最新中国发明专利第2023-04-04期 - 专利汇|PatentHub专利检索|专利查询网|发明专利查询分析

Document	Document Title
CN115912049A	一种抗反射激光器及其制备方法、集成光子芯片和通信设备本发明公开了一种抗反射激光器及其制备方法、集成光子芯片和通信设备，抗反射激光器包括衬底层、光栅、光栅覆盖层、波导层及空间层；其中，衬底层包括沿水平方向依次设置的分布式反馈激光器区、电吸收调制器区及无源波导区；光栅均匀分布于分布式反馈激光器区的表面；光栅覆盖层位于衬底层及光栅的表面；波导层位于光栅覆盖层的表面；空间层位于波导层的表面；对应于无源波导区的光栅覆盖层的表面、对应于无源波导区的波导层及对应于无源波导区的空间层均呈竖直弯曲状，竖直弯曲状表示同一竖直平面内的弧形结构。根据本发明实施例的方案可以提高抗反射效果，且对激光器的输出光功率影响小，可以提高通信质量，广泛应用于半导体激光器技术领域。
CN115912042A	一种针对不均匀外延片巴条的波长筛选方法本发明涉及一种针对不均匀外延片巴条的波长筛选方法，属于半导体激光器技术领域。步骤如下：通过管芯工艺对外延片进行区域解理分割，将外延片分为若干巴条；对每个区域内的巴条进行编码；通过自动巴条测试机对巴条进行测试，测试条件保持一致；剔除不合格巴条后进行生产，根据生产应用情况进行反馈调节。本发明适用于波长一致性存在差异的外延片巴条进行波长筛选，且可以对不同尺寸外延片进行波长筛选，提高了产品波长对档率及生产效率，降低因波长不对档和外延片生长不均匀产生的生产及人力成本。
CN115912039A	基于可饱和吸收体的时空锁模光纤激光器的制备方法本发明涉及光纤激光器技术领域，具体为基于可饱和吸收体的时空锁模光纤激光器的制备方法，制备过程中的吸收体采用InP量子点可饱和吸收体，具体包括如下步骤：InP量子点的制备；InP量子点可饱和吸收体的制备，本发明采用调制深度大饱和强度低的InP量子点的可饱和吸收体制备得到时空锁模光纤激光器，能够同步锁定多个横向和纵向模态产生皮秒级的锁模脉冲。通过选用多模增益光纤，具有更大的模态面积可以降低非线性效应来满足不断增长的高功率激光需求，其额外的空间自由度可以在光通信中提高传输容量。
CN115912034A	一种幅度相位可调的高精度射频激励源本发明公开了一种幅度相位可调的高精度射频激励源，包括高频段链路单元、低频段链路单元、电源及控制单元和时钟同步器单元；其中高频段链路单元产生高频正弦波信号，低频段链路单元产生低频正弦波信号；电源单元将直流输入电压经过二次稳压变换后输出各部分所需的工作电压，提供给高、低频段链路单元和时钟同步器单元使用；控制单元用于检测输出信号功率、检测电压、检测温度、检测频率源锁定，并对数字频率合成器的频率、幅度和相位进行控制；时钟同步器单元，产生高稳定低相位噪声的参考时钟信号，经过参考时钟分配器输出两路差分参考时钟信号和一路本振信号。本发明提高了射频激励源的频率、幅度、相位的重复精度、调节精度和稳定度。
CN115912033A	一种环形4通激光放大器本发明提供了一种环形4通激光放大器，包括偏振器A、法拉第磁光旋转器、二分之一波片A、偏振器B、镜片A、镜片B、偏振器C等，所述偏振器A、法拉第磁光旋转器、二分之一波片A、偏振器B、放大增益介质、镜片A、泵浦源依次排列于同一水平线上，镜片B与偏振器B位于同一垂直线上，镜片B与偏振器C位于同一水平线上，镜片A、二分之一波片B、偏振器C和全反射镜依次排列于同一垂直线上，偏振器B、镜片A、偏振器C和镜片B形成环形光路。本发明通过控制激光偏振态实现种子激光以相同路径4次通过增益介质，种子激光与泵浦激光同光路，有利于提高转换效率，并且不会改变种子光形状。
CN115912032A	一种基于周期相位匹配晶体产生中红外激光的装置及方法本发明公开了一种基于周期相位匹配晶体产生中红外激光的装置及方法，该装置包括脉冲泵浦源、谐振腔、泵浦输入镜、非线性晶体、色散管理元件、三阶非线性效应单元及滤光片。谐振腔包括呈X字结构布设的第一曲面镜、和第二曲面镜、腔镜及输出耦合镜。脉冲泵浦源输出泵浦光通过非线性晶体后生成信号光和闲频光，闲频光通过三阶非线性效应单元将光谱进行展宽至所需带宽，并在谐振腔内建立起振荡；通过将谐振腔的腔长设计与泵浦源的重频相匹配，使闲频光与相邻周期泵浦光、信号光在时间和空间上进行重合，使闲频光的增益大于损耗，形成所需宽带中红外激光输出。本发明的装置可直接产生超宽带闲频光，无需波长调谐，其整体成本较低，有较高的推广价值。
CN115912031A	一种集成外腔激光器及使用方法本发明公开了一种集成外腔激光器及使用方法，涉及光通信和光子集成器件技术领域，其中，集成外腔激光器包括泵浦光源、耦合模块和外腔模块；耦合模块用于将泵浦光源输出的泵浦光信号耦合至外腔模块中；外腔模块用于对泵浦光信号进行增益，并将增益后的光信号分为两路，以分别调节两路光之间的分光比，且外腔模块还用于将分为两路的光信号进行合束，并将合束后的光信号部分用于输出、部分用于返回再次增益。本发明能在现有集成器件性能受限的情况下，提供片上增益，提升外腔激光器出射功率。
CN115912029A	一种基于脉宽压缩技术的超短光脉冲产生系统本发明的一种基于脉宽压缩技术的超短光脉冲产生系统属于光电子设备技术领域，其结构为：种子脉冲源(1)的输出端与脉宽扩展模块(2)的输入端相连，脉宽扩展模块(2)的输出端与能量预放大模块(3)的输入端相连，能量预放大模块(3)的输出端与多通道脉冲分割模块(4)的输入端相连，多通道脉冲分割模块(4)的输出端与色散管理模块(5)的输入端相连，色散管理模块(5)的输出端与能量放大模块(6)的输入端相连，能量放大模块(6)的输出端与脉冲相干叠加模块(7)的输入端相连，脉冲相干叠加模块(7)的输出端与脉宽压缩模块(8)的输入端相连。本发明具有输出脉冲能量高、功率高、脉宽超短、脉冲类型可切换等优点。
CN115912026A	一种基于铒镱共掺聚合物复合结构芯层的光波导放大器及其制备方法一种基于铒镱共掺聚合物复合结构芯层光波导放大器，属于聚合物光波导放大器技术领域。依次由硅衬底、二氧化硅下包层、低损耗聚合物芯层、铒镱共掺聚合物增益层、聚甲基丙烯酸甲酯上包层组成；低损耗聚合物芯层、铒镱共掺聚合物增益层和聚甲基丙烯酸甲酯上包层共同位于二氧化硅下包层之上，低损耗聚合物芯层被包覆在铒镱共掺聚合物增益层之中，铒镱共掺聚合物增益层被包覆在聚甲基丙烯酸甲酯上包层之中；低损耗聚合物芯层和铒镱共掺聚合物增益层构成复合结构芯层。本发明所设计的复合结构芯层光波导放大器能够在同等波导尺寸、波导长度的条件下，获得比传统矩形波导和倒脊型光波导放大器更大的增益，进一步提高了聚合物光波导放大器的应用前景。
CN115912025A	多频段可重构傅里叶锁模光电振荡器本发明涉及一种多频段可重构傅里叶锁模光电振荡器，其结构包括激光器、电光调制器、光电探测器、第A低噪声放大器、第一多工器、第二多工器、滤波放大支路、任意波形发生器和电功分器等部分，其中，第一多工器、第二多工器、连接其间的N条滤波放大支路以及任意波形发生器共同构成了多波段可重构滤波器模块。本发明通过在光电反馈振荡环路中设置多个滤波放大支路，从而构建成一个多波段的傅里叶锁模振荡环腔，多波段可重构的微波信号的频率范围和周期由多波段可重构滤波器模块内各滤波放大支路中的可调谐滤波器的扫频宽度和周期决定。由此为对抗雷达或抗干扰通信系统提供了一个高质量的微波信号源。
CN115912024A	一种涡旋光束产生光纤的制备方法及其应用本发明公开了一种涡旋光束产生光纤的制备方法及其应用，将光纤在放电环境中进行扭转得到旋光束产生光纤，将光纤两端用夹具加持，再光纤侧面设置可以平移电极，设置扭转圈数、扭转速度、电极扫描速度和放电强度的不同参数，可以相应地产生拓扑荷数为±l的涡旋光束，l＝1,2,…10。发明通过对光纤进行扭转直接产生涡旋光束，可以作为涡旋光的转换器件，并且能够通过合理控制扭转的参数来控制不同拓扑荷数涡旋光束的输出，损耗小、效率高、操作简便、易实现、易于产业化生产，且适用于远距离传输系统。
CN115912023A	无散斑白光激光器本发明涉及一种无散斑白光激光器，包括泵浦源、第一简并腔、第二简并腔、第一激光晶体和第二激光晶体；泵浦源为蓝光半导体激光器；第一简并腔包括激光输入镜、第一成像透镜、分光镜和第一波前调制器；第二简并腔包括激光输出镜、分光镜、第二成像透镜和第二波前调制器；泵浦源分别注入第一简并腔和第二简并腔，在第一简并腔内泵浦第一激光晶体产生红光，在第二简并腔内泵浦第二激光晶体产生绿光；第一简并腔内产生的红光、第二简并腔内产生的绿光和泵浦源未参与频率转换的部分蓝光共同合成白光。本发明的无散斑白光激光器通过波前调制器控制红光和绿光的相干度和强度比例，能够产生均匀的白光激光，操作简单方便。
CN115912017A	一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用本发明提供了一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用，涉及太赫兹发射技术领域。本发明提供的自旋太赫兹发射器件，包括依次叠层设置的铁磁材料层、反铁磁层和非铁磁层。在本发明中，铁磁材料层与反铁磁层相邻，利用反铁磁固定住下层的铁磁层磁化方向，使得在去掉外磁场的条件下依然可实现自旋太赫兹发射。本发明利用反铁磁层/非铁磁层异质结可实现高效的自旋太赫兹辐射。在本发明中，反铁磁层在激光照射条件下产生自旋流，且对自旋流具有“传递作用”，在本发明的结构中，自旋流来源于铁磁层和反铁磁层，可极大地提高自旋极化流的产生效率，本发明能够实现太赫兹辐射效率的极大提升。
CN115912016A	基于柔性双万向工件的精准寻位插入设备本发明公开了基于柔性双万向工件的精准寻位插入设备，包括安装立柱，安装立柱有两个并对称设置，每个安装立柱上均安装固定有升降动力部件，升降动力部件输出端连接有升降传动组件，升降传动组件的一侧设有横移动力部件，升降传动组件的底部安装有夹线插线组件，夹线插线组件包括安装在升降传动组件底部的下压限位机构，下压限位机构两侧分别设有角度矫正机构和钩线及端子摆正机构，位于角度矫正机构与钩线及端子摆正机构之间设有仿形夹持机构，实现柔性引出线插端子全自由度的约束，在定位后不会产生偏移，定位精度高，实现柔性引出线插端子全自动化的精准寻位插入，无需人工手动操作，保证员工操作安全，同时降低人力消耗。
CN115912011A	Type-c连接器及其智能生产设备本发明公开了Type‑c连接器及其智能生产设备，包括金属外壳，所述金属外壳内侧的一端设置有电路板，所述电路板的外侧安装有保护壳，所述保护壳远离金属外壳的一端安装有与电路板输出端连接的传输线，所述保护壳的两侧对称螺纹设置有螺丝。本发明控制电动升降杆不断往复升降，在安装板下降时，其底部的上冲压模组逐渐抵在原材料条的表面，并对原材料条上逐步冲压出金属壳体展开时的结构，原材料条每移动两个单位金属外壳的长度，冲压产生的金属废料便会因重力自动落到第一排料口的内部，使得原材料条上只留下金属壳体的有效部分，不需要人工手动将原材料条上的废料除去，既提高生产设备的加工效率，也降低了操作人员的劳动强度。
CN115912009A	一种银氧化铜片状电触头及其制作方法本发明涉及电触头技术领域，具体为一种银氧化铜片状电触头及其制作方法，包括底板，所述底板的上表面左侧固定连接有多个前后对称设置的支架，多个所述支架的顶端共同固定连接有安装面板，所述底板的上表面右侧固定连接有多个前后对称设置的支撑柱，通过处理件的设置可以在电触头生产出来之后在转移的过程中对电触头的圆周面的边缘进行处理，将电触头在生产过程中产生的毛刺去除，在收集生产出来的电触头的过程中对电触片的圆周面的边缘进行处理，可以提高生产电触头的工作效率，以保证电触头在进行后续加工操作的时候更加方便，避免电触片上的毛刺在后续电触头安装的过程中导致电触头安装不平整，影响电触头的正常工作。
CN115912008A	一种自动剥皮的电线加工用伺服端子机本发明公开了一种自动剥皮的电线加工用伺服端子机，包括上料机构、整平机构、剥皮机构和压接机构，所述上料机构安装在机架上端一侧，所述整平机构安装在安装座上端靠近竖板一侧，且安装座上端内部另一侧安装有第一横向水平移动组件，同时第一横向水平移动组件上安装有裁切机构，所述剥皮机构安装在机架上开设的下料槽内部一侧，所述压接机构安装在机架上端靠近剥皮机构另一侧。该自动剥皮的电线加工用伺服端子机，本申请设置有上料机构和整平机构，通过上料机构和整平机构搭配使用，便于对一圈一圈的线圈进行输送整平拉直，从而使得后期在裁切加工过程中提高定位的准确率，避免裁切的长度不一，提高装置使用的实用性和加工质量。
CN115912006A	一种导地线接续管压接装置本发明公开了一种导地线接续管压接装置，包括回形底座、定位夹持机构、调平机构和压接机构；回形底座：其上表面前后两侧对称开设有第二滑槽，第二滑槽的内部均滑动连接有移动块，两个移动块之间固定连接有的U形座，U形座的前后两壁对称开设有第三滑槽，回形底座的上表面左右两侧均设有限位板，限位板的前表面下端均设有下夹持板；定位夹持机构：其设置限位板的内部，定位夹持机构与下夹持板配合安装；调平机构：其设置于U形座的下端；该导地线接续管压接装置，能够通过夹持对导线、底线两端进行固定限位并使其处于同一水平度，装置压接部位安放取出连续管方便，同时装置能够自动测量压接点间隔距离并进行移动，使用方便。
CN115912004A	一种二次线熔接装置本发明公开了一种二次线熔接装置，包括装置外壳，所述装置外壳的两侧均开设有夹持槽；针对二次线熔接的情况，本发明设计了一种二次线熔接装置，并针对电力设备二次接线的现状，设计了二次线熔接装置，可在停电检修时对二次更换元器件时，出现新旧元器件接线换位时，造成原二次电缆长度不足，无法接入；此时采用二次线熔焊装置，满足导线直径及绝缘强度的前提并予以处理；将所设计的二次线熔接装置运用于现场，该装置完全能够满足检修现场二次线可靠延长的要求，能够大大缩短检修时间，提高现场检修人员的劳动效率；该装置现场实际运用程度较高；研究成果的进一步推广对提高二次元器件的正常使用及保障电网安全可靠运行都具有重要而深远的意义。
CN115911995A	一种线缆接线转接装置及其转接方法本发明公开了一种线缆接线转接装置及其转接方法，涉及线缆转接装置技术领域，为解决现有的线缆转接装置在使用的过程中仅仅只能对线缆进行夹持固定，但转接装置无法根据线缆的所在位置进行适应式的转向调节，导致线缆为了转接需要进行弯折和扭曲，造成线缆损坏的问题。包括第一线缆接头和第二线缆接头，第一线缆接头和第二线缆接头的前端面上均设置有四个转接插口，转接插口分别与第一线缆接头和第二线缆接头一体成型设置，第一线缆接头和第二线缆接头的后端面上分别设置有第一电路板块和第三电路板块；还包括：第二电路板块，其设置在所述第一电路板块与第三电路板块之间的位置上。
CN115911990A	带有密封结构的射频同轴转接器本发明提供了带有密封结构的射频同轴转接器，包括互相插接的连接器公头和连接器母头；所述连接器公头的外壁套接有连接螺母，所述连接螺母和连接器母头螺纹连接，所述连接螺母的外壁对称设置有限位装置和定位装置，所述连接器母头远离连接器公头的一侧固定连接有固定座。使用时，固定座对滑动管施加一个向内回缩的力，滑动管回缩，当滑动管对准限位凸环时，定位撞针在复位弹簧的作用下弹入限位凸环内，方便精确控制连接螺母和连接器母头之间连接的紧密程度，使得密封结构处于最佳的密封状态，防止连接过紧导致密封胶圈损坏，同时防止连接过松，导致密封胶圈不能紧密贴合在连接处，提高气密性，降低密封胶圈自身的弹性对连接气密性的影响。
CN115911987A	一种计算机用网络集线器本发明公开了一种计算机用网络集线器，涉及集线器领域，其结构包括防尘箱、安装于所述防尘箱后端面的收线箱，设置在所述防尘箱左右两侧前方的第一滑槽，设置了防尘箱，利用箱罩和防尘网对集线器本体进行防尘，减少灰尘对集线器的散热影响从而延长集线器的使用寿命，同时利用电动推杆使得防尘箱可自动开闭箱罩并使放置箱可自动对集线器本体夹持和放松，使得设备自动化程度提高，大大增加设备的实用性；设置了收线箱，利用夹块对USB线进行固定，防止USB线因外界因素而导致缠绕，同时利用收线辊对USB线可进行收卷，避免USB线在较狭小的空间因长度过长而造成堆积，延长集线器本体使用寿命同时减小了安全隐患。
CN115911986A	一种带有接触片防松动结构的插座本发明公开了一种带有接触片防松动结构的插座，包括安装板，所述安装板的顶部固定安装有绝缘外壳，所述绝缘外壳的内部设有两组防松动机构，所述绝缘外壳内中间设有接电座，所述防松动机构设置于接电座的两侧；电路出现故障短路时，保险丝率先熔断，此时电路被断开，从而避免出现电弧而发生火灾等危险，同时在此期间，通过电流检测模块辅助对电路中的电流进行检测，当电路被断开时，通过电流检测模块反馈信息，使得控制模块辅助控制远程报警模块发出警报，进而通知报警，便于及时检修，由于采用设置保险丝，使得需要检修时，只需抠动磁石板，使得磁石板与铁片的吸附分离便可打开第二盖体，从导体弹簧和铜片之间更换保险丝。
CN115911984A	一种用于美标Combo的充电插座本发明公开了一种用于美标Combo的充电插座，包括：插座主体、封盖机构和电子组件；插座主体上安装有排水管，所述插座主体上安装有电子锁；封盖机构设于插座主体的一侧，封盖机构包括防尘盖；电子组件设于插座主体远离防尘盖的一侧，电子组件包括一对直流电源组，直流电源组的上方设有信号组，信号组的一侧设有一对交流电源组和接地与信号组，接地与信号组上安装有鼓簧，接地与信号组靠近插座主体的一端设有印刷电路板。本发明通过相应机构的设置，使充电插座支持多方向出线的需求，并且使装置方便进行拆卸和安装，从而利于柔性化布线和自动化实施，并且提高温度监测精确性，采用单腔结构，增加爬电距离和高绝缘耐压能力。
CN115911983A	具有温度监测功能的电源线插头本发明公开了一种具有温度监测功能的电源线插头，包括电源线和插头主体，所述插头主体上设置有火线端子、地线端子和零线端子，电源线的火线、地线和零线分别与对应的所述火线端子、地线端子和零线端子连接；插头主体内还设计有温度监测装置，所述温度监测装置的测温端靠近所述火线端子或零线端子，以感应所述火线或零线的温度。本发明通过在插头主体内安装温度监测装置，并使温度监测装置的温度传感器分布设计，能够实时、准确的感应插头内部的温度并将结果反馈出来，给使用者提供可靠的电源线插头内部温度数据，有利于使用者及时做出有效的保护措施，尽可能的消除安全隐患，并提高插头的使用寿命，实用性强，性能稳定性好。
CN115911979A	电连接器组件本发明公开一种电连接器组件，电连接器组件设置于一电路板。所述电连接器组件包括一电连接器以及套设于所述电连接器的外侧的一接地金属件。所述接地金属件包含有一第一围绕段及自所述第一围绕段一端向外延伸的一第二围绕段。所述第二围绕段具有呈环状的一遮蔽部及自所述遮蔽部延伸的多个延伸部。所述接地金属件通过所述遮蔽部和多个所述延伸部而连接于所述电路板的一接地线路。
CN115911978A	电连接器本发明公开一种电连接器。电连接器包含一绝缘壳体、以及安装于绝缘壳体内的一接地片与多个导电组件。接地片凹设形成有多个插槽。多个导电组件包含有多个接地端子以及多个信号组件。多个接地端子各具有一片形段及自片形段延伸的一弹臂段。各个接地端子的片形段插设于接地片的一个插槽内。各个接地端子的弹臂段邻设接地片，各个接地端子与接地片彼此电性耦接。多个信号组件各位于两个相邻接地端子之间。各个信号组件具有安装于绝缘壳体的一模制支架及固定于模制支架的两个信号端子。据此，多个接地端子与接地片能提供多个信号组件良好的屏蔽效果。
CN115911972A	一种便于配装分离的应急电缆本发明公开了一种便于配装分离的应急电缆，涉及新型电缆技术领域。本发明包括第一电缆和第二电缆，第一电缆的一端插接连接有第二电缆，还包括自动化配装插接结构、自动化配动分离结构和自动化防护锁接结构，第一电缆一端的两侧均固定连接有自动化配装插接结构，第二电缆一端的两侧均固定连接有自动化配动分离结构。本发明通过自动化配装插接结构和自动化配动分离结构的配合设计，使得装置便于完成对两端应急电缆的自动化便捷的配装和快速分离，大大提高了应急电缆的装配便捷性和连接紧闭性，且通过自动化防护锁接结构的设计，使得装置便于完成对两端应急电缆连接位置进行自动化封闭，从而进一步提高防水保护性能和防漏电保护性能。
CN115911968A	一种移动储能设备连接器本申请涉及连接器的领域，提供了一种移动储能设备连接器，包括公头和母头，所述公头设置有插槽和导向条，所述导向条位于所述插槽的槽壁，且沿所述插槽的槽深延伸设置；所述插槽的槽底设置有电流端子；所述母头设置有插块和弹性导电套，所述插槽供所述插块插接；所述插块的侧壁开设有导向槽，所述导向槽供所述导向条插接；所述插块的表面开设有插孔，所述弹性导电套位于所述插孔内，且具有供所述电流端子插接的通孔；当所述电流端子插接于所述通孔内时，所述导向条的侧壁与所述导向槽的槽壁之间留有活动间隙。基于此，可改善连接器在重复插拔过程中出现连接不稳定的情况，提高连接器的使用寿命。
CN115911967A	一种超薄LCD拼接屏用拼接处理器本发明公开了一种超薄LCD拼接屏用拼接处理器，涉及拼接处理器领域,包括箱体和处理器模块，所述箱体的后端设置有多组信号接口，所述处理器模块通过信号线与信号接口相连接，所述箱体的后端横向排列有多组滑板，所述滑板一侧设置有接口，所述接口通过柔性信号带穿过滑板连接设置箱体后端的信号接口，所述滑板朝向箱体方向的顶端与底端皆固定连接有连杆，所述箱体的后部设置有供连杆滑动的滑槽结构，且在滑槽结构的外侧固定设置有连接脚，所述连接脚起到限制连杆滑出箱体的作用，所述滑板的顶端与底端皆设置有与连接脚配合的连接结构。本发明设置可在傍边没有其它信号线接头阻挡的情况下轻松的插拔所需的信号线接头。
CN115911965A	快速插接自保护接线端口本发明公开了快速插接自保护接线端口，包括端口内腔，包括壳体，壳体内设有定位套，主转轴一端套入定位套内，壳体内对称设有两个齿轮转轴，齿轮转轴上均转动连接有齿轮；进线端口，包括对接头与置线杆，对接头两端均设有导流弹片，对接头一端设有第一卡紧件，第一卡紧件侧面设有第一限位件；置线杆一端设有入线柱，置线杆另一端设有第二卡紧件，第二卡紧件侧面设有第二限位件。通过内部的齿轮结构，以及适配的斜面配合，加上连接端口的巧妙内部设计，完成了集速接、安全、多环境使用效果一体化的接线端口。
CN115911964A	一种新式的导线分流装置本申请提供一种新式的导线分流装置，包括分流底座、导线保护套、压线块、压紧器和压紧器锁钩；所述分流底座上沿长度方向间隔设置有分流槽；所述导线保护套设置在分流槽的上方，所述导线保护套上设置有导线槽，所述导线槽与分流槽相对设置；所述压线块设置在导线保护套背离分流底座的一侧，所述压线块与导线保护套滑动连接；所述压紧器设置在压线块背离导线保护套的一侧；所述压紧器锁钩设置在分流底座的一端，以使所述压紧器能够与压紧器锁钩卡接，向所述分流底座的方向按压所述压紧器，使所述压紧器通过所述压线块对所述导线保护套进行压紧。本申请结构简单，操作方便，避免了拧螺母等过程，可快速完成导线分流，提高作业效率，简化工作流程。
CN115911962A	用于连接空中交通工具中的部件的连接系统一种用于连接交通工具中的部件的连接系统，该连接系统具有在第一端部处具有第一连接面的第一长形元件和在第二端部处具有第二连接面的第二长形元件，其中第一元件和第二元件分别具有固持装置，这些固持装置分布在环形的连接线上，其中连接面是全等的，其中连接面和固持装置被设计成，使得当长形元件的定向重合时，它们能够对齐地产生面接触，并且于是彼此相对的固持装置彼此连接，其中这些元件中的至少一个元件具有长度补偿部件，该长度补偿部件被设计成用于改变相应的连接面在相关的元件的纵向方向上的位置，并且其中连接面具有用于传输流体、电信号或光学信号或电流的至少一对成对地彼此相关联的接口，这些接口能够产生连接。
CN115911958A	气溶胶生成装置及设有其的气溶胶生成系统本申请涉及一种气溶胶生成装置及设有其的气溶胶生成系统，气溶胶生成装置的纵向轴向的第一端的端面为导电平面，导电平面垂直于气溶胶生成装置的纵向轴向，导电平面设有正极导电部及负极导电部。上述气溶胶生成装置，通过气溶胶生成装置本身实现与充电装置的安装导向，气溶胶生成装置通过导电平面与充电装置电性连接而取消凹凸定位特征，因此在保证了气溶胶生成装置可正常充电的同时降低了取放定位的精确度要求，提高了气溶胶生成装置的使用体验。
CN115911956A	一种馈线终端的线缆连接装置本发明公开了一种馈线终端的线缆连接装置，包括固定单元，其包括固定座，所述固定座设置有插孔；插头单元包括与所述固定座可拆卸连接的插头，所述插头一端设置有插杆，所述插杆内部嵌有贯穿插头的导线；防折单元包括与所述插头一端固定连接的连接件，插头远离一端插杆的一端设置有螺纹孔，所述连接件与螺纹孔配合连接，所述连接件连接有防折弹簧；通过在连接装置的接头处设置防折单元，能够避免线缆活动时产生过度的弯曲，有效的防止了接头处线缆断裂的问题；同时采用巧妙的连接结构，使外部线缆能够快速的与馈线终端建立连接。
CN115911955A	一种用于水密接插件的安装结构及方法本发明涉及一种用于水密接插件的安装结构及方法，安装结构包括：水密舱盖，水密舱盖内竖直嵌装有一个水密接插件，水密接插件上配套加装有异形垫片，异形垫片上压紧有螺母。安装方法中利用异形垫片，具体地，在水密舱盖内侧放上异形垫片，再用螺母紧固；异形垫片外侧嵌入水密舱盖，内侧和水密接插件相配。本安装结构装置使水密舱的加工工艺简单化，安装方法过程方便可靠，本安装结构采用一种内圈和水密接插件配合，外圈为异形的不锈钢垫圈和水密舱盖配合，防止紧固过程中跟转，实现单扳手安装，仅增加了一个异形垫圈、一个槽子和不锈钢异形垫圈，随着激光加工技术的发展，成本较低。
CN115911952A	TYPE C母座防水连接器及其制作方法一种TYPE C母座防水连接器，包括防水外壳及安装于防水外壳内腔的主体，所述防水外壳是由金属板材经冲压成型、对接铆合而成的套状防水外壳及置于防水外壳外表面的套形防水部组成，防水外壳的防水位置位于两个对接端的上、下铆合切口之间，上、下铆合切口经冲压铆合后的总厚度与防水外壳的其它部位厚度对应；制作方法：将金属板材冲压成型，对接铆合成套状防水外壳；在套状防水外壳外制作防水部，使其置于套状防水外壳外表面，与套状防水外壳形成防水外壳；将主体安装于防水外壳内腔，并在主体与防水外壳之间填充防水胶；待固化后形成产品。本发明结构设计简单、密封性好，既能提高生产效率，降低产品成本，又能提高产品防水性能。
CN115911950A	一种模块化密封连接器本发明公开了一种模块化密封连接器，属于连接器领域，包括壳体，壳体上设有安装孔，安装孔内安装有接触件；接触件包括接触件本体、浮动套、弹簧和支撑套；接触件本体的首端装有插接件；浮动套与接触件本体之间具有浮动间隙，接触件本体上设有定位台肩，浮动套与定位台肩之间设有轴向密封圈，浮动套的外壁上设有径向密封圈；支撑套的内壁直径从两端向中间逐渐缩小，弹簧位于接浮动套与支撑套之间；安装孔的首端设有允许插接件通过但阻挡接触件本体通过的限位台阶，壳体上设有用于从尾端一侧压紧支撑套的压板，壳体上还可拆卸连接有用于压紧压板的固定件。本发明的连接器能够同时实现接触件的轴向和径向浮动、轴向和径向密封以及光电混装。
CN115911947A	一种一体化内芯的高频率连接器及其使用方法本发明公开了一种一体化内芯的高频率连接器及其使用方法，包括内导体，所述内导体外侧居中设置有减少内导体与介质加工公差的联合组件，所述联合组件包括居中设置于内导体外侧，并正视为圆形的注塑嵌件，绕所述注塑嵌件外侧壁一周等距间隔设置有凸柱，所述注塑嵌件外侧设置有呈环型的外壁嵌件，所述外壁嵌件内设置有内环部，沿所述内环部内壁一周等距间隔设置有与凸柱相适配的插孔。组件的尺寸精度不由零件加工精度累计，由模具精度来保证一致性，注塑嵌件的凸柱，在保证内导体和外壁嵌件的连接的同时，非常有效地保证了一体化内芯轴向强度和圆周耐扭矩。
CN115911945A	一种圆形连接器的限位防脱结构本发明涉及连接器技术领域，具体为一种圆形连接器的限位防脱结构，包括设备端组件、线端组件和线端外壳，线端组件包括有线端主体和锁紧套筒，线端主体中部设置有法兰，锁紧套筒底部设置有内檐，内檐被法兰挡止住，设备端组件的外侧壁设有导向滑槽，锁紧套筒内侧壁设有锁紧凸台，设备端组件与线端组件对插时，锁紧凸台在导向滑槽的导向下，设备端组件和锁紧套筒作相对螺旋运动后卡合在一起，法兰下方设有限位挡板，法兰与限位挡板之间构成卡槽，内檐内壁设有防脱凸台，限位挡板外径小于内檐内径且大于防脱凸台内径，防脱凸台可以穿过限位挡板卡入卡槽中，锁紧套筒能够沿卡槽转动，锁紧套筒将被卡住，不会脱落。
CN115911943A	电连接器本发明提供了一种电连接器，包括：壳体和导电端子，所述壳体包括基座、自基座向外延伸形成的固定座以及与固定座相配合的端盖，所述固定座设置有收容腔；所述固定座还设置有第一限位卡扣和第一固定卡扣，所述端盖对应设置有第二限位卡扣和第二固定卡扣；当端盖处于第一状态时，第一限位卡扣与第二限位卡扣相配合，使得端盖预固定于固定座，此时固定座与端盖的整体高度为H1；当端盖处于第二状态时，第一固定卡扣与第二固定卡扣相配合，使得端盖固定于固定座，此时固定座与端盖的整体高度为H2；H1>H2。相较于现有技术，本发明的电连接器利用第一限位卡扣和第二限位卡扣的配合将端盖先预固定在固定座上，从而可以有效避免现场安装时的触电风险。
CN115911938A	端子座和控制设备本发明提供一种端子座，在安装于控制设备的情况下，能够使内部收纳有该控制设备的盘小型化。能够安装于控制设备的端子座具备：主体，其具有与布线连接的布线连接部；第一旋转机构部，其配置于主体的第一方向的一端；以及第二旋转机构部，其配置于主体的第一方向的另一端。第一旋转机构部和第二旋转机构部构成为，能够使主体相对于控制设备绕沿着第一方向延伸的假想直线旋转。布线连接部配置于主体的相对于假想线的径向的一端。
CN115911931A	一种电连接器本申请涉及电路连接元件技术领域，具体提供了一种电连接器，包括基座，沿宽度方向的两端分别设置为插入端和翻盖端；第一端子，设置于基座中，包括均设置于插入端的第一焊接端和第一双排连接端；第二端子，设置于基座中，且与第一端子交替间隔设置，包括设置于翻盖端的第二焊接端，以及设置于插入端的第二双排连接端；翻盖，通过第一端子和第二端子转动连接于翻盖端；第一双排连接端在插入端的延伸长度小于第二双排连接端在插入端的延伸长度，上排线齿和下排线齿均设置有双连接触点。锡焊部分异侧设置，排线连接部分错位设置且各设置两个双链接处，设置更多端子，满足小型化小间隔的多端子和连接稳定性的需求。
CN115911925A	一种高载流端子及连接器本发明公开了一种高载流端子及连接器，端子包括一体成型的接触部和线缆连接部，所述接触部包括呈U形结构的第一接触弹片和设置在U形结构内的第二弹片，所述第二弹片的底端与第一接触弹片的底端固定连接，第二弹片的顶端从第一接触弹片顶端的内壁贯穿到第一接触弹片的外壁，第二弹片与第一接触弹片的顶端相互弹性接触。本发明中端子的主体结构由线缆连接部和接插部一体成型避免了二次转接的问题，优化了接触端的结构，相比传统端子增加了载流能力，相比传统的端子提供了额外的弹力。因为结构的优化，使得端子及连接器的制造工艺得到简化、提升，能够有效的降低制造成本。
CN115911924A	插接连接器本发明涉及一种插接连接器（1），所述插接连接器（1）具有沿轴向方向（A）延伸的用于容纳配对接触元件（20）的接触内部件（2）以及弹簧外部件（3），其中，所述弹簧外部件（3）关于横向于所述轴向方向（A）的径向方向（R）布置在所述接触内部件（2）外部，其中，所述接触内部件（2）主要由第一材料（M1）构成，其中，所述弹簧外部件（3）主要由第二材料（M2）构成，其中，所述第二材料（M2）的剪切模量为所述第一材料（M1）的剪切模量的至少1.5倍，和/或其中，所述第二材料（M2）的弹性模量为所述第一材料（M1）的弹性模量的至少1.5倍。
CN115911923A	插接连接器本发明涉及一种插接连接器，具有：沿轴向方向（A）延伸的用于容纳配对接触元件（30）的接触箱（2），和接触片层（3），其中，所述接触箱（2）具有第一壁（21）和第二壁（22），所述第一壁和第二壁关于横向于所述轴向方向（A）的径向方向（R）彼此对置，其中，所述接触片层（3）在所述接触箱（2）中关于所述径向方向（R）布置在所述第一壁（21）和所述第二壁（22）之间，其中，所述接触箱（2）主要由第一材料（M1）构成，其中，所述接触片层（3）在第一区段（4）中主要由所述第一材料（M1）构成，并且在与所述第一区段（4）邻接的第二区段（5）中主要由第二材料（M2）构成。
CN115911919A	电连接模块及连接器本发明提供了一种电连接模块及连接器，所述电连接模块包括：线缆，其内部设有两个贴合设置的导线，所述线缆包括依次相接的连接端、弯折段以及延伸段，两个所述导线位于所述连接端的部分在第一平面内并列设置，两个所述导线位于所述延伸段的部分在第二平面内并列设置；两个端子，均包括相接的自由端和一翻转结构，两个所述端子的自由端在第三平面内并列设置，每个所述端子的翻转结构上远离所述自由端的一侧分别与一所述导线位于所述连接端的部分连接；所述连接器包括上述的电连接模块。本发明提供的电连接模块及连接器解决了现有的电连接模块的线缆在弯折时会导致线缆结构尺寸发生变化甚至严重变形，进而使线缆的信号完整性恶化的问题。
CN115911917A	射频开关及其安装方法一种射频开关，包括上壳体、与所述上壳体注塑成型为一体的第一绝缘体、位于所述第一绝缘体下方的第二绝缘体及夹持于所述第一绝缘体与第二绝缘体之间的静端子与动端子，所述动端子向上电接触所述静端子并施加有弹性力，所述第一绝缘体包括基体、自所述基体中间向上凸出延伸形成的圆筒部及上下贯穿所述圆筒部与基体的插孔，所述插孔的内壁面上形成有连料断口；本申请还包括一种射频开关安装方法。
CN115911915A	一种NPN和PNP转换接头本发明公开了一种NPN和PNP转换接头，包括固定座、PIN针、密封件、线缆，以及能够维持输出模式或在NPN和PNP两种输出模式之间转换的PCB，所述PIN针穿设在固定座内，且两端均露出所述固定座，所述PCB的其中一端插接在露出的PIN针之间的间隙内，所述线缆连接于所述PCB的另外一端，所述密封件塑封于所述固定座的部分、所述PCB的整体、插接所述PCB的所述PIN针的端部和所述线缆的部分。其能够实现NPN模式和PNP模式的直接转换，外部的NPN模式或PNP模式的输入通过接头能够直接输出到下一设备上，且体形小，结构简单，可靠性强，成本低。
CN115911909A	一种T头导入式防松型接火线夹本发明公开了一种T头导入式防松型接火线夹，其包括所述夹具主体为钩型状，其设置的线夹挂线顶槽和线夹挂线底槽可以夹紧导火线，夹具主体上端的T字形夹头和操作挂孔可以用来配合其他专用工具使用；旋转顶杆通过下端的矩形块和连接杆顶部的T型槽卡和连接，连接杆和旋转杆固定连接，并且通过旋转第二旋转杆，带动连接杆，进而带动旋转杆的旋转，最终带动螺纹杆的上升，从而线夹挂线底槽与线夹挂线顶槽逐渐贴合，本发明独特的防松组件设计较好地杜绝了螺栓式线夹的发热，松脱隐患，通过精准的局部改进与优化，使该线夹在全生命周期内具备更高的安全可靠性，并能完全满足新的作业规范，同时适用于传统绝缘杆与新型防触电专用工具的安装操作。
CN115911906A	一种实现高压输电线路可靠接地的组合式伸缩接地棒本发明公开了一种实现高压输电线路可靠接地的组合式伸缩接地棒，解决了如何实现地线可靠挂接的问题，属输电领域；将地线挂接棒设计为分体组合结构形式，一名操作人员，携带三个挂钩和一根绝缘棒登塔，在塔上将绝缘棒与金属挂钩组合后，进行地线挂接，完成一相线路的地线挂接后，将挂接在线路上的金属挂钩与绝缘棒分离；再将第二个金属挂钩与绝缘棒组合，进行第二相线路的接地挂接工作；将接地挂钩与绝缘棒的连接设计为磁吸式，在金属挂钩的底端与顶端分别设置磁铁块，使绝缘棒即可在挂钩的下端与金属挂钩组合，也可在挂钩的顶端与金属挂钩组合，从而解决了操作人员在输电线路上方或下方时，均可实现将金属挂钩正向挂接在输电线路上的操作难题。
CN115911905A	将高压输电线路可靠接地的组合式接地棒的挂接方法本发明公开了一种将高压输电线路可靠接地的组合式接地棒的挂接方法，属输送电领域，解决了如何实现地线可靠挂接的问题；将地线挂接棒设计为分体组合结构形式，只需要一名操作人员，携带三个挂钩和一根绝缘棒登塔，在塔上将绝缘棒与金属挂钩组合后，进行地线挂接，完成一相线路的地线挂接后，将挂接在线路上的金属挂钩与绝缘棒分离；再将第二个金属挂钩与绝缘棒组合，进行第二相线路的接地挂接；将接地挂钩与绝缘棒的连接设计为磁吸式，在金属挂钩的底端与顶端分别设置磁铁块，使绝缘棒可在挂钩的下端与金属挂钩组合，也可在挂钩的顶端与金属挂钩组合，解决了操作人员在输电线路上方或下方时，均可实现将金属挂钩正向挂接在输电线路上的操作难题。
CN115911904A	一种T头导入型夹紧式接火线夹本发明公开了一种T头导入型夹紧式接火线夹，其包括所述夹具主体为钩型状，其设置的线夹挂线顶槽和线夹挂线底槽可以夹紧导火线，夹具主体上端的T字形夹头和操作挂孔可以用来配合其他专用工具使用；设计了一种特殊的压紧件，并且引流板和压紧件对应开设一对引流孔和引流槽，从而适应不同尺寸的引流线，并且通过旋转第二旋转杆，带动连接杆，进而带动旋转杆的旋转等，最终线夹挂线底槽与线夹挂线顶槽逐渐贴合，本发明独特的防松组件设计较好地解决螺栓式线夹的发热，松脱隐患，通过局部改进与优化，使该线夹在全生命周期内具备更高的安全可靠性，并能完全满足新的作业规范，同时适用于传统绝缘杆与新型防触电专用工具的安装操作。
CN115911900A	电气连接装置、电气柜以及保护控制方法本发明涉及一种电气连接装置、电气柜以及保护控制方法。电气连接装置包括接线端子及检测控制组件。接线端子包括用于分别与不同的电气线缆电连接的至少一个第一接线端及第二接线端，每个第一接线端至少与一个第二接线端对应电连接。检测控制组件获取电气线缆的运行参数及尺寸参数，并基于运行参数及尺寸参数控制第一接线端与第二接线端之间的电连接的通断。其中，电气线缆的运行参数包括电流，尺寸参数包括线径。上述电气连接装置，检测控制组件根据所连接电气线缆的线径为基础判断电流是否超额，进而控制电连接的通断。电气连接装置能够更好地适应不同型号的电气线缆，并根据线径的不同来做出更准确的判断，保障其连接的各类电气线缆运行安全。
CN115911894A	一种电力工程用的电力接线柱本发明公开了一种电力工程用的电力接线柱，涉及电力工程技术领域，包括三部分结构；上板体中部一体式连接有接线柱体；定位组件可拆卸式装配于接线柱体上，并覆盖上板体；其中，电缆穿过上板体的两端，且电缆中的导线缠绕式设置于接线柱体的外表面，并通过定位组件压紧；其技术要点为：通过在接线柱体上设计可拆分的定位组件，利用定位组件中的滑套完成对接线柱体上缠绕导线的初步定位，而后使用压罩部件完成对滑套的挤压，从而保证导线位置的稳固，在连接上下压板的过程中可对压紧组件中囊圈进行充气，实现挤压固定套件，从而可对不同规格电缆进行定位处理，进一步确保了整个电缆与该电力接线柱连接后的稳定性。
CN115911888A	毫米波太赫兹辐射源阵列天线本申请公开了一种毫米波太赫兹辐射源阵列天线，该天线由金属底板及金属缝隙阵列板构成，金属底板与金属缝隙阵列板连接的一端包含由多个周期性排布的金属筋和多个波导口，周期性排布的金属筋等效于周期性分布的电容膜片；波导口用于连接馈电波导，而馈电波导用于传输毫米波太赫兹信号；如此，本申请的毫米波太赫兹辐射源阵列天线可以通过金属底板上的波导口直接与馈电波导连接，可利用经过功放芯片放大的毫米波太赫兹信号进行馈电，不需要经过任何如合成网络之类的模块，有效减少了传输路径，从而减少了传输损耗，而传输损耗的降低，加大输入至毫米波太赫兹辐射源阵列天线的输入功率，提高毫米波太赫兹辐射源阵列天线输出的太赫兹辐射波束的增益。
CN115911886A	无纺布/蜂窝复合材料及其应用本发明公开了一种无纺布/蜂窝复合材料及其应用，该复合材料包括蜂窝芯材(1)、形成于所述蜂窝芯材(1)蜂窝壁上的CNTs/CB/RGO/PU浸渍层(2)以及填充在所述蜂窝芯材(1)的蜂窝孔中的石墨烯/无纺布复合填充物(3)。本发明创新性地将柔性石墨烯/无纺布材料填充到蜂窝结构吸波材料中，形成双三维结构，集良好的吸波性能、抗压性能以及极端环境适应性三位于一体。该材料能够发挥柔性材料的多孔界面效应和蜂窝材料的多重反射效应，在满足宽频吸收的同时，进一步降低结构复合材料的厚度，可实现10mm厚度下2～18GHz的全波段吸波，展现出优异的宽频吸波能力。
CN115911882A	反射式天线结构一种反射式天线结构，包括一穿透式天线以及一导磁式反射模块。导磁式反射模块设置于穿透式天线旁，穿透式天线对导磁式反射模块所在的平面的正投影重叠于导磁式反射模块，其中导磁式反射模块的反射相位差介于‑90度至+90度之间。
CN115911876A	一种紧凑型双阻带频率选择表面本发明公开了一种电磁场与微波技术领域的紧凑型双阻带频率选择表面，旨在解决现有技术中的双阻带频率选择表面结构复杂、易受温湿度影响和加工难度大的问题。其由多个单元结构在二维平面上周期排列构成，单元结构包括介质基板，介质基板的上表面和下表面分别对称设有第一金属条带和第二金属条带；介质基板上设有四个金属通孔，四个金属通孔分别上下对应连接第一金属条带和第二金属条带的端部；本发明结构简单，加工难度小，经济成本低，不易受温湿度影响，还具有双阻带特性和双极化性能，可令谐振频率降低，从而缩小单元结构的电尺寸，降低电磁波入射角的敏感性，具有良好的角度稳定性能，综合效果较佳。
CN115911874A	一种基于复用结构的小型化大频比多频段的平面缝隙天线本发明涉及一种基于复用结构的小型化大频比多频段的平面缝隙天线，属于微波器件领域。由金属辐射层、基片集成波导和接地层组成；金属辐射层上中心对称开设有一对L形缝隙，一对L形缝隙中的内侧分别连接着宽连接缝隙；一对宽连接缝隙分别连接着低频辐射缝隙；一对低频辐射缝隙的端部分别连接着U形缝隙的封闭端外侧，U形缝隙的封闭端和相对的L形缝隙中的短边缝隙之间由窄连接缝隙连接；一对U形缝隙的短边端部分别连接着短隔离缝隙、长边端部分别连接着长隔离缝隙；U形缝隙内还分别连接着形成山形中频辐射结构中频辐射缝隙、中低频辐射缝隙和中高频辐射缝隙；所有缝隙构成一共辐射体。所述平面缝隙天线实现同时覆盖Sub‑6频段和毫米波频段。
