结构及其制备方法本发明提供的一种雪崩二极管结构及其制备方法，包括依次堆叠的阳极、衬底、漂移区、N型区；所述N型区的中部制作有P+区，N型区的两端及P+区的边缘通过氧化硅覆盖，P+区的中部被阴极覆盖，氧化硅的的顶端及阴极的两端被氮化硅覆盖。本发明通过在漂移区内形成了Si‑GaAs异质结，由于GaAs相对于Si具有更高的电子迁移率，因此多数载流子也移动的比硅中更快，并且GaAs也有减小寄生电容和信号损耗的特性，从而有效提升了输出功率和频率；在低频大功率模式下，因雪崩击穿造成的净电荷起伏可以使输出脉冲具有更高的振幅，从而输出功率也可以达到更高。
CN115911134A	一种氧化镓场终端功率二极管及其制备方法本发明涉及一种氧化镓场终端功率二极管及其制备方法，该氧化镓场终端功率二极管，包括：阴极、衬底层、漂移层和阳极，其中，衬底层、漂移层和阳极自下而上依次层叠设置；衬底层的下表面上刻蚀形成若干间隔的凹槽结构；阴极设置在衬底层的下表面以及凹槽结构内。本发明的氧化镓场终端功率二极管，通过衬底层减薄与图形化阴极相结合，有效降低了阴极接触电阻，进而降低器件的导通电阻，而且衬底层的刻蚀避免了对漂移层的损伤，其次，漂移层的厚度并未减薄，避免了器件击穿电压降低的问题，使得氧化镓场终端功率二极管在降低导通电阻的同时保持较高击穿电压。
CN115911133A	混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件本发明提供了一种混合导通机制鳍型栅场效应晶体管器件，包括鳍型栅场效应晶体管、第二源区与第二漏区；鳍型栅场效应晶体管包括衬底、鳍型沟道区、第一源区及第一漏区；第二源区的高度不低于第一源区与第一漏区之间的衬底的高度；第一源区与第一漏区中掺杂有第一离子；第二源区形成于衬底与第一源区之间，第二漏区形成于衬底与第一漏区之间，第二漏区与第二源区中分别掺杂有第一离子与第二离子。该方案解决了鳍型栅场效应晶体管的底部电流泄漏的问题，且通过增设第二源区和第二漏区，相当于在鳍型栅场效应晶体管的底部并联隧穿场效应晶体管器件结构，可以实现鳍型沟道扩散漂移电流和底部沟道带带隧穿电流混合导通，从而获得更优的超陡开关特性。
CN115911132A	一种沟槽型SiC MOSFET元胞结构、制备方法及功能电路本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET元胞结构、制备方法及功能电路，该元胞结构在栅沟槽之间增加一个源沟槽，所述源沟槽的底部形成若干间隔的P岛，所述源沟槽内填充肖特基金属；所述P岛在SiC MOSFET承受反向耐压时，SiC MOSFET的耗尽层扩展，降低栅沟槽底部的电场强度，提升器件的可靠性，且所述源沟槽内的肖特基金属与所述P岛形成欧姆接触，与N‑外延区域的非P岛区形成肖特基接触，使体二极管的阳极同时包含有肖特基和欧姆接触。本发明提供的沟槽型SiC MOSFET元胞结构的体二极管的元胞结构同时包含有肖特基和欧姆接触，降低了正向导通压降，同时，减小了正面注入效率，降低了反向恢复损耗。
CN115911129A	半导体结构及其形成方法本公开提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构可以包括：半导体衬底以及凸出于半导体衬底的鳍部，沿鳍部的延伸方向，半导体衬底包括相邻的器件区、以及位于相邻器件区之间的电学打断区；栅极结构，位于半导体衬底之上，横跨鳍部且覆盖鳍部的顶部和侧壁；源漏区，位于鳍部中栅极结构的两侧；第一掺杂区，位于电学打断区对应的鳍部或电学打断区对应的栅极结构。通过形成第一掺杂区实现对连续有源区进行隔离，且不会产生漏电、增加功耗等不利影响。
CN115911121A	一种基于复合衬底的HEMT器件及其制备方法本发明涉及一种基于复合衬底的HEMT器件及其制备方法。所述器件由下至上依次包括：复合衬底、GaN高阻层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN钝化层；所述复合衬底为锗钼复合衬底或锗钨复合衬底或锗铪复合衬底，其表面溅射有ALN层，热膨胀系数是GaN热膨胀系数的0.95～1.05倍。本发明还提供基于复合衬底的HEMT器件的制备方法。本发明在复合衬底上生长上制备HEMT器件，复合衬底具有高导热系数，并且在复合衬底上溅射ALN层，在彻底解决现有HEMT器件存在的散热问题的同时，解决了衬底与HEMT器件晶格失配问题，降低了应力，克服了生长界面易出现裂纹的问题，提高了HEMT器件的性能和良品率。
CN115911119A	一种具有体二极管的新型IGBT结构本发明提供了一种具有体二极管的新型IGBT结构，该结构在具有浮空P区的常规沟槽栅IGBT结构的基础上，在P型浮空区上方开孔注入施主离子，形成N+接触区，与P型浮空区一起构成体二极管。在开启瞬态，新器件通过体二极管将P型浮空区钳位至低电位，以此抑制位移电流、降低密勒电容，从而提高栅极电阻对器件集电极‑发射极电压的可控性，减小EMI噪声。在关断瞬态，新器件通过体二极管形成的额外空穴路径加速提取基区空穴，从而降低关断时间，减小关断损耗。
CN115911117A	一种双极型晶体管结构及其制作方法本发明提供一种双极型晶体管结构及其制作方法，包括P型衬底、N型外延层、分隔结构、电极引出端注入区、栅极结构以及电极引出端，分隔结构将所述P型衬底及N型外延层中分隔出第一区域与第二区域，电极引出端注入区包括基极引出端注入区、集电极引出端注入区及发射极引出端注入区，第一区域中的各电极引出端注入区之间电隔离，第二区域中的发射极引出端注入区与集电极引出端注入区之间通过栅极结构连接。本发明的双极型晶体管通过在发射区与集电区之间增加栅极，用以调控横向PNP基区的电势，形成其与发射区、集电区构成的并联MOS管，通过周期性施加栅极端的电压，可以形成正反馈，使PNP管在大电流下稳定工作且不会发生击穿现象。
CN115911116A	一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管本发明公开了一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管，包括由下至上设置的集电区电极、集电极区n+衬底层、集电极区n0外延层、p+基区层及n+发射区层，p+基区层旁设有环状深阱结构，深阱结构采用SiO2‑Si3N4；还包括基区电极和发射区电极，集电极区n0外延层的表面覆盖一层氧化层，氧化层上覆盖有金属场板，金属场板与基区电极接触，金属场板的底部穿过氧化层与p+基区层接触，n+发射区层表面覆盖一层掺氧半绝缘多晶硅层，发射区电极的底部穿过掺氧半绝缘多晶硅层与n+发射区层接触。本发明能有效提高雪崩晶体管在基射极短接，电压脉冲触发时的动态开通速度，优化基于雪崩晶体管的脉冲发生器的电压输出上升沿特性。
CN115911112A	一种压电型HK金属栅的制备方法本发明提供一种压电型HK金属栅的制备方法，提供硅基底，在硅基底上形成由侧墙围成的凹槽；在凹槽底部形成包含有压电材料层的叠层；在叠层上形成依附于凹槽内侧壁的U型阻挡层；在U型阻挡层内形成功函数层；在凹槽内填充满金属。本发明在HK之后沉积一层压电材料，然后再沉积其他金属层。利用压电材料在电场作用下的电致伸缩性，从而改变材料内部的导带结构，改变导体有效质量，最终提高器件的速度。
CN115911110A	一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片本发明涉及一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片，其抑制多晶硅栅极表面设有P型多晶硅反型层，P型多晶硅反型层与N型表面多晶股连接层接触，从而形成PN结二极管，该PN结二极管及由抑制多晶硅栅极引入的内置电阻串联形成抑制电路，以抑制芯片关断时栅极放电电流的速度，进而减小了由此产生的峰值电压。
CN115911109A	半导体器件及其形成方法本申请的实施例公开了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法，包括：在第一区域中的第一沟道区域上方和第二区域中的第二沟道区域上方形成第一介电层；将第一偶极子元素引入第一区域中的第一介电层中，以在第一区域中形成第一含偶极子栅极介电层；在第一含偶极子栅极介电层上方形成第二介电层；将氟引入第二介电层，以在第一含偶极子栅极介电层上方形成第一含氟栅极介电层；以及在第一含氟栅极介电层上方形成栅电极。
CN115911105A	基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管本发明提供了一种基于二维半导体的固态源掺杂方法和二维半导体晶体管，该固态源掺杂方法，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上制备二维半导体材料层；对所述二维半导体材料层远离所述基底的表面进行表面改性处理；在所述二维半导体材料层远离所述基底的表面上蒸镀固态活性源金属层；在所述固态活性源金属层上蒸镀常规金属层；对所述固态活性源金属层和所述常规金属层进行退火处理，得到二维半金属/金属材料层。根据本发明的固态源掺杂方法避免了常规金属直接蒸镀产生的费米钉扎效应，可以形成欧姆接触，以较低的成本解决高电阻触点的问题。
CN115911103A	一种半导体器件结构及其制备方法本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，所述半导体器件结构包括：衬底层、生长阻挡层、外延结构；衬底层的材料为(110)单晶硅；衬底层设置多个相间的凹槽，生长阻挡层覆盖凹槽的第一侧壁，外延结构覆盖凹槽的第二侧壁并突出于凹槽形成脊形外延部。本发明通过使用(110)单晶硅，使外延结构可以在侧壁生长有效的外延面，改善器件在晶圆上的空间利用率，提高单位晶圆可容纳的HEMT器件密度；同时利用(110)单晶硅上的外延生长结构，使脊形外延部可以与衬底层没有接触，从而降低层间应力产生位错的概率，降低器件对缓冲层的依赖；另外通过侧壁选区外延生长技术，降低了外延结构外延生长产生的位错密度，改善器件外延结构质量。
CN115911102A	一种提高达林顿管电流能力的结构及其制作方法本发明提供一种提高达林顿管电流能力的结构及其制作方法，包括基区和设置于基区上的锯齿状结构的发射区，所述锯齿状结构凹陷处设置有基区孔；所述发射区和基区孔之前设置有氧化层；本申请通过提高发射区的有效边长，可在不改变芯片面积的情况下，使芯片电流能力在原基础上提高67％，显著提高芯片的电流能力；同样，可用更小的芯片面积来满足电流能力的需求，降低了芯片的成本。
CN115911101A	一种提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法本发明提供一种提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，形成第一氧化层；光刻定义出漏端区域，在漏端区域刻蚀第一氧化层和硅基底形成凹槽；沉积多晶硅以填充凹槽；定义栅极位置，并去除该位置远离漏端区域一侧的第一氧化层形成栅氧层，在栅氧层上覆盖一层多晶硅形成栅极多晶硅层；刻蚀栅极多晶硅层形成栅极多晶硅结构；栅极多晶硅结构远离漏端区域的一侧为源端区域；形成P型体区、P+区、N+区、NLDD区；在源端区域、栅极多晶硅结构顶部及凹槽内的多晶硅上形成金属硅化物；形成第二氧化层，其连续覆盖源端区域的金属硅化物、栅极多晶硅顶部的金属硅化物、侧墙、第一氧化层及漏端区域的金属硅化物；在栅极多晶硅结构靠近漏端区域的一侧形成栅极屏蔽罩。
