近来，节能趋势在照明领域开始盛行。相应地，小型自镇流荧光灯代替了 常规使用的白炽灯。
典型的小型自镇流荧光灯包括：固定在支架上的电弧管；用于驱动电弧管 的驱动装置；以及用于使驱动装置在驱动的时候远离如人手的外壳。在外壳的 一端，为了将小型自镇流荧光灯固定到插座上，以及为了从商业电源获得能量 而固定一个基座。
在电弧管放电路径的两端，设置由灯丝线圈制成的电极，并且每个引线在 此都被连接到驱动装置上。
常规驱动装置为磁路型，例如启辉型和快启型。可是，近来因为认识到制 造更小设备和能源损耗减少所带来的好处，开始使用这些采用反相器的方法。 采用反相方法的典型驱动装置包括：包括二极管电桥设备和电解电容设备的整 流电路；由扼流线圈，谐振电容设备等制成的谐振电路；和主要部件为两个FET (场效应晶体管)设备的反相电路。
在这样一个反相驱动装置中，电弧管中的电极在驱动开始(也就是，当开 启电源时)被预热以给定时间周期。随着电极温度的升高，在驱动装置方面， 反相电路的频率将逐渐降低，包括扼流线圈和谐振电容设备的谐振电路将具有 升高的电压。当谐振电容设备的电压高于电弧管的点火电压时，在电弧管中将 开始放电(例如，日本专利公开2002-75010)。
附带地，当电弧管到达使用寿命极限时，在灯丝线圈的一部分出现烧断， 从而导致俗称的“不发光”状态。在小型自镇流荧光灯的不发光状态中，灯压 (Vla)变高，而灯管电流变小。因此大电流将流经预热电容器，使得扼流线 圈和FET(场效应晶体管)设备发热。如果这种状态持续，电极和附近区域的 温度将逐渐升高。在某时就会发生，电极和附近区域的温度达到了可以熔化树 脂制成外壳的程度。
因此，在小型自镇流荧光灯中在不发光状态下迅速而可靠地阻止在电极处 产生辉光放电是非常重要的。
鉴于这种情况，具有常规反相型发光电路(如日本专利公开2002-75010) 的小型自镇流荧光灯将采用以下方法。也就是，当这种不发光状态导致，电路 中流动的电流的增加破坏FET设备，以使得FET设备的转化设备作用不起作 用时，并进一步停止电极的辉光放电。更特别地，如果小型自镇流荧光灯产生 不发光状态，电极的烧断将增加灯的照明维持电压。由此，施加到谐振电容设 备的电压将增加。这导致施加到电极的电流的增加(也就是，驱动装置的FET 设备中流动的电流增大)，使得FET设备发热。所述FET设备在电流超过FET 设备上限时将被毁坏。这就是FET设备不再起切换设备作用的原因。
附带地，近来小型自镇流荧光灯的趋势是使用螺旋电弧管代替传统的U型 电弧管，因为螺旋电弧管具有良好的照明效果。可是，如果这种配有螺旋电弧 管的小型自镇流荧光灯具有常规的驱动装置，就不能迅速而确实地阻止不发光 状态下电极处的辉光放电。这是因为，与具有U型电弧管等的自镇流荧光灯相 比，具有螺旋电弧管的小型自镇流荧光灯仅有小电流流到FET设备。这就意味 着，在具有螺旋电弧管的小型自镇流荧光灯中，FET设备在不发光状态开始后 的一段长时期内不会被毁坏。
鉴于以上所述，在小型自镇流荧光灯中，特别是在配有螺旋电弧管的小型 自镇流荧光灯中，与常规自镇流荧光灯相比能更迅速和确实地阻止不发光状态 下电弧管电极处的辉光放电。

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种荧光灯驱动装置以及具有高安全 性能的小型自镇流荧光灯，其中，当电弧管中电极处发生烧断时，能迅速而确 实地阻止电极处辉光放电。
为了实现上述目的，本发明的驱动装置包括：具有第一主表面和第二主表 面的基片，每个主表面包括一个可设置电子设备的区域；装配到第一主表面的 扼流线圈并被热连接到基片上，所述扼流线圈是高频反相器的一个部件；以及 在第二主表面上的开关装置，使其关于基片与扼流线圈相对并被热连接到基片 上，所述开关装置是高频反相器的一个部分并被置于荧光灯的供电路径中。