CN115911872A	一种带十字筋的四脊喇叭天线及其成型方法本发明为解决传统喇叭天线与极化器分体式结构体积、重量大和传统四脊喇叭天线高频增益下降的问题，提出了一种高效率、低成本的带十字筋的四脊喇叭天线及其成型方法，满足天线尺寸精度和优良的电讯性能的需要。本发明提出的带十字筋的四脊喇叭天线，同时具备喇叭天线和极化器的功能，喇叭口端面设计了十字筋结构，高频下仍具备优良的高增益效果，在锥角喇叭侧面设计阻隔板，可以使喇叭天线组合阵列使用时，消除反射和泄露的杂波。采用压力铸造成型方法，最后通过胶结将十字筋、底板连接至喇叭外壳体两端，形成一体化宽带喇叭，解决了一体化成型的问题，提高了产品的成品率。
CN115911871A	一种基于表贴的偶极子天线本发明涉及天线技术领域，提供了一种基于表贴的偶极子天线，包括天线振子以及具有功分网络的PCB板，所述天线振子包括辐射面以及上部支撑所述辐射面的巴伦，所述巴伦的底部设在所述PCB板上；所述巴伦的表面贴有馈电线和金属地，所述馈电线和所述金属地均由巴伦的侧面延伸至所述巴伦的底面上，所述PCB板的上表面设有馈电焊盘和接地焊盘，所述巴伦底面上的所述馈电线焊接在所述馈电焊盘上，且所述巴伦底面上的所述金属地焊接在所述接地焊盘上。本发明的一种基于表贴的偶极子天线，通过表贴的方式将天线振子焊在PCB板上，避免了在PCB板正面或背面焊接带来的缺陷，操作简单、作业效率高，不会增加背板的高度和厚度。
CN115911870A	多频天线及多频天线阵列本申请提供了一种多频天线，包括：反射板和偶极子天线，偶极子天线垂直于反射板且与反射板插接；偶极子天线包括：至少一个天线基板，以及在垂直于反射板方向对称设置的天线单元，天线单元位于天线基板一侧，包括公共臂，以及位于公共臂同一侧，分别与公共臂连接的第一辐射臂和第二辐射臂，公共臂垂直于反射板设置，第一辐射臂为一体式折弯结构，包括依次连接的第一子辐射臂、第二子辐射臂和第三子辐射臂，在平行于反射板的方向上，第三子辐射臂位于第一子辐射臂与反射板之间，第二辐射臂位于第一子辐射臂与第三子辐射臂之间。
CN115911869A	基于三功能电壁的毫米波宽带宽角扫描天线及天线阵列本发明提供的基于三功能电壁的毫米波宽带宽角扫描天线及天线阵列，包括：第一电壁、第二电壁和辐射贴片；第一电壁、第二电壁相对辐射贴片对称分布，均包括金属条带和金属通孔组；金属条带位于第一层介质基板的上表面，金属通孔组垂直穿透第一层介质基板、第二层介质基板、第三层介质基板；辐射贴片设置在第三层介质基板的上表面；第三层介质基板的下表面、第四层介质基板的上表面、第四层介质基板的下表面分别对应的设置有第一金属地板、第二金属地板和馈电微带线；金属通孔组连接金属条带和第一金属地板；第一金属地板和第二金属地板上刻有耦合槽线；具有能够提升毫米波信号覆盖范围的有益效果，适用于通信技术领域。
CN115911868A	用于全双工通信的高隔离宽带双极化介质贴片天线本发明公开了一种用于全双工通信的高隔离宽带双极化介质贴片天线，该天线由边缘刻蚀一对槽的矩形介质贴片和两层基板组成。介质贴片放置在顶层基板上并由三个端口激发。在X极化方向，使用单端口来激发基模TM10模式和高次模TE12模式，用于宽带发射机工作。对于Y极化方向，采用差分馈电结构来激发简并的TM01模式和反相TM02模式，用于宽带接收机工作。金属地板放置在两层基板之间，在其上刻蚀了两组缝隙，用于介质贴片谐振器和位于下层基板底部的金属微带线之间的孔径耦合。
CN115911865A	用于天线优化的装置以及相关联的方法本发明涉及用于天线优化的装置以及相关联的方法。一种装置包括模块，该模块包括具有至少一个天线部件的天线。该装置还包括耦合到至少一个天线部件的至少一个调谐部件。至少一个调谐部件在模块外部。
CN115911861A	一种目标辐射阵列角位置控制方法本发明公开了一种目标辐射阵列角位置控制方法，包括如下步骤：确定辐射阵列的几何中心，以几何中心与接收目标之间的方向作为中心方向；以中心方向正对的辐射阵列中的各阵元作为工作天线阵元；根据工作天线阵元的合成辐射波束方向以及目标位置确定合成辐射波束的目标方向角度，根据合成辐射波束的目标方向角度确定各天线阵元的辐射波束的目标辐射角度；将各个辐射阵列的天线阵元的辐射波束的辐射角度调整至目标辐射方向，控制由各天线阵元的辐射波束合成的发射波束角度对准中心方向。各天线阵元的辐射波束的辐射角度调整至中心方向，使得目标辐射阵列的辐射角度均朝向目标方向，提高发射接收准确性，减小辐射损耗，降低长距离发射接收的能耗。
CN115911857A	一种超介质加载去耦多业务融合列车天线本发明公开了一种超介质加载去耦多业务融合列车天线，包括高抗风外罩、安装底板、超宽频电磁超介质加载天线、GSM‑R天线、5G‑R天线与小型化高精度GNSS定位模块，所述高抗风外罩定位安装在安装底板的上端外侧位置，所述超宽频电磁超介质加载天线、GSM‑R天线、5G‑R天线与小型化高精度GNSS定位模块均定位在安装底板的上端中部位置。本发明所述的一种超介质加载去耦多业务融合列车天线，将多类型多频段天线进行融合，实现多个类型业务天线集成于一个天线中，并且创新构造一种新型的电磁超介质加载天线，使多个天线之间耦合减小，最大限度减小车顶安装空间，以保障车载综合无线传输平台等新业务设备的正常运用，保障各车载业务设备正常使用。
CN115911853A	一种智能中控屏的钢片天线及其加工工艺本发明提供一种智能中控屏的钢片天线及其加工工艺，涉及天线技术领域。该一种智能中控屏的钢片天线及其加工工艺，包括主体，所述主体的内部设置有WIFI天线，所述主体的内部上端设置有ZIGBEE天线，所述WIFI天线和ZIGBEE天线的内部均设置有天线，所述天线包括CABLE线、馈地点、馈电点和2.4G天线辐射臂，所述馈地点和馈电点设置在CABLE线的外壁，所述馈地点和馈电点设置在2.4G天线辐射臂的外壁一侧，所述CABLE线的外壁与2.4G天线辐射臂的内壁相贴合。通过采用的天线形式为PIFA天线，通过调整2.4G辐射臂，来控制天线的中心频率点，再通过两个螺丝孔位于中控屏本身的金属面连接起来把整个中控屏的金属面也作为天线的一部分从而减小金属环境对天线的影响，提高天线的稳定性以及后期天线的一致性并且方便装配。
CN115911849A	车载用天线装置本发明的课题为将车载用天线装置的电气性能保持恒定。车载用天线装置(1)具备第1天线(31)、第2天线(32)、第1天线(31)用的第1线缆(35)、第2天线(32)用的第2线缆(36)、以及保持第1天线(31)和第2天线(32)的壳体(10)。第1线缆(35)和第2线缆(36)被保持在壳体(10)的一个面的规定区域内。
CN115911848A	天线装置和电子装置本公开提供一种天线装置和电子装置。所述天线装置包括：第一介电层；第二介电层，在第一方向上设置在所述第一介电层上方；第三介电层，设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间；馈电过孔，被构造为贯穿所述第一介电层；第一馈电图案，设置在所述第一介电层与所述第三介电层之间并且连接到所述馈电过孔；第二馈电图案，设置在所述第二介电层与所述第三介电层之间并且被构造为在所述第一方向上与所述第一馈电图案叠置；以及贴片天线图案，设置在所述第二介电层上并且被构造为在所述第一方向上与所述第一馈电图案和所述第二馈电图案叠置，其中，所述第三介电层的介电常数小于所述第一介电层的介电常数和所述第二介电层的介电常数。
CN115911847A	天线设备本公开内容公开了一种天线设备，其包括：主电路板、第一类型天线以及第二类型天线；其中，第一类型天线接地耦合到主电路板，并且该第一类型天线具有接地结构；第二类型天线接地耦合到主电路板，并且该第二类型天线与上述第一类型天线相对间隔设置，其中，该第二类型天线的带宽大于所述第一类型天线的带宽。所公开的天线设备能够增大低频带的覆盖范围，同时不降低天线的高频带的覆盖范围，从而整体上提高了该天线设备的性能。
CN115911845A	基于缝隙耦合的低损耗毫米波封装互连结构本发明公开了天线领域的基于缝隙耦合的低损耗毫米波封装互连结构，包括依次设置的第一金属板、第一介质基板、第二金属板、高介电常数介质块、第三金属板、第二介质基板及第四金属板组成；所述第二金属板上设置第一接地共面波导线，所述第一接地共面波导线与第一波端口连接；所述第三金属板上设置第二接地共面波导线，所述第二接地共面波导线与第二波端口连接；所述第一接地共面波导线和第二接地共面波导线上设置有阶梯阻抗线；所述第一接地共面波导线的阶梯阻抗线和第二接地共面波导线的阶梯阻抗线分别设置于高介电常数介质块两侧；具有尺寸小、结构简单的特点，能确保良好的宽带阻抗匹配的同时降低互连损耗。
CN115911844A	一种宽带双圆极化微带阵列天线和通信终端本申请提供一种宽带双圆极化微带阵列天线和通信终端，涉及通信技术领域，包括金属背板、微带介质板组件以及位于微带介质板组件且相互连接的宽带天线单元和双旋向馈电网络，微带介质板组件包括微带介质复合板，微带介质复合板包括层叠的第一介质板和第二介质板，在第一介质板和第二介质板之间夹设有微带金属地层，第一介质板与金属背板相对且间隔，以在第一介质板和金属背板之间形成背腔，在背腔内设置有端部穿设第一介质板的底馈结构，由此，借助底馈结构能够形成微带金属地层和金属背板的良好电连接。
CN115911843A	一种基于多模谐振的全向宽带天线本发明属于通信系统综合设计中的天线技术领域，具体涉及一种基于多模谐振的全向宽带天线，L形折叠偶极子、矩形环、U形枝节和SMA接头均位于介质基板的下表面，馈线位于介质基板的上表面，在介质基板上开设有上下方向的第一金属化通孔和第二金属化通孔，SMA接头的外导体与L形折叠偶极子的右臂相连接，SMA接头的内导体穿过L形折叠偶极子的右臂和第一金属化通孔与馈线的一端相连接，馈线的另一端穿过第二金属化通孔与L形折叠偶极子的左臂相连接，本发明通过将传统偶极子进行弯折形成L形折叠偶极子，产生新的谐振频率；在L形折叠偶极子周围添加矩形环，引入两种新的谐振模式，进一步展宽天线的带宽。
CN115911842A	一种基于谐振环和背腔结构的高增益宽带天线本发明提供基于谐振环和背腔结构的高增益宽带天线，天线的主体部分包括层叠和分形结构的微带天线，曲面状的反射面，谐振环，碗状的背腔结构。曲面状的反射面是在碗状的背腔结构的内部底面喷涂导电银胶构成。层叠和分形结构的微带天线由2层组成，且位于碗状的背腔结构内部，上层的微带天线为圆形，辐射贴片采用4阶迭代的圆环分形结构，在下层的介质底部覆铜作为底板，两层介质之间使用空气进行填充。谐振环位于碗状的背腔结构的顶部。该天线的工作频段为5.61GHz～6.72GHz，在该频率范围内的增益为10.9dBi～14.6dBi，且在5.7GHz时增益最高。该天线具有构造简单、成本低廉、宽频带、高增益等优点。
CN115911837A	一种超宽带紧耦合天线及紧耦合天线阵列本发明公开了一种超宽带双极化紧耦合天线及紧耦合天线阵列，超宽带双极化紧耦合天线包括天线辐射体、开口环结构、金属屏蔽罩、金属板结构以及固定底座：所述天线辐射体，包含水平偶极子、功分器以及巴伦三部分；所述开口环结构设置在水平偶极子上；所述金属屏蔽罩设置在所述功分器外部用于遮罩功分器；所述功分器以及巴伦印刷于垂直正交放置的介质板上，功分器与巴伦通过位于介质板上的金属化过孔进行连接；所述固定底座用于固定所述介质板；所述金属板结构呈位于功分器与水平偶极子之间。本发明在水平偶极子下方和威尔金森带状线功分器的上方加载有金属板结构，可以抑制天线的共模谐振，显著地拓展天线的带宽，同时不损耗天线的辐射效率。
CN115911836A	一种W频段有源相控阵天线本发明提供一种W频段有源相控阵天线，包括：天线阵面、TR组件、功分模块、波控模块、可扩展结构支架和散热装置；天线阵面采用波导缝隙阵线阵天线形式，馈线与天线阵面一体化设计，损耗低，效率高；天线阵面与TR组件以及功分模块的射频连接采用波导直联的方式，可显著降低射频连接损耗；TR组件与波控模块之间通过低频连接器甩线互连，灵活方便。本发明结构简单，便于扩展成大规模阵列；结构可靠性高，适用于星载环境，特别适用于星载通信或雷达技术领域。
CN115911826A	远距离无人飞行器的地面移动天线追踪指向导引方法及系统本发明涉及一种远距离无人飞行器的地面移动天线追踪指向导引方法，在建立通信之后，根据目标无人飞行器和地面终端设备搭载的GNSS定位模块，实现二者位置实时获取，通过高灵敏度的陀螺寻北仪实现地面终端设备云台的自身姿态变化的获取，实现移动地面终端设备与无人飞行器的位姿变化快速测量，解决了以往技术关于地面移动天线由于位置移动及自身姿态变化与无人飞行器相对位姿发生变化后所出现的天线指向快速对准自动控制问题。另外，该方法所形成的系统可实现快速响应的高精度指向追踪，系统适应性强，自身位姿变化后，可迅速检测重新自动对准，无需人工手调，可适应各种车载、船载、机载、手持等应用场景。
CN115911825A	一种手自一体便携散射通信天线伺服转台本发明公开了一种手自一体便携散射通信天线伺服转台，属于散射通信技术领域。其包含壳体、支耳、俯仰结构、方位结构，其中俯仰结构包括电机、手轮、主动齿轮、从动齿轮、蜗杆、蜗轮、电机支架、蜗杆支架等结构，通过合理布局结构，保证在有限的空间输出大扭矩且重量轻。电机尾轴贯穿壳体侧壁与手轮连接，电机固定在电机支架上，电机支架安装在壳体上；电机输出轴上连接主动齿轮，主动齿轮与从动齿轮啮合，从动齿轮安装在蜗杆轴上，带动蜗杆转动，蜗杆与蜗轮啮合，蜗轮安装在俯仰轴上。方位驱动装置采用相同形式的布局结。本发明有效利用空间，伺服转台整体结构尺寸小、重量轻、易于收藏携带。
CN115911823A	一种5G低剖面紧凑型基站天线阵列本申请涉及一种5G低剖面紧凑型基站天线阵列。包括：第一介质基板的上表面印刷有第一预设数量的正交分布的T形馈线对，第一介质基板的下表面印刷有第一预设数量的正交分布的折叠偶极子对，同轴馈电结构与折叠偶极子对连接，第二介质基板的上表面间隔印刷有电磁间隙结构，第二介质基板的上表面的正中心印刷至少一个S型贴片，第二介质基板的下表面印刷有金属反射面，第一介质基板的下表面与第二介质基板的上表面之间通过第二预设数量的泡沫支柱支撑，形成间隙，由此，使得天线列阵的剖面大大降低，缩小天线单元的尺寸，进而降低了天线列阵的体积。
CN115911822A	一种天线及基站天馈系统本申请提供了一种天线及基站天馈系统。上述天线包括第一移相器，该第一移相器包括腔体和移相电路。上述移相电路设置于腔体。该腔体连接有安装结构，该安装结构用于与抱杆连接。该方案中，利用第一移相器的腔体作为天线的框架，利用安装结构将第一移相器的腔体安装至抱杆，使得腔体可以支撑整个天线。该方案中，第一移相器的腔体作为天线的受力骨架，利用腔体来承载天线自身的重量，有利于提升天线安装结构的稳定性，使得天线不易出现损坏，提升天线的使用寿命，保证基站的天线性能。
CN115911821A	天线及电子设备本申请提供了一种天线及电子设备，包括耦合元件；第一接收元件，第一接收元件与耦合元件沿着第一方向依次设置；接地枝节，接地枝节的一端与耦合元件和/或第一接收元件相接，接地枝节的另一端接地，耦合元件、第一接收元件和接地枝节中的部分结构形成耦合结构；接地枝节与耦合区域之间的最小距离小于等于距离阈值，以使得经过耦合结构的信号的阻抗、耦合元件的阻抗以及第一接收元件的阻抗相匹配，进而使得经过耦合元件和/或第一接收元件的信号的带宽的范围变广，提高耦合结构的适用范围。
CN115911817A	一种基于数据远程通讯传输的基站设备本发明公开了一种基于数据远程通讯传输的基站设备，包括通信基台和位于通信基台上部的通信传输模组，在通信传输模组与通信基台之间还设有支撑机架；所述支撑机架包括底端与通信基台相连接的立柱和设于立柱顶端的可升降天线杆，所述可升降天线杆包括套筒，底端设于套筒内部、顶端竖直向上并延伸至套筒外部与通信传输模组相连接的连接柱，和位于连接柱与套筒之间、用于驱动连接柱在套筒内进行伸缩运动的伸缩机构；可以实现对通信传输模组的高度进行自由调节，从而避免其在大风天气时因自身高度过高而发生摇摆幅度过大致使其断裂损坏。
CN115911814A	一种便于安装的WiFi采集器本发明提供一种便于安装的WiFi采集器，涉及WiFi采集器设备技术领域。该便于安装的WiFi采集器，包括天线辐射臂，所述天线辐射臂的底端中部一侧设置有cab l e线，所述cab l e线的顶端设置有馈电点，所述cab l e线的中上部设置有馈地点，所述天线辐射臂的底端中部一侧设置有辐射地，所述天线辐射臂的底端两侧靠近边缘处均设置有螺纹孔位，所述螺纹孔位均通过螺丝与机壳的内侧底部相连接，所述螺纹孔位与机壳相匹配。通过用五金弹片天线，并且天线通过螺丝与机壳相连，方便安装的同时使金属机壳作为天线的一个整体从而减少金属环境对天线的影响，再加上密封的塑胶支架罩住天线本体，从而使得天线更好的辐射出去，同时也能使得天线有较好的辐射效果。
CN115911811A	用于可移动多天线系统信号基站的伞状折叠天线支架及其基站本发明提供了一种涉及天线支架领域的用于可移动多天线系统信号基站的伞状折叠天线支架及其基站，包括折叠臂、汇线柱以及弹性撑杆，折叠臂两端分别连接有关节，折叠臂一端通过关节旋转连接于汇线柱上，折叠臂另一端通过关节旋转连接天线，弹性撑杆分别连接折叠臂和汇线柱；关节的旋转带动折叠臂的旋转，折叠臂的旋转带动天线在折叠状态和打开状态进行切换。本发明装拆时的免工具设计，能满足现场人员快速安装布置的需求，在折叠支架展开状态下，天线间距较大互不干扰，可根据实际需求来灵活部署天线数量；支架收拢后，可以弯折放置于拉杆箱式结构的机箱上，快速拖行移动。
CN115911808A	一种相控阵雷达天线阵面半导体除湿装置本发明提供了一种相控阵雷达天线阵面半导体除湿装置，包括除湿构件、散热构件、控制系统，所述散热构件包括液冷冷板，所述除湿构件、控制系统固设在所述液冷冷板上，所述除湿构件被配置为冷凝湿空气，所述除湿构件向所述液冷冷板传递热量，所述控制系统被配置为采集温度、湿度信息，所述控制系统与所述除湿构件电连接。本发明采用液冷散热和半导体制冷的方式解决了天线阵面内部湿度较大的问题；无需任何制冷剂，无污染，无噪声，无压缩机等复杂机械结构，不会对阵面内部造成污染，有效实现了阵面除湿。
CN115911805A	一种定向耦合器及其设计方法和射频电路本申请实施例提供一种定向耦合器及其设计方法和射频电路，该定向耦合器包括平行设置的两条微带线、位于平行微带线之间的两个调节单元、与第二微带线连接的另一调节单元，以及第二微带线与耦合端口之间还设有匹配单元。基于该结构设计的定向耦合器可以实现在较宽的工作带宽范围内具有较好的方向度。
CN115911804A	一种基于E面的径向功率分配器本发明提供一种基于E面的径向功率分配器，包括同轴接收单元、波导转同轴单元、径向分路单元、分路台阶波导单元、波导转微带转换电路；分路矩形分支结构以分路圆柱形波导的轴为轴径向对称排列；相邻两路分路矩形分支结构之间均有部分为第三分路圆柱形波导所覆盖；分路台阶波导单元用于将水平传输的信号转垂直方向传输至波导转微带转换电路；波导转微带转换电路用于将接收到的信号通过波导转微带的方式将信号输出。本发明提供的径向功率分配器整体结构具有较高的对称性，导致电磁场在传输方向上拥有高度对称性，使分配器的损耗较低，其次，分支结构之间的隔离度好，不需要额外加隔离器，可降低制作成本。
CN115911801A	脊波导功分器本发明提供一种脊波导功分器。该脊波导功分器包括：第一级脊波导功分器、第二级脊波导功分器和脊波导‑微带探针转换结构；第一级脊波导功分器包括一个输入端口和两个输出端口，第二级脊波导功分器包括一个输入端口和两个输出端口，脊波导‑微带探针转换结构包括脊波导输入端口和微带探针输出端口；第一级脊波导功分器的输出端口与第二级脊波导功分器的输入端口连接，第二级脊波导功分器的输出端口与脊波导‑微带探针转换结构的脊波导输入端口连接。本发明能够提高脊波导功分器的带宽。
CN115911800A	一种电磁泄漏抑制的波导与微带过渡结构本发明公开一种电磁泄漏抑制的波导与微带过渡结构，属于毫米波器件技术领域，包括上腔体、下腔体和微带结构；上腔体中，输入矩形波导垂直贯穿开口谐振环中心，开口谐振环为跑道椭圆环状，一侧直边槽与输入矩形波导通过横向开口槽连接，外侧与横向开口槽共线的微带上腔邻接；下腔体中，短路矩形波导与输入矩形波导相对设置，微带槽邻接于短路矩形波导外侧，与横向开口槽、微带上腔相对；微带结构位于微带槽内部，包括衬底，以及位于衬底上依次相连的微带探针、匹配结构和50Ω微带线，微带探针深入短路矩形波导内部。本发明将波导缝隙中泄露的电磁能量以谐振的形式束缚，有效降低电磁泄露水平和过渡损耗，具有结构简单、低损耗的优点。
CN115911799A	基于HTCC的交叉线连接模块及HTCC组件本发明公开了一种基于HTCC的交叉线连接模块及HTCC组件，所述模块包括三层以上的HTCC陶瓷板，所述HTCC陶瓷板之间以及外表面形成有金属层，矩形结构的左侧面和右侧面分别形成有一个侧壁金属化半孔，两个所述侧壁金属化半孔的上端通过位于陶瓷板之间的层间微带线连接，所述层间微带线不与陶瓷板之间的金属层接触，所述矩形结构的前侧面和后侧面分别形成有一个侧壁金属化孔，通过所述侧壁金属化半孔以及侧壁金属化孔分别与介质基板上的微带线连接。所述模块可以实现高密度同层交叉走线且能够提高装配容差，降低系统成本，在对于小型化、高集成度、轻量化要求较高的大型微波射频系统中有着巨大的应用价值。
CN115911798A	一种耐热式射频同轴电缆本发明公开了一种耐热式射频同轴电缆，涉及射频同轴电缆领域，包括内导体、绝缘层、屏蔽层与外保护套，所述绝缘层包覆设置在所述内导体外侧端面，所述绝缘层为内皮层、发泡层与外皮层三层组成，所述屏蔽层设置在所述绝缘层外侧端面，所述屏蔽层包括位于内侧的石墨烯内屏蔽层，所述石墨烯内屏蔽层外侧端面包覆连接有陶瓷纤维层，本发明通过二氧化碳的高压发泡发泡层进行绝缘，有效的保证了电缆的绝缘层产生的绝缘性能更高，同时回波损耗性也大大提高，而屏蔽层采用金属外屏蔽层与石墨烯内屏蔽层，大大增强了电缆的屏蔽效果，同时在中间设置有陶瓷纤维层，陶瓷纤维层的中填充设置有阻燃剂进行阻燃隔热。
CN115911797A	一种上下耦合可调带通滤波器本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种上下耦合可调带通滤波器，包括滤波器本体，滤波器本体内设置有滤波器工作部，其中滤波器工作部内设置有至少一个谐振腔，且谐振腔通过耦合带线传递微波信号，每个谐振腔内均设置有YIG薄膜结构，YIG薄膜结构正面设置有正面耦合带线组，YIG薄膜结构背面设置有背面耦合带线组，YIG薄膜结构包括YIG薄膜和基片，通过在基板上设置正面耦合带线组和背面耦合带线组，形成带线上下耦合型结构，进一步提升了滤波器的输入输出端之间的隔离度，增加了滤波器的带外抑制，同时输入端和输出端被隔板进行分开在很大程度上能够保障输入谐振和输出谐振间的隔离度。
CN115911795A	基片集成人工表面等离激元多通带滤波器本发明公开一种基片集成人工表面等离激元多通带滤波器，包括基板及其上方的基片集成波导，基片集成波导包括设于基板两侧的金属层，至少其中一侧金属层设有叉指金属开槽结构阵列，叉指金属开槽结构阵列包括中间的叉指金属开槽结构及其两侧间隔对称排列的若干叉指金属开槽结构，金属层的两侧边缘设有金属化通孔，叉指金属开槽结构设在两排金属化通孔的中间，并且其排列方向与金属化通孔的排列方向平行，叉指金属开槽结构包括主干和枝节，枝节在主干两侧对称间隔排列。本发明设计简单，尺寸小，具有良好的人工表面等离激元电磁波的传输和滤波功能，在通带内传输插损低、阻带内抑制性能强，在微波毫米波及太赫兹电路、器件与系统中具有重要应用前景。
CN115911791A	一种可降低谐振频率的介质滤波器本申请公开了一种可降低谐振频率的介质滤波器，包括由固态介电材料制成的本体以及开设于所述本体内的多个谐振腔，所述本体的外表面涂覆有接地导电层，所述谐振腔于所述本体的电路面上形成有谐振腔导电层，所述电路面与电极面相邻，两侧所述谐振腔导电层相背的一侧分别与所述接地导电层之间形成有交齿状的第一去导电层，其余所述谐振腔导电层靠近所述电极面的一侧分别与所述接地导电层之间形成有交齿状的第二去导电层。本发明在固定了介质滤波器的介电常数ER、宽度尺寸W及电路面银层已接近最大化的设计情况下，实现了频率的进一步降低。
CN115911790A	滤波器本申请涉及射频器件领域，提供一种滤波器，包括滤波器壳体，以及设于滤波器壳体内且分别成列设置的多个谐振杆组件，谐振杆组件包括至少一个谐振杆，至少一谐振杆设有第一耦合件，滤波器壳体于相邻谐振杆组件之间设有供第一耦合件穿设的第一耦合窗口；第一耦合件穿设于第一耦合窗口并朝向相邻谐振杆组件的谐振杆延伸，用于与相邻谐振杆组件的谐振杆容性耦合，以平衡两谐振杆之间产生的感性寄生耦合。相邻谐振杆组件的本应不需要进行耦合但却出现寄生耦合的两个谐振杆之间可通过第一耦合件容性耦合，而有效地调节平衡两个谐振杆之间产生的感性寄生耦合，从而可解决滤波器通道中产生的多余且无用的寄生耦合影响产品指标的问题。
CN115911787A	动力电池包用排液阀本发明公开了一种动力电池包用排液阀，包括阀体和设于阀体上方的阀盖，所述阀体的周向上开设有进液孔，所述阀盖上沿中心间隔设置有多个导流板，所述导流板内侧之间嵌设有吸湿膨胀体，所述导流板的外侧与阀体之间呈间隙设置，并且导流板的外侧具有导流槽，所述进液孔流入的液体通过导流板的间隙流入吸湿膨胀体，吸湿膨胀体膨胀将阀盖顶起，从而使导流槽与阀盖和阀体之间的开口部位连通并形成泄流通道。通过上述方式，本发明动力电池包用排液阀，对排液流道的位置和吸湿膨胀体的膨胀空间进行优化，确保吸湿膨胀体膨胀状态下不会影响排液流道的空间，确保排液功能的正常实现，结构简单，安全可靠。
CN115911783A	一种热电池绝缘保护结构及其制备方法本发明公开了一种热电池绝缘保护结构及其制备方法，属于热电池制造技术领域。该结构包括电池堆和两根导流条，所述电池堆上从内向外依次包裹有第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，两根所述导流条的其中一根位于第一绝缘层和第二绝缘层之间，且该导流条的一端贯穿第一绝缘层后与电池堆电性连接，另一根导流条位于第二绝缘层和第三绝缘层之间，且该导流条的一端贯穿第二绝缘层和第一绝缘层后与电池堆电性连接。采取将正、负极导流条分层包裹的措施，大幅降低正、负极之间发生放电击穿的风险。采用绝缘层对正、负极导流条和电池堆整体进行绝缘防护，使电池堆包裹后整体更圆滑，便于将电池堆装入筒体，特别适用于高电压型热电池。
CN115911781A	一种可防止电弧溅射的熔断式锂电池模组本发明公开了一种可防止电弧溅射的熔断式锂电池模组，包括锂电池组和连接在锂电池组之间的两个熔断式电池连接片，熔断式电池连接片的外部套装有防电弧保护套，防电弧保护套包括内基材和保护套外层，内基材包括高模聚乙烯纤维布和树脂胶黏剂，保护套外层由硅橡胶、三聚氰胺型树脂、纳米氮化硼、纳米氮化硅、阻燃增塑剂、抗氧剂、增韧剂、硅烷偶联剂、紫外线吸收剂、催化剂、固化剂、绝缘剂等原料组成。该防电弧保护套能够覆盖在熔断式电池连接片的熔断位置，防止电弧溅射出来，提高了锂电池模组的安全性能，并且该防电弧保护套还具有高抗击穿性、高耐电弧性、高机械强度和高阻燃性，耐高温，绝缘性能好，使用寿命长。
CN115911778A	一种紧凑型锂离子电池结构本发明公开了一种紧凑型锂离子电池结构，属于动力电池技术领域，包括电芯，所述电芯的上端设置有上盖，上盖的上端设置有便捷固定组件，电芯的表面设置有缓冲保护组件；本发明通过设置便捷固定组件，实现了对外接电器的正极端子和外接电器的负极端子的便捷压紧固定，从而提高了该紧凑型锂离子电池结构与外接电器之间的便捷连接，从而提高了连接外接电器的效率，且该结构拆卸方便，从而方便解除与外接电器之间的连接，实现提高了与外接电器端子之间连接的便利性，在连接时，只需要将外接电器的端子穿过固定杆，然后将固定杆按压在固定座内部即可，实现了对该紧凑型锂离子电池结构电芯的缓冲保护。
CN115911774A	电池单体及用电设备本发明公开了一种电池单体及用电设备。电池单体包括：卷绕式电极组件，卷绕式电极组件由层叠设置的极片和隔膜卷绕形成，极片包括主体部，主体部包括相对的两个第一边和连接在两个第一边之间的第二边，各个第二边包括第一子段，极片包括设在第一子段上的多个第一极耳，第一极耳包括沿卷绕式电极组件的轴向延伸设置的第一部分；集流件，集流件位于卷绕式电极组件的轴向一端，集流件具有外周面且连接在第一极耳的第一部分上，或者集流件具有内周面且连接在第一极耳的第一部分上。根据本发明的电池单体，第一极耳沿卷绕式电极组件的轴向延伸，不易产生金属碎屑，且时不易伤到隔膜，提高了安全性。
CN115911771A	一种极耳保护胶纸结构、电芯、锂离子电池及电子设备本发明公开了一种极耳保护胶纸结构、电芯、锂离子电池及电子设备，属于锂离子电池的技术领域，其中极耳保护胶纸结构的主要技术方案是，包括：极片；极耳，所述极耳连接在所述极片上；胶纸，所述胶纸包括裁切直边、裁切尖角和裁切部，所述胶纸完全覆盖在所述极耳与所述极片相重叠的部位，两个所述裁切部均完全贴覆于所述极片的所述活性涂层上，所述裁切尖角位于所述极片边缘的外侧。本发明的极耳保护胶纸结构，其所覆盖的极片活性涂层的区域更小，保证了活性涂层的有效性，从而能够有效地提升电芯的能量密度，有效地减轻极耳位析锂的现象，另外还能够减轻电芯在循环过程中，极耳位因胶纸的尖端效应所出现的析锂现象。
CN115911770A	极耳以及非水电解质设备本发明涉及极耳以及非水电解质设备，本发明提高引线构件的耐久性从而实现极耳的长寿命化以及高可靠性。一种极耳，该极耳用于在叠层材料内部至少封入有电解液或者固体电解质、以及电极而成的叠层型的非水电解质设备，所述极耳具备：引线构件，其由金属材料形成并具备两端部，所述两端部由与电极连接的电极连接部、以及与外部器械连接的端子连接部构成；镀镍，其覆盖引线构件的表面；覆膜，其覆盖镀镍的表面；以及一对密封部，它们从两侧紧贴于覆膜，通过原子力显微镜而测定出的镀镍的表面的算术平均粗糙度为5.0nm以上，通过X线衍射法而测定出的镀镍的半峰宽为0.5度以下。
CN115911767A	一种动力电池堆及具其的机动车本申请提供了一种动力电池堆及具其的机动车，传统的电池包由硬包电芯组成，本申请的电池堆由大量软包电池并联再串联成组成，封装所用的并联组件、夹持部件由挤出铝型材加工而成，用螺丝紧固安装和顶出拆开，与并联收口部件一起构成封闭的冷却通道，冷却介质可为气体或液体；通过上下盖板实现密封防水，电池堆通过一种隔热结构与车架连接，并通过两种护板加强夏季散热和冬季保温。本申请提高了电池堆的可靠性和寿命，软包电芯供应商更广泛，装配也更容易实现标准化、自动化，进一步降低了成本。
CN115911762A	汇流条一种汇流条，包括部件，其由导电材料制成并且接连地布置以形成限定了布线路径的板状。彼此相邻的部件具有连接表面，在该连接表面处，彼此相邻的部件通过激光接合而彼此连接。彼此相邻的部件包括在彼此相邻的部件之间的至少一个公差缓冲部。在至少一个公差缓冲部中，彼此相邻的部件的连接表面具有不同的宽度。
CN115911757A	二次电池和用电装置本申请公开了一种二次电池和用电装置，二次电池包括正极极片、负极极片、隔离膜和铁电层，隔离膜设置在正极极片和负极极片之间，铁电层设置于所述正极极片朝向所述隔离膜的一侧、隔离膜朝向正极极片的一侧、负极极片朝向隔离膜的一侧和隔离膜朝向负极极片的一侧中的至少一者，铁电层包括弛豫铁电材料。所述用电装置采用所述二次电池。本申请二次电池引入弛豫铁电材料，使得二次电池具有更快速的锂离子传输能力，提升电芯的动力学性能，能够实现二次电池快速充电，提高二次电池的快速充电性能。
CN115911753A	以聚苯硫醚为基底的复合型锂硫电池隔膜材料的制备方法本发明公开了一种以聚苯硫醚为基底的复合型锂硫电池隔膜材料的制备方法，首先将PPS无纺布进行亲水改性，再进行热压，再将吡咯单体在亲水PPS无纺布纤维膜的纤维表面进行原位聚合反应生成聚吡咯，最后在PPS/PPY无纺布纤维膜的纤维表面生长ZIF纳米片，得到复合型锂硫电池隔膜材料。本发明制备的隔膜材料具有耐酸碱、耐高温以及对锂硫电池电解液具有良好润湿性，且具有大量致密的孔隙，无纺布纤维表面的聚吡咯和ZIF还具有大量的活性位点，为物理阻挡和化学吸附多硫化物发挥了重要作用，有利于抑制多硫化物的穿梭效应，可以作为锂硫电池隔膜。
CN115911751A	一种基于乙二胺四乙酸的多相复合态电解质隔膜及制备方法本发明公开了一种基于乙二胺四乙酸的多相复合态电解质隔膜的制备方法，所述制备方法包括以下过程：磷酸钛铝锂制作过程、磷酸钛铝锂颗粒纳米化过程、浆料制作过程和涂覆萃取烘干过程。上述制备过程中，磷酸钛铝锂固态电解质的引入显著改善了凝胶态涂层的离子电导率；乙二胺四乙酸配位键上的氧与芳纶中的氢之间产生氢键结合到一起，使芳纶不仅产生可吸附金属作用，还使得芳纶的本身结构发生直链性，使芳纶的本身产生更高的耐温性能；芳纶材料的引入增强了隔膜的粘接强度、耐热缩性、破膜温度和阻燃性，乙二胺四乙酸混入浆料体系当中，可以有效的阻截金属在正极氧化再到负极还原的过程，避免形成金属坚硬的棱角刺穿隔膜，从而避免造成电池自放电。
CN115911750A	一种可原位调控极化强度的电池隔膜及其制备方法和应用本发明公开了一种可原位调控极化强度的电池隔膜及其制备方法和应用，该方法是将含聚偏氟乙烯基共聚物粉末的溶液涂覆于基膜表面，得到表面含聚合物涂层的隔膜；再将易挥发极性溶剂喷涂于所述聚合物涂层表面，待所述极性溶剂挥发，即得。该电池隔膜包含基膜和PVDF基铁电聚合物涂层，其中β相在全部PVDF结晶相中所占的比例达到80％以上，且PVDF为镂空网络结构，涂层孔隙率为20％～80％，厚度为1～10μm，其具有优异的铁电与压电性质，将作为锂电池隔膜时，可显著提高电池整体的倍率容量与循环稳定性。该制备方法简单，成本低廉，节能环保，适合工业化生产。
CN115911742A	一种电池箱体防爆阀及其控制方法、电池总成及电动车辆本发明涉及一种电池箱体防爆阀及其控制方法、电池总成及电动车辆，电磁防爆阀，主要由排泄管、压力采集管、气体吸收管、过板结构、气体截止结构和电磁调节器组成；电磁防爆阀与BMS相连，能接收电池BMS的信号指令对电磁调节器对电磁调节器进行控制；电磁防爆阀由电池总成低压线束供电；气体截止结构为压力阈值开启防护结构；压力采集管与BMS相连，能采集电池包内部的压力并且将信号反馈给BMS，压力采集管采集压力信号的时间间隔0.5s，每次采集动作时间≤50ms；过板结构固定在下箱体的下箱体侧板上，过板结构实现过板密封。本发明电池箱体防爆阀结构简单，控制高效，能有效解决电池包内部热失控气体排泄不及时的行业难题。
CN115911740A	金属壳体电池具有外接组合件的金属壳体电池和电子设备本发明公开一种金属壳体电池具有外接组合件的金属壳体电池和电子设备，由于复合上壳的复合中层是胶层结构，如果用电设备的电极线直接焊接于复合上壳，焊接过程的高温会破坏复合中层，导致无法有效绝缘或粘接，因此，通过设置外接组合件，可减少金属壳体电池应用时的损坏，以减少报废率；此外，第二导电弹性件还能对复合外层施加向内的复合上壳压力F2，由于该复合上壳压力F2大于第一导电弹性件对内层导电部施加的导电压力F1，因此，复合上壳压力F2会使复合外层夹固复合中层，避免金属壳体电池内部产生的气体将复合中层与复合外层或复合内层的粘接处冲开，从而可有效提高金属壳体电池的结构稳定性，进一步延长金属壳体电池的使用寿命。
CN115911738A	一种锂离子电池模组本发明涉及电池模组技术领域，具体为一种锂离子电池模组。模组壳体组件包括有外壳体、散热通孔、锂电池本体、侧开穿槽、第一导电板、内腔槽、调距滑板、移动滑槽、限制插块与第二导电板，在端盖本体合上时，第二撑开杆可对内推板向两侧撑开，使得内推板对电池本体的位置进行限制，并且在内推板移动的过程中，第一撑开杆可对扩增板向两侧撑开，扩增板对电池进行贴合，并对电池的位置进行锁定，这样在端盖本体进行快速连接的同时，电池在外壳体的内部得到位置快速锁定，使得电池在外壳体的内部不会存在晃动的情况，也避免电池之间相互磕碰，有效保证电池的使用安全性，并且当电池的位置被锁定之后，电池可借助导热板以及散热通孔进行快速散热。
CN115911737A	一种汽车电池组件集成保护框架本发明公开了一种汽车电池组件集成保护框架，该框架内设有多个储存腔，每个储存腔内均设有至少一组用于固定电池块的套板结构，套板结构包括第一套板和第二套板，以及至少在每组套板结构底部设有第一缓冲架，通过套板结构的第一套板和第二套板对电池块的两端部进行套接，即能将电池块固定在储存腔内，又能通过套板结构对电池块边部进行保护，同时，通过第一套板的活动连接结构和第二套板的滑动连接结构设置，能将第一套板的开口朝向储存腔开口方向，以便于将电池块插入第一套板中，进行初步固定，再随第一套板旋转至与第二套板对应，随第二套板滑动，对电池块另一端进行套接固定，操作简单方便，提高安装电池块的效率。
CN115911736A	电池固定装置及车辆本申请公开了一种电池固定装置及车辆，属于电动汽车领域。电池固定装置包括用于安装电池包的底座、支撑底座的支撑架、设置在底座上的卡接件以及设置在支撑架上的卡接机构和驱动机构，驱动机构和卡接机构活动连接，驱动机构用于在底座安装在支撑架上时驱动卡接机构朝向卡接件运动以使卡接机构与卡接件配合，从而阻挡底座脱离支撑架。
CN115911735A	电池模组、电池包及车辆本申请涉及一种电池模组、电池包及车辆。该电池模组包括电芯堆和端板，其中，电芯堆包括阵列排布的多个电芯；端板分别设置于电芯堆的两端；其中：端板靠近电芯堆的一侧开设有膨胀腔，膨胀腔用于为电芯提供膨胀空间。本申请提供的方案，无需再设置模组侧板，提高电芯的体积能量密度，提高电动汽车的续航里程；并将电池模组两端的端板开设膨胀腔，降低整体重量的同时，为电芯的膨胀提供膨胀空间，提高电芯的循环寿命。
CN115911732A	一种电动工具及放电系统本发明公开了一种电动工具及放电系统，电池包包括：第一正极端子、第一负极端子、第一控制器及第一状态检测端子；电动工具包括第二正极端子、第二负极端子、第二控制器、用于给第二控制器进行供电的电源模块及连接于电源模块的上电模块，上电模块在电池包与电动工具插接时连接于第一状态检测端子，第一状态检测端子根据电池包的状态控制上电模块的通断，以控制电动工具是否上电。本发明通过电池包的状态检测端子直接与电动工具的上电模块相连，可在电池包异常的时候控制上电模块不得电，即工具不得电，能够及时进行异常保护且电池包异常后不会产生损耗。
CN115911730A	一种储能电池管理系统的分列装置本发明公开了一种储能电池管理系统的分列装置，本发明涉及电池管理技术领域，现提出如下方案，包括：放置于地面上的电池摆放支架结构、数个放置于电池摆放支架结构内腔中的电池摆放装置，以及固定在电池摆放支架结构的右侧用以将电池摆放装置放入到电池摆放支架结构内部中的电池自动摆放装置。本发明中通过在对电池进行分列摆放时，将盛有电池的电池盛放箱与电池自动摆放装置配合，让第二电磁铁通电赋予吸附性，随后使得电池自动摆放装置上的第二电磁铁与第一电磁铁吸附，并驱动电控滑轨上的滑块向上移动，直到通过PLC终端控制滑块移动到制定的高度，利用连接杆上的电动伸缩杆将电池盛放箱向左推动，从而避免了人工手动搬运电池的环节。
CN115911723A	电池箱体及电池包本发明涉及电池技术领域，提出了一种电池箱体及电池包。电池箱体包括：下箱体；盖板，盖板连接于下箱体，盖板的一端弯折形成折边，折边与下箱体之间形成用于容纳低压线束的容纳槽，以用于供低压线束穿过，以此通过折边实现对低压线束的限位保护，不仅可以为低压线束提供支撑结构，可以形成对低压线束的保护，且可以方便低压线束的走线，即保证低压线束可以按照相对固定的位置进行走线，提高电池箱体的走线效率，以此改善电池箱体的使用性能。
CN115911722A	一种可以快速拆卸模组的换电电池箱体本发明提供的一种可以快速拆卸模组的换电电池箱体，包括箱体上盖、下箱体、模组支撑板和箱体连接板，箱体上盖用于盖合设置在下箱体上；下箱体包括下箱体底板以及围拢设置在下箱体底板边侧的边梁以在下箱体内部形成空腔；空腔内设置有横梁以在空腔内隔出用于安装电池模组的电池模组安装区域；模组支撑板可拆卸设置在模组安置区域中；电池模组安装在模组支撑板的上表面且与下箱体可拆卸连接；其中，当两个或两个以上换电电池箱体配合使用时，两个或两个以上换电电池箱体通过箱体连接板可拆卸连接。本发明中，电池模组的拆卸过程中，能够避免损坏电芯及其他零件；在电池模组返修时，可以保证其原有结构完好，实现快速拆卸。
CN115911719A	锂电池的组装框架、电池模组及其组装方法本发明涉及锂离子电池技术领域，具体涉及一种锂电池的组装框架、电池模组及其组装方法。本发明所述的锂电池的组装框架包括顶部的盖板，以及卡接在盖板下面的若干隔片，盖板的卡口位置与隔片的卡扣位置相配合；本发明所述的锂电池的电池模组，包括采集线束、单体电池、汇流排、端子底座、端板和侧板。成本低廉、通用性强、易于生产：大部分零部件采用不开模方式进行制作，节省开模费用；电池之间的隔片既能起到绝缘作用，还可以固定线束和盖板，同时省去了常用的顶部约束电池的复杂塑料件，节省开模费用；在使用相同规格的单体电池进行不同型号的模组生产时，零部件通用性强；具有开发周期短、设计成本低、制造成本低、易于生产等优点。
CN115911718A	一种具有防水功能的电动汽车电池箱本发明公开了一种具有防水功能的电动汽车电池箱，使用时，将电池放置在电池箱的内部，盖上顶盖后顶盖内部下端的缓冲弹簧柱与电池相互抵接，在启动升降电机带动螺纹杆转动，进一步的带动安装块和伸缩杆向下端下降，安装块靠近电池箱的一端将顶盖下压，放置使用过程中顶盖向上翘起，且安装块下降过后安装块上侧的固定柱与固定槽进行螺纹连接，能够进一步的提高装置本体的稳定性，且能够便于更换电池和电池箱，在将装置本体安装完毕后，启动驱动电机带动散热叶片转动，箱进风口和电池箱的内部送风，这样就能够使电池箱中电池产生的热量随空气通过出风口排出，且整个电动汽车用便于快速更换的电池箱的使用过程。
CN115911711A	一种锂离子电池本发明涉及锂电池技术领域，且公开了一种锂离子电池。该锂离子电池包括电芯与安装于电芯上的防爆结构，该防爆结构包括外壳体和外壳体内的防护结构，防护结构排列于外壳体的内部，防护结构包括防护壳体、直角加强边、弹性结构、缓冲结构和断路结构，防护壳体的两个对角设有直角加强边，防护壳体的内部还安装有断路结构，防护壳体的内壁安装有四排缓冲结构，每排缓冲结构的下端安装有弹性结构，弹性结构还包括支撑环带、支撑板和弧形弹片，支撑环带用于套设在断路结构的外表面。本发明能够有效的捕捉装置内部所产生的冲击作用力，从而使装置具备了防爆功能。