CN115911100A	横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：初始衬底；阱区，形成于初始衬底；体区和漂移区，形成于阱区；源极，形成于体区靠近漂移区一侧；载流子吸附层，形成于体区，载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，载流子吸附层的一端延伸至体区远离漂移区一侧，另一端延伸至源极并紧贴源极底部，载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂；二氧化硅隔离层，形成于阱区，并位于体区底部；漏极，形成于漂移区；栅极，形成于体区上；场板，形成于漂移区上。通过本发明提供的晶体管，能够减少载流子在体区内聚集，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。
CN115911099A	超结MOSFET器件及其制造方法本发明涉及半导体功率器件技术领域，本发明提供一种超结MOSFET器件的制造方法，其包括下列步骤：在衬底上生长N‑漂移区；在N‑漂移区上生长氧化层，并蚀刻形成沟槽；利用剩余的氧化层作为硬掩模，对沟槽的侧壁进行第一倾斜角度α的P型离子注入形成P超结区和进行第二倾斜角度β的N型离子注入形成N‑反型区；去除氧化层，接着在沟槽内形成绝缘层，然后在绝缘层上生长栅极氧化层，并在栅极氧化层上生长栅极；从N‑漂移区的上表面注入P型离子形成PW区；从PW区的上表面注入N型离子，然后进行高温退火处理形成N+源区；最终，以常规的流程加工后段制程形成超结MOSFET器件。借此，本发明器件为沟槽型超结VDMOSFET，可以节省芯片面积，并且能以简单的工艺实现量产。
CN115911095A	一种具有深沟槽结构的SiC MPS及其制作方法本发明公开了一种具有沟槽结构的SiC MPS二极管及其制作方法，包括n+‑SiC衬底，在衬底上为轻掺杂n‑SiC漂移区，在n‑SiC漂移区上表面干法刻蚀形成较深的倒锥型沟槽区，并在沟槽内部外延生长形成p+‑SiC，上表面覆盖阳极金属，衬底下表面覆盖阴极电极。本发明的主要目的是干法刻蚀形成深沟槽，降低槽底部的PN结势垒，从而减小大电流水平下的开启电压，降低双极正向压降；同时沟槽型结构增大了有效通流面积，因此可减小通态电阻，改善SiC MPS二极管的抗浪涌能力。
CN115911092A	一种提高栅氧可靠性的MOSFET器件及制备方法本发明提供了一种提高栅氧可靠性的MOSFET器件及制备方法，通过在JFET区的两侧形成第一掺杂区域，在所述JFET区背离所述衬底的一侧形成第二掺杂区域，即JFET区上方的栅氧化层是与第二掺杂区域接触的，由于栅氧化层内的电场强度和相接触的第二掺杂区域界面处的电场强度正相关，那么通过第二掺杂区域可进一步降低半导体界面处的电场强度，在漏极加反向高压时第一掺杂区域、第二掺杂区域和外延层会形成空间电荷区，使JFET区夹断，降低与栅氧化层界面的电场，从而起到保护栅氧化层的作用，以此提高MOSFET器件的栅氧可靠性，进而提高MOSFET器件的器件性能。
CN115911085A	半导体装置一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；栅极电极，沿第一方向延伸；以及碳化硅层，具有第一面和第二面，包括：第一导电型的第一碳化硅区，具有第一区、与栅极电极相向的第二区以及与第一电极相接的第三区；第二区与第三区之间的第二导电型的第二碳化硅区；第二导电型的第三碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第二区；第二导电型的第四碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第三区；第一导电型的第五碳化硅区；第二导电型的第六碳化硅区，设置于第一区与第二碳化硅区之间；以及第二导电型的第七碳化硅区，在第一区与第二碳化硅区之间，在第一方向上与第六碳化硅区分开地设置。
CN115911080A	显示装置一种显示装置包括基板、像素结构、金属层、第一抗氧化导电层及绝缘层。基板具有相对的显示面及背面。像素结构设置于基板的显示面。金属层设置于基板的背面，且包括岛状测试垫、走线的第一段及走线的第二段。走线的第一段及第二段分别位于岛状测试垫的两侧且与岛状测试垫于结构上分离。第一抗氧化导电层设置于背面，且包括第一桥接图案及第二桥接图案。第一桥接图案连接于走线的第一段与岛状测试垫之间。第二桥接图案连接于走线的第二段与岛状测试垫之间。绝缘层设置于第一抗氧化导电层上且具有一开口。绝缘层的开口重叠于岛状测试垫。
CN115911079A	一种显示面板及其制备方法、显示装置本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板的制备方法包括包括提供转运衬底并在转运衬底上转运多个发光二极管，得到转运基板；提供驱动衬底并在驱动衬底上制备驱动电路，得到驱动基板；对位键合转运基板和驱动基板，得到二极管显示面板。采用上述技术方案，通过在转运衬底上转运多个发光二极管，得到包括多个发光二极管的转运基板，然后一次对位键合转运基板和驱动基板，得到大尺寸的二极管显示面板。本发明实施提供的显示面板的制备方法可以通过一次对位键合得到大尺寸的二极管显示面板，区别于现有技术中只能分批多次对位键合，得到二极管显示面板的技术方案，减少对位键合次数，保证二极管显示面板制备工艺简单。
CN115911077A	显示装置本公开涉及一种显示装置，该显示装置包括设置在衬底上的第一电极。光阻挡层设置在衬底上，光阻挡层包括朝向第一电极凹入的凹入部分。暴露第一电极的孔形成在光阻挡层的凹入部分中。发光元件设置在孔中，发光元件中的每个包括电接触第一电极的第一端。第二电极设置在光阻挡层上，第二电极电接触发光元件中的每个的第二端。光转换图案设置在光阻挡层的凹入部分中。
CN115911075A	一种CMOS图像传感器及其制备方法本发明提供一种CMOS图像传感器及其制备方法，CMOS图像传感器的制备方法包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成金属膜层；刻蚀金属膜层形成金属层，金属层包括多个间隔设置的金属线，金属线间具有隔离凹槽；在隔离凹槽的内壁上依次形成第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层；采用HDP工艺形成硅氧化合物层，硅氧化合物层填充隔离凹槽，形成CMOS图像传感器，以通过形成第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层，HDP工艺没有轰击到所述金属线的侧壁，在隔离凹槽的槽底没有出现金属残留，防止了金属层漏电风险的发生，避免CMOS图像传感器出现FPN现象，避免对CMOS图像传感器的性能的影响。
CN115911062A	浅沟槽隔离结构及其形成方法本发明公开了浅沟槽隔离结构的形成方法、浅沟槽隔离结构、以及半导体器件的形成方法。浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底；于所述半导体衬底内形成沟槽；于所述沟槽表面形成第一氧化层；对所述第一氧化层进行氮化处理，形成氮化‑氧化层；通过第二氧化层填充所述沟槽，形成所述浅沟槽隔离结构。本发明通过对浅沟槽进行氧化处理、氮化处理以及再氧化处理，形成新型的STI，从而提高CIS的成像性能。
CN115911056A	阵列基板及显示装置本公开的实施例提供了一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提升图像显示的画质。该阵列基板包括：基底以及设置于基底上的多个像素驱动电路，驱动晶体管的第一极区、数据写入晶体管的第二极区和第一发光控制晶体管的第二极区连接为导电连接图案。该阵列基板还包括：导电图案，导电图案包括像素驱动电路中的与导电连接图案位于不同层的图案。奇数排电路组中的至少一个像素驱动电路的导电连接图案与导电图案在基底上的正投影的交叠面积，小于偶数排电路组中的至少一个像素驱动电路的导电连接图案与导电图案在基底上的正投影的交叠面积。上述阵列基板用于驱动显示装置显示图像。
CN115911052A	一种显示装置及其显示方法本发明公开了一种显示装置及其显示方法，显示装置包括：驱动基板和与驱动基板电连接的发光芯片。其中，驱动基板包括多条信号线，信号线面向显示面的一侧表面设置有抗反射层。抗反射层的反射率较小，因此环境光入射到显示装置中时会先入射到抗反射层，不会造成较强的光反射，从而避免了眩光的问题，优化显示效果。
CN115911046A	用于集成电路器件的交叉耦合结构提供了交叉耦合结构。交叉耦合结构可以包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管。第一晶体管、第二晶体管和第四晶体管可以在第一方向上彼此间隔开，第三晶体管和第二晶体管可以在垂直于第一方向的第二方向上堆叠。第三晶体管和第二晶体管可以包括公共栅极结构，公共栅极结构的第一部分可以是第二晶体管的栅极结构，公共栅极结构的第二部分可以是第三晶体管的栅极结构。
CN115911042A	具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构描述了具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构，以及制造具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括具有突出于浅沟槽隔离(STI)结构上方的部分的子鳍。多个水平堆叠的纳米线在子鳍之上。栅极电介质材料层在子鳍的突出部分之上，在STI结构之上，并围绕水平堆叠的纳米线。导电栅极层在栅极电介质材料层之上。导电栅极填充材料在导电栅极层之上。电介质栅极墙与子鳍和多个水平堆叠的纳米线横向间隔开，电介质栅极墙在STI结构上。电介质栅极插塞在电介质栅极墙上。
CN115911037A	半导体结构及其形成方法一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：多个鳍部，分立于衬底上；隔离层，位于衬底上且围绕鳍部，隔离层顶面低于鳍部顶面；器件栅极结构，位于器件单元区的隔离层上且横跨鳍部；源漏掺杂区，位于器件栅极结构两侧的器件单元区的鳍部中；隔断结构，沿鳍部的延伸方向位于相邻器件单元区的源漏掺杂区之间，且至少贯穿相邻器件单元区之间的由隔离层露出的鳍部，隔断结构与相邻器件单元区的器件栅极结构之间平行间隔排列；隔断结构包括导电层以及位于导电层的侧壁和底部的介质结构。隔断结构还包括导电层，使得隔断结构能够用于作为连接导线，以实现不同器件结构之间的电连接，增加了隔断结构的功能多样性以及半导体结构的连线自由度。
CN115911029A	框架单元标记伪栅版图及其设计方法本发明提供一种框架单元标记伪栅版图，包括框架图形，框架图形为单个shot中除芯片以外的剩余区域的图形；框架图形上设有标记图形，标记图形用于定义出衬底切割道上用于对准和测量的图形；标记图形间具有间隙，标记图形间插入有第一伪栅图形；设于标记图形内的第二伪栅图形，第二伪栅图形根据不同层次的标记图形设置不同的尺寸；设于标记图形上的假块标记层，假块标记层用于定义伪栅不形成的区域。本发明对原有框架单元标记伪栅版图进行伪栅图形添加处理，以达到测量或者对准的目的，解决了在先进技术节点工艺存在套准标记脱落的问题。
CN115911028A	电路布置公开了一种电路布置。用于生产保护器件的方法包括：形成第一二极管布置，其包括反串联连接在第一二极管布置的第一电路节点和第二电路节点之间的至少一个第一二极管和至少一个第二二极管；形成第二二极管布置，其包括反串联连接在第二二极管布置的第一电路节点和第二电路节点之间的至少一个第一二极管和至少一个第二二极管；以及连接第一二极管布置的第二电路节点和第二二极管布置的第二电路节点。使用第一注入掩模将第一类型的掺杂剂原子注入到第一多晶硅层中以形成第一注入区，以及将第二类型的掺杂剂原子注入到第一多晶硅层中并且使用第二注入掩模以形成至少一个第二注入区，其中第一注入区和至少一个第二区是在第一方向上交替地布置的。