在常规的驱动装置中，开关设备被设置在远离扼流线圈的位置。相反，在 本发明驱动装置的一个实施例中，开关装置被设置使得其整个主体面对扼流线 圈，基片夹在它们之间(也就是，恰好在扼流线圈的后边)，进而在开关设备 和扼流线圈之间形成热传送路径。这种设置能从扼流线圈到开关设备主体迅速 而可靠地传送热量。因此，如果在连接驱动装置的电弧管的电极处发生烧断(也 就是，不发光状态)，扼流线圈处产生的热量被迅速地传送到开关设备，在开 关设备的(也就是，所述设备主体的)温度超过其热阻上限时使设备不起作用。
因为在如不发光状态的情况下能迅速而可靠阻止电弧管电极处的辉光放 电，其中所述不发光状态发生在连接于驱动装置的电弧管处，所以根据本发明 的驱动装置具有安全的优点。
注意到，一般来讲，在上述装置的组成部件中，扼流线圈具有这样一种结 构，即线圈被设置在具有矩形截面的树脂线圈基座上。正如已经提及的，在驱 动设备中，开关设备的主体被设置得面对扼流线圈，基片处于它们之间。这清 楚地表示当开关设备和扼流线圈从上述设置有扼流线圈的基片的主表面沿垂直 方向观看时，也以透视的方式观看基片的后侧，开关设备的位置是这样的，即 开关设备的主体全部被扼流线圈所覆盖。可是，“全部”在此并不总意指“主 体的100％”，而意指为“基本整个主体”。
在上述位置设置扼流线圈和开关设置的另一个好处是可提高驱动装置的空 间效率，这有助于提高整个灯的设备适用性。
因为其可通过接收自扼流线圈传送的热量，在开关设置的主体温度超过其 热阻上限时能准确地停止它的开关作用，上述驱动装置是满足需要的。如果开 关设备是如FET设备的晶体管设备，因为能在精确温度下准确地停止开关作 用，则上述开关设备是特别期望的。
在此应当注意，只要能根据从扼流线圈传送来的热量准确地停止其作用， 通过中间的基片与扼流线圈相对的设备可为PTC设备，不应限于如晶体管设 备的开关设备。
另外，配有反相电路的普通驱动装置包含构成整流电路的平滑电容器设 备。根据本发明的驱动装置，其优选为，平滑电容器的平滑电容器主体被设置 在扼流线圈附近，或者与扼流线圈接触，或和扼流线圈具有4mm或更小的间 隙。通过平滑电容器设备的这种设置，在扼流线圈于不发光状态产生热量时而 开关装置没有被毁坏的情况下，在上述驱动装置中设置在扼流线圈附近(与其 接触，或与其具有4mm或更小间隙)的平滑电容器设备将被毁坏。如果驱动 装置具有毁坏的平滑电容器设备，开关设备的电源将不稳定，使得开关设备毁 坏，进而最终导致电路中断。
进一步，在驱动装置中，如果从平滑电容器设备的平滑电容器设备主体伸 长的平滑电容器设备引线部分，被加工成与扼流线圈外表面相一致的弯形，以 及如果构造一种布置使得扼流线圈处产生的热量经由平滑电容器设备引线部分 被传送到平滑电容器设备主体，则将热量从扼流线圈可靠地传送到平滑电容器 设备变得可能。
另外，关于驱动装置，配置有扼流线圈的基片主表面上，通过插入配置方 法设置有许多其他电子设备。优选地，这些电子设备中至少一个被设置得相对 于扼流线圈的配置方向具有大于0度小于90度范围内的夹角，并且具有所述 夹角的电子设备的引线部分被加工成弯形。如果电子设备中至少一个被如此设 置，并且它的引线部分被加工成弯形，所述驱动装置将具有更小的有效体积， 使得整个装置的空间效率提高。换句话说，上述设置将有助于降低小型自镇流 荧光灯的大小。
应当注意，上面所指的扼流线圈的配置方向，是与扼流线圈的矩形基座部 分的纵边或横边平行的方向。
上述驱动装置的构造在施加电能来驱动放电路径具有双螺旋构造的电弧管 时特别有效。
另外，本发明的小型自镇流荧光灯的特征在于，其中包括所述驱动装置。