CN115911709A	电动汽车动力电池防撞保护装置本发明公开了电动汽车动力电池防撞保护装置，包括电池组，所述电池组的表面活动连接有防护机构，所述电池组的顶部设置有压板,所述压板的顶部设置有压紧机构，所述压板的两侧均设置有卡杆。本发明通过设置防护机构，可以对电池组进行保护，防止电池组受到异物的左右撞击，通过设置压紧机构，可以对电池组进行压紧，防止电池组在翻车时出现意外情况，从而达到了可以对电池进行保护的效果，解决了电动汽车动力电池无法对电池进行保护的问题，该电动汽车动力电池防撞保护装置，具备可以对电池进行保护的优点，动力电池在受到异物撞击或翻车时不会引发的爆炸和火灾，从而可以保证使用者的人身安全。
CN115911708A	一种防燃便携式电源本发明提供了一种防燃便携式电源，包括电池组以及电气组件，还包括金属壳体以及气溶胶灭火装置，所述金属壳体内形成有适于安装电池组和电气组件的容纳腔，所述电池组电连接于所述电气组件且与所述金属壳体接触连接；所述容纳腔内设置有气溶胶灭火装置，所述气溶胶灭火装置配置为能在所述容纳腔内的温度达到指定值时，在所述容纳腔内释放气溶胶。通过本发明使得便携式电源的安全性更高。
CN115911705A	电池组根据本发明的实施例的电池组可以包括：电池组壳体；以及至少一个电池单元堆叠体，容纳在所述电池组壳体的容纳空间中，所述电池组壳体可以包括：下板，多个所述电池单元堆叠体安置在所述下板；以及隔板部件，分隔所述容纳空间，并且所述隔板部件的至少一部分可以由与所述下板不同的材料形成。
CN115911703A	电池组及用电设备本申请公开一种电池组和具有该电池组的用电设备，电池组包括壳体组件、电芯组件、第一电路板、第一连接件、线束组件和第一粘接剂。电芯组件容纳于壳体组件。电芯组件包括多个电芯，每个电芯包括电芯壳体、设于电芯壳体内的电极组件和连接电极组件并伸出电芯壳体的电极端子。第一电路板连接电极端子。第一电路板和电芯组件沿第一方向排列设置。第一连接件设于第一电路板背离电芯壳体的一侧。第一连接件和第一电路板形成容纳空间。线束组件包括连接部和多根导线。连接部连接第一电路板。每根导线包括设于容纳空间内的第一段和延伸出容纳空间的第二段。沿第一方向观察，连接部位于容纳空间内。第一粘接剂填充于容纳空间，降低电池组短路的风险。
CN115911699A	电池模组以及用电设备本申请公开一种电池模组以及用电设备，电池模组包括第一壳体、第二壳体、第一粘接件以及电芯单元。第一壳体包括第一凹部，第二壳体与第一壳体围设有容纳空间，电芯单元安装于容纳空间，第二壳体包括第一凸部，第一凸部沿第一方向延伸并插入第一凹部，并通过第一粘接件和第一凹部粘接。第一凸部包括第一面、第二面以及第三面，第一面面向电芯单元，第二面与第一面沿第二方向排列，第二方向与第一方向垂直，第二面的朝向与第一面相反，第三面与第一面和第二面均相接，第三面的至少一部分相对第二方向倾斜。本申请使第一凹部内留出第一空间，并通过第三面将第一粘接件压持在第一空间，能够提高第一凹部内的存胶量，减少初始灌胶量。
CN115911697A	电池包以及车辆本申请涉及一种电池包以及车辆。电池包包括底盘结构和多个电池模组，底盘结构包括框架主体、盖板组件和接头组件，框架主体具有沿第一方向开口的收容腔，盖板组件盖设于收容腔的开口，接头组件设置于框架主体，且接头组件用于与车辆的车身连接；多个电池模组设置于收容腔内，且与框架主体连接。本申请的电池包包括底盘结构，底盘结构同时能够作为车辆底盘的一部分，从而能够将电池包和车身有效地集成在一起，提高了车辆的集成度和空间利用率，并且，由于车辆的集成度更高，在有限的空间内电池包的电芯数量可以设置更多，从而能够提升电池包的能量密度。
CN115911691A	顶盖组件、电池单体及动力电池包本申请提供了一种顶盖组件、电池单体及动力电池包，涉及动力电池技术领域。顶盖组件包括：正极集流盘，其具有水平段及延伸段，延伸段设置于水平段的上方，延伸段被配置为沿上下方向分布，且延伸段的外缘沿其中心内凹设置，以形成凹槽；正极极柱，其配置于正极集流盘的外缘，且正极极柱沿上下方向凹陷设置，以形成凸出部，凸出部被配置于凹槽内。正极集流盘设置有水平段及延伸段，延伸段上设置有凹槽，正极极柱套设于延伸段，且正极极柱的凸出部设置在凹槽内，其不仅能够实现正极集流盘与正极极柱两者之间的卡位，同时也方便后续正极集流盘与正极极柱的焊接，提高了正极极柱与正极集流盘的稳固性，确保过流能力。
CN115911689A	电池及制造方法本发明涉及电池技术领域，尤其涉及一种电池，包括电芯、正极盖板、负极盖板组件和壳体。电芯具有多个正极极耳，多个正极极耳周向间隔设置。正极盖板朝向电芯的一面周向设置有焊接凸出，多个正极极耳均焊接于焊接凸出。电芯设置在壳体内，正极盖板和负极盖板组件分别设置在壳体的两端开口处。本发明还提供了一种制造方法，应用于上述的电池，制造方法包括：焊接正极盖板与正极极耳；把焊接有正极盖板的电芯放在壳体内，对正极盖板与壳体进行组装；将展开的负极集流盘的盘本体与负极极耳进行焊接，折叠负极集流盘并置于负极下绝缘板内，对负极盖板组件与壳体进行组装并焊接，对正极盖板与壳体进行焊接；注液，化成，密封注液孔。
CN115911678A	一种可实现定向散热的动力电池用耐高温隔热片本发明涉及新能源领域，特别涉及一种可实现定向散热的动力电池用耐高温隔热片。本发明的可实现定向散热的动力电池用耐高温隔热片包括隔热片主体、封装膜和导热片，所述封装膜包裹在所述隔热片主体外部，所述导热片设置于所述隔热片主体的两面。优点：成本相对低廉，结构设计合理，既能够起到隔热防护作用，在电芯出现非正常升温和/或热失控以后又能够有组织地将热量导出和散发，从而降低、延缓、甚至阻止热失控的蔓延，安全性能大幅提升。
CN115911676A	基于软包堆叠式的大单体电池和散热方法本发明涉及一种基于软包堆叠式的大单体电池和散热方法，包括外壳、相变导热组件和软包电池，软包电池呈堆叠状设置于外壳的内部，软包电池的第一极耳均设置在软包电池的上方，相变导热组件嵌入于软包电池之间，相变导热组件的一侧为吸收热量的蒸发端，相变导热组件的另一侧为释放热量的冷凝端，蒸发端相贴于软包电池的上端，冷凝端相贴于软包电池的下端。该发明能够提高软包堆叠式的大单体电池的散热效率，平均热量分布，在电池散热领域具有广阔的发展前景。
CN115911675A	蓄电池在线更换装置本发明公开了一种蓄电池在线更换装置，包括组合箱体和制冷箱，所述组合箱体上转动安装有多个门板，所述制冷箱内固定安装有制冷机，所述组合箱体内安装有隔离板，隔离板的左右两侧均匀安装有多个分隔板，所述隔离板内固定安装有导流主管，所述分隔板内固定安装有导流支管，所述导流主管的两个端口分别与所述制冷机的输出端和输入端连通，所述导流支管与所述导流主管固定连通，所述分隔板上滑动安装有放置滑板，所述组合箱体内部顶端固定安装有在线更换模块，能减少灰尘与蓄电池的接触，让蓄电池一直处于低温状态下进行运作，提高蓄电池的使用寿命。
CN115911670A	便携式电源设备本申请提供一种便携式电源设备，便携式电源设备包括电池组件、加热组件和连接组件；其中，电池组件连接该连接组件，连接组件用于连接外部设备；加热组件还与连接组件连接，以通过连接组件接入外部设备的供电，加热组件用于利用外部设备的供电，加热电池组件。该便携式电源设备能够通过连接组件连接外部设备，并利用外部设备的供电，对便携式电源设备中的电池组件加热，从而使得便携式电源设备中的电池组件能够在低温环境下，由较低的温度上升至目标工作温度，并且在加热过程中，无需耗费电池组件自身的电量，从而保证了便携式电源设备的供电性能，提高用户的使用体验感。
CN115911669A	储能系统本申请提供了一种储能系统。该储能系统包括至少一个电池单元、至少一个功率变换单元和至少一个控温单元，电池单元包括电池模组和第一散热组件，功率变换单元包括功率变换模块和第二散热组件，控温单元包括导热管道，导热管道与第一散热组件以及第二散热组件连通；导热管道设有控制阀，控制阀控制第一散热组件与第二散热组件连通，使功率变换模块产生的热量自第一散热组件经导热管道中的导热介质传递至第一散热组件，以对电池模组加热；控制阀控制第一散热组件与第二散热组件断开，使第一散热组件用于对电池单元进行散热。该连接结构有利于降低储能系统的成本。
CN115911668A	一种液冷系统及电池包本发明提供一种液冷系统及电池包，液冷系统包括：多个组合式液冷模组、进液管路总成和出液管路总成，其中，多个组合式液冷模组在第一方向上依次排列，每个组合式液冷模组包括在第二方向上层叠设置的多个液冷单体，且第二方向垂直于第一方向；进液管路总成包括在第一方向上依次排列的多个进液管主路，且多个进液管主路相互串联，每个组合式液冷模组中的多个液冷单体分别与对应的进液管主路相连通；出液管路总成包括在第一方向上依次排列且相互串联的多个出液管主路，每个组合式液冷模组中的多个液冷单体分别与对应的出液管主路相连通。本发明提供的液冷系统具有系统压降小，流量调节变量少和流量调节一致性高的优点。
CN115911665A	一种动力电池的汇流排冷却装置及电动车辆本申请实施例提供一种动力电池的汇流排冷却装置及电动车辆，涉及动力电池技术领域。该动力电池的汇流排冷却装置包括汇流排组件、汇流排冷却支架和电池包壳体型材；所述汇流排组件包括多个汇流排机构，所述多个汇流排机构依次平行叠放设置，且相邻的两个汇流排机构之间设置一个相变材料层；所述汇流排冷却支架设置有多个安装孔位，每个所述汇流排机构安装于对应的安装孔位上；所述电池包壳体型材与所述汇流排冷却支架固定安装。该动力电池的汇流排冷却装置可以实现提高动力电池的冷却效率的技术效果。
CN115911663A	一种液冷装置、电池模组单元及电池模组结构本发明公开一种液冷装置、电池模组单元及电池模组结构，属于电池技术领域。液冷板包括背板、底板、第一侧板和第二侧板，背板和底板形成L结构；第一侧板和第二侧板分别与L结构两端垂直连接，液冷装置的内壁上设置有多条独立的液冷流道。电池模组单元包括液冷装置，液冷装置呈半封闭结构，液冷装置上安装有电芯，背板与电芯之间设置有防火双面胶；电芯另一侧面设置有防火棉板。电池模组由多个电池模组单元排列组成，相邻电池模组单元的对应液冷流道相互串联；电池模组的尾部设置有端板，端板连接在尾部的电池模组单元上。这种电池模组每个电芯的前后左右面和底面都可以散热，增大了散热面积，同时模块化的液冷板通用性强。
CN115911655A	一种液冷系统及电池模组本发明涉及电池技术领域，尤其涉及一种液冷系统及电池模组。本发明提供的液冷系统用于对电池包进行液冷散热，电池包包括多排间隔排布的电芯组，每排电芯组均包括多个依次排布的电芯。液冷系统包括液冷板件，液冷板件沿电芯组的长度方向延伸，液冷板件能够与对应侧电芯组中的每个电芯侧面相抵接，液冷板件还能够与对应侧电芯组中的每个电芯上端面和/或下端面相抵接，使得液冷板件不仅与电芯的侧面相接触，还可以与电芯的上端面和下端面相接触，大大增加了液冷板件与电芯接触的换热面积，提高了对电芯的散热效果，有效控制了电芯各个部位的温差。电池模组通过应用上述液冷系统，提高了对电芯的散热效果，保证了电芯的寿命和电池模组的安全性能。
CN115911654A	锂离子电池储能循环水喷淋系统本发明公开了锂离子电池储能循环水喷淋系统，包括水幕板组件、喷淋组件、集水槽组件和储水机构。本发明通过水幕板组件将锂电池储能系统分隔成多个相互独立的区域，同时通过喷淋组件、集水槽组件和储水机构的配合来实现冷却水在锂电池储能系统中的循环；当锂电池储能系统中某个电池安装区内的锂电池发生热失控时，能够第一时间通过喷淋系统将冷却水输送到对应的水幕板中进行降温，带走热失控散发的热量以防止锂电池储能系统内部热量积聚，同时能够阻止热失控蔓延到其他正常运行的锂电池处，不会引起连锁反应；本发明通过对冷却水的循环利用有效降低了冷却水的消耗，能够避免因冷却水与高压导电部位接触，有效提高了锂离子电池储能系统的安全性。
CN115911653A	柔性换热装置本申请提供一种柔性换热装置，其中，所述柔性换热装置包括支撑座、接触膜及凸起结构；所述支撑座设置有多个凸起结构，通过凸起结构将支撑座与接触膜柔性连接，凸起结构通过倾斜设置其内部连接结构，当接触膜产生接触形变时通过改变凸起结构的内部连接形态，使所述支撑座与所述接触膜柔性贴合接触，增大柔性换热装置与需热交换装置的接触面积，该面积还会随着内部冷却流体的压力增加而进一步增加。通过在支撑座与接触膜之间设置多个凸起结构，接触膜与凸起结构的连接相当于接触膜的锚点，可以提高接触膜的耐压水平，同时接触膜可提供足够的柔性变形空间来弥补换热装置和电芯换热面之间的间隙，以吸收该换热装置与热交换装置的机械制造公差实现良好的贴合、充分接触，保证换热效率从而达到良好的换热效果。
CN115911652A	一种刀片铝壳电池模组本发明公开了一种刀片铝壳电池模组，包括U型壳体，通过绝缘导热片将刀片电池组充放电时产生的热量导送到冷凝弯管上，通过冷凝弯管内冷却液将热量吸收交换，对刀片电池组的底部进行散热，刀片电池组的顶部通过壳体顶盖上导热板和散热翅片配合，对刀片电池组顶部散发的热量进行导热散热，使刀片电池组温度散热分布均匀，具有较好散热效果，能一定程度上避免刀片电池组充放电时热量堆积，导致功率输出减少的情况发生；通过防护组件中防护板和端部挡板配合对刀片电池组电极接口处接线使用时进行防护，减少刀片电池组电极接口处因外力碰撞导致接线受损的风险，同时防护板上通线槽对刀片电池组电极接口处接线进行导向整理。
CN115911651A	割草机本申请公开了一种割草机。所述割草机包括外壳和电池模组。所述外壳设置有电池槽，所述电池槽包括与外界大气相连通的出风口。所述电池模组安装于所述电池槽内。所述电池槽的槽壁开设有导流孔，所述导流孔用于将气流导入所述电池槽内并经过所述电池模组后从所述出风口排出。本申请公开的割草机，基于在所述电池槽的槽壁开设有导流孔，从而加速了电池模组与外部气流的交换，防止电池模组在割草工作时因热量堆积造成电池模组烧毁的情况发生，进而提高了电池模组的散热效率及使用安全性，延长割草机的使用寿命。
CN115911648A	一种新能源汽车车内供电装置本发明涉及新能源汽车技术领域，且公开了一种新能源汽车车内供电装置，包括由多个电池组成的电池组，所述电池组的外侧就有安装架，所述安装架安装于电池组的外侧，安装于电池表面的温度监测传感器，以及安装在汽车车架内部的固定架，所述安装架设置于所述固定架内部，所述安装架与固定架之间具有调节部，所述调节部用于连接所述安装架与固定架，调节部包括：调节杆，固定于安装架内部，用于接触该电池组。通过本发明所提供的一种新能源汽车车内供电装置，能够用于对新能源汽车进行供电，且相对于普通的供电装置，本发明所提供的供电装置具备能够在不同的使用功率下对不同的散热方式进行切换，保证电池安全的工作状态等优点。
CN115911647A	一种电池模组、储能机柜及储能系统本申请公开了一种电池模组、储能机柜及储能系统，以降低热失控扩散的风险，提高电池模组的使用安全性。电池模组包括机箱、设置于机箱内的多个电池单体以及第一排气管道，其中，机箱设置有第一排气口；电池单体包括电池盖板和防爆阀，电池盖板设置有通孔，防爆阀用于封堵该通孔；第一排气管道通过第一排气口与机箱的外部连通，且第一排气管道设置有与各个电池单体的通孔连通的进气口，每个进气口处覆盖有耐热膜，耐热膜的开启压力小于防爆阀的开启压力。
CN115911644A	一种环保型生物质启停电池本发明涉及启停电池技术领域，且公开了一种环保型生物质启停电池，包括防护箱体，所述防护箱体包括箱体外壳，所述箱体外壳的正面两侧均设有均匀散热机构，所述均匀散热机构包括电机安装座，所述电机安装座的顶部设有驱动电机，所述驱动电机的一端设有螺纹转轴，所述驱动电机的输出端与螺纹转轴传动连接，所述螺纹转轴远离驱动电机的一端螺纹连接有移动块，所述移动块的正面开设有螺纹孔，所述移动块通过螺纹转轴与螺纹孔固定连接，本发明通过设有均匀散热机构，通过启动驱动电机，驱动电机带动螺纹转轴转动，螺纹转轴带动螺纹孔前后移动，螺纹孔带动散热风机前后移动，有利于前后循环散热，加快电池内部散热，提高了电池的使用寿命。
CN115911643A	一种储能柜热管理系统及其控制方法、控制装置本发明提供了一种储能柜热管理系统及其控制方法、控制装置。其中，储能柜热管理系统具有制冷模式和制热模式，制冷模式包括压缩制冷模式、气泵制冷模式和热管制冷模式，控制方法包括：在储能柜热管理系统启动后，获取储能柜内冷却板温度及对应的室外环境温度；根据冷却板温度及对应的室外环境温度进行模式判断。本发明提供的控制方法，能够完成该储能柜热管理系统对模式判断、模式切换、自动运行等需求的控制，从而能够提高储能柜性能及效率、降低储能柜运行能耗。
CN115911639A	蓄电装置蓄电装置(1)配备有：包括第一电池组(11)、第二电池组(12)以及中间板(13)的蓄电堆(10)；具有底壁部(22)的下壳体(21)；配置在第一电池组(11)与底壁部(22)之间的第一热传导构件(61)；以及配置在第二电池组(12)与底壁部(22)之间的第二热传导构件(62)，下壳体(21)包括支承中间板(13)的基座部(25)，第一热传导构件(61)以及第二热传导构件(62)设置成与基座部(25)接触。
CN115911638A	车辆用电池散热装置以及包括其的车辆用电池壳体本发明涉及一种车辆用电池散热装置以及包括其的车辆用电池壳体，所述电池散热装置包括单元罩和引线冷却部分，单元罩配置为覆盖形成有电池单元的引线的侧表面，所述电池单元重叠以形成模块，引线冷却部分设置于所述单元罩，其中，每个引线冷却部分的第一侧热连接到所述电池单元的每个引线，每个引线冷却部分的第二侧连接到电池散热部分，使得电池单元的每个引线通过所述电池散热部分冷却。
CN115911637A	一种新能源汽车的热管理设备本发明涉及车辆电池包热管理技术领域，具体为一种新能源汽车的热管理设备，包括电池包，电池包的侧端固定连接有两个固定板，上端固定板上固定连接有辅助管，辅助管的侧端固定连接有进气管，下端固定板上固定连接有进液管，辅助管和进液管之间转动连接有旋转管，辅助管的中间设有通气管，通气管和辅助管之间设有进气切换机构，进气切换机构由固定杆、进气口、橡胶活塞和调节杆组成，进气切换机构的下端固定连接有调节密封机构，调节密封机构的下端和进液管固定连接，调节密封机构由密封件、密封槽、连接台和密封台组成，本发明能由冷却装置和加热装置之间进行切换，使电池包内部只有一套系统进行工作，大大降低体积和重量。
CN115911633A	一种锂离子电池石墨负极的再生方法及再生石墨本发明公开了一种锂离子电池石墨负极的再生方法及再生石墨，涉及锂离子电池技术领域。通过前处理分离得到石墨粉，对石墨粉进行热处理去除石墨中粘结剂和增稠剂等有机物以及导电剂和包覆层软碳等杂质，经过整形分级后可以得到形状均一的石墨粉，通过高温沥青进行固相包覆能够制得一种壳核结构的石墨，包覆得到外壳的软碳壳层可形成保护膜，防止溶剂的共嵌入，提高材料的稳定性，如显著提升石墨产品的循环稳定性。
CN115911629A	极片回收装置本申请公开了一种极片回收装置，涉及电池技术领域。该极片回收装置包括：机箱，机箱内设置有放料架；两组极片回收组件，包括卷绕机构，且两组极片回收组件中的至少一组包括基准板机构和长度调整机构；卷绕机构和基准板机构固定在机箱内，基准板机构具有基准面，基准面在机箱的深度方向可调；长度调整机构限位在机箱内，且能够在机箱内向移动。本申请实施方式中，通过卷绕机构即可卷绕待回收卷芯拆解的极片，提高了极片的回收效率；在极片回收过程中通过调整基准面在机箱深度方向的位置，以抵接极片的侧边，从而便于提高极片盘带的高效性；另外，通过长度调整机构调整极片的转移行程，以避免极片盘带时放料架与卷绕机构之间出现冗余的情况。
CN115911626A	一种电池包防凝露结构及其制作方法本申请涉及电池包技术领域，特别是涉及一种电池包防凝露结构及其制作方法。包括：壳体，壳体包括第一平面、第二平面和第一腔体；顶针，设置于第一腔体内，顶针与第二平面连接，第一平面上设置有吸湿部，吸湿部用于吸附水蒸气。透气膜通过表面涂覆PU防水涂层面料，可以阻止电池包外部水蒸气进入电池包内，同时内层滤火网表面粘贴有吸湿材料，可以吸收电池包内部的水蒸气，当热失控触发后，由于高温作用吸湿泡棉表面的胶层失效，吸湿材料与内层滤火网脱离，不影响爆破后透气量和滤火性能，提高了电池包的防腐和耐绝缘性能，提高了电池包的安全性能。
CN115911625A	电池热失控防护系统及方法本发明提供了一种电池热失控防护系统及方法，电池热失控防护系统包括：检测模块、比较模块和异常防护模块；其中，比较模块分别与检测模块以及异常防护模块连接，检测模块与电池连接；检测模块，用于对电池的热失控影响因子进行采集，获得热失控影响因子信号，并将热失控影响因子信号发送至比较模块；比较模块，用于在接收到热失控影响因子信号时输出对应的热防护信号至异常防护模块；异常防护模块，用于在接收到热防护信号时启动，对所述电池进行温度条调节。本发明通过对电池的热失控影响因子进行实时采集，并进热失控预警，在热失控未发生时采取降温防护，避免了电池热失控引发的起火爆炸等事故。
CN115911622A	一种电池包、用电装置和电池包的热失控检测与控制方法本发明公开了一种电池包、用电装置和电池包的热失控检测与控制方法，涉及电池技术领域。该电池包包括电池包本体、检测装置、排气装置和控制系统；检测装置用于检测电池包本体的工作参数；排气装置设置于电池包本体，包括排气通道和排气组件，排气通道具有位于电池包本体内的进气口和能与外界连通的排气口，排气组件设置于排气口处，用于加速排气通道内的气体排出；控制系统与检测装置和排气组件均电连接，被配置为在工作参数偏离预设值时控制排气组件运行。该电池包利用控制系统控制排气组件加速排气通道的排气，能实现快速排气泄压，能阻止热失控扩散，降低爆炸和起火几率，提高安全性能。
CN115911619A	钙钛矿柔性太阳电池与锂硫电池的集成自充电系统及其制备本发明为一种钙钛矿柔性太阳电池与锂硫电池的集成自充电系统及其制备方法，系统包括钙钛矿柔性太阳电池与锂硫电池；钙钛矿柔性太阳电池包括依次设置的柔性衬底、透明导电层和若干钙钛矿电池单元，钙钛矿电池单元包括依次设置的电子传输层、钙钛矿层和空穴传输层；各钙钛矿电池单元为串联关系；最后一个钙钛矿电池单元的正电极作为钙钛矿柔性太阳电池的正电极；第一个钙钛矿电池单元的负电极作为钙钛矿柔性太阳电池的负电极；锂硫电池包括正极、负极和固体电解质，正极与正电极电连接，负极与负电极电连接，形成回路。本发明能够提高自充电系统的集成度、整体效率和稳定性。
CN115911618A	一种蓄电池生产化成用冷却装置本发明公开了一种蓄电池生产化成用冷却装置，涉及蓄电池生产设备技术领域。本发明包括冷却箱，冷却箱的四个内侧壁上均设置有一对侧板，冷却箱一内侧壁的两侧板之间设置若干组隔板组件；隔板组件包括倾斜设置的第一隔板和第二隔板，当装有蓄电池的装载框放入冷却箱内后，位于冷却箱同一内侧壁的两侧板和蓄电池之间构成第一冷却空间；第位于冷却箱相邻侧的两侧板和蓄电池之间构成第二冷却空间。本发明通过冷却箱内侧壁上设置隔板组件和侧板，当侧板和蓄电池形成冷却空间，利用隔板组件的设置增大冷却水在冷却空间内的流经路径，从而实现在用水量相同的情况下提高冷却效果，同时采用隔板组件的设置形成单向流道，增强冷却空间内的水流动性。
CN115911615A	一种用于方形电池充放电的可变距定位均分压合机构本发明公开了一种用于方形电池充放电的可变距定位均分压合机构，包括：机架；压合机构，设置于机架的顶框和底框之间，包括升降座、升降驱动气缸以及数个拘束托盘；每个拘束托盘固定座的后部设有凸轮；顶框底部设置可变距定位均分针板机构，包括数块针板，针板包括针板架、直线导轨底板、直线导轨、复位单元、出线接插件以及若干套探针组件；复位单元包括凸轮接触块和水平推动部，水平推动部连接凸轮接触块的前端，水平推动部设置于直线导轨底板的后端部；凸轮接触块自下而上设有可与凸轮配合的楔形推动面和垂直面。本发明的有益效果是：通过将探针分组定位的形式减少电池鼓胀及厚度尺寸误差的累计，确保探针对准电池极耳。
CN115911610A	一种正极补锂材料、制备方法及其应用本发明提供一种正极补锂材料、制备方法及其应用。所述正极补锂材料包括正极补锂剂以及包覆在所述正极补锂剂表面的疏水层；所述正极补锂剂为Li2NiO2和/或Li5FeO4；所述疏水层为无机碳和具有疏水基团的小分子有机物均匀混合形成的连续相；其中，所述疏水基团选自烃基、酯基、聚氧烯基中的一种或多种。本发明通过将无机碳和具有疏水基团的小分子有机物均匀混合形成的连续相作为疏水层包覆在正极补锂剂的表面，利用疏水基团的疏水性能弱化碱度从而提高正极补锂材料的疏水性能和空气稳定性能。
CN115911609A	用于补锂的富锂锰基正极材料及制备方法本发明就是要提供一种用于补锂的富锂锰基正极材料及制备方法，以可溶性镍、钴、锰盐为原料，采用共沉淀反应工艺制备，并添加相应的补锂掺杂元素如镁、铝、钛等。从而实现传统的高电压富锂锰基正极材料，其在4.4‑4.6V电压范围使用时，首次效率更低，其使用时不会出现DCR明显增长和高温明显产气的情况；反应条件温和，适合工业化生产。
CN115911606A	补锂材料及其制备方法和应用本申请提供一种补锂材料及其制备方法和应用，补锂材料应用在正极片和电池上，所述补锂材料的化学式为Lix‑naAaMyOz，其中，A选自除Li以外的其他金属元素，M选自至少一种过渡金属元素，且1＜x≤8，y＞0，0＜z＜6，1≤n≤4，0＜a≤2。本申请中，将不能参与补锂过程的锂原子替换成其他金属，在保持较高的补锂效果的同时，大幅度降低补锂材料的成本，且能够实现锂离子的快速脱出。
CN115911605A	一种电池的功率调节方法、装置、电子设备及汽车本申请实施例提供一种电池的功率调节方法、装置、电子设备及汽车，其中，该方法包括：获取所述电池的实际放电功率、恒定放电功率和峰值放电功率；根据所述实际放电功率和所述恒定放电功率获得放电超调功率；根据所述恒定放电功率和所述峰值放电功率获得放电基准差值功率；根据所述放电超调功率和所述放电基准差值功率获得累加计数；根据所述累加计数对所述电池的放电功率进行调节。实施本申请实施例，可以有效缩短电动汽车启动的时间，降低启动时消耗的功率，提升电池的使用效率。
CN115911604A	一种双向buck-boost电池均衡方法及电池管理系统本发明提出一种双向buck‑boost电池均衡方法及电池管理系统，对双向buck‑boost电池均衡系统建立预测模型，然后建立基于终止型目标和能耗型目标的复合优化目标函数，通过求解二次规划的复合优化目标函数得到最优控制序列，从而控制每个双向buck‑boost均衡通道电流进行均衡控制。与传统的极值均衡策略和模糊控制均衡策略这些基于经验和规则的均衡方法相比，本发明提出的基于数学模型的模型预测控制方法的控制效果更好，提高了均衡的速度以及减少了均衡的损耗，为双向buck‑boost电池均衡拓扑提供了一种高效的均衡策略，具有重要的意义。
CN115911603A	诊断设备、诊断方法以及非暂时性计算机可读记录介质本公开提供了一种诊断设备，该诊断设备包括：接收器，该接收器仅接收构成蓄电池系统的电池单元中的一些电池单元的数据；以及控制器，该控制器基于所接收的数据对蓄电池系统进行诊断。所述数据具有电压值和积分电流量值。所述一些电池单元包括：低状态MIN电池单元；低状态MAX电池单元；高状态MIN电池单元；以及高状态MAX电池单元。控制器执行以下中的至少一个：判定电池单元是处于平衡状态还是不平衡状态；计算电池单元的容量之间的不平衡量；或计算与电池单元的容量相关的值。
CN115911598A	一种集成式储能装置本申请公开一种集成式储能装置，包括：逆变器、电池组件、固定组件和容纳部；逆变器与电池组件连接，固定组件包括多个横向固定件和多个纵向固定件，多个横向固定件间隔设置在纵向固定件上，逆变器与电池组件均设置在固定组件上；容纳部设置于逆变器与电池组件之间，容纳部用于容纳逆变器与电池组件的连接线，利用本申请提供的技术方案可以实现对逆变器和电池组件的模块化布局，以便对集成式储能装置进行升级和维护，且具有组装便捷和成本低等优势。
CN115911595A	不可燃水系锂离子电池电解液、锂离子电池及制备方法本发明公开了一种不可燃水系锂离子电池电解液、锂离子电池及制备方法涉及新能源技术领域。不可燃水系锂离子电池电解液包括：溶剂以及锂盐，溶剂包括聚乙二醇以及水，水占溶剂的质量百分比为2％～10％；锂盐的摩尔浓度为0.01～10mol/L。本发明实施例提供的高安全不可燃的锂离子电池电解液，溶剂选取不可燃溶剂PEG与水，代替目前锂离子电池电解液中的可燃的有机溶剂，并且有阻燃功能，从根本上避免了锂离子电池的起火燃烧可能。
CN115911590A	一种低成本的宽电压水系电解液及其制备方法本发明属于电解液技术领域，公开了一种低成本的宽电压水系电解液及其制备方法，溶质锂盐在溶剂中的总浓度为1‑15m，有机共溶剂的体积占溶剂总体积的60％‑90％，其余溶剂为去离子水。本发明利用锂盐阴离子、有机共溶剂的强电负性原子与水分子之间的强氢键作用，一方面打破溶剂水的原始氢键网络，另一方面减少Li+溶剂化结构中的水分子数，从而降低水的反应活性，拓宽电解液的电压窗口；通过共溶剂分子、锂盐阴离子共同参与Li+第一溶剂化壳层，在负极表面还原形成稳定的有机‑无机杂化SEI，提升界面稳定性；引入较低成本的有机共溶剂，减少高成本锂盐的用量，可在拓宽电压窗口、提升界面稳定性的同时，可有效降低水系电解液的成本。
CN115911584A	圆柱形电池单元、电池组和包括其的车辆，及其制造方法本公开公开了圆柱形电池单元、电池组和包括其的车辆，及其制造方法。该圆柱形电池单元包括：蛋糕卷型电极组件，其中，具有片状形状的第一电极板和第二电极板以及插置在其间的隔膜沿一个方向卷绕；电池罐，其具有容纳电极组件的开口部分和与开口部分相对的部分封闭部分，并且电连接到第二电极板；集电板，其电连接到第一电极板；单元端子，其通过电池罐的封闭部分的穿孔连接到集电板；以及绝缘体，其插置在电池罐和集电板之间。
CN115911575A	阻燃原位聚合凝胶电解质及其制备方法和应用本发明提供一种阻燃原位聚合凝胶电解质及其制备方法和应用，该电解质制备原料包括A组分、B组分、C组分和基础电解液，A组分选自异氰酸酯，B组分为聚醚胺单体，C组分为端氨基交联剂，控制A、B和C组分配比及其总量之和占基础电解液的质量百分比；应用时，将A组分、B组分、C组分均匀分散于基础电解液中，在电池中注液进行原位聚合反应，即可原位形成聚合凝胶电解质。本发明在电解质中直接原位聚合形成聚合物凝胶电解质，不仅简化了制备流程，而且大大改善电池的界面性能。
CN115911573A	二次电池用非水电解液以及使用该非水电解液的非水电解质二次电池本发明的课题在于提供一种非水电解液及非水电解质二次电池，所述非水电解液具有优异的放电负载特性，且高温保存特性、循环特性、高容量、连续充电特性、保存特性、连续充电时抑制气体产生特性、高电流密度下的充放电特性、放电负载特性等优异。本发明通过使用含有单氟磷酸盐和/或二氟磷酸盐、并含有具有特定化学结构或特定物性的化合物的非水电解液，解决了上述课题。
CN115911571A	一种非水电解液、制备方法及锂离子电池本发明提供一种非水电解液、制备方法及锂离子电池，属于锂离子电池技术领域。该非水电解液由锂盐和有机溶剂组成，所述的有机溶剂包括氟代环状碳酸酯类、线性碳酸酯类和环状碳酸酯类及其衍生物。同时，本发明还提供了一种锂离子电池，包括上述非水电解液，所述的锂离子电池中，负极材料中将两种不同效能的负极材料进行复合，通过使用硬碳‑硅碳混合负极替代石墨负极，实现了两种材料优势的交融，明显提高了负极材料的比容量、循环稳定性以及倍率性能。
CN115911569A	用于制备防火复合电解液的组合物、防火复合电解液及其制备方法本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了一种用于制备防火复合电解液的组合物、防火复合电解液及其制备方法。该组合物中含有以下组分：六氟磷酸锂、溶剂、阻燃剂、防过充保护剂、表面成膜剂、阴极保护剂、氟碳表面活性剂；所述阻燃剂选自含氮化合物、有机磷化合物中的至少一种；所述防过充保护剂选自三(4‑甲氧基苯基)膦和2,5‑二‑叔丁基‑1,4‑二甲氧基苯中的至少一种。本发明提供的组合物制备得到的防火复合电解液用于锂电池时能够在保证较高的电化学性能的同时提高电池的安全性。
CN115911568A	一种低温电解液、其应用及锂离子电池本发明提供了一种低温电解液，包括锂盐、添加剂和非极性含氟溶剂；所述非极性含氟溶剂为具有式I和/或式II结构的化合物。本发明提供了一种低温电解液，包括锂盐、非极性溶剂和添加剂，本发明在锂离子电池的电解液中加入非极性含氟溶剂作为共溶剂，降低电解液黏度与冻结温度，有效改善电极材料的表面钝化膜结构，从而提高电池的低温电化学性能及循环寿命。结果表明，本发明提供的电解液制备的锂离子电池在25℃，C/16放电容量≥210mAh g‑1，在‑40℃，C/16放电容量≥135mAh g‑1，相对于室温下的容量保持率为65％。本发明还提供了一种低温电解液的应用和锂离子电池。
CN115911566A	一种低温液态电解液和一种锂金属电池本发明提供了锂金属电池的低温液态电解液，包括锂盐和有机溶剂，所述有机溶剂包括醚类化合物。本申请还提供了一种锂金属电池。本申请提供的液态电解质中由于独特的锂盐与溶剂组合，使得到的液态电解液与锂金属具有很好的相容性，实现了锂金属电池负极的无枝晶生长，使得锂负极有较高的恢复性和库伦效率，能够确保电池具有优异的低温下长循环性。
CN115911560A	电解液、二次电池及用电设备本申请公开了一种电解液、二次电池及用电设备。电解液包括非水有机溶剂、锂盐和第一添加剂。本申请的第一添加剂同时含有异氰酸酯基团和硅氧键。异氰酸酯基团能够清除电解液中的痕量水和抑制氢氟酸的产生，降低了电解液的持续分解，并且降低了氢氟酸对界面膜的破坏和对硅碳负极的腐蚀，抑制了过渡金属离子的溶出，提高了界面膜的结构稳定性、电池的循环稳定性以及降低了其高温产气性能。硅氧键能够在硅碳负极表面形成有效的网络结构，增强界面膜的柔韧性，从而抑制了硅碳负极的体积膨胀，也在一定程度上提高了循环稳定性。因此，本申请的电解液能够提高二次电池的性能。
CN115911559A	锂离子电池电解液及其制备方法、锂离子电池和涉电设备本申请提供一种锂离子电池电解液及其制备方法、锂离子电池和涉电设备，涉及锂离子电池领域。锂离子电池电解液，包括电解质锂盐、有机溶剂和添加剂；所述添加剂包括氰基‑苯硼酸。锂离子电池电解液的制备方法，包括：将电解质锂盐、有机溶剂和添加剂混合，得到锂离子电池电解液。锂离子电池，包括正极、负极、隔膜和锂离子电池电解液。涉电设备，包括锂离子电池。本申请提供的锂离子电池电解液，氰基‑苯硼酸具有较高的HOMO值能够优先在正极表面氧化，苯基、氰基和含硼官能团能够协同调整界面组成，且与HF优先结合生成B‑F类物质，有效抑制其对电极的腐蚀；提高LCO正极材料在常温和低温环境下的容量保持率和循环性能。
CN115911546A	一种钴酸锂高电压硅基负极锂离子电池非水电解液及锂离子电池本发明属于锂离子电池技术领域，公开了一种钴酸锂高电压硅基负极锂离子电池非水电解液及含该电解液的锂离子电池。本发明所述钴酸锂高电压配硅基负极锂离子电池非水电解液包含电解质锂盐、非水有机溶剂和成膜添加剂，所述成膜添加剂中含有式(Ⅰ)结构所示的硅基化合物：其中，R1～R4各自独立地选自氧原子、碳原子及硫原子，R1～R4各自独立地选自烷基、炔基、烯基、H原子、F原子、氰基及含氟烷基苯基(含芳香族化合物)，其中，含氟烷基中烷基上端基碳上含有氟原子数为0～3个，其它碳原子上含有的氟原子数为0～2个。本发明电解液中的添加剂具有良好的负极成膜性能，可有效改善硅基负极锂离子电池的常温循环性能、高温循环性能和高温储存性能。
CN115911541A	一种含离子液体的固态聚合物电解质及其制备方法本发明提供一种含离子液体的固态聚合物电解质及其制备方法，属于固态聚合物电解质技术领域。该电解质包括交联聚合物基体、锂盐或钠盐及离子液体，所述交联聚合物基体的结构如式(Ⅰ)所示。本发明提供的固态聚合物电解质通过氨基与环氧基固化反应制备，可得到含有不同醚链长度与交联度的固态聚合物电解质，同时固态聚合物电解质中含有大量的氢键，可以降低PEO链段的结晶度，进一步调节固态聚合物电解质的锂离子或钠离子传输性能与机械性能。
CN115911540A	一种具有集成式正极/电解质结构的固态金属电池一种具有集成式正极/电解质结构的固态金属电池，包括基础电池单元，基础电池单元包括依次叠合的复合正极片、固态电解质和金属负极片，固态电解质的材质为动态超分子离子导电弹性体；复合正极片包括集流体以及涂覆于集流体上的粘结层，复合正极片通过粘结层与所述固态电解质贴合，粘结层包括粘结剂以及掺杂于粘结剂中的正极颗粒和导电剂，粘结剂的材质为动态超分子离子导电弹性体。本发明的固态金属电池的电池循环寿命长，安全性高，比容量高，能量密度高，且能满足柔性穿戴需求(可折、可弯、可卷)，可批量制备与组装，适合工业生化生产，满足了各个储能领域的需求。
CN115911539A	一种含碳量子点的废硫酸制备凝胶电解质的方法本发明公开了一种含碳量子点的废硫酸制备凝胶电解质的方法，包括如下步骤:将含碳量子点的废硫酸加水，稀释至硫酸的浓度为1‑10mol/L，为溶液一；按比例，向0.1‑0.3L去离子水中加入10‑30g凝胶单体或聚合物，再加上1L溶液一，混匀，加热至60‑85℃，在转速100‑500rpm搅拌10‑30min，倒入模具中冷却，得到凝胶电解质。本发明的方法，资源化利用可膨胀石墨生产过程产生的含碳量子点的废硫酸，且免于去除其所含的以碳量子点为主的固体杂质；工序简单快速，可制备的凝胶电解质种类较多，所得凝胶电解质由于含丰富碳量子点，有助于构建导电网络，提高了电解质的电导率，保证了电池的性能。
CN115911538A	固态电解质膜的制备方法和固态电解质膜本发明的实施例提供了一种固态电解质膜的制备方法和固态电解质膜，涉及电池制造技术领域，该方法首先放卷基膜，然后在基膜的表面打孔，然后在基膜的两侧表面复合固态电解质材料，以在基膜的两侧表面复合形成固态电解质层，最后将形成的固态电解质膜进行收卷。由于基膜能够为固态电解质提供机械强度，因此可以在基膜的牵引下进行连续快速生产，并且可以收卷形成卷料，方便储藏及运输，同时也能够适应固态电池的连续化生成。相较于现有技术，本发明提供的固态电解质膜及其制备方法，能够提升电解质膜的机械强度，不易发生断裂，同时层间结合力强，不易出现分层现象。
CN115911535A	一种固态电池及其阻燃聚合物固态电解质本发明公开了一种阻燃聚合物固态电解质的制备方法，将一定比例混合的卤代烯酸酯单体与卤代酸酯加入到配置好的电解液中，通过引发剂加热聚合，使其在电池内部完成固化。利用二者的协同的作用，在保证阻燃特性的情况下，也保证了电解质在充放电过程中的稳定性，避免了常规阻燃溶剂对电解造成的破坏性作用，增加了电极与电解质的接触面积，加快了锂离子扩散，在保证电池安全性的同时提升了电池的循环稳定性。
CN115911530A	一种锂氮卤化物固态电解质及制备方法与应用本发明公开了一种锂氮卤化物固态电解质及制备方法与应用。其中固态电解质，有下述组成式（1）表示，LiaNbMcCld式（1）其中，M是选自F，Br，I,和Cl中的至少一种元素，a、b、c和d分别满足:1≤b≤5，2≤c≤15，0≤d<1,a=3b+c+d。本发明同时也公开了锂氮卤化物固态电解质材料在全固态电池中，可以有效地匹配金属锂负极方面的应用；所述有效的匹配指的是：锂氮卤化物固态电解质材料不会与锂金属发生界面反应，并且所得锂氮卤化物固态电解质具有0.1~4.4×10‑4 S/cm的锂离子导电率，可以用于制备具有循环稳定的全固态锂金属电池。
CN115911529A	一种复合型石榴石型固态电解质、二次电池以及制备方法本发明公开了一种复合型石榴石型固态电解质、二次电池以及制备方法，涉及新能源技术领域。复合型石榴石型固态电解质，包括基体以及包覆在所述基体表面的覆膜，所述基体为石榴石型固态电解质，所述覆膜包括聚乙二醇以及聚环氧乙烯。将有机固态电解质聚环氧乙烯(PEO)与一定比例聚乙二醇(PEG)混合并包覆于基体石榴石型固态电解质表面，形成覆膜。PEG为PEO提供增塑效果，并减少其结晶度，覆膜能够改善固态电解质与电极之间的界面接触效果，降低界面阻抗，基体石榴石型固态电解质有效提高离子电导率，二者结合有效提升固态电池电化学性能。
CN115911527A	一种包覆改性固态电解质及其制备方法与应用本发明提供了一种包覆改性固态电解质及其制备方法与应用，本发明提供的制备方法采用原子层沉积的方法进行包覆，以在三元正极材料表明形成均匀且致密的包覆层，且相对于液相包覆等传统方法，所得包覆层的厚度可控。而且，本发明提供的包覆层的离子电导率高于普通的氧化物、氮化物或磷化物，不仅可以作为材料的界面保护，还能够隔绝三元正极材料与电解液之间的副反应；另外，该包覆改性固态电解质能够加快锂离子在界面的脱嵌过程，在保证高容量密度的同时，提升电池的倍率性能。
CN115911526A	一种固态电解质及其制备方法和应用本发明提供一种固态电解质及其制备方法和应用。本发明的固态电解质，包括式1所示的化合物；Li6P(1‑mx/5)MxS5Cl，式1；其中，0＜x≤1；m为M元素的化合价，M选自Sn、Sb和Ge中的至少一种。该固态电解质具有优异的离子电导率、稳定性以及安全性能。
CN115911524A	金属氧化物修饰SSE表面的电解质片和无负极固态锂电池本发明提供金属氧化物修饰SSE表面的电解质片和无负极固态锂电池，通过使用工业易获得Zn/Cd蒸汽在固态电解质(SSE)表面上构筑ZnOx/CdOx界面层，组装无负极固态电池后先充电使ZnOx/CdOx界面析锂，再将电池加热使ZnOx/CdOx界面与锂反应生成Zn+Li2O/Cd+Li2O离子/电子混合导体界面层MCI，MCI能显著改善固态电池中SSE与集流体界面的兼容性。制备步骤主要分为两步，第一步：低沸点金属的蒸发、及其在SSE表面的冷凝并氧化；第二步：无负极固态电池的组装与氧化物界面层的原位转换。本发明中原位生成界面层的无负极固态电池与未改性的无负极固态电池相比，其电化学性能显著提升。同时，该工艺原料来源广泛，将推动低成本、高能量密度的无负极固态电池的大规模生产。
CN115911522A	含掺杂元素的耐高温硫化物电解质本发明提供一种含掺杂元素的耐高温硫化物电解质，锂Li、磷P、硫S、掺杂元素M，材料结构因子Δ为468.7±1～887.7±1，其中，Δ＝{N(Li)×312.5+N(P)×346}×4，式中，N(Li)表示的是Li的原子百分比，N(P)表示的是P的原子百分比。