CN115911024A	显示装置及其电子设备本申请涉及一种显示装置，其包括显示模组以及指纹识别模组，所述显示模组包括多个发光芯片，所述指纹识别模组包括多个指纹感光芯片，其中，多个所述指纹感光芯片交错且间隔排列，用于接收来自指纹的光学信号；多个所述发光芯片和多个所述指纹感光芯片沿第一方向依次间隔交错排列形成行向芯片组，多个所述发光芯片和多个所述指纹感光芯片沿第二方向依次间隔交错排列形成列向芯片组。本申请还涉及了一种具有该显示装置的电子设备。
CN115911017A	一种共晶EMC封装支架及其封装方法本发明公开了一种共晶EMC封装支架及其封装方法，包括基座，上设有EMC封装支架，EMC封装支架上开设有若干呈阵列分布的分割槽，分割槽上设置有切割线，切割线将EMC封装支架分隔成若干支架单体，每个支架单体上均设置有共晶LED组件，在本发明的技术方案中，通过设置的基座和EMC封装支架，保证在使用时，将EMC封装支架可以稳定在基座上，提高EMC封装支架封装时的稳定性，EMC封装支架采用环氧树脂材质可以起到耐热、防潮作用，使共晶LED组件封装更加严密。
CN115911014A	发光装置及其制造方法提供能减少防水树脂引起的发光装置的特性降低的发光装置及其制造方法。具备：包括引脚和树脂构件的树脂封装体，具有主面、背面、侧面部，引脚具有在主面从树脂构件露出的露出区域；发光元件，配置于引脚的露出区域；模塑树脂部，包括密封发光元件的基座部和透镜部。基座部具有：上表面，比树脂封装体的主面靠上方；基座部的侧面部，覆盖树脂封装体的侧面部的一部分，剖视下第一点比第二点靠多个透镜部侧且第二点比第三点靠外侧，第一点是基座部的上表面的最外侧点，第二点是基座部的侧面部的最外侧点，第三点是树脂封装体的侧面部与基座部的侧面部接触的最外侧点，剖视下第一发光元件比第一点靠树脂封装体的背面侧且比第二点靠上方。
CN115911012A	一种IGBT模块本申请提供一种IGBT模块，所述IGBT模块包括底板、IGBT芯片组、功能模组和端子组，所述底板上设有第一导电线路和第二导电线路，所述IGBT芯片组分设多个IGBT芯片，多个IGBT芯片分布于所述底板上，并通过键合线与所述第一导电线路连接，所述功能模组设有至少一个电子元器件，至少一个电子元器件设置于底板上，并与多个IGBT芯片分隔，至少一个电子元器件通过键合线与所述第二导电线路连接，所述端子组包括IGBT端子组和功能端子组，所述IGBT端子组与所述IGBT芯片组电连接，以形成IGBT拓扑电路，所述IGBT模块具备高频率开关功能以及集成复合功能，以实现所述IGBT模块满足功能拓展的应用场景。
CN115911010A	半导体器件及其形成方法方法包括形成第一半导体器件的第一晶体管。第一半导体器件包括第一沟道区域以及位于第一沟道区域上的栅电极。第二半导体器件通过设置在第一半导体器件和第二半导体器件之间的接合层而接合至第一半导体器件。形成第二半导体器件的第二晶体管，第二半导体器件包括第二沟道区域以及位于第二沟道区域上的第二栅电极。接合层设置在第一晶体管的第一栅电极和第二晶体管的第二栅电极之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
CN115911008A	半导体装置实施方式提供能够抑制温度上升的半导体装置。一个实施方式的半导体装置具有第1容器、固定于第1容器内的第2容器和设置于第2容器内的半导体元件。第2容器具有下部、侧部和上部。第2容器的侧部设置于下部上，包含由第1绝缘体覆盖的金属部件。第2容器的上部设置于侧部上，并固定于第1容器。第2容器的下部及侧部与第1容器分离。
CN115911005A	半导体元件及其制备方法本公开提供一种半导体元件和该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一底部导电层，设置在该基底上；至少一个底部导电凸起，设置在该底部导电层上；一绝缘体层，设置在该底部导电层和该至少一个底部导电凸起上；至少一个底部绝缘凸起，从该绝缘体层向该底部导电层凸出并与该至少一个底部导电凸起相邻；以及一顶部导电层，设置在该绝缘体层上。该底部导电层、该至少一个底部导电凸起、该绝缘体层、该至少一个底部绝缘凸起和该顶部导电层共同配置一电容器结构。
CN115911004A	半导体元件、电子系统及其半导体元件静电放电保护方法本公开提供一种半导体元件、一种电子系统以及一种半导体元件的静电放电保护方法。该半导体芯片具有一基底；一操作焊料结构，设置在该基底的一第一表面上以接收一操作信号；一检测焊料结构，设置在该基底的该第一表面上以接收一芯片连接信号；以及一半导体芯片，设置在该基底的一第二表面上。该半导体芯片具有一操作电性接触点，耦接到该操作焊料结构；一检测电性接触点，耦接到该检测焊料结构；一静电放电保护单元，耦接到该操作电性接触点；以及一逻辑电路，耦接到该检测电性接触点以依据该芯片连接信号而调整该静电放电保护单元的电容值。
CN115911000A	半导体器件及其形成方法半导体器件及其形成方法，其中一种半导体器件形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和标记区；在所述标记区表面形成若干第一对准标记结构；以所述第一对准标记结构为基准进行第一图形化，在所述器件区内形成第一器件结构；以所述第一对准标记结构为基准进行第二图形化，在所述器件区内形成第二器件结构。从而，简化了整体工艺流程，减少产生低频噪声，提高了光刻的对准准确度。
CN115910999A	一种在线检测金属通孔断路的测试结构和测试方法本发明提供一种在线检测金属通孔断路的测试结构和测试方法，提供掺杂的基底；基底上设有接触孔层；接触孔层上设有第一金属层；第一金属层上设有第一金属通孔层；第一金属通孔层上设有第二金属层；接触孔层包含有多个接触孔，多个接触孔与第一金属层连接；第一金属通孔层包含有多个第一通孔；多个第一通孔中填充有金属，多个第一通孔与第二金属层连接。利用E‑beam技术检测第一通孔中金属的填充是否产生断路。提前发现工艺过程中的问题，及时解决，尽快止损。
CN115910997A	闩锁测试结构本发明涉及一种闩锁测试结构，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一阱区，位于第一导电类型的衬底内；第一导电类型的第一掺杂区，位于第二导电类型的第一阱区内；第二导电类型的第一掺杂区，位于第二导电类型的第一阱区内；于第一导电类型的衬底内间隔排布的第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区，第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区均位于第一导电类型的第一掺杂区远离第二导电类型的第一掺杂区一侧。上述闩锁测试结构可在一定外界条件下触发闩锁，以提取电学参数，改善半导体结构设计。
CN115910995A	增加玻璃芯厚度的方法和装置公开了增加玻璃芯厚度的方法和装置。示例装置包括第一玻璃衬底、第二玻璃衬底、在第一玻璃衬底与第二玻璃衬底之间的界面层、以及互连，界面层将第一玻璃衬底耦接到第二玻璃衬底，互连延伸穿过第一玻璃衬底的至少一部分以及第二玻璃衬底的至少一部分。
CN115910990A	反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法本公开提供一种反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法，反熔丝结构包括位线结构及与位线结构电连接的选通结构；选通结构包括依次叠置的可变电阻结构、阈值选通结构及字线结构，可变电阻结构与位线结构相邻，可变电阻结构、阈值选通结构及字线结构的叠置方向与位线结构的厚度方向相交。本实施例的反熔丝结构直接在位线结构中间形成选通结构，且选通结构的叠置方向与厚度方向相交,相较于三者在厚度方向依次叠置，能够在确保反熔丝结构性能不减小的情况下，减小反熔丝结构的厚度并满足多种不同应用场景的实际需求。
CN115910989A	一种埋无源器件封装基板及其制作方法本发明提供一种埋无源器件封装基板及其制作方法，所述封装基板包括：封装基板结构，包括至少一层第一布线层，所述第一布线层包括第一线路层、第一导电盘、第一导电柱及第一介电层；于所述第一介电层的上表面形成无源器件层，所述无源器件层位于两个相邻所述第一导电盘之间；形成至少一层第二布线层，所述第二布线层堆叠于所述第一布线层的表面，所述第二布线层包括第二介电层、第二导电柱、第二导电盘及第二线路层，位于所述第一布线层上表面的所述第二介电层覆盖所述无源器件层的显露表面；于所述第二导电盘及所述第二线路层的显露表面形成防氧化层。本发明利用3D打印法制作所述无源器件层，简化了工艺流程，减少了成本，提高了生产效率。
CN115910988A	半导体器件及其制造方法公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括绝缘层、第一导电膜、第二导电膜和薄膜电阻器。绝缘层具有贯穿部分。第一导电膜形成在贯穿部分中，使得凹部形成在贯穿部分的上部处。第二导电膜形成在第一导电膜的上表面和贯穿部分的内表面上。薄膜电阻器包括硅和金属。薄膜电阻器形成在第二导电膜和绝缘层上。
CN115910982A	半导体封装中的具有用于电力输送的部分嵌入导电层的玻璃衬底和相关方法公开了半导体封装中的具有用于电力输送的部分嵌入导电层的玻璃层和相关方法。一种示例性半导体封装包括核心层，该核心层具有处于第一表面和相反的第二表面之间的厚度。该核心层包括被提供在第一表面中的沟槽。该沟槽部分地在第一表面和第二表面之间延伸。导电材料被置于沟槽中。迹线被提供在导电材料上。迹线在背离核心层的第一表面并且背离核心层的第二表面的方向上偏移。
CN115910979A	三相大功率SiC MOSFET模块本发明涉及电力电子技术领域，公开了三相大功率SiC MOSFET模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于所述电路铜层上的半导体功率电子元件；所述半导体功率电子元件包括上桥功率芯片组、下桥功率芯片组、电极探针及若干控制极电阻；所述上桥功率芯片组及所述下桥功率芯片组分别包括若干并联的半导体功率芯片，所述上桥功率芯片组与所述下桥功率芯片组的半导体功率芯片对称设置。本申请有利于保证各并联芯片换流路径杂散电感参数分布保持一致，以实现良好的均流特性。且该布局方式减小了相邻芯片的热耦合影响，有利于提高功率半导体模块的最大输出功率，减小芯片的最大结温。
CN115910973A	一种多芯片TO-LL封装结构与工艺本发明公开了一种多芯片TO‑LL封装结构与工艺，涉及芯片封装技术领域，包括基岛、塑封体以及MOSFET功率芯片，所述基岛的两侧外壁上分别固定有连筋，且连筋的端部贯穿塑封体伸出到塑封体外侧；通过连筋的设置，不需要预留现有技术中在基岛上开设的边框固定位，直接通过边框压住连筋即可实现芯片固定，不影响半导体芯片下的金属基岛所剩下能承载半导体MOSFET功率芯片的面积，不会阻碍了大半导体MOSFET功率芯片的面积、大容量半导体MOSFET功率芯片及大功率半导体MOSFET功率芯片的安装，节省基岛空间。
CN115910963A	半导体器件、其测试方法及其设计方法本公开涉及一种半导体器件、其测试方法及其设计方法，减少了从电极焊盘到功能块的信号路径中的信号延迟等。输入‑输出块A和输入‑输出块B被连接到电极焊盘。功能块A经由输入‑输出块A而被连接到电极焊盘。功能块B经由输入‑输出块B而被连接到电极焊盘。功能块A和功能块B被布置在彼此相对的位置处以便将输入‑输出块A和输入‑输出块B夹在中间。