在该小型自镇流荧光灯中，如果因为长照明时间等引起的使用寿命结束而 在电弧管的电极处产生烧断(也就是，不发光状态)，扼流线圈处产生的热量 能迅速和可靠地传送到开关设备。因此，开关作用不仅由于驱动装置中流经电 流的增加，而且由于来自扼流线圈的热量而被停止，更确保了迅速而可靠地停 止电极处的辉光放电。
相应地，因为抑制了电极及其附近区域异常发热，所以确保了小型自镇流 荧光灯的高安全性。
在普通小型自镇流荧光灯中，通常对应于驱动装置的部分覆盖有树脂制成 的外壳，使得人手在驱动时候远离驱动装置等。对比于此，因为在电极附近区 域甚至在如上面所说明的在电极处发生烧断时没有产生异常热量，所以以上说 明的本发明的小型自镇流荧光灯的安全性提高。
特别地，当配有放电路径螺旋(双螺旋结构)形成的电弧管的小型自镇流 荧光灯被配置时，有时将形成电极的放电路径两端放置在外壳中。根据本发明， 在扼流线圈处产生的热量将传送到开关设备，进而迅速和可靠地阻止电极破损 时电弧管中的辉光放电。因此，临近电极所设置的外壳将不承受高温。
更特别地，当小型自镇流荧光灯具有放电路径为双螺旋结构的电弧管时， 通常照明电路中流经的电流在电极烧断(也就是，在不发光状态中)时不会增 加很多。可是，通过包括具有上述构造的驱动装置，甚至具有这样电弧管的小 型自镇流荧光灯也能迅速而可靠地阻止开关装置的开关作用，进而阻止电弧管 电极处的辉光放电持续较长时间。
附图说明
本发明的这些和其他目的，优点以及特征，结合说明本发明特殊实施例的 附图从如下的描述中将变得更加清楚。附图中：
图1为根据本发明实施例的小型自镇流荧光灯1的截面图；
图2A为从上方和倾斜方向观看时照明单元50的透视图；
图2B为从印刷基片51的后表面观看时照明单元50的平面图；
图3为小型自镇流荧光灯1的电路图；
图4为给照明单元50设置的扼流线圈52的分解透视图；
图5为示出了照明单元50中扼流线圈52，电解电容设备53和nMOS-FET 设备56之间的位置关系的截面图；和
图6为从印刷基片51的前表面观看时照明单元50的平面图。

如下参照附图，描述根据本发明实施例的小型自镇流荧光灯1(下文简称 “灯1”)。
灯1的整体结构
图1为从一侧观看灯1的截面图。该图中所示的灯1为12W型，其可代 替60W型白炽灯。
如图1所示，灯1由以下构成：放电路径形成为双螺旋结构的电弧管10； 用于支撑所述电弧管10的支架20；用于驱动电弧管10的照明单元50；以及 一端被固定在基座40的树脂外壳30，用于覆盖所述支架20和照明单元50。
电弧管10具有这样一种结构，其中由软玻璃(例如，具有9.0mm的外直 径φ)制成的玻璃管在其基本中间处被弯曲以形成一弯曲部分，并围绕通过该 弯曲部分的螺旋轴缠绕，所述玻璃管的两端被密封。电弧管10的内表面(也 就是，放电路径的内部空间)的两端，设置由灯丝线圈制成的电极。所述电极 没有在附图中示出。放电路径的长度被设置为，例如400mm。电弧管10的内 表面配有磷层。在电弧管10的内表面，充入水银，以及Ar与Ne的混合气。
支架20，由如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)制成，并具有插入孔，其与设 置电极的电弧管10的电极设置区域的形状相符合。所述插入孔在附图中没有 示出。电弧管10依靠由如硅树脂材料制成的树脂层21固定在支架20上，并 处于电极设置区域插入到所述插入孔中的状态。
树脂外壳30具有漏斗形形状，并由例如PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯) 制成。在附图中树脂外壳30的上侧固定支架20，在附图中树脂外壳30的下 侧固定基座40。