CN115911519A	富含锂的耐高温硫化物电解质本发明提供一种富含锂的耐高温硫化物固态电解质，至少含有锂Li、磷P、硫S元素，材料结构因子Δ为781±1～1300±1，其中，Δ＝{N(Li)×312.5+N(P)×346}×4，式中，N(Li)表示的是Li的原子百分比，N(P)表示的是P的原子百分比，且其中N(Li)≥0.25。本发明的硫化物固态电解质具有较高的热稳定性同时对金属锂的稳定性逐渐提升，并可以和金属锂负极形成稳定的界面层，有助于金属锂全固态电池的长时间循环，通过增加Li的含量，形成富含锂硫化物固态电解质，进一步提高了硫化物固态电解质的电化学稳定性。
CN115911516A	一种凝胶电解质、制备方法及锂离子电池本发明属于电池技术领域，具体涉及一种凝胶电解质、制备方法及锂离子电池；包括均匀原位插层有二维层状纳米片的聚合物基体以及负载于所述聚合物基体中的离子液体，所述离子液体的溶质包括机电解质锂盐，所述离子液体的溶剂包括碳酸亚乙烯；本申请实施例提供的技术方案中，通过在聚合物基底中通过原位插层有二维层状纳米片得到一种新的凝胶电解质，通过对凝胶电解质的改进提高凝胶电解质的离子电导率，使凝胶电解质的的电导率达到10‑3S/m的使用要求，从而避免由于锂离子沉积形成的枝晶刺穿钝化膜，直接提高凝胶电解质的热力学和电化学稳定性，扩宽电池的工作电压及温度范围。
CN115911515A	一种非水电解液及电池为克服现有电池存在低温阻抗高和高温循环、存储性能不足的问题，本发明提供了一种非水电解液，包括溶剂、电解质盐和结构式1所示的化合物：。同时，本发明还提供了包括上述非水电解液的电池。本发明提供的非水电解液由于采用了结构式1所示的化合物作为添加剂，有效提升电池在高压状态下的低温放电性能和高温循环和存储性能。
CN115911511A	一种锂离子电池本发明属于二次电池技术领域，尤其涉及一种锂离子电池，包括正极片和负极片，所述正极片包括正极集流体以及设置于正极集流体至少一表面正极涂层，正极涂层包括正极导电剂，正极导电剂的表面含氧量为0.01％～3％，所述负极片包括负极集流体以及设置于负极集流体至少一表面负极涂层，负极涂层包括负极导电剂，负极导电剂的表面含氧量为3％～10％。本发明的锂离子电池，在负极片中使用具有表面含氧量高的负极导电剂，提高负极导电剂与溶剂的溶解性，在正极片中使用具有表面含氧量低的正极导电剂，减少负极导电剂与溶剂的副反应，循环存储阻抗降低，从而得到具有优异动力性能和循环性能的电池。
CN115911510A	一种锂电池及包含其的动力设备本发明涉及三元锂电池技术领域，公开了一种锂电池，包括表面涂覆有正极浆料的正极片，所述正极浆料包括正极活性物质；所述正极活性物质包括中镍三元材料和磷酸锰铁锂，且所述中镍三元材料与所述磷酸锰铁锂的质量比为(1‑5):(5‑10)。本发明能够有效改善三元电池的针刺和热箱性能，由于纳米级的磷酸锰铁锂本身的动力学性能较差，在匀浆过程中对微米级的三元颗粒起到了包覆作用，同时磷酸锰铁锂本身的导电性差也降低了针刺后内短路的风险。
CN115911506A	圆柱形锂金属二次电池本发明涉及锂电池技术领域，尤其是涉及一种圆柱形锂金属二次电池。圆柱形锂金属二次电池，包括：壳体、设置于所述壳体内的电芯极组以及填充于所述壳体内的电解液；所述电芯极组包括卷绕极组和设置于所述卷绕极组上的极耳；所述卷绕极组由正极、负极和隔膜卷绕形成；所述负极为金属锂片，所述金属锂片作为负极集流体和负极活性物质。本发明的圆柱形锂金属二次电池，以金属锂片作为负极，兼具活性物质和集流体的作用，省略常用的铜集流体，使卷绕极组的隔膜间的厚度大大削减，大幅度提升了电池的能量密度。并利用圆柱形电池结构，在不施加外部压力的情况下实现稳定的充放电循环。
CN115911504A	一种用于软包电池卷芯的绕卷装置本发明公布了一种用于软包电池卷芯的绕卷装置，属于电芯制作技术领域，包括底板，底板上固定设置有接芯箱和侧板，底板上设置有绕卷组件，侧板上固定设置有两个送料板，送料板上均设置有定位组件和送料组件，定位组件能够实现对电极片的位置进行自动调节，避免绕卷时电极片位置出现偏差，影响绕卷后卷芯的合格率，送料组件能够实现对电极片进行自动送料，避免手动辅助送料时，容易导致电极片位置偏差，通过绕卷组件、定位组件、送料组件三者的相互配合，能够实现对多种不同规格的软包电池卷芯进行自动送料和绕卷，提高装置的适应性和产品的合格率。
CN115911498A	方壳电池U型包膜方法本发明提供了一种方壳电池U型包膜方法，包膜时先对电池的底面和左右大面进行粘贴，对绝缘膜带进行裁带，再将延伸于电池前后侧面外的底面上或左右大面上的绝缘膜剪边，后根据剪边位置对电池的底面上或左右大面上的绝缘膜进行折贴，再对电池的顶面进行折贴，最后贴顶片；剪边处理，可以保证折贴后不会出现折贴面起翘的问题。贴顶片可以压住顶面折贴后的绝缘膜免除顶面剪边，简化作业流程。裁带用于采用绝缘膜带的情况。采用该方壳电池U型包膜方法的包膜适用范围广、包膜质量好、包膜效率高。
CN115911492A	一种卷绕方法、卷绕机、电极组件及电池单体本申请公开了一种卷绕方法、卷绕机、电极组件及电池单体，其中，卷绕方法包括：将阳极极片、阴极极片和隔膜的头部夹设于在卷绕工位处的卷针组件的第一半卷针和第二半卷针之间；旋转在卷绕工位处的卷针组件以卷绕阳极极片、阴极极片和隔膜，从而形成电极组件。通过本方案可以解决一些情况下在对阴极极片、阳极极片和隔膜进行卷绕时，阴极极片和阳极极片的头部容易发生打折的问题。
CN115911490A	电极组件的加工方法及装置本申请公开了一种电极组件的加工方法及装置。电极组件的加工方法包括：将极片和隔离膜送料至卷绕机构，其中，使所述极片和隔离膜与位于所述卷绕机构入料侧的水平线的夹角为锐角；将所述极片与所述隔离膜卷绕成电极组件。本申请实施例在形成电极组件的过程中能够使极片贴着隔离膜入料，克服了极片在卷绕过程中出现的极耳位置偏移、极片头部打折、阴极片和阳极片之间的错位等问题，并且还可以取消现有的抚平板和吹气装置，减少多余的设备，节省成本。
CN115911480A	一种具有等腰梯形电极的对流型微流体燃料电池本发明公开了一种具有等腰梯形电极的对流型微流体燃料电池，包括：上盖板、下底板、多孔阳极和多孔阴极；所述的上盖板设置于所述下底板上；所述的下底板中设置有电池凹槽，且电池凹槽由阳极液贮液区、多孔阳极区、中间流道、多孔阴极区和阴极液贮液区构成；所述的多孔阳极和多孔阴极呈等腰梯形状，且多孔阳极和多孔阴极分别嵌入在所述多孔阳极区和所述多孔阴极区中；所述的上盖板上设置有阳极液入口、阴极液入口、反应液出口、阳极接线口以及阴极接线口。本发明提供了一种具有等腰梯形电极的对流型微流体燃料电池，其中等腰梯形的电极设计，在不降低电极尺寸的同时，减小了电池内阻，有效增大了电极内部活化区比例，电池的放电性能显著提升。
CN115911476A	膜电极扩散层贴合设备本发明提出了一种膜电极扩散层贴合设备，涉及膜电极生产设备技术领域，包括放料装置、阴极扩散层转贴装置、阳极扩散层转贴装置、热压合装置、裁切装置和收卷装置，阴极扩散层转贴装置的上游设置有第一涂胶机，阴极扩散层转贴装置的下游设置有保护膜A裁切机构，阳极扩散层转贴装置的上游设置有第二涂胶机，裁切装置的上游设置有保护膜C放卷机构和保护膜D放卷机构，收卷装置包括轮廓废料收卷机构、保护膜D废料收卷机构和保护膜C废料收卷机构，本发明在完成了膜电极扩散层自动转贴工作的情况下，实现了对废料的彻底清理，保证了成品片材的质量和良品率。
CN115911471A	燃料电池系统和废气处理装置本公开涉及燃料电池系统和废气处理装置。一种燃料电池系统，包括：供气管线，被配置为将空气供应到燃料电池堆；排放管线，与燃料电池堆相连，并被配置为引导从该燃料电池堆中排放的废气；排放转接器，与该排放管线相连，并被配置为将该废气排放到外部；以及旁路管线，具有连接到该供气管线的一端和连接到该排放转接器的另一端，该旁路管线被配置为选择性地允许空气从该供气管线流动到该排放转接器，从而有效降低从该燃料电池堆中排出的废气中的氢气浓度。
CN115911467A	一种燃料电池电堆流体分配一致性评估方法本发明涉及一种燃料电池电堆流体分配一致性评估方法，包括：制备特殊单电池并设计其片数，实验电堆装堆、测试，通过实验测试输出数据：不同电流点下三腔总进出口压差ΔPExp、目标电流点下公共歧管压力值PExp；建立三腔流场简化模型，网格划分，调整多孔介质阻力系数，仿真计算，通过仿真模型输出数据：不同电流点下三腔进出口压力差ΔPNum、目标电流点下公共歧管压力值PNum；通过对比实验数据和仿真数据来检验仿真模型的有效性；通过仿真软件后处理计算各片单池上的流量QNum；通过设置流体分配一致性评价条件来检验上述电堆堆内的流体分配，与现有技术相比，本发明解决了目前无法准确评估燃料电池电堆三腔流体分配一致性的问题。
CN115911464A	燃料电池系统的控制方法、燃料电池汽车和燃料电池系统本发明涉及燃料电池系统的控制方法、燃料电池汽车和燃料电池系统。燃料电池汽车(10)的电子控制装置(50)控制燃料电池(20)的输出即发电输出(Pfc)，使得蓄电装置(24)的蓄电电压(Vbat)不低于燃料电池(20)的发电电压(Vfc)。
CN115911463A	一种氢燃料电池尾排水含量和温湿度检测装置本发明提供了一种氢燃料电池尾排水含量和温湿度检测装置，包括集水箱、水汽分离器、传感器、采集处理单元；氢燃料电池尾排输入至集水箱中，利用水汽分离器对集水箱处理后的气体进行气液分离后排出；采集处理单元与传感器连接，利用传感器检测处理过程中的所需参数信息。本发明有益效果：氢燃料电池尾排水含量及温湿度检测装置结构简单，尾排水分采用温差冷凝的方式收集，不消耗外界能量，两道分离程序使尾排水汽分离彻底，透明化管路易于试验中对汽水分离效果的观察。
CN115911461A	一种氢燃料电池汽车排水装置及方法本发明公开了一种氢燃料电池汽车排水装置及方法，其中，装置包括抽水泵，抽水泵的下端设置有排水部，进水管设置在抽水泵的下端；储水部由轴向伸缩装置构成，用于储存抽水泵从汽车燃料电池中抽出的水；储水部与进水管通过一号法兰进行连接，一号法兰内部设置有单向阀；排水管设置在储水部的下端；排水管通过二号法兰与储水部的下端固定连接，一号法兰与二号法兰的相对面分别设置有一号环形磁铁和二号环形磁铁。本发明通过设置由伸缩装置构成的储水部对水进行收集，储水部的体积有最大值，所以能够控制排除的水量，可以控制电磁压力阀进行排水，控制排水时机，避免对环境造成破坏。
CN115911458A	一种利用沼气于固体氧化物燃料电池发电的装置及方法本发明公开一种利用沼气于固体氧化物燃料电池发电的装置及方法，该装置包括与固体氧化物燃料电池的阳极气体进口连接的阳极气体输送管道、与固体氧化物燃料电池的阴极气体进口连接的阴极气体输送管道，阳极气体输送管道上沿着阳极气体的输送方向依次设有用于给阳极气体加压的沼气鼓风机、用于脱除硫杂质的脱硫装置、调整气体组成的预重整器、用于加热气体的燃气换热器，阴极气体输送管道上沿着阴极气体的输送方向依次设有用于给阴极气体加压的空气鼓风机、用于加热空气的空气预热器。本发明提供的装置及方法，提高沼气发电效率，高效利用沼气资源。
CN115911452A	集成热交换器的燃料电池电堆集成热交换器的燃料电池电堆，其包括电堆本体以及热交换器，其中所述热交换器集成于所述电堆本体的端部以提供隔热作用以防止所述电堆本体的层叠体的端部的温度降低，并且具有多个热交换流场，所述多个热交换流场包括燃料流场、氧化剂流场和电堆换热介质流场，其中相邻的所述燃料流场和所述氧化剂流场之间是所述电堆换热介质流场，从而不需要类似传统燃料电池系统中单独的配置的使燃料升温的加热器和使氧化剂降温的中冷器，并且通过将燃料和氧化剂分别布置在电堆换热介质的相反两侧来有效利用燃料和氧化剂两者本身之间的温差进行热交换，从而增强热交换效率。
CN115911449A	一种带水回收板翅式换热器的燃料电池喷雾冷却系统本发明属于燃料电池车辆散热技术领域，具体涉及一种带水回收板翅式换热器的燃料电池喷雾冷却系统，包括燃料电池冷却装置、燃料电池反应水收集装置、板翅式换热器喷雾冷却装置和喷雾液态水回收装置。板翅式换热器下设置的液态水回收装置可以减少没有蒸发的液态水的浪费，提高水分的整体利用率。喷嘴的布置方向与换热器表面呈30‑50度角，从而尽量减少由于喷雾压力和喷雾速度造成的液滴飞出换热器，散热风机布置在换热器的平行侧，提高散热均匀性以及喷雾蒸发的速度，从而提高整体传热性能。其在保证总体换热量的情况下减少换热器的换热面积以及降低散热风机的出风量，从而降低整体系统体积以及能源需求。
CN115911445A	燃料电池及其电池密封件本申请实施例提供一种燃料电池及其电池密封件，所述电池密封件包括：间隔设置的多个密封结构；连接结构，和所述多个密封结构一体成型；所述连接结构包括连接底板、凸柱部和加强筋部，所述连接底板设置于相邻的两个密封结构之间的间隙区域、以连接所述相邻的两个密封结构，所述凸柱部和所述加强筋部分别设置于所述连接底板上，所述凸柱部、所述加强筋部和所述密封结构两两间隔设置。
CN115911444A	密封件及燃料电池本申请实施例提供一种密封件及燃料电池。所述密封件包括一体注塑成型的冷却液密封部和两个导流结构，冷却液密封部密封包围极板的进液口、排液口和冷却液流动区，两个导流结构分别设置在极板上位于进液口和冷却液流动区之间的区域以及位于冷却液流动区和排液口之间的区域；导流结构包括连接筋部和多个导流凸筋部，多个导流凸筋部依次间隔设置、且自进液口/排液口延伸至冷却液流动区，连接筋部依次连接多个导流凸筋部；至少一个导流凸筋部上靠近冷却液流动区的一端设有外延部，外延部沿其所在的导流凸筋部的延伸方向延伸、且和极板相贴，外延部的宽度不大于导流凸筋部的宽度，外延部的厚度小于导流凸筋部的厚度。
CN115911441A	一种可在线运行大活性面积多流道可视化燃料电池装置本发明提供一种可在线运行大活性面积多流道可视化燃料电池装置，包括依次设置的透明端压板、透明端板、透明端集流板、透明端流场板、MEA膜电极、非透明端双极板、非透明端集流板、碳纸和非透明端压板，所述透明端板一侧设有凸台，所述透明端集流板和所述透明端压板分别设有与所述凸台相匹配的中空孔I和中空孔II，所述中空孔II的位置与所述凸台的位置对应，所述凸台嵌入所述中空孔I，所述凸台的上表面与所述透明端集流板的上表面在同一水平面，形成观测区，所述透明端流场板设有流场区I，所述流场区I位置与所述凸台位置对应。本发明的技术方案解决了现有技术中可视化燃料电池装置活性面积小、流道单一、无法满足批量产品检测需求的问题。
CN115911439A	一种具有双螺旋结构的液流电池双极板流道本发明属于液流电池技术领域，具体为一种具有双螺旋结构的液流电池双极板流道，包括正极进液口、双螺旋结构流道、双极板、负极进液口、正极出液口和固定螺栓孔，所述双极板顶部中央开设正极出液口，所述正极出液口上连接双螺旋结构流道，所述双螺旋结构流道外端设置正极进液口，所述双极板顶部对角开设负极进液口，所述双极板两侧均设置固定螺栓孔，通过对流道的合理设计，保证了电解液分配的均匀性，通过减少流道长度，有效的降低了压降和泵功损耗，提高了液流电池的整体性能。
CN115911434A	一种油系涂覆隔膜的循环净化系统及其净化方法本发明公开了一种油系涂覆隔膜的循环净化系统及其净化方法，包括对油系涂覆隔膜进行萃取的萃取装置、对萃取后的溶液进行过滤的过滤装置和与所述过滤装置相连通的抽滤装置。本发明主要在萃取装置中加入超声振荡棒，在超声的震动中使油系涂覆隔膜中的溶剂产生振动，充分溶解到水中，增加油系涂覆隔膜的洗涤效率和节水的作用。
CN115911431A	一种贮备式电池装置本发明提供一种贮备式电池装置，能够实现长时间贮存、360°全姿态下快速激活、均匀注液且注液后能够稳定放电。该贮备式电池装置包括：贮备模块、均分管网模块和电芯模块其中电芯模块包括多个并联和/或串联在一起的未注液的电芯单体；贮备模块用于存储电解液，并能够在激活后采用压力推送的方式将所述电解液推送至均分管网模块；均分管网模块用于将所述电解液均匀分配至电芯模块中的各电芯单体。
CN115911428A	一种光正极材料、制备方法及光赋能锂二氧化碳电池本申请实施例提供了一种光正极材料、制备方法及光赋能锂二氧化碳电池，所述光正极材料包括：碳基底，以及在所述碳基底上原位生长的二维硫属金属化合物，所述二维硫属金属化合物和所述碳基底的质量比为1:20～1:2。将本申请实施例提供的光正极材料应用于光赋能锂二氧化碳电池时，具有二维硫属金属化合物可保证具有快速的光响应和高效的量子效率，而碳基底可以保证材料具有高电子电导率，二者结合可以大幅提升光正极的光生载流子产率和转移效率，因此该光正极材料应用于光赋能锂二氧化碳电池具有优异的电化学性能。
CN115911427A	双金属碳纳米复合电催化材料及其制备方法和应用本发明属于电极材料技术领域，具体来说是一种双金属碳纳米复合电催化材料及其制备方法和应用，本发明将铑复合于多孔碳纤维中，再于多孔碳纤维表面复合金属镍和碳，制得双金属碳纳米复合电催化材料，该复合电极材料克服了铑具有的力学性能差和碳布使用局限性的技术缺陷，能够作为柔性催化电极材料并应用于电解水催化反应中。本发明的双金属碳纳米复合电催化材料能够直接进行电催化制氢的应用，无需进行复杂的前处理步骤，且由于为碳布状态，具有自支撑、柔性的特点，相比于现有技术的碳布应用范围会更加广泛。
CN115911424A	贵金属/碳催化剂及其制备方法、燃料电池本申请属于催化剂技术领域，尤其涉及一种贵金属/碳催化剂及其制备方法，以及一种燃料电池。包括步骤：在碳纳米管的表面引入包含氨基活性基团的聚合物，得到功能化碳纳米管；将功能化碳纳米管、碱性物质与有机溶剂进行混合处理；在混合状态下，将贵金属源溶液和稳定剂溶液添加到碳纳米管混合溶液中，进行热还原反应后，对固态粉末进行碳化处理，得到贵金属/碳催化剂。本申请提供的贵金属/碳催化剂的制备方法，在碳纳米管表面引入包含氨基活性基团的聚合物，防止碳纳米管团聚，提高贵金属负载量、负载均匀性并维持小粒径。得到负载均匀、颗粒小且结合稳定的贵金属/碳催化剂。
CN115911423A	一种含氧空位的CaTiO3助催化剂及制备和促Pt/C的ORR电催化剂及应用本发明公开了一种含氧空位的CaTiO3助催化剂及制备和促Pt/C的ORR电催化剂及应用，具体的说是一种结构为均匀棱柱状、准立方颗粒及其表面存在孔洞/缺陷的助催化剂。通过使用模板辅助水热合成，在CaTiO3表面附近形成还原环境，促进氧缺陷或空位的形成，调节CaTiO3与商品Pt/C催化剂掺杂量，可以得到具有较高活性的氧还原电催化剂。该方法具有简便、易于实施、生产成本低等优点。
CN115911421A	一种SFM基氢能燃料电池电极材料及其制备方法本发明公开了一种SFM基氢能燃料电池电极材料，所述电解质材料的化学式为Sr2Fe1.5Mo0.4Ti0.1O6‑δ。本发明还公开了SFM基氢能燃料电池电极材料的制备方法。本发明通过采用Ti元素来对Sr2Fe1.5Mo0.5O6‑δ材料的B位Mo元素进行掺杂取代，得到的SFM基氢能燃料电池电极材料在中温下具有很高的电导率，是一种良好的中温SOFCs电极材料。
CN115911414A	一种非晶金属氧化物催化剂及其制备方法以及在锂氧电池中的应用本发明提供了一种非晶金属氧化物催化剂在锂氧电池中的应用。与结晶态催化剂相比，非晶材料表面暴露的缺陷可以作为锂氧电池反应过程中的活性催化位点，可以大大提升其在锂氧电池中的催化性能。实验证明，非晶材料拥有更低的充放电过电势，改善了其对反应中间体的吸附，有利于放电产物过氧化锂的形成和分解，从本质上提升了OER和ORR活性。非晶催化剂在储能设备领域具备较高的应用价值。
CN115911409A	一种甲酸盐燃料电池电极及其制备方法和应用本发明公开了一种甲酸盐燃料电池电极及其制备方法和应用，采用水热法和电沉积法合成了甲酸盐燃料电池电极。本发明制备的燃料电池电极能在碱性条件下将甲酸盐直接氧化为CO2，从而将甲酸盐的化学能转化为电能。并且该电极具有稳定的纳米线状和间隙结构，并附着有Pd纳米颗粒和/或嵌入的Pd纳米团簇颗粒，从而为甲酸盐氧化反应提供了丰富的反应活性位点；本发明提供了一种“协同解毒”策略解决Pt、Pd氢中毒(Pd/Pt‑Had)问题，提升阳极甲酸盐氧化电极的使用寿命。即采用泡沫钛表面TiO2和CuFe2O4产生高氧化活性的*OH协同氧化Pd/Pt‑Had释放Pt和Pd活性位。因此，本发明制备的甲酸盐燃料电池电极在甲醇氧化反应过程中具有优异的甲酸氧化稳定性以及甲酸氧化效率。
CN115911408A	一种集流体、极片及制备系统本发明提供了一种集流体、极片及制备系统，所述集流体具有第一表面和第二表面，由所述第一表面向所述第二表面方向形成若干第一凹坑，由所述第二表面向所述第一表面方向形成若干第二凹坑，所述第一凹坑和所述第二凹坑错位分布。本发明改变了传统的集流体结构，在集流体两侧表面均设置了凹坑，根据适用正极和负极的不同，可以在凹坑内填充不同的活性材料，例如：对于正极而言，可以在集流体的凹坑内填充正极补锂材料，从而显著改善高温存储产气。对于负极而言，可以在集流体的凹坑内填充硅负极材料，从而降低循环内阻，提升循环性能。
CN115911407A	一种铅酸蓄电池耐腐蚀复合涂层板栅及其制备方法本发明涉及一种铅酸蓄电池耐腐蚀复合涂层板栅，属于铅酸蓄电池技术领域，包括以下重量百分比的组分：锡：0.8‑1.5％；钙：0.08‑0.15％；铝：0.01‑0.04％；石墨烯：0.002‑0.004％；合金变质剂：0.015‑0.06％；其余为铅。本发明还公开了一种铅酸蓄电池耐腐蚀复合涂层板栅的制备方法，通过引入银、碲和硅组成的合金变质剂，降低合金的电化学腐蚀钝化的敏感性以及晶粒和晶界的电化学腐蚀惰性，另外将石墨烯涂料涂覆在合金铅带表面，细化合金晶粒，提高了合金耐腐蚀性能，使得本发明中制得复合涂层板栅在高温环境下耐腐蚀性能良好，使用寿命长。
CN115911406A	一种高寿命阀控式铅酸蓄电池稀土银合金及其配制方法本发明公开了一种高寿命阀控式铅酸蓄电池稀土银合金及其配制方法，本申请的稀土银合金配制方法，通过加入合适比例的La和Ag,能有效提升板栅的抗腐蚀性，提高板栅合金的力学性能和电化学性能，能解决VRLA蓄电池早期容量损失，提高电池放电性能。本申请实施例的稀土银合金配制方法相比常规Pb‑Ca合金配制方法，使得用稀土银合金生产的VRLA蓄电池循环寿命大大提高。
CN115911405A	一种复合集流体及含有其的锂离子电池包本发明提供一种复合集流体及含有其的锂离子电池包。所述复合集流体包括基材和位于所述基材至少一面上的功能涂层，所述功能涂层包括导电剂和功能聚合物，以导电剂和功能聚合物的混合物的质量为100％计，所述混合物中功能聚合物的质量分数为20～95％。本发明复合集流体在100℃及以上能使锂离子电池极片的电阻瞬间增大，在110℃及以上条件下，极片的电阻瞬间增大100％及以上，导电能力急剧下降，可有效防止锂离子电池因内部短路而进一步发生热失控。
CN115911404A	改性复合集流体及其制备方法和应用本发明公开了一种改性复合集流体，包括依次层叠于聚合物膜表面的改性层和金属层；所述改性层通过在所述聚合物膜的表面化学气相沉积聚乙二醇类物质形成。该改性层能够与聚合物膜紧密结合，增强聚合物膜与改性层之间的粘附力。区别于传统使用电晕处理改性的方法，本申请使用聚乙二醇类物质改性处理后的聚合物膜的具有较高的表面张力，且经三个月的存放后聚合物膜的表面张力依然稳定。同时，聚乙二醇类物质具有较多数目的羟基，易与金属原子发生相互作用，从而促进改性层与金属层的牢固结合。该制备方法处理效率高，制得的聚乙二醇类物质改性的聚合物膜放置三个月后表面张力依然不变，可实现复合集流体的间歇制备。
CN115911403A	一种高粗糙度纳米涂碳集流体及其制备方法和应用本发明提供了一种高粗糙度纳米涂碳集流体及其制备方法和应用，涉及集流体技术领域。所述涂碳集流体包括集流体本体以及分别覆盖在集流体本体上下表面的高粗糙度纳米涂碳层；所述纳米涂碳层的表面粗糙度Ra为纳米涂碳层厚度的40‑60％。所述集流体本体为铝箔、铜铝合金箔或者复合铝集流体；制备所述纳米涂碳层的原料包括导电碳材料、粘结剂、碱性物质及溶剂。本发明通过在涂碳浆料中添加碱性材料或者酸性材料，实现对金属箔表面的微腐蚀，使金属箔的表面形成微孔，增大了金属箔的粗糙度，同时生成的气体增加了涂碳层本身的粗糙度，协同增强了集流体的电流收集能力。
CN115911401A	一种负极集流体及其制备方法和应用本发明提供了一种负极集流体及其制备方法和应用，所述负极集流体包括高分子层和设置在所述高分子层至少一侧表面的结合层，所述结合层在远离集流体的一侧表面依次设置有导电层和增强层，所述结合层包括金属光热材料，所述导电层和增强层均独立地包括金属。本发明通过在高分子层和导电层之间设置含有金属光热材料的结合层，并通过进一步在导电层表面设置增强层，不仅可以提高导电层的金属与高分子层载体之间的结合力，还可以防止电解液与高分子层直接接触导致的高分子层的溶胀，防止影响结合力；此外，本发明制备的负极集流体不仅降低了传统铜箔集流体的重量，还可以有效增加铜箔的韧性和强度，提高电池的安全性能。
CN115911393A	一种共掺杂正极材料及其制备方法本申请公开了一种共掺杂正极材料的制备方法，包括以下步骤：按照化学计量比取镍源化合物、钴源化合物、锰源化合物和M源化合物，与有机酸络合剂的水溶液和有机还原络合剂的水溶液先后反应得到溶胶。将溶胶加热、蒸发浓缩形成凝胶，然后经预烧结处理得到前驱物。将所述前驱物与锂源化合物、N源化合物混合后进行煅烧得到共掺杂正极材料；其中，M为钨、钽、钼、铌、钒、锡、镧、钇、钪或铈中的一种，N为镁、钙、锶、钡、锌或铜中的一种。该制备方法采用有机酸络合剂和有机还原络合剂组合使用，并结合溶胶‑凝胶法制备得到结晶度高、电化学性能好的共掺杂正极材料。本申请还公开了一种共掺杂正极材料。
CN115911388A	粘结剂、涂碳浆料、涂碳集流体及其制备方法以及电极和电池本申请涉及一种粘结剂、涂碳浆料、涂碳集流体及其制备方法以及电极和电池，粘结剂的制备方法包括：于溶剂中将碱性二价金属离子化合物和聚合物粘结剂混合，得到混合液；使混合液进行交联反应，制备得到粘结剂；其中，聚合物粘结剂的结构单元中含有羧基；交联反应在弱酸条件下进行，弱酸条件的pH满足5≤pH＜7。本申请采用碱性二价金属离子化合物对聚合单体具有羧基的聚合物粘结剂进行交联，二价金属离子对羧基进行封端的同时，可作为中间链接基体，形成网状聚合物粘结剂，具有成本低和粘结性能高等特点。
CN115911385A	一种弹性硅碳负极复合材料的制备方法本发明属于新能源电池材料技术领域，具体公开了一种弹性硅碳负极复合材料的制备方法，包括准备原材料，原材料包括硅粉、石墨粉、微膨弹性石墨粉和水性粘结剂；原材料配比：硅粉10‑20wt％，微膨弹性石墨粉10‑50wt％，石墨粉30‑70wt％，硅粉、石墨粉和微膨弹性石墨粉合计为100wt％，水性粘结剂占硅粉、石墨粉和微膨弹性石墨粉总量的15‑20wt％；混捏处理；轧片处理；烧结热处理。本发明较好解决了锂电池硅碳负极由于硅在电化学过程中易于膨胀导致电池降效和失效快的亟待解决的难题，在硅碳负极配料组元内部通过调节可压缩和膨胀组元间比例关系有效消除和降低硅组元膨胀产生的负效应问题。本发明硅碳负极复合材料使锂电池比容量高，循环性能好,成本较低且制备工艺简单。
CN115911382A	泡沫镍自支撑SnO2纳米阵列@多孔碳纤维复合材料及其制备方法和应用本发明涉及钠离子电池电极材料技术领域，具体涉及泡沫镍自支撑SnO2纳米阵列@多孔碳纤维复合材料及其制备方法和应用。本发明先采用溶剂热法、于泡沫镍表面制得了泡沫镍自支撑SnO2纳米阵列，然后将多孔碳纤维材料贴合并压制于泡沫镍自支撑SnO2纳米阵列表面，接着利用退火处理的方法得到泡沫镍自支撑SnO2纳米阵列@多孔碳纤维复合材料；多孔碳纤维的强导电性为电子的转移提供了有效传输路径，泡沫镍自支撑SnO2纳米阵列的制备有效解决了充放电过程因体积膨胀导致的材料粉化、团聚、容量衰退的问题，用作钠离子电池负极表现出超强的循环稳定性；因此本申请提供了一种具有高稳定性、高导电率的钠离子电池负极材料及其制备方法。
CN115911379A	一种石墨烯电池负极材料及其制备方法本发明涉及一种石墨烯电池负极材料及其制备方法，属于电池负极材料技术领域，包括以下步骤：向聚四氟乙烯乳液中加入辅助剂和烷基硅氧烷，搅拌后得到粘结剂；将三维石墨烯、硫酸钡、有机添加剂和铅粉加入乙醇水溶液中，搅拌后加入粘接剂，继续搅拌，得到浆料，喷雾干燥，得到粉料；将纤维分散在去离子水中得到分散液，将分散液和上述粉料加入和膏机中，搅拌后加入45‑51wt％的硫酸溶液，继续搅拌，得到铅膏；将上述铅膏涂覆在铅酸电池板栅上，干燥，得到石墨烯电池负极材料；本发明中选用三维石墨烯作为导电剂，结合自制的粘结剂，实现活性物质和碳粉紧密结合并且均匀分布，赋予负极材料优异的机械性能和电化学性能。
CN115911378A	一种正极导电浆料及其制备方法、磷酸铁锂正极材料及其制备方法本发明公开了一种正极导电浆料及其制备方法、磷酸铁锂正极材料及其制备方法，该正极导电浆料的制备方法包括将多层石墨烯和多壁碳纳米管混合后进行酸化、烘箱静置、冷却、水洗得中间产物，加入硝酸钴六水合物水溶液和2‑甲基咪唑水溶液，静置陈化、离心、洗涤、干燥得第一导电剂混合物，热解后进行酸洗，水洗、干燥得第二导电剂混合物；将单壁碳纳米管溶解在含有聚乙烯吡咯烷酮的N‑甲基吡咯烷酮溶液中，继续加入N‑甲基吡咯烷酮和聚乙烯吡咯烷酮、第二导电剂混合物，即得所述的正极导电浆料。本发明解决了材料体相内部动力学性能差导致倍率特性和低温性能变差的问题，降低了LFP粉体的DCR，提升了锂离子电池倍率和循环性能。
CN115911376A	一种极片、二次电池和用电设备本申请公开了一种极片、二次电池和用电设备。极片包括集流体和活性材料层，以及设置于集流体和活性材料层之间的陶瓷涂层，陶瓷涂层包括正温度系数热敏陶瓷，正温度系数热敏陶瓷包含钠元素和铝元素。本申请通过在极片中增加陶瓷涂层，使电池在短路等异常迅速温升的状态下，能够自发增加内阻，降低短路电流，保护电池安全，同时钠元素和铝元素的加入，有利于提高极片对钠离子的传导能力和导电能力，提高电池的电化学性能。
CN115911372A	一种电极片及其制备方法和应用本申请提供一种电极片及其制备方法，包括集流体以及覆盖于集流体上的电极材料，该电极材料包括电极活性材料、导电剂和粘结剂，所述电极材料还包括磷基聚合物材料；所述磷基聚合物材料在所述电极材料中的质量占比为0.08～20％，在电极材料混浆过程中加入所述单体与引发剂，原位聚合，形成所述磷基聚合物材料的电极片；所述单体包括单体A；所述单体A为式I所示的化合物中的至少一种，其中，R为 R2和R3均可连接‑C＝O或‑O‑；R1、R2、R3独立地选自无、含取代基或不含取代基的链或环中的任意一种；R4和R44为含取代基或不含取代基的链状饱和烷基。本申请提供的含有磷基团的聚合物材料，起到提高电池安全性、改善电池离子传输、提高电池循环稳定性的作用。
CN115911371A	电池正极材料及其制备方法、电池及电子设备本申请涉及一种电池正极材料及其制备方法、电池及电子设备。所述电池正极材料包括片状导电材料及正极材料颗粒，所述片状导电材料分散分布，所述正极材料颗粒分布于所述片状导电材料外，且至少部分所述正极材料颗粒与所述片状导电材料接触。上述电池正极材料，相对于正极材料颗粒与颗粒状的正极导电剂的点对点接触，这种正极材料颗粒与片状导电材料的接触使得二者之间的接触面增大，有利于提高电池正极材料的导电性，且片状导电材料能够对正极材料颗粒提供一定的支撑作用，有利于缓解因为快充导致的结构坍塌，保证电池正极材料的稳定性，提高整个电池的稳定性及使用性能。
CN115911369A	一种铝离子电池有机正极及铝离子电池本发明公开了一种铝离子电池有机正极及铝离子电池，涉及二次电池技术领域。通过在正极中引入p型有机化合物，利用p型有机化合物独特的阴离子氧化还原特性，具有比其他有机材料更高的工作电压；p型有机化合物在与配位离子可逆配位‑解离过程中不会发生旧化学键的破坏和新化学键的形成，表现出好的化学稳定性和快的反应动力学。此外，p型聚合物正极材料在离子液体电解液中具有低的溶解度，表现出优秀的充放电循环稳定性。
CN115911368A	一种硬碳负极材料、负极片和电池本发明涉及负极片材料的技术领域，提供了一种硬碳负极材料，所述硬碳负极材料呈多微孔层状结构；其中，所述微孔的最可几孔径为0.35nm‑1.5nm，所述硬碳负极材料在63.66Mpa下的电导率为2‑130S/cm。该硬碳负极材料具有特殊超细微孔结构，应用于锂离子电池时，可以实现微孔嵌锂，使锂离子在0V电压附近于硬碳负极材料的微孔结构内转化为团簇态锂。可以有效避免锂枝晶的生长，同时有效控制了嵌锂前后负极材料的体积膨胀，从而降低正负极电压，改善高温循环。
CN115911367A	一种基于氟化碳电极的高比能型电池本发明公开了基于氟化碳电极的高比能型电池，属于电池领域，一种基于氟化碳电极的高比能型电池，包括正极、负极和电解液，正极的活性物质为CFx，负极为金属锌或基于金属锌为主体的化合物，电解液包括基于水溶液为主体的电解液或纯有机溶液电解液。本发明的基于氟化碳电极的高比能型电池，采用氟化碳‑锌电池体系，使得电池具有放电电压平台高，电压曲线平稳，比容量高和倍率性能优异等突出优点。
CN115911364A	一种掺杂磷酸铁锂正极材料及其制备方法和应用本发明公开了一种掺杂磷酸铁锂正极材料及其制备方法和应用，制备方法包括：将锌盐溶液、铝盐溶液以及无水碳酸钠溶液在60～70℃和pH值为6.8～7.2下反应后老化，固液分离且干燥后依次在空气、真空和氢气中均煅烧后制备铝掺杂氧化锌分散液；向铝掺杂氧化锌分散液中加入可溶性三价铁盐，溶解后加入磷酸源在60～80℃和pH值为1.6～2.4下反应，固液分离得掺杂磷酸铁前驱体；在无氧气氛中，将掺杂磷酸铁前驱体、锂源以及碳源混合后烧结。将铝掺杂氧化锌包覆或掺杂磷酸铁锂，得到的正极材料具有较好的导电性、容量保持率及首次效率，并且不影响磷酸铁锂的结果稳定性。
CN115911363A	一种制备氮磷共掺杂的MXene负极材料的方法和应用本发明提供一种制备氮磷共掺杂的MXene负极材料的方法和应用。所述方法包括以下步骤：首先将氢氟酸溶液对MAX原料进行刻蚀，洗涤后经冷冻干燥后得到MXene材料；而后将步骤(1)得到的MXene材料、氮源和磷源以及溶剂进行混合，得到混合液，凝胶化反应后进行一次煅烧和二次煅烧，冷却得到所述氮磷共掺杂的MXene负极材料。本发明利用简单的氮磷共掺杂法，以MXene为基底制备氮磷掺杂后的MXene材料，并将该材料用于锂离子电池的负极材料中，提高单一材料的可逆比容量，使材料的循环稳定性也得到提升。
CN115911362A	一种磷酸铁锂正极材料及其制备方法与应用本发明公开了一种磷酸铁锂正极材料及其制备方法与应用，该磷酸铁锂正极材料具有核‑壳结构，包括磷酸铁锂为内核，沿内核表面生长得到的磷酸铁锂内壳层，和包覆在内壳层外的碳包覆层外壳；其中，磷酸铁锂内核的一次粒径小于150nm。本发明首先通过水热法制备小尺寸磷酸铁锂内核，然后通过采用草酸亚铁工艺使磷酸铁锂内壳层沿内核界面上生长结晶，从而获得了具有高一致性的壳核结构的磷酸铁锂正极材料；由于正极材料的内核也是磷酸铁锂，不会降低材料整体容量的发挥；本发明采用草酸亚铁工艺路线制备壳核结构的磷酸铁锂正极材料，在配料容易控制、工艺简单的基础上仅需要少量水热法制备磷酸铁锂内核，有利于材料制造成本的控制。
CN115911358A	正极活性材料、电池及其制备方法本申请公开一种正极活性材料、电池及其制备方法。正极活性材料包括多孔二次颗粒，正极活性材料满足如下特征：4≤BET×TD×(Dv90‑Dv10)≤14，其中，BET表示正极活性材料的比表面积的值，单位为m2/g，TD表示正极活性材料的振实密度的值，单位为g/cm3，Dv90表示正极活性材料的体积累计分布百分数达到90％时对应的粒径的值，单位为μm，Dv10表示正极活性材料的体积累计分布百分数达到10％时对应的粒径的值，单位为μm。本申请通过控制正极活性材料的颗粒形貌、尺寸和孔结构，实现低温功率性能的提升；并且通过合理控制正极活性材料的颗粒形貌、粒度分布以及振实密度，达到提高电池体积能量密度的效果。
CN115911356A	正极材料及其制备方法和应用本发明提供一种正极材料及其制备方法和应用，该正极材料表示基于所述正极材料经不同压力压制后的累积粒度分布变化率获得的所述正极材料的产气指数。该正极材料具有良好的结构稳定性和颗粒耐压强度，不易碎裂，能够降低电池的体积膨胀，提高电池性能。
CN115911353A	一种二氧化锰-四氧化三锰复合材料、制备方法及其应用本发明公开了一种二氧化锰‑四氧化三锰复合材料、制备方法及其应用，涉及材料制备技术领域，将二氧化锰‑四氧化三锰复合材料放入到离子水中，进行搅拌，并随后放入粘合剂，搅拌均匀后得到负极浆料，随后将所得负极浆料均匀的涂覆在金属集流体上，然后烘干，压片，冲片即得到可用作锂离子电池负极的负极片：本发明的有益效果为：该二氧化锰‑四氧化三锰复合材料、制备方法及其应用，通过使用分开配置并混合的方式对二氧化锰‑四氧化三锰复合材料进行制备，从而在进行制备的过程中可以有效的减少材料制备的时间，并且，可以直接根据二氧化锰自作为原料进行四氧化三锰的配置，使用更加方便。
CN115911352A	一种可用于高性能锂离子电池电极的TiNC1超导材料及其制备方法本发明属于锂离子电池电极材料技术领域，具体涉及一种使用TiNCl超导材料作为高性能锂离子电池电极负极材料的方法及改性措施。包括步骤(1)：制备超导材料TiNCl电极材料并提高其结晶度；步骤(2)：将步骤(1)制得的TiNCl进行氧化处理以制得TiO2包覆的TiNCl电极材料。包覆TiO2后，TiNCl的结构稳定性显著提升。本发明提供的方法不仅可以大幅度提升负极材料的电子导电性，同时提供了能够进行快速锂离子传输的嵌入型材料。TiO2和TiNCl的结合不仅能够提高倍率性能和循环稳定性，界面储锂还能提供额外的比容量。这一合成方法步骤简单、无需特殊设备与苛刻反应条件，易于产业化制备。
CN115911350A	一种预锂化硅氧复合材料及其制备方法和应用本发明公开了一种预锂化硅氧复合材料的制备方法及其产品，首先通过球磨将金属盐类均匀包覆于SiOx表面，然后进行碳包覆处理，得到含碳包覆层的SiOx材料；再通过水洗处理将SiOx表面包覆的金属盐层去除，同时在包覆碳层上形成孔隙结构；接着对具有孔隙的含碳包覆层的SiOx材料进行预锂化处理；最后经过一步有机酯的包覆制备得到预锂化硅氧复合材料。本方法制备得到的预锂化硅氧复合材料的pH值为<10，调配水性浆料时无产气现象，以该预锂化硅氧复合材料组装得到的锂离子电池兼具优异的首次库伦效率、首次可逆容量和循环稳定性。
CN115911340A	一种载硫层状杨木炭/聚苯胺复合正极材料及其制备方法与应用本发明公开提供了一种用于锂硫电池正极的载硫层状杨木炭/聚苯胺复合材料及其制备方法，属于锂硫电池领域。通过对甲苯磺酸催化杨木纤维碳化获得表面具有含氧官能团的三维载硫层状杨木炭材料；通过原位聚合在载硫层状杨木炭表面生成聚苯胺；通过硫单质的升华沉积，在表面氧官能团的作用下，将硫分布在三维多孔碳表面。所获得的载硫层状杨木炭/聚苯胺复合材料作为锂硫电池正极材料具有制备工艺简便，较高比容量(约830.96mAhg‑1)和较好的循环稳定性。
CN115911328A	一种金属锂复合负极及其制备方法和应用本发明公开了一种金属锂复合负极及其制备方法和应用。金属锂复合负极包括骨架材料和金属锂，骨架材料为LiCa、LibSic和LidAle中的至少一种；为了提升复合负极的性能，还可以向其中加入助剂，助剂为Mg粉、Zn粉、Cu粉、Ag粉、Sn粉、Au粉、Ti粉和Mo粉中的至少一种。制备时，先将金属锂熔化，然后将骨架材料和助剂加入熔融金属锂中，反应一段时间后进行轧制，再压制成片或粉碎成粉，即得。采用本发明中的方法制得的复合负极既具有较高比容量，又具有良好安全性能，能够很好地满足热电池使用需求。
CN115911325A	一种表层稳定的钠离子电池正极材料制备方法本发明提供一种表层稳定的钠离子电池正极材料制备方法。通过Ti、Zr溶胶在前驱体上包覆Ti、Zr，利用包覆Ti、Zr的前驱体制备表层稳定的钠离子电池正极材料。此方法解决了常规包覆不均且仅停留在表面的问题，有效阻断了钠离子电池正极材料与空气及电解液接触，提升循环稳定性。同时Ti、Zr进入钠离子正极材料表层，在充放电过程中稳定正极材料表层结构，提升了容量保持率。
CN115911323A	核-壳结构的正极材料、其制备方法、电池正极和二次电池本申请涉及一种核‑壳结构的正极材料，包括芯部和外包覆层，自芯部向外，外包覆层依次包括电解质层和强化层，芯部的材料包括三元正极材料，电解质层包括化学式为LiaM1bM2c(PO4)3的金属磷酸盐，0＜a＜10，0≤b＜10，0≤c＜10，M1和M2不同且分别选自Y、Ni、Co、Mn、Zr、Bi、Zn、La、Al、Ti、Ge、W或Sr，强化层包括氮化碳。本申请还涉及一种核‑壳结构的正极材料的制备方法，操作简单，易于实现规模化生产。本申请还涉及一种包括上述核‑壳结构的正极材料的电池正极、二次电池和用电装置，具有优良的倍率性能和循环稳定性能。
CN115911321A	一种硅藻基复合材料及其制备方法和应用本发明公开了一种硅藻基复合材料及其制备方法和应用，该材料制备过程中采用乙二胺四乙酸(EDTA)螯合金属离子，加入乙醇使螯合物金属‑EDTA沉淀至硅藻表面，通过煅烧，实现了由碳‑金属网络包覆的低阻抗硅藻负极材料的制备。本发明制备工艺简单，安全性高，同时利用了硅藻独特的天然结构，生物相容性良好，不对环境造成污染，增强了硅藻负极的导电性，具有良好的循环性能。
CN115911320A	一种复合硬碳材料及其制备方法和应用本发明涉及一种复合硬碳材料及其制备方法和应用。根据本发明的复合硬碳材料，包括硬碳颗粒基体和软碳层。其中，所述硬碳颗粒基体中分散有掺杂活性位点和孔洞，所述孔洞的一端延伸至所述硬碳颗粒基体内部，另一端分布在所述硬碳颗粒基体表面形成开口；所述软碳层包覆在所述硬碳颗粒基体表面，覆盖所述开口。该复合硬碳材料用于钠离子电池负极时，具有固定的化学成分，并且可以提高电池中钠离子在硬碳中的扩散动力学和存储容量，改善了钠离子电池的倍率性能和功率密度。本发明还提供了复合硬碳材料的制备方法和应用。
CN115911319A	疏水性钠离子电池正极材料，其制备方法以及钠离子电池本发明公开了一种疏水性钠离子电池正极材料，包括钠离子电池正极材料以及形成于所述钠离子电池正极材料表面的疏水复合物层；其中，所述钠离子电池正极材料为层状金属氧化物，通式为NaxMO2+y，其中M为过渡金属中的一种或多种，0.5≤x≤1.0，‑0.1≤y≤0.1，且各元素满足电荷平衡；所述疏水复合物是由疏水性粘结剂和碳材料构成的，所述疏水性粘结剂为含氟聚合物。本发明还公开了所述疏水性钠离子电池正极材料的制备方法以及由其制备的钠离子电池正极片及钠离子电池。本发明的疏水性钠离子电池正极材料，具有很好的抗水性，改善了层状氧化物材料匀浆之后的稳定性以及电化学性能。