CN115910962A	具有有着经调节的厚度以补偿管芯/衬底翘曲的内部I/O结构的半导体芯片封装描述了一种设备。该设备包括具有用以与半导体芯片耦接的焊盘和焊料球的I/O结构，其中，所述焊盘和焊料球中的在将该半导体芯片耦接至所述I/O结构期间接近该半导体芯片的第一子集的焊盘和/或焊料球比所述焊盘和焊料球中的在将该半导体芯片耦接至所述I/O结构期间从该半导体芯片移开的第二子集的焊盘和/或焊料球薄。
CN115910958A	一种转接板结构、形成方法及封装结构本发明涉及一种转接板结构、形成方法及封装结构，其中转接板结构包括通过混合键合连接的第一转接板和第二转接板，其中第一转接板的尺寸小于第二转接板的尺寸，所述转接板结构呈L形。在封装结构中利用两个L形转接板结构可以将芯片桥接，在两个转接板结构之间还可以布置芯片，在上方还可以堆叠芯片，增加芯片的堆叠数量，增大封装的密度。
CN115910952A	固定组件、主板结构及逆变器本发明提供了一种固定组件、主板结构及逆变器，涉及逆变器技术领域，解决了现有技术中直接采用螺钉或者采用带螺钉的金属弹片将IGBT器件安装在散热器上，存在螺钉损坏IGBT器件的风险相对较高的技术问题。该装置包括固定件和弹性件，弹性件与固定件相连接且弹性件用以将IGBT器件挤压在散热器上，固定件上形成有插入部，插入部能限位在PCB板且插入部上开设有贯穿固定件的安装孔。使用时，将插入部限位在PCB板上，从PCB板背离IGBT器件的一侧将螺钉插入安装孔，将螺钉连接在散热器上时，可通过弹性件将IGBT器件挤压在散热器上。由于在固定IGBT器件时，如螺钉从PCB板背离IGBT器件的一侧插入，降低了螺钉损坏IGBT器件的风险。
CN115910951A	一种散热底板及功率模块本申请涉及一种散热底板，其包括用于安装集成电路板的安装底板和用于散热的鳍片组件，所述安装底板一端面用于安装集成电路板，所述安装底板另一端面用于连接所述鳍片组件，其特征在于：还包括风道组件和用于产生气流的造风组件，所述鳍片组件包括数量若干的鳍片件，所述鳍片件沿一条垂直于所述安装底板的直线周向分布，所述鳍片件一端连接于所述安装底板端面，所述鳍片件另一端连接于所述风道组件，相邻两个所述鳍片件、安装底板和所述风道组件形成第一风道，所述风道组件由导热材料制成，所述风道组件上设有第二风道，所述造风组件能够使空气依次流经全部所述第一风道和所述第二风道。本申请具有提高散热效率的效果。
CN115910947A	半导体模块目的在于提供能够兼顾散热性和绝缘性这两者的半导体模块。半导体模块(100)具有：基板(1)，其具有主面(1a)和与主面(1a)相反侧的主面(1b)；半导体装置(3)，其搭载于主面(1a)；以及散热器(7)，其隔着具有导热性的绝缘片(6)而安装于主面(1b)，基板(1)具有从主面(1a)贯通至主面(1b)的贯通孔(1c)，半导体装置(3)具有从与主面(1a)相对的面露出的多个电极(4c)和在多个电极(4c)之间形成且插入至贯通孔(1c)的凸起(4b)，与从贯通孔(1c)凸出的凸起(4b)的前端部相比，绝缘片(6)的在基板(1)的厚度方向上的长度形成得长。
CN115910944A	一种具有五面保护功能的半导体封装结构及其制造方法本发明公开了一种具有五面保护功能的半导体封装结构及其制造方法，该半导体封装结构至少包括基板，贴装在基板上的芯片，以及包覆在芯片整个外部以及基板四个侧面的塑封料。该制造方法为将整条基板分切成单颗的基板，在外支撑环的下表面贴上一层耐高温膜，将基板贴装在耐高温膜上，在基板的上表面贴装正面带有功能电路的芯片，并将其与基板上表面的正面外露引脚电性连接，在芯片与基板之间填充底部填充料，在由芯片、基板和填充材料构成的组合体的外围进行塑封料的包覆，除去耐高温膜和外支撑环，把整条或整块产品分切成单颗产品。本发明解决了因基板侧面封装结构问题引起的抗水汽降低及因基板分切缺陷品导致芯片损失、设备、材料的损失的问题。
CN115910937A	显示屏体、制备方法和电子设备本申请涉及发光显示领域，具体涉及一种显示屏体、制备方法和电子设备，通过在弯折区的功能膜层外侧涂覆柔性膜层。从而在后续对弯折区进行弯折以及弯折区处于弯折状态时，位于功能膜层外侧的柔性膜层，能够对弯折区的组件如功能膜层，提供与弯折应力方向相反的支撑力，从而保护显示屏体的功能膜层，避免弯折区的功能膜层出现损坏，提高了显示面板的安全性和稳定性。
CN115910929A	CMOS集成器件的制造方法本发明提供了一种CMOS集成器件的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，其针对现有技术中L90工艺平台为了节省光罩(1P4M,19ML)，而提出去掉3.3VN/PwellPH和LDDPH4层光罩的方案，即，1.5V/3.3VCMOS管共用阱well光罩和离子注入IMP条件，并且3.3VNMOS使用1.5VPLDD0pocketIMP(As160KeV)打穿GPL(gateploy)来提升器件速度的过程中，由于栅极多晶硅膜层的均匀性差，导致的CMOS集成器件的器件稳定性差的问题，提出了可以通过在形成栅极结构侧壁上的侧墙结构的工艺采用刻蚀补偿工艺的方式，来灵活的调整侧墙结构沿平行于半导体衬底表面方向的长度，以实现动态调整CMOS集成器件的沟道有效长度，进而稳定CMOS集成器件的稳定性。
CN115910926A	半导体器件可以提供一种半导体器件，其包括：第一鳍形图案，在衬底的第一区域中并在第一方向上彼此间隔开；第二鳍形图案，在衬底的第二区域中并在第二方向上彼此间隔开；第一场绝缘膜，在衬底上并覆盖第一鳍形图案的侧壁；第二场绝缘膜，在衬底上并覆盖第二鳍形图案的侧壁；第一源极/漏极图案，在第一场绝缘膜上、连接到第一鳍形图案并包括第一硅锗图案；以及第二源极/漏极图案，在第二场绝缘膜上、连接到第二鳍形图案并包括第二硅锗图案，第二源极/漏极图案和第二场绝缘膜在其间限定一个或更多个第一气隙。
CN115910923A	半导体结构及其形成方法一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括器件区和隔离区，所述隔离区的所述基底中形成有刻蚀停止层，所述刻蚀停止层掩埋于所述基底中；对高于所述刻蚀停止层顶部的所述基底进行图形化处理，在所述器件区和隔离区中形成凸立于剩余所述基底上的鳍部，所述图形化处理后的剩余所述基底作为衬底，所述衬底的顶面与所述刻蚀停止层的顶面相齐平；以所述刻蚀停止层的顶部作为停止位置，去除所述隔离区中的所述鳍部。所述刻蚀停止层能够对隔离区中的衬底的顶部起到保护作用，降低了隔离区中的衬底的顶部受到损伤的概率。
CN115910921A	基板的分割方法本发明提供基板的分割方法，能够通过扩展带的扩展而可靠地分割基板。在基板的分割方法中，准备沿着分割预定线形成有分割起点且在一个面上粘贴有保护片的基板，使辊在基板的另一个面上滚动而粘贴扩展带。接着，解除保持工作台的吸引，在使微小的间隙形成于保持工作台的保持面与保护片之间的状态下使辊与扩展带接触而滚动，一边以分割起点为起点而隔着保护片使基板向间隙下沉，一边使从分割起点延伸的裂纹伸长，将扩展带进行扩展，以分割起点为起点而将芯片间隔扩大。
CN115910919A	集成电路芯片的电容增加方法和电容增加结构本发明公开了一种集成电路芯片的电容增加方法和电容增加结构。该集成电路芯片的电容增加方法用于在集成电路芯片的第一金属和第二金属之间增加电容，所述电容包括第一极板和第二极板；所述电容增加方法包括：对所述集成电路芯片进行刻蚀以使所述第一金属露出；沉积第一导线，以使所述第一导线端部与所述第一金属电连接；使所述第一导线背离所述第一金属的端部与所述第一极板电连接；对所述集成电路芯片进行刻蚀以使所述第二金属露出；沉积第二导线，以使所述第二导线的一端与所述第二金属电连接，且另一端与所述第二极板电连接。通过采用上述方案，解决了现有的电容增加方法步骤繁琐，导致集成电路芯片的芯片验证效率较低的问题。
CN115910911A	浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构，其中化学机械平坦化的方法包括：提供一基底结构，基底结构包括衬底和研磨停止层，基底结构内具有多条不同宽度的隔离槽，隔离槽贯穿研磨停止层并贯穿衬底的上表面；沉积绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层，绝缘介质层的表面形成有不同深度的凹槽，每个凹槽位于相应的隔离槽的正上方；沉积第一分隔材料，以形成第一分隔层，在同等研磨条件下第一分隔层的去除速率低于绝缘介质层的去除速率；在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理，直至去除第一分隔层；对剩余的绝缘介质层进行湿法腐蚀，以在隔离槽内形成浅沟槽隔离结构。本发明使得制备出浅沟槽隔离结构的厚度一致。
CN115910910A	浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构，其中化学机械平坦化的方法包括：形成衬底，衬底内具有浅沟槽，且衬底表面具有研磨停止层，浅沟槽贯穿研磨停止层；沉积绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层，绝缘介质层的表面形成有凹槽，绝缘介质层的上表面不低于研磨停止层的上表面，凹槽的底端在衬底的上方，凹槽与浅沟槽一一对应，每个凹槽位于相应的浅沟槽的正上方；沉积第一分隔材料，以形成第一分隔层，在同等研磨条件下第一分隔层的去除速率低于绝缘介质层的去除速率；在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理，以在浅沟槽内形成浅沟槽隔离结构。本发明能够使浅沟槽隔离结构的表面更加平整。
CN115910908A	半导体结构的制作方法以及半导体结构本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该方法包括：提供第一预备基底和第二基底，第一预备基底包括第一衬底以及位于第一衬底中的凹槽；在凹槽的裸露表面上至少依次形成第一绝缘层、富陷阱层以及第二绝缘层，得到第一基底；以凹槽两侧的第一衬底的表面所在的平面为键合界面，对第一基底以及第二基底进行键合，得到键合结构。本申请使用第一绝缘层将富陷阱层与第一衬底隔离，使得富陷阱层不与第一衬底直接接触，保证了富陷阱层在高温下基本不会重新结晶，从而保证了器件的高阻性能的稳定性较好，并且，富陷阱层的存在抑制了第二绝缘层中的陷阱电荷与第一衬底的界面浅层区形成弱移动电荷积累区。
CN115910895A	剥离方法、剥离装置以及剥离系统本发明涉及剥离方法、剥离装置以及剥离系统。提供一种能够使剥离处理高效化的技术。本公开的一技术方案的剥离方法包含保持的工序和剥离的工序。保持的工序对将第1基板与第2基板接合而成的重合基板进行保持。剥离的工序以重合基板的侧面为起点自重合基板剥离第1基板。另外，剥离的工序包含使含有水的流体与侧面接触的工序。
CN115910893A	接合装置和接合方法本公开提供一种接合装置和接合方法，能够减少重合基板的翘曲。基于本公开的一个方式的接合装置具备第一保持部、第二保持部、吸附压力产生部以及升降销。第一保持部用于保持第一基板。第二保持部设置于与第一保持部相向的位置，所述第二保持部具有用于吸附与第一基板进行接合的第二基板的吸附面。吸附压力产生部使得在吸附面产生吸附压力。升降销用于使吸附面上的第二基板相对于第二保持部分离。另外，在第二保持部设置有包括供升降销通过的开口的空间，空间被控制为比大气压低的压力。