基座40为金属筒，在其外表面切出螺纹凹槽(E17型)。
在照明单元50的印刷基片的一个主表面上，以预定图案形成配线。为该 印刷基片配置许多电子设备(包括电解电容设备53)，以形成反相电路等。在 此，电解电容设备53为构成整流平滑电路的一个设备，并被设置用于平稳电 源。所述电解电容设备53的特征在于，具有相当低的热阻(例如，110℃的操 作温度或更低)，甚至与照明单元50的其他电子设备类似。相应地，电解电容 设备53被设置使得具有外直径D2(例如，φ10.0mm)和基本为圆柱形状的 电解电容设备53的主体，被设置在树脂外壳30中接近基座40固定处的内侧 空间中，树脂外壳例如，具有φ12.0mm的内直径D1。
照明单元50的设备位置和电路结构将在之后详细说明。
在图1中注意到，为了便于说明在照明单元50和基座40之间形成的配线 没有示出。可是在现实中，引线被设置以在它们之间形成电连接。
照明单元50的结构
接下来，借用图2A，2B和3说明照明单元50的结构。图2A和2B为说 明照明单元50的设备位置的示意图，分别为透视图和平面图。图3为示出了 灯1的电路结构的示意图，包括照明单元50的电路结构。
如图2A所示，印刷基片51基本为圆形的树脂板。当被装配到灯1中时其 表面(下文为“前表面”)被设置得朝向基座40，设置许多插装设备，所述插 装设备包括扼流线圈52，电解电容设备53，谐振电容设备54，作为晶体管设 备的pMOS-FET(p型金属氧化物半导体场效应晶体管)设备55，其为开关装 置。每个设备的引线通过引线插入孔因焊接被连接到在印刷基片51后表面上 设置成给定图案的导电焊接区的预定位置。
在插装设备中，扼流线圈52构成一系列谐振电路，与谐振电容设备54协 作。对比于设置到照明单元50上的其他电子设备，扼流线圈52占据相当大量 的空间，并因而基本被设置在印刷基片51的中间(通过插入配置方法)。扼流 线圈52的结构将在随后予以说明。
电解电容设备53具有一定规格，例如160V和12μF，并由基本成圆柱形 的设备主体531和从设备主体531的一个端面延伸的两个引线部分532构成。 所述设备主体531被设置在基本位于印刷基片51中间处的扼流线圈的上方。 根据这种布置，引线部分532被加工弯曲成曲柄形以与扼流线圈52的外表面 相符，并且引线部分532的每个端部被插入到为印刷基片51设置的引线插入 孔中。随后如上所述，在照明单元50被存放在树脂外壳30中时，所述电解电 容设备53的设备主体将处于树脂外壳接近基座40固定位置的内部空间中，因 为这个空间在灯1中具有最低温度。
在此注意到，尽管没有在附图2A中详细说明，不过电解电容设备53的每 个引线部分532在与扼流线圈52相符的部分覆盖有绝缘部件(例如，绝缘管)。
对于谐振电容设备54，例如，使用具有5600pF电容量的聚乙烯电容设备。 谐振电容设备54的两个引线部分被加工弯曲使得设备主体朝主表面倾斜，并 与主表面具有一个夹角。如果照明单元50具有这样的结构，即谐振电容设备54 等的引线部分被加工成弯形，因此使设备主体倾斜，则设备几乎不会离开(lie off)印刷基片51圆周与电解电容设备53上边缘连接所形成的虚构空间。
pMOS-FET设备55起到开关设备的作用，并因此使用独立型(插装型)。
接下来，如附图2B中所示和上面所述，导电焊接区以预定图案被形成在 印刷基片51的后表面上。每个设备的引线部分，在从上述印刷基片51的前表 面插入后，与后表面上的导电焊接区的预定部分相接触。
另外，如附图2B中所示，nMOS-FET设备56被表面安装在印刷基片51 的后表面的基本中间处。所述nMOS-FET设备56与pMOS-FET设备55在功 能上形成一对，并起到开关设备的作用。在此，nMOS-FET设备56的热阻温 度，例如为150℃时，在此温度或更低温度，nMOS-FET设备56可以实现开 关作用。