CN115911316A	一种二氧化钛包覆含氧缺陷三氧化钼材料及其制备方法与应用本发明公开了一种二氧化钛包覆含氧缺陷三氧化钼材料及其制备方法与应用。二氧化钛包覆含氧缺陷三氧化钼材料(MoO3‑x@TiO2)的制备方法为：先以钛酸四丁酯为钛源在MoO3表面包覆TiO2，然后以甲醇、乙醇等低碳数脂肪醇为还原剂，引入氧缺陷。TiO2包覆层避免MoO3‑x与电解液接触，抑制溶解，并约束MoO3‑x，使其在反复质子嵌入/脱出过程中保持结构稳定。氧缺陷的引入则能扩大MoO3层间距，提高MoO3‑x@TiO2的导电性，促进质子的传输动力学。因此，MoO3‑x@TiO2作为质子存储电极材料，兼具高容量、大倍率和良好的循环稳定性。
CN115911314A	导电材料包覆三元前驱体及其制备方法和应用本发明公开了一种导电材料包覆三元前驱体及其制备方法和应用。所述方法包括以下步骤：采用表面活性剂对导电材料进行预处理后，与三元前驱体进行液相混合，干燥后得到导电材料包覆的三元前驱体；其中，表面活性剂包括聚乙烯蜡。本发明的方法通过采用特定种类的表面活性剂对导电材料进行预处理，不仅可以提高正极材料前驱体的导电性进而提高后续制备的正极材料的导电性，还可以抑制进一步的相变，减轻裂纹的产生，提高了正极材料的循环性能和比容量。
CN115911308A	复合硫正极材料及其制备方法、复合硫正极及其制备方法本发明提供了一种复合硫正极材料及其制备方法、复合硫正极及其制备方法，属于新能源技术领域。该复合硫正极采用以下方法制备：取无机锌盐和2‑甲基咪唑并分别溶于甲醇中，使两者反应，反应结束后获得ZIF‑8前驱体；取ZIF‑8前驱体并将其分散于缓冲液中，后加入盐酸多巴胺、无机铁盐和无机钴盐并反应，反应结束后获得CoFe‑PDA@ZIF‑8；将CoFe‑PDA@ZIF‑8和氮源混合后进行热解，对热解产物进行提纯得到中间体；将中间体与升华硫混合均匀，同时将混合后的产物在第一温度和惰性气氛条件下保温即得；复合硫正极利用复合硫正极材料、乙炔黑和聚偏二氟乙烯制得。本发明利用铁、钴单原子与铁钴合金协同催化作用，改善锂硫电池的电化学性能，为锂硫电池领域合理选择金属催化提供理论依据。
CN115911306A	一种高能量密度石墨复合材料及其制备方法本发明涉及一种高能量密度石墨复合材料及其制备方法，该材料由外壳和内核构成，内核为石墨，外壳的多孔氧化铈为10 wt%～30wt%、钛酸锂为0.5 wt%～2wt%、余量的无定形碳。所述外壳和内核的质量比为（1～10）：（90～100）。通过将多孔氧化铈包覆在石墨的表面后，聚合反应得到硬碳包覆层材料，并在石墨表面同时包覆多孔氧化铈和硬碳复合材料。本发明能能提升石墨复合材料的电子导电性和降低膨胀，并提升石墨复合材料功率及能量密度。
CN115911302A	高镍低钴正极材料及其制备方法和应用本申请提供的高镍低钴正极材料包括正极材料基体、第一包覆层和第二包覆层，第一包覆层包覆在正极材料基体的表面，第二包覆层包覆在第一包覆层的表面；第一包覆层包括化学式为LiaNibCocM1‑b‑cOd的材料，其中，M包括Mn和Al中的一种或两种，0.2≤a≤1，0.88＜b≤0.98，0≤c＜0.06，b+c＜1，1.6≤d≤2；第二包覆层的材料包括Li3PO4、Li2SO4和LiPO3中一种或多种。上述高镍低钴正极材料能够阻止电解液对正极材料基体的腐蚀，保护体相结构的完整性，有效抑制充放电循环过程中高镍低钴正极材料层状结构的分解和坍塌，从而提升高镍低钴正极材料的长循环性能。
CN115911297A	一种双包覆镍三元正极材料及其制备方法本发明提供了一种双包覆镍三元正极材料及其制备方法，制备原料包括镍三元材料；和包覆在镍三元材料表面的包覆层；包覆层中包括硼化物的快离子导体和合金硼化物；硼化物的快离子导体选自LiBO2、Li2B4O7、Li3BO3和H3BO3中的一种或多种；硼化物的快离子导体占镍三元材料的含量大于0且小于等于1％；合金硼化物占镍三元材料的含量大于0且小于等于0.5％。硼化物的快离子导体在加热后，以玻璃状存在于正极材料表面，将一次粒子粘结在一起，有效提高离子和电子电导；在循环过程中，两者共同作用，具有更好容量发挥、容量保持率、更低DCR增长率，存储过程中，拥有更好的产气性能。
CN115911295A	一种氧化亚硅复合材料的制备方法及其产品和在锂离子电池中的应用本发明公开了一种氧化亚硅复合材料的制备方法，以中值粒径为0.1～2.0μm的氧化亚硅材料细粉为原料，先通过利用特殊组成的聚合物微球乳液与其复合形成造粒用浆料，再经喷雾干燥处理，处理过程中同时实现对氧化亚硅材料细粉的二次造粒和对二次造粒后的氧化亚硅材料进行聚合物的包覆，最后进行加热碳化。本发明的制备方法有效解决了氧化亚硅材料细粉大量堆积导致资源严重浪费的问题；制备得到的氧化亚硅复合材料具有合适的中值粒径和比表面积，表面包覆的碳层也极为均匀，以其为负极材料组装而成的锂离子电池具有优异的高温循环性能，且兼具高容量与高的首次库伦效率。
CN115911293A	一种混合型钠离子电池正极材料、制备方法和应用本发明涉及一种混合型钠离子电池正极材料、制备方法和应用。所述混合型钠离子电池正极的组成包括：含量为1‑x的氧化物正极材料，及含量为x的NASICON型Mn基正极材料；其中所述NASICON型Mn基正极材料的化学通式为NamMnnMp(PO4)j，x为NASICON型Mn基正极材料的投入比，0.01
CN115911292A	负极材料及其制备方法、锂离子电池本申请涉负极材料及其制备方法、锂离子电池，所述负极材料为核壳结构，所述负极材料包括硅内核及形成于所述硅内核至少部分表面的多孔硅碳复合层，所述多孔硅碳复合层包括碳基体及分散在所述碳基体中的纳米硅颗粒，所述碳基体形成有孔洞。本申请的负极材料，在硅内核的表面设置多孔硅碳复合层作为缓冲层，多孔硅碳复合层包括碳基体及分散在碳基体中的纳米硅颗粒，碳基体形成有孔洞，孔洞的孔结构可以有效缓解硅内核的体积膨胀，并充当弹性导电体，多孔硅碳复合层可提供离子和电子传输路径，增强硅内核与外界的导电性，提高倍率性能。
CN115911289A	一种商用车用起动型铅酸蓄电池和负极铅膏材料及负极板本申请涉及商用车用铅酸蓄电池技术领域，具体公开了一种商用车用起动型铅酸蓄电池和负极铅膏材料及负极板。起动型铅酸蓄电池包括电极组，电极组包括多个正极板、多个负极板、多个PE电极隔板，多个正极板、多个负极板交叉设置，负极板的数量比正极板的数量多一个，负极板为平板状极板；正极板包括正极横向边框、正极极耳、多个正极纵向筋条，多个正极纵向筋条外周面分别套设有涤纶套管，涤纶套管和正极纵向筋条之间形成容纳腔体，正极铅膏填充在容纳腔体内且固化形成正极活性物板体，涤纶套管上设置有上插接套筒、下插接套筒。该起动型铅酸蓄电池，具有使用寿命长、耐过充、耐过放电、耐振动的优点，支撑日常生活起居用电，满足市场需求。
CN115911288A	一种基于石墨烯碳材料的AGM型起停铅碳电池极板及其制备方法本发明涉及一种基于石墨烯碳材料的AGM型起停铅碳电池极板及其制备方法，所述基于石墨烯碳材料的AGM型起停铅碳电池极板包括以下重量份的原料：100‑150份石墨烯基板和300‑400份纳米插层液；所述基于石墨烯碳材料的AGM型起停铅碳电池极板的制备方法，包括下列步骤：S1:制备石墨烯基板和纳米插层液；S2:将纳米插层液涂抹至石墨烯基板表面，再进行干燥处理，得基于石墨烯碳材料的AGM型起停铅碳电池极板。本发明制备的基于石墨烯碳材料的AGM型起停铅碳电池极板，工艺过程环保简单可靠，具有良好的机械性能和电化学性能。
CN115911287A	一种铅酸电池正极板及其制备工艺本发明公开了一种铅酸电池正极板及其制备工艺，涉及电池技术领域，所述铅酸电池正极板包括板栅和正极铅膏，所述板栅包括以下质量百分比的原料：锡1‑2%、锑1.1‑2.1%、镧0.01‑0.02%，其余为电解铅；所述正极铅膏包括以下质量百分比的原料：涤纶短纤维0.07‑0.2%、胶体石墨0.5‑0.8%、4BS种子0.15‑0.5%、红丹1‑3%、锑络合物0.05‑0.08%、氮化锑0.03‑0.1%、纯水8‑11%、稀硫酸6‑8%，其余为铅粉。本发明有效地消除了免维护铅酸电池正极板的无锑效应，并大幅度地增强了活性物质与板栅的结合力，进而提升了正极板制得的铅酸电池的循环寿命。
CN115911284A	一种利用离子辐照技术改性硬炭材料的方法和应用本发明属于离子电池技术领域，公开了一种利用离子辐照技术改性硬炭材料的方法，包括S1、将硬炭前驱体在惰性气体中升温，使材料发生炭化、裂解反应；冷却后，将材料研磨过筛得到硬炭粉末；S2、将硬炭粉末与导电剂、粘结剂混合均匀，加入溶剂搅拌成均匀浆料，涂布于铝箔上，烘干得到硬炭材料极片；S3、利用离子注入机将离子源产生的离子经高压加速后，高速射向硬炭材料极片；实现对硬炭材料极片微观结构的可控改性；本发明采用低成本的原材料，通过高温炭化制得硬炭材料，将硬炭材料制成极片后再通过离子辐照技术，调整离子注入机的参数，获得可控改性程度的硬炭材料极片，使其具有高首次库伦效率和高倍率性能。
CN115911277A	电芯极片制造方法、电芯制造方法、电芯及电池本发明涉及电池技术领域，尤其涉及电芯极片制造方法，包括集成体制作阶段、配制浆料阶段、喷涂阶段和烘烤阶段。集成体制作阶段是将经分切、模切后的待加工极片通过堆叠或卷绕形成集成体。配制浆料阶段为配制防护浆料，防护浆料包括绝缘材料、溶剂、粘结剂和增稠剂。喷涂阶段是将防护浆料喷涂在集成体上得到加工后极片，以使加工后极片的一个或多个端面上形成喷涂层，端面与加工后极片的第一板面相邻，第一板面的面积大于任意端面的面积。烘烤阶段是烘烤集成体，以去除喷涂层中的溶剂。通过上述电芯极片制造方法，可使加工后极片的端面上形成喷涂层来覆盖端面上的毛刺，防止毛刺刺穿隔膜。本发明还提供电芯制造方法以及制得的电芯和电池。
CN115911272A	包含硅颗粒的大型电池组阳极本文描述了适用于锂离子储能装置和电池组中的含有高重量百分数硅的大型阳极及其制造方法。本文所述的阳极材料可包括浇铸在集电体基板上的膜，该膜包含多个活性材料颗粒和包覆在活性材料颗粒上的导电聚合物膜。在一些实施方案中，导电聚合物膜包含聚丙烯腈(PAN)。制造阳极材料的方法可包括制备包含活性材料颗粒和导电聚合物材料的浆料、在集电体基板上浇铸该浆料和使复合材料经受干燥和热处理。
CN115911269A	一种负极浆料及其制备方法、负极极片和锂离子电池本发明提供了一种负极浆料及其制备方法、负极极片和锂离子电池，所述负极浆料包括负极活性材料和可牺牲分散剂，所述可牺牲分散剂在温度>50℃时直接挥发或在温度>50℃时发生水解反应以分解产物的形式挥发。本发明通过采用特定的可牺牲分散剂来替代传统的增稠剂，实现提高负极浆料稳定性的目的；同时，本发明的可牺牲分散剂在后续的涂布及烘干过程中能够挥发，不占用负极极片的质量，从而提升了负极活性材料的占比和负极浆料的固含，使制备得到的锂离子电池具有较高的能量密度、倍率性能和低温放电性能。
CN115911268A	改性负极片及其制备方法、用途以及电池本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种改性负极片及其制备方法、用途以及电池。包括集流体以及位于集流体表面的负极材料层，负极材料层中含有改性材料，和/或负极材料层的表面具有由改性材料形成的功能层，其中，改性材料包括由可聚合单体原位聚合形成的聚合物，可聚合单体包括式(1)所示的化合物：由上述可聚合单体原位聚合得到的聚合物具备良好的热稳定性、良好的机械强度以及较高的内聚力，因此，本发明的改性负极片具备较好的热稳定性以及较高的机械强度。
CN115911267A	一种正极片及其制备方法和二次电池本发明属于二次电池技术领域，尤其涉及一种正极片的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、将第一原料与第一溶剂混合制成第一浆料，所述第一原料包括钴酸锂；步骤S2、将第二原料与第二溶剂混合制成第二浆料，所述第二原料包括钴酸锂和镍钴锰酸锂；步骤S3、将第二浆料涂覆于正极集流体至少一表面，干燥形成第一涂层；步骤S4、将第一浆料涂覆于第一涂层的表面，干燥形成第二涂层得到正极片。本发明的一种正极片的制备方法，采用双层涂布方式，表面使用结构更稳定的活性材料，避免结构坍塌，从而提高正极片的性能。
CN115911263A	一种锂金属复合极片及其制备方法和应用本发明属于电池材料技术领域，具体涉及一种锂金属复合极片及其制备方法和应用。本发明提供的锂金属复合极片，能有效地提升锂离子电池中的负极界面稳定性和抑制锂枝晶生长，应用场景包括但不限于在液态电池，半固态电池和全固态电池体系里。首先，本发明提供的锂金属复合极片可以有效改良负极侧锂离子沉积不均匀现象，引导锂离子的均匀沉积抑制死锂形成；其次，在循环过程中膨胀率比纯的锂金属极片大幅降低，使得在界面生成的SEI层不会在循环过程中由于极片的膨胀而碎裂脱离；最后，所述锂金属复合极片不会与固态电解质和液态电解液发生自反应，副反应性极低，减小了循环过程中电解质和电解液被消耗的可能性，大大增加了电池的循环寿命。
CN115911259A	一种电池极组及二次电池本发明属于二次电池技术领域，尤其涉及一种电池极组及二次电池，包括至少两个第一极片组、至少一个第二极片组以及若干个组间隔离膜，所述第二极片组设置于电池极组中心，所述第一极片组设置于电池极组的两侧，所述组间隔离膜用于对第一极片组之间、第二极片组之间以及第一极片组与第二极片组之间的分隔，所述第一极片组包括第一负极片，所述第二极片组包括第二负极片，所述第一负极片的压实密度小于或等于第二负极片的压实密度。本发明的一种电池极组，能够抑制膨胀，使电池兼具高能量密度和长循环寿命。
CN115911258A	电池及其制备方法本申请提供了一种电池的制备方法，包括如下步骤：采用物理气相沉积法制备得到正极集流体和负极集流体，所述正极集流体和所述负极集流体均为三维多孔结构，所述正极集流体和所述负极集流体的孔隙率均为85％‑99％；将正极浆料涂布在所述正极集流体上，并使所述正极浆料嵌入所述正极集流体的孔隙内以形成正极片；将负极浆料涂布在所述负极集流体上，并使所述负极浆料嵌入所述负极集流体的孔隙内以形成负极片；将所述正极片、隔膜和所述负极片进行叠片或卷绕，从而得到所述电池。本申请制备的方法能够提高集流体上的负载量，提高电池的能量密度。本申请还提供一种电池。
CN115911254A	一种高安全电极片及其制备方法和应用本申请提供一种高安全电极片及其制备方法和应用，包括集流体以及覆盖于集流体上的电极材料，该电极材料包括电极活性材料、导电剂和粘结剂，所述高安全电极片为正极片和/或负极片；其特征在于，所述电极材料还包括通过单体聚合而成的磷基聚合物材料；所述磷基聚合物材料在所述电极材料中的质量占比为0.05～10％。本申请提供的含有磷基团和环状结构的聚合物材料，其能够应用于电池中，起到提高电池安全性、提高电池循环稳定性、延长电池使用寿命的作用。
CN115911252A	镁/氯化亚铜海水电池、正极材料及其制备方法本发明公开了一种镁/氯化亚铜海水电池、正极材料及其制备方法，属于海水电池技术领域。该制备方法包括：将氯化亚铜粉末与硫化亚铜粉末按照95～99:1～5混合，得到电极粉料；将电极粉料置于熔融装置内密封加热至450～520℃，保温2～4h，得到熔融体；将熔融体浇注至安装有集流体的辊压机的对辊上，熔融体通过对辊进行冷却结晶，将集流体嵌在结晶体中间，制成带状电极。本发明将氯化亚铜粉末与硫化亚铜粉末材料混合加热熔融，然后连续浇注到预制有集流体的辊压机，有助于提高氯化亚铜正极的导电性，改善了正极集流条件，提高大电流放电性能，特别是初始阶段电压。
CN115911251A	一种提升锂铬基金属氧化物电池放电电压的匀浆方法本发明公开一种提升锂铬基金属氧化物电池放电电压的匀浆方法，采用高DN值溶剂和低密度导电剂对铬基金属氧化物电极进行改性；将铬基金属氧化物与低密度导电剂干粉混匀；将PVDF粉末溶解在DMSO中，混匀后加入到混匀的干粉混合物中，混匀后制得用于涂覆极片的浆料。本发明具有的有益效果是：选用具有高DN值和较低沸点的溶剂DMSO对铬金属氧化物进行处理，增加了铬金属氧化物的层间距并降低了铬氧键的键能，从而有利于锂离子的嵌入和后续转化反应的发生，从而提升电池的放电电压；同时形成的多孔道结构也有利于电解液的浸润，提升电池的电化学性能。
CN115911250A	极片加工设备、电芯和其制作方法、电池装置及用电设备本发明提出一种极片加工设备，其包括检测加工模块以及分拣模块；检测加工模块的检测单元用于检测极卷是否存在表面缺陷，模切装置用于按照对应一条料带的长度范围依次对极卷进行极耳切割，且根据检测单元的检测结果，对无缺陷的极卷进行不等间距的极耳切割，并对有缺陷的极卷进行等间距的极耳切割，标记装置用于对有缺陷的极卷进行标记；分拣模块的识别装置用于识别极卷是否具有标记，切割装置用于按照长度范围将极卷切割为料带，第一收集装置用于收卷不具有标记的料带，分拣提取装置用于将具有标记的料带输送至第二收集装置，第二收集装置用于将具有标记的料带分切为多个单元极片，并将具有标记的单元极片剔除。
CN115911248A	一种水系锌电池二氧化锰电极的界面相及其制备方法本发明涉及一种水系锌电池二氧化锰电极的界面相及其制备方法；将二氧化锰电极作为工作电极，磷酸二氢铵水溶液作为电解液，与对电极和参比电极组成三电极体系，利用循环伏安法进行反应，在二氧化锰电极表面原位生成一层磷酸锰纳米层，随后在烘箱中干燥；将电化学处理后的电极作为正极、锌箔作为负极以及含有硫酸锰添加剂的硫酸锌作为电解质，组装成电池，将电池循环一定次数后，二氧化锰电极界面的磷酸锰纳米层转变为含有大量层间水的δ‑MnO2纳米层，可大幅增强H+的存储，所以实现电池快速的载流子动力学。本发明成本低，工艺简单，所制备的δ‑MnO2纳米层界面相赋予了二氧化锰电极优异的倍率性能和循环稳定性，具有较好的应用前景。
CN115911245A	一种具有取向保护层的金属锌负极及其制备方法与应用本发明公开了一种具有取向保护层的金属锌负极及其制备方法与应用。所述具有取向保护层的金属锌负极的制备方法，包括如下步骤：1)制备取向片状氧化物；2)将取向片状氧化物、电子导电剂和粘结剂加入到有机溶剂中，获得取向保护层浆料；3)将取向保护层浆料涂覆在金属锌基底上，经真空烘干，得到所述金属锌负极极片。本发明在金属锌片表面修饰了有较高亲锌性和与Zn(002)晶面晶格匹配的晶面，其能吸附Zn2+并使其稳定存在于取向保护层表面，且能诱导Zn2+以(002)晶面方向沉积，达成外延生长界面，以抑制锌枝晶产生，延长锌二次电池使用寿命。
CN115911242A	一种负极片及其制备方法和锌基电池本申请涉及锌基电池技术领域，提供了一种负极片及其制备方法和锌基电池，该负极片包括锌片和依次层叠设置在锌片表面的黏附层和水凝胶保护层，黏附层位于锌片和水凝胶保护层之间。本申请提供的负极片，所含的水凝胶保护层兼具有高离子导电率、超韧性和柔性，并且其在所含的黏附层的黏附作用下，水凝胶保护层和锌片之间具有很强的黏附力，因此，能保证水凝胶保护层在强形变状态下不剥离脱落，从而凝胶保护层能有效抑制柔性锌负极的锌枝晶生长，起到保护锌负极的作用，有效提高了柔性锌基电池的电化学稳定性。
CN115911241A	显示面板及显示装置本申请提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括基板、第一电极层和至少一层导热层；第一电极层设置于导热层基板沿其厚度方向的一侧，导热层第一电极层包括多个间隔分布的第一电极，相邻两个导热层第一电极相互绝缘；至少一层导热层与导热层第一电极接触连接。本申请提供的显示面板及显示装置，通过设置导热层与第一电极接触连接，以通过导热层将发光单元和第一电极产生的热量散发出去，如此，可以降低发光元件的温度过高的风险，进而降低发光元件中的发光材料如量子点材料或者有机材料裂解的风险，进而提高显示面板的使用寿命。
CN115911236A	一种绑定结构及电致变色器件本发明提供一种绑定结构及电致变色器件，属于电子领域。绑定结构包括电连接的引出电极和中间层；中间层包括粘接层和至少一个汇流条；中间层与导电基底之间的接触面积不小于引出电极与中间层之间的接触面积；粘接层与汇流条之间的接触面积小于中间层与导电基底之间的接触面积，通过调节汇流条或粘接层与导电层之间的接触面积，以提高引出电极与导电层之间的粘接力，以提高引出电极与导电层之间电连接的稳定性。
CN115911235A	发光模组和显示装置本公开提供了一种发光模组和显示装置，该发光模组包括基板、第一驱动电路层和至少一个第一发光单元组。基板表面上设置有至少一条第一凹槽。第一驱动电路层位于基板上且包括至少一条位于第一凹槽中的第一信号线。第一发光单元组位于基板的设置有第一驱动电路层的一侧，且包括至少一个第一灯珠，第一灯珠串联在第一信号线上。该发光模组中，第一信号线设置在基板的第一凹槽中，相当于嵌入在基板中，使得第一信号线不会因暴露在基板之外而产生例如磨损等损坏，而且第一信号线的设置不会增加发光模组的设计厚度，有利于发光模组的轻薄化设计。
CN115911231A	电子装置一种电子装置，其包含显示面板、导电层以及第一折射率匹配层。显示面板包含第一基板以及位于第一基板上方的第二基板。导电层位于第二基板上方。第一折射率匹配层位于导电层以及第二基板之间。第一折射率匹配层的折射率小于导电层的折射率。
CN115911230A	显示装置本发明公开一种显示装置，包括显示模块以及遮光结构，显示模块具有基板、多个光电单元及保护层，基板定义有第一面与第二面，这些光电单元布设于基板的第一面上，各光电单元具有至少一个光电件，保护层设置于基板的第一面且填充于这些光电件之间。遮光结构连接保护层，遮光结构具有遮光层与定义于遮光层的多个窗口，这些窗口沿垂直基板的第一面的方向上分别对应并透现这些光电单元。
CN115911229A	LED显示模组面罩填料、封装方法及封装结构本发明涉及一种LED显示模组面罩填料、封装方法及封装结构。LED显示模组面罩填料包括第一填充颗粒、第二填充颗粒和热熔颗粒，第一填充颗粒的尺寸小于间隙空间的尺寸，第二填充颗粒的尺寸小于第一填充颗粒的尺寸，热熔颗粒的尺寸小于第二填充颗粒的尺寸；LED显示模组封装方法能够采用的LED显示模组面罩填料对LED显示模组进行封装，包括以下步骤：S1：向LED显示模组的间隙空间填充填料；S2：对LED显示模组进行加热，使得填料中的热熔颗粒熔化；S3：对填料进行冷却，使得热熔材料固化。该方法生成的面罩分布在相邻两个灯珠之间的间隙空间，能够防止相邻两个灯珠串光，同时面罩的粗糙表面能够减少反光，有效提高了LED显示模组的对比度和显示效果。
CN115911225A	一种高对比度的LED器件的发光结构及其制作方法本发明公开了一种高对比度的LED器件的发光结构及其制作方法，包括基板、若干芯片、荧光层、反射层和填充层；荧光层覆盖在芯片上方并形成独立的发光单元，反射层包裹在发光单元外周壁，反射层包括金属层和铺设在金属层内外表面的介质层，若干发光单元矩阵排列设置在基板上，相邻两发光单元之间存在间隙，间隙处设有填充层。本发明的高对比度的LED器件的发光结构及其制作方法中，具有LED器件出光效率高、对比度高的优点。
CN115911220A	微元件的修复装置及修复方法本申请提供了一种微元件的修复装置及修复方法，所述修复装置包括：加热组件，包括探针和与所述探针电连接的电源，所述电源用于在所述探针与待去除的微元件相对设置后，向所述探针施加脉冲电流，以使得所述探针加热待去除的所述微元件和驱动背板之间的键合位置；去除组件，用于与所述加热组件相互配合以将待去除的所述微元件从所述驱动背板移除。通过上述方式，本申请能够降低移除待去除的微元件时对相邻微元件的影响。
CN115911219A	球形发光芯片及其制备方法、显示装置本申请提供一种球形发光芯片及其制备方法、显示装置，球形发光芯片包括：发光层；第一电极，第一电极与发光层间隔设置；第二电极，第二电极与发光层间隔设置，第二电极与第一电极用于加载电压，使发光层发光，且球形发光芯片具有穿过球形发光芯片球心的中轴线，第二电极沿中轴线方向延伸，中轴线穿过第二电极；对位引导层，对位引导层环绕于第二电极设置，且对位引导层环绕于第二电极的表面与第二电极的周侧面相贴合。球形发光芯片转移的过程中，在对位引导层的引导作用下精确地转移到目标位置，且对位引导层集中靠近于球形发光芯片的中轴线设置，使得球形发光芯片在对位时更加稳定，进而有效提高球形发光芯片的转移精度及效率。
CN115911218A	微型发光二极管显示设备与其制造方法本发明公开一种微型发光二极管显示设备与其制造方法。微型发光二极管显示设备包括线路基板、像素结构层、支撑结构、连接层以及保护层。线路基板具有上表面。像素结构层设置于线路基板的上表面，像素结构层具有彼此间隔配置的多个微型发光二极管单元，该些微型发光二极管单元面向上表面，并分别与线路基板电性连接，且像素结构层还具有侧面。支撑结构设置于线路基板的上表面，并由上表面往像素结构层延伸且与侧面连接，且支撑结构突出于像素结构层远离线路基板的表面，并与像素结构层的该表面形成容置空间。连接层设置于容置空间。保护层设置于连接层上。
CN115911217A	一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置本申请提供一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置，涉及显示技术领域。该制备方法包括：获取一衬底，在衬底上设置设定标识和多个微型发光芯片，根据设定标识的位置将多个微型发光芯片呈阵列排布；在衬底上设置阻光层，以覆盖设定标识和多个微型发光芯片，其中，阻光层的材质为正性光刻胶；对阻光层的第一预设区域进行处理，以露出设定标识，第一预设区域与设定标识相对应设置；根据设定标识的位置在阻光层上设置第二预设区域，第二预设区域与多个微型发光芯片相对应设置；对第二预设区域的阻光层进行处理，以露出多个微型发光芯片。本申请提供的显示基板的制备方法，既能够提升光串扰的改善效果，又能够提高微型发光芯片的开口率。
CN115911216A	发光二极管本发明公开了一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第一台面，位于所述半导体叠层的边缘区域裸露出所述第一半导体层的第一表面；绝缘层，包括部分形成于所述第一台面上，所述绝缘层包含依次层叠的第一绝缘层、第四绝缘层以及第二绝缘层，所述第四绝缘层为氧化铝，所述绝缘层包含第六开口部以露出所述第一半导体层第一表面；其中，所述第六开口部在半导体叠层生长方向上的投影位于所述第一台面内，所述第六开口部包括第一段和第二段，所述第一段和所述第二段为连续结构，所述第一段沿所述发光二极管的第一边延伸，所述第二段沿所述发光二极管的第二边延伸。
CN115911215A	显示芯片及制造方法、凸起光罩、电极光罩及显示装置本发明实施例公开了一种显示芯片及制造方法、凸起光罩、电极光罩及显示装置，其中，显示芯片包括基底、隔离膜层以及电极层，基底的一端具有呈阵列排布的像素模块，像素模块的第一出光面正对基底设置。隔离膜层于每个像素模块的位置均设置有包覆凸起，包覆凸起包覆在对应位置的像素模块外，且将至少部分第二出光面包裹在内；第二出光面为像素模块上除第一出光面之外的出光面。每个包覆凸起外均设置有电极层，电极层能够与像素模块电连接，且电极层上具有能够反射光线的反射部，反射部覆盖在至少部分包覆凸起上，能够将包覆凸起包裹住的至少部分第二出光面射出的光线朝向基底反射。通过上述设置，使得本发明实施例能够增加像素模块的出光率。
CN115911214A	发光二极管及发光装置本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其外延结构包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一类型半导体层包括第一类型窗口层，第一类型窗口层的一侧设置有第一类型欧姆接触层；第一类型欧姆接触层的材料为Alx1Gay1InP，第一类型窗口层的材料为Alx2Gay2InP，第一类型欧姆接触层中Al的含量小于第一类型窗口层Al的含量。本发明提供的发光二极管，在外延结构材料为铝镓铟磷基础上，通过对第一类型欧姆接触层和第一类型窗口层的设计，降低第一类型欧姆接触层与第一类型半导体层之间的势垒高度，降低第一类型欧姆接触层和第一类型窗口层的本征波长，减少欧姆接触层和第一类型窗口层的吸光，解决发光二极管发光效率不足的问题。
CN115911213A	一种LED芯片及其制作方法本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过所述第一电极作为LED芯片的一个控制接口，实现了呈水平结构的两接触电极(即第一电极和第二电极呈水平结构)或呈垂直结构的两接触电极(即基板和第二电极呈水平结构)。进一步地，本发明中，所述基板包括导电基板，其作为所述LED芯片的另一接触电极；该设计除了可以实现设计的灵活性，也可以通过测试所述第一电极、基板以及第二电极两两之间的伏安特性，以表征所述第一、第二型半导体的表面欧姆接触电阻率，从而为后续的芯片工艺设计提供数据参考，以获得高性能的LED产品。
CN115911212A	一种MicroLED芯片、制作方法及MicroLED显示屏本公开涉及一种MicroLED芯片，包括：衬底、位于衬底一侧的外延发光结构、第一电极和第二电极；外延发光结构包括依次位于衬底一侧的第一导电型外延层、有源层以及第二导电型外延层；外延发光结构包括凹槽台阶，凹槽台阶贯穿第二导电型外延层以及有源层露出第一导电型外延层；第一电极位于凹槽台阶露出的第一导电型外延层上；第二电极位于第二导电型外延层背离有源层的一侧；其中，第一电极和第二电极的水平高度相同。通过设置相同水平高度的第一电极和第二电极，使得MicroLED芯片能够更好的匹配背板的结构，在与背板进行共晶键合过程中，相同水平高度的第一电极和第二电极能够够好的贴合背板的键合连接点，从而提高了键合良率。
CN115911210A	发光二极管本发明公开了一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第三绝缘层，位于所述半导体叠层之上；所述第三绝缘层具有第四开口部和第五开口部；第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第二焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第一焊盘电极的下边缘与所述第四开口部之间具有第一最大水平距离，所述第二焊盘电极的下边缘与所述第五开口部之间具有第二最大水平距离，所述第一最大水平距离小于2μm，所述第二最大水平距离小于2μm。
CN115911208A	深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED 本发明公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED，所述深紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电子阻挡层、P型过渡层和P型接触层；所述P型半导体层包括依次层叠于所述多量子阱层上的AlxGaN渐变层、AlmGa(Inn)N空穴注入层和AlyGaN渐变层，其中，x范围为0.3‑1，y范围为0.3‑1，0.3≤m≤0.8，n≤0.05。本发明提供的深紫外发光二极管外延片能够提高P型材料的空穴注入效率和质量，增强有源区电子空穴的匹配度，从而提高紫外发光二极管的发光效率。
CN115911204A	高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管本发明公开了一种高光效发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的N‑GaN层、应变调控层、多量子阱层和P‑GaN层，所述应变调控层为周期性结构，周期数≥5，每个周期均包括层叠设置的AInGaN层和AlInGaN层；其中，A为B、Mg或Zn中的一种或多种。实施本发明，可削弱多量子阱层内部压电极化效应，提升发光二极管的光效。
CN115911203A	基于双层金属微纳和石墨烯复合结构的半导体外延结构及其制备方法和应用本发明提供一种基于双层金属微纳和石墨烯复合结构的半导体外延结构及其制备方法和应用，属于半导体光电子器件技术领域。本发明基于双层金属微纳和石墨烯复合结构的半导体外延结构，自下而上依次包括衬底，AlN层，N‑AlGaN层，AlGaN多量子阱，P‑AlGaN电子阻挡层，P‑AlGaN层，Al金属微纳结构层，P‑GaN层，Al金属周期性结构层和石墨烯层。本发明通过在P‑GaN层的下方制备Al金属微纳结构层，在P‑GaN层的上方制备Al金属周期性结构层和石墨烯层复合微纳结构，利用表面等离激元与激发态之间的共振耦合效应，解决等离激元集肤深度不足而造成的无法与激发态能量匹配的问题，并大幅增强光提取效率。
CN115911198A	半导体发光元件的外延结构、半导体发光元件及发光装置本发明提供一种半导体发光元件的外延结构、半导体发光元件及发光装置，本申请的外延结构至少包括依次叠置的N型层、V坑开启层、发光层以及P型层，其中所述发光层为交替堆叠的阱层和势垒层，所述阱层的带隙能量低于所述势垒层的带隙能量；其中，V坑开启层包含所述第一超晶格层，并且所述V坑开启层的底表面距离所述第二超晶格层的底表面的距离小于或等于0.15μm，所述第一超晶格层的底表面距离所述发光层的厚度介于0.05μm~0.3μm，使V表面坑的尖端位置不低于发光层的起初始位置，由此降低了外延层中的漏电通道路径，提高了LED发光效率，尤其是低电流密度下的发光效率。
CN115911195A	一种Micro LED芯片的激光辅助快速转移方法本发明公开了一种Micro LED芯片的激光辅助快速转移方法，包括：将衬底上的Micro LED芯片刻蚀成非对称形状，采用超短脉冲激光束辐照Micro LED芯片，使GaN层发生改性；并将其置于腐蚀液中并加热，剥离衬底；将剥离后的Micro LED芯片置于悬浮液中，中间模板的微结构凹槽捕获流经的Micro LED芯片；将目标基板置于中间模板的正上方，使目标基板上的芯片安装位与中间模板捕获的Micro LED芯片位置对准，翻转吸附后中间模板与目标基板，使Micro LED芯片落入目标基板的芯片安装位处。本发明可实现Micro LED芯片的快速、高精度、高良率转移，同时具有较低技术成本。
CN115911190A	一种异质结太阳能电池的制备方法本发明提供一种异质结太阳能电池的制备方法，具体包括：选用正背面已沉积透明导电薄膜层的太阳能电池片；在PVD或RDP载板夹具上放置mask图形模板，其中mask图形模板上切割或者刻蚀有若干闭合实线区域，通过PVD或RPD等方法在沉积透明导电薄膜层后的N型晶硅衬底的背面依次沉积高导电层和抗氧化保护层栅线，高导电层采用铜金属；所述抗氧化保护层为锡、银、铝、钛、铬、镍等金属及其合金或导电的氧化物和氮化物；在背面已沉积抗氧化保护层的N型晶硅衬底的背面再沉积第二层透明导电薄膜层，本发明通过增加第二层透明导电薄膜层，增加了高导电层与第二层透明导电薄膜层之间的接触面积，从而增加了结合力，避免脱栅的情况发生。
CN115911189A	电池片调距装置及方法本发明涉及电池制造技术领域，公开了一种电池片调距装置及方法，该电池片调距方法应用该电池片调距装置。该电池片调距装置包括转向机构、传送机构和调距机构。转向机构包括抓取组件和旋转件，抓取组件设于旋转件下方，用于抓取电池片，旋转件用于带动抓取组件旋转。传送机构设于转向机构下游，用于传送转向后的电池片。调距机构设于传送机构远离转向机构的一端，调距机构包括调距部，调距部能够限位一电池片，并能沿第一预设方向推动另一电池片，以调整两电池片的间距。调距部限位一电池片后，并沿第一预设方向推动另一电池片，从而调整两电池片的间距。只推动一电池片，调距精度更高，更有利于电池片后续的排布和焊接。
CN115911185A	放漆布机构及其使用方法本发明提供放漆布机构及其使用方法，涉及太阳能电池板生产领域。该放漆布机构，包括支架，所述支架的一侧设置有驱动装置，所述驱动装置的一个移动端固定连接有放漆布装置，所述驱动装置的另一个移动端固定连接有引线压平装置，所述支架另一侧固定连接有移动装置，所述支架另一侧的底部固定连接有三棱镜，所述支架的另一侧固定连接有拍摄装置。本发明提供的放漆布机构，通过移动装置支持设备前后左右移动，移动到设定点后拍摄装置、通过三棱镜拍摄引线情况，配合引线压平装置以及放漆布装置，完全实现校准引线以及贴漆布的自动化，提供了自动化程度，不需要操作人员手动介入，显著的提升了生产效率。
CN115911184A	一种太阳能电池的制备方法本公开涉及一种太阳能电池的制备方法，包括：(1)在透明导电氧化物层上制备种子层，得到复合前体；(2)制备具有多个第一纳米孔的所述种子层和具有多个第二纳米孔的所述透明导电氧化物层；(3)在所述多个第二纳米孔中制备金属电极。本公开的制备太阳能电池的方法能够增强上层金属电极的附着力，金属电极与透明导电氧化物层之间的接触电阻降低，有利于电池效率的提升。
CN115911180A	一种表面活性剂辅助合成钙钛矿薄膜及其制备和组装成的太阳能电池本发明属于钙钛矿薄膜技术领域，涉及一种表面活性剂辅助合成钙钛矿薄膜及其制备和组装成的太阳能电池。本发明将二氧化锡量子点水溶液涂覆在基底后进行烧结；将所得二氧化锡电子层在四氯化钛水溶液中浸泡后煅烧；将溴化铅的N,N‑二甲基甲酰胺溶液涂覆在所得二氧化锡‑含氯氧化钛复合电子传输层后进行退火；将含表面活性剂的溴化铯水溶液涂覆在所得溴化铅薄膜后进行退火；将导电浆料涂覆在所得CsPbBr3钙钛矿薄膜后进行加热处理，得到表面活性剂辅助合成钙钛矿薄膜。本发明通过表面活性剂来改善CsPbBr3全无机太阳能电池所存在的薄膜质量差及电荷复合严重等问题以此提高电池的性能。
CN115911179A	一种太阳电池衬底的剥离方法本发明公开了一种太阳电池衬底的剥离方法，上述剥离方法包括以下步骤：S1.提供一太阳电池部件，太阳电池部件包括叠加形成的衬底、牺牲层和外延层；在外延层表面的局部区域设置光刻干膜，并在外延层表面形成柔性金属衬底；去除光刻掩膜，对应的局部区域形成隔离槽；S2.腐蚀去除隔离槽所在区域的外延层；S3.腐蚀去除步骤S2所得部件的牺牲层；得若干太阳电池芯片和衬底。本发明提出的剥离方法，能够有效提高所得太阳电池芯片的良率并有效缩短太阳电池衬底剥离所需时长。
CN115911177A	分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构本申请公开了一种分子束外延原位掺杂碲镉汞薄膜热处理方法及异质结结构，包括：制备衬底；在所述衬底上生长p型掺杂层；采用如下方式制备所述p型掺杂层：将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期，循环多个周期形成超晶格结构，以获得所述p型掺杂层。本申请实施例通过将碲化镉、砷化镉、碲化汞三层作为一个周期，循环多个周期形成超晶格结构形成p型掺杂层，由此不需要热处理或者只经过低温热处理即获得碲镉汞异质结材料。
CN115911174A	一种面向光电容积脉搏波血压测量的光电集成传感芯片一种面向光电容积脉搏波血压测量的光电集成传感芯片，从芯片的顶视图看，包括四个光发射区，光探测区,光发射区的接触电极,光探测区的接触电极,光发射区的压焊电极，光探测区的压焊电极，将四个相对独立光发射区以及光探测区之间相互隔离的隔离层。本发明是将光电容积脉搏波传感器的光发射区和光探测区集成在一块芯片上，模块体积小，便于集成化；光发射区和探测区具有相同的谐振腔和有源区，对波长的选择性好，提高了器件的抗干扰能力；由于芯片采用了共振腔结构，光发射区的发光亮度高，光探测区的效率高，整个器件所需驱动电流小，功耗低，便于应用于可穿戴式医疗设备中。
CN115911172A	一种自适应双背栅高速宽带石墨烯光探测器及制备方法本发明公开了一种自适应双背栅高速宽带石墨烯光探测器，从下到上依次包括：衬底、第一背栅和第二背栅、介质层、第一互联金属电极和第二互联金属电极、石墨烯光探测层，还包括设于石墨烯光探测层上的源极和漏极；其中，第一互联金属电极直接设于第一背栅之上，第二互联金属电极直接设于第二背栅，第一互联金属电极和第二互联金属电极分别与石墨烯光探测层直接接触；介质层设于两背栅和两互联金属电极的四周；源极和漏极分别与石墨烯光探测层直接接触；光探测区为所述源极和漏极之间的石墨烯光探测层。本发明采用源/漏电极与石墨烯双背栅分别相连，由源漏电压驱动背栅调控，实现自适应工作，能有效提高响应光电流。
CN115911167A	一种异质结太阳能电池及其制备方法本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。所述方法包括：提供硅片；硅片包括相背设置的第一表面和第二表面；在第一表面沉积第一钝化层、第一掺杂层，在第二表面沉积第二钝化层、第二掺杂层；通过PVD沉积方式在第一掺杂层远离硅片的表面沉积缓冲层；在缓冲层远离硅片的表面沉积第一导电层，在第二掺杂层远离硅片的表面沉积第二导电层，得到电池第一样品；对第一样品进行电镀铜，得到第一电池。通过设置缓冲与掺杂层接触，可显著降低电池的接触电阻值，可提高电池性能。
CN115911166A	带夜光的光伏组件及其制备方法和应用本申请提供一种带夜光的光伏组件，所述带夜光的光伏组件包括：光伏电池板和设置在所述光伏电池板上的色彩层，其中，所述光伏电池板包括电池板框架、依序层叠设置在电池板框架中的背板、光伏电池、透明前板，所述光伏电池的两侧均设置有胶膜并通过胶膜分别与所述背板和透明前板粘合，所述背板上设置有与所述光伏电池电性连接的接线盒；所述色彩层包括颜料和吸收紫外线并发出可见光的磷光材料。本申请提供的带夜光的光伏组件，在光伏电池板上设置磷光材料，使得光伏电池板上的色彩在夜晚也可见；同时本申请中的磷光材料可以吸收紫外线并转化为可见光，可以增加光伏电池板的发电功率。
CN115911165A	太阳能电池片及太阳能电池片的制备方法本发明公开一种太阳能电池片及太阳能电池片，包括太阳能电池片，所述太阳能电池片上设置有耐磨疏水层、减反射层、散热层，耐磨疏水层，所述耐磨疏水层设置于太阳能电池板受光面的表面；减反射层，所述减反射层设置于耐磨疏水层的底部；散热层，所述散热层固定于太阳能电池板的底部；本发明还公开一种太阳能电池片的制备方法，包括：提供预制玻璃板，硅片检测，表面制绒，形成PN结，湿法刻蚀，丝网印刷，快速烧结，将玻璃板和散热层与太阳能电池片固定。该太阳能电池片及太阳能电池片的制备方法，通过设置了耐磨疏水层，使得太阳能电池片表面不仅耐鸟兽的栖息磨损，而且还能使得脏污难以附着表面，增加了太阳能电池片的使用寿命。