CN115910892A	使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法本发明涉及一种使用硅粉和高频加热装置的硅部件的接合方法，本发明的特征在于，包括如下的步骤，即，在下部环和上部环的接合面形成结合凹凸结构；将上述下部环和上部环装配在硅部件接合装置；向下部环和上部环的接合面的结合凹凸结构放入单晶硅粉末；以及加热熔接上述下部环与上部环之间的接合面，而本发明具有如下的优点，即，通过使用所述组装结构的硅粉和高频加热装置熔接结合硅部件，从而可提高蚀刻及成膜的质量。
CN115910891A	电子装置的制作方法本揭露提供一种电子装置的制作方法，其包括以下步骤。提供包括多个芯片的第一基板。提供第二基板。进行转移程序，以依序转移芯片中的第一芯片及第二芯片至第二基板上。第二芯片邻近第一芯片。第一芯片的第一侧边的第一延伸方向与第二基板的第一边界的延伸方向之间形成第一夹角。第二芯片的第二侧边的第二延伸方向与第二基板的第一边界的延伸方向之间形成第二夹角。第一夹角不同于第二夹角。
CN115910890A	一种半片硅片规整装置、规整设备和搬运设备本发明涉及硅片输送技术领域,公开了一种半片硅片规整装置、规整设备和搬运设备，规整装置包括固定部；固定部上设有偶数个移动部，所有移动部依次可移动的设置在固定部上；移动部中的奇数位置的移动部与第一驱动装置的移动端连接；移动部中的偶数位置的移动部与第二驱动装置的移动端连接；在实际使用时由于一对移动组件中的两个移动部分别由第一驱动装置和第二驱动装置驱动，因此可以根据半片硅片的位置调整两个侧齿安装板的位置，从而能够实现多排半片硅片的位置规整，这样在能确保夹取装置在夹取硅片前和夹取装置放置硅片后，半片硅片的位置都是符合要求的，不会出现错乱情况。
CN115910889A	晶圆检测的芯粒自动定位方法、系统、设备及介质本申请涉及一种晶圆检测的芯粒自动定位方法、系统、设备及介质，属于光电半导体检测技术领域，其包括获取晶圆整体图像；基于所述晶圆整体图像，获得位于X/Y数列的至少三个芯粒位置坐标；基于所述位于X/Y数列的至少三个芯粒位置坐标、芯粒的大小以及晶圆的大小，得到芯粒预成像模型；基于所述芯粒预成像模型对芯粒位置进行校验并标记；根据所述芯粒预成像模型、校验后的芯粒位置图像以及晶圆的轮廓，得到芯粒模型；将所述芯粒模型嵌入到控制程序中对芯粒进行定位。本申请具有以下效果：提升晶圆的检测效率和芯粒的定位准确度。
CN115910888A	一种芯片中转定位机构本发明公开一种芯片中转定位机构，包括用于对芯片进行定位的定位座、用于对芯片进行承托的承托台以及用于调节承托台所处的位置的位置调节结构；所述定位座上设有用于自适应对芯片进行定位的定位孔，该定位孔为上大下小结构；所述定位孔的内侧面构成用于对芯片进行定位的定位面；所述承托台设置在定位座内，该承托台的上表面延伸至所述定位孔中。该芯片中转定位机构具有结构简单、调节灵活、工作效率高等优点。
CN115910884A	一种晶圆连续清洗设备及清洗方法本发明提供一种晶圆连续清洗设备及清洗方法，包括清洗操作平台，所述清洗操作平台上端安装有清洗室，所述清洗室内设置有清洗单元，所述清洗单元包括清洗安装基座，所述清洗安装基座上端转动连接有旋转安装盘，所述旋转安装盘侧壁可拆卸的固定连接有清洗安装工件，所述清洗安装工件末端开有上下贯通的容纳开口，所述容纳开口内安装有与之转动连接的清洗安装板，所述清洗安装板两端侧壁均可拆卸的固定连接有清洗部，所述清洗安装工件侧壁安装有第一电控装置用以控制清洗安装板转动。该发明能够控制晶圆处于不同高度，实现对晶圆两侧表面的连续清洗，极大地提高了晶圆清洗的效率。
CN115910883A	高效倒片机及其使用方法本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高效倒片机及其使用方法。其中，一种高效倒片机，包括一机架，机架上设置有工作台；工作台上设置有第一上料口、第二上料口、第一工位和第二工位；高效倒片机还包括：第一运送机构，将放置有硅片的第一材质花篮从第一上料口运送至第一工位；第二运送机构，将空的第二材质花篮从第二上料口运送至第二工位；一硅片脱离机构，将硅片从第一材质花篮中拖起；一硅片夹取机构，将脱离的硅片进行夹取；一搬运机构，将第二材质花篮从第二工位搬运至第一工位。本发明可将第一材质花篮内的多个硅片自动的倒入第二材质花篮中。
CN115910881A	传送装置本发明属于物料传送技术领域，公开了一种传送装置。该传送装置包括安装架、柔性传送带和多个负压吸盘；安装架沿第一方向延伸设置；柔性传送带安装于安装架上，并能够沿第一方向作回转运动，柔性传送带上设置有多个阵列分布的吸附孔；多个负压吸盘沿第一方向首尾相连安装于安装架上，负压吸盘位于上层的柔性传送带与下层的柔性传送带之间，负压吸盘靠近柔性传送带的壁面上设置有阵列分布的多个负压孔，吸附孔能够连通于负压孔。本发明中使用的柔性传送带材质柔软，不会对硅片产生损伤；每个负压吸盘可根据需求设置相同或不同的负压力和吸附力，并且该传送装置可根据需要增减负压吸盘从而在其进行延长或缩短时，操作简单方便。
CN115910878A	基板处理装置和基板处理方法本发明提供基板处理装置和基板处理方法。针对基板处理装置提高生产率且省空间。以具备如下构件的方式构成装置：送入送出区块；处理站，在其与送入送出区块之间输送基板，其相对于送入送出区块设置于左右的一侧；中继区块，其相对于处理站设置于左右的一侧，在其与处理站之间输送基板；处理区块，其左右排列地设置有多个而构成处理站，且均具备：处理模块，其对基板进行处理；和主输送机构，其相对于该处理模块交接基板；以及旁通输送机构，其在每个左右排列的处理区块设置，以便独立于主输送机构地在左右的区块之间输送基板。作为利用旁通输送机构输送基板的输送路径的旁通输送路径彼此的高度不同，且在俯视时该旁通输送路径的局部相互重叠。
CN115910874A	一种晶圆存放框本发明提供一种晶圆存放框，属于半导体硅晶圆生产辅助器具技术领域，晶圆存放框包括：一对相互平行的侧板，且侧板的内壁开设有成对设置的条形槽，两块侧板之间的下方设有支撑板。支撑板的后端转动连接于两块侧板的一端，转动的轴线垂直于侧板，支撑板前端的两侧设有垂直于侧板的连接轴，支撑板两侧的连接轴上均滑动设有卡块，通过卡块抵接于侧板的内壁，以使支撑板固定。存放框不仅方便晶圆的装取，而且能有效防止晶圆掉落。
CN115910868A	基于双地图模式多层芯片分等级封装的工艺本发明公开了基于双地图模式多层芯片分等级封装的工艺，涉及芯片封装技术领域；包括上料，将基板和晶圆进行集中上料于贴片机处，读取基板信息，并根据基板的贴片区域和每个贴片区域对应的等级类型生成基板地图，读取晶圆地图，获得晶圆上贴片类型以及等级信息，贴片，选择其中一种贴片类型，并按照贴片顺序逻辑将该类型的贴片中不同等级的贴片逐个粘。本发明采用双地图模式，即晶圆地图和基板地图，根据基板地图确定粘贴区域以及每个区域的对应贴片等级，根据晶圆地图定位每个类型以及级别的芯片，再根据两个地图匹配的形式，可将一种类型所有芯片的等级全部贴完之后再进行下一类型的贴片，从而减少了加载次数，增加了贴片的效率。
CN115910867A	芯片倒膜装置、方法及提高芯片自动贴片时吸取率的方法本发明涉及一种芯片倒膜装置、方法及提高芯片自动贴片时吸取率的方法，芯片倒膜装置包括载板，所述载板具有正面以及与正面相对的背面，所述正面开设有芯片盒放置槽，所述芯片盒放置槽的形状与芯片盒相适配，所述芯片盒放置槽的两侧分别开设有一与其连通的手持取放槽；所述背面设置有圆形的绷膜凸台，所述绷膜凸台上开设有四条切槽，四条所述切槽分别与芯片盒的四边相对应，且相邻两条切槽之间留有间隙。本发明中，芯片倒膜装置结构简单，可以将芯片盒中的芯片整体倒膜至承载膜上，加工成本低、兼容性强，可提高芯片倒膜成功率。
CN115910861A	一种带有暂存功能的晶圆传输系统本发明涉及晶圆生产技术领域，具体涉及一种带有暂存功能的晶圆传输系统，包括传输座、上料机构、下料机构以及若干个暂存台；所述传输座设有移动座以及传输组件；所述移动座设有取料板以及取料驱动件；所述上料机构包括上料座以及上料放置板；所述下料机构包括下料座、下料放置板；还包括定位支撑组件。本发明通设置传输座、上料机构、下料机构以及定位支撑组件，能够驱动晶圆在上料机构、多个工位、暂存台以及下料机构之间实现自动化传输，提高了工作效率，并且能够节省成本；同时通过在相邻两个工位之间设置暂存台，能够将不良品进行区分放置；同时能够在下一个设备工位忙于作业的时候，将晶圆放置在暂存台上进行暂存。
CN115910855A	一种晶圆真空贴膜绷环压力调节机构本发明公开了一种晶圆真空贴膜绷环压力调节机构，包括固定盖板，所述固定盖板的中间处设有安装孔，安装孔中一上一下安装有调节板和锁紧导向固定板，安装孔下端的开口中设有压板连接板，锁紧导向固定板上设有多个装配口，装配口中均安装有导向滚珠组件，导向滚珠组件下端穿过装配口安装于压板连接板上，调节板的顶面正对于导向滚珠组件处均设有凹槽，凹槽的底面上均设有导向通道，导向通道中均滑动安装有顶柱，顶柱的下端均安装于导向滚珠组件上，顶柱上端延伸至凹槽中，并套设有矩形弹簧。本发明结构简单，通过四组压力调节机构来改变四个角方向的压力，解决出现抽真空顶升时压不紧绷环的问题，以及调节难的问题。
CN115910848A	浸渍装置、芯片贴装装置以及半导体器件的制造方法提供一种能够实现更均匀的助焊剂薄膜形成的浸渍装置。浸渍装置具备刮板装置、以及从助焊剂形成助焊剂膜的板材。所述板材的表面具有纳米级的算术平均粗糙度的粗糙面。浸渍装置构成为使所述刮板装置与所述板材相对移动，从所述刮板装置向所述板材的所述粗糙面供给所述助焊剂。
CN115910846A	示教设备和使用该示教设备的基板对准设备一种示教设备包括：腔室；在腔室中的静电卡盘，该静电卡盘包括围绕装载区域的侧壁；对准器，其被配置为被装载到静电卡盘的装载区域上；视觉传感器，其被配置为通过测量对准器与静电卡盘的侧壁之间的分离区域的分离距离来获得测量数据并发送该测量数据；传送机器人，其被配置为将对准器装载到装载区域的参考位置上并将视觉传感器定位在静电卡盘上方；以及控制器，其被配置为基于从视觉传感器发送的测量数据重置参考位置并使分离距离相等。
CN115910845A	基板处理设备及基板处理方法本发明构思提供一种基板处理设备及基板处理方法。基板处理设备包括提供处理空间的腔室；及将处理流体供应至腔室的流体供应单元，且其中流体供应单元包括：储存处理流体的供应槽；连接供应槽与腔室的供应管线；及安装在供应管线处的多个阀，且其中多个阀中的任一个作为安全阀提供，且其中安全阀在确认将处理流体从槽供应至腔室时腔室已切换至闭合状态之后打开。
CN115910844A	基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，通过实现抑制在前基板在搬送室等中发生滞留和减少处理室的未使用时间，提高处理能力。提供一种技术，具备：多个处理室，其对基板进行处理；搬送室，其具有搬送上述基板的搬送机构；和控制部，其计算出上述基板能够搬送到各个上述处理室的可搬送基板时间，选择成为所计算出的向各个上述处理室搬送的上述可搬送基板时间中的最短时间的向上述处理室的基板搬送路径，并基于选择出的上述基板搬送路径进行上述搬送机构的控制。
CN115910842A	衬底处理装置本发明涉及一种衬底处理装置。涂布装置包含载台装置及喷嘴装置。在载台装置中，将衬底保持在板部件上。喷嘴装置具有狭缝状的喷出口，设置在载台装置的上方。以对衬底的整个上表面供给涂布液的方式，一边从喷嘴装置的喷出口喷出涂布液一边使喷嘴装置在载台装置的上方移动。在载台装置或喷嘴装置中，基于涂布液涂布到衬底上的位置，对涂布液进行温度调整。