nMOS-FET设备56的设备主体相对之间的印刷基片51被设置成与扼流线 圈52相对的位置。在nMOS-FET设备56上，形成引线部分56a和56b。在其 中，引线部分56b被设置在这样的位置，即偏离相对之间的印刷基片51面对 扼流线圈的位置。
根据上述nMOS-FET设备56和扼流线圈52的设置，照明单元50能够迅 速而可靠地将扼流线圈52所产生地热量传送到nMOS-FET设备56。
至于nMOS-FET设备56的引线部分56a，并不总要求设置在相对之间的 印刷基片51而面对扼流线圈52的位置。
另外，如附图2B所示，在附图中二极管电桥设备57设置在nMOS-FET 设备56的上方。
注意到，不同于上述的nMOS-FET设备56和二极管电桥设备57的其他电 子设备，被表面安装在印刷基片51的后表面上，但它们的说明在此略过。
如下，使用图3描述包括照明单元50的灯1的电路构造。
如图3所示，照明单元50主要由整流电路部分100和反相电路部分110 构成。
整流电路部分100由上述图2A和2B中所说明的二极管电桥设备57和电 解电容设备53构成。
反相电路部分110主要由，pMOS-FET设备55和nMOS-FET设备56构 成，并附加地包括陶瓷电容设备和阻抗设备等。
反相电路部分110与每个电极11和电极12的引线之一相连接。在此，在 电极11和反相电路部分110之间插入陶瓷芯电容设备58，以及在电极12和反 相电路部分110之间插入扼流线圈52的副线圈。
对于电弧管10中的电极11和12，分别连有NTC(负温度系数)设备59 和60。
另外，在与反相电路部分110相连接的每个电极11和12的一个引线不同 的引线之间，插入并联的谐振电容设备54和PTC(正温度系数)设备61。
在上述构成元件中，扼流线圈52和谐振电容设备54组成串联谐振电路。 灯1的照明点火运作
因为具有上述结构的灯1的照明操作已经熟知，因此不再进行详细说明。 但如下说明常规结构的照明运作。
从商业电源施加到灯1的交流电临时转变为直流电，进而通过反相电路部 分110的两个FET设备55和56实现的开关运作将其转变为高频电，随后高频 电被施加到电弧管10。特别地，所述高频电具有30kHz-3.0MHz(特别地， 30kHz-100kHz用于具有电极的灯，以及300kHz-3.0MHz用于没有电极的灯)。 在灯1点火时，通过施加点火电压为处于低温的电极11和12进行预热。进而， 在电极11和12已经被预热预定时间(大约1秒以内)后，谐振电容设备54 两端的电压升高。当两端电压超过电弧管10的点火电压时，电弧管10引起绝 缘击穿，进而开始放电。
一旦放电开始，则通过限制来自照明单元50施加的电能，在具有负阻抗 的电弧管10中维持放电。
扼流线圈52的结构
接下来，在图2中照明单元50所包括的电子设备中，说明扼流线圈52的 结构。图4是为根据本发明实施例的灯1所设置的扼流线圈52的分解透视图。
如图4所示，扼流线圈52包括线轴521，金属线522和铁芯523和524。
线轴521是一单件，其中上表面部分521a，主体部分521b和基底部分521c 通过树脂材料整体形成。另外，线轴521具有从基底部分521c突出的四个引 脚521d的结构。
线轴521的中间设置有基本为矩形的孔，铁芯523和524的两个中间突出 部分523a和523b分别通过该孔插入。该孔沿图4中所示的z方向设置。在这 样的线轴521中，假设在孔的中央沿z方向绘制一虚线L1；虚线L2从虚线L1 和上表面部分521a的交点沿x方向延伸；以及虚线L3从虚线L1和基座部分 521c的交点沿x方向延伸。在此前提下，如果沿y方向从虚线L2到上表面521a 两端的距离分别设为W1和W2，则这两个W1和W2被设置为基本相同的值。