CN115911163A	一种采用全流道背板的PV/T太阳能组件本发明涉及PV/T太阳能组件技术领域，具体公开了一种采用全流道背板的PV/T太阳能组件，所述玻璃层、第一粘结层、太阳能电池片、第二粘接层、绝缘层、第三粘接层和全流道背板按照从上到下的排列顺序采用太阳能电池片层压工艺结合形成板状组件，且板状组件的外缘处包覆有边框，所述全流道背板包括顶面预制有凹形流道的流道板以及固定贴合于所述流道板顶面的平面板，所述平面板的顶面贴合于所述第三粘接层，所述流道板侧壁对应于凹形流道两端的位置分别设有介质入口和介质出口；解决了PV/T集热组件存在加工工艺复杂、投入成本高、换热效率低以及难以与太阳能电池片牢固贴合的问题。
CN115911159A	一种基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器及其制备方法本发明提供了一种基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器及其制备方法，属于红外探测技术领域。本发明提供的基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器包括红外探测器基体、源电极和漏电极和封装层；所述红外探测器基体包括依次层叠的聚酰亚胺衬底、栅电极层、栅氧化层和黑磷层；所述源电极和漏电极位于所述黑磷层表面；所述封装层位于所述红外探测器基体的黑磷层一侧、覆盖所述红外探测器基体且裸露出所述源电极和漏电极。在本发明中，聚酰亚胺衬底柔性高，热导率低，在红外光照射下衬底的温度升高，产生热效应增强了光子的散射，从而降低了载流子的迁移率，由此产生的负光电导降低了黑磷晶体管在开态时的电流，显著提高了红外探测器的光响应率。
CN115911156A	一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法，APD探测器芯片的光敏面为方形，探测器芯片包括雪崩光电二极管APD，雪崩光电二极管APD包括由下至上依次堆叠的：衬底、缓冲层、吸收层、电荷层和盖帽层；盖帽层中，通过有源区由盖帽层上表面向下扩散形成P型层，P型层为光敏区；P型层连接有P型电极，衬底连接有N型电极。本发明增大光敏区相对于芯片的面积，提高了占空比，减少探测过程中的盲区。
CN115911153A	一种红外探测器及其制备方法本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，涉及红外探测器制造技术领域，具体为一种低暗电流、高量子效率的高性能红外探测器，解决了现有红外探测器在高工作温度下暗电流急剧增加、量子效率低、器件性能较差的问题，所述红外探测器从下至上依次为：衬底、缓冲层、底部接触层、吸收层、电子阻挡层、顶部接触层；所述红外探测器还包括与底部接触层欧姆接触的金属下电极，与顶部接触层欧姆接触的金属上电极；本发明通过在吸收层内部，设计一个或多个相同或不同类型的缓变结构的吸收层，各阶梯缓变结构之间的导带及价带位置均存在明显差异，可实现吸收层光生载流子的定向输运，降低器件暗电流，提高器件探测性能。
CN115911152A	近红外偏振光电探测器及制备方法本发明公开一种近红外偏振光电探测器，包括衬底；MoTe2纳米片、GeSe纳米片和MoS2纳米片，MoTe2纳米片、GeSe纳米片和MoS2纳米片依次位于衬底上方，且MoTe2纳米片、GeSe纳米片与MoS2纳米片部分层叠构成垂直异质结；第一电极和第二电极，在与未层叠的MoTe2纳米片上设置第一电极，在衬底与未层叠的MoS2纳米片上设置第二电极。本发明重点在于形成MoS2/GeSe/MoTe2异质结，近红外偏振光电探测器以MoS2纳米片、GeSe纳米片和MoTe2纳米片为异质结，该异质结以多层MoS2、GeSe和MoTe2二维材料三者的能带排列符合Ⅱ型能带排列方式，实现了高效的电荷转移；另一方面GeSe二维材料本身具有各向异性的特点，在形成的异质结中作为夹层实现了偏振光探测的性能。实现了宽谱波段响应、快速光探测、偏振灵敏和性能稳定的特点。
CN115911149A	光检测器本发明的光检测器(1A)具备：第1导电型半导体层(2)；半导体光吸收层(3)，其设置在第1导电型半导体层(2)上；散射体(4)，其以与半导体光吸收层(3)相接的方式，以入射光(I)的波长以下的宽度(W)设置，并且通过使入射光(I)散射而在半导体光吸收层(3)的内部形成局部不均匀电场；第2导电型半导体层(5)，其与散射体(4)隔开间隔地设置在半导体光吸收层(3)上；和引出电极(6)，与散射体(4)隔开间隔地设置在第2导电型半导体层(5)上，并且将通过局部不均匀电场的形成而在半导体光吸收层(3)产生的光电流引出。
CN115911146A	双面电极位置分辨探测器芯片及制作方法本发明公开了双面电极位置分辨探测器芯片及制作方法，属于探测器芯片技术领域，要解决的技术问题为如何在单个探测器上实现位置分辨。包括：基体；氧化层，包括形成于基体读取面上的第一氧化层和形成于基体接收面上的第二氧化层，第一氧化层上刻蚀有多个放射状的扇形凹槽区域，第二氧化层的中心处刻蚀有一个圆形凹槽区域，所述圆形凹槽区域的外周刻蚀有多个圆环形凹槽区域，所述多个圆环形凹槽区域层层环绕；每个扇形凹槽区域内均形成有嵌入读取面内的第一电极；每个圆环形凹槽区域内均形成有嵌入接收面内的第二电极，第一电极、基体和第二电极组成PIN结构；相邻的两个第二电极之间通过一个第三电极间隔。
CN115911145A	光伏电池片的栅线处理方法本发明涉及一种光伏电池片的栅线处理方法，所述方法包括如下步骤：在硅片上印刷金属浆料形成半成品电池片；对半成品电池片进行烧结处理形成光伏电池片，其中，金属浆料形成用于收集电流的副栅线；对光伏电池片的副栅线进行激光照射处理。本发明通过激光照射副栅线的方式对未形成良好欧姆接触的光伏电池片进行二次烧结处理，从而形成良好的欧姆接触，降低副栅线和硅片之间的接触电阻，进而提升光伏电池片的转换效率，同时，本发明中对副栅线的处理方式不会对副栅线以外的区域造成损伤，提升光伏电池片的产品品质。
CN115911142A	正面陷光的N型太阳能电池及其制备方法本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种正面陷光的N型太阳能电池及其制备方法，其包括硅基体，在硅基体背面依次形成隧穿氧化层、poly Si层和减反层，在硅基体的正面依次形成有发射极层、二氧化硅空心微球层、氧化铝钝化层和减反层。对于正面二氧化硅微球层制备包括如下步骤：制备二氧化硅微球；镀二氧化硅微球层；去除模板剂。本案涉及的正面陷光的N型太阳能电池具有更好的陷光结构，同时减少电池表面复合，提升电池的开压和电流，从而大幅提升了电池的效率。
CN115911136A	芯片结构及其制备方法本发明的实施例提供了一种芯片结构及其制备方法，半导体技术领域。芯片结构包括N型衬底、N型外延层、氧化硅层、多晶硅层和铝层，其中，N型外延层形成在N型衬底上；氧化硅层形成在N型外延层上，在氧化硅层上光刻出有源窗口、并贯穿至N型外延层；多晶硅层沉积在氧化硅层上以及有源窗口内，并在有源窗口内的多晶硅层上进行P型掺杂，并扩散穿透多晶硅层与N型外延层形成PN结、构成电压；铝层形成在多晶硅层上。芯片结构及其制备方法能够简化TVS芯片或ESD芯片的工艺流程，降低成本。
CN115911131A	一种分离栅MOSFET器件结构本申请公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种分离栅MOSFET器件结构，包括器件元胞单元，所述器件元胞单元包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，在第一导电类型漂移区的上部设有第二导电类型阱区，第二导电类型阱区内开设有第一类型沟槽，本申请与现有技术相比，将侧氧分成多个阶梯，从下到上每个阶梯的宽度逐步减小，同时通过控制每个阶梯的宽度和长度使得下方的多晶硅调制并改善漂移区电场分布，实现击穿电压的提高，在保证同等击穿电压的前提下，可以增加漂移区掺杂浓度来达到降低导通电阻的目的，与此同时由于下面多晶硅宽度加宽使栅极与漏极之间的屏蔽效果增强，从而降低栅漏电容，提高器件的开关性能。
CN115911130A	一种分栅沟槽MOSFET 本申请公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种分栅沟槽MOSFET,包括器件元胞单元，所述器件元胞单元包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，在所述第一导电类型漂移区的上部设有第二导电类型阱区，第一导电类型漂移区内开设有介质槽和与介质槽连通的栅极沉淀槽，且介质槽中填充有高K氧化物，所述栅极沉淀槽内填充有沉淀栅极金属栅、包覆在沉淀栅极金属栅上的氧化层一、包覆在氧化层上的沉淀栅极碳化硅，本申请采用了碳化硅作为高K氧化物和沉淀栅极金属栅之间的邻接物，碳化硅可以确保自身和硅的热稳定性，为了防止现有沉淀栅极金属栅与高k栅氧化层之间的相互作用对阈值进行影响，从而提高了纳米尺寸MOSFET的性能。
CN115911126A	半导体装置半导体装置具有：包含与具有第1面和第2面的碳化硅层的第1面相接的第1区域的第1导电型的第1碳化硅区域；第1碳化硅区域与第1面之间的第2导电型的第2碳化硅区域；第2碳化硅区域与第1面之间的第2导电型的第3碳化硅区域；第2碳化硅区域与第1面之间的第1导电型的第4碳化硅区域；设置于第1面侧且在第1方向延伸的第1栅极电极；在第1方向延伸的第2栅极电极；包含第1部分和第2部分的第1电极以及设置于碳化硅层的第2面侧的第2电极，第1部分设置于第1面侧并设置于第1栅极电极与第2栅极电极之间，与第3及第4碳化硅区域相接，第2部分设置于第1栅极电极与第2栅极电极之间，设置于第1部分的第1方向，与第1区域相接。
CN115911125A	半导体装置及半导体装置的制造方法实施方式提供能够降低接触电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一碳化硅区域；第一碳化硅区域之上的第二导电型的第二碳化硅区域；第二碳化硅区域之上的第二导电型的第三碳化硅区域；第三碳化硅区域之上的第一导电型的第四碳化硅区域及第五碳化硅区域；第一电极，包含有在第一方向上位于第四碳化硅区域与第五碳化硅区域之间的第一部分；以及金属硅化物层，设置于第一部分与第三碳化硅区域之间，与第三碳化硅区域相接，在第一方向上设置于第一部分与第四碳化硅区域之间，与第四碳化硅区域相接，在第一方向上设置于第一部分与第五碳化硅区域之间，与第五碳化硅区域相接。
CN115911124A	半导体结构及其形成方法一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：位于所述初始栅极结构侧壁和所述第一介电层之间还具有第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于所述初始栅介质层侧壁和所述第二侧墙之间；在所述第一介电层内形成第一导电结构，所述第一导电结构位于所述栅极结构两侧的所述衬底表面；刻蚀所述初始栅介质层和所述第一侧墙，在第一导电结构和栅极层之间形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出所述栅极层侧壁，以所述栅极层底部的初始栅介质层形成栅介质层；在所述第一介电层和所述栅极结构表面形成第二介电层，所述第二介电层封闭所述第一凹槽顶部，在所述第一导电结构和所述栅极层之间形成空气侧墙，有利于减小寄生电容，提高器件的性能。
CN115911123A	一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构及其制造方法本发明涉及芯片制造领域，且公开了一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构，所述外延结构包括：Si衬底层、成核层、底缓冲层、粗磨钝化层、中缓冲层、细磨开槽层、顶缓冲层、低温AIN插入层、ALGaNg势垒功能层和GaN帽层；其中，所述底缓冲层的厚度为30‑40μm，所述粗磨钝化层位于底缓冲层的表面，所述粗磨钝化层的顶部设置有中缓冲层，通过生长三重缓冲层以开设粗磨钝化层和细磨开槽层的方式进行衔接，不断消除Si衬底层在原始阶段所表现出来的划痕等瑕疵，使得在生长阶段，Si衬底层的表面瑕疵不会被延伸复制，从而避免对器件产生负面影响，防止后续所部署的二极管的反向漏电流增大，降低器件的能耗，改善器件的运行环境。
CN115911122A	功率半导体器件及其制备方法本公开提供了一种功率半导体器件及其制备方法，属于光电子制造技术领域。功率半导体器件包括：衬底，以及依次形成在衬底上的AlN层、核壳层和包覆层；核壳层包括GaN核体和AlGaN壳体，GaN核体位于AlGaN壳体内。本公开能够实现二维电子气的高效分布。
CN115911115A	半导体器件及其制造方法在实施例中，半导体器件包括设置在衬底上方的第一器件区域中的第一沟道区域；设置在第一沟道区域上方的第一栅极介电层；以及设置在第一栅极介电层上方的栅电极。第一栅极介电层包括第一偶极子掺杂剂和第二偶极子掺杂剂。第一偶极子掺杂剂沿着第一栅极介电层的厚度方向具有第一浓度峰，并且第二偶极子掺杂剂沿着第一栅极介电层的厚度方向具有第二浓度峰。第二浓度峰位于第一浓度峰和第一栅极介电层的上表面之间。第二浓度峰偏离第一栅极介电层的上表面。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
CN115911114A	SOI-LDMOS器件及其制作方法本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SOI‑LDMOS器件及其制作方法。其中，SOI‑LDMOS器件包括：由下至上依次层叠的衬底层、埋氧层和外延层，外延层中形成漂移区；漂移区的两侧形成源极区和漏极区；漂移区上形成掺杂多晶硅场极板，掺杂多晶硅场极板与漂移区之间形成纵向异型结，在器件处于关断状态时，纵向异型结被耗尽；掺杂多晶硅场极板的一端与源极区接触交叠形成纵向同型结；掺杂多晶硅场极板的另一端掺入第一导电类型杂质形成第一导电类型掺杂区，掺杂多晶硅场极板的主体部分与第一导电类型掺杂区形成横向异型结，掺杂多晶硅场极板通过异型结与漏极区的金属电极之间接触。其中，制作方法用于制作上述SOI‑LDMOS器件。
CN115911111A	高密度沟槽栅功率芯片本发明公开了一种高密度沟槽栅功率芯片，包括终端保护区、第一元胞区和第二元胞区，所述第一元胞区的条形沟槽的延伸方向与所述第二元胞区的条形沟槽的延伸方向为非平行的。本发明的高密度沟槽栅功率芯片，减小了晶圆的翘曲程度。
CN115911107A	一种降低SGT MOSFET中寄生电容的方法本发明提供一种降低SGT MOSFET中寄生电容的方法，在硅基底上形成凹槽，在凹槽内壁形成氧化硅层；在凹槽内填充多晶硅，刻蚀多晶硅，去除凹槽顶部的多晶硅，使得凹槽顶部的空间未被填充，凹槽内剩余的多晶硅形成源极多晶硅；在源极多晶硅上表面生长源极氧化层；去除凹槽内源极多晶硅以上的氧化硅层以及源极氧化层，将源极多晶硅的上表面露出；形成栅极氧化层，栅极氧化层覆盖在源极多晶硅上表面以及露出的凹槽侧壁；沉积多晶硅以填充凹槽，并刻蚀去除凹槽外的多晶硅，覆盖在凹槽内的栅极氧化层上的多晶硅形成栅极多晶硅。本发明通过在源极多晶硅刻蚀后增加源极氧化层的生长来降低栅极和漏极之间重叠面积来降低电容Cgd，进而改善器件开关速度。
CN115911106A	场效应晶体管、含有此类场效应晶体管的装置及其形成方法本申请案涉及场效应晶体管、含有此类场效应晶体管的装置及其形成方法。场效应晶体管及含有此类场效应晶体管的集成电路装置可包含：半导体材料，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区，其具有第二导电性类型；第二源极/漏极区，其具有所述第二导电性类型；第一触点，其连接到所述第一源极/漏极区；导体，其上覆于所述半导体材料的有源区域且具有包围所述第一触点的环形部分及从所述导体的所述环形部分的外周长延伸的突刺部分；第二触点，其连接到所述导体的所述环形部分外的所述第二源极/漏极区；电介质，其在所述导体与所述有源区域之间；及第三触点，其上覆于所述有源区域且连接到所述导体的所述突刺部分。
CN115911097A	一种用于SiC功率器件的复合终端结构及其制造方法本发明公开了一种用于SiC功率器件的复合终端结构及其制造方法。其中，所述结构包括：形成于N型重掺杂衬底上的N‑漂移区，N‑漂移区上依次设有器件元胞区和器件终端区；器件元胞区包括间隔设置的深P阱区，以及深P阱区与N‑漂移区形成的PN结组成主结；器件终端区包括：P型结终端拓展区、钝化层；该P型结终端拓展区靠近主结一侧间隔设置有若干N+场限环；P型结终端拓展区表面淀积有钝化层，N+场限环远离N‑漂移区一侧设置有刻蚀沟槽。本发明可以增强器件的抗短路能力，在器件处于反向阻断状态时，器件元胞区的PN结和终端结构同时承受耐压，提高器件反向击穿电压，从而使器件更具有可靠性。
CN115911096A	一种实现CASCODE模式的GaN HEMT功率器件本发明公开了一种实现CASCODE模式的GaN HEMT功率器件，属于半导体技术领域，器件包括从下至上依次连接的第三衬底、第二中间层、缓冲层、GaN层和AlGaN层；AlGaN层上设置有源极、漏极和栅极，其中，源极、漏极均延伸连接至所述GaN层中；GaN层中设置有空腔，所述空腔的下端延伸至缓冲层中，空腔的上端位于源极和漏极的沟道下方，所述AlGaN层上连接有一个增强型硅MOSFET器件，其中，所述增强型硅MOSFET器件的源极和栅极做整个器件的源极和栅极，GaN HEMT功率器件作为整个器件的漏极。本发明通过在GaN层形成空腔，一方面减少了沟道下方GaN层的厚度，减少了漏电通道，减少漏电，另一方面，使得AlGaN/GaN界面二维电子气密度增加，提高器件性能，整体器件通过简单工艺即可实现CASCODE结构。
CN115911089A	半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆本申请提供一种半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆，包括：N型的半导体衬底、设置于所述半导体衬底上的漂移层、设置于所述漂移层内的沟槽结构、栅极、层间介质层、源极以及漏极。漂移层包括依次在半导体衬底上叠层设置的第一N型半导体区、第二P型半导体区以及源区，以及设置在漂移层两侧的第一P型半导体区，沟槽结构具有多个第一沟槽和第二沟槽，并在第一沟槽和第二沟槽中设置栅极，在漂移层中制作紧密排列的沟槽阵列，有利于缩小第一沟槽间的沟槽间距，从而将元胞小型化，提升元胞密度和器件的通流能力。
CN115911088A	半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆本申请提供一种半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆，包括：N型的半导体衬底、漂移层、相互间隔设置的多个栅极沟槽、栅极、层间介质层、源极、漏极。漂移层设置于半导体衬底上，多个栅极沟槽沿平行于半导体衬底所在平面的第一方向延伸，且沿平行于半导体衬底所在平面的第二方向排列。栅极包括相互接触的第一栅极和第二栅极，第一栅极隔着栅介质层填充设置于栅极沟槽中，第二栅极隔着栅介质层设置于漂移层顶部。层间介质层覆盖于栅极远离半导体衬底一侧，源极设置于层间介质层远离半导体衬底一侧，漏极设置于半导体衬底远离漂移层的一侧，从而降低器件的导通总电阻，屏蔽栅极沟槽底部的栅极介质层电场，提升器件工作的鲁棒性。
CN115911087A	一种提高UIS性能的SGT-MOSFET及其制造方法本发明公开了一种提高UIS性能的SGT‑MOSFET及其制造方法，属于电子半导体技术领域。该提高UIS性能的SGT‑MOSFET在P型体区与N+源区之间设有抗穿通层。本发明的SGT‑MOSFET的制造方法，通过在体与源之间形成的抗穿通层，在体和源之间产生高掺杂浓度区域，实现陡峭的浓度分布，从而降低体电阻率，防止寄生双极晶体管开启，提高SGT‑MOSFET的UIS能力。本发明的SGT‑MOSFET的制造方法，在外延层上，以向衬底的方向逐渐减少注入剂量的方式进行第二导电类型掺杂剂的多次注入；在SGT‑MOSFET器件的体区与源区之间形成了抗穿通层，使体区和源区之间产生高掺杂浓度区域。同时，为保证器件工作时形成正常的导通沟道，通过光刻(或其他)的方式使得抗穿通层在接近沟槽的位置掺杂浓度较低。
CN115911086A	半导体结构及其形成方法本申请的实施例提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本公开的方法包括在衬底上方沉积顶部外延层，由顶部外延层和衬底的部分形成鳍结构，凹进鳍结构的源极/漏极区以形成源极/漏极凹槽，在源极/漏极凹槽的表面上方共形沉积半导体层，回蚀刻半导体层以在源极/漏极凹槽的底面上方形成扩散停止层，在扩散停止层和源极/漏极凹槽的侧壁上方沉积第一外延层，在第一外延层上沉积第二外延层，以及在第二外延层上沉积第三外延层。扩散停止层的锗浓度大于顶部外延层的锗浓度或第一外延层的锗浓度。
CN115911078A	光器件根据一个实施方式，光器件具备：驱动电路基板；第一发光元件和第二发光元件，安装于所述驱动电路基板；第一绝缘膜，覆盖所述第一发光元件和第二发光元件；遮光层，以在所述第一绝缘膜之上与所述第一发光元件和所述第二发光元件的间隙重叠的方式配置，具有与所述第一发光元件重叠的第一开口和与所述第二发光元件重叠的第二开口；保护层，覆盖所述遮光层；第一微透镜，配置于所述保护层之上，与所述第一开口重叠；以及第二微透镜，配置于所述保护层之上，与所述第二开口重叠，所述第一微透镜及所述第二微透镜各自的边缘与所述遮光层重叠。
CN115911071A	图像传感器本申请提供一种图像传感器，涉及半导体技术领域，用于解决电荷转移噪声和集成度难以兼顾的技术问题，该图像传感器包括：具有多个光电掺杂区的衬底；设置在衬底上的多个栅极结构，每个栅极结构包括栅极，以及位于栅极和衬底之间的栅介质层，每个栅极在衬底上的正投影与所有的光电掺杂区均具有部分重合区；多个读出电路，多个读出电路与多个光电掺杂区一一对应且电连接，每个读出电路包括晶体管。利用光电掺杂区及栅极结构，以实现无噪声电荷信号转移，保证电荷信号传输效率。利用读出电路的多个晶体管可以实现电压信号的高速读出，读出电路、光电掺杂区及栅极结构通过半导体制备工艺进行制作，便于提高集成度。
CN115911068A	光电转换装置、光电转换系统和可移动体本发明提供光电转换装置、光电转换系统和可移动体。所述光电转换装置包括布置在具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面的半导体层中的雪崩二极管。所述雪崩二极管包括布置在第一深度处的第一导电类型的第一半导体区域、布置在相对于所述第二表面比所述第一深度深的第二深度处的第二导电类型的第二半导体区域、配设为在从所述第二表面的平面视图中与所述第一半导体区域的端部接触的第三半导体区域、连接到所述第一半导体区域的第一布线部、以及连接到所述第二半导体区域的第二布线部。在从所述第二表面的平面视图中，所述第二布线部与面对所述第一布线部的绝缘膜之间的边界的至少一部分与所述第三半导体区域交叠并且不与所述第一半导体区域交叠。
CN115911064A	一种探测器像素单元、图像传感器本申请提供了一种探测器像素单元，包括：光电二极管，用于接收探测光并生成电子；调制栅，用于以不同相位时延接收所述电子；浮动扩散节点，用于保存所述调制栅接收到的电子；背景光消除栅，用于消除所述调制栅非工作期间的所述像素单元内的背景光电子，所述背景光消除栅存储所述背景光电子。通过如此设计在消除背景光的同时提高像素单元的填充因子，利于探测器件的小型化。
CN115911063A	CMOS图像传感器及其形成方法一种CMOS图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成多个N型源漏区；其中，在所述半导体衬底内形成多个N型源漏区包括：在所述半导体衬底内形成多个砷掺杂区；其中，在所述半导体衬底内形成多个砷掺杂区之前，还包括：在所述半导体衬底内形成多个氮掺杂区，所述氮掺杂区与所述砷掺杂区一一对应，且对应的氮掺杂区与砷掺杂区具有重叠区域。本发明可以在不改变已有的重原子砷掺杂工艺的基础上，有效改善CMOS图像传感器的器件品质。
CN115911061A	阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备，所述阵列基板包括：衬底基板，所述衬底基板上阵列分布有多个氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧设有遮光层，所述遮光层用于遮挡照向所述氧化物薄膜晶体管的光，所述遮光层的边缘区域与中部区域距所述衬底基板的垂直距离不同。本申请提供的阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备，结构简单，制作方便，有效提高了遮光层的遮光效果，占用空间小，提高了氧化物薄膜晶体管的光照稳定性，确保产品显示效果，为实现高像素密度产品设计提供更多空间。
CN115911059A	阵列基板及其制备方法本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括显示区和周边区域，所述显示区包括第一薄膜晶体管，所述周边区域包括第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层为非晶硅；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层为低温多晶硅；其中，所述第一有源层与所述第二有源层同层设置。本申请提供的阵列基板具有高迁移率、高稳定性，且与现有量产工艺兼容性高，工艺简单，成本低廉。
CN115911055A	阵列基板及其制作方法本申请公开一种阵列基板及其制作方法。在阵列基板中，第一导电层设置在基板上，第一导电层包括第一电极和遮光件。缓冲层设置在第一导电层远离基板的一侧；有源层设置在缓冲层远离基板的一侧，有源层包括半导体层和导体化的第二电极；栅绝缘层设置在有源层远离基板的一侧；第二导电层设置在栅绝缘层远离基板的一侧，第二导电层包括第三电极和栅极；其中，第一电极、第二电极以及第三电极在基板上的正投影至少部分重叠。本申请能够增大存储电容的电容值，改善产品的显示均一性以及串扰问题。
CN115911050A	显示基板及其制备方法、显示装置一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括基底、在基底上依次设置的半导体层、第四导电层、第二平坦层和阳极层；半导体层包括多个晶体管的有源层，第四导电层包括第一阳极连接电极和第二阳极连接电极，第二平坦层包括第一开口和第二开口，阳极层包括第一阳极和第二阳极，第一阳极连接电极通过第一开口与第一阳极连接，第二阳极连接电极通过第二开口与第二阳极连接；第一阳极连接电极在基底上的正投影的面积大于第二阳极连接电极在基底上的正投影的面积，第一开口在基底上的正投影的面积大于第二开口在基底上的正投影的面积。本公开提高了光透过率，提高了发光器件的发光效率，节省了功耗。
CN115911044A	半导体器件提供一种半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，设置在衬底上并且沿第一方向延伸；一对源/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；多个沟道层，在一对源/漏极图案之间在有源图案上竖直地堆叠并且彼此间隔开；栅电极，在一对源/漏极图案之间沿第二方向延伸，栅电极设置在有源图案上并且围绕多个沟道层，并且第二方向与第一方向相交；以及栅极间隔物，设置在多个沟道层之间并且设置在栅电极与一对源/漏极图案之间。栅极间隔物包括交替地堆叠在一对源/漏极图案的侧壁上的多个第一间隔物图案和多个第二间隔物图案。
CN115911043A	氮化镓装置场板系统本文中描述的一个实例包含集成电路IC，其包含氮化镓(GaN)晶体管装置(100)。所述IC包含界定有源区的GaN有源层(102)及布置于所述有源区的表面上的栅极结构(108)。所述IC还包含布置于所述栅极结构(108)的第一侧上的源极(104)及布置于所述栅极结构(108)的第二侧上的漏极(106)。所述IC进一步包含导电地耦合到所述源极(104)的至少一个源极场板结构(110)及耦合到所述源极(104)的栅极层级场板结构(112)。
CN115911040A	半导体装置一种半导体装置包括：包括第一区域和第二区域的衬底，分别在第一区域和第二区域中的第一有源图案和第二有源图案；第一源极/漏极图案和包括第一半导体图案的第一沟道图案；第二源极/漏极图案和包括第二半导体图案的第二沟道图案；分别在第一沟道图案和第二沟道图案上的第一栅电极和第二栅电极；以及第一栅极电介质层和第二栅极电介质层。第一栅极电介质层包括在第一沟道图案和第一栅电极之间的第一界面层，以及第一高k电介质层。第二栅极电介质层包括在第二沟道图案和第二栅电极之间的第二界面层和第二高k电介质层。第一高k电介质层的厚度大于第二高k电介质层的厚度。第一半导体图案的厚度小于第二半导体图案的厚度。
CN115911038A	半导体结构及其形成方法一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底和鳍部材料层；刻蚀部分厚度鳍部材料层，形成初始鳍部，且刻蚀时具有第一刻蚀速率比；刻蚀初始鳍部露出的剩余鳍部材料层，形成凸立于衬底上的鳍部，鳍部由下而上包括底部鳍部、第一部分鳍部和第二部分鳍部，第二部分鳍部和第一部分鳍部构成有效鳍部，在刻蚀初始鳍部露出的部分厚度鳍部材料层时具有第二刻蚀速率比，第二刻蚀速率比小于第一刻蚀速率比，用于使得所述第一部分鳍部的底部线宽小于所述第一部分鳍部的顶部线宽；形成隔离层，覆盖底部鳍部侧壁并露出有效鳍部。本发明减小漏电流且减小对开启电流的影响，从而提高晶体管的开关电流比。
CN115911036A	半导体结构及其形成方法一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、以及衬底上的底部鳍部材料层，衬底包括第一器件区以及第二器件区；在底部鳍部材料层上形成第一鳍部材料层，第一鳍部材料层的材料与底部鳍部材料层的材料不同；去除位于第二器件区的第一鳍部材料层，形成露出底部鳍部材料层顶部的开口；在开口中形成第二鳍部材料层；进行鳍部图形化处理，将底部鳍部材料层图形化为底部鳍部，将第一鳍部材料层图形化为凸立于第一器件区底部鳍部的第一器件鳍部，将第二鳍部材料层图形化为凸立于第二器件区底部鳍部的第二器件鳍部。形成的第二器件鳍部以及第一器件鳍部与底部鳍部的接触面均较为平整，提升了第二器件鳍部和第一器件鳍部的高度一致性。
CN115911033A	堆叠晶体管技术中的横向二极管包括横向二极管的集成电路。在一个示例中，二极管被形成为具有横向相邻的源极和漏极区（扩散区），其被配置成具有不同极性外延生长（例如，p型和n型），以提供二极管的阳极和阴极。在一些这样的情况下，可以在沟道区中使用掺杂剂以产生或以其他方式增强扩散区和沟道区的半导体材料之间的PN或PIN结。沟道区可以是例如在相反掺杂的扩散区之间延伸的一个或多个纳米带或其他这样的半导体本体。在一些情况下，构成沟道区的纳米带保持未分离，从而保留二极管电流可以流过的更大的体积。其他特征包括跳过外延区、延长栅极结构、使用隔离结构代替栅极结构、和/或作为基于沟道的传导路径的补充或替选的子鳍片传导路径。
CN115911032A	具有共享的电隔离的多种器件类型的单片集成本发明涉及一种具有共享的电隔离的多种器件类型的单片集成。包括集成在半导体衬底上的基于硅的器件和基于III‑V族化合物半导体的器件的结构以及形成这样的结构的方法。该结构包括衬底，该衬底具有器件层、处理衬底以及位于处理衬底和器件层之间的掩埋绝缘体层。该结构包括：第一半导体层，其位于在第一器件区中的器件层上；第二半导体层，其位于在第二器件区中的器件层上。第一半导体层包含III‑V族化合物半导体材料，并且第二半导体层包含硅。第一器件结构包括位于第一半导体层上的栅极结构；以及第二器件结构包括位于第二半导体层中的掺杂区。掺杂区和第二半导体层限定p‑n结。
CN115911022A	一种扇出型封装LED器件的制造方法本发明提供了一种扇出型封装LED器件的制造方法，其步骤包括：涂覆黏附层、黏附RGB芯片、涂覆填充层、制备RDL层、涂覆保护层、制备焊盘、剪薄切割，通过使用扇出型封装的方法，增加了同时封装的芯片数量，减少后续焊接固晶数量，利用多组芯片共阴（阳）极结构，减少了大量焊盘的操作数量，降低因焊盘数量导致的良率损失，并通过多组规则排列的RGB芯片在承接衬底上一齐封装，起到放大单个器件封装效率的效果，借助RGB芯片以三颗为一组的定向排列及焊盘共阴（阳）极结构，在组合成显示器时，可以降低至百万次以下的焊接、固晶操作，提升焊接固晶效率和良率并以此降低生产操作成本。
CN115911018A	基于晶圆级的高精度低串扰度LED微阵列制备方法本发明涉及一种基于晶圆级的高精度低串扰度LED微阵列制备方法，该方法在衬底上依次制备缓冲层、光学敏感牺牲夹层和倒装LED半导体材料晶圆层，对晶圆层以及N型电极和P型电极进行分割并去除多余部分得到倒装LED芯片阵列，每个倒装LED芯片的两个电极均与基板上的一对键合柱位置对应；根据各倒装LED芯片两个电极的高度补偿调整固晶焊盘上键合柱的高度，使所有倒装LED芯片的电极与对应键合柱高度之和一致；利用激光束照射衬底使各倒装LED芯片脱落到基板上，最后将各倒装LED芯片电极与对应键合柱键合固定，完成单色LED微阵列的制备。本发明生成精度高，整个阵列的出光方向平整度高。
CN115911015A	LED封装光源及LED封装光源的制备方法本发明涉及LED半导体发光技术领域，特别涉及一种LED封装光源及LED封装光源的制备方法，该LED封装光源包括：基板、设置在基板一侧的LED芯片；LED芯片包括根据预设顺序排列并依次串联的主波长为445‑447.5nm的第一蓝光芯片、主波长为514‑532nm的绿光芯片、主波长为455‑457.5nm的第二蓝光芯片、主波长为467.5‑470nm的第三蓝光芯片以及主波长为477.5‑480nm的第四蓝光芯片；基板上设置LED芯片的一侧从靠近LED芯片到远离LED芯片方向设置有至少两层荧光胶层，其中靠近LED芯片的荧光胶层为红色荧光胶层，荧光胶层内设置有扩散粒子和/或抗沉淀粒子，实现了降低蓝光的能量强度，提高颜色的饱和度。本发明还提供一种LED封装光源的制备方法，用于制备上述的LED封装光源具有与上述LED封装光源相同的有益效果。
CN115911013A	一种可实现全彩显示的倒装硅基LED芯片及其制作方法本发明公开了一种可实现全彩显示的倒装硅基LED芯片及其制作方法，所述LED芯片采用蓝光倒装LED芯片，包括硅衬底、设置在硅衬底正面的3个以上可独立驱动发光单元和硅衬底背面结构，所述硅衬底的背面出光面设置有凹槽，所述凹槽和所述正面的发光单元的位置和大小一一对应，一个以上凹槽内填充有荧光粉，荧光粉填充后覆盖一层保护层，所述凹槽上设置有滤波层，所述滤波层将所述荧光粉和保护层覆盖。本发明中结构简单、成本低廉，通过在各个发光单元中均采用的蓝光倒装LED芯片，实现了构成一个像素单元需求的红、绿、蓝三色光。
CN115911007A	一种封装结构以及封装方法本申请实施例涉及半导体封装领域，提供一种封装结构以及封装方法，一种封装结构包括：第一金属层以及第二金属层，第一金属层位于电路区的第一面，第二金属层位于支撑区的第一面；第三金属层以及第四金属层，第三金属层位于电路区的第二面且与导电结构电连接，第四金属层位于支撑区的第二面；其中，至少两个堆叠设置的半导体结构中的一个半导体结构的第一面与其相邻的另一半导体结构的第二面正对，且半导体结构的第一金属层与处于相邻层的半导体结构的第三金属层接触键合，半导体结构的第二金属层与处于相邻层的半导体结构的第四金属层接触键合，可以解决集成电路中热问题。
CN115911006A	封装结构本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种封装结构，包括一基板，位于所述基板上方的至少一个第一类型的晶片和至少一个第二类型的晶片，每一所述第一类型的晶片和所述第二类型的晶片之间需要进行隔离；至少一组电容结构，用于实现所述第一类型的晶片和第二类型的晶片之间的隔离，其中，所述电容结构被设置于所述第一类型的晶片和所述第二类型的晶片之外。通过将电容结构不放置在晶片上，大大的降低了封装结构的生产成本，也降低了封装结构的寄生电容的容值，大大的提高了封装结构的可靠性。
CN115911003A	驱动芯片及其制作方法、显示模组本申请提供一种驱动芯片及其制作方法、显示模组。其中，所述驱动芯片包括芯片单体以及防护结构，其中，芯片单体被配置为设置于基板之上，防护结构覆盖芯片单体远离基板且与基板平行的上表面以及垂直于基板的侧面；防护结构的第一绝缘层位于防护结构远离芯片单体的一侧，第二绝缘层位于防护结构靠近芯片单体的一侧，导电层位于第一绝缘层以及第二绝缘层之间并接地设置。当静电或电磁波接触到芯片单体外侧的防护结构时，第一绝缘层首先屏蔽静电或电磁波，导电层可以将击穿第一绝缘层的静电或电磁波引入大地，第二绝缘层能够进一步保证静电或电磁波不会接触到芯片单体，上述防护结构能够有效避免静电或电磁波损伤甚至击穿芯片单体。
CN115911002A	同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构及监控方法本发明提供一种同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，包括测量版图包括第一至三版图结构；其中，第一版图结构包括多个依次分布的芯轴图形，其用于定义第一测量区域上的芯轴结构；第二版图结构包括第一、二隔离结构版图，第一、二隔离结构版图均包括多个依次分布的单扩散隔断图形；第一隔离结构版图中的单扩散隔断图形依次横跨部分或全部的芯轴图形，用于定义第一测量区域上单扩散隔断结构的形成位置；第二隔离结构版图中的单扩散隔断图形在远离芯轴图形的一侧依次分布，用于定义第二测量区域上的单扩散隔断结构的形成位置。本发明既可以用来监控实际被切割半导体结构的关键尺寸，也可以用来监控沟槽的刻蚀粗糙度，节省了切割道面积。
CN115911001A	阻性存储器的测试结构及方法本发明提供一种阻性存储器的测试结构，包括：第一结构层，设置有供热金属线，所述供热金属线能与用于供热的电源电连接，以使所述供热金属线产生热量；第二结构层，与所述第一结构层导热连接，所述第二结构层包括两个区域，其中，第一个区域中设置有至少一个监控电路；第二个区域中设置有至少一个待测试电路；其中，所述监控电路域所述待测试电路具有同种类型的阻性存储单元。本发明通过晶圆中的供热金属线进行加热，同时利用监控电路进行温度的监控，不需要新增结构，同时还能提高测试效率。
CN115910998A	闩锁测试结构本发明提供一种闩锁测试结构，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一阱区，位于第一导电类型的衬底内；第一导电类型的第一掺杂区，位于第一导电类型的第一阱区内；第二导电类型的第一掺杂区，位于第一导电类型的第一阱区内；于第一导电类型的衬底内间隔排布的第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区，第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第三掺杂区及第二导电类型的第三掺杂区均位于第二导电类型的第一掺杂区远离第一导电类型的第一掺杂区的一侧。上述闩锁测试结构可在一定外界条件下触发闩锁，以提取电学参数，改善半导体结构设计。
CN115910996A	叠层封装体、其制备方法及电子设备本公开涉及叠层封装体、其制备方法及电子设备，该叠层封装体包括：至少两个预封装体；每个预封装体至少包括芯片、第一重布线层和第一连接体；至少两个预封装体叠层互连，相邻两个预封装体中一个预封装体的有源面和另一个预封装体的无源面相对，其中一个预封装体的第一连接体与另一个预封装体的第一重布线层电连接；其中，在叠层互连方向上，第一重布线层位于芯片的有源面一侧，第一连接体与芯片位于第一重布线层的同一侧；在垂直于叠层互连方向的任一方向上，第一连接体位于芯片的至少一侧。由此，通过第一连接体和第一重布线层实现芯片的叠层互连，与相关技术相比，缩短了电互连的长度，具有较高的电性能，无需穿孔，工艺成本较低。
CN115910994A	通用型晶粒互联器及其对应的晶粒封装结构本发明公开了一种通用型晶粒互联器及其对应的晶粒封装结构，其中晶粒封装结构包括：第一集成电路芯片，内部设置有多层金属导线，所述金属导线与第一集成电路芯片的输入/输出端口电性连接；若干个第二集成电路芯片，所述第二集成芯片放置在第一集成芯片上，第二集成电路芯片的输入/输出端口与第一集成电路芯片上的输入/输出端口电性连接；所述第一集成电路芯片和若干第二集成电路芯片封装成一整体。本发明用于解决多个芯片封装在一起存在的问题。
CN115910993A	互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法本公开涉及一种互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法。本公开的各个实施例通过经由单个间隙填充处理同时形成延各个方向延伸的互连件来提高半导体器件的集成度。本发明的实施例提供了一种能够简化半导体处理的互连结构、包括该互连结构的半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法。根据本公开的一个实施例，一种互连结构包括：多个互连件的堆叠，其中，多个互连件中的至少两层沿不同方向延伸，并且至少两层的下部互连件的上表面的一部分与至少两层的上部互连件的下表面的一部分直接接触。