CN115910838A	一种芯片封装结构本发明属于芯片封装技术领域，尤其是一种芯片封装结构，现提出如下方案，包括底座、滑块、旋转板和第二衔接板，所述底座的表面固定连接有加工台，且加工台的底部设置有带动所述滑块沿加工台滑动的第一液压杆。通过设置第一推块，因为第一推块嵌入在传动板表面的滑槽内部，当第一推块受到推力时，通过传动板带动圆盘实现旋转，当圆盘旋转时，第二推块会随之旋转，因为移动框位于第二推块旋转轨迹上，当第二推块逆时针旋转时，一组第二推块会推动移动框，使其向右侧滑动，继续旋转时，另一组第二推块会旋转与移动框接触，带动移动框向左侧滑动，接着喷胶头会随之移动，实现喷胶头的位置调节。
CN115910823A	基板处理装置、异常检测方法及存储有异常检测程序的计算机可读介质提供一种基板处理装置、异常检测方法及存储有异常检测程序的计算机可读介质。在基板处理装置中，进行使用处理液的基板的处理。第1动作构件及第2动作构件用于基板的处理。利用动作值获取部获取第1动作构件的第1动作值和第2动作构件的第2动作值。利用异常判断部基于由动作值获取部获取到的第1动作值与第2动作值的相关性来判断是否发生了异常。
CN115910813A	一种功率模块的绝缘方法以及功率模块组件本发明公开了一种功率模块的绝缘方法，包括以下步骤：S1：将芯片焊接在陶瓷基板上，再将陶瓷基板焊接在与散热器连接的底板上；S2：清洗所述功率模块的表面，使得所述功率模块的表面保持干净；S3：利用绝缘保护物对所述功率模块进行保护；S4：对所述功率模块进行胶浆固化操作；S5：对所述功率模块进行再次清洗，清洗完后再进行烘干处理；本发明通过将绝缘材料设置在功率模块和印刷电路板之间，降低了限制区域的污染等级，去除了限制区域的空气，从而消除了爬电距离和电气间隙的限制，使得该功率模块可以适应恶劣的使用环境，且可以满足对于污染等级3和过电压等级III的要求，提高产品的可靠性。
CN115910807A	一种嵌埋器件封装基板制作方法、封装基板以及半导体本申请公开了一种嵌埋器件封装基板制作方法、封装基板以及半导体，其中嵌埋器件封装基板制作方法包括以下步骤：制作第一线路层；在所述第一线路层上压合第一感光层；在所述第一感光层上设置嵌埋器件；所述嵌埋器件的引脚面与所述第一感光层相向设置；设置第二感光层；所述第二感光层覆盖所述嵌埋器件；去除所述第一介质层，使覆盖所述嵌埋器件侧面的所述第一介质层的最小厚度大于等于预设阈值；设置第二介质层；所述第二介质层覆盖所述第一介质层；在所述第二介质层上制作与所述第一线路层以及与所述嵌埋器件导通的第二线路层。本方法可以提高材料的结合力，降低后续受热分层风险。本申请可广泛应用于半导体制备技术领域内。
CN115910806A	一种车载雷达用氮化铝薄厚膜结合基板制备方法本申请属于半导体微电子器件制备技术领域，尤其涉及一种车载雷达用氮化铝薄厚膜结合基板制备方法。对氮化铝坯料进行预处理，获得具有凹阶面的氮化铝基板，其中，氮化铝坯料为多个；对氮化铝基板上的凹阶面进行电镀；对氮化铝基板的上表面进行溅射，获得氮化铝图形基板；对氮化铝基板上预留的焊料区域进行焊料溅射，获得氮化铝薄厚膜结合基板。相对于传统的基板制作方法，本申请既能满足多层布线，实现三维互联，又能满足高密度布线和更低的传输损耗。而且，由于氮化铝具有高导热的优势，本申请可满足高效率散热的需求。同时，预留的焊料区域设置金锡焊料，可解决芯片、电容等器件的二次封装问题，提高了装配效率和装配效果。
CN115910804A	一种三相桥电路的陶瓷封装工艺本发明公开了一种三相桥电路的陶瓷封装工艺，包括以下步骤：S1.陶瓷基板与外壳成型：使用包含氧化铝和氧化铍的无机材料以及有机材料烧结成陶瓷基板；将陶瓷生片在氮氢混合气中进行烧结，烧结后制成外壳；S2、管座上涂胶与贴片：使用点胶机点胶，将芯片贴在基板上，并在指定温度的环境下固化0.5‑1.5h；S3.等离子清洗：通过等离子清洗机对固化后的管座进行清洗；本发明的有益效果是：封装材料使用氧化铝(AL2O3)、氧化铍(BeO)等材料,这类材料的热导率很高，介电常数低，适用于高频三相桥大功率电路；该封装具有气密性很好，有足够高的机械强度，表面光滑，绝缘破坏电压高，在高温度，大湿度的条件下可以保证产品的性能稳定等特点。
CN115910803A	一种基于疏水性铜微米层的低温键合方法本发明提供一种基于疏水性铜微米层的低温键合方法，先在铜基板上电沉积制备出的铜微米针层；在镀铟液中加入混合物；将铜微米针层放在含有混合物的镀铟液中进行电镀，在铜微米针层表层形成松木状的纳米铟层；得到具有松木状铜铟二级微纳米层基板；然后将石墨烯均匀覆盖在松木状铜铟二级微纳米层上；将其与Sn‑Ag‑Cu合金焊球进行键合；加入混合物使镀铟液在铜微米针层表层形成松木状的纳米铟层，与焊料键合后的剪切强度大；加入石墨烯避免了铜与锡的直接接触，延缓了铜锡化合物的生长，本发明所需键合温度低，通过引入超声能量，降低键合压力，减少键合时间，实现瞬态键合，键合互连可靠性提高，键合不需要保护氛围，节约能耗。
CN115910800A	电子装置以及用于制作电子装置的方法本公开提供一种电子装置以及用于制作电子装置的方法。用于制作电子装置的方法包括：提供检测模块，检测所述电子装置的第一区域以获得第一信息，且检测所述电子装置的第二区域以获得第二信息；传输第一信息以及第二信息至处理系统；比较第一信息以及第二信息以获得差值；以及通过第一界面系统将校正信息传输至第一制程机台。当差值大于或等于‑2且小于或等于2时，则启动第一制程机台生产。
CN115910796A	半导体元件的形成方法本发明提出一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成一介电层，其中所述介电层内形成有一第一栅极沟槽；所述第一栅极沟槽内形成有第一介质层以及第一高介电常数介电层；对所述第一高介电常数介电层进行第一退火工艺；在所述第一栅极沟槽内进行一第一阈值电压掺杂制作工艺；在所述第一栅极沟槽内形成第一栅极。该半导体元件的形成方法，在高介电常数介电层形成之后对沟道区域进行阈值电压掺杂制作工艺注入离子，可以减少高介电常数介电层退火工艺的热效应对离子扩散的影响。
CN115910793A	SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法本发明提供了一种SiC Trench MOSFET器件的制造方法，包括：提供一衬底；在衬底上依次形成缓冲层、第一外延层以及第一栅氧层；其中，第一外延层包括一凹槽；第一栅氧层形成于凹槽中；形成第二外延层、体区离子注入层、源区离子注入层、p型离子注入层、p+型离子注入层、第二栅氧层、栅极沟槽、栅极、层间介质层、接触孔以及金属层；其中，形成的第一栅氧层的厚度为200‑500nm。本申请提供的技术方案，通过分步外延的方式，解决了形成的第一栅氧层的厚度无法满足器件性能要求的技术问题，进而解决了因底部栅氧厚度没有达到要求而导致的器件击穿电压较小的问题，从而实现了对SiC Trench MOSFET器件较为薄弱的沟槽底部得以有效保护的技术效果。
CN115910782A	常关型高电子迁移率晶体管的制造方法本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层；衬底背面通过再生长硅单晶层；在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通过在硅上外延生长GaN/AlGaN结构形成高电子迁移率晶体管，并在硅衬底背面形成MOS器件，通过级联的方式制备出了常关型高电子迁移率晶体管的方案，可有效避免栅电流衰减和开启电压低的问题。
CN115910780A	制造绝缘栅双极型晶体管时防止铝硅互溶的方法本申请提供一种制造绝缘栅双极型晶体管(IGBT)时防止铝硅互溶的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底上形成有介质层，介质层中形成有接触孔；步骤S2，在衬底上依次沉积氮化钛膜层和氮化钽膜层；步骤S3，在衬底上沉积钨金属层，填满接触孔；步骤S4，回刻蚀钨金属层，以去除接触孔区域外的钨金属层；步骤S5，在衬底上沉积铝金属层。由氮化钛膜层和氮化钽膜层构成的叠层结构具有足够的强度，沉积铝金属层时，该叠层结构在接触孔的底侧位置(底部和侧壁的交界处)不会发生断裂，从而避免铝金属层在接触孔的底侧位置与衬底发生直接接触形成穿通缺陷，有效防止穿通缺陷导致的铝硅互溶的发生。
CN115910778A	快恢复超结器件的制造方法及其器件本发明公开了一种快恢复超结器件的制造方法，包括以下步骤：步骤S1，执行前序集成电路制造工艺，至层间电介质沉积步骤；步骤S2，层间电介质沉积，所述层间电介质沉积步骤中至少包括沉积氮化硅膜；步骤S3，金属层作业步骤，所述金属层作业步骤中包括进行热处理，使金属层形成金属合金层。步骤S4，钝化层作业步骤；步骤S5，电子辐照；步骤S6，退火；步骤S7，执行后续集成电路制造工艺，完成快恢复超结器件的制造。与现有技术相比，本发明能大幅改善功率器件电子辐照后阈值电压下降及不稳定现象。
CN115910777A	基于全HVPE工艺生长的GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法本发明提供了一种基于全HVPE工艺生长的GaN结势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：采用HVPE工艺，以液态金属镓作为Ga源，氨气为N源，SiH4为n型掺杂源，在双抛的GaN单晶自支撑衬底上生长一层n型GaN外延层；对n型GaN外延层进行光刻、曝光、显影，然后进行离子注入，形成重掺杂的P型区；去除光刻胶，在n型GaN外延层表面沉积一层SiO2帽层，然后对注入的离子进行激活处理，再将SiO2帽层去除；最后进行欧姆电极和肖特基电极制备，得到GaN结势垒肖特基二极管。本发明外延层中C杂质含量显著降低，有效提高材料的载流子迁移率；且生长速率快，适合GaN厚膜的生长；成本低，适合于工业上大规模生产。
CN115910768A	一种半导体结构的刻蚀方法本发明公开了一种半导体结构的刻蚀方法，包括：提供待刻蚀材料层，待刻蚀材料层上形成有若干分立的核心层；在核心层之间露出的待刻蚀材料层上以及核心层顶部和侧壁上形成掩膜层；在掩膜层上形成保护层；对所述保护层和部分所述掩膜层进行各向异性刻蚀，直至完全去除所述保护层并暴露出核心层的顶部以及相邻核心层间隔区域之间的部分待刻蚀材料层；去除核心层；以剩余的掩膜层作为掩膜对待刻蚀材料层进行刻蚀，在待刻蚀材料层中形成目标图形。本发明能够改善目标图形的CD奇偶loading问题和depth loading问题。
CN115910767A	使用氢氟酸和臭氧气体的选择性刻蚀工艺本发明提供一种用于刻蚀工件上的含钛层的方法。在一个示例中，该方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件包括第一层和第二层。第一层是含钛层。该方法包括将工艺气体引入到处理腔室中。工艺气体包括臭氧气体和含氟气体。该方法包括将工件上的第一层和第二层暴露于工艺气体，以相对于第二层以更大的刻蚀速率至少部分地刻蚀第一层。
CN115910762A	一种高压器件的金属栅结构及其制作方法本发明提供一种高压器件的金属栅结构及其制作方法，在有源区上形成栅氧层；在栅氧层上形成伪栅极；伪栅极由彼此间隔排列的多个多晶硅结构构成；在多个多晶硅结构的侧壁以及多晶硅结构之间的栅氧层上形成保护层；覆盖绝缘层以填充多晶硅结构之间的区域，被填充的区域形成绝缘结构；去除多晶硅结构形成凹槽；形成金属层；金属层覆盖绝缘结构并填充凹槽；对金属层表面进行研磨，绝缘结构、保护层以及金属层构成表面平坦化的金属栅极。本发明的金属栅结构及其制作方法，在保留高压器件金属栅大面积的前提下，同时能避免金属栅被过多研磨，消除由此产生的负效应，提高器件的性能。
