专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
---|---|---|
发明授权 | 存储器件的形成方法 | CN103811423B |
发明授权 | 沟槽的刻蚀方法 | CN103311092B |
发明授权 | 导电插塞及形成方法 | CN103117266B |
发明授权 | 半导体结构及半导体结构的形成方法 | CN103165522B |
发明公开 | 半导体结构及其形成方法 | CN104037084A |
发明授权 | 形成栅极图案的方法以及半导体装置 | CN102683191B |
发明公开 | 3DNAND存储器以及制作方法 | CN103680611A |
发明授权 | 相变存储器及其制作方法 | CN102468433B |
发明公开 | 沟槽的刻蚀方法 | CN103311092A |
发明公开 | 金属栅极的形成方法 | CN103107075A |
排名 | 企业名称 | 专利 |
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1 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 69 |
2 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 11 |
排名 | 发明人 | 专利 |
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1 | 何其旸 | 80 |
排名 | 企业名称 | 专利 |
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1 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 62 |
2 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 11 |
3 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 3 |
4 | 上海思微知识产权代理事务所 | 2 |
5 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 2 |
排名 | 代理人 | 专利 |
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1 | 骆苏华 | 58 |
2 | 孙宝海 | 7 |
3 | 李丽 | 4 |
4 | 吴贵明 | 3 |
5 | 张永明 | 3 |
6 | 屈蘅 | 2 |
7 | 李时云 | 2 |
8 | 牛峥 | 2 |
9 | 王丽琴 | 2 |
10 | 罗银燕 | 2 |