CN115910987A	半导体装置本发明的实施方式的半导体装置具备：第一半导体芯片，具有产生磁场信号的第一线圈；布线板，具有第二线圈、第三线圈、和将所述第二线圈与所述第三线圈连接的双绞布线，所述第二线圈与所述第一线圈对置配置，并接收所述第一线圈所产生的所述磁场信号；以及第二半导体芯片，具有第四线圈，所述第四线圈与所述第三线圈对置配置，并接收所述第三线圈所产生的磁场信号。
CN115910986A	一种三维异质异构集成射频微系统本发明公开了一种三维异质异构集成射频微系统，该系统包括硅基封装层和高/低温共烧陶瓷封装层；低功率射频芯片放置在硅基转接层上，通过硅基转接层顶部重布线层和硅基封装键合线完成射频信号、电源信号和控制信号的连接；大功率射频芯片放置在高/低温共烧陶瓷基座上，通过高/低温共烧陶瓷封装键合线和高/低温共烧陶瓷基座完成射频信号、电源信号和控制信号的连接。本发明采用硅基封装技术与高/低温共烧陶瓷技术相结合方式，实现多芯片堆叠完成系统三维封装，这种异质异构集成方式可以根据封装材料特性和芯片材料特性，综合考虑两者的射频性能以及物理性能充分优化封装内部芯片布局，在缩小射频微系统体积的同时，提高了系统的可靠性。
CN115910981A	包含集成焊盘的设备及其制造方法本申请案涉及包含集成焊盘的设备及其制造方法。本文中公开包含电隔离延伸部及相关系统及方法的半导体装置。电隔离延伸部可耦合到对应连接焊盘，所述连接焊盘附接到装置的表面。所述电隔离延伸部可至少部分地延伸穿过所述表面处或附近的一或多个层并朝向衬底或其内部部分。
CN115910977A	半导体封装一种半导体封装包括连接基板，位于封装基板上并且具有穿透其的开口。芯片堆叠位于封装基板上并且位于开口中。再分布层位于连接基板和芯片堆叠上。上半导体芯片位于再分布层的第一再分布焊盘上。外部端子位于封装基板的底表面上。芯片堆叠包括位于封装基板的基板焊盘上的第一半导体芯片、以及位于第一半导体芯片和再分布层的第二再分布焊盘上的第二半导体芯片。再分布层包括与上半导体芯片重叠的第一区和在上半导体芯片旁边的第二区。第一再分布焊盘位于第一区上。第二再分布焊盘位于第二区上。
CN115910976A	半导体整流桥本发明公开一种半导体整流桥，包括：包覆于环氧封装体内的第一芯片基板、第二芯片基板和一端自环氧封装体中伸出的第一引脚、第二引脚，所述第一芯片基板包括第一支撑区和垂直于第一支撑区一端的第一引线区，第二支撑区与第二引线区的连接处并位于靠近第一折弯部一侧边缘处具有一缺口，所述缺口与第一折弯部在水平面上贴近设置；所述第一支撑区的上表面间隔设置有第三芯片、第四芯片，所述第一支撑区上位于第三芯片、第四芯片之间的区域开有一通孔。本发明既可以避免芯片之间、芯片与基板之间碰撞引起的产品失效问题，又可以改善注塑成型时环氧对基板的冲击力，提高产品整体的加工良率和长期使用过程中的稳定性。
CN115910975A	半导体封装件本发明的实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一线路层，包括位于下表面上的第一焊垫；第二线路层，位于第一线路层下方，第二线路层包括位于下表面上的第二焊垫以及位于上表面上的第三焊垫，第一焊垫和第二焊垫的几何特征不同；焊球，夹持在第三焊垫和第一焊垫之间。本发明的目的在于提供一种半导体封装件及其形成方法，以优化半导体封装件的性能。
CN115910972A	封装中的具有两个分离的电源域的双管芯集成电路系统提供了一种封装(11)中的具有两个分离的电源域的双管芯集成电路(IC)系统(1)，该系统包括第一管芯(20)；第二管芯(30)；引线框架(60)，其具有第一接地引脚(GND1)、第一电源电压(Vsup1)、第二接地引脚(GND2)以及第二电源电压(Vsup2)，其中该第一管芯(20)连接至第一接地引脚(GND1)和第一电源电压(Vsup1)，并且其中该第二管芯(30)连接至第二接地引脚(GND2)和第二电源电压(Vsup2)；以及至少一个电容元件(70)，其耦合在第一接地引脚(GND1)与第二接地引脚(GND2)之间和/或耦合在第一电源电压(Vsup1)与第二电源电压(Vsup2)之间。
CN115910968A	一种具有封装PAD外露结构的引线框架本发明涉及集成电路零部件技术领域，尤其为一种具有封装PAD外露结构的引线框架，所述框架主体的表面固定连接有主连接柱，所述主连接柱的末端固定连接有主接头，所述主接头的表面开设有卡接槽，所述主接头的表面开设有插孔，所述插孔的内部插接有按钮，所述主接头的表面固定连接有弹簧，所述按钮的末端固定连接有推板，所述卡接槽的内部插接有副接头，所述副接头的表面固定连接有卡点。本发明通过副接头插接在卡接槽的内部，卡点受到压板的阻挡，再通过压簧控制压板在卡接槽内部是伸缩，从而达到了加强框架主体与副框架之间连接的强度与稳定性，避免了在使用过程中发生强框架主体与副框架之间的连接脱落的效果。
CN115910966A	一种芯片连接结构及其方法本发明涉及芯片连接技术领域，具体涉及一种芯片连接结构及其方法，包括垂直设置的芯片和封装基板；所述芯片为长方体结构，所述芯片具有连接面，所述连接面上设置有多个键合区；所述封装基板为矩形片状结构，所述封装基板具有正表面，正表面上设置有与键合区一一对应设置的多个接线垫；键合区与接线垫通过金属连接线一一键合连接；与正表面垂直的四个侧面中，面积最小的前侧面与芯片直接接触；芯片与前侧面接触的一侧面为接触面，接触面的长和宽均分别大于等于前侧面的长和宽，接触面遮挡前侧面。本发明形成的芯片连接结构，横截面小，体积小，尤其适应于狭窄通道环境的使用。
CN115910965A	半导体设备实施方式使半导体设备的特性提升。实施方式的半导体设备包括：封装基板(3)，包括多个端子(31)和基座(32)；半导体芯片(2)，设置于基座(32)的上方；以及电容器芯片(1)，设置于基座(32)的上方。半导体芯片(2)包括被供给接地电压(VGND)的第1焊盘(22)、与端子(31)电连接的第2焊盘(24)以及与焊盘(22、24)连接的半导体电路(20)。电容器芯片(1)包括设置于硅基板内的电容器部(10)、与所述第1电容器部(10)电连接并且被供给接地电压(VGND)的第1节点(16B)、以及与第2焊盘(22)及电容器部(10)电连接的第2节点(16A)。
CN115910964A	一种带有信号端子的连接桥本发明公开了一种带有信号端子的连接桥，技术方案包括连接桥部件，所述连接桥部件包括一体设置的底板一、底板二、拱桥部和E极信号部件，所述底板一通过拱桥部和底板二连接，所述E极信号部件竖直设置在底板一的一侧；包括G极信号部件，所述G极信号部件和E极信号部件平行布置；包括注塑连接件，注塑连接件将G极信号部件和E极信号部件连接成一体，本发明避免了两次装配和键合互联，降低栅极回路电感，增加芯片可使用面积，增加提高产品的功率密度。
CN115910959A	介电表面中用于以增加表面积、键合强度及对准来键合的齿形结构、阴影线及其它表面图案本申请案涉及介电表面中用于以增加表面积、键合强度及对准进行键合的齿形结构、阴影线及其它表面图案。半导体装置包含具有第一主表面及与所述第一主表面相对的第二主表面的半导体衬底、在所述第一主表面上方的第一介电材料层及在所述第二主表面上方的第二介电材料层。所述第一层包含多个凹部，且所述第二层包含多个突起。所述多个凹部中的每一个由形状界定，且所述多个突起中的每一个与所述多个凹部中的对应一个竖直对准且由所述多个凹部中的所述对应一个的所述形状界定。
CN115910957A	半导体结构及其形成方法、半导体布置示例性半导体结构包括具有第一侧和第二侧的器件衬底。介电层设置在器件衬底的第一侧上方。贯通孔沿着第一方向延伸穿过介电层并且从第一侧穿过器件衬底延伸至第二侧。贯通孔具有沿着第一方向的总长度和沿着不同于第一方向的第二方向的宽度。总长度是介电层中的贯通孔的第一长度和器件衬底中的贯通孔的第二长度的总和。第一长度小于第二长度。保护环设置在介电层中和贯通孔周围。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法、半导体布置。
CN115910956A	无凸块和无引线的半导体器件公开了一种半导体器件，包括：管芯，具有中央有源区、顶面、底面；侧壁，具有多个通孔，每个通孔从顶面的顶端延伸至底面的底端；顶面上的多个管芯焊盘，从中央有源区延伸至各自的顶端；底面上的图案化背面金属化层，包括延伸至相应底端的多个电隔离区域；金属涂层部分地填充通孔，并在多个管芯焊盘中的相应管芯焊盘和多个电隔离区域中的相应电隔离区域之间提供电连接；和钝化层，覆盖顶面和管芯焊盘。
CN115910949A	一种带有散热功能的芯片三维封装结构及其制备方法本发明公开了一种带有散热功能的芯片三维封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该结构包括带有散热通孔阵列的盖板、衬底、功能芯片、金属柱和电极结构，盖板置于衬底上形成空腔，功能芯片、金属柱和电极结构均置于空腔中；电极结构置于衬底上，金属柱的一端连接电极结构，另一端连接散热通孔阵列中的一个散热通孔；功能芯片背面与散热通孔阵列连接，功能芯片正面通过电极结构、金属柱与散热通孔阵列连接。该结构通过对功能芯片的两面同时进行导热和散热，提高了散热效率。另外，制备该结构的方法采用晶圆级工艺，工艺简单、散热能力较好、可靠性较高。且盖板材料根据空腔制作材料进行选择，尽量减小二者之间由于热失配造成的应力。
CN115910943A	封装结构本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种封装结构，包括至少一个第一类型晶片和至少一个第二类型晶片，每一第一类型晶片和每一第二类型晶片之间需要进行隔离；至少一个金属连接结构，第一类型晶片被放置于一相应的金属连接结构的上表面，第二类型晶片被放置于另一相应的金属连接结构的上表面；引线框架，第一类型晶片和第二类型晶片的部分电极与引线框架连接；至少一个电容单元，用于实现第一类型的晶片和第二类型的晶片之间的隔离，塑封体，用以包封所述第一类型晶片、第二类型晶片、金属连接结构、电容单元和引线框架，并裸露部分引线框架作为所述封装结构的引脚。将隔离电容不放置在晶片上，降低了隔离芯片的生产成本，提高了可靠性。
CN115910939A	半导体晶圆结构及其形成方法本发明涉及包括半导体衬底以及沿半导体衬底设置的多个半导体器件的半导体晶圆结构。包括多个介电层的介电堆叠件布置在半导体衬底上方。导电互连结构位于介电堆叠件内。密封环层位于介电堆叠件上方并且沿介电堆叠件的第一侧壁横向围绕介电堆叠件。密封环层包括延伸至半导体衬底中的第一沟槽中的第一突起。本申请的实施例还涉及半导体晶圆结构及其形成方法。
CN115910934A	一种半导体模块封装外壳及封装方法本发明公开了一种半导体模块封装外壳及封装方法，包括：金属端子与塑料壳体；所述金属端子为梯形柱结构，所述金属端子的梯形截面包括顶边、底边和两个侧边，所述金属端子通过注塑方式嵌设于所述塑料壳体内，所述顶边外露于所述塑料壳体，所述顶边的宽度L1≤1.5mm。该外壳的设计可以避免在注塑过程中难以控制而出现金属端子与塑料壳体之间出现特定区域的空洞，进而可以避免键合过程中出现劈刀打滑、共振等现象造成脱点虚焊，提升焊接质量。
CN115910928A	半导体结构及其形成方法一种半导体结构及其形成方法，所述方法首先形成第一阱区和覆盖所述第一阱区的第一鳍部材料层，之后，再形成第二阱区和覆盖所述第二阱区的第二鳍部材料层，可以实现第一阱区与所述第一鳍部材料层之间及第二阱区与所述第二鳍部材料层之间的准确对准，从而可以准确实现第一阱区与所述第一鳍部层之间及第二阱区与所述第二鳍部层之间的对准。同时，第一鳍部材料层非采用先外延生长而后通过刻蚀形成，可以避免所形成的第一鳍部材料层的底部出现圆角，以及避免刻蚀形成第一鳍部材料层的过程中对衬底的第二区域的顶部造成损伤。
CN115910925A	半导体结构及其形成方法一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括器件区和隔离区，隔离区内具有改性层；对衬底进行图形化处理，形成基底、位于基底上的若干器件鳍部和若干改性鳍部；在基底上形成第一隔离材料层，第一隔离材料层覆盖器件鳍部且暴露出改性鳍部；去除改性鳍部。通过形成改性层，使得由改性层所形成的改性鳍部与隔离区之间具有较大刻蚀选择比，进而能够保证各个隔离区上的改性鳍部被去除完全且较小的损伤基底，降低晶体管之间发生短接的问题。另外，在形成第一隔离材料层时，改性鳍部还未被去除，器件鳍部和改性鳍部的分布较均匀，因此，形成的第一隔离材料层的应力分布也较均匀，能够有效减少因应力差所造成鳍部弯曲变形问题。
CN115910922A	半导体结构的形成方法一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底和鳍式结构；进行一次或多次的深宽比调整处理，在露出的鳍式结构的顶部和侧壁上形成第一伪栅层，位于鳍式结构相对侧壁上的第一伪栅层围成V型沟槽；深宽比调整处理包括：在露出的鳍式结构的顶部和侧壁上形成伪栅膜，位于鳍式结构相对侧壁上的伪栅膜之间具有间隙；对伪栅膜进行氧化处理，适于将部分厚度的伪栅膜转化为氧化层；去除氧化层；在第一伪栅层上形成填充V型沟槽的第二伪栅层，第二伪栅层与第一伪栅层构成伪栅结构，伪栅结构横跨鳍式结构。本发明实施例通过改变调整伪栅膜深宽比的方法，提高了伪栅结构在相邻鳍式结构之间的填充性能、以及伪栅结构的成膜质量。
CN115910917A	金属钨膜及其制备方法本发明提供一种金属钨膜及其制备方法，其制备方法包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上沉积钨成核层；于钨成核层上沉积钨体沉积层；钨成核层与钨体沉积层的总厚度小于预设厚度，重复进行沉积钨成核层及钨体沉积层至少一次形成多层结构，直至得到预设厚度的金属钨膜。本发明通过一种简单的多层膜层结构设计和WCVD制备方法结合的方式，在不需要改变现有工艺参数的基础上，解决制备大厚度的金属钨膜因应力、衬底弯曲形变较大，出现膜层破裂、剥离翘曲或剥落等问题；本发明以多层结构的方式，将金属钨膜分层沉积，通过细化晶粒、增加晶界面积，使得金属钨膜沉积过程中产生的应力、应变在钨膜中均匀化，实现低应力、低弯曲形变金属钨膜的制备。
CN115910916A	一种接触孔结构的制备方法本申请提供了一种接触孔结构的制备方法，包括：提供一基底，所述基底刻蚀有初始接触孔，初始接触孔具有刻蚀弯曲及缩颈；提供一扩孔光罩，其中，扩孔光罩的扩孔区域对应初始接触孔；以扩孔光罩为掩膜板对初始接触孔处氧化物层继续进行刻蚀，以扩大初始接触孔的顶部面积消除刻蚀弯曲及缩颈，形成目标接触孔；于目标接触孔内填充金属材料并平坦化，以形成接触孔结构。上述技术方案，消除了目标接触孔的刻蚀弯曲及缩颈，在后续对所述目标接触孔采用化学气相沉积工艺填充金属材料时，能够有效避免产生空洞，从而避免残留在空洞中的残余气体的释放，解决了由于残余气体的释放导致金属介质层与金属层接触的区域受到破坏，从而避免半导体器件的损坏。
CN115910915A	一种集成电路铜互连结构制备方法及相关器件本申请公开了一种集成电路铜互连结构制备方法及相关器件，其中方法通过在下层铜互连线表面和上层通孔/沟槽底部增加一层铜扩散阻挡层，使刻蚀只能至铜扩散阻挡层而非铜金属表面，而铜扩散阻挡层可在后续的通孔/沟槽的铜扩散阻挡层沉积时，使用反溅射工艺去除，这可以防止在后续的刻蚀工艺中，造成刻蚀残留物对下层铜金属互连线的污染及腐蚀，同时也能避免下层铜金属互连线不会在后续的工艺中，暴露在大气中而造成铜氧化，提高了产品的良品率。
CN115910914A	半导体结构及其制造方法本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构的制造方法包括如下步骤：提供衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面，所述衬底晶圆第一表面具有向所述衬底晶圆内部延伸的过孔；采用激光聚焦方法在所述衬底晶圆内形成空隙结构；在所述过孔内形成硅通孔结构，所述硅通孔结构的至少部分侧面被所述空隙结构包围；在所述衬底晶圆第一表面制作器件。本发明的优点在于，能够在形成所述空隙结构时利用激光聚焦方法自然形成密闭的空隙结构，以保持空隙结构的设计图案，从而保证硅通孔结构应力释放效果，增大硅通孔结构周围不受内应力影响区域的面积，以增加晶体管的排布数量，提高半导体结构的性能。
CN115910912A	浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构。浅沟槽隔离结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底内形成初始浅沟槽隔离结构；于所述基底上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层具有开口；其中，所述开口暴露出所述初始浅沟槽隔离结构；基于所述开口，对所述初始浅沟槽隔离结构进行掺杂，以改变外露于所述基底的初始浅沟槽隔离结构的刻蚀特性，得到浅沟槽隔离结构。通过改变外露于基底的初始浅沟槽隔离结构的刻蚀特性，使得获得的浅沟槽隔离结构的外露于基底的这部分结构不易被刻蚀，后续制程中各种刻蚀、清洗工艺不会对浅沟槽隔离结构造成破坏，避免在浅沟槽隔离结构中产生凹坑，帮助提升器件性能。
CN115910906A	一种承载模组及半导体清洗设备本发明提供了一种承载模组及半导体清洗设备，包括：沿纵向方向平行设置的第一转盘、第二转盘和支撑部，支撑部两端端部分别连接至第一转盘和第二转盘，以及至少一个承载单元；承载单元与第一转盘和/或第二转盘枢转连接以形成平行于支撑部的枢转轴，承载单元围绕枢转轴转动。本发明提供了一种承载模组及半导体清洗设备，通过将承载单元与第一转盘形成平行于支撑部的枢转轴，使承载单元能够绕枢转轴转动，以在片盒清洗前和片盒清洗完成后，通过手动驱动承载单元绕枢转轴转动，使承载单元面向操作者，以便于将片盒载入或载出承载单元，避免活动拆装承载有片盒的承载支架所导致的人工劳动强度大的问题，以提高片盒清洗的效率。
CN115910905A	一种晶圆固定设备本发明公开了一种晶圆固定设备,涉及晶圆固定的技术领域，本发明通过驱动机构的气缸及升降杆带动夹紧组件的压板在限位块中向下移动，通过滚轮带动移动板朝向晶圆移动，移动板上的夹板对物料盘上的晶圆进行夹紧固定，多个晶圆能够同时进行夹紧固定，当松开晶圆时，只需要使气缸的活塞杆带动压板上移，在弹簧弹力的作用下能够使夹板远离晶圆，晶圆被松开，整个过程对晶圆的固定与松开均十分的方便。
CN115910904A	基板卡盘装置本发明公开了一种基板卡盘装置，包括环形齿轮、夹持组件、基座和驱动机构，环形齿轮与基座同轴设置，夹持组件沿基座的周向间隔设置于基座上，并与环形齿轮传动连接，驱动机构驱动环形齿轮，使得环形齿轮带动夹持组件夹持或释放基板，驱动机构包括第一磁性组件和第二磁性组件，第一磁性组件固定于基座；第二磁性组件固定于环形齿轮，第二磁性组件与第一磁性组件相吸或相斥，以驱动环形齿轮相对于基座转动，使得夹持组件夹持或释放基板。本发明具有能够快速地夹持或释放基板的优点。
CN115910903A	一种石英晶片嘴吸取装置本发明公开了一种石英晶片嘴吸取装置，涉及石英晶片生产吸取技术领域。包括支撑底座，所述支撑底座的表面安装有控制面板，所述支撑底座的顶部固定安装有加工台，所述加工台的表面安装有L型传送带，所述加工台的顶部固定安装有固定架；本发明能够方便对方形、圆形的石英晶片进行吸取，有利于根据石英晶片生产的形状调节吸取装置的大小，从而更好的对方形或者圆形的石英晶片进行吸取移动，提高石英晶片生产加工的效果，同时该装置还能够更好的对生产过程中的石英晶片进行吸取移动，有利于提高石英晶片吸取移动过程中的稳定性，提升石英晶片生产移取的效果，为后续石英晶片生产加工工作提供便利。
CN115910902A	静电吸盘本申请公开一种静电吸盘，包括吸盘主体、散热基座以及设置于所述吸盘主体和散热基座之间的导热腔体，所述吸盘主体内设置有静电电极和加热电极，所述静电电极用于产生静电引力，所述加热电极用于产生热量，所述导热腔体内形成内腔，所述内腔中填充有导热介质，所述导热介质在相对较低的第一温度时具有第一导热系数、在相对较高的第二温度时具有第二导热系数，所述第一导热系数大于第二导热系数，使得所述导热腔体在第一温度时的热传导性能大于在第二温度时的热传导性能，本申请静电吸盘的导热腔体高温时热传导性能降低，减缓热量向散热基座的传递；在低温时热传导性能提升，加速热量向散热基座的传递，从而能够同时兼顾升温与降温的使用需求。
CN115910896A	一种碳化硅晶圆的正面加工方法本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆的正面加工方法，本发明包括以下步骤：S11、取一个带有气孔的耐高温载板，将一个完成前段制程的碳化硅晶圆背面贴附到耐高温载板上，再从耐高温载板底部采用抽气设备进行抽气，将碳化硅晶圆吸附到耐高温载板上；S12、对步骤S11中得到的碳化硅晶圆，首先在碳化硅晶圆正面进行碳沉积，使得碳沉积层碳化硅晶圆外侧为碳化硅晶圆提供保护，方便对碳化硅晶圆的正面进行加工，不但无需直接对碳化硅晶圆进行蚀刻，而且通过带有气孔的耐高温载板对碳化硅晶圆进行吸附承载，无需对碳化硅晶圆和耐高温载板进行永久键合，使得对碳化硅晶圆正面的加工工艺的难度更低。
CN115910894A	片材剥离装置及片材剥离方法本发明提供能够减少剥离所需的成本且能够抑制晶圆等板状部件破损的片材剥离装置及片材剥离方法；片材剥离装置(1)具有保持粘贴有片材(S)的板状部件(W)的保持台(10)、尖端部(21)、能够保持片材(S)的剥离起始端部(S1)的第一片材保持部(30)、以及沿片材(S)的宽度方向设置的第二片材保持部(40、40)；尖端部(21)能够通过水平移动而从水平方向与侧端面(S2)卡合，并能够通过向上方移动而牵拉片材(S)从而形成剥离起始端部(S1)；第一片材保持部(30)能够通过夹持剥离起始端部(S1)并向上方移动而将剥离起始端部(S1)向上方侧拉起，第二片材保持部(40、40)能够沿宽度方向夹持剥离起始端部(S1)的宽度方向两侧，并通过向剥离方向另一端侧移动而将片材(S)剥离。
CN115910887A	显示装置显示装置包括：像素电极，设置在衬底上；至少一个发光元件，设置在像素电极中的每个上；平坦化层，设置在像素电极上，并且填充至少一个发光元件之间的空间；以及公共电极，设置在平坦化层和至少一个发光元件上。至少一个发光元件中的每个布置成垂直于像素电极中的每个的顶表面，像素电极中的至少一个像素电极包括朝向像素电极中的相邻的像素电极突出的突出部，并且突出部在平面图中与至少一个发光元件重叠。
CN115910877A	装载端口本发明提供了一种装载端口。该装载端口包括：框架，该框架包括开口，传送目标物体能够经由该开口以基本上水平的姿势通过；装载端口门，该装载端口门被配置为与能够打开和关闭存储容器的装载/卸载端口的容器门接合，并且被配置为打开和关闭所述框架的开口，该存储容器包括能够以多级方式容纳传送目标物体的狭槽；以及映射机构，该映射机构被配置为经由开口和装载/卸载端口来映射关于容纳状态的信息，该容纳状态包括在所述存储容器中的每个所述狭槽中存在或不存在所述传送目标物体。
CN115910871A	一种石英基座及其制造方法本发明公开了一种石英基座，包括：下基座，用于连接炉底板的部件，上基座，平行于下基座设置在下基座的上方，用于连接石英舟的部件，一体式沟棒，与下基座和上基座垂直连接，用于保温石英片的支撑和定位，一体式沟棒的上端穿过上基座向上延伸成一体式长定位柱，一体式沟棒的下端穿过下基座向下延伸成一体式短定位柱；设置在上基座和下基座之间的一体式沟棒上均布有若干沟齿；独立长定位柱和独立短定位柱，假接固定在上基座和下基座上且与一体式短立柱呈均匀布设。还公开了该石英基座的制造方法。该石英基座及其制造方法，无需重复搭建假接治具，无需反复调校，避免了人工操作误差，降低了制造难度，能有效提高产品质量的稳定性、产能和生产效率。
CN115910869A	装载腔体及其清洗方法、及半导体设备本申请涉及一种装载腔体及其清洗方法、及半导体设备，包括腔本体。腔本体内部构造有至少一个装载腔，且具有连通各装载腔的进气部和出气部。其中，腔本体具有至少一个分散部，每一分散部对应一装载腔布置，各分散部包括独立设置的多个分散孔，各个分散孔均连通进气部与对应的装载腔，并用于分散进入对应装载腔内的气流。与现有技术相比，本申请能够分散气流并降低气流速度，有效避免气流集中形成涡流，装载腔内气体分布更加均匀，气流与装载腔内壁的接触几率大大增加，提高了气流清除装载腔内壁附着的微粒粉尘效果，可以延长装载腔体的维护周期，降低维护成本，也可帮助提高基片的良品率。
CN115910865A	一种封装指纹识别芯片封装装置及其封装方法本发明公开了一种封装指纹识别芯片封装装置及其封装方法，属于封装装置技术领域。本发明用于解决塑封料和相邻材料之间的热膨胀系数不匹配容易产生热机械应力，以及固化和冷却时收缩应力影响，容易产生分层现象，产生不良品；现有塑封料与相邻材料黏合包覆芯片时，材料之间容易存在微小气泡的技术问题；本发明包括底座，底座顶部中心凹陷嵌入式安装有输送带，底座一端顶部固定安装有压合组件；本发明故而既能达到指纹识别芯片粗品预热实现塑封料与相邻材料之间的热膨胀系数匹配，杜绝热机械应力导致的分层现象，又能对后续的指纹识别芯片粗品进行持续性升温预热，以及在内热气罩中构成内部压强，杜绝外部含尘空气入侵，保持指纹识别芯片粗品表面清洁。
CN115910863A	晶圆剥离设备本发明公开了一种晶圆剥离设备，包括机台以及设置于机台上的上料机构、剥离机构、下料机构，所述上料机构包括上料架、上料机械手，所述上料架用于提供待剥离的晶圆，所述上料机械手用于搬运待剥离的晶圆；所述剥离机构包括定位组件、凸轮顶升组件、旋转上下组件、中转平台，所述定位组件接收所述上料机械手上待剥离的晶圆，所述凸轮顶升组件将晶圆片顶起来，同时所述旋转上下组件吸附剥离的晶圆片放置于中转平台上；所述下料机构包括下料机械手、下料架，所述下料机械手从中转平台上吸取剥离的晶圆片，所述下料机械手将剥离的晶圆片放置于下料架的脆盘内。本发明以自动化代替人工，降低了劳动强度，减少了人力成本，提高了工作效率。
CN115910860A	一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法本发明提供了一种垂直结构LED晶粒分选后质检方法，通过将晶圆的原始标准数据与质检BIN晶粒数据进行对比分析，分析项目：电压、波长、亮度，按标准数据中电压、亮度、波长数据的标准范围进行对比，以此分类作为成品入库，利用导电膜收集晶圆中晶粒，同时抛出收集晶圆中晶粒原始数据，点测机回测导电膜收集晶圆中晶粒比对原始标准数据，得到良率管控，提前防止切割产出不良晶粒流入客户端，有效管控产品NG异常率，有效卡控LED晶粒产品质量，解决产品批次异常、分类混乱的问题，保证LED晶粒产品的质量及可靠性。
CN115910852A	清洗装置本发明提供一种能够减少清洗液再次附着于基板并维持基板清洁的清洗装置。实施方式的清洗装置(1)具备：多个辊(100)，其包含传递部(101)和基体部(102)，该传递部(101)与基板(W)接触并使基板(W)旋转，该基体部(102)的直径从传递部(101)起扩张，该基体部(102)包含位于基板(W)的下方的上表面(102a)；清洗液喷出部(40)，其相对于基板(W)喷出清洗液(L)；以及清洗部，其通过使刷子(25)接触于旋转的基板(W)的至少一个面来清洗基板(W)的面，在基体部(102)的上表面(102a)形成有从辊(100)的旋转中心侧到达外周的槽(103)。
CN115910851A	基板处理装置及方法本发明提出基板处理装置及方法，涉及半导体设备技术领域，包括：夹持机构，喷头机构，旋转驱动机构，加热机构，控制机构。加热机构包括设置在基板下方的加热盘，加热盘沿径向方向开设至少两个空腔，每个空腔分布在不同半径上，在液体喷头沿基板的径向方向由基板中心向基板边缘移动的过程中，当液体喷头移动至基板上方的某一区域时，控制机构控制位于该区域对应半径上的空腔内的流体的热能，进而提高液体喷头下方基板的局部温度。本装置可以分区动态精确控制基板区域加热，实现干燥工艺过程中对基板表面液体的表面张力和蒸发速度的精确控制，避免干燥过程中基板表面的精细图案结构被损坏。
CN115910843A	加工装置本发明提供加工装置，其容易进行将划片带粘贴于在与外周剩余区域对应的背面上形成有环状的加强部的晶片的背面而与框架成为一体的作业，并且容易将加强部切断去除。加工装置包含晶片盒台、晶片搬出机构、晶片台、框架收纳单元、框架搬出机构、框架台、带粘贴单元、有带框架搬送机构、带压接单元、框架单元搬出机构、加强部去除单元、无环单元搬出机构以及框架盒台。晶片搬出机构具有向晶片的背面喷出气体而生成负压的伯努利卡盘机构。伯努利卡盘机构所喷出的气体是惰性气体。晶片搬出机构通过从伯努利卡盘机构喷出惰性气体而在搬出晶片时抑制晶片的背面发生氧化。
CN115910841A	一种裸芯片级滤波器封装系统本申请涉及滤波器封装技术的领域，并公开了一种裸芯片级滤波器封装系统，包括封装装置，封装装置包括封装箱和手套操作口，手套操作口设置于封装箱的玻璃上并有伸入封装箱内，封装系统还包括换气装置，换气装置包括安装于封装箱上的出气阀一、安装于封装箱外侧壁的保护气体存储罐、连通于保护气体存储罐和封装箱之间的输气管道一、安装于输气管道一上的调节阀一，保护气体存储罐中的保护气体用于将封装箱内的空气排出。本申请解决了现有技术中无尘环境中空气内的灰尘颗粒会对滤波器的封装造成影响的技术问题，实现了向封装箱内填充保护气体，将封装箱内的空气排出，以提高封装箱内的清洁度，减少对滤波器的封装造成影响。
CN115910840A	基板处理装置用基板支撑组装体本发明涉及基板支撑装置用基板支撑组装体，本发明的特征在于，包括：夹头底座，支撑待处理的基板，在外周面附近，沿着周围方向形成设置收纳部，在通过设置收纳部包围的内侧部分形成向上方开放的收容槽，能够以旋转轴为中心进行旋转；夹头销，配置在夹头底座的设置收纳部上部，能够沿着远离和靠近基板的方向移动；器具部，配置于设置收纳部内，与夹头销相连接，用于使夹头销移动；驱动部，用于向器具部传递动力；以及超声波清洁单元，收容在收容槽，在夹头底座的外周面附近沿着周围方向形成的设置收纳部内集中配置器具部，在中心的收容槽收纳超声波清洁单元，因此，可具有能够通过超声波发生单元清洁基板的背面的功能效果。
CN115910836A	一种基于机器视觉的芯片开封方法及开封装置本申请涉及芯片开封技术领域，具体而言，涉及一种基于机器视觉的芯片开封方法，包括利用开封激光光束发射至芯片表面，对芯片进行逐层开封。在芯片开封前后，分别投射指示激光线，采集指示激光线的结构光图像，计算指示激光光源与指示激光线的垂向距离，利用前后两次的垂直距离计算开封深度。根据开封深度确认是否继续开封。本申请还涉及一种基于机器视觉开封装置，包括开封机构、指示激光光源、图像采集装置、视觉成像机构以及处理器。处理器根据采集的图像计算开封深度，并结合视觉成像机构的图像数据向开封机构发送开封启动信号或开封停止信号。本装置对芯片逐层开封的前提下，使开封过程进行闭环调节。
CN115910835A	工件处理系统、距离测量装置及工件放置路径设定方法一种由工件处理系统对工件实施的工件放置路径设定方法，所述工件处理系统包含承载座及机械手臂，且所述工件放置路径设定方法包含：获得对应所述承载座的第一位置，以及在所述工件被放置于所述承载座的情况下获得对应所述工件的第二位置；根据所述第一位置与所述第二位置之间的差异产生校正放置路径。其中，所述校正放置路径是用于控制所述机械手臂将待处理工件放置至所述承载座，而使得所述待处理工件的中心与所述承载座的中心之间的距离小于所述第一位置与所述第二位置之间的距离。所述校正放置路径能使所述机械手臂将待处理工件放置地与所述承载座更加对齐，所以能避免因所述待处理工件的放置位置偏差而对所述待处理工件的处理造成负面影响。
CN115910834A	半导体设备及其控制方法本申请实施例涉及一种半导体设备及其控制方法。该设备包括承载台，用于放置晶圆；第一温度检测装置和第二温度检测装置，分别设置在所述承载台对应腔室的相对侧壁上，用于同时采集晶圆的表面温度，并根据采集到的表面温度分别生成第一检测温度和第二检测温度；控制装置，分别与第一温度检测装置和第二温度检测装置连接，用于在第一检测温度和第二检测温度均不大于预设温度时，生成取片信号；其中，取片信号用于控制半导体设备的传输机构取出晶圆。半导体设备中的传输机构取出晶圆的动作仅与晶圆表面的温度有关，不受半导体设备中设置的冷却时间的影响，同时缩短半导体设备的生产周期，提高半导体设备的产能。
CN115910833A	一种轻掺硅衬底上硅外延层厚度的测试方法本发明提供一种轻掺硅衬底上硅外延层厚度的测试方法，包括：准备标样以及待测样片，其中所述标样的杂质元素与所述待测样片中外延层的待测元素相同；用二次离子质谱仪测出所述标样的杂质离子及硅离子强度，通过所述标样得到二次离子质谱仪当前测试条件下的相对灵敏度因子RSF；用台阶仪测试样品表面溅射坑深度，溅射坑深度除以测试时间得到溅射速率；用所述标样的RSF值来计算所述待测样片的待测元素浓度，找到所述待测元素浓度突变的突变时间，计算所述待测样片的外延层厚度。本发明的有益效果是实现了轻掺衬底上硅外延层厚度的直接测试，为测试分析提供了更多的选择性，并且在得到外延层厚度的同时也对外延层的掺杂元素浓度进行了测试，对分析外延片品质提供了更多参考。
CN115910832A	一种用于测试离子是否注入的方法本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种用于测试离子是否注入的方法，包括：获取待测试晶圆；待测试晶圆的表面包括氧化层，氧化层包括注入区域和固定区域，在离子注入过程中，待测试晶圆置于离子注入机的注入靶盘上，固定区域通过固定抓手固定；在完成离子注入后，将待测试晶圆置于酸溶液中进行腐蚀后，在纯水中冲洗并甩干；获取腐蚀完成的待测试晶圆并观察氧化层的颜色，注入区域和固定区域之间存在色差，则待测试晶圆已完成离子注入。本发明基于离子是否注入导致的酸溶液对氧化层腐蚀速率不同的特性，使氧化层的固定区域和注入区域在相同时间下腐蚀的厚度不同，从而呈现不同颜色，避免了破坏性的损伤，降低了测试成本。
CN115910831A	一种具有预清洁功能的翻转检查机本发明公开了一种具有预清洁功能的翻转检查机，包括有用于工件检查输送的传输带装置，所述传输带装置之间设置有清洁架，右侧的所述传输带装置外侧设置有第一检查架，且中间的传输带装置后侧设置有支座，所述支座的上端设置有第一液压伸缩杆，所述支撑架的上端通过连接板和翻转架的上端相连接，所述第一检查架包括有贯穿设置在第一检查架上端的第二液压伸缩杆，且第二液压伸缩杆下端连接设置着安装架。该具有预清洁功能的翻转检查机，通过第一工业相机对太阳能电板组件的背板部分进行检查，提高检查严谨度，在第一电机作用下通过第一锥齿轮组和第一转轴带动软清洁刷辊转动，可对太阳能电板组件的钢化玻璃部分进行清洁，方便后续的检查。
CN115910828A	一种具有防掉落功能的芯片封装检测机本发明公开了一种具有防掉落功能的芯片封装检测机，涉及芯片封装技术领域，现如今芯片在进行封装前需要进行点位的检测，在芯片的位置和检测机探头之间对接出现任意的偏移时，将会影响到检测装置的检测，另外传送带输送中芯片未能按照预定的轨迹进行输送将会导致芯片之间碰撞，导致芯片脱离平台，本发明通过设置有检测台、支撑架以及扫描摄像头对芯片的接触端进行检测，为了保证检测阶段的精准度，通过纠偏条对芯片的两侧进行防护，以及配合第二摆板和第二摆板对芯片的位置进行整合，在对芯片输送检测环节中，芯片的位置得到了一定程度的限制，能有效的避免芯片之间的碰撞，依次有序的进行检测，提高了检测的精准度。
CN115910827A	尺寸测量结构及其形成方法一种尺寸测量结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底包括监测区；位于监测区上的第一监测结构，第一监测结构包括若干相互分立的测量结构，各测量结构包括第一监测层和位于第一监测层上的第二监测层，第一监测层包括若干第一图形层和相邻第一图形层之间的第一开口，第二监测层包括若干第二图形层和相邻第二图形层之间的第二开口，提高了关键尺寸测量的准确性，以及光刻工艺的准确性。
CN115910824A	监测侧壁膜层厚度的方法、系统、设备及介质本公开提供了一种监测侧壁膜层厚度的方法、系统、设备及介质，涉及半导体技术领域。所述方法包括在衬底表面器件区内的初始功能结构的侧壁形成目标膜层，采用在线测量设备分别对初始功能结构和目标膜层进行测量，得到初始关键尺寸和目标关键尺寸以确定目标膜层的量测厚度，根据目标膜层的量测厚度和切片厚度，确定在线测量设备对目标膜层的测量偏差，提供待测衬底，待测衬底的器件区包括多个初始功能结构，建立统计制程管制表，以结合测量偏差，通过在线测量设备对在待测衬底的初始功能结构侧壁形成的目标膜层的量测厚度进行监测，以实现侧壁膜层厚度的在线监测，精确控制目标膜层的厚度，提升半导体器件性能。
CN115910822A	一种金属连线电性测试结构本申请提供一种金属连线电性测试结构，包括：测试主体，包括：至少一个第一金属连线，沿第一方向依次排列，所述第一金属连线的两端表面形成有第一通孔；至少一个第二金属连线，沿第二方向依次排列，所述第二金属连线的两端表面形成有第二通孔，所述至少一个第二金属连线与所述至少一个第一金属连线对应设置；第一焊垫，位于所述测试主体的一侧，通过第一金属连接结构与所述第一通孔或第二通孔电连接；第二焊垫，位于所述测试主体的另一侧，通过第二金属连接结构与所述第一通孔或第二通孔电连接。本申请通过巧妙的金属连线分布，利用最有时效性的电性测试，可以有针对性的测试相同结构和不同结构的金属连线之间的漏电情况。
CN115910820A	对半导体封装基板上的电子组件进行放电的方法及系统本发明公开了一种对半导体封装基板上的电子组件进行放电的方法及系统。所述方法包括：在焊线热板表面与所述第一导电连接焊垫对应的区域上设置导电凸起部；将所述半导体封装基板叠设在所述焊线热板表面上，使所述半导体封装基板的第一面与焊线热板的表面相对，并使所述导电凸起部与所述第一导电连接焊垫电性接触；将一焊线机与一导电触针电连接，并使所述导电触针与所述焊线区电接触，从而通过所述焊线机和焊线热板将所述电子组件内存储的电荷释放。本发明提供的一种对半导体封装基板上的电子组件进行放电的方法，可对电子组件的两端进行同步放电，使电子组件的放电更充分，可保证放完电后电子组件内无电荷，电子组件两端电势同步归零。
CN115910819A	一种用于低翘曲度双面树脂基扇出结构的制作方法本发明公开一种用于低翘曲度双面树脂基扇出结构的制作方法，属于集成电路封装领域，包含正面和反面两层结构，其中正面包括正面芯片、第一再布线层以及塑封材料层，反面包括反面芯片、第二再布线层；正面芯片和反面芯片通过粘合层以“背对背”方式进行粘接，并通过树脂塑封料进行模塑；第一再布线层和第二再布线层通过TMV通孔结构进行电学连接，从而实现正反面的信号互联。本发明能有效增加树脂基扇出封装集成密度，并从结构设计层面避免了由于硅‑树脂材料体系热力学性能失配引入的翘曲，可实现低翘曲、高密度的树脂基扇出封装，安全可靠。
CN115910817A	晶圆接合方法及半导体器件本发明提出一种晶圆接合方法及半导体器件，该方法通过在第一晶圆的金属连接层区域形成第一凹陷区；在第一凹陷区内沉积一粘附层；然后将第一晶圆和第二晶圆接合形成晶圆堆叠；接着，进行升温键结和降温退火工艺，使第一晶圆和第二晶圆形成金属键键合。本申请提供的晶圆接合方法，通过平坦化工艺形成凹陷区，然后在凹陷区形成粘附层，利用粘附层的高附着力，增加金属与金属接合界面的附着力，来增加界面键结强度，从而减少空泡，解决晶圆接合不良的缺陷,解决例如电性断路、接触不良的问题,提高产品良率。
CN115910816A	一种芯片、三维芯片及芯片的制备方法本申请公开一种芯片、三维芯片及芯片的制备方法，涉及集成芯片技术领域，能够改善现有三维芯片的凸点的设置位置不均匀，容易引起三维芯片的封装不良的问题。芯片，包括：第一芯片单元，所述第一芯片单元上设置有通信凸点、支撑凸点和凹槽，所述通信凸点部分嵌设在所述凹槽内；所述通信凸点包括第一金属层；所述支撑凸点包括第二金属层；所述第一金属层的尺寸大于所述第二金属层的尺寸。
CN115910812A	一种功率模块的电磁屏蔽方法及电磁屏蔽功率模块本发明公开了一种功率模块的电磁屏蔽方法及电磁屏蔽功率模块，方法包括下述步骤：对完成功率芯片封装的功率模块进行等离子清洗；利用塑封料将功率模块的基板正面的元器件进行覆盖，形成塑封层；在塑封层上设置电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包括铜层、第一不锈钢层、镍层、碳结构网格、铝层、第二不锈钢层和银层；最后在电磁屏蔽层表面进行塑封。本发明中，电磁屏蔽层由多层结构通过物理气相沉积法中的磁控溅射工艺与低温活性焊料所连接，在功率模块在不使用电磁屏蔽罩的情况下以及在无芯片表面进行贴装隔磁材料的情况下实现单个功率模块之间的电磁屏蔽。
CN115910811A	一种POP封装件的封装方法及POP封装件本申请涉及一种POP封装件的封装方法及POP封装件，所述封装方法包括：提供上封装体和下封装体，所述上封装体包括第一基板和第一焊球，所述下封装体包括第二基板和第二焊球，沿所述封装件的厚度方向，使所述第一基板的底壁的面积小于所述第二基板的顶壁的面积；将所述上封装体放置于所述下封装体上方，并使所述第一焊球与所述第二焊球焊接，以使所述第一基板的侧壁与所述第二基板的顶壁形成台阶；将额定重量M的胶水喷涂在所述台阶的台阶面上。通过上封装体与下封装体之间的胶水起到保护上封装体与下封装体之间的焊点的作用，降低焊点开裂、断裂的风险，提高上封装体与下封装体之间的焊接可靠性，从而提高POP封装件的可靠性和使用寿命。
CN115910810A	一种集成电路封装工艺本发明涉及集成电路操作工序技术领域，尤其为一种集成电路封装工艺，划片指的是将晶片分离成单个的芯片，在进行划片操作前，首先需要工作人员人工选取合适标准的圆片，采用立式磨床，利用高速旋转的砂轮与设备卡盘的相对运动，磨削圆片背面的硅层，使圆片厚度达到划片工艺标准的要求，随后采用卧式磨床，利用高速旋转的划片刀切割圆片，将磨片后的圆片切割成单一的个体芯片。本发明通过对整体集成电路进行整合，将原本一体式操作的工艺分成了多个不同的操作模块，更加有效的降低了各个工序之间存在共通性的情况，从而达到了加强生产效率，降低了企业生产出不良品概率的效果。