CN115910755A	一种碳化硅外延片及其制备方法本申请公开了一种碳化硅外延片及其制备方法。其中，碳化硅外延片的制备方法包括以下步骤：S100，在氢气环境下，对碳化硅衬底进行高温退火；S200，对步骤S100得到的碳化硅衬底进行液相外延，得到具有第一外延层的碳化硅片；S300，在碳化硅片的第一外延层上采用CVD法进行第二外延层的生长，获得碳化硅外延片。本发申请通过在衬底上增加退火及液相生长过程，可有效的减少加工过程带来的衬底缺陷及衬底损伤，在此衬底上可直接进行外延工艺，并通过外延工艺的改进生长出缺陷很少的外延片。
CN115910753A	消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法本申请提供一种消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹的方法，包括：步骤S1，将晶圆放入研磨机台，该研磨机台具有粗磨腔室和精磨腔室；步骤S2，将晶圆移入粗磨腔室对晶圆背面进行粗磨，研磨一定时间后抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮继续研磨；步骤S3，将晶圆移入精磨腔室对晶圆背面进行精磨。通过粗磨时抬升磨轮与晶圆分离并改变旋转方向后下降磨轮继续研磨这一过程以及提高粗磨时磨轮的进给速度和减少精磨的研磨量，可以有效消除晶圆背面减薄过程产生的异常研磨印迹。
CN115910749A	用于在间隙内形成材料的多层方法和系统公开了一种用于在衬底表面上的间隙内形成材料的多层方法。示例性方法包括形成覆盖衬底的第一材料层，并在第一材料区域内形成第二(例如初始可流动的)材料层，从而以无缝和/或无空隙的方式用材料至少部分填充间隙。
CN115910748A	衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、和记录介质本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、和计算机可读取的记录介质。提供即使在低温条件下，也能将衬底的表面改性为具有优异特性的所期望厚度的氧化层的技术。提供下述技术，其具有：(a)将下述反应种向衬底供给、将衬底的表面改性为第1氧化层的工序，该反应种是通过对含有氧及氢且氢相对氧的比率为第1比率的第1处理气体进行等离子体激发而生成的；和(b)将下述反应种向衬底供给而将第1氧化层改性为第2氧化层的工序，该反应种是通过对含有氧及氢且氢相对氧的比率为小于上述第1比率的第2比率的第2处理气体进行等离子体激发而生成的。
CN115910747A	半导体芯片的分离方法本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体芯片的分离方法，通过对半导体晶圆背面的芯片区域进行两次研磨，经过第一次研磨和第二次研磨，使半导体晶圆形成内凹结构，从而使得对半导体晶圆进行切割，以分离形成多个半导体芯片时，半导体晶圆的芯片区域以外的边角料区域也能够承受一部分应力，从而减少了半导体芯片的内应力的作用，进而减少半导体芯片因应力产生的形变。此外，第二次研磨的研磨深度小于第一次研磨的研磨深度，第二次研磨的磨轮向下进给速率小于第一次研磨的磨轮向下进给速率，使得研磨更加精细，因此能够保证加工效率，同时减少半导体芯片应力。
CN115910746A	一种离子迁移装置、痕量爆炸物检测设备以及X光安检机本发明涉及离子迁移技术领域，公开了一种离子迁移装置、痕量爆炸物检测设备以及X光安检机，用以解决现有技术中的迁移管存在对进入其迁移区通道的离子向中心区域聚焦性较差的问题。其中，离子迁移装置包括底座、内电极、外电极；内电极嵌设于底座，且内电极从底座中露出的部分为半球形结构；外电极设于底座的外周，且外电极具有用于容纳内电极的半球形结构的腔室，腔室的内壁与内电极之间的间隙形成呈半球冠状的离子迁移通道；外电极设置有进气口和出气口，进气口与离子迁移通道之间设置有进气通道，出气口与离子迁移通道之间设置有出气通道。
CN115910742A	介质阻挡放电离子化装置及方法本发明提供了介质阻挡放电离子化装置及方法，所述介质阻挡放电离子化装置包括传输管、正极和负极；所述传输管包括第一部分和第二部分，所述第二部分连通所述第一部分，所述第一部分和第二部分间的夹角为直角或锐角；所述正极设置在处于所述第二部分右侧的第一部分上，所述负极连接处于所述第二部分右侧的第一部分；所述介质阻挡放电离子化装置还包括：第一部分进口端插入第一固定件内的载气通道，出口端插入第二固定件的离子通道，所述第二部分的一端插入第三固定件的样气通道；密封件分别设置在所述第一部分和第一固定件之间、所述第一部分和第二固定件之间，所述第二部分的一端和第三固定件之间。本发明具有进样方式多等优点。
CN115910739A	一种光子计数装置的自适应调压方法本发明公开了一种光子计数装置的自适应调压方法，1，打开外部基准光源照射光电倍增管的光入射窗；2，光子计数装置上电初始，单片机控制内置预热光源对光电倍增管进行预热；3，上位机按照通信协议调整单片机的模拟电压信号，控制高频逆变单元输出的交流电压在设定的区间内由小到大依次递增，同时单片机依次将计数值通过通信接口输出给上位机；上位机根据依次输出的电压值和测量的计数值，描述出坪电压曲线，并根据坪电压曲线的趋势下发参数给单片机设定坪电压，完成对光子计数装置的坪电压及甄别电平自适应调节。本发明根据光电倍增管个体差异，实现对光电倍增管坪电压和甄别电平的自适应调节控制，无需打开计数装置遮光密闭外壳手工调整。
CN115910738A	一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法本申请提供一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，应用于半导体制造技术领域，其中，一种通过改变部件尺寸来调节Emax工艺腔体均匀性的方法，包括：获取腔体覆盖环的尺寸参数与腔体刻蚀速率均匀性之间的映射曲线；根据映射曲线，确定腔体覆盖环的尺寸数据；确定尺寸数据后，得到工艺腔体。由于改变腔体覆盖环的尺寸数据，会直接影响到工艺腔体的体积，体积的变化会改变腔体边缘的等离子体分布状况和改变等离子体的平均自由程，从而影响腔体刻蚀速率的均匀性，因此通过本说明书实施例提供的技术方案可以有效的改善腔体刻蚀速率的均匀性，提高工艺腔体的性能，并且，通过改变腔体覆盖环的尺寸的方式可以增大腔体刻速率均匀性的调整范围。
CN115910737A	支承单元和用于处理基板的装置本发明涉及一种支承单元和用于处理基板的装置。具体地，提供了一种支承基板的支承单元。支承单元可以包括：板；设置至板并控制基板温度的加热元件，其中加热元件布置成控制基板的不同区域的温度；以及向所述加热元件供应功率的电源模块，所述电源模块可以配置为向所述加热元件中的至少两个加热元件持续供应功率。
CN115910736A	等离子体处理装置本发明提供一种等离子体处理装置，能够减小在等离子体处理时可能产生的、设置于聚焦环的外侧附近的导电性构件与聚焦环之间的电位差。导电性环载置于覆盖环。高频电源与载置台耦合。第一供电线路与聚焦环电连接。第二供电线路与导电性环电连接。直流电源装置经由第一供电线路而与聚焦环电连接，并经由第二供电线路而与导电性环电连接。直流电源装置构成为对聚焦环和导电性环分别施加相同或不同的直流电压。处于聚焦环的外周部的第一面与处于导电性环的内周部的第二面彼此相向且并分离。覆盖环具有使聚焦环与导电性环分离的分离部。
CN115910735A	基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质本发明提供一种基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够防止清洁气体与含有金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀及变质的产生。该基板处理装置具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向反应容器内供给清洁气体；盖，其构成为能够封闭反应容器的开口，且由金属材料构成；保护部件，其设置于盖的面向反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成；内部空间，其形成于盖和保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在开口被盖封闭的状态下，向内部空间供给惰性气体。
CN115910726A	一种新型引出孔形状的潘宁离子源一种新型引出孔形状的潘宁离子源，包括引出孔，所述引出孔包括矩形区和与矩形区连接的异形区，所述异形区宽度从与矩形区连接的一端向另一端逐渐减小，所述矩形区和异形区的对称轴重合；所述引出孔的长度和宽度比为1‑3.5:1。本发明所述新型引出孔形状的潘宁离子源，采用新的异形引出孔结构,缝的纵向尺寸减小，横向尺寸增加，减小引出束流的纵向发射宽度,束流发射面的面积扩大，引出束流强度增加。
CN115910715A	一种对防爆箱内的微型断路器进行合闸的防爆旋钮本申请公开了一种对防爆箱内的微型断路器进行合闸的防爆旋钮，包括旋钮壳、旋钮、转轴和拨动件，旋钮壳连接于防爆箱上且位于防爆箱外，旋钮设置于旋钮壳上，且朝向旋钮壳的内腔延伸，并形成有与旋钮壳内壁贴合的旋钮连接件，转轴与旋钮连接件固定连接，转轴远离旋钮连接件的一端延伸入防爆箱内与拨动件连接，旋钮驱动旋钮连接件围绕转轴的轴线转动，拨动件与旋钮连接件同步转动并形成有转动路径，可调拨杆合闸位和可调拨杆开闸位位于拨动件的转动路径内。通过旋钮连接件与转轴连接，转轴设置于旋钮壳中，拨动件设置于防爆箱内，使得转轴驱动拨动件转动的过程处于一个密闭空间中，避免了合闸微型断路器时粉尘进入防爆箱中。
CN115910713A	一种具有抗冲击性能的小型断路器本发明公开了一种具有抗冲击性能的小型断路器，具体涉及舰船用低压电器领域，包括断路器外壳，所述断路器外壳的内部设置操作机构，操作机构有跳扣，所述跳扣为平衡结构，所述跳扣的一侧固定设有止挡锤。所述断路器设置有瞬时脱扣器，操作机构设置具有平衡结构的跳扣和止挡锤，平衡结构的跳扣通过安装配重块，使得其质量中心与转动中心重合。当强冲击作用时，平衡结构的跳扣可防止其在惯性力下转动而导致断路器误脱扣分闸。同时止挡锤在强冲击作用下转动，也对跳扣的转动起到止挡作用。瞬时脱扣器设计了平衡锤结构，可防止其动铁芯在强冲击作用下的误动作。具有螺钉安装结构的拉板保证了断路器在强冲击作用下的安装强度。
CN115910711A	一种超薄远程控制断路器本发明涉及断路器设备技术领域，具体为一种超薄远程控制断路器，包括上盖和底座，底座的内部安装有从动齿轮，从动齿轮的正面中部安装有扇形齿轮，从动齿轮的背面安装有齿轮凸台，底座内靠近齿轮凸台处安装有脱扣杆，从动齿轮的正面一侧设置有内手柄，内手柄的一端连接有操作机构，内手柄的另一端通过扇形齿与扇形齿轮啮合，从动齿轮的上方设置有斜齿轮，斜齿轮的中部安装有主动齿轮，主动齿轮与从动齿轮啮合，内手柄的顶部一侧通过连杆连接有按钮。该超薄远程控制断路器中，采用电机驱动实现远程控制，快速插拔端子与液压电磁式断路器机构结合，将传统的液压电磁式断路器宽度压缩在10mm壳体内，实现小安培断路器在机框内安装密度翻倍的目的。
CN115910705A	一种小型智能漏电断路器本发明公开了一种小型智能漏电断路器，旨在提供一种可以变换放置方式的小型智能漏电断路器，其技术方案要点是，包括壳体，所述壳体之间还设有模块装置，所述模块装置包括位于壳体一侧设有的连接壳，所述连接壳为中空状，所述连接壳四周还设有安装装置，所述连接壳内壁上还设有若干放置槽、位于放置槽之间还设有贯穿槽，所述放置槽一侧还设有转动槽，所述转动槽内设有跳转开关，所述跳转开关与转动槽通过转动装置连接，所述连接壳一侧还设有中空放置壳，所述放置壳一侧还设有调整装置，所述调整装置包括位于连接壳上设有的连接杆槽、位于放置壳上设有与连接杆槽匹配的竖槽，所述放置壳一侧还设有与贯穿槽匹配的连接槽。