相反，设想分别设置W3和W4，即沿y方向从虚线L3到基座部分521c 两端的距离。因此，W3要比W4所设置得要长。也就是说，在线轴521中， 基座部分521c在y方向的中心相对于上表面部分521a在y方向的中心(以及 也相对于主体部分521b在y方向的中心)被偏移设置。例如，W1和W2被设 置为5.5mm，W3为8.0mm，以及W4为6.5mm。
如上所述，在线轴521中，基座部分521c相对于上表面部分521a和主体 部分521b被偏置形成。所以，在如图2A中所示在印刷基片51上布置电子设 备时，所形成的线轴521有助于提高空间效率。特别地，在已被设置在印刷基 片51的扼流线圈52周围设置电子设备时，如果电子设备的引线相对于扼流线 圈52被加工成弯形，电子设备的设备主体能被设置在基底部分521c的W3侧 之上。这样有助于降低照明单元50的有效体积，只要稍有降低就是有益的。
扼流线圈52、nMOS-FET设备56和电解电容53之间的位置关系
关于具有上述结构的照明单元50，扼流线圈52，nMOS-FET设备56和电 解电容53之间的位置关系，当它们被设置在印刷基片51上时，可使用图5予 以说明。图5为照明单元50的部分截面图。
如图5所示，在上述照明单元50中，扼流线圈52和nMOS-FET设备56 关于中间的印刷基片51而被相对设置。也就是说，nMOS-FET设备56被设置 使其设备主体位于扼流线圈2的四个引脚部分521d所围绕区域的内侧，所述 引脚部分521d经由印刷基片51的引脚插入孔从印刷基片51的后表面伸出。
另外，在扼流线圈52(在灯1保存时沿基座40方向)的上面，电解电容 设备53的设备主体531被设置得具有一间隙x(例如，4mm或更小的间隙)。 在此，间隙x等于，1)从扼流线圈52的铁芯523的上表面平行于印刷基片51 上表面所绘制的虚线L4，和2)从电解电容设备53的设备主体531的最低位 置所绘制的虚线L5之间的距离。在此，电解电容设备52的引线部分在设备主 体531和扼流线圈52之间被插入到印刷基片51的孔中。
注意到，电解电容设备53的主体531和扼流线圈52可以设置有0mm的 间隙x，换句话说，可以相互接触设置。
配有照明单元50的灯1的优点
接下来，继续使用图5来说明配有照明单元50的灯1的优点。
当灯产生不发光状态时，除由于在扼流线圈52处产生的热量增加上述电 路流经的电流外，nMOS-FET设备56或电解电容设备53被毁坏，因此电弧管 10的电极11和12处停止辉光放电。
特别地，不发光状态中扼流线圈52处所产生的热量的一部分(T1)经由 之间的印刷基片51被传送到表面配置在扼流线圈52背侧的nMOS-FET设备56 的设备主体。随后，当设备主体的温度超过设备的热阻温度(例如，150℃) 时，nMOS-FET设备56被毁坏。这将停止开关功能，进而电弧管10的电极11 和12处停止辉光放电。
另外，不发光状态下扼流线圈52处所产生的热量的另一部分，经由间隙x 和引线部分532被传送到电解电容设备53的设备主体531。也在这种情况中， 当电解电容设备53的设备主体531的温度超过热阻温度110℃时，电解电容设 备53将被毁坏。由于电解电容设备53的毁坏，照明单元50将停止照明操作， 进而电弧管10的电极11和12处停止辉光放电。即使电解电容设备53的毁坏 没有导致电路运作的停止，这种毁坏确实失去了平稳电源的作用，进而pMOS- FET设备55和nMOS-FET设备56使开关损耗增大。正如上面所述，如果引 起大的开关损耗，FET设备55和56将由于热而被损坏，导致照明单元50的 照明操作停止。因此也在这种情况中，将迅速而可靠地停止电弧管10的电极11 和12处的辉光放电。