CN115910809A	一种芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件本发明公开了一种芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的工艺流程实现芯片至晶圆直接混合键合的问题。该方法为在待划片晶圆正面涂覆保护胶层，加热固化；对待划片晶圆反面进行减薄和贴承载膜；对待划片晶圆进行一次划片和清洗，得到多个待激活芯片；对待激活芯片以及目标晶圆进行激活等离子激活，得到激活芯片和激活目标晶圆；对激活芯片和承载膜进行减键合和倒装预键合，得到待处理器件；对待处理器件依次进行退火和二次划片。本发明的芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件可实现芯片至晶圆直接混合键合。
CN115910802A	一种碳基管场效应晶体管生物传感器封装方法本申请提供一种碳基管场效应晶体管生物传感器封装方法，在碳基场效应晶体管生物传感芯片晶圆上设置由剥离胶形成的划片保护层；对碳基场效应晶体管生物传感芯片晶圆依次进行划片、在预设温度下的贴片、打线、分别在预设温度下的围堰和滴胶处理，以在封装基板上设置形成有传感沟道和参比电极的碳基场效应晶体管生物传感芯片，其中，预设温度在55℃至85℃之间。本申请能够在保证碳基场效应晶体管生物传感器中电学连接可靠性的同时，还能够保证液体样本与传感沟道和参比电极直接接触，能够避免高温影响碳基场效应晶体管生物传感器的性能，进而能够有效提高封装得到的碳基管场效应晶体管生物传感器的应用可靠性及有效性。
CN115910799A	一种半导体引线框架的表面处理方法本发明提供一种半导体引线框架的表面处理方法，包括以下步骤：电解除油：将不锈钢材料浸入除油液中电解除油；电镀铜：对不锈钢材料真空镀铬；酸洗抛光：将引线框架浸入硫酸中酸洗抛光；铜材料的保护：将半导体引线框架导入保护液中浸泡附上铜保护膜，此引线框架表面处理效果好，处理方法简单。
CN115910791A	一种沟槽型功率器件结构及其制作方法本发明公开了一种沟槽型功率器件结构及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成具有第一导电类型的外延层；在外延层中形成沟槽；对沟槽的底部执行第一离子注入，注入具有第二导电类型的离子，以在沟槽的底部下方的外延层中形成第二导电类型掺杂区；对沟槽的底部执行第二离子注入，注入具有第一导电类型的离子，以在沟槽的底部下方的外延层中形成第一导电类型掺杂区；其中，第二导电类型掺杂区的深度大于第一导电类型掺杂区的深度，第一导电类型掺杂区用于隔离第二导电类型掺杂区与沟槽。根据本发明提供的沟槽型功率器件结构及其制作方法，通过第一导电类型掺杂区将第二导电类型掺杂区与沟槽隔离，进而提高了沟槽型功率器件结构的耐压。
CN115910788A	垂直型功率半导体器件结构及形成方法本公开涉及一种垂直型功率半导体器件结构及形成方法，所述方法包括：在衬底的外延层表面区域形成注入掩膜；在注入掩膜两侧，以第一能量、第一剂量及第一角度进行N型离子注入，以得到垂直型功率半导体器件的N+区域，第一角度为N型离子注入方向与外延层所在平面的法线的夹角；在注入掩膜两侧，以第二能量、第二剂量及第二角度对外延层进行P型离子注入，以得到垂直型功率半导体器件的P阱区域，第二角度大于第一角度，第二能量大于第一能量；去除注入掩膜及预设厚度的外延层，以得到目标长度的沟道。本公开实施例可以有效减少工艺的复杂程度，沟道长度及掺杂浓度可灵活调整，实施难度小，成本较低。
CN115910785A	一种半导体器件及其制备方法本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体中间体，半导体中间体包含衬底以及形成于衬底上方的有源结构和栅极堆叠体；步骤S2、在栅极堆叠体的预设区域内，由栅极堆叠体的顶表面往衬底方向凹陷以形成第一开口；步骤S3、继续在栅极堆叠体的预设区域内，于第一开口下方继续凹陷以形成第二开口，其中，第一开口的宽度大于第二开口的宽度；步骤S4、在第一开口和第二开口内填充材料形成间隔结构，其中，间隔结构将连续的栅极堆叠体分隔为彼此并不连续的第一栅极堆叠体部分和第二栅极堆叠体部分。本发明在第一开口的基础上形成第二开口，缩短蚀刻窗口的深宽比，有利于提高端盖窗口的控制精确度以及降低控制难度。
CN115910784A	垂直晶体管及其制作方法本发明提供一种垂直晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：提供一基底，于所述基底中形成至少一沟槽；在所述沟槽的内表面上沉积衬垫层；于所述沟槽的底部形成填充物；选择性地去除邻接所述填充物的一区段的所述衬垫层以显露所述沟槽的侧壁的开口；基于所述开口刻蚀显露的所述沟槽的侧壁，以形成嵌入所述沟槽的侧壁中的凹槽。本发明还提供一种垂直晶体管，所述垂直晶体管包括：基底，所述基底中形成有至少一沟槽，所述沟槽的中部形成有嵌入所述沟槽侧壁的凹槽，所述凹槽中填充有栅极层；隔离结构，所述隔离结构将垂直晶体管分成至少两个间隔设置的垂直晶体管元胞。本发明提供的垂直晶体管能够有效提高集成电路的集成度和运行速度。
CN115910779A	阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法本发明提供了一种阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该制备方法包括在N型硅衬底上形成N型载流子存储层；在N型载流子存储层上方形成正面P型阱区；刻蚀第一沟槽，通过As离子注入形成高掺杂的存储层；在第一沟槽内沉积氧化物；刻蚀第二沟槽，并在第二沟槽内形成屏蔽栅氧化层；刻蚀第三沟槽，并在第三沟槽内形成控制栅；在N型硅衬底的正面且位于P型阱区的上方形成进行掺杂形成接触区，并在接触区上形成发射极；在N型硅衬底背面通过N型离子注入形成背面N阱区，然后通过P型离子注入形成背面P阱区，其中背面P阱区位于底部，背面N阱区位于背面P阱区上方。本发明提高了形成高掺杂的存储层的效率，可显著降低了该器件的导通损耗。
CN115910774A	用于填充间隙的方法和系统公开了用于填充间隙的方法和系统。示例性方法包括向反应室提供衬底。衬底包括间隙。该方法包括用含金属材料填充间隙。
CN115910773A	蚀刻方法和等离子体处理装置本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有良好的形状的凹部。蚀刻方法包括准备基板的工序。基板包括包含第一材料的第一区域、以及包含与第一材料不同的第二材料的第二区域。蚀刻方法包括利用从包含含钨气体的处理气体生成的等离子体来蚀刻第二区域的工序。在进行蚀刻的工序中，在处理气体中包含的除非活性气体以外的全部气体中，含钨气体的流量最多。
CN115910769A	用于在形成半导体器件时抛光电介质层的方法本公开涉及用于在形成半导体器件时抛光电介质层的方法。提供了在形成诸如三维(3D)存储器件的半导体器件时使用自动停止浆料抛光电介质层的方法。例如，在阶梯区域和核心阵列区域中形成堆叠结构。堆叠结构包括多个交错的第一材料层和第二材料层。交错的第一材料层和第二材料层的边缘在阶梯区域中的堆叠结构的一侧上限定阶梯结构。在阶梯区域和堆叠结构外部的外围区域之上形成电介质层。电介质层包括从堆叠结构的突起。使用自动停止浆料抛光电介质层，以去除电介质层的突起。
CN115910765A	一种腐蚀改善形貌的方法本发明公开了一种腐蚀改善形貌的方法，其改善方法包括以下步骤：S1、首先在腐蚀前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节，采用机械化学腐蚀工艺对半导体硅片进行化学减薄，配备好工艺中需要使用的辅料，通过调整腐蚀机机械臂转速、酸槽内氮气路径、腐蚀冰机温度和氮气流量等工艺参数；S2、然后通过调节药液浓度及温度大小决定腐蚀的去除速率，进而影响到最终腐蚀的腐蚀形貌，保证酸槽内移动氮气管位置设定与实际移动位置相符。本发明通过调节混酸浓度、氮气管移动位置及氮气流量等方式改善腐蚀加工过程中硅片表面腐蚀均匀性，达到改善硅片形貌的目的，以此来更好的提升制程能力，降低产品参数不良率。
CN115910764A	屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该制备方法中，通过氧化屏蔽电极的凸出部以形成第一隔离层，并进一步利用预定条件下具有流动性的绝缘材料对第一隔离层和第二介质层之间的间隙进行填充，不仅可以填充间隙内的尖角形状的空隙，防止栅电极的底部产生夹角结构，并且还能够补偿隔离层的厚度，提高栅电极和屏蔽电极之间的隔离效果，进而降低器件的漏电流现象，提高器件的可靠性。
CN115910761A	衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的课题为，对在衬底上形成的膜的面内膜厚分布进行控制。本发明的半导体器件的制造方法具有下述工序：准备衬底的工序；和对衬底从第1供给部供给非活性气体，对衬底从第2供给部供给非活性气体，对衬底从第3供给部供给处理气体，从而在衬底上形成膜的工序，其中，第3供给部设置在隔着穿过第2供给部和衬底的中心的直线而与第1供给部相反的一侧，在形成膜的工序中，通过对从第1供给部供给的非活性气体的流量、与从第2供给部供给的非活性气体的流量的平衡进行控制，从而对在衬底上形成的膜的衬底面内膜厚分布进行调节。
CN115910760A	半导体结构的制造方法及半导体结构本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，在至少部分第一结构沿第一方向相对的侧壁上形成第一侧墙，该第一结构与其侧壁的第一侧墙构成第一掩膜，以增大部分第一结构的宽度，并通过以具有第一开口的第一图形层为掩膜，沿第一开口去除至少部分第二结构邻近相邻第一结构的部分区域，该部分第二结构的剩余区域构成第二掩膜，以减小该部分第二结构的宽度，并能够增大该部分第二结构与相邻第一结构之间的间距。如此，本公开实施例至少可以形成在沿第一方向上宽度差异较小、间距较大的第一掩膜、第二掩膜。
CN115910759A	用于图案化的方法本发明的实施例公开了用于图案化的方法。实施例利用光刻工艺形成图案化的目标层。在形成图案化的心轴层和图案化的心轴层上方的间隔件层之后，使用化学气相沉积工艺沉积光掩模的底层以形成无定形碳膜。光掩模的上层用于图案化底层以形成转变材料的开口。转变材料沉积在底层的开口中，底层为转变材料提供掩模和模板功能。
CN115910758A	半导体结构及其形成方法一种半导体结构的形成方法包括：在绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成介电层；在介电层上形成附着层；在附着层上形成抗反射层；在抗反射层上形成图案化的光阻；蚀刻抗反射层，使抗反射层具有第一开口；蚀刻第一开口中的附着层，使附着层具有第二开口；去除图案化的光阻；以及同步蚀刻抗反射层与介电层，使附着层的顶面上无抗反射层并在介电层中形成第三开口，其中第二开口与第三开口大致对齐，且半导体层的顶面从第二开口与第三开口裸露。半导体结构的附着层的顶面上无残留抗反射层，并且蚀刻可停止于半导体结构的半导体层的顶面上，可提高半导体结构的产品良率。
CN115910752A	改善外延工艺弛豫的方法本发明提供一种改善外延工艺弛豫的方法，提供衬底，在衬底上形成外延层；其中，外延层的形成工艺包括：利用SiH4气体作为第一硅源气体，SiH2Cl2气体作为第二硅源气体；调节温度与压强，使得SiH2Cl2气体分解为硅气体和氯化氢，SiH4气体分解为硅气体和氢气。本发明利用非选择性锗硅工艺形成的外延层，改善弛豫提高工艺压力窗口的同时，不影响外延层中Ge的浓度。
CN115910751A	一种F PAD腐蚀新型处理工艺本发明公开了一种F PAD腐蚀新型处理工艺。本发明只处理PAD表面凸起腐蚀异物，不会造成PAD表面损伤，不会削减PAD厚度，且有效区得到有效保护。相比而言国际上流行使用EKC清洗方式去除F PAD，是通过不断削减PAD厚度原理去除F PAD。本发明工艺可进行重复多次直至完全清除，而EKC清洗只能清洗1‑2次后就因PAD厚度问题无法再次进行。本发明工艺将原有工艺确认腐蚀后不可使用的产品修复后重新利用，减少了产品的报废，大大节省了成本。
CN115910745A	串联质谱的轴向加速碰撞池及其电控方法本发明串联质谱的轴向加速碰撞池及其电控方法，该撞池由绝缘外腔围成相对封闭的空间，碰撞池的前端设置有入口电极，后端设置有出口电极，碰撞池内沿其轴向方向上设置有非均匀变化轴向直流加速电场，轴向加速场场强线性变小。本发明通过改变传统碰撞池的轴向加速电场构建方法，将场强均一的加速电场变为非均一的形式，沿着碰撞池轴向方向，加速电场场强线性降低，同时在轴向方向上，额外施加一个加速电场，用于补偿离子的动能，减小通过碰撞池的时间。场强线性变化的加速电场，碰撞池的轴向方向上动能逐渐降低，使轴向方向上离子被施加的电场和本身的动能匹配，提高离子传输效率，保持较低的通道串扰率。
CN115910743A	一种质谱检测的双激光结构及其双激光检测方法本发明涉及质谱检测技术领域，尤其涉及了一种质谱检测的双激光结构及其双激光检测方法。其中，离子源通道包括：离子源外腔、离子通道、斜向激光入射机构、腔体盖板、直向激光入射机构、样品置物台、第一激光聚焦透镜组、第一入射通道，离子通道配入到离子源外腔内，斜向激光入射机构安装在离子源外腔的斜角上。本发明实现将单一特征荷质比离子电离成更小的多特征荷质比组，能有效区分同分异构体，而物质主离子与离子碎片所需的适宜激光能量值通常不同，使用双激光可以调节不同激光能量达到各自所需的值，得到的谱图峰会更加的清晰易分辨，更易于分析，进而增加待测样品定性的准确性。
CN115910740A	一种集成式进样离子迁移谱仪本发明公开了一种集成式进样离子迁移谱仪,具体涉及的是将离子迁移谱分析仪进样和检测器集成一体式结构。其技术方案是基于光电离离子迁移谱技术，通常离子迁移谱仪包括外置进样装置、离子迁移管检测器、化学掺杂剂装置、信号接收及转换装置、高压模块、控制系统装置和气路循环系统等。本发明中的离子迁移谱分析仪是一种将进样装置与离子迁移管检测器集成为一个模块的离子迁移谱仪装置。本装置可实现目标样品分子直接导入离子迁移管光电离源中心电离区，高效、快速电离产生对应的产物离子；产物离子受电场的加速和中性大气分子的碰撞后减速获得了一个恒定的平均速度；不同的产物离子因其荷质比、空间结构和碰撞截面不同，因而获得的平均速度也不同，所以在经过一段电场以后它们就被分离，先后到达收集电极，从而完成整个检测过程。
CN115910734A	一种改善高能离子注入机的离子注入均匀性的方法本发明提供一种改善高能离子注入机的离子注入均匀性的方法，其包括以下步骤：步骤S1：调整气体流量和灯丝电流，使得气体流量和灯丝电流满足高能离子注入机的离子注入需求；步骤S2：设定合适的萃取电压，匹配聚焦电压不超过45kv；步骤S3：根据最终能量及萃取电压，设定加速电压；步骤S4：设定分析磁体电流，控制所需电荷/质量比的离子转弯通过；步骤S5：展开束流至可以覆盖300毫米硅片的高度；步骤S6：调整束流的大小，角度，均匀度并完成最后进行离子注入。本发明可以实现更好的均匀性；可以较为合理的设定其工作电压，避免负载过大。
CN115910733A	半导体工艺设备本发明公开了一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，工艺腔室上方设有进气通路；固定介质窗，设置于工艺腔室顶部，外缘与工艺腔室的腔室壁密封连接，固定介质窗上设有沿竖直方向贯穿固定介质窗并连通进气通路与工艺腔室内部的进气孔；射频线圈，设置于固定介质窗上方，环绕工艺腔室的进气通路设置；线圈驱动机构，设置于线圈的上方，用于驱动射频线圈沿竖直方向升降运动；多个可移动介质窗，在竖直方向位于固定介质窗与线圈之间，且能够在固定介质窗的顶面所在平面水平移动；水平驱动机构，与可移动介质窗连接，用于驱动多个可移动介质窗沿水平方向同步向靠近固定介质窗的方向运动或同步向远离固定介质窗的方向运动。提高等离子体的均匀性。
CN115910732A	现场可编程检测器阵列公开了用于实现检测器阵列的系统和方法。根据某些实施例，衬底包括多个感测元件(501‑503)，其包括第一元件(502)和第二元件(503)；以及在第一元件与第二元件之间的开关区域(3009)，被配置为连接第一元件和第二元件。基于响应于感测元件接收具有预定量的能量的电子而生成的信号，开关区域可以被控制。
CN115910727A	一种高电压X射线管本发明公开了一种高电压X射线管，涉及X射线管技术领域，包括主体，所述主体的前端设置有射线管，所述主体的后端安装有旋转机构，所述射线管的内腔后端设置有靶，所述靶的前端安装有保护机构，所述射线管的外侧设置有绝缘材质层，所述绝缘材质层的外侧设置有耐高温材质层，所述保护机构的顶端安装有阳极组件，所述阳极组件的一侧设置有管丝头，所述阳极组件的下侧安装有阴极组件。本发明通过安装座设置在射线管的一端，在使用时，启动固定环固定的微型伺服电机，带动转轴进行顺时针旋转，再由转轴带动连接座和转盘在环动槽里进行旋转，进而改变X光照射角度，使本装置X射线角度可调，固定座连接在射线管底端。
CN115910723A	一种跌落式熔断器的绝缘防护方法及防护挡板本发明公开了一种跌落式熔断器的绝缘防护方法及防护挡板，其属于跌落式熔断器的技术领域，该种防护挡板包括隔离挡板以及固定挡板。在本发明的绝缘防护方法中，其防护原理避开了传统方案针对熔断器上下支座、接线端子及上下触头进行绝缘包裹或遮蔽的防护方式，而采用隔离式的防护原理，从而可以阻断小动物通过金属横担和设备安装板攀爬设备带电部的通道，使其即使靠近设备，但因其与熔断器带电部之间有一面绝缘板体，最终无法触碰熔断器上下带电部位，最终可避免设备发生接地短路的情况，进而保障设备的正常且安全运行，而不发生停电事故。因此，本发明解决了如何改善对跌落式熔断器带电部位的绝缘防护效果的技术问题。
CN115910721A	一种智能熔断器本发明涉及熔断器技术领域，尤其是一种智能熔断器，包括上端盖、套筒、前接线板和后接线板，所述前接线板和后接线板的内端两侧均加工有焊接端口，所述焊接端口的内端中心均加工有导电杆，所述导电杆的外壁通过连接组件相连，所述端板的内端两侧均安装有伸缩组件。通过电机、斜杆、上挡板、气缸、下挡板、导电环、导电杆和套筒之间的配合，电机的输出轴可通过斜杆驱使上挡板和下挡板进行相对移动，即上挡板伸出，实现保险丝的补充，由于此过程仅需要气缸进行一次伸缩以及电机进行一次正反转便可完成，编程起来也更容易，有效的避免了更换保险丝时需要非电工人员手动进行操作，比较容易出现未先断开电闸或保险丝安装时的安装问题。
CN115910720A	包括防旋转设备的熔断器组件本文提供了一种包括防旋转设备的熔断器组件。在一些实施例中，熔断器组件可以包括连接到导电部件的可熔断设备，其中导电部件可操作以连接到电源的端子和耦合到可熔断设备的固定设备。固定设备可以包括：主体，该主体包括可操作以接收可熔断设备的凹部；和从主体延伸的支撑柱，其中支撑柱可操作以接合电源，以减少固定设备和可熔断设备相对于电源的旋转。
CN115910717A	断路器的灭弧系统及断路器本申请提供了一种断路器的灭弧系统及断路器，灭弧系统包括灭弧室和灭弧栅片，灭弧室沿第二方向设置于运动区域的一侧，灭弧室包括多个侧壁，多个侧壁形成灭弧腔室，灭弧腔室与运动区域相连通，第一方向与第二方向相交。灭弧栅片包括设置于灭弧腔室内的栅片组，栅片组与侧壁对应设置，栅片组包括层叠设置的多个栅片，栅片的层叠方向与对应设置的侧壁的延伸方向相同。本申请实施例可以在相同灭弧室容积情况下，布置更多数量的栅片，从而大幅度提高断路器的灭弧能力，保证断路器在高电压和大电流情况下的分断可靠性。
CN115910710A	一二次分体式磁控速动型断路器本申请提出了一种一二次分体式磁控速动型断路器，包括：一次部分，包括一次底座机构和磁控驱动机构，一次底座机构设置有导杆、转轴组合体装置和静触头装置，转轴组合体装置设置有动触刀，导杆的一端连接至转轴组合体装置，另一端延伸至一次底座机构的外部；磁控驱动机构包括支撑板、静铁芯、线圈和动铁芯，静铁芯固定在支撑板，线圈安装在静铁芯的内部，动铁芯和静铁芯之间设置有压簧，导杆穿设于支撑板、静铁芯和动铁芯；二次部分，包括二次壳体部分和控制板部分，二次壳体部分活动安装于一次部分，控制板部分用于向磁控驱动机构提供分合闸动作所需的能量，以带动导杆移动，导杆带动转轴组合体装置的动触刀接触静触头装置或者脱离静触头装置。
CN115910709A	一种双向转动断路器操作机构本发明公开了一种双向转动断路器操作机构，涉及断路器技术领域，包括本体，所述本体的底部固定连接有安装板，所述安装板的底部设置有底框，所述底框的正面开设有滑槽，所述底框上设置有转向机构，所述转向机构包括第一转杆、第一齿轮、第二转杆、第二齿轮、固定杆、连接杆、滑杆、滑块、推块，所述第一转杆，一端与安装板的底部固定连接，且第一转杆的另一端通过第一轴承贯穿底框的顶部，所述第一齿轮固定套设在第一转杆上。本发明通过左右移动推块能带动连接杆的一端摆动，从而通过连接杆的另一端带动第二齿轮转动，第二齿轮的转动会带动第一齿轮转动，从而带动本体左右转动，实现对本体双向转动的目的。
CN115910704A	一种18mm带齿轮和机构的一体式智能断路器本发明公开了一种18mm带齿轮和机构的一体式智能断路器，本发明涉及断路器技术领域。该18mm带齿轮和机构的一体式智能断路器，包括壳体一、壳体二，所述壳体一、壳体二的一侧外壁上均开设有接线孔，所述壳体一、壳体二的内壁上均安装有开关把手，所述壳体二的一侧内壁上安装有固定板，所述固定板的一侧外壁上安装有电路板，所述固定板的一侧外壁上安装有锰铜电流计量，所述固定板的一侧外壁上安装有扭簧，所述开关把手的一侧外壁上安装有弧形板，所述弧形板的一侧外壁上安装有连接杆一，可以实现多回路安装，实现了外形最小化安装回路最大化，并且现实智能化远程控制以及产品数据采集（电流、电压、温度和电流计量）。
CN115910700A	一种塑壳断路器基座本发明涉及一种塑壳断路器基座，包括第一底座、第二底座和盖体，其中第一底座上设有第一安装位和第二安装位，所述第二安装位设于所述第一安装位的一侧，所述第一安装位上设有第一断路器功能模块；第二底座可拆卸卡设于所述第二安装位上，并通过紧固组件可拆卸固定于第二安装位上，所述第二底座能够拆除并在第二安装位上安装第二断路器功能模块；盖体可拆卸盖设于所述第二底座上。与现有技术相比，本发明构建了一种通用的基座结构，达到了减少设计成本，提高设计效率的作用；结构简单，动作可靠，拆卸安装方便，体积不变，在带智能脱扣控制模块的塑壳断路器提供一种可互换和通用的基座功能。
CN115910695A	由可拆卸操作楔操作的电安全接触器一种具有可拆卸制动楔(18)的电安全接触器(1)，包括用于与可拆卸制动楔(18)的操作头(21)相接合的可移动钩部件(11)，有利的是，所述操作头(21)在预设的轴向(K‑K)从包括第一部件(22)和第二部件(23)的本体(19)上伸出，其中，所述第一部件(22)设有用于与外部结构紧固成一体的装置(24)，所述第二部件(23)刚性连接到操作头(21)，其中，所述第二部件(23)与第一部件(22)相关联，以便于相对于所述第一部件(22)执行一在所述轴向(K‑K)上具有至少一平移位移分量的位移(S)，作用在所述第一部件(22)和第二部件(23)之间的弹性装置(24)以预设的弹性预载荷推动并保持所述第二部件(23)远离第一部件(22)。
CN115910693A	一种电磁继电器本发明公开一种电磁继电器，包括壳体和设置在壳体内的铁芯、衔铁、线圈组件以及复位弹簧；线圈组件由PCB板组成，PCB板中间设置有铁芯通孔，铁芯通孔周围的PCB板上环绕设置有金属连接线，通过金属连接线起到线圈的作用。
CN115910691A	电磁继电器本申请提供电磁继电器，其包括：线圈；骨架，其供所述线圈卷绕；铁心，其沿着上下延伸，贯穿于所述骨架；固定触点部，其具有固定触点；可动弹簧，其具有与所述固定触点相对的可动触点，与所述线圈的励磁和非励磁的切换相应地在所述可动触点与所述固定触点接触的闭合位置和所述可动触点与所述固定触点分离的断开位置之间移动；以及壳体，其在内部收纳所述线圈、所述骨架、所述固定触点以及所述可动触点。与所述固定触点部和所述可动弹簧电连接的主电路部件中的至少一部分配置于所述骨架的上方，所述骨架具有：主体部，其供所述线圈卷绕；以及上凸缘部，其设于所述主体部的上部。
CN115910689A	提高配电网供电可靠性的继电保护装置本发明涉及继电保护设备的技术领域，特别是涉及提高配电网供电可靠性的继电保护装置，其使继电器进行快速的热交换，保证继电器的及时散热；包括保护箱、散热机构和密封机构，散热机构和密封机构安装在保护箱上；散热机构包括安装轴、安装座、散热扇叶、第一链轮、第一链条、支撑轴、第二链轮、第一锥齿轮、驱动机构和导流机构，安装座同轴安装在安装轴上，安装座上等距安装有多组散热扇叶，第一链轮同轴安装在安装座上，支撑轴转动安装在保护箱空腔内部，第二链轮同轴安装在支撑轴上，第一链条分别与第二链轮和两组第一链轮啮合传动连接，驱动机构和导流机构分别安装在保护箱空腔内部，驱动机构分别与第一锥齿轮和导流机构配合连接。
CN115910688A	一种低高度双线圈拍合式电磁继电器本发明公开了一种低高度双线圈拍合式电磁继电器，包括底座、外壳、两个磁路部分和两个动簧衔铁部件；所述磁路部分装在底座上，并使磁路部分中的线圈的轴线呈竖向设置；所述两个动簧衔铁部件分别与两个磁路部分对应相配合；所述外壳为罩形，其开口设在侧边；其特征在于：装配有磁路部分和动簧衔铁部分的底座呈侧翻状容纳在外壳内，本发明使得继电器的安装方向与两组线圈组件轴线所在平面相垂直，通过采用两组线圈实现减小继电器安装方向的高度尺寸。
CN115910687A	一种超薄型继电器本发明提供一种超薄型继电器，包括基座、簧片组件和磁路组件，簧片组件包括设置于基座上的静簧片和动簧片，磁路组件包括线圈架、铁芯和衔铁，线圈架设于基座上方，且缠绕有线圈，静簧片的上部和下部分别固定于基座上，基座的顶部设有朝上延伸、适于遮挡部分线圈的第一隔板。由于静簧片采用上下双边固定的方式，能够防止静簧片发生变形，而通过在基座的顶部设置朝上延伸、适于遮挡部分线圈的第一隔板，第一隔板能够增加线圈与静簧片之间的电气间隙和爬电距离，避免因静簧片采用双边固定而导致电气间隙和爬电距离减小的情况，保证了安全可靠性。
CN115910686A	双枪直流充电桩A型开关模块及其使用方法本发明公开了双枪直流充电桩A型开关模块及其使用方法，本发明通过设置顶壳、输出端子、接触器、铜排一、控制板、输送线一、输送线二和铜排二，使得所述接口面板13上设有输出端子14和输入端子15，将控制板5、接触器3、铜排一6和铜排二7一起装配在工作腔2内，控制板5焊接在工作腔2底部，与线缆8焊接在一起，从而构成四进两出开关模块，可使本开关模块的内部结构紧凑，器件排布合理有序，整体尺寸小巧精致，输入端子可以随时和外接充电桩设备插座连接，便于即插即用，通过转动螺钉可以对工作腔内部的模块进行固定和拆卸，便于进行安装、维修，负载接线保证足够的电气间隙和爬电距离，避免了极间电气击穿故障。
CN115910685A	一种高触头行程的小型电磁继电器本发明公开了一种高触头行程的小型电磁继电器，包括设置有上腔室和下腔室的基架，和相对设置在上腔室中的动簧片和静触片，以及安装在下腔室中的磁路组件，磁路组件上可摆动设置有穿入上腔室中与动簧片相对的衔铁结构，衔铁结构的一端上设置有向动簧片一侧凸伸的驱动凸起，采用本技术方案的动簧片和静触片在上腔室中可以将触头行程间距做得较大，增大了触头电气间隙，并利用驱动凸起缩短了衔铁结构与动簧片之间的触发距离，占用空间小，摆动幅度又大，简化了传动结构，这种驱动凸起与衔铁结构组装在一起可实现在基架上的一体式安装，动作可靠性高，安装起来方便快捷，安装效率高。
CN115910684A	压力开关和空调系统本发明涉及一种压力开关和空调系统。压力开关被配置为安装于压力管路(1)上，包括壳体(10)、第一工作空间(20)、信号端子组件和压力感应元件，第一工作空间(20)设置于壳体(10)内，第一工作空间(20)被配置为与压力管路(1)连通，信号端子组件安装于壳体(10)上，信号端子组件包括第一信号端子(30)和两个以上第二信号端子(40)，压力感应元件位于壳体(10)内，压力感应元件被配置为在第一工作空间(20)的压力处于不同的压力范围时使两个以上第二信号端子(40)中不同第二信号端子(40)与第一信号端子(30)电连接，以使第一信号端子(30)输出不同的电信号。空调系统包括上述压力开关。
CN115910680A	一种抑制高压真空断路器合闸弹跳的电磁缓冲装置和方法本发明涉及电气工程技术领域，为一种抑制高压真空断路器合闸弹跳的电磁缓冲装置和方法，该装置包括电磁斥力系统和外电路系统，所述电磁斥力系统包括斥力结构、结构底板和斥力线圈，斥力结构固定在高压真空断路器的操动杆上，结构底板设置在斥力结构上方，斥力线圈固定在结构底板下方，斥力线圈的位置和斥力结构的位置相对应，斥力线圈与外电路系统电连接；通过外电路系统控制流过斥力线圈的电流波形与电流导通时间，使得斥力结构上产生与合闸方向相反的电磁力。本发明可以控制电磁斥力出力效果，具有出力大的特点，解决了高电压等级大合闸运动质量的断路器中缓冲效果不佳的问题，可以有效抑制高压真空断路器的合闸弹跳。
CN115910679A	电磁操作机构以及真空开关本发明涉及电磁操作机构以及真空开关，在电磁操作机构推杆上固定设置一磁性件，通过永磁体对磁性件的磁吸作用对抗真空开关分闸时由于大气压和真空灭弧室内波纹管作用而受到的合闸自闭力，将动触头保持在分闸位置，而且在合闸时，磁性件与永磁体之间的磁吸力大幅减小，使电磁操作机构提供较小的动能即可满足合闸需求，缓解了触头系统的震荡，保证了触头分合闸的稳定性。进一步地，还将永磁体设为可活动的，通过调整永磁体与磁性件的相对磁面的面积，以调整永磁体对磁性件磁吸力。对于不同规格的真空开关，可以适应性地调节永磁体对磁性件的磁吸力，使磁吸力能刚好满足分闸保持力需求，还能抵消真空灭弧室客观存在的自闭力公差。
CN115910677A	一种断路器插接触头装置本发明涉及一种断路器插接触头装置，包括动触头和静触头，动触头的触臂杆为中空圆管，管腔中有限位挡片；触臂杆杆体的外表面呈圆锥台状，锥面上套有两至三道压力缓冲环；所述静触头由导电触柱、压力锥座、收缩铸铁环和行程调节装置构成；本发明的触头装置具有合闸阻力小，合闸动作稳定的优点。
CN115910675A	具有真空灭弧室的触头系统以及真空开关本发明涉及具有真空灭弧室的触头系统以及真空开关，包括动触头、静触头、波纹管、陶瓷外壳和分别固定设置在所述陶瓷外壳两端的动端金属密封体、静端金属密封体，还包括绝缘外壳、进线端子和出线端子，绝缘外壳为匹配所述陶瓷外壳外形的桶状结构，并将所述陶瓷外壳紧密地包嵌于其中，所述绝缘外壳开口的第一端向上高出所述陶瓷外壳的上端的动端金属密封体。本发明通过绝缘外壳第一端高出陶瓷外壳动端金属密封体的设计，大幅增加了真空灭弧室外表面的爬电距离，且对绝缘外壳侧壁的壁厚影响较小，能够保持较小的真空灭弧室的径向宽度，提高了真空灭弧室的绝缘水平，在较高的雷电冲击电压下不发生闪络，减少了产品体积，有利于产品小型化。
CN115910674A	一种安全型真空断路器用接线保护装置本发明属于真空断路器技术领域，且公开了一种安全型真空断路器用接线保护设备，包括箱体，所述箱体的顶面固定安装有极柱，所述极柱的顶面固定安装有连接头，所述连接头的侧面设有上出线端。本发明通过在绝缘座的内部套设导电套，并利用套接在绝缘座中的导电板将上出线端与导电套连接，随着电缆内芯套接在导电套的内部时，配合充气膨胀的膨胀环，将套接的电缆内芯完全密封在绝缘座和导电套的内部实现稳定导电间接的同时，有效隔绝环境空气，大大减小了接线位置的空气量，避免环境湿气和氧气不断侵蚀接线处，保证电缆内芯的结构稳定，提高实际使用寿命，加强实际接线稳定，避免腐蚀影响带来的接线不良等情况，实现对接线的有效保护。
CN115910672A	一种断路器的触头系统及断路器本发明提供一种断路器的触头系统，包括设置于断路器的壳体内的动触头组和静触头，动触头组包括至少一个第一动触头和至少一个第二动触头，第一动触头的长度大于第二动触头，第一动触头包括第一导电杆和动弧触点，第二动触头包括第二导电杆和第二动主触点，静触头包括导电体、静主触点、静弧触点和引弧片，第二动主触点与静主触点相对应，动弧触点和静弧触点相对应，静弧触点在高度方向上高出静主触点至少5mm，本发明在触头开距不变的情况下，通过静弧触点抬高，使动触头对应至灭弧室最上部的灭弧栅片，将电弧引至上部，充分利用灭弧室上部的灭弧栅片，大幅提升灭弧室栅片的利用率；同时可以大幅增大引弧开距，从而提高电弧电压，快速熄灭电弧。
CN115910671A	一体化上支架以及绝缘筒一体化上支架以及绝缘筒，用于真空灭弧室的上出线端子，所述一体化支架的一端为螺纹连接部，另一端为出线端子部，所述螺纹连接部和所述出线端子部一体化设置；所述螺纹连接部为底部具有内螺纹的圆柱体，所述圆柱体与内螺纹相对的一面设有导电部，所述导电部的一端设有通孔。绝缘筒通过环氧树脂浇注于所述的一体化支架和真空灭弧室成型得到。
CN115910670A	一种开关压力释放阀密封装置本申请公开了一种开关压力释放阀密封装置，包括：阀体、螺纹转接支架和外盖，螺纹转接支架设置在阀体顶部，并与阀体固定连接；螺纹转接支架与阀体之间设置有软胶密封盖，螺纹转接支架的外侧壁上设置有外螺纹，外盖的内侧壁上设置有与外螺纹相匹配的内螺纹，外盖与螺纹转接支架螺纹连接，且外盖与螺纹转接支架之间设置有密封圈。本发明大大提高了释放阀的密封性能，可以有效防止水汽进入，进而保证电网的安全运行。
CN115910669A	隔离开关本发明涉及一种隔离开关，包括壳体、手柄、滑动设置在壳体内的触头架、弹簧、动触头、两个静触头，储能机构，储能机构包括滑动设置在触头架上的储能滑块、设置在储能滑块与动触头之间的储能弹簧、设置在储能滑块与手柄之间的连杆、转动设置在壳体内且与触头架相配合的储能释放件、设置在储能释放件与壳体之间的复位弹簧，所述的触头架上设置有与储能释放件相配合的限位凸块，所述的储能释放件上设置有与限位凸块相配合的滑行槽，所述的限位凸块随触头架动作且可卡合在滑行槽内。本发明具有结构简单、性能稳定可靠、合闸速度快、使用寿命长、高分断的优点。
CN115910668A	一种电力系统安全防护装置本发明提供的一种电力系统安全防护装置，有效提高了断路器的灭弧性能，其解决的技术方案是，包括断路器壳体和多个接线端，两个相对应的接线端分别固定连接有静触头和动触头滑环，断路器壳体内部固定连接有灭弧腔体，灭弧腔体内部横向滑动连接有动触头，动触头与动触头滑环滑动连接，断路器壳体上固定连接有操作室，动触头固定连接有绝缘杆，操作室内部设有驱动绝缘杆横向移动的驱动机构，灭弧腔体内部横向滑动连接有多个活塞盘，动触头上设有驱动各个活塞盘运动的单向驱动机构，断路器壳体内部设有喷吹灭弧机构，动触头和绝缘杆均为空心结构，断路器壳体和灭弧腔体内部均充有惰性气体，本发明可以提高断路器的灭弧性能且减少检修频次。
CN115910667A	一种电动驱动式高压断路器本发明公开了一种电动驱动式高压断路器，包括断路器本体和断路器小车，断路器小车的内侧端面上对称的转动安装有两个止挡板，而断路器小车上安装有可沿其长度方向往复运动的连接件，承载板的底部则形成有安装插孔，当断路器在试验位置时，两个止挡板沿水平方向相对布置并可对断路器本体形成阻挡限位，并且当断路器本体开始由试验状态切换至工作状态时，两个止挡板朝向彼此旋转逐渐的脱离对断路器本体的限位止挡，与此同时断路器小车内部的连接件沿竖直方向边上升边旋转与安装插孔形成螺纹连接。本发明可在断路器检修完毕后快速的重新安装至开关柜内部，在保证检修作业的安全前提下，可最大程度上的减少工人的劳动量。
CN115910664A	一种含有隔离开关电机的环网柜本发明公开了一种含有隔离开关电机的环网柜，涉及环网柜技术领域。本发明包括环网柜主体，所述环网柜主体的内壁上固定有驱动壳，所述驱动壳的一侧固定有电动伸缩装置，所述环网柜主体的一侧固定有用于驱动电动伸缩装置运作的电机启动模块，所述电动伸缩装置的输出端贯穿且滑动安装在驱动壳的左侧，所述电动伸缩装置的输出端固定有U形凸杆架。本发明通过刀闸缓冲装置的设置，使得弹板会对刀闸主体向下摆动的冲击力进行缓冲，从而避免了刀闸主体合闸时冲击力过大，导致隔离开关主体触头损坏的问题；同时刀闸主体压动弹板向下形变并通过滑板带动鼓囊抵触刀闸主体顶面，从而提高了刀闸主体与隔离开关主体触头接触的稳定性。
CN115910663A	一种通流结构及水平开启式直流隔离开关本发明提供一种通流结构及水平开启式直流隔离开关，包括触头通流机构和触指通流机构，触头通流机构包括串联设置的触头通流提升机构和触头机构，触头通流提升机构包括串联设置的触头导电基座和触头导电杆组，触头导电杆组包括多根相互并联设置连接于所述触头机构和所述触头导电基座之间的触头导电杆；触指通流机构包括串联设置的触指通流提升机构和触指机构，触指通流提升机构包括串联设置的触指导电基座和触指导电杆组，触指导电杆组包括多根相互并联设置且连接于所述触指机构和所述触指导电基座之间的触指导电杆。如此设置结构简单，通过增设并联设置的导电杆使电流增加，提高了结构的通流能力，能够在特高压换流站中满足电流承载要求。
CN115910661A	隔离开关本发明涉及一种隔离开关，隔离开关包括静触头以及动触头，其中，静触头包括触头座、第一触片以及第二触片，第一触片与第二触片相对地设置于触头座，第一触片与第二触片之间限定形成卡接槽。动触头触头由钣金件一体弯折成型，动触头具有相对的第一接触面与第二接触面。较佳地，动。隔离开关具有合闸状态与分闸状态，在合闸状态下，动触头插入卡接槽中，并且第一接触面与第一触片接触，第二接触面与第二触片接触；在分闸状态下，动触头退出卡接槽。上述隔离开关增大了动触头与静触头的接触面积，提高了通流性能，减少了局部过热现象，进而避免了隔离开关烧蚀等安全隐患。
CN115910660A	一种用于户外交流高压隔离开关的操作组件本发明公开了一种用于户外交流高压隔离开关的操作组件，包括杆体、连接组件和吸附组件，吸附组件设置在隔离开关上，连接组件设置在杆体上，连接组件与吸附组件磁吸连接；连接组件包括连接支架、连接滑块和第一磁铁，连接支架的一侧凸设连接部，连接支架上设置滑槽，连接滑块抽拉设置在滑槽内，第一磁铁固定在连接滑块上，连接滑块连接牵引绳；吸附组件包括固定支架和第二磁铁，固定支架的一侧设置凹槽，第二磁铁设置在固定支架内；第一磁铁和第二磁铁的相对面磁极相反。本发明巧妙的利用磁铁异性相吸的原理，辅助连接组件与吸附组件在高空连接，便于工作人员操作。
CN115910659A	一种插拔模块和旋转隔离开关本申请提供一种插拔模块和旋转隔离开关，涉及低压电器技术领域，包括：具有内腔的壳体和导电组件，导电组件设置于内腔，在壳体上分别设置有与导电组件位置对应的插拔孔和接线孔。由于在对开关本体接线时，插拔模块是以插接的形式连接到开关本体，因此，能够有效提高对开关本体接线的便利性。此外，在接线时，可以利用插拔模块作为中间件先代替开关本体接线，此时，由于插拔模块还未插接于开关本体，因此，在其上接线较为轻松，不受环境的限制，然后再将接好线的插拔模块作为整体以插接的方式接入开关本体，完成对开关本体的接线，以此能够有效改善传统直接在开关本体上采用螺钉接线时造成接线困难的情况，降低用户接线的劳动强度。
CN115910658A	用于纸制品车间加工用电气开关装置及其使用方法本发明公开了用于纸制品车间加工用电气开关装置及其使用方法，涉及到开关装置技术领域，包括安装底板，安装底板的一侧均匀开设有多个安装孔，安装底板的一侧安装有齿轮环，所述齿轮环的一侧转动安装有安装壳，所述安装壳上通过锁住组件安装有开关安装板，所述开关安装板的一侧安装有面板，所述安装壳的一侧对称安装有插槽。本发明中，当需要加装开关时，将新的安装壳上的T形插块对准安装好的安装壳一侧的插槽，移动新的安装壳，使得T形插块在插槽内滑动并挤压插杆，T形插块插入插槽之后，在复位拉簧的拉力作用下，使得插杆在圆形孔内向插槽内移动并插入T形插块上的插孔中，将T形插块锁定住。
CN115910653A	一种薄型磁吸式扭簧磁感应按键结构本发明旨在提供一种结构简洁紧凑，按压时具有段落感和弹响反馈的薄型磁吸式扭簧磁感应按键结构。本发明包括电路板、键帽、剪刀脚组件、底座、磁性件、霍尔感应器以及扭簧，所述霍尔感应器和所述底座均设置在所述电路板上，所述底座上设有与所述霍尔感应器相适配的让位槽，所述剪刀脚组件的一端与所述底座活动连接，所述剪刀脚组件的另一端与所述键帽转动连接，所述磁性件设置在所述剪刀脚组件上并与所述霍尔感应器相适配，所述扭簧设置有第一支点、第二支点以及第三支点，所述第一支点与所述键帽顶压配合，所述第二支点与所述磁性件磁性配合，所述第三支点与所述电路板顶压配合。本发明应用于磁吸感应键盘的技术领域。
CN115910652A	具有按压段落感与声响的薄型按键一种具有按压段落感与声响的薄型按键，字键利用连动元件设于承载元件上方，字键随着连动元件相对承载元件第一位置与第二位置之间往复移动，承载元件设有可上下移动的制动件对应连动元件的驱动部，复位件设于承载元件与字键之间，当字键自第一位置朝第二位置移动的时候，驱动部与制动件之间相互推抵而产生弹力，直到驱动部与制动件相互脱离，弹力使字键产生按压段落感，同时通过弹力推动制动件相对承载元件位移产生出声响，当字键移动至第二位置，复位件的回复弹力再使字键从第二位置移回第一位置。
CN115910649A	一种换流变有载分接开关双转换开关过渡电路及调压方法本发明公开了一种换流变有载分接开关双转换开关过渡电路及调压方法，包括：第一主触头、第二主触头、第一真空触头、第二真空触头、第三真空触头、第一转换开关、第二转换开关和过渡电阻。过渡电路切换过程中，第一真空触头与第三真空触头轮流承担开断负载电流的任务，从而减轻单个触头的工作损耗，降低触头的故障率，提高可靠性。第一转换开关与第二转换开关在过渡电路中实现了对第一绕组抽头与第二绕组抽头的电气隔离，可有效避免绕组抽头之间由于电气距离不足而产生的级间短路现象。

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10