CN115910699A	夹具及装配方法本发明提供了一种夹具及装配方法，涉及塑壳断路器安装的技术领域，包括：工作台、安装支座、第一限位机构和第二限位机构；所述第一限位机构和所述第二限位机构均安装在所述工作台上，所述安装支座位于所述第一限位机构和所述第二限位机构之间，所述安装支座上设有第二安装槽，所述转轴放置在所述第二安装槽内；所述第一限位机构包括第一压紧件，所述第一压紧件与所述转轴连接，所述压紧件用于限制所述转轴翻转；所述第二限位机构包括第二压紧件，所述第二压紧件与所述压簧板连接，所述第二压紧件用于压缩所述弹簧。通过设置第一限位机构和第二限位机构，对所述转轴和所述弹簧施加压力，降低动触头机构的安装难度，提高工作效率。
CN115910698A	一种熔断器的熔体切断设备本发明涉及熔断器技术领域，具体是一种熔断器的熔体切断设备，包括设备机台，以及设置于设备机台上的承载台面；所述承载台面上设置有若干定位卡件，定位卡件分别设置于承载台面的两侧；承载台面内腔还设置有感应组件，感应组件于熔体装载完成后驱动定位卡件对熔体限位；所述设备机台上还设置有驱动架，所述驱动架上设置有行走架，以及安装于行走架上的切断机件；所述驱动架的驱动端设置有驱动器，驱动器带动行走架沿着驱动架呈等时等间隔运动。本发明使得切断机件以相同的间距呈间歇式行走，并且停滞同样的时间间隔，保证每个作业行动相同，保证作业精度，提高切断作业的工序质量。
CN115910696A	一种配网自动化改造断路器方法本发明涉及一种配网自动化改造断路器方法，先通过检查断路器中是否包括电操机构，控制箱是否预留接口，主板是否预留接线端子，筛选出满足要求的断路器或者可以通过配置添加后满足要求的断路器。再通过搭配与断路器配套使用的多个航空插头和航插线、电压互感器、配电开关监控终端，将电压互感器通过航插线和航空插头与配电开关监控终端连接，将断路器通过航插线和航空插头与配电开关监控终端连接，初步将配网自动化改造断路器的硬件连接完成。最后再将连接完成的配网自动化改造断路器接入调度自动化系统，如果能够正常接入则配网自动化改造断路器改造完成，通过上述改造方法解决普通断路器闲置造成资源和空间浪费的问题。
CN115910690A	一种支持多种工作模式的继电保护装置本发明属于继电保护领域，具体涉及一种支持多种工作模式的继电保护装置。该继电保护装置能够通过改变插件组合，自由适应不同继电保护工作模式的需求，提高了继电保护装置的适用性及硬件利用率；不同工作模式下，一些插件在不同的插件组合中均能够被使用，即在不同的工作模式下重复使用同一插件，进一步提高了硬件利用率；该装置还通过修改继电保护装置配置文件的方式，根据不同工作模式下特有的定值或者压板来识别常规采样电缆跳闸、数字采样光缆跳闸、常规采样光缆跳闸等工作模式，控制相应插件仅执行当前工作模式下的控制逻辑，使得插件在不同工作模式下能够重复使用的同时，保证复用插件不会对正常的运行过程造成影响，提高继电保护的可靠性。
CN115910682A	一种侧面全向碰撞抗垂直撞击传感器本发明公开了一种侧面全向碰撞抗垂直撞击传感器，涉及水银全向碰撞开关技术领域，包括壳体，设置于壳体内的静触点上盖、静触点下盖、绝缘骨架、水银珠；其中，静触点上盖设置于绝缘骨架的一端，静触点下盖设置于绝缘骨架的另一端并与静触点上盖对应；水银珠设置于绝缘骨架内部，正常使用时，水银珠仅与静触点上盖和静触点下盖中的一种接触。本发明可确保车身辅助安全伺服系统不误报不乱报不漏报；使乘客安全更有保障。
CN115910676A	一种低电阻且自闭合的真空灭弧室触头结构及其制备方法本发明涉及一种低电阻且自闭合的真空灭弧室触头结构，包括触头片、铜滑动块、波纹管、触头杯和高温弹簧触指，触头杯中空设置形成容腔，触头杯具有杯口，杯口与容腔连通；触头片和杯口密封连接，铜滑动块和触头杯滑移连接，铜滑动块和触头片间隔设置；波纹管和高温弹簧触指依次套在铜滑动块的外侧，波纹管的一端和触头杯的内壁密封连接，波纹管的另一端与铜滑动块密封连接，波纹管、铜滑动块和触头杯的内壁构成密封气室；高温弹簧触指套在铜滑动块的外侧，铜滑动块与高温弹簧触指滑动连接。本发明还包括一种低电阻且自闭合的真空灭弧室触头结构的制备方法。本发明解决触头合闸通流路径问题和温升过高的问题，属于真空灭弧室触头技术领域。
CN115910673A	一种方便使用的高压永磁断路器本发明公开了一种方便使用的高压永磁断路器，涉及断路器技术领域，包括底座；竖板，所述竖板固定于底座顶部；安装座，所述安装座固定于竖板顶部；连接条，所述连接条对称固定于安装座顶部；活动杆，所述活动杆活动连接在连接条之间；高压永磁断路器本体，所述高压永磁断路器本体固定于活动杆外壁；极柱，所述极柱安装于高压永磁断路器本体顶部；本发明中的高压永磁断路器本体可以适用于不同的安装面安装，整体的适用性较高，本发明通过对分合闸操作手柄的长度进行合理的加长，利用杠杆原理，使使用者可以更方便更省力的掰动分合闸操作手柄，一方面降低了使用者的劳累度，另一方面也提高了分合闸操作手柄的工作效率。
CN115910666A	一种双层可视化隔离开关本发明提供一种双层可视化隔离开关，包括壳体以及设置于壳体内的操作机构、滑块以及接触系统；所述壳体包括依次盖合的底座、中盖和透明上盖，底座和中盖围合形成下腔室，中盖和透明上盖围合形成上腔室；接触系统设置在上腔室内，操作机构和滑块设置在下腔室内，实现分层设计，上腔室和下腔室内的结构布局互不影响，接触系统不需要让位操作机构，具有足够的空间布局，其触刀、动触点等部件的结构可以实现统一，以减少零件种类；可以通过透明上盖直观、清楚、无死角的确认上腔室内接触系统的状态。
CN115910665A	基于状态显示和锁止的隔离开关装置及其检测方法和设备本发明涉及一种基于状态显示和锁止的隔离开关装置及其检测方法和设备，该装置包括隔离开关的旋转轴、第一微动开关、第二微动开关、显示组件、检测模块、触发块和锁止组件，触发块上设置有触发工作面、弧形工作面和触发临界点，第一微动开关和第二微动开关均设置有触发杆，触发杆与触发块的触发工作面或弧形工作面抵接。通过该装置在隔离开关实际操作过程中，通过检测的微动开关与触发块之间的抵接关系实现快速自动检测隔离开关所处的工作状态；通过显示组件将隔离开关所处的工作状态直观地反馈给操作人员；在隔离开关所处分闸状态或合闸状态时采用锁止组件固定转动轴，以实现对隔离开关的合闸或分闸位置的锁定，防止误操作。
CN115910662A	一种开关柜联锁保护机构及开关柜本发明公开了一种开关柜联锁保护机构及开关柜，涉及电气设备的技术领域，包括：外保护壳，穿设安装在柜门上；隔离开关控制机构，包括绳索，驱动机构；驱动机构穿插安装在外保护壳内；驱动机构包括安装块、转动轴体、限位件；转动轴体上设有卡齿；安装块内设有三个容置槽，外力转动或者平移转动轴体，能够使转动轴体的卡齿切换进不同的容置槽内，且在限位件的作用下，使卡齿位于其中一容置槽内，通过切换卡齿位置，从而拉动绳索完成隔离开关的分闸和合闸，结构简单巧妙，能够使操作人员在开门前实现分闸断电，安全性高；在转动轴体上设有手柄盘，手柄盘上的插孔与卡齿的位置一致，便于操作人员直观的观察出卡齿的位置，从而判断隔离开关的状态。
CN115910657A	一种隔离开关主轴拐臂结构本发明公开了一种隔离开关主轴拐臂结构，属于高压隔离开关技术领域，包括拐臂结构，拐臂结构包括快连式结构，快连式结构包括咬合组件和快连组件，咬合组件和快连组件与拐臂结构连接，快连组件与拉杆绝缘子转动连接，快连组件与拉杆绝缘子连接时咬合组件与主轴接触后实现快连组件定位，快连组件锁死后实现快连组件固定安装；通过上述方式，本发明实现第二半圆板和第一半圆板快速固定安装，降低了快连式结构更换难度，降低更换费用。
CN115910656A	一种旋钮开关本发明公开了一种旋钮开关，包括控制外壳、设置在控制外壳内的控制电路板，控制电路板上设置有控制芯片，控制外壳上设置有与控制芯片电性连接的电位器，电位器的转柄上连接有旋钮，旋钮远离控制外壳的端头上设置有与控制芯片电性连接的显示屏，控制电路板上还设置有与控制芯片电性连接的功放控制电路，控制外壳上设置有与功放控制电路电性连接的音响接口。其有益效果是：娱乐效果好、功能多样。
CN115910655A	一种按键键盘的制备工艺本申请涉及一种按键键盘的制备工艺，包括以下步骤：S1：采用PET透明板作为键帽的基材，根据键帽所需的颜色、字符或形状，在PET透明板的背面进行油墨印刷，得到PET片材；S2:在PET片材的油墨印刷区域边缘进行定位打孔；接着将PET片材进行热压+膜内注塑成型；得到键帽板；将键帽板进行裁剪后，得到键帽；S3:通过硅胶成型工艺制备硅胶按键底板；在硅胶按键底板上对应按键的位置进行树脂注塑成型，注塑完毕后进行冲切，得到树脂按键；S4：键帽和树脂按键通过胶粘连接，得到按键键盘。本申请中键帽的制备中把颜色和字符以及形状等设置在键帽的内层，因而在按键时，不会接触到油墨印刷的字符或颜色，因而不会因为使用年限的问题，导致的字符或者颜色发生褪色。
CN115910650A	按压开关、板件安装结构即蒸烤设备本发明公开了一种按压开关、板件安装结构及蒸烤设备，按压开关包括卡舌、卡接件及壳体，卡接件和壳体滑动连接，通过使卡舌和壳体相对运动驱动卡接件相对于壳体滑动；初始状态下，位于初始位的卡接件被锁止在壳体上，卡舌与卡接件解锁；使卡接件相对于壳体滑动至锁止位后解除使卡舌和壳体相对运动的力，按压开关进入锁止状态；锁止状态下，卡接件被锁止在壳体上，卡舌被锁止在卡接件上；使位于锁止位的卡接件相对于壳体滑动进行解锁，解锁后的卡接件复位至初始状态。本发明通过按压操作来切换卡舌和壳体的初始状态和锁止状态，用户能够快速拆卸挡板清洗，清洁后按压一下便将将挡板安装好，用电安全和食品安全都有保障。
CN115910648A	一种磁能气吹灭弧装置及其方法本发明提供了一种磁能气吹灭弧装置及其方法，属于防雷灭弧技术领域，包括绝缘壳体、喷气室和导弧棒，喷气室设置在绝缘壳体的内部，导弧棒设置在绝缘壳体中轴端，其特征在于：喷气室由绝缘壳体包裹，导弧棒设置在喷气室底部，且由保护外壳包裹，滑动活塞套在保护外壳上，且可自由滑动，弹簧一端与喷气室底部相连，另一端与滑动活塞相连，滑动活塞整体处于散热腔的下方，绝缘壳体的底部设有外部接线口。本发明磁能压缩作用产生的高能气体进行灭弧相比于传统方法的仅为其熄弧时间的10％，通过磁能气吹灭弧装置，稳定性更好，灭弧速度更快，电弧重燃率更低。
CN115910637A	上电组件本发明涉及配电领域，尤其涉及一种上电组件，上电组件包括防爆箱、电源开关、拨叉组件和驱动部件，防爆箱内具有容纳空间，电源开关设在容纳空间内，电源开关适于与电源相连，拨叉组件设在容纳空间内，拨叉组件的一端与电源开关相连，且拨叉组件相对于防爆箱可摆动以开启或闭合电源开关，驱动部件的一端与拨叉组件相连，驱动部件的另一端伸出防爆箱。本发明的上电组件，无需对主电缆进行断电，提高设备的生产效率。
CN115910635A	静触头组件及隔离开关本发明属于高压开关技术领域，尤其涉及一种静触头组件及隔离开关。静触头组件，包括触头座和设置于触头座上用于与隔离开关的动触头组件导电接触的导电触指，所述导电触指包括主触指和辅助触指以及对称设置于所述触头座上供动触头插入一端的引弧触指，所述引弧触指上设置有引弧块。简化了现有技术的静触头组件结构，易于实现紧凑化的结构设计；在母线转换操作过程中，动触头与静触头的导电触指分离前，通过主触指通流；在动触头与导电触指分离后，大电流通过引弧块引到引弧触指上，当动触头与引弧块分离后开始起弧，此时电弧烧蚀的是引弧块，因此能有效地减少电弧对导电触指的烧蚀，从而提高了静触头的耐烧蚀能力，进而延长了隔离开关的使用寿命。

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