注意到，电解电容设备53通常如图5所述形成。因此，引线部分532将 位于设备主体531和扼流线圈52之间。这就是在扼流线圈52和电解电容设备 53之间形成间隙x的原因。如果该间隙x被设置为4mm或更小，扼流线圈52 处产生的热量顺利地传送到设备主体531。进一步，在灯1中，电解电容设备 53的引线部分沿扼流线圈52的外表面设置，这更有助于提高热传送。
照明单元50的设备配置方向
接下来，照明单元50的设备配置方向，特别是要配置在印刷基片51前表 面上的插装设备的配置方向，运用图6予以说明。图6为从电解电容设备53 的上方沿倾斜方向观看时，图2A照明单元50的平面图。
如图6所示，在圆印刷基片51的基本中间位置设置有扼流线圈52和电解 电容设备53。在此，扼流线圈52的配置方向为虚线L6所示的方向，其平行 于线轴521(参见图4)中基座部分521c的纵向方向。该方向与照明单元50 生产中印刷基片被传送的方向一致。
如图6所示，在照明单元50的插装设备中，谐振电容设备54和pMOS-FET 设备55分别具有θ1和θ2的配置方向。更特别地，假定设置一条线，如虚线L7 通过插入到印刷基片51的引线插入孔中的两个引线部分54a处的两点，并假 定设置一条线，如虚线L8通过pMOS-FET设备55外边的两个引线部分。因 此，虚线L6和虚线L7形成夹角θ1，虚线L6和虚线L8形成夹角θ2。也就是 说，虚线L7平行于谐振电容设备54的配置方向，同样，虚线L8平行于 pMOS-FET设备55的配置方向。
夹角θ1和θ2均被设置在大于0度小于90度的范围内。
如上所述，照明单元50被如此设置，即插装设备中至少一个被设置使其 相对于扼流线圈52的配置方向而具有一大于0度小于90度范围内的夹角。因 此，每个引线部分能被加工弯曲使得设备主体朝向印刷基片51的表面中心倾 斜，进而改善照明单元50中设备的配置效率，并降低设备的有效空间。
相应地，配有照明单元50的灯1能具有更小树脂外壳30，并因此可替代 具有E17型(例如，迷你型氪球形)基座的白炽灯。
其他内容
应当注意，在上述实施例及其修改中，小型自镇流荧光灯具有例如采用螺 旋管的电弧管。可是，本发明不限于此。例如本发明也适用于用于驱动具有U 型放电路径的电弧管的荧光灯驱动装置，以及配置有具有U型放电路径的电弧 管的小型自镇流荧光灯，以获得与上述实施例相同的效果。
进一步，在实施例中，以12W型的小型自镇流荧光灯为例。可是，其尺 寸等并不限于所描述的。另外，为荧光灯驱动装置(也就是，实施例中的照明 单元50)所设置的电子设备，就速率，类型，位置等而言并不限于之前所说明 的。
在实施例中，被设置在印刷基片51后面的nMOS-FET设备56是表面配置 设备。可是，在此也可以使用插装设备，仍可获得与实施例一样的效果。其他 设备也可以是插装设备。
另外，如之前实施例所述，在小型自镇流荧光灯中，扼流线圈52和平滑 电解电容设备53的设备主体531在彼此靠近设置，于照明单元50中在它们之 间具有间隙x。可是，扼流线圈52和电解电容设备53的设备主体531可以被 设置得直接相互接触。如果这样作，不发光状态下扼流线圈52处所产生的热 量将被直接传送到电解电容设备53的设备主体531，因此优选地可以更可靠地 停止电弧管10的电极11和12处的辉光放电。
尽管参照附图通过实施例充分说明了本发明，应当注意到，各种变化和变 型对于本领域普通技术人员来讲是显而易见的。因此，除非变化和变型偏离了 本发明的范围，否则其应被解释为包含在本发明中。